JP2018133242A - 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における抵抗の低減を図り発光効率を向上させ輝度ムラを抑制する。【解決手段】行方向に隣接する画素電極層３１１９の間隙上に列方向に延伸して設けられた給電補助電極層３２００と、給電補助電極層３２００上に設けられた列方向に延伸する絶縁層３１２２Ｙと、発光層３１２３上および絶縁層３１２２Ｙ上に跨って設けられた機能層３１２４と、機能層３１２４上に連続して設けられた共通電極層３１２５と、を備え、絶縁層３１２２Ｙには複数の貫通孔３１２２Ｙａが開設されており、機能層３１２４は貫通孔３１２２Ｙａ内において給電補助電極層３２００上の貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２Ｙｃ近傍に位置する一部分３１２５ａが欠落しているか又は薄層化している。【選択図】図５

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル、及びそれを用いたその製造方法に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。

有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極層、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造をしている。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極層にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。

共通電極は、基板全面にわたって成膜することが多く、共通電極の電気抵抗が大きい場合、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生してしまう可能性がある。
そこで、共通電極の低抵抗化のために補助電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、補助電極を画素電極層と同層に形成し、画素電極層とは電気的に絶縁しつつ共通電極とは電気的に接続した構成が開示されている。

特開２００２−３１８５５６号公報

ところが、上記従来の手法では、複数層からなる有機層のうち特に発光層の上層に位置する電子輸送層を形成する際に、補助電極を避けて形成するためにマスク蒸着を行う必要があり、生産コストが増大するという課題がある。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネル、及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極層が行列状に配され、各画素電極層上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記基板上の行方向に隣接する画素電極層の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極層とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、少なくとも前記給電補助電極層上に設けられた列方向に延伸する絶縁層と、前記発光層上および前記絶縁層上に跨って設けられた機能層と、前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備え、前記絶縁層には複数の貫通孔が開設されており、前記機能層は、前記貫通孔内において前記給電補助電極層上の前記貫通孔の内壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化しており、前記共通電極層は前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触しており、前記機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続されていることを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素３１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の単位画素３１００ｅに相当する絶縁層３１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。 図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。 図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。 図３におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 共通電極層３１２５の成膜に用いるスパッタ装置６００を示す模式図である。 （ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 電子輸送層３１２４の成膜に用いる蒸着装置５００を示す模式図である。 （ａ）は、電子輸送層３１２４成膜後の図４に示した補助電極層３２００周辺の拡大図、（ｂ）は、共通電極層３１２５成膜後の図４に示した補助電極層３２００周辺の拡大図である。 変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの画素３１００ｅに相当する絶縁層３１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。 （ａ）〜（ｄ）は、絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２ａの形状の変形例を示す図である。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様Ａ１に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極層が行列状に配され、各画素電極層上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記基板上の行方向に隣接する画素電極層の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極層とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、少なくとも前記給電補助電極層上に設けられた列方向に延伸する絶縁層と、前記発光層上および前記絶縁層上に跨って設けられた機能層と、前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備え、前記絶縁層には複数の貫通孔が開設されており、前記機能層は、前記貫通孔内において前記給電補助電極層上の前記貫通孔の内壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化しており、前記共通電極層は前記機能層の欠落により露出しており、前記機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続されている前記給電補助電極層と直接接触していることを特徴とする。

係る構成により、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネルを提供することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記貫通孔の開口幅に対する前記絶縁層の厚みの比率は０．１以上０．８以下である構成であってもよい。

係る構成により、列絶縁層の貫通孔の底面に位置する給電補助電極層上の孔底部内において機能層を段切れさせて欠落部を形成し、欠落部から給電補助電極層のコンタクト面が露出する構造を実現することができる。あるいは、機能層の一部分が欠落するには至らないものの、機能層の一部を薄層化させて、機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続されている構造を実現することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記機能層は、前記絶縁層の上面、及び前記給電補助電極層上において前記貫通孔内の前記一部分以外には存在しており、前記貫通孔の内壁上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化している構成であってもよい。
また、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に複数の画素電極層を行列状に配する工程と、前記基板上の行方向に隣接する画素電極層の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域を確保し、当該電極作成領域に隣接する画素電極層とは非接触の状態で給電補助電極層を、気相成長法により形成する工程と、少なくとも前記給電補助電極層上に列方向に延伸して絶縁層を形成する工程と、各前記画素電極層上に有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、前記絶縁層には複数の貫通孔を開設する工程と、真空蒸着法により、前記発光層上および前記絶縁層上に跨る機能層を形成する工程と、スパッタリング法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、前記機能層上に連続して延伸する共通電極層を形成する工程とを含むことを特徴とする。

係る構成により、簡易な製造プロセスを用いて、共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記機能層を形成する工程では、前記貫通孔内において前記給電補助電極層上の前記貫通孔の内壁近傍に位置する部分が欠落するか又は薄層化するように前記機能層が形成され、前記共通電極層を形成する工程では、前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と前記共通電極層とが直接接触するように、前記機能層が薄層化している部分ではそれ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗で前記共通電極層が前記給電補助電極層に電気的に接続されるように前記共通電極層が形成される構成であってもよい。

係る構成により、補助電極層上に形成される機能層は、貫通孔内の孔底部の一部において途切れて（断切れして）欠落部が形成されるとともに、共通電極層は、この機能層の欠落部に回り込むように、補助電極層のコンタクト面に接触して形成される。そのため、補助電極層が、コンタクト面において共通電極層と直接接触するため、補助電極層と共通電極層との接続における電気抵抗を低減することができる。あるいは、機能層の一部分が欠落するには至らないものの、機能層の一部を薄層化させて、機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続されている構造を実現することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記貫通孔の開口幅に対する前記絶縁層の厚みの比率は０．１以上０．８以下である構成であってもよい。
係る構成により、列絶縁層の貫通孔の底面に位置する給電補助電極層上の孔底部内において機能層を段切れさせて欠落部を形成することができ、欠落部からコンタクト面が露出する構成を実現できる。あるいは、機能層の一部を薄層化させて、機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続されている構造を実現することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記絶縁層の厚みをｈ、前記機能層の抵抗率をＲ₁、前記共通電極の抵抗率をＲ₀、前記機能層を形成する工程において用いる蒸着源から前記基板に対する平均入射角をθとしたとき、前記の貫通孔の開口幅ｗは、

により規定される構成であってもよい。
係る構成により、補助電極層上に形成される機能層は、貫通孔内の孔底部の一部において途切れて（断切れして）欠落部が形成されるとともに、共通電極層は、この機能層の欠落部に回り込むように、補助電極層のコンタクト面に接触して形成される。
≪実施の形態１≫
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。

図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。

なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０における、複数の有機ＥＬ素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する３色の副画素（不図示）３１００ｓｅからなる単位画素３１００ｅから構成される。各副画素３１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。

図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素３１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子３１００における回路構成を示す模式回路図である。表示パネル１０においては、単位画素３１００ｅを構成する有機ＥＬ素子３１００がマトリクス状に配されて表示領域を構成している。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素３１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂および駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素３１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素３１００ｓｅ）を組合せて１つの単位画素３１００ｅを構成し、各単位画素３１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素３１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素３１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素３１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素３１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約され共通電源ライン及び共通接地ラインに接続されている。
１．３ 表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。図４は、有機ＥＬ表示パネル１０の単位画素３１００ｅに相当する絶縁層３１２２の部分を斜め上方から視した斜視図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板３１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子３１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

表示パネル１０の表示素子配列領域には、有機ＥＬ素子３１００に対応する単位画素３１００ｅが行列状に配されている。各単位画素３１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する３１００ａＲ、緑色に発光する３１００ａＧ、青色に発光する３１００ａＢ（以後、３１００ａＲ、３１００ａＧ、３１００ａＢを区別しない場合は、「３１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域３１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域３１００ａＲ、３１００ａＧ、３１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素３１００ｓｅ（以後、区別する場合は、「青色副画素３１００ｓｅＢ」、「緑色副画素３１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素３１００ｓｅＲ」とする）が１組となりカラー表示における単位画素３１００ｅを構成している。

表示パネル１０には、複数の画素電極層３１１９が基板３１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極層３１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極層３１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域３１００ａＲ、３１００ａＧ、３１００ａＢに対応する。

表示パネル１０には、複数の補助電極層３２００が基板３１００ｘ上の単位画素３１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。補助電極層３２００は、画素電極層３１１９と同じ光反射材料からなる。
隣接する画素電極層３１１９間および隣接する画素電極層３１１９と補助電極層との間には、絶縁層形式のライン上のバンクが設けられており、互いに絶縁されている。行方向に隣接する２つの画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ３、３１１９ａ４及び外縁３１１９ａ３、３１１９ａ４間に位置する基板３１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列絶縁層３１２２Ｙと、列絶縁層３１２２Ｙの上に列バンク３５２２Ｙが複数列並設されている。また、行方向に隣接する画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ３及び補助電極層３２００の外縁３２００ａ２、画素電極層３１１９の外縁３１１９ａ４及び補助電極層３２００外縁３２００ａ１及びそれらの間に位置する基板３１００ｘ上の領域上方にも、列絶縁層３１２２Ｙと、列絶縁層３１２２Ｙの上に列バンク３５２２Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域３１００ａの行方向外縁は、列バンク３５２２Ｙの行方向外縁により規定される。また、行方向に隣接する画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ３及び補助電極層３２００の外縁３２００ａ２間に位置する列絶縁層３１２２Ｙと、行方向に隣接する画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ４及び補助電極層３２００外縁３２００ａ１間に位置する列絶縁層３１２２Ｙとは、補助電極層３２００の上方に跨って配されており行方向に繋がっている。この列絶縁層３１２２Ｙにおける補助電極層３２００上方に位置する部分には、補助電極層３２００と後述する共通電極層３１２５とを接続する複数の貫通孔３１２２Ｙａ（コンタクトホール）が形成されている。

一方、列方向に隣接する２つの画素電極層３１１９の列方向外縁３１１９ａ１、３１１９ａ２及び外縁３１１９ａ１、３１１９ａ２間に位置する基板３１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行絶縁層３１２２Ｘが複数行並設されている。行絶縁層３１２２Ｘが形成される領域は、画素電極層３１１９上方の発光層３１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域３１００ｂとなる。そのため、自己発光領域３１００ａの列方向における外縁は、行絶縁層３１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

隣り合う列バンク３５２２Ｙ間を間隙３５２２ｚと定義したとき、間隙３５２２ｚには、自己発光領域３１００ａＲに対応する赤色間隙３５２２ｚＲ、自己発光領域３１００ａＧに対応する緑色間隙３５２２ｚＧ、自己発光領域３１００ａＢに対応する青色間隙３５２２ｚＢ（以後、間隙３５２２ｚＲ、間隙３５２２ｚＧ、間隙３５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙３５２２ｚ」とする）が存在する。

表示パネル１０では、複数の自己発光領域３１００ａと非自己発光領域３１００ｂとが、間隙３５２２ｚＲ、間隙３５２２ｚＧ、間隙３５２２ｚＢに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域３１００ｂには、画素電極層３１１９とＴＦＴのソースＳ₁とを接続する接続凹部３１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層３１１９に対して電気接続するための画素電極層３１１９上のコンタクト領域３１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。

１つの副画素３１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク３５２２Ｙと行方向に設けられた行絶縁層３１２２Ｘとは直交し、自己発光領域３１００ａは列方向において行絶縁層３１２２Ｘと行絶縁層３１２２Ｘの間に位置している。
１．４ 表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子３１００の構成を図５、図６、及び図７用いて説明する。図５は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図６は、図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。図７は、図３におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０は、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
１．４．１ 基板
（１）基板３１００ｘ
基板３１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線１１０を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層３１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層３１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。配線３１１０は、ＴＦＴのソースＳ₁に接続されている。

（２）層間絶縁層３１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には層間絶縁層３１１８が設けられている。基板３１００ｘの上面に位置する層間絶縁層３１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板３１００ｘの上面を平坦化するものである。また、層間絶縁層３１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

層間絶縁層３１１８には、図６に示すように配線１１０の上方の一部にコンタクト孔３１１８ａが開設されている。層間絶縁層３１１８の上限膜厚は、１０μｍ以上では、製造時の膜厚バラツキがより大きくなるとともにボトム線幅の制御が困難となる。また、タクト増大による生産性低下の観点から７μｍ以下が好ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以下では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には２μｍが限界となる。したがって、層間絶縁層３１１８の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。

１．４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層３１１９
基板３１００ｘの上面に位置する層間絶縁層３１１８上には、図５、図６に示すように、副画素３１００ｓｅ単位で画素電極層３１１９が設けられている。画素電極層３１１９は、発光層３１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層３１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層３１１９は、光反射性を有し、画素電極層３１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層３１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙３５２２ｚＲ、間隙３５２２ｚＧ、間隙３５２２ｚＢのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて層間絶縁層３１１８上に配されている。層間絶縁層３１１８のコンタクト孔３１１８ａ上には、画素電極層３１１９の一部を基板３１００ｘ方向に凹入された画素電極層３１１９の接続凹部３１１９ｃが形成されており、接続凹部３１１９ｃの底で画素電極層３１１９と配線１１０とが接続される。

（２）補助電極層３２００
基板３１００ｘの上面に位置する層間絶縁層３１１８上には、図５、図７に示すように、補助電極層３２００も設けられている。補助電極層３２００は、画素電極層３１１９間に行方向に間隔δＸをあけて配されている。補助電極層３２００は、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ以外の範囲において列絶縁層３１２２Ｙにより覆われている。貫通孔３１２２Ｙａの内部における、補助電極層３２００と電子輸送層３１２４又は共通電極層との接触態様の詳細については後述する。

（３）ホール注入層３１２０
画素電極層３１１９上には、図５、図６に示すように、ホール注入層３１２０が積層されている。ホール注入層３１２０、ホール輸送層３１２１は、画素電極層３１１９から注入されたホールをホール輸送層３１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層３１２０は、前記基板側から順に、画素電極層３１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層３１２０Ａと、少なくとも下部層３１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層３１２０Ｂとを含む。色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた下部層３１２０Ａを、それぞれ下部層３１２０ＡＢ、下部層３１２０ＡＧ及び下部層３１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層３１２０Ｂを、それぞれ上部層３１２０ＢＢ、上部層３１２０ＢＧ及び上部層３１２０ＢＲとする。

本実施の形態では、後述する間隙３５２２ｚＲ、間隙３５２２ｚＧ、間隙３５２２ｚＢ内では、上部層３１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層３１２０Ｂは、画素電極層３１１９上に形成された下部層３１２０Ａ上にのみ形成され、間隙３５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。

（４）絶縁層３１２２
画素電極層３１１９、図５、図６に示すように、ホール注入層３１２０の下層部３１２０Ａ及び補助電極層３２００の端縁を被覆するように絶縁物からなる絶縁層３１２２が形成されている。絶縁層３１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列絶縁層３１２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行絶縁層３１２２Ｘとがあり、図３に示すように、列絶縁層３１２２Ｙは行絶縁層３１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列絶縁層３１２２Ｙと行絶縁層３１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行絶縁層３１２２Ｘ、列絶縁層３１２２Ｙを区別しない場合は「絶縁層３１２２」とする）。

行絶縁層３１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行絶縁層３１２２Ｘは、各列絶縁層３１２２Ｙと格子状に交わるようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂと同じ高さの位置に上面３１２２Ｘｂを有する。そのため、行絶縁層３１２２Ｘと列絶縁層３１２２Ｙとにより、自己発光領域３１００ａに対応する開口が形成されている。

行絶縁層３１２２Ｘは、発光層３１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行絶縁層３１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制することができる。行絶縁層３１２２Ｘにより画素電極層３１１９は露出することはなく、行絶縁層３１２２Ｘが存在する領域では発光せず輝度には寄与しない。

具体的には、行絶縁層３１２２Ｘは、画素電極層３１１９の列方向における外縁３１１９ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層３１１９のコンタクト領域３１１９ｂと重なった状態で形成され、行絶縁層３１２２Ｘが形成される非自己発光領域３１００ｂの列方向長さは、画素電極層３１１９の列方向外縁３１１９ａ１、ａ２間の距離δＹより所定長大きく構成されている。これにより、画素電極層３１１９の列方向外縁３１１９ａ１、２を被覆することにより共通電極層３１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各副画素３１００ｓｅの発光領域３１００ａの外縁を規定する。

列絶縁層３１２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。列絶縁層３１２２Ｙは、画素電極層３１１９の行方向における外縁３１１９ａ３、ａ４上方及び、画素電極層３１１９の行方向における外縁３１１９ａ３、ａ４と補助電極層３２００の行方向における外縁３２００ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層３１１９及び補助電極層３２００と重なった状態で形成される。列絶縁層３１２２Ｙが形成される領域の行方向の幅は、画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ３、ａ４間の距離及びδＸより所定幅大きく構成されている。これにより、画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ３、ａ４を被覆することにより共通電極層３１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素３１００ｓｅの発光領域３１００ａの外縁を規定する。

また、図５に示すように、行方向に隣接する画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ３及び補助電極層３２００外縁３２００ａ２間に位置する列絶縁層３１２２Ｙと、行方向に隣接する画素電極層３１１９の行方向外縁３１１９ａ４及び補助電極層３２００外縁３２００ａ１間に位置する列絶縁層３１２２Ｙとは、補助電極層３２００の上方に跨って配されており行方向に繋がって形成されている。列絶縁層３１２２Ｙにおける、補助電極層３２００上方に隆起した堤状の部分を電極上方部３１２２Ｙｅとする。電極上方部３１２２Ｙｄの上面３１２２Ｙｅは、列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂよりも上方に位置している。

そして、列絶縁層３１２２Ｙにおける補助電極層３２００上方に位置する電極上方部３１２２Ｙｄの上面３１２２Ｙｅには、補助電極層３２００と後述する共通電極層３１２５とを接続する複数の貫通孔３１２２Ｙａ（コンタクトホール）が形成されている。
（５）列バンク３５２２Ｙ
列バンク３５２２Ｙは、画素電極層３１１９の行方向における外縁３１１９ａ３、ａ４上方及び、外縁３１１９ａ３、ａ４と補助電極層３２００の行方向における外縁３２００ａ１、ａ２上方に存在し、列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂに列絶縁層３１２２Ｙと重なった状態で形成される。列バンク３５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク３５２２Ｙは、発光層３１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層３１２３の行方向外縁を規定するものである。そのため、列バンク３５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。この機能により、行方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。

（６）ホール輸送層３１２１
図５、図６に示すように、行絶縁層３１２２Ｘ、及び間隙３５２２ｚＲ、３５２２ｚＧ、３５２２ｚＢ内におけるホール注入層３１２０上には、ホール輸送層３１２１が積層され、ホール輸送層３１２１はホール注入層３１２０の上部層３１２０Ｂに接触している。ホール輸送層３１２１は、ホール注入層３１２０から注入されたホールを発光層３１２３へ輸送する機能を有する。間隙３５２２ｚＲ、３５２２ｚＧ、３５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層３１２１を、それぞれホール輸送層３１２１Ｒ、ホール輸送層３１２１Ｇ及びホール輸送層３１２１Ｂとする。

本実施の形態では、後述する間隙３５２２ｚ内では、ホール輸送層３１２１は上部層３１２０Ｂ同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層３１２１は間隙３５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（７）発光層３１２３
図５、図６に示すように、ホール輸送層３１２１上には、発光層３１２３が積層されている。発光層３１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙３５２２ｚＲ、間隙３５２２ｚＧ、間隙３５２２ｚＢ内では、発光層３１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。列バンク３５２２Ｙにより規定された間隙３５２２ｚＲ、間隙３５２２ｚＧ、間隙３５２２ｚＢには、発光層３１２３が列方向に延伸して形成されている。赤色副画素３１００ｓｅＲ内の自己発光領域３１００ａＲに対応する赤色間隙３５２２ｚＲ、緑色副画素３１００ｓｅＧ内の自己発光領域３１００ａＧに対応する緑色間隙３５２２ｚＧ、青色副画素３１００ｓｅＢ内の自己発光領域３１００ａＢに対応する青色間隙３５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層３１２３Ｒ、３１２３Ｇ、３１２３Ｂが形成されている。

発光層３１２３は、画素電極層３１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行絶縁層３１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層３１２３は、行絶縁層３１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域３１００ａとなり、自己発光領域３１００ａの列方向における外縁は、行絶縁層３１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

発光層３１２３のうち行絶縁層３１２２Ｘの側面及び上面３１２２Ｘｂ上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域３１００ｂとなる。発光層３１２３は、自己発光領域３１００ａにおいてはホール輸送層３１２１の上面に位置し、非自己発光領域３１００ｂにおいては行絶縁層３１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層３１２１上面に位置する。

なお、発光層３１２３は、自己発光領域３１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域３１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層３１２３の形成時に、自己発光領域３１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域３１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域３１００ｂでは、行絶縁層３１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

（８）電子輸送層３１２４
図５〜６に示すように、列バンク３５２２Ｙ及び列バンク３５２２Ｙにより規定された間隙３５２２ｚを被覆するように電子輸送層３１２４が積層形成されている。電子輸送層３１２４については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層３１２４は、図５、図６に示すように、発光層３１２３上に形成されている。電子輸送層３１２４は、共通電極層３１２５からの電子を発光層３１２３へ輸送するとともに、発光層３１２３への電子の注入を制限する機能を有する。

また、電子輸送層３１２４は、図５、図７に示すように、補助電極層３２００上を覆う列絶縁層３１２２Ｙ上にも形成される。電子輸送層３１２４には、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上にも部分的に形成される。具体的には、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分が欠落して、電子輸送層３１２４が形成されない欠落部３１２４ａが形成される。欠落部３１２４ａでは、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃが露出している。また、電子輸送層３１２４ｂは、貫通孔３１２２Ｙａの底面に対応する補助電極層３２００の孔底部３２００ｂ内のコンタクト面３２００ｃを除いた部分には形成され堆積部３１２４ｂを構成する。

なお、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２Ｙｃ上に位置する部分には電子輸送層３１２４は形成されない。
（９）共通電極層３１２５
図５〜６に示すように、電子輸送層３１２４上に共通電極層３１２５が形成されている。共通電極層３１２５は、表示パネル１０の全面にわたって形成され、各発光層３１２３に共通の電極となっている。共通電極層３１２５は、図５、図６に示すように、電子輸送層３１２４上の画素電極層３１１９上方の領域にも形成される。共通電極層３１２５は、画素電極層３１１９と対になって発光層３１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層３１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層３１２３へ電子を供給する。

共通電極層３１２５は、図５、図７に示すように、補助電極層３２００上方の領域にも形成される。共通電極層３１２５は、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上における電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａにおいて露出しているコンタクト面３２００ｃと、直接接触するように形成される。
（１０）封止層３１２６
共通電極層３１２５を被覆するように、封止層３１２６が積層形成されている。封止層３１２６は、発光層３１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層３１２６は、共通電極層３１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。

（１１）接合層３１２７
封止層３１２６のＺ軸方向上方には、上部基板３１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層３１２８が形成されたＣＦ基板３１３１が配されており、接合層３１２７により接合されている。接合層３１２７は、基板３１００ｘから封止層３１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板３１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。

（１２）上部基板３１３０
接合層３１２７の上に、上部基板３１３０にカラーフィルタ層３１２８が形成されたＣＦ基板３１３１が設置・接合されている。上部基板３１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板３１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。

（１３）カラーフィルタ層３１２８
上部基板３１３０には画素の各色自己発光領域３１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層３１２８が形成されている。カラーフィルタ層３１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙３５２２ｚＲ内の自己発光領域３１００ａＲ、緑色間隙３５２２ｚＧ内の自己発光領域３１００ａＧ、青色間隙３５２２ｚＢ内の自己発光領域３１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層３１２８Ｒ、３１２８Ｇ、３１２８Ｂが各々形成されている。

（１４）遮光層３１２９
上部基板３１３０には、各画素の発光領域３１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層３１２９が形成されている。遮光層３１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。

１．４．３ 各部の構成材料
図５、図６、図７に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板３１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。

ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。

基板３１００ｘの上面に位置する層間絶縁層３１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
（２）画素電極層３１１９及び補助電極層３２００
画素電極層３１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層３１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層３１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。

補助電極層３２００は、画素電極層３１１９と同じ材料により構成されている。
（３）ホール注入層３１２０
ホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層３１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層３１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ⁵⁺／Ｗ⁶⁺）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。

ホール注入層３１２０の上部層３１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）絶縁層３１２２、列バンク５２２Ｙ
絶縁層３１２２及び列バンク５２２Ｙは、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。絶縁層３１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

または、絶縁層３１２２及び列バンク５２２Ｙは、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、列バンク５２２Ｙでは、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、列バンク５２２Ｙの表面に撥水性を低くするために、絶縁層３１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層３１２１
ホール輸送層３１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。

（６）発光層３１２３
発光層３１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層３１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（７）電子輸送層３１２４
電子輸送層３１２４は、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層３１２４に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。また、電子輸送層３１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。また、電子輸送層３１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。

（８）共通電極層３１２５
共通電極層３１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、
銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。

（９）封止層３１２６
封止層３１２６は、発光層３１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

封止層３１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層３１２７
接合層３１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層３１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（１１）上部基板３１３０
上部基板３１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層３１２８
カラーフィルタ層３１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

（１３）遮光層３１２９
遮光層３１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。

１．５ 表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図８〜１１を用いて説明する。
（１）基板３１００ｘの準備
配線１１０を含む複数のＴＦＴや配線が形成された基板３１００ｘを準備する。基板３１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図８（ａ））。

（２）層間絶縁層３１１８の形成
基板３１００ｘを被覆するように、上述の層間絶縁層３１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層３１１８を形成する（図８（ｂ））。
層間絶縁層３１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層３１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（不図示）。その後、現像によって、コンタクト孔３１１８ａをパターニングした層間絶縁層３１１８を形成する。コンタクト孔３１１８ａの底部において配線３１１０が露出する（不図示）。

本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層３１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層３１１８を形成してもよい。
（３）画素電極層３１１９及び補助電極層３２００の形成
コンタクト孔３１１８ａを開設した層間絶縁層３１１８が形成された後、画素電極層３１１９及び補助電極層３２００を形成する（図８（ｃ））。

画素電極層３１１９及び補助電極層３２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。このとき、コンタクト孔３１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより画素電極層３１１９の接続凹部３１１９ｃを形成する（不図示）。
画素電極層３１１９は、コンタクト孔３１１８ａの底部において露出した配線１１０と直接接触し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。

画素電極層３１１９は、層間絶縁層３１１８のコンタクト孔３１１８ａの側面で段切れしないように、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により形成することが好ましい。また、ステップカバレッジの優れた成膜方法によっても画素電極層３１１９の膜厚が過度に薄いと、段切れが発生する可能性があるため、膜厚は、７０ｎｍ以上で形成することが好ましい。

（４）ホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａの形成
画素電極層３１１９及び補助電極層３２００を形成した後、画素電極層３１１９上に対して、ホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａを形成する（図８（ｄ））。
下部層３１２０Ａは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用いそれぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。

（５）絶縁層３１２２の形成
ホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａを形成した後、下部層３１２０Ａ及び補助電極層３２００の縁部を覆うように絶縁層３１２２を形成する（図９（ａ））。絶縁層３１２２の形成では、間隙３５２２Ｚを形成するように行絶縁層３１２２Ｘと列絶縁層３１２２Ｙとを形成する。絶縁層３１２２は、間隙３５２２Ｚ内の行絶縁層３１２２Ｘと行絶縁層３１２２Ｘとの間にホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａの表面が露出するように設けられる。

絶縁層３１２２の形成は、先ず、ホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、絶縁層３１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行絶縁層３１２２Ｘ、列絶縁層３１２２Ｙを同時に形成する。行絶縁層３１２２Ｘ、列絶縁層３１２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

具体的には、絶縁層３１２２の形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によって絶縁層３１２２をパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。

列絶縁層３１２２Ｙにおける補助電極層３２００上方に電極上方部３１２２Ｙｄを形成する（図９（ｂ））。電極上方部３１２２Ｙｄの形成は、先ず、列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂ、及びホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、絶縁層３１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして補助電極層３２００上方に堤状の電極上方部３１２２Ｙｄを形成する。電極上方部３１２２Ｙｄのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

製造上、バンク３１２２の上限膜厚は、６０００ｎｍ以下で、製造時の膜厚バラツキがより小さくなると共にボトム線幅の制御が可能となる。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が２００ｎｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。したがって、バンク３１２２の厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、２００ｎｍ以上６０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態ではバンク３１２２Ｙｂの膜厚は、約４０００ｎｍ、バンク３１２２Ｘの膜厚は、約５００ｎｍとした。ＸｂとＹは同じであってもよい。

電極上方部３１２２Ｙｄを形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを上面３１２２Ｙｅに重ね、その上から紫外線照射を行い電極上方部３１２２Ｙｄを露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（図９（ｃ））。貫通孔３１２２Ｙａを形成する際の露光量により調整することにより、貫通孔３１２２Ｙａの内壁の傾斜角を制御できる。
その後、現像によって、貫通孔３１２２Ｙａ及び電極上方部３１２２Ｙｄに３１２２Ｙａをパターニングした列絶縁層３１２２Ｙを形成する（図９（ｄ））。貫通孔３１２２Ｙａの底部において補助電極層３２００が露出する。補助電極層３２００の露出している部分を孔底部３２００ｂとする。

本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて貫通孔３１２２Ｙａを形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて形成してもよい。
次に、列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂに、間隙３５２２Ｚを形成するように堤状の列バンク３５２２Ｙを形成する（図９（ｅ））。列バンク３５２２Ｙの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク３５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙３５２２ｚを開設して列バンク３５２２Ｙを形成する。間隙３５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク３５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙３５２２ｚを介して並設される。

製造上、バンク３５２２Ｙの上限膜厚は、コスト削減による生産性向上の観点から１５００ｎｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。また溶液塗布をともなうプロセスの場合、下地の凹凸が膜厚の均一性が向上する。このことよりＴＦＴの段差をできるだけ低減する必要があることより絶縁膜の下限膜厚が決定し５００ｎｍ以上が好ましい。したがって、バンク３５２２Ｙの厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では約１０００ｎｍとした。

（６）有機機能層の形成
行絶縁層３１２２Ｘ上を含む列バンク３５２２Ｙにより規定される間隙３５２２ｚ内に形成されたホール注入層３１２０の下部層３１２０Ａ上に対して、ホール注入層３１２０の上部層３１２０Ｂ、ホール輸送層３１２１、発光層３１２３を順に積層形成する（図１０（ａ））。

上部層３１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク３５２２Ｙにより規定される間隙３５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

ホール輸送層３１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク３５２２Ｙにより規定される間隙３５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層３１２１のインクを間隙３５２２ｚ内に塗布する方法は、上述した上部層３１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

発光層３１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク３５２２Ｙにより規定される間隙３５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙３５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインクをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層３１２３Ｒ、３１２３Ｇ、３１２３Ｂを形成する。このとき、発光層３１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層３１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板３１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板３１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

ホール注入層３１２０の上部層３１２０Ｂ、ホール輸送層３１２１、発光層３１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（７）電子輸送層３１２４の形成
発光層３１２３を形成した後、用い表示パネル１０の全面わたって、真空蒸着法などにより電子輸送層３１２４を形成する（図１０（ｂ））。電子輸送層３１２４は、列絶縁層３１２２Ｙの電極上方部３１２２Ｙｅ上や列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上にも形成される。その際、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分が欠落（段切れ）して、電子輸送層３１２４が形成されない欠落部３１２４ａが生じる。その欠落部３１２４ａより補助電極層３２００の孔底部３２００ｂの一部が露出する。欠落部３１２４ａより補助電極層３２００の露出している部分をコンタクト面３２００ｃとする。

電子輸送層３１２４の膜厚が過度に薄いと、共通電極層３１２５から発光層３１２３へ電子が直接移動し、発光層３１２３への電子の注入を制限する機能を果たせない。従って、電子輸送層３１２４の膜厚を１０ｎｍ以上に形成することが好ましい。一方、電子輸送層３１２４の厚膜化は、電子輸送層３１２４の透過率を低下させ、段切れの発生を阻害する。電子輸送層３１２４を通過する光を過度に減衰させないため、かつ、補助電極層３２００の貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上において意図的に段切れを発生させるため、電子輸送層３１２４の膜厚を４０ｎｍ以下に形成することが好ましい。

欠落部３１２４ａが生じる理由については後述する。
（８）共通電極層３１２５の形成
電子輸送層３１２４を形成した後、電子輸送層３１２４を被覆するように、共通電極層３１２５を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などにより形成する（図１０（ｃ））。共通電極層３１２５は、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の内壁３１２２Ｙｃ上、電子輸送層３１２４上や補助電極層３２００上にも形成される。その際、共通電極層３１２５は、電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａ内に回り込み、電子輸送層３１２４の欠落部分において露出している補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃ内壁に直接接触するように成膜する。

共通電極層３１２５が過度に薄いと、段切れ発生の要因にもなるため、共通電極層３１２５は膜厚を２５ｎｍ以上に形成することが好ましい。一方、共通電極層３１２５の厚膜化は、共通電極層３１２５の透過率を低下させるため、共通電極層３１２５は膜厚を２５０ｎｍ以下に形成することが好ましい。
ここで、共通電極層３１２５の形成方法について、さらに説明する。

まず、図１４を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒが用いられる。

スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。

成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１４では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、または、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。

排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。

なお、スパッタリングガスであるＡｒのガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
（９）封止層３１２６の形成
共通電極層３１２５を形成した後、共通電極層３１２５を被覆するように、封止層３１２６を形成する（図１０（ｄ））。封止層３１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。

（１０）ＣＦ基板３１３１の形成
次に、ＣＦ基板３１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板３１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層３１２９の材料を透明な上部基板３１３０の一方の面に塗布する（図１１（ａ））。

塗布した遮光層３１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１１（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層３１２９を除去して現像し、キュアすると、矩形状の断面形状の遮光層３１２９が完成する（図１１（ｃ））。
次に、遮光層３１２９を形成した上部基板３１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層３１２８（例えば、Ｇ）の材料３１２８Ｇを塗布し（図１１（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１１（ｅ））。

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト３１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層３１２８（Ｇ）が形成される（図１１（ｆ））。
この図１１（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層３１２８（Ｒ）、３１２８（Ｂ）を形成する（図１１（ｇ））。なお、ペースト３１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。

以上でＣＦ基板３１３１が形成される。
（１１）ＣＦ基板３１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板３１００ｘから封止層３１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層３１２７の材料を塗布する（図１２（ａ））。

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板３１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１２（ｂ））。
１．６．補助電極層３２００と共通電極層３１２５とを直接接触させる構成
（１）真空蒸着における段切れの発生
以上、説明したように、表示パネル１０では、真空蒸着法などにより電子輸送層３１２４を成膜する際に、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分が欠落（段切れ）して、電子輸送層３１２４が形成されない欠落部３１２４ａが生じる。欠落部３１２４ａより補助電極層３２００の孔底部３２００ｂの一部が露出する。以下、電子輸送層３１２４を成膜する際に、欠落部３１２４ａが生じる理由について説明する。

図１４は、電子輸送層３１２４の成膜に用いる蒸着装置５００を示す模式図である。図１４に示すように、蒸着装置５００は、チャンバ５１０を備えている。チャンバ５１０におけるチャンバ排気口５１０ａには真空ポンプ（不図示）が接続され、チャンバ５１０の中を真空に維持できるように構成されている。チャンバ５１０の内部空間は、仕切板５２０によって上下に仕切られ、仕切板５２０の上を基板３１００ｘが搬送されるようになっている。チャンバ５１０の側壁には、基板３１００ｘをチャンバ５１０内に搬入する搬入口５１１ｂと、基板３１００ｘをチャンバ５１０から搬出する搬出口５１１ｃが設けられている。基板３１００ｘは搬送手段５１２によって、搬入口５１１ｂから間欠的にチャンバ５１０内に搬入され、仕切板５２０上を通過して搬出口５１１ｃから搬出される。

チャンバ５１０内における仕切板５２０の下方には、蒸着物質を噴出させる蒸着源５３０が設置されている。蒸着源５３０はヒータ５４０を備えており、加熱により蒸着源５３０から噴出させる蒸着物質は、例えば、有機ＥＬ素子の機能層を形成する物質であって、有機物、無機物あるいは金属である。有機物としては、例えば、有機ＥＬ素子の機能層を形成する材料であり、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などが挙げられる。無機物としては、例えば、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属が挙げられる。また、陽極を形成するためには、Ａｌをはじめとして、Ｂａ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃などの金属酸化物材料が挙げられる。

仕切板５２０には、この蒸着源５３０から放出される蒸着物質が通過する窓５２０ａが開設され、この窓５２０ａはシャッタ５２１によって開閉できるようになっている。このような蒸着装置５００において、シャッタ５２１を開いた状態で、蒸着源５３０から蒸着物質を噴出しながら、基板３１００ｘを搬送することによって、蒸着源５３０から噴出される蒸着物質が窓５２０ａを通って、基板３１００ｘの下面に蒸着される。このとき、蒸着源５３０と窓５２０ａとの位置関係は、蒸着源５３０の中心から窓５２０ａの中心を通る直線は基板３１００ｘの法線に対し角度θだけ傾いた状態を保持している。これにより、蒸着物質は蒸着時間を通して平均角度θの入射角にて基板３１００ｘに蒸着される。

チャンバ５１０の内部には、蒸着源５３０から基板３１００ｘに向けて蒸着物質が単位時間当たりに供給される量（蒸発レート）を測定するセンサ５５０が設置されている。センサ５５０によって測定される蒸着物質の蒸発レートを参照することによって、基板３１００ｘを搬送する速度などが設定される。なお、蒸着物質を基板３１００ｘにパターン蒸着する場合には、パターンが形成されたマスクを基板３１００ｘの下面側に設けて蒸着が行われる。

図１５（ａ）は、電子輸送層３１２４成膜後の図５に示した補助電極層３２００周辺の拡大図である。蒸着装置５００を用いた電子輸送層３１２４の成膜工程では、図１５（ａ）に示すように、基板３１００ｘに対する法線から角度θだけ傾いた位置に中心が配された蒸着源５３０を用いて蒸着が行われる。真空度が高い雰囲気で蒸着を行う真空蒸着法では蒸着物質は雰囲気中を直進する。蒸着装置５００においては、蒸着物質は基板に対し角度θだけ傾いた蒸着源５３０の方向から蒸着物質が供給され基板３１００ｘ上に堆積する。

表示パネル１０では、上述のとおり、列絶縁層３１２２Ｙにおける補助電極層３２００上方に位置する電極上方部３１２２Ｙｄの上面３１２２Ｙｅには、貫通孔３１２２Ｙａが形成されている。絶縁層３１２２Ｙの厚みｈに対し、貫通孔３１２２Ｙａの開口の幅は絶縁層３１２２Ｙの底面において幅ｗ₀は絶縁層３１２２Ｙの底面において幅ｗ₀´と略等しくｗ₀´＞ｗ₀である。本実施の形態では、厚みｈが４０００ｎｍ、幅ｗ₀が１００００ｎｍとしに対し、ｈ／ｗ₀が０．４となるよう貫通孔３１２２Ｙａが形成されている。

そのため、貫通孔３１２２Ｙａの底面に位置する補助電極層３２００の孔底部３２００ｂのうち、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分は蒸着源５３０から陰の領域に含まれる。その結果、この一部分には蒸着物質が到達しないいわゆるケラレ現象が生じ、蒸着物質が蒸着されない段切れにより欠落部３１２４ａが生じる。
すなわち、図１５（ａ）に示すように、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分では電子輸送層３１２４が欠落して、端部３１２４ａ２、ａ３間に電子輸送層３１２４が形成されない欠落部３１２４ａが形成される。欠落部３１２４ａでは、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃが露出している。

また、電子輸送層３１２４ｂは、貫通孔３１２２Ｙａの底面に位置する補助電極層３２００上の孔底部３２００ｂ内の欠落部３１２４ａ下方を除く部分（存在部）には形成される。この部分は、端部３１２４ａ１、ａ２間に位置する。
このように、電子輸送層３１２４は、貫通孔３１２２Ｙａの底面に位置する補助電極層３２００上の孔底部３２００ｂ内において段切れしてコンタクト面３２００が露出するように、比較的ステップカバレッジの劣る成膜方法（例えば、真空蒸着法）により形成される。

（２）スパッタリング法やＣＶＤ法における回り込みの発生
共通電極層３１２５を、ＣＶＤ法、スパッタリング法などにより成膜する際に、共通電極層３１２５は、電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａ内に回り込み、電子輸送層３１２４の欠落部分より露出している補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃに直接接触する。以下、共通電極層３１２５の成膜について説明する。

図１５（ｂ）は、共通電極層３１２５成膜後の図４に示した補助電極層３２００周辺の拡大図である。共通電極層３１２５は、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により成膜されることにより、電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａ（端部３１２４ａ２、ａ３間）に回り込んで形成される。その結果、図１５（ｂ）に示すように、共通電極層３１２５は、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上における電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａ（端部３１２４ａ２、ａ３間）において露出している補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃと直接接触するように形成される。

このとき、コンタクト面３２００ｃを構成する欠落部３１２４ａ（端部３１２４ａ２、ａ３間）の幅をｗ₁の貫通孔３１２２Ｙａの開口の幅ｗ₀に対する比率は、電子輸送層３１２４と共通電極層３１２５との抵抗率の比以上であることが必要である。
したがって、欠落部３１２４ａの幅をｗ₁は、次式を満たすことが必要となる。

さらに、電子輸送層３１２４を形成する工程における蒸着源６３０中心から基板への入射角をθとしたとき、開口の幅ｗ₀は、次式をを満たすことが必要となる。

本実施の形態では、蒸着源６３０中心から基板への入射角θは、７５度未満では、電子輸送層３１２４が断切れせず、共通電極層３１２５との電気的接続を確保しにくくなる。一方、８５度を超えると、電子輸送層３１２４の蒸着レートが低下し絶縁層３１２２Ｙ上面において電子輸送層３１２４の膜厚を確保することが難しいためである。
このとき、絶縁層３１２２Ｙの厚みｈは、１０００ｎｍ以上６０００ｎｍ以下、より好ましくは２０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の範囲で形成される。また、貫通孔３１２２Ｙａの底面における開口幅ｗ₀は、限定されないが２μｍ以上１０μｍ以下の範囲で形成される。

したがって、絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａの開口幅ｗ₀に対する絶縁層３１２２Ｙの厚みｈの比率は０．１以上０．８以下、より好ましくは０．１３以上０．３以下であることが好ましい。
このような形状により、補助電極層３２００の上に形成される電子輸送層３１２４は、貫通孔３１２２Ｙａ内の孔底部３２００ｂの一部において途切れて（断切れして）欠落部３１２４ａが形成される。詳細には、電子輸送層３１２４では、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃが露出するように、端部３１２４ａ１、ａ２間（あるいは端部３１２４ａ３、ａ４間）が離れて配置される。共通電極層３１２５は、この電子輸送層３１２４の端部３１２４ａ１、ａ２間（あるいは端部ａ３、ｅａ４間）の欠落部３１２４ａに回り込むように、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃに接触して形成される。

これにより、補助電極層３２００が、コンタクト面３２００ｃにおいて共通電極層３１２５と直接接触するため、補助電極層３２００と共通電極層３１２５との接続における電気抵抗を低減することができる。その結果、補助電極層３２００と共通電極層３１２５との接合部分での電圧効果が抑制して発光効率を向上させるとともに、画面中央部での輝度低下が抑えられ輝度ムラを低減することができる。

１．７ 表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、基板上３１００ｘに複数の画素電極層３１１９が行列状に配され、各画素電極層３１１９上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板３１００ｘ上の行方向に隣接する画素電極層３１１９の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極層３１１９とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層３２００と、少なくとも給電補助電極層３２００上に設けられた列方向に延伸する絶縁層３１２２Ｙと、発光層３１２３上および絶縁層３１２２Ｙ上に跨って設けられた機能層３１２４と、機能層３１２４上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層３１２５と、を備え、絶縁層３１２２Ｙには複数の貫通孔３１２２Ｙａが開設されており、機能層３１２４は、貫通孔３１２２Ｙａ内において給電補助電極層３２００上の貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２Ｙｃ近傍に位置する一部分３１２５ａが欠落しており、共通電極層３１２５は機能層３１２４の欠落３１２５ａにより露出している給電補助電極層３２００ｃと直接接触していることを特徴とする。

係る構成により、補助電極層３２００の上に形成される電子輸送層３１２４は、貫通孔３１２２Ｙａ内の孔底部３２００ｂの一部において途切れて（断切れして）欠落部３１２４ａが形成されるとともに、共通電極層３１２５は、この電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａに回り込むように、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃに接触して形成される。

そのため、補助電極層３２００が、コンタクト面３２００ｃにおいて共通電極層３１２５と直接接触するため、補助電極層３２００と共通電極層３１２５との接続における電気抵抗を低減することができる。その結果、補助電極層３２００と共通電極層３１２５との接合部分での電圧効果が抑制して発光効率を向上させるとともに、画面中央部での輝度低下が抑えられ輝度ムラを低減することができる。

すなわち、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネルを提供することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、貫通孔３１２２Ｙａの開口幅ｗ₀に対する絶縁層３１２２Ｙの厚みｈの比率は０．１以上０．８以下である構成であってもよい。

係る構成により、専用の工程を設けない簡易な製造プロセスにより絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａの底面に位置する補助電極層３２００上の孔底部３２００ｂ内において機能層３１２４を段切れさせて欠落部３１２５ａを形成し、欠落部３１２５ａから給電補助電極層３２００のコンタクト面３２００が露出する構造を実現することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、機能層３１２４は、絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂ、及び給電補助電極層３２００上において貫通孔３１２２Ｙａ内の一部分以外には存在しており、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２Ｙｃ上に位置する部分は欠落している構成であってもよい。

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法は、基板３１００ｘを準備する工程と、基板３１００ｘ上に複数の画素電極層３１１９を行列状に配する工程と、基板３１００ｘ上の行方向に隣接する画素電極層３１１９の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域を確保し、当該電極作成領域に隣接する画素電極層３１１９とは非接触の状態で給電補助電極層３２００を、気相成長法により形成する工程と、少なくとも給電補助電極層３２００上に列方向に延伸して絶縁層３１２２Ｙを形成する工程と、各画素電極層３１１９上に有機発光材料を含む発光層３１２３を形成する工程と、絶縁層３１２２Ｙには複数の貫通孔３１２２Ｙａを開設する工程と、真空蒸着法により、発光層３１２３上および絶縁層３１２２Ｙ上に跨る機能層３１２４を形成する工程と、スパッタリング法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、機能層３１２４上に連続して延伸する共通電極層３１２５を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

係る構成により、補助電極層３２００の上に形成される電子輸送層３１２４は、貫通孔３１２２Ｙａ内の孔底部３２００ｂの一部において途切れて（断切れして）欠落部３１２４ａが形成されるとともに、共通電極層３１２５は、欠落部３１２４ａに回り込むよう、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃに接触して形成される。これにより、簡易な製造プロセスを用いて、共通電極層と給電補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、絶縁層３１２２Ｙの厚みをｈ、機能層３１２４の抵抗率をＲ₁、共通電極３１２５の抵抗率をＲ₀、機能層３１２４を形成する工程において用いる蒸着源６３０から基板３１００ｘに対する平均入射角をθとしたとき、の貫通孔３１２２Ｙａの開口幅ｗは、

により規定される構成であってもよい。
上式で規定される形状により、補助電極層３２００の上に形成される電子輸送層３１２４は、貫通孔３１２２Ｙａ内の孔底部３２００ｂの一部において途切れて（断切れして）欠落部３１２４ａが形成されるとともに、共通電極層３１２５は、この電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａに回り込むように、補助電極層３２００のコンタクト面３２００ｃに接触して形成される。

１．８ 変形例
（１）変形例１
表示パネル１０では、電子輸送層３１２４には、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上において、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分が欠落して、電子輸送層３１２４が形成されない欠落部３１２４ａが形成され、共通電極層３１２５は、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上における電子輸送層３１２４の欠落部３１２４ａにおいて露出しているコンタクト面３２００ｃと、直接接触するように形成される構成としている。

しかしながら、電子輸送層３１２４は上記に限られず適宜変更してもよい。
変形例２に係る有機ＥＬ表示パネルでは、電子輸送層３１２４には、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上において、貫通孔３１２２Ｙａの内壁３１２２ｃ近傍に位置する一部分が欠落するには至らないものの、電子輸送層３１２４の一部分が１ｎｍ以下の膜厚に薄層化された薄層化部（不図示）が形成される構成としてもよい。

係る構成により、電子輸送層３１２４の一部分が欠落するには至らないものの、共通電極層３１２５は、列絶縁層３１２２Ｙの貫通孔３１２２Ｙａ内の補助電極層３２００上における電子輸送層３１２４の薄層化部において、薄層化部以外の部分よりも低い電気抵抗にて補助電極層３２００に電気的に接続される構造を実現することができる。その結果、共通電極層３１２５と補助電極層３２００との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制することができる。

（２）変形例２
実施の形態１に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。 表示パネル１０では、図４に示すように、行絶縁層３１２２Ｘは、各列絶縁層３１２２Ｙと格子状に交わるようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂと同じ高さの位置に上面３１２２Ｘｂを有する。さらに、列絶縁層３１２２Ｙの上面３１２２Ｙｂに列バンク３５２２Ｙが列絶縁層３１２２Ｙと重なった状態で複数列並設されており、列バンク３５２２Ｙにより行方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している構成としている。

しかしながら、行絶縁層３１２２Ｘ、列絶縁層３１２２Ｙの形状は上記に限られず適宜変更してもよい。
図１６は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの単位画素３１００ｅに相当する絶縁層３１２２Ａの部分を斜め上方から視した斜視図である。図１６に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０Ａでは、行方向に隣接する２つの画素電極層３１１９の行方向外縁及び外縁間、および、行方向に隣接する画素電極層３１１９の行方向外縁及び補助電極層３２００外縁、及びそれらの間に位置する基板３１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図１６のＹ方向）に延伸する列バンク３５２２ＹＡが複数列並設されている。また、列方向に隣接する２つの画素電極層３１１９の列方向外縁及び外縁間に位置する基板３１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図１６のＸ方向）に延伸する行絶縁層３１２２ＸＡが複数行並設されている構成としている。さらに、行絶縁層３１２２ＸＡの上面３１２２ＸＡｂは、列絶縁層３１２２ＹＡにおける補助電極層３２００上方に隆起した電極上方部３１２２ＹＡｄの上面３１２２ＹＡｅと同じ高さにあり、列絶縁層３１２２ＹＡの上面３１２２ＹＡｂよりも高い位置に存在する。

係る構成においても、列絶縁層３１２２ＹＡは、発光層３１２３の材料となる有機化合物を含んだインクに対する撥液性が所定の値以上であるために、行方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定することができる。また、行絶縁層３１２２ＸＡは、インクに対する親液性が所定の値以上であるために、インクの列方向への流動を制御することができ、副画素間のインク塗布量の変動を抑制し輝度ムラを低減することができる。

さらに、行絶縁層３１２２ＸＡ及び列絶縁層３１２２ＹＡでは、フォトマスクを利用した露光、現像を１回ずつ行うことによりパターニングすることができ、複数回の精密マスクの高精度の位置合わせに伴う生産性低下を回避して製造コストを低減できる。
１．９ その他の変形例
実施の形態１に係る表示パネル１０では、列絶縁層３１２２Ｙに設けられた貫通孔３１２２Ｙａは、図１７（ａ）に示すように、略円形の形状の孔が所定の間隔で列方向に二列に配されている。しかしながら、貫通孔３１２２Ｙａは、図１７（ｂ）に示すように一列に配されていてもよく、図１７（ｃ）、（ｄ）に示すようにスリット状であってもよい。

表示パネル１０では、発光層３１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層３１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク３５２２Ｙ間の間隙３５２２ｚに配された副画素３１００ｓｅの発光層３１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行絶縁層３１２２Ｘ間の間隙に配された副画素３１００ｓｅの発光層３１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素３１００ｓｅの発光層３１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素３１００ｓｅの発光層３１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素３１００ｓｅの発光層３１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

実施の形態に係る表示パネル１０では、画素３１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素３１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記実施の形態では、画素電極層３１１９と共通電極層３１２５の間に、ホール注入層３１２０、ホール輸送層３１２１、発光層３１２３及び電子輸送層３１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層３１２０、ホール輸送層３１２１及び電子輸送層３１２４を用いずに、画素電極層３１１９と共通電極層３１２５との間に発光層３１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層３１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層３１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極層３１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素３１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
３１００ 有機ＥＬ素子
３１００ｅ 単位画素
３１００ｓｅ 副画素
３１００ａ 自己発光領域
３１００ｂ 非自己発光領域
３１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
３１１８ 層間絶縁層
３１１９ 画素電極層
３１２０ ホール注入層
３１２０Ａ 下部層
３１２０Ｂ 上部層
３１２１ ホール輸送層
３１２２ 絶縁層
３１２２Ｘ 行絶縁層
３１２２Ｘｂ 上面
３１２２Ｙ 列絶縁層
３１２２Ｙａ 貫通孔
３１２２Ｙｂ 上面
３１２２Ｙｃ 内壁
３１２２Ｙｄ 電極上方部
３１２２Ｙｅ 上面
３５２２Ｙ 列バンク
３１２３ 発光層
３１２４ 電子輸送層
３１２４ａ 欠落部
３１２４ｂ 堆積部
３１２５ 共通電極層
３１２６ 封止層
３１２７ 接合層
３１２８ カラーフィルタ層
３１３０ 上部基板
３１３１ ＣＦ基板
３２００ 補助電極層
３２００ｂ 孔底部
３２００ｃ コンタクト面

Claims (7)

1. 基板上に複数の画素電極層が行列状に配され、各画素電極層上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
   前記基板上の行方向に隣接する画素電極層の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極層とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、
   少なくとも前記給電補助電極層上に設けられた列方向に延伸する絶縁層と、
   前記発光層上および前記絶縁層上に跨って設けられた機能層と、
   前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備え、
   前記絶縁層には複数の貫通孔が開設されており、
   前記機能層は、前記貫通孔内において前記給電補助電極層上の前記貫通孔の内壁近傍に位置する一部分が欠落しているか又は薄層化しており、
   前記共通電極層は前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触しており、前記機能層が薄層化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続されている
   有機ＥＬ表示パネル。
2. 前記貫通孔の開口幅に対する前記絶縁層の厚みの比率は０．１以上０．８以下である
   請求項１または２記載の有機ＥＬ表示パネル。
3. 前記機能層は、前記絶縁層の上面、及び前記給電補助電極層上において前記貫通孔内の前記一部分以外には存在しており、前記貫通孔の内壁上に位置する部分は欠落しているか又は薄層化している
   請求項１記載の有機ＥＬ表示パネル。
4. 有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
   基板を準備する工程と、
   前記基板上に複数の画素電極層を行列状に配する工程と、
   前記基板上の行方向に隣接する画素電極層の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列方向に延伸する電極作成領域を確保し、当該電極作成領域に隣接する画素電極層とは非接触の状態で給電補助電極層を、気相成長法により形成する工程と、
   少なくとも前記給電補助電極層上に列方向に延伸して絶縁層を形成する工程と、
   各前記画素電極層上に有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、
   前記絶縁層には複数の貫通孔を開設する工程と、
   真空蒸着法により、前記発光層上および前記絶縁層上に跨る機能層を形成する工程と、
   スパッタリング法またはＣＶＤ法により、前記機能層上に連続して延伸する共通電極層を形成する工程と、
   を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
5. 前記機能層を形成する工程では、前記貫通孔内において前記給電補助電極層上の前記貫通孔の内壁近傍に位置する部分が欠落するか又は薄層化するように前記機能層が形成され、
   前記共通電極層を形成する工程では、前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と前記共通電極層とが直接接触するように、前記機能層が薄層化している部分ではそれ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗で前記共通電極層が前記給電補助電極層に電気的に接続されるように前記共通電極層が形成される
   請求項４記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
6. 前記貫通孔の開口幅に対する前記絶縁層の厚みの比率は０．１以上０．８以下である
   請求項５記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
7. 前記絶縁層の厚みをｈ、前記機能層の抵抗率をＲ₁、前記共通電極の抵抗率をＲ₀、前記機能層を形成する工程において用いる蒸着源から前記基板に対する平均入射角をθとしたとき、前記の貫通孔の開口幅ｗは、
   

   

   により規定される
   請求項４記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

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