WO2022018785A1 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

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WO2022018785A1
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惇 佐久間
康 浅岡
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a light emitting device using lithography, which has at least a first light emitting layer and a second light emitting layer, and lifts off each light emitting layer using a resist layer.
  • a main object of the present disclosure is to provide a highly reliable light emitting device capable of suppressing damage due to lithography in a light emitting layer or the like, for example.
  • the light emitting device of one embodiment of the present invention includes a first light emitting region having a light emitting peak wavelength of the first wavelength, and a second light emitting region having a light emitting peak wavelength of a second wavelength shorter than the first wavelength.
  • a cathode arranged in the first light emitting region and the second light emitting region, an anode arranged so as to face the cathode in the first light emitting region and the second light emitting region, and the cathode and the above. It is arranged between the anode and the second light emitting layer whose emission peak wavelength is the second wavelength, and is arranged between the anode and the second light emitting layer at least in the first light emitting region.
  • the ionization energy is the first light emission. It comprises a first electron transport layer that is larger than both the ionization energy of the layer and the ionization energy of the second light emitting layer.
  • the light emitting device of another embodiment of the present invention has a first light emitting region having a light emitting peak wavelength of the first wavelength and a second light emitting region having a light emitting peak wavelength shorter than the first wavelength.
  • a region including a cathode arranged in the first light emitting region and the second light emitting region, an anode arranged so as to face the cathode in the first light emitting region and the second light emitting region, and the said.
  • a second light emitting layer arranged between the cathode and the anode in the first light emitting region and the second light emitting region and having a light emitting peak wavelength of the second wavelength, and the cathode in at least the first light emitting region.
  • a step of forming a resist layer on a base material, a step of removing a part of the resist layer, and a step of removing a part of the resist layer of the base material are used.
  • a step of forming a second light emitting layer on the portion is provided.
  • FIG. It is a figure which shows typically an example of the laminated structure of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light
  • FIG. 1 It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a schematic sectional drawing which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 1 It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 1 It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 1 It is a schematic cross-sectional view which shows the process in the example of the manufacturing method of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 1 It is an energy level diagram of an example of each layer in the 1st light emitting region of the light emitting device of Example 1.
  • FIG. 2 It is an energy level diagram of an example of each layer in the 2nd light emitting region of the light emitting device of Example 1.
  • FIG. 3 is an energy level diagram of an example of each layer in the first light emitting region of the light emitting device of the second embodiment. It is an energy level diagram of an example of each layer in the 2nd light emitting region of the light emitting device of Example 2.
  • FIG. 1 It is an energy level diagram of an example of each layer in the 1st light emitting region of the light emitting device of Example 1.
  • FIG. 3 is an energy level diagram of an example of each layer in the 2nd light emitting region of the light emitting device of Example 1.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of a light emitting device 100 according to the present embodiment.
  • the light emitting device 100 is a device that emits light.
  • the light emitting device 100 may be, for example, a lighting device (for example, a backlight or the like) that emits light such as white light, or displays an image (for example, including character information or the like) by emitting light. It may be a display device.
  • a display device can be configured by arranging a plurality of pixels in a matrix.
  • the light emitting device 100 includes, for example, a first light emitting region 101R, a second light emitting region 101G, and a third light emitting region 101B.
  • the first light emitting region 101R is, for example, a red light emitting region in which the emission peak wavelength is the first wavelength (for example, about 630 nm).
  • the second light emitting region 101G is, for example, a green light emitting region in which the emission peak wavelength is a second wavelength (for example, about 530 nm) shorter than the first wavelength.
  • the third light emitting region 101B is a blue light emitting region in which the emission peak wavelength is a third wavelength (for example, about 440 nm) shorter than the second wavelength.
  • the emission peak wavelength represents, for example, an emission peak in each emission layer. In the present embodiment, the case where each light emitting region 101R, 101G, and 101B emits light at the above emission peak wavelength will be described, but the present invention is not particularly limited.
  • the first light emitting region 101R is, for example, a region in which the light emitting device 100 emits light with a light emitting peak wavelength of the first wavelength (for example, red).
  • the first light emitting region 101R corresponds to, for example, a light emitting element (for example, a red light emitting element) whose light emitting peak wavelength in the light emitting device 100 emits light at the first wavelength.
  • the substrate 1, the first electrode 2R, the first charge transport layer 3, the first light emitting layer 4R, the second charge transport layer 5, the second light emitting layer 4G, the third charge transport layer 6, and the first The 3 light emitting layer 4B, the 4th charge transport layer 7, and the 2nd electrode 8 are laminated in this order. That is, in the first light emitting region 101R, each layer is arranged between the first electrode 2 and the second electrode 8 arranged so as to face the first electrode 2.
  • the substrate 1 is made of, for example, glass or the like, and functions as a support for supporting each of the above layers.
  • the substrate 1 may be, for example, an array substrate on which a thin film transistor (TFT) or the like is formed.
  • TFT thin film transistor
  • the first electrode 2R injects a first charge into, for example, the first light emitting layer 4R.
  • the second electrode 8 injects a second charge into the first light emitting layer 4R, for example.
  • the second charge has the opposite polarity to the first charge.
  • the first electrode 2R and the second electrode 8 are made of a conductive material such as a metal or a transparent conductive oxide.
  • the metal include Al, Cu, Au, Ag and the like.
  • the transparent conductive oxide include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (ZnO: Al (AZO)), and boron zinc oxide. (ZnO: B (BZO)) and the like.
  • the first electrode 2R and the second electrode 8 may be, for example, a laminate including at least one metal layer and / or at least one transparent conductive oxide layer.
  • the first light emitting layer 4R is arranged between the first electrode 2R and the second electrode 8.
  • the first light emitting layer 4R has a light emission peak wavelength of the first wavelength, and emits light at, for example, about 630 nm.
  • the first light emitting layer 4R includes, for example, a first light emitting material whose emission peak wavelength is the first wavelength and emits light at, for example, about 630 nm.
  • the first light emitting material emits light by, for example, recombination of the first charge injected from the first electrode 2R and the second charge injected from the second electrode 8. That is, it can be said that the first light emitting layer 4R emits light by recombination of, for example, the first charge injected from the first electrode 2R and the second charge injected from the second electrode 8.
  • the first charge is injected from the first electrode 2R into the first light emitting layer 4R via the first charge transport layer 3.
  • the second electrode 8 to the fourth charge transport layer 7, the third light emitting layer 4B, the third charge transport layer 6, the second light emitting layer 4G, and the second charge transport layer.
  • a second charge is injected into the first light emitting layer 4R via 5.
  • the first light emitting layer 4R emits light.
  • Examples of the first light emitting material include quantum dots.
  • Quantum dots are, for example, semiconductor fine particles having a particle size of 100 nm or less, and are MgS, MgSe, MgTe, MgZnS, MgZnSe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, etc.
  • the II-VI group semiconductor compounds such as ZnTe, ZnSSe, ZnTeS, ZnTeSe, CdS, CdSe, CdSSe, CdTe, CdSeTe, CdZnSe, CdZnTe, HgS, HgSe, HgTe, and / or GaAs, GaP, InN, In It can have a crystal of a group III-V semiconductor compound such as InSb and / or a crystal of a group IV semiconductor compound such as Si and Ge.
  • the quantum dots may have, for example, a core / shell structure in which the above semiconductor crystal is used as a core and the core is overcoated with a shell material having a high bandgap.
  • the first charge transport layer 3 is arranged between the first electrode 2R and the first light emitting layer 4R.
  • the first charge transport layer 3 transports the first charge injected from the first electrode 2R to the first light emitting layer 4R.
  • the second light emitting layer 4G is arranged between the first light emitting layer 4R and the second electrode 8.
  • the second light emitting layer 4G has a emission peak wavelength of the second wavelength, and emits light at, for example, about 530 nm.
  • the second light emitting layer 4G includes, for example, a second light emitting material whose emission peak wavelength is the second wavelength and emits light at, for example, about 530 nm.
  • the second light emitting material emits light, for example, by recombination of the injected first charge and the injected second charge. That is, it can be said that the second light emitting layer 4G emits light by, for example, recombination of the injected first charge and the injected second charge.
  • Examples of the second light emitting material include quantum dots similar to those of the first light emitting material.
  • the second charge transport layer 5 is arranged between the first light emitting layer 4R and the second light emitting layer 4G.
  • the second charge transport layer 5 transports the second charge injected from the second electrode 8 to the first light emitting layer 4R. Further, the second charge transport layer 5 blocks, for example, the first charge injected from the first electrode 2R from being transported to the second light emitting layer 4G.
  • the third light emitting layer 4B is arranged between the second light emitting layer 4G and the second electrode 8.
  • the third light emitting layer 4B has a emission peak wavelength of the third wavelength, and emits light at, for example, about 440 nm.
  • the third light emitting layer 4B contains, for example, a third light emitting material whose emission peak wavelength is a third wavelength and emits light at, for example, about 440 nm.
  • the third light emitting material emits light, for example, by recombination of the injected first charge and the injected second charge. That is, it can be said that the second light emitting layer 4G emits light by, for example, recombination of the injected first charge and the injected second charge.
  • Examples of the third light emitting material include quantum dots similar to those of the first light emitting material.
  • the third charge transport layer 6 is arranged between the second light emitting layer 4G and the third light emitting layer 4B.
  • the third charge transport layer 6 transports the second charge injected from the second electrode 8 to the first light emitting layer 4R. Further, the third charge transport layer 6 blocks, for example, the first charge injected from the first electrode 2R from being transported to the third light emitting layer 4B. Thereby, in the first light emitting region 101R, even if the first charge moves to the second charge transport layer 5, it is possible to suppress the light emission of the third light emitting layer 4B. This makes it possible to suppress color mixing in the first light emitting region 101R.
  • the fourth charge transport layer 7 is arranged between the third light emitting layer 4B and the second electrode 8.
  • the fourth charge transport layer 7 transports the second charge injected from the second electrode 8 to the first light emitting layer 4R.
  • the first light emitting layer 4R emits light
  • the second light emitting layer 4G and the third light emitting layer 4B emit almost no light, so that the light emitting peak wavelength emits light at the first wavelength.
  • the second light emitting region 101G is, for example, a region in which the light emitting device 100 emits light at a second emission peak wavelength (for example, green).
  • the second light emitting region 101G corresponds to, for example, a light emitting element (for example, a green light emitting element) whose light emitting peak wavelength in the light emitting device 100 emits light at the second wavelength.
  • the second electrode 8 has a structure in which the second electrodes 8 are laminated in this order. That is, in the second light emitting region 101G, each layer is arranged between the first electrode 2 and the second electrode 8 arranged so as to face the first electrode 2.
  • the first electrode 2G is the same as the first electrode 2R.
  • the second light emitting region 101G has a configuration in which the first electrode 2R is the first electrode 2G and the first light emitting layer 4R and the second charge transport layer 5 are not provided in the configuration of the first light emitting region 101R. ing.
  • the first charge is injected from the first electrode 2G into the second light emitting layer 4G via the first charge transport layer 3.
  • the second light emitting layer 4G is connected to the second light emitting layer 4G from the second electrode 8 via the fourth charge transport layer 7, the second light emitting layer 4G, and the third charge transport layer 6. Two charges are injected. As a result, the second light emitting layer 4G emits light.
  • the third charge transport layer 6 blocks, for example, the first charge injected from the first electrode 2G from being transported to the third light emitting layer 4B. Thereby, it is possible to suppress the light emission of the third light emitting layer 4B in the second light emitting region 101G. This makes it possible to suppress color mixing in the second light emitting region 101G.
  • the third light emitting region 101B is, for example, a region in which the light emitting device 100 emits light at a light emission peak wavelength of the third wavelength (for example, blue).
  • the third light emitting region 101B corresponds to, for example, a light emitting element (for example, a blue light emitting element) whose light emitting peak wavelength in the light emitting device 100 emits light at the third wavelength.
  • the substrate 1, the first electrode 2R, the first charge transport layer 3, the third light emitting layer 4B, the fourth charge transport layer 7, and the second electrode 8 are laminated in this order. It has become. That is, in the third light emitting region 101B, each layer is arranged between the first electrode 2 and the second electrode 8 arranged so as to face the first electrode 2.
  • the first electrode 2B is the same as the first electrode 2R.
  • the third light emitting region 101B has a configuration in which the first electrode 2G is the first electrode 2B and the second light emitting layer 4G and the third charge transport layer 6 are not provided in the configuration of the second light emitting region 101G. ing.
  • a bank 9 for isolating each light emitting region 101R / 101G / 101B is provided.
  • the first electrodes 2R, 2G, and 2B are arranged on the substrate 1 at intervals from each other.
  • the first charge transport layer 3, the second charge transport layer 5, the third charge transport layer 6, and the fourth charge transport layer 7 can be hole transport layers or electron transport layers, respectively.
  • the material forming the hole transport layer includes, for example, any one or more of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, and Sr. Materials containing one or more selected from the group consisting of oxides, nitrides, or carbides, 4,4', 4'-tris (9-carbazoyl) triphenylamine (TCTA), 4,4'-bis.
  • NPB [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (NPB), zinc phthalocyanine (ZnPC), triphenyldiamine (TPD), 1,3-bis (N-carbazolyl) benzene (mCP), di [4- (N, N-ditrilamino) phenyl] Cyclohexane (TAPC), 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP), 2,3,6,7,10,11-hexacyano 1,4,5,8,9,12 hexaazatriphenylene (HATCN), and materials such as MoO 3, poly (N- vinylcarbazole) (PVK), poly (2,7- (9,9-di- -N-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-second butylphenyl) imino) -1,4-phenylene (TFB),
  • Materials forming the electron transport layer include, for example, zinc oxide (for example, ZnO), titanium oxide (for example, TiO 2 ), strontium oxide titanium (for example, SrTiO 3 ), lithium zirconium oxide (LZO), In 2 O 3 , and CdS. , LZO, SiTe, SiSe, SiS, ZrO 2 , 2,2', 2''-(1,3,5-benzenetriyl) Tris (1-phenyl-1H-benzimidazole) (TPBi), and phenyl- Electron-transporting materials such as fullerene derivatives such as C 61 -butyric acid methyl ester (PCBM) and benzimidazole C 60 (ICBA) are used. Only one kind of these electron transporting materials may be used, or two or more kinds may be mixed and used as appropriate.
  • ZnO zinc oxide
  • titanium oxide for example, TiO 2
  • strontium oxide titanium for example, SrTiO 3
  • the materials forming these hole transport layers and electron transport layers are appropriately selected according to the configuration and characteristics of the light emitting device 100.
  • the light emitting device 100 in the present embodiment emits light in the colors of the light emitting regions 101R, 101G, and 101B.
  • the first electrode layer 20 is formed on the substrate 1 (S1).
  • the first electrode layer 20 can be formed by, for example, a sputtering method, a coating method, or the like.
  • the first electrode layer 20 is patterned into the first electrodes 2R, 2G, and 2B by etching or the like (S2).
  • the first electrodes 2R, 2G, and 2B are arranged on the substrate 1 at intervals from each other.
  • the first charge transport layer 3 is formed on the substrate 1, more specifically, on the first electrodes 2R, 2G, and 2B formed on the substrate 1 (S3).
  • the first charge transport layer 3 can be formed by, for example, a coating method, a sputtering method, or the like.
  • a base material in which the first electrodes 2R, 2G, 2B and the first charge transport layer 3 are arranged on the substrate 1 can be manufactured.
  • a resist layer 90 is formed on the first charge transport layer 3 in the base material (S5).
  • the resist layer 90 can be formed, for example, by applying a positive photoresist.
  • the resist layer 90 is exposed via the photomask 110 (S6). More specifically, in the exposure step of S6, at least a part of the portion of the resist layer 90 located on the first electrode 2R, that is, at least one of the regions corresponding to the first electrode 2R in the resist layer 90 in a plan view. The part is exposed.
  • the removing portion 91 is formed on the resist layer 90.
  • the base material specifically, the first charge transport layer 3 is exposed.
  • the first light emitting layer 40 and the second charge transport layer 50 are formed (S11). More specifically, the first light emitting layer 40R is formed on the resist layer 90 from which a part is partially removed in S10.
  • the first light emitting layer 40R can be formed, for example, by a coating method using a coating liquid containing quantum dots.
  • the coating liquid may contain an electron transporting material, a hole transporting layer material, a resist material, a silane coupling agent, a thermosetting resin and the like.
  • a second charge transport layer 50 is further formed on the first light emitting layer 40R.
  • the second charge transport layer 50 can be formed, for example, in the same manner as the first charge transport layer 3.
  • the first light emitting layer 40R and the second charge transport layer 50 are formed on the first charge transport layer 3.
  • the first light emitting layer 40R and the second charge transport layer 50 formed on the removing portion 91 finally remain, and become the first light emitting layer 4R and the second charge transport layer 5 in the first light emitting region 101R, respectively.
  • the resist layer 90 is exposed via the photomask 120 (S12). More specifically, in the exposure step of S12, at least a part of the portion of the resist layer 90 located on the first electrode 2G, that is, at least one of the regions corresponding to the first electrode 2G in the resist layer 90 in a plan view. The part is exposed.
  • the exposed portion that is, the portion of the resist layer 90 located on the first electrode 2G is removed (S13).
  • the portion corresponding to the exposed portion in the first light emitting layer 40R and the second charge transport layer 50 is removed by lift-off.
  • the removing portion 92 is formed on the resist layer 90.
  • the base material specifically, the first charge transport layer 3 is exposed.
  • a portion of the resist layer 90 located between the first electrode 2R and the first electrode 2G in a plan view remains.
  • the residual portion of the resist layer 90 is located above the end portion of the first electrode 2R on the first electrode 2G side and the end portion of the first electrode 2G on the first electrode 2R side in a plan view. The part remains.
  • the second light emitting layer 40G and the third charge transport layer 60 are formed on the second charge transport layer 50 (S14). More specifically, the second light emitting layer 40G is formed on the resist layer 90 from which the removing portion 91 and the removing portion 92 have been removed in S13.
  • the second light emitting layer 40G can be formed, for example, in the same manner as when forming the first light emitting layer 40R.
  • a third charge transport layer 60 is further formed on the second light emitting layer 40G.
  • the third charge transport layer 60 can be formed, for example, in the same manner as the first charge transport layer 3.
  • the second light emitting layer 40G and the third charge transport layer 60 are formed on the second charge transport layer 50.
  • the second light emitting layer 40G and the third charge transport layer 60 formed in the removal portion 91 finally remain, and become the second light emitting layer 4G and the third charge transport layer 6 in the first light emitting region 101R, respectively.
  • the second light emitting layer 40G and the third charge transport layer 60 are formed on the first charge transport layer 3.
  • the second light emitting layer 40G and the third charge transport layer 60 formed on the removing portion 92 finally remain, and become the second light emitting layer 4G and the third charge transport layer 6 in the second light emitting region 101G, respectively.
  • the resist layer 90 is exposed via the photomask 130 (S15). More specifically, in the exposure step of S15, at least a part of the portion of the resist layer 90 located on the first electrode 2B, that is, at least one of the regions corresponding to the first electrode 2B in the resist layer 90 in a plan view. The part is exposed.
  • the portion of the resist layer 90 located on the first electrode 2B is removed (S16).
  • the portion corresponding to the exposed portion in the first light emitting layer 40R, the second charge transport layer 50, the second light emitting layer 20G, and the third charge transport layer 60 is removed by lift-off.
  • the removing portion 93 is formed on the resist layer 90.
  • the base material, specifically, the first charge transport layer 3 is exposed. Further, a portion of the resist layer 90 located between the first electrode 2G and the first electrode 2B in a plan view remains.
  • the residual portion of the resist layer 90 is located above the end portion of the first electrode 2G on the first electrode 2B side and the end portion of the first electrode 2B on the first electrode 2G side in a plan view. The part remains. Further, since the second light emitting layer 4G and the third charge transport layer 6 are formed on the first light emitting layer 4R and the second charge transport layer 5 in the first light emitting region 101R, the first light emitting layer is formed in the above development. The layer 4R and the second charge transport layer 5 can suppress damage caused by the developer.
  • the first electrode 2B and the first electrode 2R are arranged so as to be adjacent to each other, and the resist layer 90 is arranged.
  • a portion located between the first electrode 2B and the first electrode 2R in a plan view can also remain.
  • the residual portion of the resist layer 90 is a portion located above the end portion of the first electrode 2B on the first electrode 2R side and the end portion of the first electrode 2R on the first electrode 2B side in a plan view. Remains.
  • a third light emitting layer 40B and a fourth charge transport layer 70 are formed on the third charge transport layer 60 (S17). More specifically, the third light emitting layer 40B is formed on the resist layer 90 from which the removal unit 91, the removal unit 92 and the removal unit 93 have been removed in S16.
  • the third light emitting layer 40B can be formed, for example, in the same manner as when forming the first light emitting layer 40R.
  • a fourth charge transport layer 70 is further formed on the third light emitting layer 40B.
  • the fourth charge transport layer 70 can be formed, for example, in the same manner as the first charge transport layer 3.
  • the third light emitting layer 40B and the fourth charge transport layer 70 are formed on the third charge transport layer 60.
  • the third light emitting layer 40B and the fourth charge transport layer 70 formed in the removing portion 91 finally remain, and become the third light emitting layer 4B and the fourth charge transport layer 7 in the first light emitting region 101R, respectively.
  • the third light emitting layer 40B and the fourth charge transport layer 70 are formed on the third charge transport layer 60.
  • the third light emitting layer 40B and the fourth charge transport layer 70 formed on the removing portion 92 finally remain, and become the third light emitting layer 4B and the fourth charge transport layer 7 in the second light emitting region 101G, respectively.
  • the third light emitting layer 40B and the fourth charge transport layer 70 are formed on the first charge transport layer 3.
  • the third light emitting layer 40B and the fourth charge transport layer 70 formed in the removal portion 93 finally remain, and become the third light emitting layer 4B and the fourth charge transport layer 7 in the third light emitting region 101B, respectively.
  • the second electrode 8 is formed on the fourth charge transport layer 70 (S17).
  • the second electrode 8 can be formed in the same manner as the first electrode layer 20.
  • post-baking is performed after forming the removing portion 93 on the resist layer 90, that is, by post-baking the residual portion of the resist layer 90, the residual portion of the remaining resist layer 90 is cured and left as a permanent film. Can be done.
  • the residual portion of the resist layer 90 after post-baking can be bank 9.
  • the light emitting device 100 of the present embodiment can be manufactured.
  • the resist is exposed by halftone exposure to at least one region between the first electrode 2R, the first electrode 2G, and the first electrode 2B in the resist layer 90.
  • One or more of the layer 6, the third light emitting layer 40B, and the fourth charge transport layer 7 can be lifted off.
  • the photomask 120 in S6 and the photomask 130 in S12 are halftone in at least one region between the first electrode 2R, the first electrode 2G, and the first electrode 2B in the resist layer 90.
  • the light emitting layers 4R, 3G, and 3B are formed from those having a long wavelength.
  • Example 1 a more specific configuration of the light emitting device 100 will be described as Example 1 and Example 2.
  • the first electrodes 2R, 2G, and 2B are anodes
  • the first charge transport layer 3 is a hole transport layer
  • the second charge transport layer 5 is a first electron transport layer
  • the third charge transport is a second electron transport layer
  • the fourth charge transport layer 7 is a third electron transport layer
  • the second electrode 8 is a cathode.
  • Other configurations are as described above.
  • the ionization energy of the second charge transport layer (first electron transport layer) 5 is set to be larger than that of the first light emitting layer 4R, for example, as shown in FIG. It is preferable to be done. Further, it is preferable that the ionization energy of the second charge transport layer 5 is set to be smaller than the ionization energy of the second light emitting layer 4G. That is, it is preferable that the ionization energy of the second charge transport layer 5 is set to be larger than both the ionization energy of the first light emitting layer 4R and the ionization energy of the second light emitting layer 4G.
  • the holes injected from the first electrode (anode) 2R via the first charge transport layer (hole transport layer) 3 can be confined in the first light emitting layer 4R, and in the first light emitting region 101R. Luminous efficiency can be improved. That is, in the first embodiment, the second charge transport layer (first electron transport layer) 5 can be said to be a hole block layer. Further, in the first light emitting region 101R, since the second charge transport layer (first electron transport layer) 5 blocks holes, it becomes difficult for holes to be injected into the second light emitting layer 4G.
  • the second light emitting layer 4G cannot emit light, only the first light emitting layer 4R emits light in the first light emitting region 101R, and the second light emitting layer 4G and the third light emitting layer 4B are present. Nevertheless, color mixing can be suppressed.
  • the second charge transport layer (first electron transport layer) 5 has an electron affinity equal to or higher than that of the first light emitting layer 4R, as shown in FIG. 16, for example.
  • the electrons injected from the second electrode (cathode) 8 can be easily transported to the first light emitting layer 4R, and the luminous efficiency in the first light emitting region 101R can be improved. can.
  • the specific combination of the first light emitting layer 4R and the second charge transport layer (first electron transport layer) 5 in this embodiment is as follows.
  • the material of the first light emitting layer 4R is CdSe or CdZnSe (electron affinity: about 4.3 eV, ionization energy: about 6.2 eV) which are quantum dots that emit red light
  • the material of the second charge transport layer 5 is Selected from In 2 O 3 (electron affinity: 4.3eV, ionization energy: 8.2eV), CdS (electron affinity: 4.45eV, ionization energy: 6.85eV), LZO (electron affinity: 4.4eV, ionization energy: 7.6eV) It is preferable that the energy is at least one.
  • the material of the first light emitting layer 4R is CdSe or CdZnSe (electron affinity: about 3.9 eV, ionization energy: about 6.2 eV), which are quantum dots that emit green light
  • the material of the second charge transport layer 5 is used.
  • In 2 O 3 (electron affinity: 4.3eV, ionization energy: 8.2eV), CdS (electron affinity: 4.45eV, ionization energy: 6.85eV), LZO (electron affinity: 4.4eV, ionization energy: 7.6eV), SiS (Electronic Affinity: 3.98eV, Ionization Energy: 6.98V), ZnO (Electronic Affinity: 4.0eV, Ionization Energy: 7.5eV), PCBM (Electronic Affinity: 4.0eV, Ionization Energy: 6.5eV), TiO 2 (Electronic Affinity) : 4.2eV, ionization energy: 7.4eV) is preferably at least one selected.
  • the material of the first light emitting layer 4R is InP (electron affinity: about 3.6 eV, ionization energy: about 5.5 eV) which is a quantum dot that emits red light
  • the material of the second charge transport layer 5 is In 2 O 3 (electron affinity: 4.3eV, ionization energy: 8.2eV), CdS (electron affinity: 4.45eV, ionization energy: 6.85eV), LZO (electron affinity: 4.4eV, ionization energy: 7.6eV), SiS ( Electron affinity: 3.98eV, ionization energy: 6.98V), ZnO (electron affinity: 4.0eV, ionization energy: 7.5eV), PCBM (electron affinity: 4.0eV, ionization energy: 6.5eV), TiO 2 (electron affinity: 4.2) eV, ionization energy: 7.4eV), SiTe (electron affinity: 3.66e
  • the material of the first light emitting layer 4R is InP (electron affinity: about 3.6 eV, ionization energy: about 5.5 eV) which is a quantum dot that emits green light
  • the material of the second charge transport layer 5 is.
  • the ionization energy of the third charge transport layer (second electron transport layer) 6 is set to be larger than that of the second light emitting layer 4G, for example, as shown in FIG. Is preferable.
  • the holes injected from the first electrode (anode) 2G via the first charge transport layer (hole transport layer) 3 can be confined in the second light emitting layer 4G.
  • the luminous efficiency in the second light emitting region 101G can be improved. That is, in this embodiment, the third charge transport layer (second electron transport layer) 6 can be said to be a hole block layer.
  • the third charge transport layer (second electron transport layer) 6 since holes are blocked in the third light emitting layer 4B by the third charge transport layer (second electron transport layer) 6, the light emission of the third light emitting layer 4B is suppressed in the second light emitting region 101G. , Color mixing can be suppressed.
  • the third charge transport layer (second electron transport layer) 6 has an electron affinity equal to or higher than that of the third light emitting layer 4B.
  • the electrons injected from the second electrode (cathode) 8 can be easily transported to the second light emitting layer 4G, and the luminous efficiency in the second light emitting region 101G can be improved. can.
  • the first electrode 2R / 2G / 2B is the cathode
  • the first charge transport layer 3 is the electron transport layer
  • the second charge transport layer 5 is the first hole transport layer
  • the third charge transport layer. 6 is a second hole transport layer
  • the fourth charge transport layer 7 is a third hole transport layer
  • the second electrode 8 is an anode.
  • Other configurations are as described above.
  • the electron affinity of the second charge transport layer (first hole transport layer) 5 is set to be smaller than the electron affinity of the second light emitting layer 4G, for example, as shown in FIG. Is preferable. Further, it is preferable that the electron affinity of the second charge transport layer 5 is set to be smaller than the electron affinity of the first light emitting layer 4R. That is, it is preferable that the electron affinity of the second charge transport layer 5 is set to be smaller than both the electron affinity of the first light emitting layer 4R and the electron affinity of the second light emitting layer 4G.
  • the electrons injected from the first electrode (cathode) 2R can be confined in the first light emitting layer 4R, and the luminous efficiency in the first light emitting region 101R can be improved. That is, in this embodiment, the second charge transport layer (first hole transport layer) 5 can be said to be an electron block layer. Further, in the first light emitting region 101R, the second charge transport layer (first hole transport layer) 5 blocks electrons, so that it becomes difficult for electrons to be injected into the second light emitting layer 4G.
  • the second light emitting layer 4G cannot emit light, only the first light emitting layer 4R emits light in the first light emitting region 101R, and the second light emitting layer 4G and the third light emitting layer 4B are present. Nevertheless, color mixing can be suppressed.
  • the ionization energy of the second charge transport layer (first hole transport layer) 5 is equal to or lower than the ionization energy of the first light emitting layer 4R, for example, as shown in FIG. Is preferable.
  • the holes injected from the second electrode (anode) 8 can be easily transported to the first light emitting layer 4R, and the luminous efficiency in the first light emitting region 101R can be improved. Can be done.
  • the specific combination of the first light emitting layer 4R and the second charge transport layer (first hole transport layer) 5 in this embodiment is as follows.
  • the material of the first light emitting layer 4R is CdSe or CdZnSe which is a quantum dot (for example, electron affinity in the case of red light emission: about 4.3 eV, for example, electron affinity in the case of green light emission: about 3.9 eV, ionization energy: 6.2 eV).
  • the material of the second charge transport layer 5 is poly-TPD (electron affinity: 2.3eV, ionization energy: 5.2eV), TFB (electron affinity: 2.3eV, ionization energy: 5.3eV), TAPC (electron affinity:: 2.0eV, ionization energy: 5.5eV), NPB (electron affinity: 2.4eV, ionization energy: 5.5eV), TPD (electron affinity: 2.0eV, ionization energy: 5.5eV), NiO (electron affinity: 2.5eV, ionization energy) : 6.2eV), mCP (electron affinity: 2.7eV, ionization energy: 6.2eV), CBP (electron affinity: 2.9eV, ionization energy: 6.1eV), TCTA (electron affinity: 2.4eV, ionization energy: 5.9eV), It is preferably at least one selected from PVK (electron affinity: 2.2
  • InP in which the material of the first light emitting layer 4R is a quantum dot for example, electron affinity in the case of red light emission: about 3.6 eV, electron affinity in the case of green light emission: about 5.5 eV, ionization energy: 5.5 eV).
  • poly-TPD electron affinity: 2.3eV, ionization energy: 5.2eV
  • TFB electron affinity: 2.3eV, ionization energy: 5.3eV
  • TAPC electron affinity: 2.0eV, ionization energy: 5.5eV
  • NPB electron affinity: 2.4eV, ionization energy: 5.5eV
  • TPD electroactive polymer
  • the electron affinity of the third charge transport layer (second hole transport layer) 6 is set to be smaller than the electron affinity of the second light emitting layer 4G, for example, as shown in FIG. Is preferable.
  • the electrons injected from the first electrode (cathode) 2G can be confined in the second light emitting layer 4G, and the luminous efficiency in the second light emitting region 101G can be improved. That is, in this embodiment, the third charge transport layer (second electron transport layer) 6 can be said to be an electron block layer.
  • the third charge transport layer (second hole transport layer) 6 in the third light emitting layer 4B since electrons are blocked by the third charge transport layer (second hole transport layer) 6 in the third light emitting layer 4B, the light emission of the third light emitting layer 4B is suppressed in the second light emitting region 101G. , Color mixing can be suppressed.
  • the ionization energy of the third charge transport layer (second hole transport layer) 6 is equal to or lower than the ionization energy of the second light emitting layer 2G.
  • the holes injected from the second electrode (anode) 8 can be easily transported to the second light emitting layer 4G, and the luminous efficiency in the second light emitting region 101G can be improved. Can be done.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, but is substantially the same as the configuration shown in the above-described embodiment, a configuration having the same action and effect, or a configuration capable of achieving the same object. May be replaced with.

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Abstract

発光装置は、発光ピーク波長が第１波長である第１発光領域と、発光ピーク波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、を含み、前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光ピーク波長が前記第２波長である第２発光層と、少なくとも前記第１発光領域において前記アノードと前記第２発光層との間に配されており、発光ピーク波長が前記第１波長である第１発光層と、前記第１発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、イオン化エネルギーが、前記第１発光層のイオン化エネルギーと前記第２発光層のイオン化エネルギーの両方よりも大きい第１電子輸送層と、を備える。

Description

発光装置および発光装置の製造方法
　本発明は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
　例えば、特許文献１には、少なくとも第１発光層および第２発光層を有し、各発光層毎にレジスト層を用いたリフトオフする、リソグラフィを利用した発光装置の製造方法が開示されている。
特開２００９－０８８２７６号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、各発光層を形成する毎に、現像液での現像が伴う。形成されている発光層は、現像毎に現像液にさらされるため、ダメージを受け、発光装置の信頼性の低下につながる可能性がある。
　本開示の主な目的は、例えば、発光層等におけるリソグラフィによるダメージを抑制することができ、信頼性の高い発光装置を提供することにある。
　本発明の一形態の発光装置は、発光ピーク波長が第１波長である第１発光領域と、発光ピーク波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、を含み、前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光ピーク波長が前記第２波長である第２発光層と、少なくとも前記第１発光領域において前記アノードと前記第２発光層との間に配されており、発光ピーク波長が前記第１波長である第１発光層と、前記第１発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、イオン化エネルギーが、前記第１発光層のイオン化エネルギーと前記第２発光層のイオン化エネルギーの両方よりも大きい第１電子輸送層と、を備える。
　また、本発明の他の形態の発光装置は、発光ピーク波長が第１波長である第１発光領域と、発光ピーク波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、を含み、前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光ピーク波長が前記第２波長である第２発光層と、少なくとも前記第１発光領域において前記カソードと前記第２発光層との間に配されており、発光ピーク波長が前記第１波長である第１発光層と、前記第１発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、電子親和力が、前記第１発光層の電子親和力と前記第２発光層の電子親和力の両方よりも小さい第１正孔輸送層と、を備える。
　さらに、本発明の一形態の発光装置の製造方法は、基材上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の一部分を除去する工程と、前記レジスト層の一部分が除去された基材の上に第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層を被うように電荷輸送層を形成する工程と、前記電荷輸送層により被われた前記レジスト層の一部分を除去し、当該除去部の上に第２発光層を形成する工程と、を備える。
実施形態１に係る発光装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例における工程を示す模式的断面図である。 実施例１の発光装置の第１発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。 実施例１の発光装置の第２発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。 実施例２の発光装置の第１発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。 実施例２の発光装置の第２発光領域における各層の一例のエネルギー準位図である。
　以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
　〔実施形態１〕
　以下に、本開示の実施の一形態について説明する。
　図１は、本実施形態に係る発光装置１００の積層構造の一例を模式的に示す図である。
　発光装置１００は、光を出射する装置である。発光装置１００は、例えば、白色光等の光を出射する照明装置（例えば、バックライト等）であってもよいし、光を出射することにより画像（例えば、文字情報等を含む。）を表示する表示装置であってもよい。本実施形態では、発光装置１００が、表示装置における１つの画素である例について説明する。例えば、複数の画素をマトリクス状に配列することにより表示装置を構成することができる。
　図１に示すように、発光装置１００は、例えば、第１発光領域１０１Ｒ、第２発光領域１０１Ｇ、第３発光領域１０１Ｂを含む。第１発光領域１０１Ｒは、例えば、発光ピーク波長が第１波長（例えば約６３０ｎｍ）である、赤色発光領域である。第２発光領域１０１Ｇは、例えば、発光ピーク波長が第１波長よりも短波長である第２波長（例えば約５３０ｎｍ）である、緑色発光領域である。第３発光領域１０１Ｂは、発光ピーク波長が第２波長よりも短波長である第３波長（例えば約４４０ｎｍ）である、青色発光領域である。なお、上記発光ピーク波長とは、例えば、各発光層における発光ピークを表すものである。本実施形態においては、各発光領域１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂは、それぞれ上記発光ピーク波長で発光する場合について説明するが、特に限定されるものではない。
　第１発光領域１０１Ｒは、例えば、発光装置１００において発光ピーク波長が第１波長（例えば赤色）で発光する領域である。第１発光領域１０１Ｒは、例えば、発光装置１００における発光ピーク波長が第１波長で発光する発光素子（例えば赤色発光素子）に相当する。第１発光領域１０１Ｒにおいては、基板１、第１電極２Ｒ、第１電荷輸送層３、第１発光層４Ｒ、第２電荷輸送層５、第２発光層４Ｇ、第３電荷輸送層６、第３発光層４Ｂ、第４電荷輸送層７、および第２電極８が、この順に積層された構造となっている。つまり、第１発光領域１０１Ｒにおいては、第１電極２と、第１電極２に対向するように配された第２電極８との間に、各層が配された構造となっている。
　基板１は、例えばガラス等からなり、上記各層を支持する支持体として機能する。基板１は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されたアレイ基板であってよい。
　第１電極２Ｒは、例えば、第１発光層４Ｒに第１電荷を注入する。
　第２電極８は、例えば、第１発光層４Ｒに第２電荷を注入する。第２電荷は、第１電荷と逆の極性を有する。
　第１電極２Ｒおよび第２電極８は、例えば、金属や透明導電性酸化物等の導電材料により構成される。上記金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。上記透明導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ホウ素亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ｂ（ＢＺＯ））等が挙げられる。なお、第１電極２Ｒおよび第２電極８は、例えば、少なくとも１層の金属層および／または少なくとも１層の透明導電性酸化物層を含む積層体であってもよい。
　第１発光層４Ｒは、第１電極２Ｒと第２電極８との間に配されている。第１発光層４Ｒは、発光ピーク波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する。第１発光層４Ｒは、例えば、発光ピーク波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する第１発光材料を含む。第１発光材料は、例えば、第１電極２Ｒから注入された第１電荷と、第２電極８から注入された第２電荷との再結合により発光する。つまり、第１発光層４Ｒは、例えば、第１電極２Ｒから注入された第１電荷と、第２電極８から注入された第２電荷との再結合により発光するということができる。
　なお、本実施形態における第１発光領域１０１Ｒにおいては、第１電極２Ｒから第１電荷輸送層３を介して、第１発光層４Ｒに第１電荷が注入される。一方、本実施形態における第１発光領域１０１Ｒにおいては、第２電極８から第４電荷輸送層７、第３発光層４Ｂ、第３電荷輸送層６、第２発光層４Ｇ、第２電荷輸送層５を介して、第１発光層４Ｒに第２電荷が注入される。これにより、第１発光層４Ｒが発光する。
　第１発光材料としては、例えば、量子ドット等が挙げられる。量子ドットは、例えば、１００ｎｍ以下の粒子サイズを有する半導体微粒子であり、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＭｇＺｎＳ、ＭｇＺｎＳｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等のＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、及び／又は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等のＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の結晶、及び／又は、Ｓｉ、Ｇｅ等のＩＶ族半導体化合物の結晶を有することができる。また、量子ドットは、例えば、上記の半導体結晶をコアとして、当該コアをバンドギャップの高いシェル材料でオーバーコートしたコア／シェル構造を有していてもよい。更に、量子ドットは、ＡＰｂＸ３[Ａ=Ｃｓ，ＭＡ（メチルアンモニウム），ＦＡ（ホルムアミジニウム），Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ]、（ＣＨ３ＮＨ３）３Ｂｉ２Ｘ９などのペロブスカイト構造 を有していてもよい。
　第１電荷輸送層３は、第１電極２Ｒと第１発光層４Ｒとの間に配されている。第１電荷輸送層３は、第１電極２Ｒから注入される第１電荷を第１発光層４Ｒに輸送する。
　第２発光層４Ｇは、第１発光層４Ｒと第２電極８との間に配されている。第２発光層４Ｇは、発光ピーク波長が第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する。第２発光層４Ｇは、例えば、発光ピーク波長が第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する第２発光材料を含む。第２発光材料は、例えば、注入された第１電荷と、注入された第２電荷との再結合により発光する。つまり、第２発光層４Ｇは、例えば、注入された第１電荷と、注入された第２電荷との再結合により発光するということができる。第２発光材料としては、例えば、第１発光材料と同様の量子ドット等が挙げられる。
　第２電荷輸送層５は、第１発光層４Ｒと第２発光層４Ｇとの間に配されている。第２電荷輸送層５は、第２電極８から注入される第２電荷を第１発光層４Ｒに輸送する。さらに、第２電荷輸送層５は、例えば、第１電極２Ｒから注入される第１電荷が第２発光層４Ｇに輸送されることをブロックする。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおいて、第２発光層４Ｇが発光することを抑制することができる。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおける混色を抑制することができる。
　第３発光層４Ｂは、第２発光層４Ｇと第２電極８との間に配されている。第３発光層４Ｂは、発光ピーク波長が第３波長であり、例えば約４４０ｎｍで発光する。第３発光層４Ｂは、例えば、発光ピーク波長が第３波長であり、例えば約４４０ｎｍで発光する第３発光材料を含む。第３発光材料は、例えば、注入された第１電荷と、注入された第２電荷との再結合により発光する。つまり、第２発光層４Ｇは、例えば、注入された第１電荷と、注入された第２電荷との再結合により発光するということができる。第３発光材料としては、例えば、第１発光材料と同様の量子ドット等が挙げられる。
　第３電荷輸送層６は、第２発光層４Ｇと第３発光層４Ｂとの間に配されている。第３電荷輸送層６は、第２電極８から注入される第２電荷を第１発光層４Ｒに輸送する。さらに、第３電荷輸送層６は、例えば、第１電極２Ｒから注入される第１電荷が第３発光層４Ｂに輸送されることをブロックする。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおいて、たとえ第２電荷輸送層５を第１電荷が移動したとしても、第３発光層４Ｂが発光することを抑制することができる。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおける混色を抑制することができる。
　第４電荷輸送層７は、第３発光層４Ｂと第２電極８との間に配されている。第４電荷輸送層７は、第２電極８から注入される第２電荷を第１発光層４Ｒに輸送する。
　以上のように、第１発光領域１０１Ｒは、第１発光層４Ｒが発光し、第２発光層４Ｇおよび第３発光層４Ｂがほぼ発光しないため、発光ピーク波長が第１波長で発光する。
　続いて、第２発光領域１０１Ｇについて説明する。
　第２発光領域１０１Ｇは、例えば、発光装置１００において発光ピーク波長が第２波長（例えば緑色）で発光する領域である。第２発光領域１０１Ｇは、例えば、発光装置１００における発光ピーク波長が第２波長で発光する発光素子（例えば緑色発光素子）に相当する。第２発光領域１０１Ｇにおいては、基板１、第１電極２Ｒ、第１電荷輸送層３、第２発光層４Ｇ、第３電荷輸送層６、第３発光層４Ｂ、第４電荷輸送層７、および第２電極８が、この順に積層された構造となっている。つまり、第２発光領域１０１Ｇにおいては、第１電極２と、第１電極２に対向するように配された第２電極８との間に、各層が配された構造となっている。なお、第１電極２Ｇは、第１電極２Ｒと同様である。
　また、第２発光領域１０１Ｇは、第１発光領域１０１Ｒの構成において、第１電極２Ｒを第１電極２Ｇとするとともに、第１発光層４Ｒおよび第２電荷輸送層５を設けていない構成となっている。
　なお、本実施形態における第２発光領域１０１Ｇにおいては、第１電極２Ｇから第１電荷輸送層３を介して、第２発光層４Ｇに第１電荷が注入される。一方、本実施形態における第２発光領域１０１Ｇにおいては、第２電極８から第４電荷輸送層７、第２発光層４Ｇ、および第３電荷輸送層６を介して、第２発光層４Ｇに第２電荷が注入される。これにより、第２発光層４Ｇが発光する。
　また、第３電荷輸送層６は、例えば、第１電極２Ｇから注入される第１電荷が第３発光層４Ｂに輸送されることをブロックする。これにより、第２発光領域１０１Ｇにおいて、第３発光層４Ｂが発光することを抑制することができる。これにより、第２発光領域１０１Ｇにおける混色を抑制することができる。
　続いて、第３発光領域１０１Ｂについて説明する。
　第３発光領域１０１Ｂは、例えば、発光装置１００において発光ピーク波長が第３波長（例えば青色）で発光する領域である。第３発光領域１０１Ｂは、例えば、発光装置１００における発光ピーク波長が第３波長で発光する発光素子（例えば青色発光素子）に相当する。第３発光領域１０１Ｂにおいては、基板１、第１電極２Ｒ、第１電荷輸送層３、第３発光層４Ｂ、第４電荷輸送層７、および第２電極８が、この順に積層された構造となっている。つまり、第３発光領域１０１Ｂにおいては、第１電極２と、第１電極２に対向するように配された第２電極８との間に、各層が配された構造となっている。なお、第１電極２Ｂは、第１電極２Ｒと同様である。
　また、第３発光領域１０１Ｂは、第２発光領域１０１Ｇの構成において、第１電極２Ｇを第１電極２Ｂとするとともに、第２発光層４Ｇおよび第３電荷輸送層６を設けていない構成となっている。
　さらに、本実施形態における発光装置１００においては、各発光領域１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂを隔離するバンク９が設けられている。
　さらにまた、本実施形態における発光装置１００においては、各第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、基板１の上に相互に間隔を置いて配されている。
　第１電荷輸送層３、第２電荷輸送層５、第３電荷輸送層６、第４電荷輸送層７は、それぞれ、正孔輸送層または電子輸送層となり得る。
　正孔輸送層を形成する材料としては、例えば、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちのいずれか１つ以上を含む酸化物、窒化物、または炭化物からなる群から選択される一種以上を含む材料や、４,４´，４´´－トリス（９－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４´－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］－ビフェニル（ＮＰＢ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰＣ）、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ)、ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４´－ビス（カルバゾ－ル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴＣＮ）、ＭｏＯ３などの材料や、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（２，７－（９,９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン）－（１，４－フェニレン－（（４－第２ブチルフェニル）イミノ）－１，４－フェニレン（ＴＦＢ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸)（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）などの正孔輸送性有機材料等が挙げられる。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
　電子輸送層を形成する材料としては、例えば、酸化亜鉛（例えばＺｎＯ）、酸化チタン（例えばＴｉＯ２）、酸化ストロンチウムチタン（例えばＳｒＴｉＯ３）、リチウムジルコニウム酸化物（ＬＺＯ）、In2O3、CdS、LZO、SiTe、SiSe、SiS、ＺｒＯ２、2,2',2''-(1,3,5-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)（ＴＰＢｉ）、ならびにフェニル－Ｃ６１－酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）およびビスインデンＣ６０（ＩＣＢＡ）等のフラーレン誘導体等の電子輸送性材料が用いられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
　これらの正孔輸送層および電子輸送層を形成する材料は、発光装置１００の構成や特性に応じて、適宜選択される。
　以上の構成により、本実施形態における発光装置１００は、各発光領域１０１Ｒ・１０１Ｇ・１０１Ｂの色で発光する。
　次いで、本開示における発光装置の製造方法の一例について、図２～１５を参照して説明する。
　まず、図２に示すように、基板１上に、第１電極層２０を形成する（Ｓ１）。第１電極層２０は、例えば、スパッタ法、塗布法等により形成することができる。
　次いで、図３に示すように、第１電極層２０をエッチング等により、第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにパターニングする（Ｓ２）。第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、基板１の上に相互に間隔を置いて配される。
　次いで、図４に示すように、基板１上、より具体的には、基板１に形成された第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ上に、第１電荷輸送層３を形成する（Ｓ３）。第１電荷輸送層３は、例えば、塗布法、スパッタ法等により形成することができる。なお、この工程により、基板１上に第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂおよび第１電荷輸送層３が配された基材を製造することができる。
　次いで、図５に示すように、基材における第１電荷輸送層３上に、レジスト層９０を形成する（Ｓ５）。レジスト層９０は、例えば、ポジ型のフォトレジストを塗布することにより形成することができる。
　次いで、図６に示すように、フォトマスク１１０を介して、レジスト層９０を露光する（Ｓ６）。より具体的には、Ｓ６の露光工程では、レジスト層９０における第１電極２Ｒ上に位置する部分の少なくとも一部、つまり、平面視においてレジスト層９０における第１電極２Ｒに相当する領域の少なくとも一部を露光する。
　次いで、例えば現像液で現像することにより、図７に示すように、露光部、つまり、レジスト層９０における第１電極２Ｒ上に位置する部分の少なくとも一部を除去する（Ｓ１０）。これにより、レジスト層９０には、除去部９１が形成される。この除去部９１においては、基材、具体的には第１電荷輸送層３が露出する。
　次いで、図８に示すように、第１発光層４０および第２電荷輸送層５０を形成する（Ｓ１１）。より具体的には、Ｓ１０において一部が除去されたレジスト層９０上に第１発光層４０Ｒを形成する。第１発光層４０Ｒは、例えば、量子ドットを含む塗布液を用いた塗布法により形成することができる。この塗布液には、電子輸送性材料、正孔輸送層材料、レジスト材料、シランカップリング剤、熱硬化性樹脂等が含まれていてもよい。その後、さらに、第１発光層４０Ｒ上に第２電荷輸送層５０を形成する。第２電荷輸送層５０は、例えば、第１電荷輸送層３と同様の方法で形成することができる。
　なお、上記除去部９１においては、第１電荷輸送層３上に、第１発光層４０Ｒおよび第２電荷輸送層５０が形成される。この除去部９１に形成された第１発光層４０Ｒおよび第２電荷輸送層５０が最終的に残存し、それぞれ第１発光領域１０１Ｒにおける第１発光層４Ｒおよび第２電荷輸送層５となる。
　次いで、図９に示すように、フォトマスク１２０を介して、レジスト層９０を露光する（Ｓ１２）。より具体的には、Ｓ１２の露光工程では、レジスト層９０における第１電極２Ｇ上に位置する部分の少なくとも一部、つまり、平面視においてレジスト層９０における第１電極２Ｇに相当する領域の少なくとも一部を露光する。
　次いで、例えば現像液で現像することにより、図１０に示すように、露光部、つまり、レジスト層９０における第１電極２Ｇ上に位置する部分の少なくとも一部を除去する（Ｓ１３）。このＳ１３においては、第１発光層４０Ｒおよび第２電荷輸送層５０における露光部に相当する部分をリフトオフにより除去する。これにより、レジスト層９０には、除去部９２が形成される。この除去部９２においては、基材、具体的には第１電荷輸送層３が露出する。また、レジスト層９０のうち平面視において第１電極２Ｒと第１電極２Ｇとの間に位置する部分が残留することになる。なお、例えば、レジスト層９０の残留部は、平面視において、第１電極２Ｒにおける第１電極２Ｇ側の端部と、第１電極２Ｇの第１電極２Ｒ側の端部との上に位置する部分が残留する。
　次いで、図１１に示すように、第２電荷輸送層５０上に、第２発光層４０Ｇおよび第３電荷輸送層６０を形成する（Ｓ１４）。より具体的には、Ｓ１３において除去部９１および除去部９２が除去されたレジスト層９０上に第２発光層４０Ｇを形成する。第２発光層４０Ｇは、例えば、第１発光層４０Ｒを形成する際と同様に形成することができる。その後、さらに、第２発光層４０Ｇ上に第３電荷輸送層６０を形成する。第３電荷輸送層６０は、例えば、第１電荷輸送層３と同様の方法で形成することができる。
　なお、上記除去部９１においては、第２電荷輸送層５０上に、第２発光層４０Ｇおよび第３電荷輸送層６０が形成される。この除去部９１に形成された第２発光層４０Ｇおよび第３電荷輸送層６０が最終的に残存し、それぞれ第１発光領域１０１Ｒにおける第２発光層４Ｇおよび第３電荷輸送層６となる。
　また、上記除去部９２においては、第１電荷輸送層３上に、第２発光層４０Ｇおよび第３電荷輸送層６０が形成される。この除去部９２に形成された第２発光層４０Ｇおよび第３電荷輸送層６０が最終的に残存し、それぞれ第２発光領域１０１Ｇにおける第２発光層４Ｇおよび第３電荷輸送層６となる。
　次いで、図１２に示すように、フォトマスク１３０を介して、レジスト層９０を露光する（Ｓ１５）。より具体的には、Ｓ１５の露光工程では、レジスト層９０における第１電極２Ｂ上に位置する部分の少なくとも一部、つまり、平面視においてレジスト層９０における第１電極２Ｂに相当する領域の少なくとも一部を露光する。
　次いで、例えば現像液で現像することにより、図１３に示すように、露光部、つまり、レジスト層９０における第１電極２Ｂ上に位置する部分の少なくとも一部を除去する（Ｓ１６）。このＳ１６においては、第１発光層４０Ｒ、第２電荷輸送層５０、第２発光層２０Ｇおよび第３電荷輸送層６０における露光部に相当する部分をリフトオフにより除去する。これにより、レジスト層９０には、除去部９３が形成される。この除去部９３においては、基材、具体的には第１電荷輸送層３が露出する。また、レジスト層９０のうち平面視において第１電極２Ｇと第１電極２Ｂとの間に位置する部分が残留することになる。なお、例えば、レジスト層９０の残留部は、平面視において、第１電極２Ｇにおける第１電極２Ｂ側の端部と、第１電極２Ｂの第１電極２Ｇ側の端部との上に位置する部分が残留する。さらに、第１発光領域１０１Ｒにおける第１発光層４Ｒおよび第２電荷輸送層５上には、第２発光層４Ｇおよび第３電荷輸送層６が形成されているため、上記現像において、第１発光層４Ｒおよび第２電荷輸送層５が現像液によるダメージを抑制することができる。
　さらに、例えば、第１電極２Ｒ、第１電極２Ｇおよび第１電極２Ｂを、繰り返し配置することにより、第１電極２Ｂと第１電極２Ｒとが隣り合うように配置することになり、レジスト層９０のうち平面視において第１電極２Ｂと第１電極２Ｒとの間に位置する部分も残留させることができる。この場合、レジスト層９０の残留部は、平面視において、第１電極２Ｂにおける第１電極２Ｒ側の端部と、第１電極２Ｒの第１電極２Ｂ側の端部との上に位置する部分が残留する。
　次いで、図１４に示すように、第３電荷輸送層６０上に、第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０を形成する（Ｓ１７）。より具体的には、Ｓ１６において除去部９１、除去部９２および除去部９３が除去されたレジスト層９０上に第３発光層４０Ｂを形成する。第３発光層４０Ｂは、例えば、第１発光層４０Ｒを形成する際と同様に形成することができる。その後、さらに、第３発光層４０Ｂ上に第４電荷輸送層７０を形成する。第４電荷輸送層７０は、例えば、第１電荷輸送層３と同様の方法で形成することができる。
　なお、上記除去部９１においては、第３電荷輸送層６０上に、第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０が形成される。この除去部９１に形成された第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０が最終的に残存し、それぞれ第１発光領域１０１Ｒにおける第３発光層４Ｂおよび第４電荷輸送層７となる。
　また、上記除去部９２においては、第３電荷輸送層６０上に、第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０が形成される。この除去部９２に形成された第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０が最終的に残存し、それぞれ第２発光領域１０１Ｇにおける第３発光層４Ｂおよび第４電荷輸送層７となる。
　さらに、上記除去部９３においては、第１電荷輸送層３上に、第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０が形成される。この除去部９３に形成された第３発光層４０Ｂおよび第４電荷輸送層７０が最終的に残存し、それぞれ第３発光領域１０１Ｂにおける第３発光層４Ｂおよび第４電荷輸送層７となる。
　次いで、図１５に示すように、第４電荷輸送層７０上に第２電極８を形成する（Ｓ１７）。第２電極８は、第１電極層２０と同様に形成することができる。
　さらに、レジスト層９０に除去部９３を形成した後にポストベークする、つまり、レジスト層９０の残留部をポストベークすることにより、残存したレジスト層９０の残留部を硬化させ、永久膜として残留させることができる。ポストベーク後のレジスト層９０の残留部は、バンク９とすることができる。
　以上により、本実施形態の発光装置１００を製造することができる。
　上記の方法によれば、レジスト除去工程の回数が減るため、発光層等の現像によるダメージを抑制することができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。
　また、変形例として、例えば、上記露光において、レジスト層９０における第１電極２Ｒ、第１電極２Ｇ、第１電極２Ｂのそれぞれの間の領域の少なくとも１つの領域をハーフトーン露光することにより、レジスト層９０における第１電極２Ｒ、第１電極２Ｇ、第１電極２Ｂのそれぞれの間の領域に形成された第１発光層４０Ｒ、第２電荷輸送層５、第２発光層４０Ｇ、第３電荷輸送層６、第３発光層４０Ｂ、第４電荷輸送層７の１以上をリフトオフすることができる。このハーフトーン露光は、Ｓ６におけるフォトマスク１２０、Ｓ１２におけるフォトマスク１３０をレジスト層９０における第１電極２Ｒ、第１電極２Ｇ、第１電極２Ｂのそれぞれの間の領域の少なくとも１つの領域をハーフトーンで露光するハーフトーンマスクを用いて実施することができる。さらに、このハーフトーン露光は、例えば、上記ポストベークを行う前に実施してもよい。
　また、上記の方法においては、各発光層４Ｒ・３Ｇ・３Ｂは、波長の長いものから形成することが好ましい。
　以下、実施例１および実施例２として、上記発光装置１００のより具体的な構成について説明する。
　＜実施例１＞
　本実施例１の発光装置１００は、第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂがアノード、第１電荷輸送層３が正孔輸送層、第２電荷輸送層５が第１電子輸送層、第３電荷輸送層６が第２電子輸送層、第４電荷輸送層７が第３電子輸送層、第２電極８がカソードである構成である。その他の構成は、上記の通りである。
　本実施例の発光装置１００においては、第２電荷輸送層（第１電子輸送層）５は、例えば、図１６に示すように、イオン化エネルギーが、第１発光層４Ｒのイオン化エネルギーよりも大きく設定されることが好ましい。さらに、第２電荷輸送層５は、イオン化エネルギーが、第２発光層４Ｇのイオン化エネルギーよりも小さく設定されることが好ましい。つまり、第２電荷輸送層５は、イオン化エネルギーが、第１発光層４Ｒのイオン化エネルギーと第２発光層４Ｇのイオン化エネルギーの両方よりも大きく設定されることが好ましい。これにより、第１電極（アノード）２Ｒから、第１電荷輸送層（正孔輸送層）３を介して注入された正孔を第１発光層４Ｒに閉じ込めることができ、第１発光領域１０１Ｒにおける発光効率を向上させることができる。つまり、実施例１においては、第２電荷輸送層（第１電子輸送層）５は正孔ブロック層ということができる。さらに、第１発光領域１０１Ｒにおいては、第２電荷輸送層（第１電子輸送層）５が正孔をブロックするため、第２発光層４Ｇへ正孔が注入されにくくなる。つまり、第２発光層４Ｇは発光することができないため、第１発光領域１０１Ｒでは、第１発光層４Ｒのみが発光することになり、第２発光層４Ｇおよび第３発光層４Ｂが存在するにも関わらず、色の混色を抑制することができる。
　また、本実施例において第２電荷輸送層（第１電子輸送層）５は、例えば、図１６に示すように、電子親和力が、第１発光層４Ｒの電子親和力以上であることが好ましい。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおいて、第２電極（カソード）８から注入される電子を第１発光層４Ｒに容易に輸送することができ、第１発光領域１０１Ｒにおける発光効率を向上させることができる。
　なお、本実施例における具体的な第１発光層４Ｒと第２電荷輸送層（第１電子輸送層）５との好ましい材料の組み合わせは以下の通りである。
　例えば、第１発光層４Ｒの材料が、赤色に発光する量子ドットであるCdSeまたはCdZnSe(電子親和力:約4.3eV、イオン化エネルギー：約6.2eV)の場合、第２電荷輸送層５の材料は、In2O3(電子親和力：4.3eV、イオン化エネルギー：8.2eV)、CdS(電子親和力：4.45eV、イオン化エネルギー：6.85eV)、LZO(電子親和力：4.4eV、イオン化エネルギー：7.6eV)から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　また、例えば、第１発光層４Ｒの材料が、緑色に発光する量子ドットであるCdSeまたはCdZnSe(電子親和力:約3.9eV、イオン化エネルギー：約6.2eV)の場合、第２電荷輸送層５の材料は、In2O3(電子親和力：4.3eV、イオン化エネルギー：8.2eV)、CdS(電子親和力：4.45eV、イオン化エネルギー：6.85eV)、LZO(電子親和力：4.4eV、イオン化エネルギー：7.6eV)、SiS(電子親和力：3.98eV、イオン化エネルギー：6.98V)、ZnO(電子親和力：4.0eV、イオン化エネルギー：7.5eV)、PCBM(電子親和力：4.0eV、イオン化エネルギー：6.5eV)、TiO2(電子親和力：4.2eV、イオン化エネルギー：7.4eV)から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　さらに、例えば、第１発光層４Ｒの材料が、赤色に発光する量子ドットであるInP(電子親和力:約3.6eV、イオン化エネルギー：約5.5eV)の場合、第２電荷輸送層５の材料は、In2O3(電子親和力：4.3eV、イオン化エネルギー：8.2eV)、CdS(電子親和力：4.45eV、イオン化エネルギー：6.85eV)、LZO(電子親和力：4.4eV、イオン化エネルギー：7.6eV)、SiS(電子親和力：3.98eV、イオン化エネルギー：6.98V)、ZnO(電子親和力：4.0eV、イオン化エネルギー：7.5eV)、PCBM(電子親和力：4.0eV、イオン化エネルギー：6.5eV)、TiO2(電子親和力：4.2eV、イオン化エネルギー：7.4eV)、SiTe(電子親和力：3.66eV、イオン化エネルギー：6.09V)、SiSe(電子親和力：3.72eV、イオン化エネルギー：6.62V)、ICBA(電子親和力：3.7eV、イオン化エネルギー：6eV)から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　さらにまた、例えば、第１発光層４Ｒの材料が、緑色に発光する量子ドットであるInP(電子親和力:約3.6eV、イオン化エネルギー：約5.5eV)の場合、第２電荷輸送層５の材料は、In2O3(電子親和力：4.3eV、イオン化エネルギー：8.2eV)、CdS(電子親和力：4.45eV、イオン化エネルギー：6.85eV)、LZO(電子親和力：4.4eV、イオン化エネルギー：7.6eV)、SiS(電子親和力：3.98eV、イオン化エネルギー：6.98V)、ZnO(電子親和力：4.0eV、イオン化エネルギー：7.5eV)、PCBM(電子親和力：4.0eV、イオン化エネルギー：6.5eV)、TiO2(電子親和力：4.2eV、イオン化エネルギー：7.4eV)、SiTe(電子親和力：3.66eV、イオン化エネルギー：6.09V)、SiSe(電子親和力：3.72eV、イオン化エネルギー：6.62V)、ICBA(電子親和力：3.7eV、イオン化エネルギー：6eV)から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　さらに、本実施例において、第３電荷輸送層（第２電子輸送層）６は、例えば、図１７に示すように、イオン化エネルギーが、第２発光層４Ｇのイオン化エネルギーよりも大きく設定されることが好ましい。これにより、第２発光領域１０１Ｇにおいて、第１電極（アノード）２Ｇから、第１電荷輸送層（正孔輸送層）３を介して注入された正孔を第２発光層４Ｇに閉じ込めることができ、第２発光領域１０１Ｇにおける発光効率を向上させることができる。つまり、本実施例においては、第３電荷輸送層（第２電子輸送層）６は正孔ブロック層ということができる。さらに、第３発光層４Ｂには、第３電荷輸送層（第２電子輸送層）６により正孔がブロックされるため、第２発光領域１０１Ｇにおいては、第３発光層４Ｂの発光が抑制され、混色を抑制することができる。
　さらにまた、本実施例において第３電荷輸送層（第２電子輸送層）６は、電子親和力が、第３発光層４Ｂの電子親和力以上であることが好ましい。これにより、第２発光領域１０１Ｇにおいて、第２電極（カソード）８から注入される電子を第２発光層４Ｇに容易に輸送することができ、第２発光領域１０１Ｇにおける発光効率を向上させることができる。
　＜実施例２＞
　本実施例の発光装置１００は、第１電極２Ｒ・２Ｇ・２Ｂがカソード、第１電荷輸送層３が電子輸送層、第２電荷輸送層５が第１正孔輸送層、第３電荷輸送層６が第２正孔輸送層、第４電荷輸送層７が第３正孔輸送層、第２電極８がアノードである構成である。その他の構成は、上記の通りである。
　本実施例の発光装置１００において、第２電荷輸送層（第１正孔輸送層）５は、例えば図１８に示すように、電子親和力が第２発光層４Ｇの電子親和力よりも小さく設定されることが好ましい。さらに、第２電荷輸送層５は、電子親和力が第１発光層４Ｒの電子親和力よりも小さく設定されることが好ましい。つまり、第２電荷輸送層５は、電子親和力が、第１発光層４Ｒの電子親和力と第２発光層４Ｇの電子親和力の両方よりも小さく設定されることが好ましい。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおいて、第１電極（カソード）２Ｒから注入される電子を、第１発光層４Ｒに閉じ込めることができ、第１発光領域１０１Ｒにおける発光効率を向上させることができる。つまり、本実施例においては、第２電荷輸送層（第１正孔輸送層）５は電子ブロック層ということができる。さらに、第１発光領域１０１Ｒにおいては、第２電荷輸送層（第１正孔輸送層）５が電子をブロックするため、第２発光層４Ｇへ電子が注入されにくくなる。つまり、第２発光層４Ｇは発光することができないため、第１発光領域１０１Ｒでは、第１発光層４Ｒのみが発光することになり、第２発光層４Ｇおよび第３発光層４Ｂが存在するにも関わらず、色の混色を抑制することができる。
　また、本実施例の発光装置１００においては、第２電荷輸送層（第１正孔輸送層）５は、例えば、図１８に示すように、イオン化エネルギーが、第１発光層４Ｒのイオン化エネルギー以下であることが好ましい。これにより、第１発光領域１０１Ｒにおいて、第２電極（アノード）８から注入される正孔を第１発光層４Ｒに容易に輸送することができ、第１発光領域１０１Ｒにおける発光効率を向上させることができる。
　なお、本実施例における具体的な第１発光層４Ｒと第２電荷輸送層（第１正孔輸送層）５との好ましい材料の組み合わせは以下の通りである。
　例えば、第１発光層４Ｒの材料が量子ドットであるCdSeまたはCdZnSe(例えば赤色発光の場合の電子親和力：約4.3eV、例えば緑色発光の場合の電子親和力：約3.9eV、イオン化エネルギー:6.2eV)の場合、第２電荷輸送層５の材料は、poly-TPD(電子親和力：2.3eV、イオン化エネルギー：5.2eV)、TFB(電子親和力：2.3eV、イオン化エネルギー：5.3eV)、TAPC(電子親和力：2.0eV、イオン化エネルギー：5.5eV)、NPB(電子親和力：2.4eV、イオン化エネルギー：5.5eV)、TPD(電子親和力：2.0eV、イオン化エネルギー：5.5eV)、NiO(電子親和力：2.5eV、イオン化エネルギー：6.2eV)、mCP(電子親和力：2.7eV、イオン化エネルギー：6.2eV)、CBP(電子親和力：2.9eV、イオン化エネルギー：6.1eV)、TCTA(電子親和力：2.4eV、イオン化エネルギー：5.9eV)、PVK(電子親和力：2.2eV、イオン化エネルギー：5.8eV)から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　さらに、例えば、第１発光層４Ｒの材料が量子ドットであるInP(例えば赤色発光の場合の電子親和力：約3.6eV、例えば緑色発光の場合の電子親和力：約5.5eV、イオン化エネルギー:5.5eV)の場合、poly-TPD(電子親和力：2.3eV、イオン化エネルギー：5.2eV)、TFB(電子親和力：2.3eV、イオン化エネルギー：5.3eV)、TAPC(電子親和力：2.0eV、イオン化エネルギー：5.5eV)、NPB(電子親和力：2.4eV、イオン化エネルギー：5.5eV)、TPD(電子親和力：2.0eV、イオン化エネルギー：5.5eV)から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　さらに、本実施例において、第３電荷輸送層（第２正孔輸送層）６は、例えば、図１９に示すように、電子親和力が、第２発光層４Ｇの電子親和力よりも小さく設定されることが好ましい。これにより、第２発光領域１０１Ｇにおいて、第１電極（カソード）２Ｇから注入される電子を、第２発光層４Ｇに閉じ込めることができ、第２発光領域１０１Ｇにおける発光効率を向上させることができる。つまり、本実施例においては、第３電荷輸送層（第２電子輸送層）６は電子ブロック層ということができる。さらに、第３発光層４Ｂには、第３電荷輸送層（第２正孔輸送層）６により電子がブロックされるため、第２発光領域１０１Ｇにおいては、第３発光層４Ｂの発光が抑制され、混色を抑制することができる。
　さらにまた、本実施例の発光装置１００においては、第３電荷輸送層（第２正孔輸送層）６は、イオン化エネルギーが、第２発光層２Ｇのイオン化エネルギー以下であることが好ましい。これにより、第２発光領域１０１Ｇにおいて、第２電極（アノード）８から注入される正孔を第２発光層４Ｇに容易に輸送することができ、第２発光領域１０１Ｇにおける発光効率を向上させることができる。
　本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

Claims (16)

  1. 　発光ピーク波長が第１波長である第１発光領域と、
    　発光ピーク波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、
    を含み、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光ピーク波長が前記第２波長である第２発光層と、
    　少なくとも前記第１発光領域において前記アノードと前記第２発光層との間に配されており、発光ピーク波長が前記第１波長である第１発光層と、
    　前記第１発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、イオン化エネルギーが、前記第１発光層のイオン化エネルギーと前記第２発光層のイオン化エネルギーの両方よりも大きい第１電子輸送層と、
    を備える、発光装置。
  2. 　前記第１電子輸送層の電子親和力が、前記第１発光層の電子親和力以上である、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１発光層の材料が、赤色に発光する量子ドットであるCdSeまたはCdZnSeの場合、前記第１電子輸送層の材料はIn2O3、CdS、およびLZOから選択される少なくとも１種であり、
    　前記第１発光層の材料が、緑色に発光する量子ドットであるCdSeまたはCdZnSeの場合、前記第１電子輸送層の材料はIn2O3、CdS、LZO、SiS、ZnO、PCBM、およびTiO2から選択される少なくとも１種であり、
    　前記第１発光層の材料が、赤色に発光する量子ドットであるInPの場合、前記第１電子輸送層の材料はIn2O3、CdS、LZO、SiS、ZnO、PCBM、TiO2から選択される少なくとも１種であり、
    　前記第１発光層の材料が、緑色に発光する量子ドットであるInPの場合、前記第１電子輸送層の材料はIn2O3、CdS、LZO、SiS、ZnO、PCBM、TiO2、SiTe、SiSe、ICBAから選択される少なくとも１種である、
    請求項２に記載の発光装置。
  4. 　発光ピーク波長が第１波長である第１発光領域と、
    　発光ピーク波長が前記第１波長よりも短波長である第２波長である第２発光領域と、
    を含み、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域に配されたカソードと、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと対向するように配されたアノードと、
    　前記第１発光領域及び前記第２発光領域において前記カソードと前記アノードとの間に配されており、発光ピーク波長が前記第２波長である第２発光層と、
    　少なくとも前記第１発光領域において前記カソードと前記第２発光層との間に配されており、発光ピーク波長が前記第１波長である第１発光層と、
    　前記第１発光領域において前記第１発光層と前記第２発光層との間に配されており、電子親和力が、前記第１発光層の電子親和力と前記第２発光層の電子親和力の両方よりも小さい第１正孔輸送層と、
    を備える、発光装置。
  5. 　前記第１正孔輸送層のイオン化エネルギーは、前記第１発光層のイオン化エネルギー以下である、
    請求項４に記載の発光装置。
  6. 　前記第１発光層の材料が、量子ドットであるCdSeまたはCdZnSeの場合、前記第１正孔輸送層の材料はpoly-TPD、TFB、TAPC、NPB、TPD、NiO、mCP、CBP、TCTA、PVKから選択される少なくとも１種であり、
    　前記第１発光層の材料が、量子ドットであるInPの場合、前記第１正孔輸送層の材料はpoly-TPD、TFB、TAPC、NPB、TPDから選択される少なくとも１種である、
    請求項５に記載の発光装置。
  7. 　基材上にレジスト層を形成する工程と、
    　前記レジスト層の一部分を除去する工程と、
    　前記レジスト層の一部分が除去された基材の上に第１発光層を形成する工程と、
    　前記第１発光層を被うように電荷輸送層を形成する工程と、
    　前記電荷輸送層により被われた前記レジスト層の一部分を除去し、当該除去部の上に第２発光層を形成する工程と、
    を備える、発光装置の製造方法。
  8. 　前記レジスト層として、ポジ型のレジスト層を形成する、
    請求項７に記載の発光装置の製造方法。
  9. 　前記レジスト層の一部分を露光し、前記レジスト層の露光部を除去する、
    請求項８に記載の発光装置の製造方法。
  10. 　前記第２発光層を前記第１発光層の上にも形成する、
    請求項７～９のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
  11. 　前記第１発光層の発光ピーク波長よりも発光ピーク波長が短波長である発光層を前記第２発光層として形成する、
    請求項７～１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
  12. 　基板と、前記基板の上に相互に間隔を置いて配された複数の電極とを有する部材を前記基材として用いる、
    請求項７～１１のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
  13. 　前記第１発光層を形成する前に、前記レジスト層のうち、前記複数の電極のうちの一の電極の上に位置する部分の少なくとも一部を除去し、
    　前記第２発光層を形成する前に、前記電荷輸送層により被われた前記レジスト層のうち、前記複数の電極のうちの前記一の電極と隣り合う他の電極の上に位置する部分の少なくとも一部を除去し、前記レジスト層のうち平面視において前記一の電極と前記他の電極との間に位置する部分の少なくとも一部を残留させる、
    請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
  14. 　前記レジスト層の残留部を硬化させる工程をさらに備える、
    請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
  15. 　前記レジスト層のうち平面視において前記一の電極と前記他の電極との間に位置する部分に加え、前記一の電極の前記他の電極側の端部と、前記他の電極の前記一の電極側の端部との上に位置する部分を残留させる、
    請求項１３または１５に記載の発光装置の製造方法。
  16. 　前記レジスト層としてポジ型のレジスト層を形成し、
    　前記レジスト層のうち、前記残留部を形成する領域に位置する部分を部分的に露光した後に前記レジスト層の現像を行う、
    請求項１３～１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
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