TW202343847A - 顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202343847A
TW202343847A TW112109182A TW112109182A TW202343847A TW 202343847 A TW202343847 A TW 202343847A TW 112109182 A TW112109182 A TW 112109182A TW 112109182 A TW112109182 A TW 112109182A TW 202343847 A TW202343847 A TW 202343847A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sub
pixels
film
display device
organic
Prior art date
Application number
TW112109182A
Other languages
English (en)
Inventor
笠原直也
澤部智明
小倉昌也
青柳健一
白岩利章
根岸英輔
立島滉大
伊藤啓之
吉田純
加藤孝義
西川寛
濱下大輔
市川朋芳
藤卷宏史
大島啓示
杉安雅貴
Original Assignee
日商索尼半導體解決方案公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商索尼半導體解決方案公司 filed Critical 日商索尼半導體解決方案公司
Publication of TW202343847A publication Critical patent/TW202343847A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本技術係於設有有機EL膜之顯示裝置中，抑制漏電流。 本技術之顯示裝置具備第1電極與第2電極、及有機EL膜。該顯示裝置中，第1電極與第2電極之極性不同。又，顯示裝置中，有機EL膜自與規定平面垂直之方向觀察，形成於規定數之次像素、與規定數之次像素間之像素間區域中將相鄰之次像素彼此互相連接之部分即連接部，且自與規定平面平行之方向觀察，形成於第1電極及第2電極之間。

Description

顯示裝置
本技術係關於一種顯示裝置。詳細而言係關於一種使用發光元件之顯示裝置。
先前以來，顯示裝置等中，為了削減背光或提高畫質，使用有機EL(Electro Luminescence：電致發光)。例如，提案有如下構造之顯示裝置：於每個次像素配置第1電極，於其上部積層機EL膜及第2電極，於顯示區域內之所有次像素與顯示區域外，有機EL膜及第2電極連接(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2014-232568號公報
[發明所欲解決之問題]
上述之先前技術中，藉由於顯示區域內外連接機EL膜，謀求防止圖案化步驟中之有機EL膜之破裂或脫落。然而，上述之先前技術中，難以抑制經由有機EL膜之漏電流。
本技術係鑑於此種狀況而創造者，其目的在於，在設有有機EL膜之顯示裝置中，抑制漏電流。 [解決問題之技術手段]
本技術係用以消除上述問題者，其第1態樣係一種顯示裝置，其具備：不同極性之第1電極與第2電極；及有機EL膜，其自與規定平面垂直之方向觀察，形成於規定數之次像素、與上述規定數之次像素間之像素間區域中將相鄰之次像素彼此互相連接之部分即連接部，自與上述規定平面平行之方向觀察，形成於第1電極及第2電極之間。藉此，發揮抑制漏電流之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述連接部為上述像素間區域之一部分。藉此，發揮抑制漏電流之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述第1電極自上述垂直方向觀察，於每個上述次像素形成於包圍該次像素之規定區域內，上述第2電極自上述垂直方向觀察，形成於上述規定數之次像素與上述連接部。藉此，發揮單獨驅動次像素之作用。
又，該第1態樣中，亦可為進而具備覆蓋上述規定數之次像素排列而成之像素陣列部之保護膜，上述保護膜中覆蓋上述規定數之次像素之規定部分之膜厚，大於非上述規定部分之部分的膜厚。藉此，發揮提高光提取效率之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述連接部形成於上述像素間區域中之非矩形區域之部分。藉此，發揮抑制漏電流之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述規定數之次像素排列於像素陣列部內，上述第2電極之寬度為與距上述像素陣列部之中央部之距離對應的值。藉此，發揮抑制陰影之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述連接部之一端連接於上述規定數之次像素中相鄰之一對次像素之一者，上述連接部之另一端連接於上述一對次像素之另一者，上述一端之寬度與上述另一端不同。藉此，發揮進行主光線控制之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述規定數之次像素排列於像素陣列部內，上述寬度為與距上述像素陣列部之中心之距離對應的值。藉此，發揮進行主光線控制之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述連接部包含矩形之第1及第2連接部，上述規定數之次像素中相鄰之一對次像素藉由上述第1及第2連接部連接。藉此，發揮防止連接不良之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述連接部之邊為圓弧。藉此，發揮防止連接不良之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述連接部之中央之寬度寬於上述連接部之兩端之寬度。藉此，發揮提高光提取效率之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，於上述連接部之中央部設置未形成上述有機EL膜之開口區域。藉此，發揮提高光提取效率之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述有機EL膜自上述垂直方向觀察，形成於上述規定數之次像素、上述連接部及上述像素間區域中連接上述連接部彼此之橋接區域。藉此，發揮抑制陰極電極之電阻增大之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述次像素之形狀自上述垂直方向觀察，係將核心部與複數個凸部複合之圖形。藉此，發揮提高光提取效率之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，自上述垂直方向觀察，上述有機EL膜之形狀為具有規定數之撓曲部之形狀。藉此，發揮提高光提取效率之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，自與上述規定平面平行之方向觀察，於上述次像素之側壁形成凹凸。藉此，發揮提高光提取效率之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述規定數之次像素三角形排列。藉此，三角形排列之顯示裝置中，發揮抑制漏電流之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述規定數之次像素正方排列。藉此，正方排列之顯示裝置中，發揮抑制漏電流之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，上述規定數之次像素條狀排列。藉此，條狀排列之顯示裝置中，發揮抑制漏電流之作用。
又，該第1態樣中，亦可為，自上述垂直方向觀察，上述有機EL膜形成於包圍規定數之上述次像素之框架、規定數之上述次像素及上述連接部，自上述垂直方向觀察，於上述有機EL膜形成複數個開口部，上述複數個開口部包含至少1條邊與上述框架相接之第1開口部、及非上述第1開口部之第2開口部，上述第1開口部之2條邊所成角度中之最小角度不超出上述第2開口部之2條邊所成角度中之最小角度。藉此，發揮抑制框架及框架周邊像素劣化之作用。
以下，針對用以實施本技術之形態(以下，稱為實施形態)進行說明。說明按照以下順序進行。 1.第1實施形態(於連接部殘留有機EL膜之例) 2.第2實施形態(於連接部殘留有機EL膜，調整陰極電極之寬度之例) 3.第3實施形態(於連接部殘留有機EL膜，調整連接部之寬度之例) 4.第4實施形態(於連接部殘留有機EL膜，增加連接部之例) 5.第5實施形態(於連接部殘留有機EL膜，加寬連接部之中央之寬度之例) 6.第6實施形態(於連接部殘留有機EL膜，變更次像素之形狀之例) 7.第7實施形態(於連接部殘留有機EL膜，於次像素內使有機EL膜撓曲之例) 8.第8實施形態(於連接部殘留有機EL膜，於次像素之側壁形成有凹凸之例) 9.第9實施形態(於連接部殘留有機EL膜，增大有機EL膜之開口部之角度之例)
＜1.第1實施形態＞ [顯示裝置之構成例] 圖1係顯示本技術之第1實施形態之顯示裝置100之一構成例之方塊圖。該顯示裝置100具備控制電路111、H驅動器112、V驅動器113及像素陣列部120。作為顯示裝置100，設想與智慧型手機或個人電腦等電子裝置一體化之顯示器、或與電子裝置分離之監視器裝置等。
於像素陣列部120內排列複數個像素200。像素200各自包含發出互不相同色之光之複數個次像素。例如，於每個像素200配置發出R、G及B光之次像素201、202及203。次像素201、202及203各者之形狀為六邊形，該等3者例如排列成三角形。即，次像素三角形排列。另，次像素之形狀或排列不限定於六邊形或三角形排列。
控制電路111基於圖像資料控制H驅動器112及V驅動器113各者之驅動時序。H驅動器112以行單位驅動次像素。V驅動器113以列單位驅動次像素。
[像素陣列部之構成例] 圖2係本技術之第1實施形態之像素陣列部120之俯視圖及剖視圖之一例。同圖之a係像素陣列部120之俯視圖之一例，同圖之b係像素陣列部120之剖視圖之一例。
次像素201等複數個次像素排列於規定之平面上。以下，將與該平面垂直之軸設為「Z軸」，將與該平面平行之規定之軸設為「X軸」。將與X軸及Z軸垂直之軸設為「Y軸」。又，X軸方向亦可稱為「水平方向」。Y軸方向亦可稱為「垂直方向」。
如上所述，次像素各者例如為六邊形。同圖之a之由一點鏈線包圍之區域表示次像素201。又，複數個次像素空出一定間隔排列。以下，將次像素間之區域稱為「像素間區域」。同圖之a中，包含斜線部分與白色部分之區域相當於像素間區域。
同圖之b顯示以同圖之a之座標(X3、Y4)至(X8、Y4)之線段切斷時之像素陣列部120之剖視圖。像素陣列部120具備基板240、保護膜211及212、陰極電極221、有機EL膜222、複數個陽極電極223及絕緣膜230。
於基板240之基板平面中，於每個次像素形成陽極電極223。以下，將自基板240朝向陽極電極223之方向設為「上」方向。陽極電極223各者藉由形成於該等間之絕緣膜230互相分離(換言之，絕緣)。斜線部分相當於陽極電極223，白色部分相當於絕緣膜230。
於陽極電極223之上部形成有機EL膜222，於其上部形成陰極電極221。又，於陰極電極221之上部形成保護膜212，於保護膜212之上部與像素間之上部形成覆蓋該等之保護膜211。保護膜211及212於後述之製造步驟中分開形成，但為一體化，可將該等統一作為保護膜210處理。
由於保護膜212形成於次像素上，故保護膜210中覆蓋次像素之部分之膜厚大於除此以外之部分之膜厚。換言之，保護膜210於次像素之部分鼓起。又，於保護膜210之上部及側面填充低折射率膜(未圖示)。因此，次像素發出之光於該鼓起部分之側面(換言之，保護膜之表面)朝上方反射。同圖之a之粗箭頭表示次像素發出之光之光路。
又，同圖之a中，為了明確表示有機EL膜222之平面形狀，省略保護膜211及212與陰極電極221。同圖之a之灰色部分表示有機EL膜222。如同圖之a所例示，有機EL膜222形成於複數個次像素各者、與像素間區域中連接相鄰之次像素彼此之部分。以下，將像素間區域中形成有機EL膜222之部分稱為「連接部」。同圖之a之由座標(X2、Y1)、(X6、Y1)、(X2、Y3)及(X6、Y3)包圍之虛線之矩形部分相當於連接部。
又，陽極電極223自Z軸方向觀察，形成於包圍次像素之規定區域。同圖之a之斜線部分之外周(座標X5等)相當於陽極電極223之外周。又，陰極電極221之平面形狀與有機EL膜222相同。又，絕緣膜230之端部到達陽極電極223之端部，鼓起該電極之厚度之量。通過座標X4等之一點鏈線之六邊形表示絕緣膜230之鼓起部分之外周。以下之圖中，省略一點鏈線。
另，陽極電極223為申請專利範圍所記載之第1電極之一例，陰極電極221為申請專利範圍所記載之第2電極之一例。
圖3係本技術之第1實施形態之像素陣列部120之俯視圖、與以包含連接部之線段切斷時之剖視圖之一例。同圖之a係像素陣列部120之俯視圖之一例。同圖之b顯示以同圖之a之座標(X1、Y2)至(X7、Y2)之線段切斷時之剖視圖。該線段包含次像素間之連接部。如同圖之b所例示，於連接部亦形成有機EL膜222及陰極電極221，相鄰之次像素彼此藉由有機EL膜222及陰極電極221連接。
如圖2及圖3所例示，有機EL膜222自Z軸方向觀察，形成於複數個次像素各者、與其等間之像素間區域中將相鄰之次像素彼此互相連接之部分(即，連接部)。又，自Y軸方向或X軸方向觀察，有機EL膜222形成於陰極電極221與陽極電極223之間。另，陰極電極221與陽極電極223為申請專利範圍所記載之第1電極及第2電極之一例。
又，陽極電極223自Z軸方向觀察，於每個次像素形成於包圍次像素之規定區域。陰極電極221與有機EL膜222同樣，自Z軸方向觀察，形成於複數個次像素各者與連接部。又，保護膜210(保護膜211及212)中覆蓋次像素之部分之膜厚大於除此以外部分之膜厚。
此處，設想於像素間區域之全體形成有機EL膜222，於次像素之部分保護膜未鼓起之構造之顯示裝置100，作為比較例。
圖4係比較例之像素陣列部120之俯視圖及剖視圖之一例。同圖之a係像素陣列部120之俯視圖之一例，同圖之b係以同圖之a之座標(X1、Y1)至(X2、Y1)之線段切斷時之剖視圖之一例。
如同圖所例示，有機EL膜222形成於次像素各者與其等間之像素間區域之全體。關於陰極電極221亦同樣。又，保護膜211之膜厚於次像素之上部與像素間區域之上部幾乎不變。
比較例中，由於次像素彼此藉由有機EL膜222連接，故經由該有機EL膜222流動之漏電流易變大。同圖之虛線之箭頭表示漏電流。
相對於此，如圖2及圖3所例示，於像素間區域之一部分(連接部)形成有機EL膜222之構造中，較於該區域之全體形成有機EL膜222之比較例，可進而減小漏電流。另，於像素間區域之全體未形成有機EL膜222之構成中，次像素上之有機EL膜222及陰極電極221孤立，無法對次像素各者供電。為防止該問題，圖2中，於連接部殘留有機EL膜222。
又，比較例中，由於保護膜211於次像素上未鼓起，故有次像素發出之光於保護膜之表面朝下方向反射之情形。同圖之粗線箭頭表示於保護膜之表面反射之光之光路。
相對於此，如圖2所例示，保護膜於次像素上鼓起之構造中，可使光於該鼓起部分之側面(保護膜之表面)朝上方向反射。藉此，較比較例，可提高光提取效率。
[顯示裝置之製造方法] 圖5係用以說明本技術之第1實施形態之直至光微影之製造步驟為止之圖。同圖之a顯示形成有陽極電極223及絕緣膜230之像素陣列部120之剖視圖。同圖之b顯示形成有有機EL膜222、陰極電極221及保護膜212之像素陣列部120之剖視圖。同圖之c顯示進行光微影時之像素陣列部120之剖視圖。
如同圖之a所例示，製造系統於基板240上，於每個次像素形成陽極電極223，於該等之間形成絕緣膜230。且，如同圖之b所例示，製造系統形成有機EL膜222及陰極電極221，於陰極電極221之上部形成保護膜212。接著，製造系統於次像素各者之上部配置光阻劑250，進行光微影。
圖6係用以說明本技術之第1實施形態之直至保護膜211之成膜為止之製造步驟之圖。同圖之a顯示光微影後之像素陣列部120之剖視圖。同圖之b顯示將保護膜211成膜後之像素陣列部120之剖視圖。
如同圖之a所例示，藉由光微影，殘留次像素之上部，將除此以外之部分之保護膜212去除。且，如同圖之b所例示，製造系統形成保護膜211。其結果，可獲得圖2所例示之構造之像素陣列部120。
圖2中，藉由有機EL膜222，將排列於傾斜方向與水平方向(X軸方向)之次像素彼此連接，但不限定於此。
例如，如圖7所例示，可削減水平方向之連接部，僅將排列於傾斜方向之次像素彼此連接。
或者，如圖8所例示，亦可削減傾斜方向之連接部，僅將排列於水平方向之次像素彼此連接。
或者，如圖9所例示，亦可削減水平方向、傾斜方向之連接部，於垂直方向(Y軸方向)設置連接部，將排列於垂直方向之次像素彼此連接。
或者，如圖10所例示，亦可追加垂直方向之連接部，將排列於水平方向、垂直方向及傾斜方向之次像素彼此連接。
或者，如圖11所例示，亦可削減傾斜方向之連接部，於水平方向追加連接部，將排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此連接。
又，圖2與圖7至圖11中，將次像素三角形排列，但不限定於該構成。如圖12至圖16所例示，亦可將次像素之形狀設為正方形，而進行正方排列。
此時，如圖12所例示，可於傾斜方向設置連接部，將排列於傾斜方向之次像素彼此連接。
或者，如圖13所例示，可於垂直方向設置連接部，將排列於垂直方向之次像素彼此連接。
或者，如圖14所例示，可於水平方向設置連接部，將排列於水平方向之次像素彼此連接。
或者，如圖15所例示，可於水平方向及垂直方向設置連接部，將排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此連接。
或者，如圖16所例示，可於水平方向、垂直方向及傾斜方向設置連接部，將排列於水平方向、垂直方向及傾斜方向之次像素彼此連接。
又，如圖17至圖21所例示，亦可將次像素之形狀設為長方形，進行條狀排列。
此時，如圖17所例示，可於垂直方向設置連接部，將排列於垂直方向之次像素彼此連接。
或者，如圖18所例示，亦可於水平方向設置連接部，將排列於水平方向之次像素彼此連接。
或者，如圖19所例示，亦可將排列於垂直方向之次像素彼此連接，進而將排列於水平方向之連接部彼此連接。
或者，如圖20所例示，亦可於水平方向及垂直方向設置連接部，將排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此連接。
或者，如圖21所例示，亦可將排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此連接，將排列於水平方向之連接部彼此連接。
另，上述例中，將像素間區域中之矩形部分設為連接部，但不限定於該構成。如圖22所例示，亦可將相鄰之次像素間之像素間區域中之矩形部分以外設為連接部，形成有機EL膜222。同圖中，以粗虛線包圍之Y字形之部分相當於連接部。該情形時，於矩形部分配置陽極電極223之一部分與絕緣膜230之一部分。
如此，根據本技術之第1實施形態，由於在次像素各者與像素間區域中之連接部形成有有機EL膜222，故較於像素間區域之全體形成有機EL膜222之情形，可進而減小漏電流。
又，由於使保護膜210中覆蓋次像素之部分之膜厚大於除此以外之部分之膜厚，故可提高光提取效率。
＜2.第2實施形態＞ 上述第1實施形態中，將像素陣列部120內之連接部各者之陰極電極221之寬度設為固定，但該構成中，難以抑制陰影。該第2實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，根據與中央部之距離變更陰極電極221之寬度。
圖23係本技術之第2實施形態之像素陣列部120之俯視圖之一例。該第2實施形態之像素陣列部120與第1實施形態之不同點在於，次像素間之連接部之陰極電極221之寬度愈靠近中央部愈小。
此處，若電流通過陰極電極221流動，則因該陰極電極221之電阻而產生電位下降(換言之，IR位降)，像素各者之陽極-陰極間之電位差降低。對陰極電極221供給電位之陰極接觸電極(未圖示)配置於像素陣列部120周圍。因此，與其周圍愈遠，換言之，愈靠近像素陣列部120之中央，電位差愈小，流動至有機EL膜222之電流減少，亮度降低。其結果，亮度不均一，而有產生陰影之虞。
藉由愈靠近中央部愈減小陰極電極221之寬度，圖2所例示之側壁反射之面積愈靠近中央愈大，光提取效率提高。因此，可抑制中央部之亮度降低(即，陰影)。
如此，根據本技術之第2實施形態，由於將連接部之陰極電極221之寬度設為對應於與中央部之距離之值，故可抑制陰影。
＜3.第3實施形態＞ 上述第1實施形態中，將有機EL膜222之連接部之寬度設為固定，但該構成中，進行主光線控制時，需要使透鏡之位置偏移來改變主光線之方向。該第3實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點，在於將連接部之一端之寬度設為與另一端不同之值，來實現主光線控制之點。
圖24係本技術之第3實施形態之三角形排列之像素陣列部120之俯視圖之一例。該第3實施形態中，有機EL膜222之連接部之一端之寬度，與另一端不同。例如，連接部之兩端中離像素陣列部120之中央部較遠之一端之寬度，寬於另一端。又，寬度自一端至另一端逐漸變化。
例如，將像素陣列部120之中央部之X座標設為X3。於較該座標X3左側，座標X1等之左端之寬度寬於座標X2等之右端。於較座標X3右側，座標X4等之左端之寬度窄於座標X5等之右端。同樣，於較中央部上側，連接部之上端之寬度寬於下端。於較中央部下側，連接部之上端之寬度窄於下端。如此，藉由於每個連接部，使離中央部較遠之一端之寬度寬於另一端，即使不使透鏡之位置偏移，亦可使主光線朝向中央。藉由該主光線控制，可將光集中於顯示裝置100之中央部。另，同圖中，省略中央部之上側及下側之連接部。
另，如圖25所例示，較佳為根據與中央部之距離改變連接部之寬度。例如，只要離中央部愈遠，愈加寬連接部之寬度即可。將中央部之X座標設為X5。於較該座標X5左側，某連接部之座標X1之左端之寬度寬於座標X2之右端。較該連接部靠近中央部之連接部之座標X3之左端之寬度寬於座標X4之右端，座標X3及X4之寬度窄於座標X1及X2之寬度。
於較座標X5右側，某連接部之座標X6之左端之寬度窄於座標X7之右端。較該連接部離中央部較遠之連接部之座標X8之左端之寬度窄於座標X9之右端，座標X8及X9之寬度寬於座標X6及X7之寬度。
同樣，於較中央部上側，愈靠近像素陣列部120之上端，連接部之寬度愈寬。於較中央部下側，愈靠近像素陣列部120之下端，連接部之寬度愈寬。
又，如圖26所例示，亦可於正方排列中將連接部之一端之寬度設為與另一端不同之值。
如圖27所例示，亦可於正方排列中根據與中央部之距離改變連接部之寬度。
又，使寬度自一端至另一端逐漸變化，但不限定於該構成。例如如圖28所例示，亦可將連接部設為T字形狀。
如此，根據本技術之第3實施形態，由於將連接部之一端之寬度設為與另一端不同之值，故可不使透鏡之位置偏移而進行主光線控制。
＜4.第4實施形態＞ 上述第1實施形態中，藉由連接部連接相鄰之次像素彼此，但若連接部過細，則有因連接部中斷連接不良而導致次像素暗點化之虞。該第4實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，防止連接不良。
圖29係本技術之第4實施形態之像素陣列部120之俯視圖之一例。該第4實施形態之像素陣列部120與第1實施形態之不同點在於，於著眼於相鄰之一對次像素之情形時，該等藉由2個連接部連接。同圖中以粗虛線包圍之部分相當於連接部。
另，亦可藉由3個以上次像素將相鄰之一對次像素連接。藉由將連接部增加為2個以上，即使於1個連接部產生連接不良，亦可藉由剩餘之連接部維持次像素間之連接。藉此，可防止連接不良。
另，一對次像素間之2個連接部為申請專利範圍所記載之第1及第2連接部之一例。
如此，根據本技術之第4實施形態，由於藉由2個連接部連接相鄰之一對次像素，故可防止連接不良。
[變化例] 上述第4實施形態中，將連接部增加為2個以上，但該構成亦有無法充分防止連接不良之情形。該第4實施形態之變化例之顯示裝置100與第4實施形態之不同在於，連接部之邊為圓弧。
圖30係本技術之第4實施形態之變化例之像素陣列部120之俯視圖之一例。該第4實施形態之變化例之陣列部120與第4實施形態之不同在於，相鄰之一對次像素間之連接部為1個，且該連接部之邊為圓弧。連接部之邊例如為扇形之圓弧狀。同圖中以粗虛線包圍之區域相當於連接部。藉由將連接部之邊形成為弧狀，可減輕次像素間之斷線不良。
另，如圖31所例示，亦可於六邊形之次像素之頂點附近配置Y字狀之連接部，將該邊設為弧狀。同圖中以粗虛線包圍之區域相當於連接部。
又，第4實施形態之變化例中，如圖29所例示，亦可將一對次像素間之連接部設為2個以上。
如此，根據本技術之第4實施形態之變化例，由於將連接部之邊設為弧狀，故可防止連接不良。
＜5.第5實施形態＞ 上述第1實施形態中，將連接部設為矩形，但該構成中，難以進而提高光提取效率。該第5實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，加寬連接部之中央之寬度，提高光提取效率。
圖32係本技術之第5實施形態之像素陣列部120之俯視圖之一例。該第5實施形態之像素陣列部120與第1實施形態之不同點在於，連接部之中央之寬度寬於其兩端之寬度。例如，六邊形之次像素201及202排列於X軸方向，將次像素201之右端之X座標設為X1，將其右側之次像素202之左端之X座標設為X3，將其中間之X座標設為X2。連接該等次像素之連接部之左端及右端之X座標相當於X1及X3，中央之X座標相當於X2。若將座標X1及X3之連接部之Y軸方向之長度(即寬度)設為Y1及Y3，將座標X2之連接部之寬度設為Y2，則Y2大於Y1及Y3各者。
藉由加寬中央之寬度，可增加於保護膜211與低折射率膜之界面反射之區域，光提取效率提高。又，藉由加寬連接部之中央之寬度，可降低連接部之電阻，可抑制電壓上升。
如此，根據本技術之第5實施形態，由於加寬連接部之中央之寬度，故可提高光提取效率。
[第1變化例] 上述第5實施形態中，雖加寬連接部之中央之寬度，但該構成中，難以進而提高光提取效率。該第5實施形態之第1變化例之顯示裝置100與第5實施形態之不同點在於，將連接部之中央部開口。
圖33係本技術之第5實施形態之第1變化例之像素陣列部120之俯視圖之一例。第5實施形態之第1變化例與第5實施形態之不同點在於，像素陣列部120之連接部之中央部之一部分開口，於該開口區域未形成有機EL膜222。同圖之座標X2至X3之粗線之矩形表示開口區域。
圖34顯示以自圖33之座標(X1、Y2)至(X4、Y2)之線段切斷時之剖視圖。藉由消除連接部之中央附近之有機EL膜222，可於保護膜211與其上部之密封樹脂之界面，使來自次像素之光反射。藉此，光提取效率進而提高。圖34之箭頭表示於界面反射之光之軌跡。
如此，根據本技術之第5實施形態之第1變化例，由於將連接部之中央部開口，故可進而提高光提取效率。
[第2變化例] 上述第5實施形態中，加寬連接部之中央之寬度，但亦可將連接部彼此連接。該第5實施形態之第2變化例之顯示裝置100與第5實施形態之不同點在於，將相鄰之連接部彼此連接。
圖35係本技術之第5實施形態之第2變化例之像素陣列部120之俯視圖之一例。該第5實施形態之第2變化例中，亦於自連接部之中央部沿次像素之邊延伸之區域形成有機EL膜222，將相鄰之次像素彼此連接。以下，將連接該次像素彼此之區域稱為「橋接部」。同圖中以粗虛線包圍之Y字形區域表示橋接部。有機EL膜222形成於六邊形之次像素、連接次像素彼此之連接部、及將連接部彼此連接之橋接部。
圖36顯示以自圖35之座標(X1、Y2)至(X2、Y2)之線段切斷時之剖視圖。
愈縮窄連接部之寬度，其上部之陰極電極221之電阻愈大，但如圖35及圖36所示，藉由將連接部彼此以橋接部連接，可使陰極電極221之電阻降低增大之量。藉此，可抑制縮窄連接部之寬度時之陰極電極221之電阻增大。
如此，根據本技術之第5實施形態之第2變化例，由於亦於將連接部彼此連接之橋接部形成有機EL膜222，故可抑制陰極電極221之電阻增大。
＜6.第6實施形態＞ 上述第1實施形態中，自Z軸方向觀察，排列有六邊形之次像素，但該次像素之形狀難以進而改善光提取效率。該第6實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，自Z軸方向觀察，使次像素之側壁具有凹凸而改善光提取效率。
圖37係本技術之第6實施形態之像素陣列部120之俯視圖之一例。同圖之a係省略晶載透鏡261及彩色濾光片262，自Z軸方向觀察之俯視圖之一例，同圖之b係自Z軸方向觀察3個次像素之俯視圖之一例。
如同圖之a所例示，自Z軸方向觀察，對於次像素201等次像素各者，於側壁設有凹凸。以下，將次像素中自側面突出之部分稱為「凸部」，將凸部以外之部分稱為「核心部」。自Z軸方向觀察之次像素之平面形狀可表現為將核心部與複數個凸部複合之圖形。此處，次像素之形狀更具體而言，相當於除連接部外之有機EL膜222、陰極電極221及保護膜211各者之形狀。又，相鄰之次像素藉由傾斜方向之連接部互相連接。
同圖之a之由粗虛線包圍之部分相當於核心部。例如，次像素為將核心部設為矩形，使矩形之凸部與該核心部之4條邊各者相鄰之形狀(換言之，十字形狀)。
又，如同圖之b所例示，於次像素201至203各者，設置晶載透鏡261及彩色濾光片262。圓形之線表示晶載透鏡261之外周，矩形之粗框表示彩色濾光片262之外周。同圖之b中省略連接部。
圖38係本技術之第6實施形態之像素陣列部120之剖視圖之一例。同圖係以圖37b之包含核心部之水平方向之線段Xa-Xb切斷時之剖視圖之一例。又，圖38之粗虛線表示以圖37b之僅包含核心部及凸部中之凸部之線段Xc-Xd切斷時之凸部之剖面形狀。又，箭頭表示有機EL膜222發出之光之光路。藉由於側壁設置凹凸，凸部作為光導發揮功能，可提高光提取效率。
又，於傾斜方向連接有次像素之情形時，以水平方向之線段Xa-Xb切斷之剖面不包含連接部。該剖面中相鄰之次像素藉由絕緣膜230互相分離。又，於彩色濾光片262之下部形成低折射率膜270。
圖39係本技術之第6實施形態之以包含連接部之線段切斷時之剖視圖之一例。同圖係以圖37a之傾斜方向之線段Xe-Xf切斷時之剖視圖之一例。於傾斜方向連接有次像素之情形時，以傾斜方向之線段Xe-Xf切斷之剖面包含連接部。藉由該連接部，相鄰之次像素互相連接。
圖40係用以說明本技術之第6實施形態之顯示裝置100之製造步驟之圖。同圖之a顯示光微影前之剖視圖，同圖之b顯示光微影後之剖視圖。
如同圖之a所例示，製造系統於形成有機EL膜222或陰極電極221後，於該等之上部形成保護膜211，於其上部配置光阻劑250。自Z軸方向觀察之光阻劑250之形狀為掏出連接部與有凹凸之次像素之形狀。且，製造系統進行光微影。藉此，如同圖之b所例示，將保護膜211加工成有凹凸之形狀。同圖之b顯示以圖37之線段Xa-Xb切斷之剖面。
圖41係顯示本技術之第6實施形態之凸部為4個之次像素之形狀之一例之圖。將核心部設為矩形之情形時，可將凸部設置至4個。該情形時，如同圖之a所例示，亦可將凸部設為三角形。又，如同圖之b所例示，亦可將凸部設為矩形，而與核心部之頂點相鄰配置凸部。另，如圖37所例示，亦可將凸部設為矩形，與核心部之4條邊相鄰而配置。
又，如圖41之c所例示，亦可將凸部設為半圓。如同圖之d所例示，亦可將凸部設為楔方形。
圖42係顯示本技術之第6實施形態之凸部為5個之次像素之形狀之一例之圖。將核心部設為五邊形之情形時，亦可將凸部設置至5個。該情形時，如同圖之a所例示，亦可將凸部設為三角形。又，如同圖之b所例示，亦可將凸部設為矩形。
圖43係顯示本技術之第6實施形態之凸部為6個之次像素之形狀之一例之圖。將核心部設為六邊形之情形時，亦可將凸部設置至6個。該情形時，如同圖之a所例示，亦可將凸部設為三角形。又，如同圖之b所例示，亦可將凸部設為矩形。如同圖之c所例示，亦可將凸部設為六邊形。
圖44係顯示本技術之第6實施形態之凸部為8個之次像素之形狀之一例之圖。將核心部設為八邊形之情形時，亦可將凸部設置至8個。該情形時，如同圖之a所例示，亦可將凸部設為三角形。又，如同圖之b所例示，亦可將凸部設為矩形。
理論上，亦可將凸部之數量設為9以上，但愈增加凸部之數量，超出微影之解析界限之虞愈高，愈接近圓形，凸部之作為光導之功能愈降低。因此，對實用性較高之凸部為4個至8個之實例進行例示。
連接部僅配置於傾斜方向，但如上述，亦可配置於垂直方向、水平方向。
又，如圖45及圖46所例示，亦可將次像素進行條狀排列。該等圖中，省略連接部。
條狀排列中，如圖45之a所例示，可將凸部設為4個。或者，如同圖之b所例示，可將凸部設為5個。
或者，如圖46之a所例示，可將凸部設為6個。或者，如同圖之b所例示，可將凸部設為8個。
又，如圖47及圖48所例示，可將次像素進行三角形排列。該等圖中，省略連接部。
三角形排列中，如圖47之a所例示，可將凸部設為4個。或者，如同圖之b所例示，可將凸部設為5個。
或者，如圖48之a所例示，可將凸部設為6個。或者，如同圖之b所例示，可將凸部設為8個。
又，如圖49及圖50所例示，可將次像素進行正方排列。該等圖中，省略連接部。
三角形排列中，如圖49之a所例示，可將凸部設為4個。或者，如同圖之b所例示，可將凸部設為5個。
或者，如圖50之a所例示，可將凸部設為6個。或者，如同圖之b所例示，可將凸部設為8個。
另，可對第6實施形態應用第2至第5實施形態各者。
如此，根據本技術之第6實施形態，由於自Z軸方向觀察，將次像素之形狀設為將核心部與複數個凸部複合之圖形，故可提高光提取效率。
＜7.第7實施形態＞ 上述第1實施形態中，自Z軸方向觀察，將次像素內之有機EL膜222之形狀設為六邊形，但該形狀難以進而改善光提取效率。該第7實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，使有機EL膜222具有撓曲部而改善光提取效率。
圖51係顯示本技術之第7實施形態之有機EL膜222之俯視圖與像素陣列部120之剖視圖之圖。同圖之a顯示自Z軸方向觀察之有機EL膜222之俯視圖。同圖之b顯示以同圖之a之線段Xa-Xb切斷時之剖視圖。
如同圖之a所例示，第7實施形態中，自Z軸方向觀察，有機EL膜222為具有規定數之撓曲部之形狀。同圖之a之粗虛線表示次像素之外周，細矩形虛線表示連接部之外周。圓形之虛線表示撓曲部。例如，次像素內之有機EL膜222為於4個撓曲部各者直角撓曲之S字狀之形狀。
又，如同圖之b所例示，有機EL膜222之下層之陽極電極223之上表面未加工成具有撓曲部之形狀。另一方面，積層於有機EL膜222之陰極電極221及保護膜211之自Z軸方向觀察之形狀與有機EL膜222相同。
圖52係用以說明本技術之第7實施形態之直至光微影為止之製造步驟之圖。同圖之a顯示形成保護膜211時之像素陣列部120之剖視圖。同圖之b顯示進行光微影時之像素陣列部120之剖視圖。
如同圖之a所例示，於每個次像素形成覆蓋陰極電極221之上部之保護膜211。於該時點，有機EL膜222未加工成具有撓曲部之S字狀等圖案。
且，如同圖之b所例示，製造系統於次像素各者之上部配置光阻劑250，進行光微影。該光阻劑250自Z軸方向觀察，為掏出S字狀等圖案之形狀。
圖53係用以說明本技術之第7實施形態之直至低折射率膜270之成膜為止之製造步驟之圖。同圖之a顯示光微影後之像素陣列部120之剖視圖。同圖之b顯示將低折射率膜270成膜後之像素陣列部120之剖視圖。
如同圖之a所例示，藉由光微影，保護膜211、陰極電極221及有機EL膜222自Z軸方向觀察，加工成具有撓曲部之形狀。且，如同圖之b所例示，製造系統嵌入低折射率膜270，被覆加工端面。藉由以低折射率膜270嵌入、覆蓋有機EL膜222之加工端面，形成反射界面。藉由增加側壁之反射面積，可提高光提取效率。
此處，作為低折射率膜270之材料，使用例如氮化矽(SiN x)、二氧化矽(SiO 2)、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF)、氮氧化矽(SiON)等透明材料。低折射率膜270亦可設為多孔(膜密度較低)膜，例如藉由將SiO x設為多孔膜，可獲得折射率為1.4以下之更低折射率之膜。
又，低折射率膜270可於端面之保護膜211內作為低折射率部而形成，亦包含空隙或氣隙。
藉由利用低折射率膜270形成折射率差界面，自有機EL膜222發出之光受側壁反射，可提高光提取效率。藉由於次像素內形成撓曲之像素形狀之端面，不僅於次像素之周邊部，亦於次像素內部增加側壁反射面積。藉此，可進而提高光提取效率。
圖54係顯示本技術之第7實施形態之有機EL膜222之俯視圖之一例之圖。只要具有規定數之撓曲部，則自Z軸方向觀察之有機EL膜222之形狀不限定於上述之S字狀。
例如，如同圖之a所例示，亦可為於複數個平行線間，於與其等垂直之方向上繪製橫線之形狀(所謂之鬼腳圖狀)。又，如同圖之b所例示，有機EL膜222之一部分之寬度亦可為與除此以外之部分之寬度不同之形狀。例如，Y軸方向上，以自座標Y1至Y2之部分之寬度寬於自座標Y2至Y3之部分之寬度之方式形成。又，如同圖之c所例示，有機EL膜222亦可為形成有複數個切口之形狀(所謂梳子形)。同圖之c為相鄰之次像素201及202之形狀。
又，如圖55之a所例示，有機EL膜222亦可為漩渦狀。又，如同圖之b所例示，亦可為U字形狀。又，亦可進行90度旋轉或反轉配置。亦可按照每個顏色改變次像素之方向。又，亦可隨著朝向像素陣列部120之外周部而改變配置角度。
另，陽極電極223未被加工成具有撓曲部之圖案，但不限定於該構成。
如圖56所例示，亦可與保護膜211、陰極電極221及有機EL膜222一起，將陽極電極223加工成與該等相同形狀(S字狀等)。
又，如圖57所例示，亦可將具有撓曲部之形狀之次像素進行條狀排列。
或者，如圖58所例示，亦可將次像素進行三角形排列。
或者，如圖59或圖60所例示，亦可進行正方排列。正方排列之情形時，如圖59所例示，亦可於配置有2列×2行之像素內，將2個B之次像素相鄰配置。如圖60所例示，亦可將2個B之次像素於傾斜方向排列。
另，可對第7實施形態應用第2至第5實施形態各者。
如此，根據本技術之第7實施形態，由於次像素內之有機EL膜222為具有規定數之撓曲部之形狀，故可提高光提取效率。
＜8.第8實施形態＞ 上述第1實施形態中，自X軸方向或Y軸方向觀察，於次像素之側壁未形成凹凸，但該構成中，難以進而提高防止混色之效果或光提取效率。該第8實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，自X軸方向或Y軸方向觀察，於次像素之側壁形成凹凸，防止混色且提高光提取效率。
圖61係顯示本技術之第8實施形態之像素陣列部120之剖視圖之一例之圖。同圖之a係以不包含連接部之切斷面切斷時之像素陣列部120之剖視圖之一例。同圖之b係以包含連接部之切斷面切斷時之像素陣列部120之剖視圖之一例。
如同圖之a所例示，R(Red：紅)、G(Green：綠)及B(Blue：藍)各個次像素中，於陽極電極223積層有機EL膜222、陰極電極221及保護膜212。又，以覆蓋有機EL膜222及陰極電極221各者之側面與保護膜212之側面及上部之方式，形成保護膜211。又，於次像素之各者間，嵌入低折射率膜270，於其上部形成彩色濾光片262及晶載透鏡261。
又，如同圖之a所例示，自X軸方向或Y軸方向觀察，於保護膜211之側壁，換言之，於次像素之側壁形成凹凸。藉由形成該凹凸，與無凹凸之情形相比，次像素各者之側壁反射增強，於維持密封性之狀態下，向正上之彩色濾光片262入射之入射光量增加。其結果，可防止混色，且提高光提取效率。凹凸中之凸部之剖面形狀例如為矩形。
圖62係用以說明本技術之第8實施形態之製造步驟之圖。如同圖之a所例示，製造系統於基板240上，於每個次像素形成陽極電極223、有機EL膜222、陰極電極221及保護膜212，藉由保護膜211進行嵌入。保護膜211之折射率為低於次像素上之保護膜212之折射率之值，或者為同等值。
且，如同圖之b所例示，製造系統藉由再次乾蝕刻，於保護膜211之側壁形成凹凸，如同圖之c所例示，藉由低折射率膜270嵌入。
圖63係顯示本技術之第8實施形態之次像素之排列方法之一例之圖。例如，如同圖之a及b所例示，次像素正方排列。正方排列之情形時，如同圖之a所例示，可排列R、G及B之次像素，如同圖之b所例示，亦可排列R、G、B及W(White：白)之次像素。
又，如同圖之c及d所例示，亦可將次像素進行三角形排列。三角形排列之情形時，如同圖之c所例示，可排列R、G及B之次像素，如同圖之d所例示，亦可排列R、G、B及W之次像素。
或者，如同圖之e及f所例示，亦可將次像素進行條狀排列。條狀排列之情形時，如同圖之e所例示，可排列R、G及B之次像素，如同圖之f所例示，亦可排列R、G、B及W之次像素。
又，如圖64所例示，亦可於相鄰之像素間配置陰極接觸電極224。
另，可對第8實施形態應用第2至第7實施形態各者。
如此，根據本技術之第8實施形態，由於自X軸方向或Y軸方向觀察，於次像素之側壁形成有凹凸，故可防止混色，且提高光提取效率。
[第1變化例] 上述第8實施形態中，於次像素各者之保護膜211之側壁形成有凹凸，但亦可於保護膜211以外形成凹凸。該第8實施形態之第1變化例之顯示裝置100與第8實施形態之不同點在於，追加紋理膜，且於該紋理膜形成有凹凸。
圖65係顯示本技術之第8實施形態之第1變化例之像素陣列部120之剖視圖之一例之圖。該第8實施形態之第1變化例之次像素各者之保護膜211之上表面及側面由紋理膜215覆蓋。取代保護膜211，而於紋理膜215形成凹凸。作為紋理膜215，例如使用氧化鋅(ZnO)。
圖66係用以說明本技術之第8實施形態之第1變化例之製造步驟之圖。如同圖之a所例示，第8實施形態之第1變化例中，不進行保護膜211之嵌入。如同圖之b所例示，製造系統於保護膜211之上表面及側面形成具有凹凸之紋理膜215。且，如同圖之c所例示，製造系統藉由低折射率膜270嵌入次像素間。
另，如圖67所例示，亦可於次像素間形成由紋理膜215包圍之氣隙。
如此，根據本技術之第8實施形態之第1變化例，由於在紋理膜215形成有凹凸，故可使光於其側壁反射，防止混色，提高光提取效率。
[第2變化例] 上述第8實施形態中，於次像素之側壁全體形成有凹凸，但亦可僅於側壁之一部分形成凹凸。該第8實施形態之第2變化例之顯示裝置100與第8實施形態之不同點在於，於側壁之上部或下部形成有凹凸。
圖68係顯示本技術之第8實施形態之第2變化例之像素陣列部120之剖視圖之一例之圖。該第8實施形態之第2變化例之像素陣列部120與第8實施形態之不同點在於，僅於保護膜210之側壁之上部形成凹凸。
圖69係用以說明本技術之第8實施形態之第2變化例之製造步驟之圖。如同圖之a所例示，製造系統形成有機EL膜222，於其上部形成陰極電極221之層。於該階段，有機EL膜222及陰極電極221未按照每個次像素分離。
於陰極電極221之上部，於蝕刻時積層蝕刻率不同之複數個層，藉此形成保護膜212。例如，將蝕刻率變高之層212-1與蝕刻率變低之層212-2交替積層。
如同圖之b所例示，製造系統藉由乾蝕刻，將保護膜212按照每個次像素分離，如同圖之c所例示，藉由濕蝕刻，利用蝕刻率差，於保護膜211之側壁形成凹凸。
且，如同圖之d所例示，製造系統藉由乾蝕刻，將保護膜211、有機EL膜222及陰極電極221按照每個次像素分離，於分離後之部分各者之上部及側面進而形成保護膜212。藉此，僅於包含保護膜211及212之保護膜210之側壁之上部形成凹凸。
另，如圖70所例示，亦可僅於側壁之下部形成凹凸。
如此，根據本技術之第8實施形態之第2變化例，由於僅於側壁之上部或下部形成有凹凸，故可調整側壁反射之反射面積。
[第3變化例] 上述第8實施形態中，將側壁之凹凸之凸部之剖面形狀設為矩形，但凸部之剖面形狀不限定於矩形。該第8實施形態之第3變化例之顯示裝置100與第8實施形態之不同在於，變更凹凸之剖面形狀。
圖71係顯示本技術之第8實施形態之第3變化例之像素陣列部120之剖視圖之一例之圖。同圖之a顯示將凸部之剖面形狀設為三角形之像素陣列部之剖視圖之一例。同圖之b顯示將凹部之剖面形狀設為半圓之像素陣列部120之剖視圖之一例。
如同圖之a所例示，可將凸部之剖面形狀設為三角形。或者，如同圖之b所例示，亦可將凹部之剖面形狀設為半圓。藉由變更凹凸之剖面形狀，可變更側面反射之反射率，調整光提取效率。
包括上述三角形等在內，作為側壁之凹凸之剖面形狀，可選擇任意形狀。例如，凹凸以包含複數個凸部之頂點之多邊形構成，凸部之剖面形狀包含三角形、四邊形、多邊形及圓形中之至少一者，亦可一部分包含曲線。根據模擬，藉由導入凹凸形狀，於任何視角下發光強度皆提高。發光強度依存於凹部之深度或寬度而增加，例如其深度為200奈米(nm)，寬度為120奈米(nm)之情形時，為無凹凸時之1.21倍。
如此，根據本技術之第8實施形態之第3變化例，由於變更凹凸之剖面形狀，故可調整光提取效率。
[第4變化例] 上述第8實施形態中，雖次像素間嵌入有低折射率膜270，但亦可不嵌入而設置空隙。該第8實施形態之第4變化例與第8實施形態之不同點在於，於次像素間設置空隙。
圖72係顯示本技術之第8實施形態之第4變化例之像素陣列部120之剖視圖之一例之圖。該第8實施形態之第4變化例中，於次像素間設置由保護膜211包圍之空隙。於保護膜211之上部積層低折射率膜270。藉由空隙，可變更側面反射之反射率，調整光提取效率。
如此，根據本技術之第8實施形態之第3變化例，由於在次像素間設有空隙，故可調整光提取效率。
＜9.第9實施形態＞ 上述第1實施形態中，自Z軸方向觀察，於次像素與次像素間之連接部形成有機EL膜222。但，該布局中，將未形成有機EL膜222之部位設為開口部，若該開口部之邊所成之角度較小，則有側壁之保護膜211之覆蓋率惡化，產生水分侵入通路之虞。該第9實施形態之顯示裝置100與第1實施形態之不同點在於，以如開口部之邊所成之角度變大之布局形成有機EL膜222。
圖73係顯示本技術之第1實施形態之有機EL膜222之布局之一例之俯視圖。為了與第9實施形態比較，同圖之a顯示自Z軸方向觀察時之第1實施形態之有機EL膜222之布局。
如同圖之a所例示，有機EL膜222形成於規定數之次像素、該等次像素間之連接部、及包圍該等次像素之框狀之框架222-1。圓形區域表示次像素，連接圓形彼此之矩形部分表示連接部。虛線表示框架222-1之邊界。框架222-1之邊界為直線，藉由該邊界將一部分次像素切斷。
由於次像素間之像素間區域僅於連接部殘留有機EL膜222，故於有機EL膜222形成複數個開口部。該等開口部分成至少1條邊與框架222-1相接之開口部281、及無與框架222-1相接之邊之開口部282。
同圖之b顯示開口部281之放大圖。同圖之b之粗線表示開口部281之邊界。該邊界包含直線狀之邊與圓弧。該等中之2條邊所成之角度例如為120°或30°。
同圖之c顯示開口部282之放大圖。同圖之c之粗線表示開口部282之邊界。該邊界亦包含直線狀之邊與圓弧。該等中之2條邊所成之角度例如為60°或120°。
圖74係本技術之第1實施形態之開口部之立體圖之一例。同圖之a顯示至少1條邊與框架222-1相接之開口部281之2條邊所成之角度中之最小角度，該角度為30°。
同圖之b顯示無與框架222-1相接之邊之開口部282之2條邊所成之角度中之最小角度，該角度為60°。
如上所述，開口部281之2條邊所成之角度之最小值與開口部282相比較小。如此，若角度較小，則有機EL膜222之側壁之保護膜211(氮化矽等)之覆蓋率惡化，產生該保護膜221較薄之部位。該部位易成為水分侵入通路。若水分侵入，則於有機EL膜222形成損傷，有劣化之虞。
圖75係顯示本技術之第9實施形態之有機EL膜222之布局之一例之俯視圖。如同圖所例示，第9實施形態中，亦於第1實施形態中為開口部281之部位形成有機EL膜222。藉此，虛線所示之框架222-1之邊界成為鋸齒刀狀。至少1條邊與該形狀之框架221-1相接之開口部281-1之形狀成為與無與框架222-1相接之邊的開口部282相同之形狀。另，開口部281-1為申請專利範圍所記載之第1開口部之一例，開口部282為申請專利範圍所記載之第2開口部之一例。
由於開口部282-1及開口部282之形狀相同，故開口部282-1之2條邊所成角度之最小值與開口部282之2條邊所成角度之最小值相等。藉此，與第1實施形態相比，可使框架222-1附近之保護膜211之膜厚與離開框架222-1之次像素側面相等，可避免框架222-1之劣化。尤其，像素之高密度化進展時，開口部之縱橫比進而變高，保護膜211之覆蓋率惡化，故重要的是避免因同圖所例示之布局引起之劣化。
另，如後述，亦可使至少1條邊與框架222-1相接之開口部之2條邊所成角度之最小值大於無與框架222-1相接之邊的開口部之2條邊所成角度之最小值。又，可對第9實施形態應用第2至第8實施形態各者。
如此，根據本技術之第9實施形態，由於可使開口部281-1之2條邊所成角度之最小值與開口部282之2條邊所成角度之最小值相等，故可抑制框架222-1之劣化。
[第1變化例] 上述第9實施形態中，使至少1條邊與框架222-1相接之開口部281-1之形狀，與並非如此之開口部282相同，但不限定於該布局。該第9實施形態之第1變化例之顯示裝置100與第9實施形態之不同點，在於變更了布局。
圖76係顯示本技術之第9實施形態之第1變化例之有機EL膜222之布局之一例之俯視圖。如同圖之a所例示，第9實施形態之第1變化例中，框架222-1之邊界包含鋸齒波狀之邊與直線狀之邊。與前者相接之開口部281-1係與開口部282相同之形狀。另一方面，與後者相接之開口部281-2與開口部282之形狀不同，係接近三角形之形狀。
同圖之b顯示開口部281-2之放大圖。該開口部281-2之2條邊所成之角度之最小值為60°。
如同圖之a及b所例示，關於與開口部282不同形狀之281-2，2條邊所成角度之最小值與開口部282之2條邊所成角度之最小值相等。因此，可抑制框架222-1之劣化。
如此，根據本技術之第9實施形態之第1變化例，關於形狀不同之開口部281-2，亦使2條邊所成角度之最小值與開口部282之2條邊所成角度之最小值相等，故可抑制框架222-1之劣化。
[第2變化例] 上述第9實施形態中，使至少1條邊與框架222-1相接之開口部281-1之形狀與並非如此之開口部282相同，但不限定該布局。該第9實施形態之第2變化例之顯示裝置100與第9實施形態之不同點，在於變更了布局。
圖77係顯示本技術之第9實施形態之第2變化例之有機EL膜222之布局之一例之俯視圖。如同圖之a所例示，第9實施形態之第2變化例中，相當於次像素之圓形部分未配置於框架222-1之附近區域，而配置於充分離開框架222-1之位置。藉由該布局，至少1條邊與框架222-1相接之開口部281-3、281-4、281-5之面積大於開口部282。
同圖之b顯示開口部281-5之放大圖。如同圖之b所例示，開口部281-5之2條邊所成角度之最小值為60°，與開口部282之2條邊所成角度之最小值相等。對於其他開口部281-3及281-4亦同樣。藉此，可抑制框架222-1之劣化。
如此，根據本技術之第9實施形態之第2變化例，由於使面積相對較大之開口部281-3等之2條邊所成角度之最小值與開口部282之2條邊所成角度之最小值相等，故可抑制框架222-1之劣化。
[第3變化例] 上述第9實施形態中，使至少1條邊與框架222-1相接之開口部281-1之形狀與並非如此之開口部282相同，但不限定該布局。該第9實施形態之第3變化例之顯示裝置100與第9實施形態之不同點在於變更了布局。
圖78係顯示本技術之第9實施形態之第3變化例之有機EL膜222之布局之一例之俯視圖。該第9實施形態之第3變化例中，框架222-1之邊界為線狀，相當於次像素之圓形部分配置於充分離開框架222-1之位置。該布局中，至少1條邊與框架222-1相接之開口部成為開口部281-6、281-7、281-8之3個圖案。
開口部281-6及281-8各者中，2條邊所成角度之最小值為60°，與開口部282之2條邊所成角度之最小值相同。另一方面，與框架222-1之角相鄰之開口部281-7之2條邊所成角度之最小值為90°，小於開口部282之2條邊所成之角度。藉此，尤其抑制框架222-1之角附近之劣化。
如此，根據本技術之第9實施形態之第2變化例，由於使與角相鄰之開口部281-7之2條邊所成角度之最小值大於開口部282之2條邊所成之角度，故可抑制該角附近之劣化。
[通過發光部、透鏡構件、波長選擇部各者之中心之法線之關係] 以下，說明通過發光部之中心之法線LN、通過透鏡構件之中心之法線LN'、及通過波長選擇部之中心之法線LN''之關係。此處，次像素內之有機EL膜222等相當於發光部。
另，亦可對應於發光元件出射之光，適當改變波長選擇部(例如彩色濾光片層)之大小，於相鄰之發光元件之波長選擇部(例如彩色濾光片層)間設有光吸收層(黑矩陣層)之情形時，亦可對應於發光元件出射之光，適當改變光吸收層(黑矩陣層)之大小。又，亦可根據通過發光部之中心之法線與通過彩色濾光片層CF之中心之法線間之距離(偏移量)d 0，適當改變波長選擇部(例如彩色濾光片層)之大小。波長選擇部(例如彩色濾光片層)之平面形狀可與透鏡構件之平面形狀相同，可相似，亦可不同。
上述各實施形態所示之例中，如圖79a之概念圖所示，通過發光部之中心之法線LN、通過波長選擇部之中心之法線LN''及通過透鏡構件之中心之法線LN'一致。即，D 0=d 0=0。
又，上述各實施形態中，如圖79b之概念圖所示，亦可構成為通過發光部之中心之法線LN與通過波長選擇部之中心之法線LN''一致，但通過發光部之中心之法線LN及通過波長選擇部之中心之法線LN''與通過透鏡構件之中心之法線LN'不一致。即，D 0≠d 0=0。
再者，上述各實施形態中，如圖79c之概念圖所示，亦可構成為通過發光部之中心之法線LN與通過波長選擇部之中心之法線LN''及通過透鏡構件之中心之法線LN'不一致，通過波長選擇部之中心之法線LN''與通過透鏡構件之中心之法線LN'一致。即，D 0＝d 0＞0。
概念圖如圖80所示，亦可設為如下形態：通過發光部之中心之法線LN與通過波長選擇部之中心之法線LN''及通過透鏡構件之中心之法線LN'不一致，通過透鏡構件之中心之法線LN'與通過發光部之中心之法線LN及通過波長選擇部之中心之法線LN''不一致。此處，較佳為波長選擇部之中心(圖31中以黑四方表示)位於連結發光部之中心與透鏡構件之中心(圖80中以黑圓表示)之直線LL上。具體而言，將厚度方向之自發光部之中心至波長選擇部之中心之距離設為LL 1，將厚度方向之自波長選擇部之中心至透鏡構件之中心之距離設為LL 2時， D 0＞d 0＞0， 考慮製造上之偏差， 較佳為滿足 d 0：D 0=LL 1：(LL 1+LL 2)。
上述各實施形態中，概念圖如圖81a所示，亦可構成為通過發光部之中心之法線LN、通過波長選擇部之中心之法線LN''及通過透鏡構件之中心之法線LN'一致。該情形時，D 0=d 0=0。上述各實施形態中，概念圖如圖81b所示，亦可構成為通過發光部之中心之法線LN與通過波長選擇部之中心之法線LN''及通過透鏡構件之中心之法線LN'不一致，通過波長選擇部之中心之法線LN''與通過透鏡構件之中心之法線LN'一致。該情形時，D 0=d 0＞0。
概念圖如圖82之所示，亦可設為如下形態：通過發光部之中心之法線LN與通過波長選擇部之中心之法線LN''及通過透鏡構件之中心之法線LN'不一致，通過透鏡構件之中心之法線LN'與通過發光部之中心之法線LN及通過波長選擇部之中心之法線LN''不一致。此處，較佳為波長選擇部之中心位於連結發光部之中心與透鏡構件之中心之直線LL上。具體而言，將厚度方向之自發光部之中心至波長選擇部之中心(圖82中黑四方所示)之距離設為LL 1，將厚度方向之自波長選擇部之中心至透鏡構件之中心(圖82中以黑圓表示)之距離設為LL 2時， d 0＞D 0＞0， 考慮製造上之偏差， 較佳為滿足 D 0：d 0=LL 2：(LL 1+LL 2)。
[應用於各實施形態之諧振器構造之例] 用於上述本揭示之顯示裝置之像素可構成為具備使發光部產生之光諧振之諧振器構造。以下，參照圖式，針對諧振器構造進行說明。
(諧振器構造：第1例) 圖83係用以說明諧振器構造之第1例之模式性剖視圖。
第1例中，第1電極31於各發光部50中以共通之膜厚形成。第2電極61中亦同樣。
於發光部50之第1電極31之下，以夾著光學調整層72之狀態配置有反射板71。於反射板71與第2電極61之間形成使有機層40產生之光諧振之諧振器構造。
反射板71於各發光部50中以共通之膜厚形成。光學調整層72之膜厚根據像素應顯示之顏色而不同。藉由光學調整層72R、72G、72B具有不同膜厚，可設定產生最適於與應顯示之顏色之波長對應之諧振的光學距離。
圖所示之例中，發光部50R、50G、50B中之反射板71之上表面以對齊之方式配置。如上所述，光學調整層72之膜厚根據像素應顯示之顏色而不同，第2電極61之上表面之位置根據發光部50R、50G、50B之種類而不同。
反射板71例如可使用鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)等金屬、或以該等為主成分之合金而形成。
光學調整層72可使用矽氮化物(SiNx)、矽氧化物(SiOx)、矽氮氧化物(SiOxNy)等無機絕緣材料、或丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺系樹脂等有機樹脂材料構成。光學調整層72可為單層，亦可為該等複數個材料之積層膜。又，根據發光部50之種類，積層數可不同。
第1電極31可使用銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)等透明導電材料而形成。 第2電極61需要作為半透過反射膜發揮功能。第2電極61可使用鎂(Mg)或銀(Ag)、或以該等為主成分之鎂銀合金(MgAg)、進而包含鹼金屬或鹼土類金屬之合金等而形成。
(諧振器構造：第2例) 圖83b係用以說明諧振器構造之第2例之模式性剖視圖。 第2例中，第1電極31或第2電極61於各發光部50中亦以共通之膜厚形成。
且，第2例中，亦於發光部50之第1電極31之下，以夾著光學調整層72之狀態配置反射板71。於反射板71與第2電極61之間，形成使有機層40發出之光諧振之諧振器構造。與第1例同樣，反射板71於各發光部50中以共通之膜厚形成，光學調整層72之膜厚根據像素應顯示之顏色而不同。
圖83a所示之第1例中，發光部50R、50G、50B之反射板71之上表面以對齊之方式配置，第2電極61之上表面之位置根據發光部50R、50G、50B之種類而不同。
相對於此，圖83之b所示之第2例中，第2電極61之上表面以於發光部50R、50G、50B對齊之方式配置。為了將第2電極61之上表面對齊，發光部50R、50G、50B中反射板71之上表面以根據發光部50R、50G、50B之種類而不同之方式配置。因此，反射板71之下表面(換言之，圖中符號73所示之基底73之面)成為與發光部50之種類對應之階梯形狀。
對於構成反射板71、光學調整層72、第1電極31及第2電極61之材料等，與第1例中說明之內容相同，故省略說明。
(諧振器構造：第3例) 圖84之a係用以說明諧振器構造之第3例之模式性剖視圖。
第3例中，第1電極31或第2電極61於各發光部50中亦以共通之膜厚形成。
且，第3例中，亦於發光部50之第1電極31之下，以夾著光學調整層72之狀態配置反射板71。於反射板71與第2電極61之間，形成使有機層40產生之光諧振之諧振器構造。與第1例或第2例同樣，光學調整層72之膜厚根據像素應顯示之顏色而不同。且，與第2例同樣，第2電極61之上表面之位置以發光部50R、50G、50B對齊之方式配置。
圖83之b所示之第2例中，為了使第2電極61之上表面對齊，反射板71之下表面為與發光部50之種類對應之階梯形狀。
相對於此，圖83之a所示之第3例中，反射板71之膜厚以根據發光部50R、50G、50B之種類而不同之方式設定。更具體而言，以反射板71R、71G、71B之下表面對齊之方式設定膜厚。
對於構成反射板71、光學調整層72、第1電極31及第2電極61之材料等，與第1例中說明之內容相同，故省略說明。
(諧振器構造：第4例) 圖84之b係用以說明諧振器構造之第4例之模式性剖視圖。
圖83之a所示之第1例中，各發光部50之第1電極31或第2電極61以共通之膜厚形成。且，於發光部50之第1電極31之下，以夾著光學調整層72之狀態配置有反射板71。
相對於此，圖84之b所示之第4例中，省略光學調整層72，將第1電極31之膜厚以根據發光部50R、50G、50B之種類而不同之方式設定。
反射板71於各發光部50中以共通之膜厚形成。第1電極31之膜厚根據像素應顯示之顏色而不同。藉由第1電極31R、31G、31B具有不同膜厚，可設定產生最適於與應顯示之顏色對應之光之波長之諧振的光學距離。
對於構成反射板71、光學調整層72、第1電極31及第2電極61之材料等，與第1例中說明之內容相同，故省略說明。
(諧振器構造：第5例) 圖85之a係用以說明諧振器構造之第5例之模式性剖視圖。
圖83之a所示之第1例中，第1電極31或第2電極61於各發光部50中以共通之膜厚形成。且，於發光部50之第1電極31之下，以夾著光學調整層72之狀態配置有反射板71。
相對於此，圖85之a所示之第5例中，省略光學調整層72，取而代之，於反射板71之表面形成有氧化膜74。氧化膜74之膜厚以根據發光部50R、50G、50B之種類而不同之方式設定。
氧化膜74之膜厚根據像素應顯示之顏色而不同。藉由氧化膜74R、74G、74B具有不同膜厚，可設定產生最適於與應顯示之顏色對應之光之波長之諧振的光學距離。
氧化膜74為將反射板71之表面氧化之膜，且例如由鋁氧化物、鉭氧化物、鈦氧化物、鎂氧化物、鋯氧化物等構成。氧化膜74作為用以調整反射板71與第2電極61間之光路長(光學距離)之絕緣膜發揮功能。
膜厚根據發光部50R、50G、50B之種類而不同之氧化膜74例如可如下述般形成。
首先，於容器中填充電解液，將形成有反射板71之基板浸漬於電解液中。又，以與反射板71對向之方式配置電極。
且，以電極為基準，將正電壓施加於反射板71，將反射板71陽極氧化。陽極氧化之氧化膜之膜厚與相對於電極之電壓值成比例。因此，以於反射板71R、71G、71B各者施加有對應於發光部50之種類之電壓之狀態進行陽極氧化。藉此，可一併形成膜厚不同之氧化膜74。
對於構成反射板71、第1電極31及第2電極61之材料等，與第1例中說明之內容相同，故省略說明。
(諧振器構造：第6例) 圖85之b係用以說明諧振器構造之第6例之模式性剖視圖。
第6例中，發光部50積層第1電極31、有機層40及第2電極61而構成。但，第6例中，第1電極31以兼具電極與反射板之功能之方式形成。第1電極(兼反射板)31由具有根據發光部50R、50G、50B之種類選擇之光學常數之材料形成。藉由第1電極(兼反射板)31之相移不同，可設定產生最適於與應顯示之顏色對應之光之波長之諧振的光學距離。
第1電極(兼反射板)31可由鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)等單體金屬、或以該等為主成分之合金構成。例如，亦可構成為以銅(Cu)形成發光部50R之第1電極(兼反射板)31R，以鋁形成發光部50G之第1電極(兼反射板)31G與發光部50B之第1電極(兼反射板)31B。
對於構成第2電極61之材料等，與第1例中說明之內容相同，故省略說明。
(諧振器構造：第7例) 圖86係用以說明諧振器構造之第7例之模式性剖視圖。
第7例基本上為對發光部50R、50G應用第6例，對發光部50B應用第1例之構成。該構成中，亦可設定產生最適於與應顯示之顏色對應之光之波長之諧振的光學距離。 使用於發光部50R、50G之第1電極(兼反射板)31R、31G可由鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)等單體金屬、或以該等為主成分之合金構成。
對於使用於發光部50B之構成反射板71B、光學調整層72B及第1電極31B之材料等，與第1例中說明之內容相同，故省略說明。
[電子機器] 以上說明之本揭示之顯示裝置可將輸入至電子機器之影像信號、或於電子機器內產生之影像信號作為圖像或影像顯示之所有領域之電子機器之顯示部(顯示裝置)使用。作為一例，例如可作為電視、數位靜態相機、筆記型個人電腦、行動電話等可攜式終端裝置、攝像機、頭戴式顯示器(頭部佩戴式顯示器)等之顯示部使用。
本揭示之顯示裝置亦包含經密封之構成之模組形狀者。作為一例，於像素陣列部貼附透明玻璃等對向部而形成之顯示模組相對於此。另，亦可於顯示模組，設置用以自外部向像素陣列部輸入輸出信號等之電路部或可撓性印刷電路板(FPC，Flexible Printed Circuit)等。以下，作為使用本揭示之顯示裝置之電子機器之具體例，例示數位靜態相機及頭戴式顯示器。但，此處所例示之具體例只不過為一例，並非限定於此。 (具體例1) 圖87之a、b顯示數位靜態相機310之外觀之一例。該數位靜態相機310為透鏡交換式單眼反射式，於相機本體部(相機主體)311之正面大致中央具有交換式攝影透鏡單元(交換透鏡)312，於正面左側具有用以供攝影者握持之抓握部313。
且，於自相機本體部311之背面中央朝左側偏移之位置設有監視器314。於監視器314之上部設有電子觀景器(目鏡窗)315。攝影者藉由觀察電子觀景器315，而可視認自攝影透鏡單元312引導之被攝體之光像，進行構圖決定。作為電子觀景器315，可使用上述一實施形態及其變化例之任一者之顯示裝置100。 (具體例2) 圖88顯示頭戴式顯示器320之外觀之一例。頭戴式顯示器320例如於眼鏡形顯示部321之兩側，具有用以佩戴於使用者之頭部之掛耳部322。作為顯示部321，可使用上述一實施形態及其變化例之任一者之顯示裝置100。 (具體例3) 圖89顯示電視裝置330之外觀之一例。該電視裝置330例如具有包含前面板332及濾光玻璃333之影像顯示畫面部331，該影像顯示畫面部331由上述一實施形態及其變化例之任一者之顯示裝置100構成。 (具體例4)
圖90係透視頭戴式顯示器之外觀圖。透視頭戴式顯示器400由本體部401、臂402及鏡筒403構成。
本體部401與臂402及眼鏡410連接。具體而言，本體部401之長邊方向之端部與臂402結合，本體部401之側面之一側經由連接構件與眼鏡410連結。另，本體部401亦可直接佩戴於人體之頭部。
本體部401內置用以控制透視頭戴式顯示器400之動作之控制基板或顯示部。臂402連接本體部401與鏡筒403，支撐鏡筒403。具體而言，臂402分別與本體部401之端部及鏡筒403之端部結合，固定鏡筒403。又，臂402內置用以將自本體部401提供給鏡筒403之圖像之資料進行通信之信號線。
鏡筒403將自本體部401經由臂402提供之圖像光通過目鏡向佩戴透視頭戴式顯示器400之使用者之眼睛投射。該透視頭戴式顯示器400中，本體部401之顯示部可使用本揭示之顯示裝置。
例如，本實施形態之顯示裝置100可應用於智慧型手機等電子機器具備之顯示部。具體而言，如圖91所示，智慧型手機600具有顯示各種資訊之顯示部602、或由受理使用者之操作輸入之按鈕等構成之操作部等。上述顯示部602可為本實施形態之顯示裝置100。
(本揭示之顯示裝置100及電子機器之應用例) (第1應用例) 本揭示之顯示裝置100及電子機器可使用於各種用途。圖92之a及b係顯示具備本揭示之顯示裝置100之電子機器之第1應用例即載具之內部之構成之圖。圖92之a係顯示自載具之後方至前方之載具內部之狀況之圖，圖92之b係顯示自載具之斜後方至斜前方之載具內部之狀況之圖。
圖92之a及b之載具具有中心顯示器501、控制台顯示器502、抬頭顯示器503、數位後視鏡504、方向盤顯示器505及後部娛樂顯示器506。
中心顯示器501配置於與儀表盤上之駕駛座508及副駕駛座509對向之場所。圖92中，顯示自駕駛座508側延伸至副駕駛座509側之橫長形狀之中心顯示器501之例，但中心顯示器501之畫面尺寸或配置場所為任意。中心顯示器501可顯示由各種感測器檢測到之資訊。作為具體之一例，中心顯示器501可顯示影像感測器所拍攝之攝影圖像、ToF(Time of Flight：飛行時間)感測器測量出之與載具前方或側方之障礙物相隔之距離圖像，紅外線感測器檢測到之乘客之體溫等。中心顯示器501例如可用於顯示安全關聯資訊、操作關聯資訊、生活日誌、健康關聯資訊、認證/識別關聯資訊及娛樂關聯資訊之至少一者。
安全關聯資訊為瞌睡檢測、旁視檢測、同乘兒童之惡作劇檢測、有無佩戴安全帶、乘坐者漏乘檢測等資訊，例如係由與中心顯示器501之背面側重疊配置之感測器檢測到之資訊。操作關聯資訊使用感測器檢測乘坐者之操作相關之姿勢。檢測到之姿勢亦可包含載具500內之各種設備之操作。例如，檢測空調設備、導航裝置、AV(Audio and Video：音頻與視頻)裝置、照明裝置等之操作。生活日誌包含乘坐者全員之生活日誌。例如，生活日誌包含乘車中之各乘坐者之行動記錄。藉由取得及保存生活日誌，可確認事故時乘坐者處於怎樣的狀態。健康關聯資訊使用溫度感測器等感測器檢測乘坐者之體溫，基於檢測出之體溫推測乘坐者之健康狀態。或者，亦可使用影像感測器拍攝乘坐者之臉部，自拍攝到之臉部之表情推測乘坐者之健康狀態。再者，亦可以自動聲音與乘坐者進行對話，基於乘坐者之回答內容推測乘坐者之健康狀態。認證/識別關聯資訊包含使用感測器進行臉部認證之免鑰匙進入功能、或根據臉部識別自動調整座位高度或位置之自動調整功能等。娛樂關聯資訊包含使用感測器檢測乘坐者之AV裝置之操作資訊之功能、或以感測器辨識乘坐者之臉部，而以AV裝置提供適於乘坐者之內容之功能等。
控制台顯示器502例如可使用於生活日誌資訊之顯示。控制台顯示器502配置於駕駛座508與副駕駛座509間之中心控制台510之變速桿511附近。控制台顯示器502亦可顯示由各種感測器檢測到之資訊。又，控制台顯示器502可顯示由影像感測器拍攝之車輛周邊之圖像，亦可顯示與車輛周邊之障礙物相隔之距離圖像。
抬頭顯示器503假想性顯示於駕駛座508前方之擋風玻璃512之深處。抬頭顯示器503例如可用於顯示安全關聯資訊、操作關聯資訊、生活日誌、健康關聯資訊、認證/識別關聯資訊及娛樂關聯資訊之至少一者。由於抬頭顯示器503大多假想性配置於駕駛座508之正面，故適於顯示載具500之速度或燃料(電池)餘量等與載具500之操作直接關聯之資訊。
數位後視鏡504不僅盡可能顯示載具之後方，亦可顯示後部座位之乘坐者之狀況，故藉由與數位後視鏡504之背面側重疊配置感測器，例如可用於顯示生活日誌資訊。
方向盤顯示器505配置於載具之車把513之中心附近。方向盤顯示器505例如可用於顯示安全關聯資訊、操作關聯資訊、生活日誌、健康關聯資訊、認證/識別關聯資訊及娛樂關聯資訊之至少一者。尤其，方向盤顯示器505位於駕駛者之手附近，故適於顯示駕駛者之體溫等生活日誌資訊，或顯示AV裝置或空調設備等之操作相關之資訊等。
後部娛樂顯示器506係安裝於駕駛座508或副駕駛座509之背面側，供後部座位之乘坐者視聽者。後部娛樂顯示器506例如可用於顯示安全關聯資訊、操作關聯資訊、生活日誌、健康關聯資訊、認證/識別關聯資訊及娛樂關聯資訊之至少一者。尤其，由於後部娛樂顯示器506位於後部座位之乘坐者之眼前，故顯示與後部座位之乘坐者關聯之資訊。例如，亦可顯示AV裝置或空調設備之操作相關之資訊，或顯示以溫度感測器測量後部座位之乘坐者之體溫等之結果。
如上所述，藉由與顯示裝置100之背面側重疊配置感測器，可測量與存在於周圍之物體相隔之距離。光學距離測量之方法大致分為被動型與主動型。被動型係不自感測器對物體投射光，接收來自物體之光，進行距離測量者。被動型有透鏡焦點法、立體聲法及單眼視覺法等。主動型係對物體投射光，以感測器接收來自物體之反射光，進行距離測量者。主動型有光雷達方式、主動立體聲方式、照度差立體聲法、莫爾拓撲法、干涉法等。本揭示之顯示裝置100亦可應用於該等之任何方式之距離測量。藉由使用與本揭示之顯示裝置100之背面側重疊配置之感測器，可進行上述被動型或主動型之距離測量。
另，上述實施形態係顯示用以將本技術具體化之一例者，實施形態之事項與申請專利範圍之發明特定事項具有分別對應之關係。同樣，申請專利範圍之發明特定事項、與標註與其相同名稱之本技術之實施形態之事項具有分別對應之關係。但，本技術並非限定於實施形態者，於不脫離其主旨之範圍內可藉由對實施形態實施各種變化而具體化。
另，本說明書中記載之效果終究為例示，並非限定者，亦可有其他效果。
另，本技術亦可採取如下之構成。 (1)一種顯示裝置，其具備： 不同極性之第1電極與第2電極；及 有機EL膜，其係自與規定平面垂直之方向觀察，形成於規定數之次像素、與上述規定數之次像素間之像素間區域中將相鄰之次像素彼此互相連接之部分即連接部，且自與上述規定平面平行之方向觀察，形成於第1電極及第2電極之間。 (2)如上述(1)所記載之顯示裝置，其中 上述連接部為上述像素間區域之一部分。 (3)如上述(1)或(2)所記載之顯示裝置，其中 上述第1電極自上述垂直方向觀察，於每個上述次像素形成於包圍該次像素之規定區域內， 上述第2電極自上述垂直方向觀察，形成於上述規定數之次像素與上述連接部。 (4)如上述(1)至(3)中任一者所記載之顯示裝置，其進而具備： 覆蓋上述規定數之次像素排列而成之像素陣列部之保護膜， 上述保護膜中覆蓋上述規定數之次像素之規定部分之膜厚，大於非上述規定部分之部分的膜厚。 (5)如上述(1)至(4)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述連接部形成於上述像素間區域中之非矩形區域之部分。 (6)如上述(1)至(5)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素排列於像素陣列部內， 上述第2電極之寬度係與距上述像素陣列部之中央部之距離對應的值。 (7)如上述(1)至(5)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述連接部之一端，連接於上述規定數之次像素中相鄰之一對次像素之一者， 上述連接部之另一端，連接於上述一對次像素之另一者， 上述一端之寬度與上述另一端不同。 (8)如上述(7)所記載之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素排列於像素陣列部內， 上述寬度係與距上述像素陣列部之中心之距離對應的值。 (9)如上述(1)所記載之顯示裝置，其中 上述連接部包含矩形之第1及第2連接部， 上述規定數之次像素中相鄰之一對次像素，係藉由上述第1及第2連接部連接。 (10)如上述(1)所記載之顯示裝置，其中 上述連接部之邊為圓弧。 (11)如上述(1)所記載之顯示裝置，其中 上述連接部之中央之寬度，寬於上述連接部之兩端之寬度。 (12)如上述(11)所記載之顯示裝置，其中 於上述連接部之中央部，設置未形成上述有機EL膜之開口區域。 (13)如上述(1)所記載之顯示裝置，其中 上述有機EL膜自上述垂直方向觀察，形成於上述規定數之次像素、上述連接部、及上述像素間區域中連接上述連接部彼此之橋接區域。 (14)如上述(1)至(13)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述次像素之形狀自上述垂直方向觀察，為將核心部與複數個凸部複合之圖形。 (15)如上述(1)至(13)中任一者所記載之顯示裝置，其中 自上述垂直方向觀察，上述有機EL膜之形狀為具有規定數之撓曲部之形狀。 (16)如上述(1)至(15)中任一者所記載之顯示裝置，其中 自與上述規定平面平行之方向觀察，於上述次像素之側壁形成凹凸。 (17)如上述(1)至(16)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素三角形排列。 (18)如上述(1)至(17)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素正方排列。 (19)如上述(1)至(18)中任一者所記載之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素條狀排列。 (20)如上述(1)至(19)中任一者所記載之顯示裝置，其中 自上述垂直方向觀察，上述有機EL膜形成於包圍規定數之上述次像素之框架、規定數之上述次像素及上述連接部， 自上述垂直方向觀察，於上述有機EL膜形成複數個開口部， 上述複數個開口部包含至少1條邊與上述框架相接之第1開口部、及非上述第1開口部之第2開口部， 上述第1開口部之2條邊所成角度中之最小角度不超出上述第2開口部之2條邊所成角度中之最小角度。
31:第1電極 31B:第1電極 31G:第1電極 31R:第1電極 40:有機層 40B:有機層 40G:有機層 40R:有機層 50:發光部 50B:發光部 50G:發光部 50R:發光部 61:第2電極 71:反射板 71B:反射板 71G:反射板 71R:反射板 72:光學調整層 72B:光學調整層 72G:光學調整層 72R:光學調整層 73:基底 74:氧化膜 74B:氧化膜 74G:氧化膜 74R:氧化膜 100:顯示裝置 111:控制電路 112:H驅動器 113:V驅動器 120:像素陣列部 200:像素 201～203:次像素 210:保護膜 211:保護膜 212:保護膜 212-1:層 212-2:層 215:紋理膜 221:陰極電極 222:有機EL膜 222-1:框架 223:陽極電極 224:陰極接觸電極 230:絕緣膜 240:基板 250:光阻劑 261:晶載透鏡 262:彩色濾光片 270:低折射率膜 281:開口部 281-1:開口部 281-2:開口部 281-3:開口部 281-4:開口部 281-5:開口部 281-6:開口部 281-7:開口部 281-8:開口部 282:開口部 310:數位靜態相機 311:相機本體部 312:攝影透鏡單元 313:抓握部 314:監視器 315:電子觀景器 320:頭戴式顯示器 321:顯示部 322:掛耳部 330:電視裝置 331:影像顯示畫面部 332:前面板 333:濾光玻璃 400:透視頭戴式顯示器 401:本體部 402:臂 403:鏡筒 410:眼鏡 501:中心顯示器 502:控制台顯示器 503:抬頭顯示器 504:數位後視鏡 505:方向盤顯示器 506:後部娛樂顯示器 508:駕駛座 509:副駕駛座 510:中心控制台 511:變速桿 512:擋風玻璃 513:車把 600:智慧型手機 602:顯示部 D 0:距離 d 0:距離 LL:直線 LL 1:距離 LL 2:距離 LN:法線 LN':法線 LN'':法線 X1～X9:座標 Xa:線段 Xb:線段 Xc:線段 Xd:線段 Xe:線段 Xf:線段 Y1～Y4:座標
圖1係顯示本技術之第1實施形態之顯示裝置之一構成例之方塊圖。 圖2係本技術之第1實施形態之像素陣列部之俯視圖及剖視圖之一例。 圖3係本技術之第1實施形態之像素陣列部之俯視圖、與以包含連接部之線段切斷時之剖視圖之一例。 圖4係比較例之像素陣列部之俯視圖及剖視圖之一例。 圖5係用以說明本技術之直至第1實施形態之光微影為止之製造步驟之圖。 圖6係用以說明本技術之直至第1實施形態之保護膜之成膜為止之製造步驟之圖。 圖7係本技術之第1實施形態之連接有排列於傾斜方向之次像素彼此之三角形排列之像素陣列部之一例。 圖8係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向之次像素彼此之三角形排列之像素陣列部之一例。 圖9係本技術之第1實施形態之連接有排列於垂直方向之次像素彼此之三角形排列之像素陣列部之一例。 圖10係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向、垂直方向及傾斜方向之次像素彼此之三角形排列之像素陣列部之一例。 圖11係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此之三角形排列之像素陣列部之一例。 圖12係本技術之第1實施形態之連接有排列於傾斜方向之次像素彼此之正方排列之像素陣列部之一例。 圖13係本技術之第1實施形態之連接有排列於垂直方向之次像素彼此之正方排列之像素陣列部之一例。 圖14係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向之次像素彼此之正方排列之像素陣列部之一例。 圖15係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此之正方排列之像素陣列部之一例。 圖16係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向、垂直方向及傾斜方向之次像素彼此之正方排列之像素陣列部之一例。 圖17係本技術之第1實施形態之連接有排列於垂直方向之次像素彼此之條狀排列之像素陣列部之一例。 圖18係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向之次像素彼此之條狀排列之像素陣列部之一例。 圖19係本技術之第1實施形態之連接有排列於垂直方向之次像素彼此，連接有排列於水平方向之連接部彼此之條狀排列之像素陣列部之一例。 圖20係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此之條狀排列之像素陣列部之一例。 圖21係本技術之第1實施形態之連接有排列於水平方向及垂直方向之次像素彼此，連接有排列於水平方向之連接部彼此之條狀排列之像素陣列部之一例。 圖22係於本技術之第1實施形態之矩形部分以外形成有連接部之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖23係本技術之第2實施形態之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖24係本技術之第3實施形態之三角形排列之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖25係本技術之第3實施形態之三角形排列中根據與中央部之距離改變寬度之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖26係本技術之第3實施形態之正方排列之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖27係本技術之第3實施形態之正方排列中根據與中央部之距離改變寬度之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖28係本技術之第3實施形態之將連接部設為T字狀之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖29係本技術之第4實施形態之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖30係本技術之第4實施形態之變化例之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖31係本技術之第4實施形態之變化例之像素陣列部之俯視圖之另一例。 圖32係本技術之第5實施形態之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖33係本技術之第5實施形態之第1變化例之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖34係本技術之第5實施形態之第1變化例之以包含連接部之線段切斷時之像素陣列部之剖視圖之一例。 圖35係本技術之第5實施形態之第2變化例之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖36係本技術之第5實施形態之第2變化例之像素陣列部之剖視圖之一例。 圖37係本技術之第6實施形態之像素陣列部之俯視圖之一例。 圖38係本技術之第6實施形態之像素陣列部之剖視圖之一例。 圖39係本技術之第6實施形態之以包含連接部之線段切斷時之剖視圖之一例。 圖40係用以說明本技術之第6實施形態之顯示裝置之製造步驟之圖。 圖41係顯示本技術之第6實施形態之凸部為4個次像素之形狀之一例之圖。 圖42係顯示本技術之第6實施形態之凸部為5個次像素之形狀之一例之圖。 圖43係顯示本技術之第6實施形態之凸部為6個次像素之形狀之一例之圖。 圖44係顯示本技術之第6實施形態之凸部為8個次像素之形狀之一例之圖。 圖45係顯示本技術之第6實施形態之將凸部為4個或5個次像素條狀排列之像素陣列部之一例之圖。 圖46係顯示本技術之第6實施形態之將凸部為6個或8個次像素條狀排列之像素陣列部之一例之圖。 圖47係顯示本技術之第6實施形態之將凸部為4個或5個次像素三角形排列之像素陣列部之一例之圖。 圖48係顯示本技術之第6實施形態之將凸部為6個或8個次像素三角形排列之像素陣列部之一例之圖。 圖49係顯示本技術之第6實施形態之將凸部為4個或5個次像素正方排列之像素陣列部之一例之圖。 圖50係顯示本技術之第6實施形態之將凸部為6個或8個次像素正方排列之像素陣列部之一例之圖。 圖51係顯示本技術之第7實施形態之有機EL膜之俯視圖與像素陣列部之剖視圖之圖。 圖52係用以說明本技術之直至第7實施形態之光微影為止之製造步驟之圖。 圖53係用以說明本技術之直至第7實施形態之低折射率膜之成膜為止之製造步驟之圖。 圖54係顯示本技術之第7實施形態之有機EL膜之俯視圖之一例之圖。 圖55係顯示本技術之第7實施形態之有機EL膜之俯視圖之另一例之圖。 圖56係顯示本技術之第7實施形態之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖57係顯示本技術之第7實施形態之將次像素條狀排列之像素陣列部之俯視圖之一例之圖。 圖58係顯示本技術之第7實施形態之將次像素三角形排列之像素陣列部之俯視圖之一例之圖。 圖59係顯示本技術之第7實施形態之將次像素正方排列之像素陣列部之俯視圖之一例之圖。 圖60係顯示本技術之第7實施形態之將次像素正方排列之像素陣列部之俯視圖之其他例之圖。 圖61係顯示本技術之第8實施形態之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖62係用以說明本技術之第8實施形態之製造步驟之圖。 圖63係顯示本技術之第8實施形態之次像素之排列方法之一例之圖。 圖64係顯示本技術之第8實施形態之配置有陰極接觸電極時之次像素之排列方法之一例之圖。 圖65係顯示本技術之第8實施形態之第1變化例之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖66係用以說明本技術之第8實施形態之第1變化例之直至形成低折射率膜為止之製造步驟之圖。 圖67係用以說明本技術之第8實施形態之第1變化例之直至形成紋理膜為止之製造步驟之圖。 圖68係顯示本技術之第8實施形態之第2變化例之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖69係用以說明本技術之第8實施形態之第2變化例之製造步驟之圖。 圖70係顯示本技術之第8實施形態之第2變化例之變更凹凸的位置後之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖71係顯示本技術之第8實施形態之第3變化例之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖72係顯示本技術之第8實施形態之第4變化例之像素陣列部之剖視圖之一例之圖。 圖73係顯示本技術之第1實施形態之有機EL膜之布局之一例之俯視圖。 圖74係本技術之第1實施形態之開口部之立體圖之一例。 圖75係顯示本技術之第9實施形態之有機EL膜之布局之一例之俯視圖。 圖76係顯示本技術之第9實施形態之第1變化例之有機EL膜之布局之一例之俯視圖。 圖77係顯示本技術之第9實施形態之第2變化例之有機EL膜之布局之一例之俯視圖。 圖78係顯示本技術之第9實施形態之第3變化例之有機EL膜之布局之一例之俯視圖。 圖79係用以說明通過發光部之中心之法線LN、通過透鏡構件之中心之法線LN'、及通過波長選擇部之中心之法線LN''之關係之概念圖。 圖80係用以說明通過發光部之中心之法線LN、通過透鏡構件之中心之法線LN'、及通過波長選擇部之中心之法線LN''之關係之概念圖。 圖81係用以說明通過發光部之中心之法線LN、通過透鏡構件之中心之法線LN'、及通過波長選擇部之中心之法線LN''之關係之概念圖。 圖82係用以說明通過發光部之中心之法線LN、通過透鏡構件之中心之法線LN'、及通過波長選擇部之中心之法線LN''之關係之概念圖。 圖83係用以說明諧振器構造之第1例、第2例之模式性剖視圖。 圖84係用以說明諧振器構造之第3例、第4例之模式性剖視圖。 圖85係用以說明諧振器構造之第5例、第6例之模式性剖視圖。 圖86係用以說明諧振器構造之第7例之模式性剖視圖。 圖87係顯示數位靜態相機之外觀之一例之前視圖及後視圖。 圖88係頭戴式顯示器之外觀之一例之立體圖。 圖89係電視裝置之外觀之一例之立體圖。 圖90係透視頭戴式顯示器之外觀圖。 圖91係顯示可應用於本揭示之實施形態之顯示單元之電子機器之一例之外觀圖。 圖92係顯示自載具之後方至前方之載具內部之狀況之圖，及自載具之斜後方至斜前方之載具內部之狀況之圖。
120:像素陣列部
201:次像素
210:保護膜
211:保護膜
212:保護膜
221:陰極電極
222:有機EL膜
223:陽極電極
230:絕緣膜
240:基板
X1~X6:座標
X8:座標
Y1:座標
Y3:座標
Y4:座標

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其包含： 不同極性之第1電極與第2電極；及 有機EL膜，其係自與規定平面垂直之方向觀察，形成於規定數之次像素、與上述規定數之次像素間之像素間區域中將相鄰之次像素彼此互相連接之部分即連接部，且自與上述規定平面平行之方向觀察，形成於第1電極及第2電極之間。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述連接部為上述像素間區域之一部分。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述第1電極自上述垂直方向觀察，於每個上述次像素形成於包圍該次像素之規定區域內， 上述第2電極自上述垂直方向觀察，形成於上述規定數之次像素與上述連接部。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其進而包含： 覆蓋上述規定數之次像素排列而成之像素陣列部之保護膜， 上述保護膜中覆蓋上述規定數之次像素之規定部分之膜厚，大於非上述規定部分之部分的膜厚。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述連接部形成於上述像素間區域中之非矩形區域之部分。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素係排列於像素陣列部內， 上述第2電極之寬度，係與距上述像素陣列部之中央部之距離對應的值。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述連接部之一端，連接於上述規定數之次像素中相鄰之一對次像素之一者， 上述連接部之另一端，連接於上述一對次像素之另一者， 上述一端之寬度與上述另一端不同。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素排列於像素陣列部內， 上述寬度係與距上述像素陣列部之中心之距離對應的值。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述連接部包含矩形之第1及第2連接部， 上述規定數之次像素中相鄰之一對次像素，係藉由上述第1及第2連接部連接。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述連接部之邊為圓弧。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述連接部之中央之寬度，寬於上述連接部之兩端之寬度。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中 於上述連接部之中央部，設置未形成上述有機EL膜之開口區域。
  13. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述有機EL膜自上述垂直方向觀察，形成於上述規定數之次像素、上述連接部、及上述像素間區域中將上述連接部彼此連接之橋接區域。
  14. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述次像素之形狀自上述垂直方向觀察，為將核心部與複數個凸部複合之圖形。
  15. 如請求項1之顯示裝置，其中 自上述垂直方向觀察，上述有機EL膜之形狀為具有規定數之撓曲部之形狀。
  16. 如請求項1之顯示裝置，其中 自與上述規定平面平行之方向觀察，於上述次像素之側壁形成凹凸。
  17. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素係三角形排列。
  18. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素係正方排列。
  19. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述規定數之次像素係條狀排列。
  20. 如請求項1之顯示裝置，其中 自上述垂直方向觀察，上述有機EL膜形成於包圍規定數之上述次像素之框架、規定數之上述次像素、及上述連接部， 自上述垂直方向觀察，於上述有機EL膜形成複數個開口部， 上述複數個開口部包含至少1條邊與上述框架相接之第1開口部、及非上述第1開口部之第2開口部， 上述第1開口部之2條邊所成角度中之最小角度，不超出上述第2開口部之2條邊所成角度中之最小角度。
TW112109182A 2022-03-16 2023-03-13 顯示裝置 TW202343847A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-041081 2022-03-16
JP2022041081 2022-03-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202343847A true TW202343847A (zh) 2023-11-01

Family

ID=88023674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112109182A TW202343847A (zh) 2022-03-16 2023-03-13 顯示裝置

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202343847A (zh)
WO (1) WO2023176718A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220580A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、その製造方法およびこれを備える電子機器
JP2014232568A (ja) 2013-05-28 2014-12-11 キヤノン株式会社 有機ｅｌ装置
JP2014098909A (ja) * 2013-12-19 2014-05-29 Japan Display Inc 電気光学表示装置
KR20180064704A (ko) * 2016-12-06 2018-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20170062436A (ko) * 2017-05-30 2017-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102317419B1 (ko) * 2017-06-30 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
JP6957294B2 (ja) * 2017-09-28 2021-11-02 キヤノン株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
JP2019125501A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
KR20210009313A (ko) * 2018-05-15 2021-01-26 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 및, 전자 기기

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023176718A1 (ja) 2023-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI593149B (zh) 有機發光顯示裝置及包含該顯示裝置的頭戴式顯示器
US12075657B2 (en) Apparatus, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic equipment, illumination apparatus, and moving object
JP7549637B2 (ja) 表示装置
US20240251590A1 (en) Light-emitting device, display device, imaging device, electronic device, and method for producing light-emitting device
CN109143671B (zh) 一种显示装置及其驱动方法和电子后视镜
KR20230154987A (ko) 화상관찰 장치
JP2022071516A (ja) 発光装置、表示装置、撮像装置、及び、電子機器
TW202343847A (zh) 顯示裝置
WO2024185733A1 (ja) 表示装置および電子機器
WO2024117193A1 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法及び電子機器
WO2024080039A1 (ja) 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法
WO2024014214A1 (ja) 表示装置及び電子機器
WO2024014444A1 (ja) 表示装置
WO2024053611A1 (ja) 発光装置および電子機器
WO2024117219A1 (ja) 発光装置および電子機器
WO2023095857A1 (ja) 発光装置及び電子機器
WO2023248768A1 (ja) 表示装置及び電子機器
WO2024135425A1 (ja) 発光装置、表示装置及び電子機器
WO2024090153A1 (ja) 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法
US20240244890A1 (en) Light emitting display device
WO2024048559A1 (ja) 発光装置および電子機器
WO2023176474A1 (ja) 発光装置及び電子機器
WO2024009728A1 (ja) 表示装置及び電子機器
US20230113155A1 (en) Electronic device
JP2022080974A (ja) 表示装置、光電変換装置、および電子機器