KR20210085377A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 계단 형상이 시인되는 것을 개선할 수 있는 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표시 장치에서는 비직사각형의 액티브 영역 내에 배치되는 다수의 제1 서브 화소에 포함되는 스토리지 커패시터의 용량값이, 액티브 영역과 비액티브 영역 사이의 경계 영역과 인접하게 배치되는 다수의 제2 서브 화소에 포함되는 스토리지 커패시터의 용량값과 다르게 설정된다. 이에 따라, 본 발명은 액티브 영역과 비액티브 영역 사이의 경계영역에서 발생하는 계단 형상 등이 시인되는 것을 개선할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 계단 형상이 시인되는 것을 개선할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 발전해 왔다. 이러한 평판 표시장치로서, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기 발광 다이오드 표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display: OLED) 및 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: ED)와 같은 다양한 평판 표시장치가 개발되어 활용되고 있다.
그러나, 종래의 평판 표시장치는 대화면화에 초점을 맞춰 개발된 것으로, 데이터를 표시하는 표시패널이 직사각형으로 형성되어 있기 때문에, 특별한 형상을 가질 필요가 있는 용도로 이용되기에는 부적합한 측면이 있었다.
예를 들어, 벽걸이 시계, 손목 시계, 자동차 계기판과 같이 원형, 타원형 또는 사선형 등의 다양한 형태가 필요한 표시장치의 경우 종래의 직사각형 표시장치는 부적절하기 때문에 최근 이러한 소비자의 요구에 부응하여 원형, 타원형 또는 사선형 등의 이형 표시장치가 개발되고 있다.
그러나, 이형 디스플레이 장치는 표시 영역과 베젤 영역 사이의 경계 영역에서 비정상적인 계단 형상 등이 뚜렷하게 시인되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 계단 형상이 시인되는 것을 개선할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 장치에서는 비직사각형의 액티브 영역 내에 배치되는 다수의 제1 서브 화소에 포함되는 스토리지 커패시터의 용량값이, 액티브 영역과 비액티브 영역 사이의 경계 영역과 인접하게 배치되는 다수의 제2 서브 화소에 포함되는 스토리지 커패시터의 용량값과 다르게 설정된다.
본 발명에서는 액티브 영역에 배치되는 제1 서브 화소들보다 개구율이 작은 제2 서브 화소들이 액티브 영역과 베젤 영역 사이의 경계 영역(데드존)에 배치된다. 이에 따라, 본 발명은 경계 영역이 부드러운 곡선 또는 사선으로 표현되므로, 비정상적인 계단 현상이 시인되는 것을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 제1 및 제2 서브 화소들의 커패시터의 용량값을 개구율에 비례하도록 설정함으로써 제1 및 제2 서브 화소들이 동일한 휘도를 구현할 수 있으므로 제1 및 제2 서브 화소들 간의 휘도 편차를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 표시 장치를 나타내는 블럭도이다.
도 2는 도 1에서 "A"영역을 확대한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 패널에 배치되는 서브 화소를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 표시 패널에 배치되는 비직사각형의 발광 영역을 가지는 서브 화소들을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 표시 패널에 배치되는 비직사각형의 발광 영역과 화소 구동 회로를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 표시 패널에 배치되는 스토리지 커패시터의 용량값에 따른 휘도 변화를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2에 도시된 제1 및 제2 서브 화소의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 2에 도시된 제1 및 제2 서브 화소의 스토리지 커패시터를 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 2에 도시된 제1 및 제2 서브 화소의 보조 커패시터를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제1 및 제2 서브 화소의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 11a는 도 10에 도시된 서브 화소의 스토리지 커패시터를 나타내는 단면도이며, 도 11b는 도 10에 도시된 서브 화소의 보조 커패시터를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블럭도이다.
도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(10)과, 표시패널(10)을 구동하는 패널 구동부를 포함한다. 패널 구동부는 데이터 구동부(40), 게이트 구동부(50), 전원 공급부(30) 및 타이밍 컨트롤러(20)를 포함한다.
타이밍 컨트롤러(20)는 데이터 구동부(40) 및 게이트 구동부(50)의 구동 타이밍을 각각 제어하는 데이터 제어 신호들 및 게이트 제어 신호들을 생성하여 데이터 구동부(40) 및 게이트 구동부(50)로 공급한다. 타이밍 컨트롤러(20)는 영상 데이터를 영상 처리하여 데이터 구동부(40)로 공급한다.
전원 공급부(30)는 표시 패널(10), 데이터 구동부(40) 및 게이트 구동부(50)에 공급될 전원을 생성한다.
데이터 구동부(40)는 타이밍 컨트롤러(20)로부터 공급된 데이터 제어 신호에 의해 제어되고, 타이밍 컨트롤러(40)로부터 공급된 영상 데이터를 아날로그 데이터 신호로 변환하여 표시 패널(10)로 공급한다.
게이트 구동부(50)는 표시패널(10) 상의 베젤(bezel) 영역(BA) 상에 직접 형성되는 GIP(Gate in panel) 회로로 구현될 수 있다. 게이트 구동부(50)는 타이밍 컨트롤러(20)의 제어 하에 게이트 신호를 게이트 라인들로 출력한다. 게이트 구동부(50)는 시프트 레지스터(Shift register)를 이용하여 게이트 신호를 시프트(shift) 함으로써 그 신호들을 게이트 라인들에 순차적으로 공급한다.
표시패널(10)은 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 적어도 일측에 배치되는 베젤 영역(BA)을 포함한다.
액티브 영역(AA)에서는 입력 영상이 표시되는 화면을 구현된다. 이러한 액티브 영역(AA)은 이형 표시 장치에 적용되는 경우 직사각형과 다른 형상을 형성된다. 예를 들어, 액티브 영역(AA)의 적어도 일측은 사선, 또는 곡선을 가지도록 형성된다.
액티브 영역(AA)에는 도 2에 도시된 바와 같이 다수의 제1 및 제2 단위 화소들(PU1)이 배치된다. 제1 및 제2 단위 화소들(PU1,PU2)은 컬러 구현을 위하여, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 서브 화소들(P1,P2)을 포함하거나, 백색 표시 화소를 더 포함할 수 있다.
각 서브 화소(P1,P2)는 도 3에 도시된 바와 같이 발광 소자(EL)와, 그 발광 소자(EL)를 구동하기 위한 화소 구동 회로를 구비한다. 화소 구동 회로는 제1 내지 제5 스위치 TFT(T1,T2,T3,T4,T5)와, 구동 TFT(DT)와, 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Cgv)를 포함한다. 여기서, 화소 구동 회로는 도 3의 구조로 한정하는 것은 아니며 다양하게 변경가능하다.
발광 소자(EL)는 제4 노드(n4)를 통해 제4 및 제5 스위치 TFT(T4,T5)와 접속된 애노드 전극과, 저전위 전압(VSS)과 접속된 캐소드 전극과, 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 애노드 전극은 각 서브 화소별로 독립되게 형성되며, 캐소드 전극은 전체 서브 화소들이 공유하도록 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 이러한 발광 소자(EL)는 데이터 전압(Vdata)에 따라 구동 TFT(DT)에 의해 조절되는 전류량으로 발광한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)에 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 보상된 데이터 전압(Vdata)이 충전된다. 따라서, 데이터 전압(Vdata)은 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 보상되기 때문에서 화소들 간에 구동 TFT(DT)의 특성 편차가 보상될 수 있다.
보조 커패시터(Cgv)는 고전위 전압 라인(150)과 제2 노드(n2) 사이에 연결된다. 이 보조 커패시터(Cgv)는 구동 TFT(DT)의 게이트전극의 전압이 원치않는 커플링 현상에 의해서 변화되는 것을 방지한다.
제1 내지 제5 스위치 TFT(T1,T2,T3,T4,T5)와, 구동 TFT(DT)는 액티브층의 재질에 따라 비정질 TFT, 다결정 TFT, 산화물 TFT 또는 유기 TFT 등이 이용될 수 있다.
제1 스위치 TFT(T1)는 제1 게이트 라인(172)의 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 제어되고, 초기화 기간 이후의 샘플링 기간 동안 데이터 라인(178)의 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(n1)에 공급한다. 제2 스위치 TFT(T2)는 제2 게이트 라인(174)의 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 제어되고, 샘플링 기간 동안 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3)를 연결하여 구동 TFT(DT)를 다이오드로 접속시킨다. 제3 스위치 TFT(T3)는 제3 게이트 라인(176)의 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어되고, 초기화기간 동안 기준 전압 라인(170)을 통해 제1 노드(n1) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 기준 전압(Vref)으로 초기화한다. 제4 스위치 TFT(T4)는 제3 게이트 라인(176)의 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어되고, 샘플링 기간 이후의 발광 기간 동안 구동 TFT(DT)로부터 공급된 구동 전류를 발광 소자(EL)로 공급한다. 제5 스위치 TFT(T5)는 제2 게이트 라인(174)의 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 제어되고, 샘플링 기간 동안 제4 노드(n4)를 기준 전압(Vref)으로 초기화한다. 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 흐르는 전류를 조절한다.
이와 같이, 각 표시 화소(P)는 초기화기간, 샘플링 기간 및 발광 기간으로 나뉘어 구동된다.
초기화기간 동안, 제2 및 제5 스위치 TFT(T2,T5)는 제2 게이트 라인(174)의 제2 스캔 신호(SCAN2)에 응답하여 턴온된다. 이와 동시에, 제3 및 제4 스위치 TFT(T3, T4)는 제3 게이트 라인(176)의 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴온된다. 이에 따라, 각 노드들(n1,n2,n3,n4)과, 커패시터(Cst)의 전압은 기준 전압(Vref)으로 초기화된다.
샘플링 기간 동안, 제1, 제2 및 제5 스위치 TFT(T1,T2,T5)는 제1 및 제2 게이트 라인(172,174)의 제1 및 제2 스캔 신호(SCAN1,SCAN2)에 응답하여 턴-온된다. 이 때, 제2 노드(n2)에 구동 TFT(DT)의 소스-게이트 간 전압이 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)까지 상승하고, 제1 노드(n1)에 데이터 전압(Vdata)이 인가된다. 따라서, 커패시터(Cst)는 데이터전압(Vdata)과 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)의 차 전압을 저장한다. 그 결과, 데이터 전압(Vdata)이 구동TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 보상된다. 이 후, 제1 내지 제5 스위치 TFT들(T1 내지 T5)은 제1 내지 제3 게이트 라인(172,174,176)의 제1 및 제2 스캔 신호(SCAN1,SCAN2)와 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴오프됨으로써 각 노드들(n1 내지 n4)는 플로팅된다.
발광 기간 동안, 제3 및 제4 스위치 TFT들(T3,T4)는 제3 게이트 라인(176)의 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴온됨으로써 발광 소자(EL)에 전류가 흘러 발광 소자(EL)는 발광하게 된다.
이와 같은 서브 화소들이 배치되는 액티브 영역(AA)의 적어도 일측에는 베젤 영역(BA)이 배치된다. 이 베젤 영역(BA)과 액티브 영역(AA) 사이의 경계 라인(BL, (데드존)에는 도 2에 도시된 바와 같이 제2 단위 화소(PU2)가 배치된다. 경계 라인(BL)을 지나거나 가깝게 배치되는 제2 단위 화소(PU2)는 사선 또는 라운드 형태의 경계 라인(BL)에 가까워질수록 발광 영역(AR,AG,AB)의 면적이 점진적으로 작아지게 형성된다. 예를 들어, 제1 단위 화소(PU1)에 포함되는 제1 서브 화소들(P1)의 발광 영역이 100%인 경우, 제2 단위 화소(PU2)에 포함되는 제2 서브 화소들(P2)의 발광 영역은 경계 라인(BL)에 가까워질수록 75%, 50%로 점진적으로 작이지도록 형성된다. 이 때, 각 서브 화소의 발광 영역(AR,AG,AB)은 도 2에 도시된 바와 같이 사각형 형태로 형성되거나, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 직사각형을 제외한 다각형, 원형 또는 타원형 형태로 형성된다.
이에 따라, 제2 단위 화소(PU2)에 포함되는 제2 서브 화소(P2)들 각각의 개구율은 제1 단위 화소(PU1)에 포함되는 제1 서브 화소들(P1) 각각의 개구율보다 작게 형성된다. 여기서, 개구율은 각 서브 화소(P1,P2)의 전체 면적에서 뱅크에 의해 노출된 애노드 전극의 면적(즉, 발광 영역)이 차지하는 비율을 의미한다. 즉, 본 발명에서는 제1 및 제2 서브 화소(P1,P2)의 전체 면적은 서로 동일한 반면에 제2 서브 화소들(P2)의 발광 영역(AR,AG,AB)은 제1 서브 화소들(P1)의 발광 영역(AR,AG,AB)보다 작게 형성된다.
그러나, 발광 영역(개구율)이 줄어들수록 발광 소자(EL)에 흐르는 전류 밀도가 증가하게 되어 발광 영역(개구율)이 작은 제2 서브 화소(P2)는 고휘도를 구현하고, 발광 영역(개구율)이 큰 제1 서브 화소(P1)는 저휘도를 구현한다. 이에 따라, 발광 영역이 작은 제1 서브 화소(P1)와 발광 영역이 큰 제2 서브 화소(P2) 간의 휘도 편차가 발생된다.
따라서, 본 발명에서는 제1 및 제2 서브 화소(P1,P2) 간의 휘도 편차를 방지하기 위해, 개구율에 비례하도록 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Cgv) 중 적어도 어느 하나의 커패시터의 용량값을 형성한다.
구체적으로, 개구율이 동일한 서브 화소들의 데이터 라인(178)에 동일한 데이터 전압(Vdata)을 공급하더라도 커패시터의 용량값(CA)이 클수록 도 6에 도시된 바와 같이 고휘도(LA)를 구현하고 커패시터의 용량값(CB)이 작을수록 저휘도(LB)를 구현한다.
이 경우, 개구율이 상대적으로 커서 저휘도를 구현하는 제1 서브 화소(P1)의 커패시터의 용량값을 상대적으로 크게 형성하면 휘도를 높일 수 있고, 개구율이 상대적으로 작아 고휘도를 구현하는 제2 서브 화소(P2)의 커패시터의 용량값을 상대적으로 작게 형성하면 휘도를 낮출 수 있다. 이에 따라, 고개구율의 제1 서브 화소들(P1)로 이루어진 제1 단위 화소(PU1)와, 저개구율의 제2 서브 화소들(P2)로 이루어진 제2 단위 화소(PU2)는 동일한 휘도를 구현할 수 있다.
이와 같은 커패시터의 용량값을 조절하기 위한 방안에 대해, 도 7 내지 도 9를 결부하여 설명하기로 한다.
도 7에 도시된 제1 서브 화소(P1)와 도 7b에 도시된 제2 서브 화소(P2) 각각은 발광 소자(EL)와, 그 발광 소자(EL)와 접속되는 제4 스위치 TFT(T4)를 구비한다.
제4 스위치 TFT(T4)는 게이트 전극(152), 액티브층(154), 소스 전극(156) 및 드레인 전극(158)을 구비한다.
액티브층(154)은 액티브 버퍼층(128) 상에서 게이트 전극(152)과 중첩되게 형성되어 소스 및 드레인 전극(156,158) 사이에 채널을 형성한다.
게이트 전극(152)은 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 액티브층(154)의 채널 영역과 중첩된다. 이러한 게이트 전극(152)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
소스 및 드레인 전극(156,158)은 제2 층간 절연막(116) 상에 배치된다. 이 소스 및 드레인 전극(156,158)은 제1 및 제2 층간 절연막(114,116)을 관통하는 소스 및 드레인 컨택홀(124S,124D)을 통해 노출된 액티브층(154)과 전기적으로 접속된다. 이러한 소스 및 드레인 전극(156,158)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광 소자(EL)는 애노드 전극(132)과, 애노드 전극(132) 상에 형성되는 적어도 하나의 발광 스택(134)과, 발광 스택(134) 위에 형성된 캐소드 전극(136)을 구비한다.
애노드 전극(132)은 평탄화층(118)을 관통하는 화소 컨택홀(122)을 통해 노출된 제4 스위치 TFT(T4)의 드레인 전극(158)과 전기적으로 접속된다. 한편, 평탄화층(132) 및 드레인 전극(158) 사이에는 무기 절연 재질로 이루어진 보호막(도시하지 않음)이 더 배치될 수도 있다.
애노드 전극(132)은 각 서브 화소별로 독립되게 제2 평탄화층(120) 상에 배치된다. 이 애노드 전극(132)은 뱅크(138)에 의해 마련된 발광 영역뿐만 아니라 제4 스위치 TFT(T4)와 중첩되도록 배치됨으로써 발광 면적이 증가된다. 뱅크(138)는 애노드 전극(132)을 노출시키는 발광홀(E1,E2)을 가지도록 형성되어 발광 영역을 마련한다. 이러한 뱅크(138)는 인접한 서브 화소 간 광 간섭을 방지하도록 불투명 재질(예를 들어, 블랙)로 액티브 영역에 형성된다. 뱅크(138)는 칼라 안료, 유기 블랙 및 카본 중 적어도 어느 하나로 이루어진 차광재질을 포함한다.
캐소드 전극(136)은 발광 스택(134)을 사이에 두고 애노드 전극(132)과 대향하도록 형성된다.
이와 같은 발광 소자(EL)를 가지는 각 서브 화소(P1,P2)는 그 서브 화소(P1,P2)의 위치에 따라 개구율을 다르게 형성한다. 즉, 경계라인(BL)과 상대적으로 먼 제1 서브 화소들(P1)은 도 7에 도시된 바와 같이 제1 크기(S1)의 발광홀(E1)을 가지는 뱅크(138)를 형성한다. 경계라인(BL)과 상대적으로 가까운 제2 서브 화소들(P2)은 제1 크기(S1)보다 작은 제2 크기(S2)의 발광홀(E2)을 가지는 뱅크(138)를 형성한다. 여기서, 크기(S1,S2)는 폭, 길이 및 면적 중 적어도 어느 하나를 의미한다. 이에 따라, 제2 서브 화소들(P2)의 개구율은 제1 서브 화소들(P1)의 개구율보다 낮게 형성된다.
이 때, 제2 서브 화소(P2)의 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Cgv) 중 적어도 어느 하나의 용량값은 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(P1)의 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Cgv) 중 적어도 어느 하나의 용량값보다 작게 형성된다.
즉, 도 8에 도시된 제1 및 제2 서브 화소(P1,P2)의 스토리지 커패시터(Cst) 각각은 제1 층간 절연막(114)을 사이에 두고 중첩되는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144)으로 이루어진다. 제1 스토리지 전극(142)은 게이트 전극(152)과 동일 마스크 공정으로 함께 형성되므로, 게이트 절연막(112) 상에 게이트 전극(152)과 동일 재질로 형성된다. 이 제1 스토리지 전극(142)은 제1 및 제2 층간 절연막(114,116)을 관통하는 제1 스토리지 컨택홀(166a)을 통해 노출되어 제1 스토리지 연결 전극(164)과 접속된다. 제1 스토리지 연결 전극(164)은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극과 전기적으로 접속된다. 제2 스토리지 전극(144)은 제1 층간 절연막(114)을 사이에 두고 제1 스토리지 전극(142)과 중첩됨으로써 스토리지 커패시터(Cst)를 형성한다. 제2 스토리지 전극(144)은 제2 층간 절연막(116)을 관통하는 제2 스토리지 컨택홀(166b)을 통해 연결되어 제2 스토리지 연결 전극(166)과 접속된다. 제2 스토리지 연결 전극(166)은 제1 스위치 TFT(T1)의 드레인 전극과 전기적으로 접속된다.
제2 서브 화소(P2)에 포함되는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 중 적어도 어느 하나의 크기(S21,S22)는 제1 서브 화소(P1)에 포함되는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 중 적어도 어느 하나의 크기(S11,S12)보다 작게 형성된다. 이에 따라, 저개구율의 제2 서브 화소(P2)의 스토리지 커패시터(Cst)의 용량값을, 고개구율의 제1 서브 화소(P1)의 스토리지 커패시터(Cst)의 용량값보다 낮출 수 있다. 그 결과, 경계 라인(BL)과 먼 고개구율의 제1 서브 화소(P1)와, 경계 라인(BL)과 가까운 저개구율의 제2 서브 화소(P2)는 동일한 휘도를 구현할 수 있다.
또한, 도 9에 도시된 제1 및 제2 서브 화소(P1,P2)의 보조 커패시터(Cgv) 각각은 액티브 버퍼층(128) 및 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되는 제1 및 제2 보조 전극(146,148)으로 이루어진다. 제1 보조 전극(146)은 멀티 버퍼층(126) 상에 형성된다. 이 제1 보조 전극(146)은 액티브 버퍼층(128) 및 게이트 절연막(112)을 관통하는 제1 보조 컨택홀(162a)을 통해 노출되어 보조 연결 전극(160)과 접속된다. 이러한 제1 보조 전극(146)은 구동 TFT(DT)의 액티브층과 접촉하는 쉴드층(도시하지 않음)과 연결될 수도 있다. 이 쉴드층은 폴리이미드(PI)로 이루어진 기판(101)의 전하 흐름으로 인해서 구동 TFT(DT)의 액티브층의 전류량이 감소되는 것을 방지하는 역할을 한다.
보조 연결 전극(160)은 제1 및 제2 층간 절연막(114,116)을 관통하는 제2 보조 컨택홀(162b)을 통해 노출되어 고전위 전압(VDD) 공급 라인(150)과 접속된다. 제2 보조 전극(148)은 액티브 버퍼층(128) 및 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 제1 보조 전극(146)과 중첩됨으로써 보조 커패시터(Cgv)를 형성한다. 제2 보조 전극(148)은 제1 스토리지 전극(142)과 동일 평면 상에서 제1 스토리지 전극(142)과 일체화되도록 형성된다.
제2 서브 화소(P2)의 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 중 적어도 어느 하나의 크기(S21,S22)는 제1 서브 화소(P1)의 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 중 적어도 어느 하나의 크기(S11,S12)보다 작게 형성된다. 이에 따라, 저개구율의 제2 서브 화소(P2)의 보조 커패시터(Cgvt)의 용량값을, 고개구율의 제1 서브 화소(P1)의 보조 커패시터(Cgv)의 용량값보다 낮출 수 있다. 그 결과, 경계 라인(BL)과 먼 고개구율의 제1 서브 화소(P1)와, 경계 라인(BL)과 가까운 제2 서브 화소들(P2)은 동일한 휘도를 구현할 수 있다.
한편, 본 발명에서는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144)과 제1 및 제2 보조 전극(146,148)의 크기를 이용하여 커패시터의 용량값을 조절하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 간의 이격 거리 및 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 간의 이격거리를 이용하여 커패시터의 용량값을 조절할 수도 있다. 즉, 제2 서브 화소(P2)에 포함되는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 간의 이격 거리를 제1 서브 화소(P1)에 포함되는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 간의 이격 거리보다 크게 형성할 수도 있다. 또는, 제2 서브 화소(P2)의 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 간의 이격 거리를 제1 서브 화소(P1)의 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 간의 이격 거리보다 크게 형성할 수도 있다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10에 도시된 디스플레이 장치는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치와 대비하여 적색, 녹색 및 청색 서브 화소의 개구율에 비례하도록 각 서브 화소의 커패시터의 용량값을 조절하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 단위 화소(PU1,PU2) 중 적어도 어느 하나의 단위 화소에 포함된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소의 발광 영역이 서로 다르다. 즉, 청색 서브 화소는 제1 크기(BS)의 발광 영역을 가지며, 녹색 서브 화소는 제1 크기(BS)보다 작은 제2 크기(GS)의 발광 영역을 가지며, 적색 서브 화소는 제2 크기(GS)보다 작은 제3 크기(RS)의 발광 영역을 가진다. 즉, 청색(B) 서브 화소가 고개구율, 녹색(G) 서브 화소가 중개구율, 적색(R) 서브 화소가 저개구율을 가진다. 이 경우, 녹색(G) 서브 화소의 커패시터(Cst,Cgv)의 용량값은 청색(B) 서브 화소의 커패시터(Cst,Cgv)의 용량값보다 작고, 적색(R) 서브 화소의 커패시터(Cst,Cgv)의 용량값보다 크게 설정된다. 이에 따라, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소의 개구율 차이로 인한 휘도편차를 방지할 수 있다.
개구율이 다른 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소의 커패시터의 용량값을 다르게 설정하기 위해, 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 스토리지 커패시터(Cst)의 용량값 및 보조 커패시터(Cgv)의 용량값을 조절한다.
도 11a에 도시된 바와 같이 녹색(G) 서브 화소의 스토리지 커패시터(Cst)를 형성하는 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 중 적어도 어느 하나의 크기(GS1)를, 적색 서브 화소의 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 중 적어도 어느 하나의 크기(RS1)보다 크고, 청색 서브 화소의 제1 및 제2 스토리지 전극(142,144) 중 적어도 어느 하나의 크기(BS1)보다 작게 형성된다.
도 11b에 도시된 바와 같이 녹색(G) 서브 화소의 보조 커패시터(Cgv)를 형성하는 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 중 적어도 어느 하나의 크기(GS2)를, 적색 서브 화소의 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 중 적어도 어느 하나의 크기(RS2)보다 크고, 청색 서브 화소의 제1 및 제2 보조 전극(146,148) 중 적어도 어느 하나의 크기(BS2)보다 작게 형성된다.
이에 따라, 저개구율의 적색 서브 화소의 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Cgv) 중 적어도 어느 하나의 용량값을, 고개구율의 청색 서브 화소 의 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Cgv)의 용량값보다 낮출 수 있다. 그 결과, 개구율이 다른 적색, 녹색 및 청색 서브 화소는 동일한 휘도를 구현할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 액티브 영역(AA)에 배치되는 제1 서브 화소들(P1)보다 개구율이 작은 제2 서브 화소들(P2)이 액티브 영역(AA)과 베젤 영역(BA) 사이의 경계 영역(데드존)에 배치된다. 이에 따라, 본 발명은 경계 영역이 부드러운 곡선 또는 사선으로 표현되므로, 비정상적인 계단 현상이 시인되는 것을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 제1 및 제2 서브 화소들의 커패시터의 용량값을 개구율에 비례하도록 설정함으로써 제1 및 제2 서브 화소들이 동일한 휘도를 구현할 수 있으므로 제1 및 제2 서브 화소들 간의 휘도 편차를 방지할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
10: 표시 패널 20: 타이밍 컨트롤러
30: 전원 공급부 40: 데이터 구동부
50: 게이트 구동부 101: 기판
142,144: 스토리지 전극 146,148: 보조 전극

Claims (16)

  1. 액티브 영역과 비액티브 영역을 가지는 기판과;
    상기 액티브 영역 내에 배치되는 다수의 제1 서브 화소와;
    상기 액티브 영역과 상기 비액티브 영역 사이의 경계 영역과 인접하게 배치되는 다수의 제2 서브 화소를 구비하며,
    상기 제1 및 제2 서브 화소 각각에 포함되는 스토리지 커패시터의 용량값은 서로 다른 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소는 상기 제1 서브 화소와 개구율이 다르며,
    상기 스토리지 커패시터의 용량값은 상기 개구율에 비례하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 개구율은 상기 제1 서브 화소의 개구율보다 낮으며,
    상기 제2 서브 화소의 스토리지 커패시터의 용량값은 상기 제1 서브 화소의 스토리지 커패시터의 용량값보다 작은 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소는 상기 경계 영역으로 갈수록 개구율이 점진적으로 작아지는 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 서브 화소 각각은
    상기 스토리지 커패시터와 접속되는 발광 소자와;
    상기 발광 소자의 애노드 전극을 노출시키는 발광홀을 가지는 뱅크를 더 구비하는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 발광홀의 크기는 상기 제1 서브 화소의 발광홀의 크기보다 작은 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 커패시터는
    상기 기판 상에서 서로 중첩되게 배치되는 제1 및 제2 스토리지 전극을 구비하며,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 스토리지 전극 중 적어도 어느 하나의 크기는 상기 제1 서브 화소의 제1 및 제2 스토리지 전극 중 적어도 어느 하나의 크기보다 작은 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 커패시터는
    상기 기판 상에서 서로 중첩되게 배치되는 제1 및 제2 스토리지 전극을 구비하며,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 스토리지 전극 사이의 이격거리는 상기 제1 서브 화소의 제1 및 제2 스토리지 전극 사이의 이격거리보다 큰 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 서브 화소 각각은
    상기 스토리지 커패시터와 접속되는 보조 커패시터를 더 구비하며,
    상기 제2 서브 화소의 보조 커패시터의 용량값은 상기 제1 서브 화소의 보조 커패시터의 용량값보다 작은 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 커패시터는
    상기 기판 상에서 서로 중첩되게 배치되는 제1 및 제2 보조 전극을 구비하며,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 보조 전극 중 적어도 어느 하나의 크기는 상기 제1 서브 화소의 제1 및 제2 보조 전극 중 적어도 어느 하나의 크기보다 작은 표시 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 커패시터는
    상기 기판 상에서 서로 중첩되게 배치되는 제1 및 제2 보조 전극을 구비하며,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 보조 전극 사이의 이격거리는 상기 제1 서브 화소의 제1 및 제2 보조 전극 사이의 이격거리보다 큰 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 영역은 비직사각형으로 형성되는 표시 장치.
  13. 비직사각형의 액티브 영역과, 비액티브 영역을 가지는 기판과;
    상기 액티브 영역 내에 배치되는 다수의 제1 단위 화소와;
    상기 액티브 영역과 상기 비액티브 영역 사이의 경계 영역과 인접하게 배치되는 다수의 제2 단위 화소를 구비하며,
    상기 제1 및 제2 단위 화소 각각에 포함되는 스토리지 커패시터의 용량값은 서로 다른 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 단위 화소의 개구율은 상기 제1 단위 화소의 개구율보다 낮으며,
    상기 제2 단위 화소에 포함되는 서브 화소들 각각의 스토리지 커패시터의 용량값은 상기 제1 단위 화소에 포함되는 서브 화소들 각각의 스토리지 커패시터의 용량값보다 작은 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 단위 화소 각각의 서브 화소들은 상기 스토리지 커패시터와 접속되는 보조 커패시터를 더 구비하며,
    상기 제2 단위 화소에 포함되는 서브 화소들 각각의 보조 커패시터의 용량값은 상기 제1 단위 화소에 포함되는 서브 화소들 각각의 보조 커패시터의 용량값보다 작은 표시 장치.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 단위 화소 각각은 개구율이 다른 적색, 녹색 및 청색 서브 화소를 구비하며,
    상기 적색, 녹색 및 청색 서브 화소 각각의 스토리지 커패시터의 용량값은 상기 개구율에 비례하도록 설정되는 표시 장치.
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