WO2023032109A1 - 表示装置、表示装置の製造方法 - Google Patents

表示装置、表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2023032109A1
WO2023032109A1 PCT/JP2021/032212 JP2021032212W WO2023032109A1 WO 2023032109 A1 WO2023032109 A1 WO 2023032109A1 JP 2021032212 W JP2021032212 W JP 2021032212W WO 2023032109 A1 WO2023032109 A1 WO 2023032109A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting layer
pixel electrode
light
light emitting
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/032212
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
孝太 安達
豪 鎌田
康 浅岡
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2021/032212 priority Critical patent/WO2023032109A1/ja
Publication of WO2023032109A1 publication Critical patent/WO2023032109A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and a manufacturing method of the display device.
  • a display device is manufactured by patterning a second light-emitting layer on a patterned first light-emitting layer. Overlapping parts may shift. As a result, the edge of the first pixel electrode cannot be covered, and current concentration occurs at the edge of the first pixel electrode, possibly degrading the display device.
  • a main object of the present disclosure is to provide a display device capable of suppressing deterioration and a method for manufacturing the display device.
  • a display device includes a pixel electrode, a counter electrode provided over the pixel electrode, and a functional layer provided between the pixel electrode and the counter electrode, wherein the function
  • the layer has a first portion overlapping an end portion of the pixel electrode and a second portion overlapping a central portion of the pixel electrode, the thickness of the first portion being greater than the thickness of the second portion. thick.
  • a method of manufacturing a display device is a method of manufacturing a display device in which a functional layer is provided between a pixel electrode and a counter electrode provided on the upper layer of the pixel electrode, the method comprising: a) a pixel forming a photosensitive composition layer containing a functional material on an electrode; b) exposing and developing the photosensitive composition layer; and forming the functional layer having a second portion overlapping a central portion, wherein the thickness of the first portion is greater than the thickness of the second portion.
  • a method of manufacturing a display device includes: a plurality of pixel electrodes including a first pixel electrode and a second pixel electrode; a counter electrode provided in an upper layer of the plurality of pixel electrodes; and a light-emitting layer including a first light-emitting layer containing a first light-emitting material and a second light-emitting layer containing a second light-emitting material, provided between the pixel electrode and the counter electrode.
  • the combined thickness of the layer portion is thicker than the thickness of the first and second
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of a display device according to Embodiment 1; FIG. It is a figure which shows typically an example of the lamination structure of the display apparatus concerning a 1st modification. It is a figure which shows typically an example of the lamination structure of the display apparatus concerning a 2nd modification.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of a display device according to Embodiment 2; FIG. 10 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 2; FIG. 10 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 2; FIG.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 2;
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing an example of a laminated structure of a display device according to Embodiment 3;
  • FIG. 11 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 3;
  • FIG. 11 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 3;
  • FIG. 11 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 3;
  • FIG. 11 is a diagram for explaining steps in an example of a method for manufacturing a display device according to Embodiment 3;
  • the display device 100 is a device that emits light.
  • the display device 100 may be, for example, a lighting device (for example, a backlight) that emits light such as white light, or displays an image (including, for example, character information, etc.) by emitting light. It may be a display device that In this embodiment, an example in which the display device 100 includes one light emitting element for one pixel in the display device will be described.
  • a display device can be configured by arranging a plurality of pixels in a matrix.
  • the display device 100 has, for example, a structure in which an insulating layer 2, a pixel electrode 3, an intermediate layer 4, and a counter electrode 5 are laminated on a substrate 1 in this order.
  • One pixel (corresponding to one light emitting element) is shown in FIG. 1, and the display device 100 includes at least one light emitting element.
  • the substrate 1 is made of, for example, glass, and functions as a support that supports the above layers.
  • a switching element 6 such as a thin film transistor (TFT) is provided on the substrate 1 .
  • the insulating layer 2 is provided on the substrate 1.
  • the insulating layer 2 planarizes the upper surface of the substrate 1 on which the switching elements 6 are provided.
  • a contact hole 7 is provided in the insulating layer 2 .
  • the substrate 1 on which the switching elements 6 and the insulating layer 2 are formed can be called an array substrate.
  • the pixel electrode 3 is provided on the insulating layer 2 .
  • the pixel electrode 3 is connected to the switching element 6 through the contact hole 7 . That is, the contact hole 7 is provided with the pixel electrode 3 .
  • an insulator 8 is provided on the pixel electrode 3 provided in the contact hole 7 .
  • contact hole 7 is filled with insulator 8 as an insulating portion.
  • the surface on which the pixel electrode 3 is formed is flattened by the insulator 8, and each layer formed on the pixel electrode 3, particularly the intermediate layer 4, can be formed flatter. Furthermore, the insulator 8 can suppress current concentration in the vicinity of the contact hole 7 .
  • the counter electrode 5 is provided on the upper layer of the pixel electrode 3 .
  • the counter electrode 5 faces the pixel electrode 3 .
  • the pixel electrode 3 and the counter electrode 5 are made of, for example, a conductive material such as metal or transparent conductive oxide.
  • a conductive material such as metal or transparent conductive oxide.
  • the metal include Al, Cu, Au, and Ag.
  • the transparent conductive oxide include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (ZnO:Al(AZO)), and boron zinc oxide. (ZnO:B(BZO)) and the like.
  • the pixel electrode 3 and the counter electrode 5 may be a laminate including, for example, at least one metal layer and/or at least one transparent conductive oxide layer.
  • a light transmissive material can be used.
  • a transparent conductive material can be used as the light transmissive material.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • SnO 2 tin oxide
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • these materials have high visible light transmittance, the luminous efficiency of the light-emitting element is improved.
  • a light reflective material can be used.
  • a metal material can be used as the light-reflecting material.
  • Al (aluminum), Ag (silver), Cu (copper), Au (gold), or the like can be used as the light-reflecting material. These materials have a high visible light reflectance, and therefore have an improved luminous efficiency.
  • the intermediate layer 4 is provided between the pixel electrode 3 and the counter electrode 5 .
  • the intermediate layer 4 includes at least one functional layer.
  • the intermediate layer 4 is composed of one functional layer, and the functional layer is a light-emitting layer.
  • a functional layer is formed in a region including at least part of the light emitting region.
  • the light-emitting layer emits light by the first charge supplied from the pixel electrode 3 and the second charge supplied from the counter electrode 5 . This causes the light emitting element to emit light.
  • the second charge has a polarity opposite to that of the first charge.
  • At least one functional layer included in the intermediate layer 4 includes a first portion 4a and a second portion 4b.
  • the thickness of the first portion 4a is thicker than the thickness of the second portion 4b.
  • the first portion 4a is provided, for example, in a layer above the end of the pixel electrode 3. As shown in FIG. That is, the first portion 4a overlaps the edge of the pixel electrode 3 in plan view. Also, the first portion 4 a is provided so as to cover the end portion of the pixel electrode 3 .
  • the second portion 4b is provided, for example, in the upper layer of the central portion of the pixel electrode 3. That is, the second portion 4b overlaps the central portion of the pixel electrode 3 in plan view.
  • the second portion 4b becomes a light-emitting region
  • the first portion 4a becomes a non-light-emitting region or a region not intended to emit light.
  • the first portion 4a becomes a non-light-emitting region because it is thick and it is difficult for charges to be supplied from the pixel electrode 3 and the counter electrode 5.
  • the thickness of the first portion 4a is thicker than the thickness of the second portion 4b
  • current concentration at the edge of the pixel electrode 3 can be suppressed.
  • peeling of the pixel electrode 3 is less likely to occur. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portions of the pixel electrodes 3, suppress the decrease in the light emitting area of the light emitting element, and suppress the decrease in luminance.
  • the first portion 4a preferably overlaps the contact hole 7 and the insulator 8. As a result, current concentration in the vicinity of contact hole 7 can be suppressed.
  • the functional layer is a light-emitting layer
  • the luminescent layer contains a luminescent material.
  • light-emitting materials include quantum dots.
  • Quantum dots are, for example, semiconductor fine particles having a particle size of 100 nm or less, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, II-VI group semiconductor compounds such as CdSe, CdTe, HgS, HgSe and HgTe, and/or crystals of III-V group semiconductor compounds such as GaAs, GaP, InN, InAs, InP and InSb, and/or Si, It can have crystals of group IV semiconductor compounds such as Ge.
  • the quantum dots may have a core/shell structure in which the above semiconductor crystal is used as a core and the core is overcoated with a shell material having a high bandgap.
  • a light-emitting layer as a functional layer can be formed, for example, using a photosensitive composition containing a light-emitting material.
  • Examples of the method for forming the light-emitting layer as the functional layer include the following methods.
  • the photosensitive composition layer is subjected to halftone exposure in which the exposure amount is adjusted for the portions corresponding to the first portion 4a and the second portion 4b, and then developed.
  • the photosensitive composition is a negative photosensitive composition
  • the exposure amount of the portion corresponding to the first portion 4a is made larger than the exposure amount of the portion corresponding to the second portion 4b.
  • the photosensitive composition is a positive photosensitive composition
  • the exposure amount of the portion corresponding to the first portion 4a is made smaller than the exposure amount of the portion corresponding to the second portion 4b.
  • the thickness of the first portion 4a can be made thicker than the thickness of the second portion 4b.
  • the intermediate layer 4 is not limited to being composed of a single functional layer. Another example of the intermediate layer 4 will be described below with reference to FIGS.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the laminated structure in the display device 101 of the first modified example.
  • the display device 101 of the first modified example is an example of the display device 100 of the first embodiment in which the intermediate layer 4 includes the first charge transport layer 41 and the light emitting layer 42 as functional layers.
  • the light-emitting layer 42 is the same as the light-emitting layer that is the functional layer of the display device 100 .
  • the first charge transport layer 41 is provided between the pixel electrode 3 and the light emitting layer 42 .
  • the first charge transport layer 41 transports the first charge from the pixel electrode 3 to the light emitting layer 42 .
  • the first charge transport layer 41 can be a hole transport layer or an electron transport layer.
  • the first charges are holes
  • the second charges are electrons
  • the first charge transport layer 41 is a hole transport layer.
  • the first charges are electrons
  • the second charges are holes
  • the first charge transport layer 41 is an electron transport layer.
  • the hole-transporting layer and the electron-transporting layer may be one layer or multiple layers.
  • Materials forming the hole transport layer include, for example, one or more of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, and Sr.
  • PVK poly(N-vinylcarbazole)
  • PVK poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-second-butylphenyl)imino )-1,4-phenylene
  • TFB poly(triphenylamine) derivative
  • PEDOT-PSS poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonic acid)
  • These hole-transporting organic materials may be used singly or in combination of two or more.
  • Electron-transporting materials such as zinc oxide (eg, ZnO), titanium oxide (eg, TiO 2 ), strontium titanium oxide (eg, SrTiO 3 ), and the like are used as materials for forming the electron-transporting layer. These electron-transporting materials may be used singly or in combination of two or more.
  • Materials for forming these hole transport layer and electron transport layer are appropriately selected according to the configuration and characteristics of the display device 101 .
  • one display device may be configured by combining a plurality of the above light-emitting elements.
  • a display device that emits a plurality of colors can be configured by making the light emission colors of the light emitting layers different.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a laminated structure in the display device 102 of the second modified example.
  • the intermediate layer 4 in the display device 100 of Embodiment 1 includes three functional layers of the first charge transport layer 41, the light emitting layer 42a, and the second charge transport layer 43.
  • the first charge transport layer 41 the first charge transport layer 41
  • the light emitting layer 42a the light emitting layer 42a
  • the second charge transport layer 43 the second charge transport layer 43.
  • the second charge transport layer 43 is provided between the light emitting layer 42a and the counter electrode.
  • the second charge transport layer 43 transports the second charge from the counter electrode 5 to the light emitting layer 42a.
  • the second charge transport layer 42 is thicker in the portion corresponding to the first portion 4a than in the portion corresponding to the second portion 4b.
  • the light-emitting layer 42a is made of, for example, the same material as the light-emitting layer 42, but has a different shape.
  • the light-emitting layer 42a has substantially the same shape as the second portion 4b of the second charge transport layer 43 in plan view.
  • the first charge transport layer 41 and the second charge transport layer 43 can be a hole transport layer or an electron transport layer, respectively.
  • the first charges are holes
  • the second charges are electrons
  • the first charge transport layer 41 is a hole transport layer
  • the second charges are Transport layer 43 is an electron transport layer.
  • the first charge is an electron
  • the second charge is a hole
  • the first charge transport layer 41 is an electron transport layer
  • the second charge transport layer 41 is an electron transport layer.
  • the charge transport layer is the hole transport layer.
  • the hole-transporting layer and the electron-transporting layer can be, for example, one layer or multiple layers.
  • a layered structure having a layer having a hole-injecting ability closest to the anode can be mentioned.
  • the electron transport layer is multilayered, for example, a laminated structure having a layer having an electron injection ability closest to the cathode can be mentioned.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of the laminated structure of the display device 200 according to this embodiment.
  • a display device 200 is one pixel in the display device.
  • a display device can be configured by arranging a plurality of pixels in a matrix.
  • the display device 200 includes, for example, a red light emitting element 20R that emits red light, a green light emitting element 20G that emits green light, and a blue light emitting element 20B that emits blue light.
  • the red light emitting element 20R has an emission center wavelength of the first wavelength, and emits light at, for example, about 630 nm.
  • the green light emitting element 20G emits light at a second wavelength shorter than the first wavelength, such as about 530 nm, for example.
  • the blue light emitting element 20B emits light at a third wavelength, which is shorter than the second wavelength, such as about 440 nm, for example.
  • the substrate 21 is made of, for example, glass, and functions as a support that supports the above layers.
  • the substrate 21 may be, for example, a TFT array substrate on which TFTs (Thin Film Transistors) or the like are formed.
  • the red pixel electrode 23R is arranged on the substrate 21.
  • the red pixel electrode 23R is the same as the pixel electrode 3 in the first embodiment, for example.
  • the red light emitting layer 24R is arranged on the red pixel electrode 23R.
  • the red light emitting layer 24R has a first emission center wavelength and emits light at, for example, about 630 nm.
  • the red light-emitting layer 24R includes, for example, a red light-emitting material that emits light having a central emission wavelength of the first wavelength, for example, about 630 nm.
  • the red light-emitting material is the same as the light-emitting material in the first embodiment.
  • the red light emitting layer 24R includes a red light emitting layer portion 24Ra that overlaps with the end portion of the red pixel electrode 23R, and a red light emitting layer portion 24Rb that overlaps with the central portion of the red pixel electrode 23R.
  • the red light emitting layer portion 24Rb becomes a light emitting region of the red light emitting element 20R.
  • the laminate of the red light-emitting layer portion 24Ra and the blue light-emitting layer portion 24Bcr covers the end portion of the red pixel electrode 23R. Therefore, the red pixel electrode 23R is less likely to be peeled off. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portion of the red pixel electrode 23R, and it is possible to suppress the decrease in the light emitting area and the decrease in luminance in the red light emitting element 20R.
  • the green light emitting element 20G has the same configuration as the red light emitting element 20R. However, it differs in that the red light emitting layer 24R is changed to the green light emitting layer 24G.
  • the green light emitting element 20G has, for example, a structure in which a green pixel electrode 23G, a green light emitting layer 24G, a blue light emitting layer portion 24Bcg, and a counter electrode 5 are laminated on a substrate 21 in this order.
  • the green pixel electrode 23G is arranged on the substrate 21 .
  • the green pixel electrode 23G is, for example, the same as the red pixel electrode 23R.
  • the green light-emitting layer 24G is arranged on the green pixel electrode 23G.
  • the green light emitting layer 24G has a second emission center wavelength, and emits light at, for example, about 530 nm.
  • the green light-emitting layer 24G contains, for example, a green light-emitting material that emits light at, for example, about 530 nm, with an emission central wavelength of the second wavelength.
  • the green light-emitting material is the same as the light-emitting material in the first embodiment.
  • the green light-emitting layer 24G includes a green light-emitting layer portion 24Ga that overlaps with the end portion of the green pixel electrode 23G, and a green light-emitting layer portion 24Gb that overlaps with the central portion of the green pixel electrode 23G.
  • the green light emitting layer portion 24Gb becomes a light emitting region of the green light emitting element 20G.
  • the blue light emitting layer portion 24Bcg is arranged on the green light emitting layer 24G. More specifically, in the green light emitting element 20G, the blue light emitting layer portion 24Bcg is arranged on the green light emitting layer portion 24Ga. The blue light-emitting layer portion 24Bcg overlaps the end portion of the green pixel electrode 23G and the green light-emitting layer portion 24Ga.
  • functional layers are configured by the green light emitting layer 24G and the blue light emitting layer portion 24Bcg.
  • a laminate of the green light-emitting layer portion 24Ga and the blue light-emitting layer portion 24Bcg in the functional layer is stacked with the end portion of the green pixel electrode 23G and is thicker than the green light-emitting layer portion 24Gb. Therefore, it is possible to suppress current concentration at the edge of the green pixel electrode 23G in the green light emitting element 20G.
  • the laminate of the green light emitting layer portion 24Ga and the blue light emitting layer portion 24Bcg covers the edge of the green pixel electrode 23G. Therefore, peeling of the green pixel electrode 23G is less likely to occur. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portion of the green pixel electrode 23G, thereby suppressing the decrease in the light emitting area and the decrease in luminance in the green light emitting element 20G.
  • the counter electrode 5 is arranged on the green light emitting layer 24G and the blue light emitting layer 24B. More specifically, it is arranged on the green light emitting layer portion 24Gb in the green light emitting layer 24G and on the blue light emitting layer portion 24Bcg in the blue light emitting layer 24B arranged on the green light emitting layer portion 24Ga.
  • the blue light emitting element 20B has the same configuration as the red light emitting element 20R. However, it differs in that the red light emitting layer 24R is changed to the blue light emitting layer 24B.
  • the blue light emitting element 20B has, for example, a structure in which a blue pixel electrode 23B, a blue light emitting layer 24B, and a counter electrode 5 are laminated in this order on a substrate 21.
  • the blue pixel electrode 23B is arranged on the substrate 21.
  • the blue pixel electrode 23B is, for example, the same as the red pixel electrode 23R.
  • the blue light emitting layer 24B is arranged on the blue pixel electrode 23B.
  • the blue light-emitting layer 24B has a third emission center wavelength, and emits light at, for example, about 440 nm.
  • the blue light-emitting layer 24B contains, for example, a blue light-emitting material that emits light at a third wavelength, for example, about 440 nm.
  • the blue light-emitting material is the same as the light-emitting material in the first embodiment.
  • the blue light-emitting layer 24B overlaps the blue light-emitting layer portion 24Ba overlapping with the end portion of the blue pixel electrode 23B, the blue light-emitting layer portion 24Bb overlapping with the central portion of the blue pixel electrode 23B, and the end portion of the red pixel electrode 23R. It includes a blue light emitting layer portion 24Bcr and a blue light emitting layer portion 24Bcg that overlaps with the edge of the green pixel electrode 23G.
  • the blue light emitting layer portion 24Bb serves as a light emitting region of the blue light emitting element 20B.
  • the blue light emitting layer 24B constitutes a functional layer.
  • the blue light emitting layer portion 24Ba in the functional layer is thicker than the blue light emitting layer portion 24Bb. Therefore, it is possible to suppress current concentration at the end portion of the blue pixel electrode 23B in the blue light emitting element 20B.
  • the blue light-emitting layer portion 24Ba covers the end portion of the blue pixel electrode 23B, the blue pixel electrode 23B is less likely to be peeled off. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portions of the blue pixel electrode 23B, and it is possible to suppress the decrease in the light emitting area and the decrease in luminance in the blue light emitting element 20B.
  • the counter electrode 5 is arranged on the blue light emitting layer 24 . More specifically, it is arranged on the green light emitting layer portion 24Gb in the green light emitting layer 24G and on the blue light emitting layer portion 24Bcg in the blue light emitting layer 24B arranged on the green light emitting layer portion 24Ga.
  • the pixel electrode 23R for red, the pixel electrode 23G for green, and the pixel electrode 23B for blue are formed on the substrate 21, the pixel electrode 23R for red, the pixel electrode 23G for green, and the pixel electrode 23B for blue are formed.
  • the pixel electrode 23R for red, the pixel electrode 23G for green, and the pixel electrode 23B for blue can be formed by conventionally known various methods such as sputtering and vacuum deposition.
  • a red light emitting layer 24R is formed on the red pixel electrode 23R, and a green light emitting layer 24G is formed on the green pixel electrode 23G.
  • a photosensitive composition containing a red light-emitting material for forming the red light-emitting layer 24R is applied on the red pixel electrode 23R, and exposed and developed to form the red light-emitting layer 24R. be able to.
  • the red light-emitting layer 24R includes a red light-emitting layer portion 24Ra overlapping with the end portion of the red pixel electrode 23R and a red light-emitting layer portion 24Rb overlapping with the central portion of the red pixel electrode 23R.
  • the green light emitting layer 24G can be formed by applying a photosensitive composition containing a green light emitting material for forming the green light emitting layer 24G onto the green pixel electrode 23G, and exposing and developing.
  • the green light-emitting layer 24G includes a green light-emitting layer portion 24Ga that overlaps with the edge of the green pixel electrode 23G and a green light-emitting layer portion 24Gb that overlaps with the central portion of the green pixel electrode 23G.
  • a positive photosensitive blue light emitting layer 24B-0 is formed on the red light emitting layer 24R and the green light emitting layer 24G. Then, using a halftone mask 50, the formed positive photosensitive blue light emitting layer 24B-0 is exposed. Specifically, predetermined portions of the red light emitting element 20R and the green light emitting element 20G are exposed, and predetermined portions of the blue light emitting element 20B are halftone exposed. Due to this exposure, the predetermined portion of the blue light emitting element 20B is exposed less than the predetermined portion corresponding to the red light emitting element 20R and the green light emitting element 20G.
  • the blue light emitting layer 24B has an unexposed blue light emitting layer portion 24Ba, blue light emitting layer portions 24Bcr and 24Bcg, and a blue light emitting layer portion 24Bb corresponding to the halftone exposed portion.
  • the red light emitting element 20R a laminate of the red light emitting layer 24R and the blue light emitting layer 24B is formed.
  • the thickness of the layered body of the red light emitting layer portion 24Ra and the blue light emitting layer portion 24Bcr is greater than the thickness of the red light emitting layer portion 24Rb.
  • a blue light emitting layer 24B having a blue light emitting layer portion 24Ba and a blue light emitting layer portion 24Bb is formed as a functional layer. As described above, the thickness of the blue light emitting layer portion 24Ba is greater than the thickness of the blue light emitting layer portion 24Bb.
  • the blue light emitting layer 24B can be formed by one exposure and development. Further, even if the halftone mask 50 is displaced during halftone exposure, the area of the light emitting region of each light emitting element does not change because the area of the exposed region does not change.
  • the counter electrode 5 is formed on the blue light emitting layer 24B.
  • the counter electrode 5 can be formed by conventionally known various methods such as a sputtering method and a vacuum deposition method. Thereby, the display device 200 shown in FIG. 4 can be manufactured.
  • the positive photosensitive blue light emitting layer 24B-0 was used when forming the blue light emitting layer 24B, but a negative photosensitive blue light emitting layer may be used. At this time, the portions corresponding to the blue light emitting layer portions 24Bcr and 24Bcg are exposed, and the portion corresponding to the blue light emitting layer portion 24Bb is halftone exposed.
  • a display device can be configured by arranging a plurality of pixels (a plurality of light emitting elements) in a matrix.
  • the display device 300 is obtained by changing the light emitting elements 20R, 20G, and 20B of each color in the display device 200 of Embodiment 2 to light emitting elements 30R, 30G, and 30B having different lamination structures.
  • the red light emitting element 30R has, for example, a structure in which a red pixel electrode 23R, a red light emitting layer 24R, a green light emitting layer portion 24Gcr, a blue light emitting layer portion 24Bcr, and a counter electrode 5 are laminated in this order on a substrate 21.
  • the red pixel electrode 23R is arranged on the substrate 21.
  • the red light emitting layer 24R is arranged on the red pixel electrode 23R.
  • the red light emitting layer 24R includes a red light emitting layer portion 24Ra that overlaps with the end portion of the red pixel electrode 23R, and a red light emitting layer portion 24Rb that overlaps with the central portion of the red pixel electrode 23R.
  • the red light emitting layer portion 24Rb becomes a light emitting region of the red light emitting element 20R.
  • the green light emitting layer portion 24Gcr is arranged on the red light emitting layer 24R. More specifically, the green light emitting layer portion 24Gcr is part of the green light emitting layer 24G and overlaps the red light emitting layer portion 24Ra.
  • the red light emitting layer 24R constitutes a functional layer.
  • a laminate of the red light emitting layer portion 24Ra, the green light emitting layer portion 24Gcr, and the blue light emitting layer portion 24Bcr is stacked with the end portion of the red pixel electrode 23R and is thicker than the red light emitting layer portion 24Rb. Therefore, it is possible to suppress current concentration at the end portion of the red pixel electrode 23R.
  • the laminate of the red light emitting layer portion 24Ra, the green light emitting layer portion 24Gcr and the blue light emitting layer portion 24Bcr covers the end portion of the red pixel electrode 23R. Therefore, the red pixel electrode 23R is less likely to be peeled off. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portion of the red pixel electrode 23R, and it is possible to suppress the decrease in the light emitting area and the decrease in luminance in the red light emitting element 30R.
  • the counter electrode 5 is arranged on the red light emitting layer 24R, the green light emitting layer 24G and the blue light emitting layer 24B. More specifically, it is arranged on a laminate of the red light emitting layer portion 24Ra, the green light emitting layer portion 24Gcr and the blue light emitting layer portion 24Bcr.
  • the green light emitting element 30G has, for example, a structure in which a green pixel electrode 23G, a green light emitting layer 24G, a blue light emitting layer portion 24Bcg, and a counter electrode 5 are laminated on a substrate 21 in this order.
  • the green pixel electrode 23G is arranged on the substrate 21 .
  • the green light-emitting layer 24G is arranged on the green pixel electrode 23G.
  • the green light-emitting layer 24G includes a green light-emitting layer portion 24Ga overlapping with the edge of the green pixel electrode 23G and a green light-emitting layer portion 24Gb overlapping with the central portion of the green pixel electrode 23G.
  • the thickness of the green light emitting layer portion 24Ga is thicker than the thickness of the green light emitting layer portion 24Gb.
  • the green light emitting layer portion 24Gb becomes a light emitting region of the green light emitting element 20G.
  • the blue light emitting layer portion 24Bcg is arranged on the green light emitting layer 24G. More specifically, the blue light-emitting layer portion 24Bcg is part of the blue light-emitting layer 24B and is arranged on the green light-emitting layer portion 24Ga. The blue light emitting layer portion 24Bcg overlaps with the green light emitting layer portion 24Ga.
  • the green light emitting layer 24G constitutes a functional layer.
  • the green light emitting layer portion 24Ga in the functional layer is thicker than the green light emitting layer portion 24Gb. Therefore, it is possible to suppress current concentration at the edge of the green pixel electrode 23G in the green light emitting element 30G.
  • the laminate of the green light emitting layer portion 24Ga and the blue light emitting layer portion 24Bcg covers the edge of the green pixel electrode 23G. Therefore, the green pixel electrode 23G is less likely to be peeled off, and current concentration at the edge of the green pixel electrode 23G can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portion of the green pixel electrode 23G, thereby suppressing the decrease in the light emitting area and the decrease in luminance in the green light emitting element 30G.
  • the counter electrode 5 is arranged on the green light emitting layer 24G and the blue light emitting layer 24B. More specifically, it is arranged on the green light emitting layer portion 24Gb and on the blue light emitting layer portion 24Bcg arranged on the green light emitting layer portion 24Ga.
  • the blue light emitting element 30B has, for example, a structure in which a blue pixel electrode 23B, a green light emitting layer portion 24Gcb, a blue light emitting layer 24B, and a counter electrode 5 are laminated in this order on a substrate 21.
  • the blue pixel electrode 23B is arranged on the substrate 21.
  • the green light-emitting layer portion 24Gcb is arranged on the blue pixel electrode 23B.
  • the green light-emitting layer portion 24Gcb overlaps the edge of the blue pixel electrode 23B.
  • the blue light emitting layer 24B is arranged on the green light emitting layer portion 24Gcb and the blue pixel electrode 23B.
  • the blue light emitting layer 24B has a blue light emitting layer portion 24Ba and a blue light emitting layer portion 24Bb.
  • the blue light emitting layer portion 24Ba is arranged on the green light emitting layer portion 24G.
  • the blue light-emitting layer portion 24Ba overlaps with the end portion of the blue pixel electrode 23b.
  • the blue light-emitting layer portion 24Bb overlaps the central portion of the blue pixel electrode 23b.
  • the blue light emitting layer portion 24Bb serves as a light emitting region of the blue light emitting element 20B.
  • the laminate of the green light-emitting layer portion 24Gcb and the blue light-emitting layer portion 24Ba covers the end portion of the blue pixel electrode 23B. Therefore, the blue pixel electrode 23B is less likely to come off. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the edge portions of the blue pixel electrode 23B, and it is possible to suppress the decrease in the light emitting area and the decrease in luminance in the blue light emitting element 30B.
  • the counter electrode 5 is arranged on the blue light emitting layer 24B. More specifically, it is arranged on the blue light emitting layer portion 24Bb in the blue light emitting layer 24B and on the laminate of the green light emitting layer portion 24Gcb and the blue light emitting layer portion 24Ba.
  • the pixel electrode 23R for red, the pixel electrode 23G for green, and the pixel electrode 23B for blue are formed on the substrate 21, the pixel electrode 23R for red, the pixel electrode 23G for green, and the pixel electrode 23B for blue are formed.
  • the pixel electrode 23R for red, the pixel electrode 23G for green, and the pixel electrode 23B for blue can be formed by conventionally known various methods such as sputtering and vacuum deposition.
  • a predetermined portion of the blue light emitting element 30B of the positive photosensitive green light emitting layer 24G-0 is exposed and developed to remove a predetermined portion of the blue light emitting element 30B.
  • a photosensitive green light emitting layer 24G-1 is formed.
  • a positive photosensitive blue light emitting layer 24B-0 is formed on the positive photosensitive green light emitting layer 24G-1. Then, using a halftone mask 70, the positive photosensitive blue light emitting layer 24B-0 and the positive photosensitive green light emitting layer 24G-1 are exposed. Specifically, a predetermined portion of the red light emitting element 30R is exposed, and a predetermined portion of the green light emitting element 30G is halftone exposed. Due to this exposure, the predetermined portion of the green light emitting element 30G has a smaller amount of exposure than the predetermined portion of the red light emitting element 30R.
  • the exposure amount is adjusted to such an extent that the positive photosensitive blue light emitting layer 24B-0 is removed. Furthermore, for a predetermined portion of the green light emitting element 30G, the exposure amount is adjusted to the extent that a portion of the positive photosensitive green light emitting layer 24G-1 is removed.
  • a blue light emitting layer 24B and a green light emitting layer 24G are formed as shown in FIG. 7D.
  • the blue light emitting layer 24B includes an unexposed blue light emitting layer portion 24Bb and blue light emitting layer portions 24Bcr and 24Bcg.
  • the green light-emitting layer 24G includes unexposed green light-emitting layer portions 24Ga and 24Gcr and a halftone-exposed green light-emitting layer portion 24Gb.
  • the green light emitting layer portions 24Ga and 24Gcr are thicker than the green light emitting layer portion 24Gb.
  • the red light emitting element 30R a laminate of the red light emitting layer 24R, the green light emitting layer portion 24Gcr, and the blue light emitting layer portion 24Bcr is formed.
  • the laminate of the red light emitting layer portion 24a, the green light emitting layer portion 24Gcr, and the blue light emitting layer portion 24Bcr overlaps the end portion of the red pixel electrode 23R.
  • the green light emitting layer portion 24Gcr and the blue light emitting layer portion 24Bcr are formed by one exposure and development. It is possible to align the area to be treated. Therefore, when a plurality of pixels are formed at the same time, it is easy to keep the area of the light emitting region in each pixel constant, and the yield in manufacturing the display device can be improved.
  • a green light emitting layer 24G is formed as a functional layer.
  • the laminate of the green light emitting layer portion 24Gcb and the blue light emitting layer portion 24Bcg overlaps the edge of the green pixel electrode 23G.
  • the green light emitting layer portion 24Ga and the blue light emitting layer portion 24Bcg are formed by one exposure and development. It is possible to align the area to be treated. Therefore, when a plurality of pixels are formed at the same time, it is easy to keep the area of the light emitting region in each pixel constant, and the yield in manufacturing the display device can be improved.
  • the blue light emitting element 30B a laminate of a green light emitting layer 24G and a blue light emitting layer 24B is formed.
  • the laminate of the green light emitting layer 24Gcb and the blue light emitting layer portion 24Ba overlaps the edge of the blue pixel electrode 23B.
  • the blue light emitting element 30B can be easily manufactured by only forming the blue light emitting layer 24B after forming the green light emitting layer portion 24Gcb.
  • the counter electrode 5 is formed on the blue light emitting layer 24B.
  • the counter electrode 5 can be formed by conventionally known various methods such as a sputtering method and a vacuum deposition method. Thereby, the display device 300 shown in FIG. 6 can be manufactured.
  • the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, but has substantially the same configuration as the configuration shown in the above-described embodiment, a configuration having the same effect, or a configuration capable of achieving the same purpose. may be replaced.
  • the light-emitting layer serves as a functional layer in a first portion that overlaps with the end portion of the pixel electrode and a second portion that overlaps with the central portion of the pixel electrode. and the thickness of the first portion is thicker than the thickness of the second portion, but the charge transport layer is used as a functional layer instead of or together with the light emitting layer to have the thickness of the first portion.
  • the thickness may be formed to be thicker than the thickness of the second portion.
  • a light-emitting material is included as a functional material for exerting the function of the functional layer, but when the functional layer is a charge-transporting layer, a charge-transporting material is included as the functional material.
  • the functional layer is formed by halftone exposure to form the first portion and the second portion thicker than the first portion.
  • a lift-off method using For example, in Embodiment 3, when the blue light emitting layer 24B is lifted off in the red pixel and the green pixel, the blue light emitting layer 24B does not need to contain a photosensitive material.
  • the red light emitting element, the green light emitting element, and the blue light emitting element are formed in this order, but the order in which the light emitting elements are formed is not limited to this order.
  • the red light-emitting layer may be formed after forming the blue light-emitting layer, or the red light-emitting layer may be formed on the blue light-emitting layer.
  • the wavelength of the light-emitting layer formed first is the first wavelength
  • the wavelength of the light-emitting layer formed second is the second wavelength
  • the wavelength of the light-emitting layer formed third is the third wavelength.
  • the first wavelength, the second wavelength, and the third wavelength is also changed.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

表示装置は、画素電極と、前記画素電極の上層に設けられた対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた機能層と、を含み、前記機能層は、前記画素電極の端部と重なる第１部分と、前記画素電極の中央部と重なる第２部分と、を有し、前記第１部分の厚さは、前記第２部分の厚さよりも厚い。

Description

表示装置、表示装置の製造方法
　本開示は、表示装置、表示装置の製造方法に関する。
　例えば、特許文献１には、第１画素電極全体に重なる第１発光層を有する第１画素と、第１画素と隣接し、第２画素電極全体に重なる第２発光層を有する第２画素と、を有し、第１画素電極の端部に第２発光層が重なる表示装置が開示されている。
国際公開ＷＯ２０２０／０４９７３８号公報
　しかしながら、特許文献１においては、例えば、パターニングされた第１発光層上で、第２発光層をパターニングすることにより表示装置が製造されるため、第２発光層における第１画素電極の端部と重なる部分がずれる場合がある。これにより、第１画素電極の端部をカバーできず、第１画素電極の端部に電流集中が起こり、表示装置が劣化する可能性があった。
　本開示の主な目的は、劣化を抑制することができる表示装置および表示装置の製造方法を提供することにある。
　本開示における一形態の表示装置は、画素電極と、前記画素電極の上層に設けられた対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた機能層と、を含み、前記機能層は、前記画素電極の端部と重なる第１部分と、前記画素電極の中央部と重なる第２部分と、を有し、前記第１部分の厚さは、前記第２部分の厚さよりも厚い。
　本開示における一形態の表示装置の製造方法は、画素電極と、前記画素電極の上層に設けられた対向電極との間に機能層が設けられた表示装置の製造方法であって、ａ）画素電極上に、機能材料を含む感光性組成物層を形成する工程と、ｂ）前記感光性組成物層を露光、現像し、前記画素電極の端部と重なる第１部分と、前記画素電極の中央部と重なる第２部分と、を有する前記機能層を形成する工程と、を含み、前記第１部分の厚さは、前記第２部分の厚さよりも厚い。
　さらに、本開示における別の形態の表示装置の製造方法は、第１画素電極および第２画素電極を含む複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上層に設けられた対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に設けられ、第１発光材料を含む第１発光層および第２発光材料を含む第２発光層を含む発光層と、を含む表示装置の製造方法であって、ａ）前記複数の画素電極上に、前記第１発光材料を含む第１感光性組成物層を形成した後、露光、現像して、前記第１画素電極の端部と重なる第１の第１発光層部および前記第１画素電極の中央部と重なる第１の第２発光層部を含む第１発光層を形成する工程と、ｂ）前記第１発光層上に、前記第２発光材料を含む第２感光性組成物層を形成した後、露光、現像して、前記第１画素電極の端部および前記第１の第１発光層部と重なる第２の第１発光層部および前記第２画素電極の中央部と重なる第２の第２発光層部を含む第２発光層を形成する工程と、を含み、前記第１の第１発光層部と前記第２の第１発光層部とを合わせた厚さは、前記第１の第２発光層部の厚さよりも厚い。
実施形態１にかかる表示装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 第１変形例にかかる表示装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 第２変形例にかかる表示装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態２にかかる表示装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態２に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。 実施形態２に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。 実施形態２に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。 実施形態３にかかる表示装置の積層構造の一例を模式的に示す図である。 実施形態３に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。 実施形態３に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。 実施形態３に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。 実施形態３に係る表示装置の製造方法の一例における工程を説明するための図である。
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。以下に説明する実施形態は、本開示の単なる例示である。本開示は、下記の実施形態に何ら限定されない。
　〔実施形態１〕
　図１は、本実施形態に係る表示装置１００の積層構造の一例を模式的に示す図である。
　表示装置１００は、光を出射する装置である。表示装置１００は、例えば、白色光等の光を出射する照明装置（例えば、バックライト等）であってもよいし、光を出射することにより画像（例えば、文字情報等を含む。）を表示する表示装置であってもよい。本実施形態では、表示装置１００が、表示装置における１つの画素を１つの発光素子で構成する例について説明する。例えば、複数の画素をマトリクス状に配列することにより表示装置を構成することができる。
　図１に示すように、表示装置１００は、例えば、基板１上に，絶縁層２、画素電極３、中間層４、対向電極５が順に積層された構造を有する。図１では１つの画素（１つの発光素子に対応する）が示されており、表示装置１００は少なくとも１つの発光素子を含む。
　基板１は、例えばガラス等からなり、上記各層を支持する支持体として機能する。基板１上には、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子６が設けられている。
　絶縁層２は、基板１上に設けられている、絶縁層２は、スイッチング素子６が設けられた基板１の上面を平坦化する。絶縁層２には、コンタクトホール７が設けられている。なお、スイッチング素子６および絶縁層２が形成された基板１をアレイ基板ということができる。
　画素電極３は、絶縁層２上に設けられている。画素電極３は、コンタクトホール７を介して、スイッチング素子６と接続されている。つまり、コンタクトホール７には、画素電極３が設けられている。さらに、コンタクトホール７に設けられた画素電極３上には絶縁体８が設けられていることが好ましい。言い換えれば、コンタクトホール７は、絶縁部として絶縁体８で充填されている。この絶縁体８により、画素電極３が形成された面が平坦化され、画素電極３上に形成される各層、特に中間層４をより平坦に形成することができる。さらに、絶縁体８により、コンタクトホール７付近における電流集中を抑制することができる。
　対向電極５は、画素電極３の上層に設けられている。対向電極５は、画素電極３と対向する。
　画素電極３および対向電極５は、例えば、金属や透明導電性酸化物等の導電材料により構成される。上記金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。上記透明導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ホウ素亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ｂ（ＢＺＯ））等が挙げられる。なお、画素電極３および対向電極５は、例えば、少なくとも１層の金属層および／または少なくとも１層の透明導電性酸化物層を含む積層体であってもよい。
　対向電極５は、例えば、光透過性材料を用いることができる。光透過性材料としては、例えば、透明な導電性材料を用いることができる。光透過性材料としては、具体的には、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）等を用いることができる。これらの材料は可視光の透過率が高いため、発光素子の発光効率が向上する。
　画素電極３は、例えば、光反射性材料を用いることができる。光反射性材料としては、例えば、金属材料を用いることができる。光反射性材料としては、具体的には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を用いることができる。これらの材料は、可視光の反射率が高いため、発光効率が向上する。
　中間層４は、画素電極３と対向電極５との間に設けられている。中間層４は、少なくとも１層の機能層を含む。表示装置１００では中間層４が１層の機能層からなり、機能層が発光層である。機能層は少なくとも発光領域の一部を含む領域に形成される。発光層は、画素電極３から供給された第１電荷および対向電極５から供給された第２電荷により発光する。これにより、発光素子は発光する。なお、第２電荷は、第１電荷と逆の極性を有する。
　中間層４に含まれる少なくとも１層の機能層は、第１部分４ａ、第２部分４ｂを含む。第１部分４ａの厚さは、第２部分４ｂの厚さよりも厚い。
　第１部分４ａは、例えば、画素電極３の端部の上層に設けられている。つまり、第１部分４ａは、平面視で画素電極３の端部と重なる。また、第１部分４ａは、画素電極３の端部を覆うように設けられている。
　第２部分４ｂは、例えば、画素電極３の中央部の上層に設けられている。つまり、第２部分４ｂは、平面視で画素電極３の中央部と重なる。
　発光素子が発光する際、第２部分４ｂが発光領域となり、第１部分４ａが非発光領域又は発光させることを意図していない領域となる。第１部分４ａは、膜厚が厚く、画素電極３および対向電極５から電荷が供給されにくくなるために非発光領域となる。上記のとおり、第１部分４ａの厚さが第２部分４ｂの厚さよりも厚いため、画素電極３の端部への電流集中を抑制することができる。さらに、画素電極３は、端部が第１部分４ａで覆われているため、剥がれが起こりにくくなる。これにより、画素電極３の端部における劣化を抑制することができ、発光素子における発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　さらに、第１部分４ａは、コンタクトホール７および絶縁体８と重なることが好ましい。これにより、コンタクトホール７付近における電流集中を抑制することができる。
　ここで、一例として、機能層が発光層である場合について説明する。
　発光層は、発光材料を含む。発光材料としては、例えば、量子ドット等が挙げられる。量子ドットは、例えば、１００ｎｍ以下の粒子サイズを有する半導体微粒子であり、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等のＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、及び／又は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等のＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の結晶、及び／又は、Ｓｉ、Ｇｅ等のＩＶ族半導体化合物の結晶を有することができる。また、量子ドットは、例えば、上記の半導体結晶をコアとして、当該コアをバンドギャップの高いシェル材料でオーバーコートしたコア／シェル構造を有していてもよい。
　機能層としての発光層は、例えば、発光材料を含む感光性組成物を用いて形成することができる。上記機能層としての発光層の形成方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
　まず、画素電極３、絶縁体８上、発光材料を含む感光性組成物を塗布、乾燥させることにより、感光性組成物層を形成する。
　ついで、感光性組成物層を露光、現像し、第１部分４ａに相当する画素電極３の端部と重なる第１発光層部と、第２部分４ｂに相当する画素電極の中央部と重なる第２発光層部と、を有する発光層を形成する。
　より具体的には、例えば、感光性組成物層を、第１部分４ａ、第２部分４ｂに相当する部分とで露光量を調整したハーフトーン露光し、現像を行う。例えば、上記感光性組成物がネガ型感光性組成物である場合、第１部分４ａに相当する部分の露光量を、第２部分４ｂに相当する部分の露光量よりも多くする。また、例えば、上記感光性組成物がポジ型感光性組成物である場合、第１部分４ａに相当する部分の露光量を、第２部分４ｂに相当する部分の露光量よりも少なくする。これにより、第１部分４ａの厚さを、第２部分４ｂの厚さよりも厚くすることができる。
　中間層４は、１層の機能層からなる場合に限られない。以下、中間層４の他の例について、図２、３に基づいて説明する。
＜第１変形例＞
　図２は、第１変形例の表示装置１０１における積層構造を模式的に示す図である。
　第1変形例の表示装置１０１は、実施形態１の表示装置１００において、中間層４が第１電荷輸送層４１及び発光層４２を機能層として含む例である。発光層４２は、表示装置１００の機能層である発光層と同様である。
　第１電荷輸送層４１は、画素電極３と発光層４２との間に設けられている。第１電荷輸送層４１は、画素電極３からの第１電荷を発光層４２に輸送する。
　第１電荷輸送層４１は、正孔輸送層または電子輸送層となり得る。例えば、画素電極３が陽極、対向電極５が陰極の場合、第１電荷が正孔であり、第２電荷が電子であり、第１電荷輸送層４１は正孔輸送層である。また、例えば、画素電極３が陰極、対向電極５が陽極の場合、第１電荷が電子であり、第２電荷が正孔であり、第１電荷輸送層４１が電子輸送層である。例えば、正孔輸送層および電子輸送層は、１層でも多層でもよい。正孔輸送層が多層である場合、例えば、最も陽極側に、正孔注入能を有する層を有する積層構造が挙げられる。また、電子輸送層が多層である場合、例えば、最も陰極側に、電子注入能を有する層を有する積層構造が挙げられる。
　正孔輸送層を形成する材料としては、例えば、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちのいずれか１つ以上を含む酸化物、窒化物、または炭化物からなる群から選択される一種以上を含む材料や、４,４´，４´´－トリス（９－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４´－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］－ビフェニル（ＮＰＢ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰＣ）、ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４´－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴＣＮ）、ＭｏＯ３などの材料や、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（２，７－（９,９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン）－（１，４－フェニレン－（（４－第２ブチルフェニル）イミノ）－１，４－フェニレン（ＴＦＢ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸)（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）などの正孔輸送性有機材料等が挙げられる。これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
　電子輸送層を形成する材料としては、例えば、酸化亜鉛（例えばＺｎＯ）、酸化チタン（例えばＴｉＯ２）、酸化ストロンチウムチタン（例えばＳｒＴｉＯ３）等の電子輸送性材料が用いられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜、二種類以上を混合して用いてもよい。
　これらの正孔輸送層および電子輸送層を形成する材料は、表示装置１０１の構成や特性に応じて、適宜選択される。
　また、複数の上記発光素子を組み合わせて１つの表示装置を構成してもよい。その際、発光層における発光色の異ならせることにより、複数の色を発する表示装置を構成することもできる。
＜第２変形例＞
　図３は、第２変形例の表示装置１０２における積層構造を模式的に示す図である。
　第２変形例の表示装置１０２は、実施形態１の表示装置１００において、中間層４が、第１電荷輸送層４１、発光層４２ａ、及び第２電荷輸送層４３の３層の機能層を含む例である。
　第２電荷輸送層４３は、発光層４２ａと対向電極との間に設けられている。第２電荷輸送層４３は、対向電極５からの第２電荷を発光層４２ａに輸送する。さらに、第２電荷輸送層４２は、第１部分４ａに相当する部分の厚さが、第２部分４ｂに相当する部分の厚さよりも厚い。
　発光層４２ａは、例えば発光層４２と同様の材料により形成されるが、形状が異なる。発光層４２ａは、第２電荷輸送層４３における第２部分４ｂと平面視でほぼ同じ形状となっている。
　第１電荷輸送層４１および第２電荷輸送層４３は、それぞれ正孔輸送層または電子輸送層となり得る。例えば、画素電極３が陽極、対向電極５が陰極の場合、第１電荷が正孔であり、第２電荷が電子であり、第１電荷輸送層４１は正孔輸送層であり、第２電荷輸送層４３は電子輸送層である。また、例えば、画素電極３が陰極、対向電極５が陽極の場合、第１電荷が電子であり、第２電荷が正孔であり、第１電荷輸送層４１が電子輸送層であり、第２電荷輸送層が正孔輸送層である。正孔輸送層および電子輸送層は、例えば、１層でも多層でもよい。正孔輸送層が多層である場合、例えば、最も陽極側に、正孔注入能を有する層を有する積層構造が挙げられる。また、電子輸送層が多層である場合、例えば、最も陰極側に、電子注入能を有する層を有する積層構造が挙げられる。
　〔実施形態２〕
　図４は、本実施形態に係る表示装置２００の積層構造の一例を模式的に示す図である。
　本実施形態では、表示装置２００が、表示装置における１つの画素である例について説明する。例えば、複数の画素をマトリクス状に配列することにより表示装置を構成することができる。
　図４に示すように、表示装置２００は、例えば、赤色に発光する赤色発光素子２０Ｒ、緑色に発光する緑色発光素子２０Ｇ、青色に発光する青色発光素子２０Ｂを含む。赤色発光素子２０Ｒは、発光中心波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する。緑色発光素子２０Ｇは、発光中心波長が第１波長よりも短波長である第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する。青色発光素子２０Ｂは、発光中心波長が第２波長よりも短波長である第３波長であり、例えば、約４４０ｎｍで発光する。
　赤色発光素子２０Ｒは、例えば、基板２１上に、赤色用画素電極２３Ｒ、赤色発光層２４Ｒ、青色発光層部２４Ｂｃｒ、対向電極５がこの順番で積層された構造を有する。
　基板２１は、例えばガラス等からなり、上記各層を支持する支持体として機能する。基板２１は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等が形成されたＴＦＴアレイ基板であってよい。
　赤色用画素電極２３Ｒは、基板２１上に配される。赤色用画素電極２３Ｒは、例えば、実施形態１における画素電極３と同様である。
　赤色発光層２４Ｒは、赤色用画素電極２３Ｒ上に配される。赤色発光層２４Ｒは、発光中心波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する。赤色発光層２４Ｒは、例えば、発光中心波長が第１波長であり、例えば約６３０ｎｍで発光する赤色発光材料を含む。赤色発光材料は、実施形態１における発光材料と同様である。
　赤色発光層２４Ｒは、赤色用画素電極２３Ｒの端部と重なる赤色発光層部２４Ｒａと、赤色用画素電極２３Ｒの中央部と重なる赤色発光層部２４Ｒｂと、を含む。赤色発光層部２４Ｒｂは、赤色発光素子２０Ｒの発光領域となる。
　青色発光層部２４Ｂｃｒは、赤色発光層２４Ｒ上に配される。より具体的には、赤色発光素子２０Ｒにおいては、青色発光層２４Ｂの一部である青色発光層部２４Ｂｃｒが配されている。青色発光層部２４Ｂｃｒは、赤色用画素電極２３Ｒの端部および赤色発光層部２４Ｒａと重なっている。
　赤色発光素子２０Ｒにおいては、赤色発光層２４Ｒにより、機能層が構成されている。そして、青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体は、赤色用画素電極２３Ｒの端部と積層され、赤色発光層部２４Ｒｂよりも厚くなっている。そのため、赤色用画素電極２３Ｒの端部への電流集中を抑制することができる。
　さらに、赤色発光層部２４Ｒａおよび青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体は、赤色用画素電極２３Ｒの端部を覆っている。そのため、赤色用画素電極２３Ｒは、剥がれが起こりにくくなる。これにより、赤色用画素電極２３Ｒの端部における劣化を抑制することができ、赤色発光素子２０Ｒにおいて、発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　対向電極５は、赤色発光層２４Ｒおよび青色発光層２４Ｂ上に配される。より具体的には赤色発光層２４Ｒにおける赤色発光層部２４Ｒｂ上、および赤色発光層部２４Ｒａと青色発光層部２４Ｂｃｒとの積層体上に配される。
　続いて、緑色発光素子２０Ｇについて説明する。
　緑色発光素子２０Ｇは、赤色発光素子２０Ｒと同様の構成である。ただし、赤色発光層２４Ｒを緑色発光層２４Ｇに変更した点で異なる。
　緑色発光素子２０Ｇは、例えば、基板２１上に、緑色用画素電極２３Ｇ、緑色発光層２４Ｇ、青色発光層部２４Ｂｃｇ、対向電極５がこの順番で積層された構造を有する。
　緑色用画素電極２３Ｇは、基板２１上に配される。緑色用画素電極２３Ｇは、例えば、赤色用画素電極２３Ｒと同様である。
　緑色発光層２４Ｇは、緑色用画素電極２３Ｇ上に配される。緑色発光層２４Ｇは、発光中心波長が第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する。緑色発光層２４Ｇは、例えば、発光中心波長が第２波長であり、例えば約５３０ｎｍで発光する緑色発光材料を含む。緑色発光材料は、実施形態１における発光材料と同様である。
　緑色発光層２４Ｇは、緑色用画素電極２３Ｇの端部と重なる緑色発光層部２４Ｇａと、緑色用画素電極２３Ｇの中央部と重なる緑色発光層部２４Ｇｂと、を含む。緑色発光層部２４Ｇｂは、緑色発光素子２０Ｇの発光領域となる。
　青色発光層部２４Ｂｃｇは、緑色発光層２４Ｇ上に配される。より具体的には、緑色発光素子２０Ｇにおいては、青色発光層部２４Ｂｃｇが緑色発光層部２４Ｇａ上に配されている。青色発光層部２４Ｂｃｇは、緑色用画素電極２３Ｇの端部および緑色発光層部２４Ｇａと重なっている。
　緑色発光素子２０Ｇにおいては、緑色発光層２４Ｇおよび青色発光層部２４Ｂｃｇにより、機能層が構成されている。そして、機能層における緑色発光層部２４Ｇａおよび青色発光層部２４Ｂｃｇの積層体は、緑色用画素電極２３Ｇの端部と積層され、緑色発光層部２４Ｇｂよりも厚くなっている。そのため、緑色発光素子２０Ｇにおける緑色用画素電極２３Ｇの端部への電流集中を抑制することができる。
　さらに、緑色発光層部２４Ｇａおよび青色発光層部２４Ｂｃｇの積層体は、緑色用画素電極２３Ｇの端部を覆っている。そのため、緑色用画素電極２３Ｇは、剥がれが起こりにくくなる。これにより、緑色用画素電極２３Ｇの端部における劣化を抑制することができ、緑色発光素子２０Ｇにおいて、発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　対向電極５は、緑色発光層２４Ｇおよび青色発光層２４Ｂ上に配される。より具体的には緑色発光層２４Ｇにおける緑色発光層部２４Ｇｂ上、および緑色発光層部２４Ｇａ上に配された青色発光層２４Ｂにおける青色発光層部２４Ｂｃｇ上に配される。
　続いて、青色発光素子２０Ｂについて説明する。
　青色発光素子２０Ｂは、赤色発光素子２０Ｒと同様の構成である。ただし、赤色発光層２４Ｒを青色発光層２４Ｂに変更した点で異なる。
　青色発光素子２０Ｂは、例えば、基板２１上に、青色用画素電極２３Ｂ、青色発光層２４Ｂ、対向電極５がこの順番で積層された構造を有する。
　青色用画素電極２３Ｂは、基板２１上に配される。青色用画素電極２３Ｂは、例えば、赤色用画素電極２３Ｒと同様である。
　青色発光層２４Ｂは、青色用画素電極２３Ｂ上に配される。青色発光層２４Ｂは、発光中心波長が第３波長であり、例えば約４４０ｎｍで発光する。青色発光層２４Ｂは、例えば、発光中心波長が第３波長であり、例えば約４４０ｎｍで発光する青色発光材料を含む。青色発光材料は、実施形態１における発光材料と同様である。
　青色発光層２４Ｂは、青色用画素電極２３Ｂの端部と重なる青色発光層部２４Ｂａと、青色用画素電極２３Ｂの中央部と重なる青色発光層部２４Ｂｂと、赤色用画素電極２３Ｒの端部と重なる青色発光層部２４Ｂｃｒと、緑色用画素電極２３Ｇの端部と重なる青色発光層部２４Ｂｃｇと、を含む。青色発光層部２４Ｂｂは、青色発光素子２０Ｂの発光領域となる。
　青色発光素子２０Ｂにおいては、青色発光層２４Ｂにより、機能層が構成されている。そして、機能層における青色発光層部２４Ｂａは、青色発光層部２４Ｂｂよりも厚くなっている。そのため、青色発光素子２０Ｂにおける青色用画素電極２３Ｂの端部への電流集中を抑制することができる。
　さらに、青色発光層部２４Ｂａは、青色用画素電極２３Ｂの端部を覆っているため、青色用画素電極２３Ｂは、剥がれが起こりにくくなる。これにより、青色用画素電極２３Ｂの端部における劣化を抑制することができ、青色発光素子２０Ｂにおいて、発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　対向電極５は、青色発光層２４上に配される。より具体的には緑色発光層２４Ｇにおける緑色発光層部２４Ｇｂ上、および緑色発光層部２４Ｇａ上に配された青色発光層２４Ｂにおける青色発光層部２４Ｂｃｇ上に配される。
　以下に、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法の一例について、図４、図５Ａ～図５Ｃを参照して説明する。
　まず、基板２１上に、赤色用画素電極２３Ｒ、緑色用画素電極２３Ｇ、青色用画素電極２３Ｂを形成する。赤色用画素電極２３Ｒ、緑色用画素電極２３Ｇ、青色用画素電極２３Ｂは、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、従来公知の各種方法により形成することができる。
　次いで、図５Ａに示すように、赤色用画素電極２３Ｒ上に赤色発光層２４Ｒを、緑色用画素電極２３Ｇ上に緑色発光層２４Ｇを形成する。具体的には、例えば、赤色発光層２４Ｒを形成するための赤色発光材料を含む感光性組成物を赤色用画素電極２３Ｒ上に塗布し、露光・現像することにより、赤色発光層２４Ｒを形成することができる。赤色発光層２４Ｒは、赤色用画素電極２３Ｒの端部と重なる赤色発光層部２４Ｒａおよび赤色用画素電極２３Ｒの中央部と重なる赤色発光層部２４Ｒｂを含む。
　同様に、緑色発光層２４Ｇを形成するための緑色発光材料を含む感光性組成物を緑色用画素電極２３Ｇ上に塗布し、露光・現像することにより、緑色発光層２４Ｇを形成することができる。緑色発光層２４Ｇは、緑色用画素電極２３Ｇの端部と重なる緑色発光層部２４Ｇａおよび緑色用画素電極２３Ｇの中央部と重なる緑色発光層部２４Ｇｂを含む。
　次いで、図５Ｂに示すように、赤色発光層２４Ｒおよび緑色発光層２４Ｇ上にポジ型感光性青色発光層２４Ｂ－０を形成する。そして、ハーフトーンマスク５０を用いて、形成したポジ型感光性青色発光層２４Ｂ－０を露光する。具体的には、赤色発光素子２０Ｒおよび緑色発光素子２０Ｇにおける所定の部分を露光するとともに、青色発光素子２０Ｂにおける所定の部分をハーフトーン露光する。この露光により、青色発光素子２０Ｂの所定の部分は、赤色発光素子２０Ｒおよび緑色発光素子２０Ｇに対応する所定の部分に比べて少ない露光量となる。
　露光後、現像することにより、図５Ｃに示すように、青色発光層２４Ｂを形成する。青色発光層２４Ｂは、露光されていない青色発光層部２４Ｂａおよび青色発光層部２４Ｂｃｒ・２４Ｂｃｇ、ハーフトーン露光された部分に相当する青色発光層部２４Ｂｂと、を有する。
　これにより、赤色発光素子２０Ｒにおいては、赤色発光層２４Ｒと青色発光層２４Ｂの積層体が形成される。そして、赤色発光素子２０Ｒにおいては、赤色発光層部２４Ｒａと青色発光層部２４Ｂｃｒとの積層体の厚さは、赤色発光層部２４Ｒｂの厚さよりも厚くなる。
　また、緑色発光素子２０Ｇにおいては、緑色発光層２４Ｇと青色発光層２４Ｂの積層体が形成される。そして、緑色発光素子２０Ｇにおいては、緑色発光層部２４Ｇａと青色発光層部２４Ｂｃｇとの積層体の厚さは、緑色発光層部２４Ｇｂの厚さよりも厚くなる。
　さらに、青色発光素子２０Ｂにおいては、機能層としての、青色発光層部２４Ｂａと青色発光層部２４Ｂｂを有する青色発光層２４Ｂが形成される。上記のとおり、青色発光層部２４Ｂａの厚さは、青色発光層部２４Ｂｂの厚さよりも厚くなる。
　上記のように、ハーフトーン露光を行っているため、青色発光層２４Ｂを１回の露光・現像で形成することができる。また、ハーフトーン露光の際に、ハーフトーンマスク５０がずれたとしても、露光領域の面積が変わらないため、各発光素子における発光領域の面積が変わらなくすることができる。
　続いて、青色発光層２４Ｂ上に対向電極５を形成する。対向電極５は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、従来公知の各種方法により形成することができる。これにより、図４に示す表示装置２００を製造することができる。
　なお、上記では、青色発光層２４Ｂを形成する際に、ポジ型感光性青色発光層２４Ｂ－０を用いたが、ネガ型で感光性青色発光層を用いてもよい。この際、青色発光層部２４Ｂｃｒ・２４Ｂｃｇに相当する部分を露光し、青色発光層部２４Ｂｂに相当する部分をハーフトーン露光すればよい。
　〔実施形態３〕
　図６は、本実施形態に係る表示装置３００の積層構造の一例を模式的に示す図である。
　本実施形態では、１つの発光素子が、表示装置における１つの画素を構成する例について説明する。例えば、表示装置は、複数の画素（複数の発光素子）をマトリクス状に配列することにより構成することができる。
　表示装置３００は、実施形態２における表示装置２００における各色の発光素子２０Ｒ・２０Ｇ・２０Ｂを、積層構造が異なる発光素子３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂに変更したものである。
　赤色発光素子３０Ｒは、例えば、基板２１上に、赤色用画素電極２３Ｒ、赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層部２４Ｇｃｒ、青色発光層部２４Ｂｃｒ、対向電極５がこの順番で積層された構造を有する。
　赤色用画素電極２３Ｒは、基板２１上に配される。
　赤色発光層２４Ｒは、赤色用画素電極２３Ｒ上に配される。赤色発光層２４Ｒは、赤色用画素電極２３Ｒの端部と重なる赤色発光層部２４Ｒａと、赤色用画素電極２３Ｒの中央部と重なる赤色発光層部２４Ｒｂと、を含む。赤色発光層部２４Ｒｂは、赤色発光素子２０Ｒの発光領域となる。
　緑色発光層部２４Ｇｃｒは、赤色発光層２４Ｒ上に配される。より具体的には、緑色発光層部２４Ｇｃｒは、緑色発光層２４Ｇの一部であり、赤色発光層部２４Ｒａと重なっている。
　青色発光層部２４Ｂｃｒは、緑色発光層部２４Ｇｃｒおよび赤色発光層２４Ｒ上に配される。より具体的には、青色発光層部２４Ｂｃｒは、青色発光層２４Ｂの一部であり、緑色発光層部２４Ｇｃｒ、赤色発光層部２４Ｒａと重なっている。
　赤色発光素子３０Ｒにおいては、赤色発光層２４Ｒにより、機能層が構成されている。そして、赤色発光層部２４Ｒａ、緑色発光層部２４Ｇｃｒおよび青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体は、赤色用画素電極２３Ｒの端部と積層され、赤色発光層部２４Ｒｂよりも厚くなっている。そのため、赤色用画素電極２３Ｒの端部への電流集中を抑制することができる。
　さらに、赤色発光層部２４Ｒａ、緑色発光層部２４Ｇｃｒおよび青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体は、赤色用画素電極２３Ｒの端部を覆っている。そのため、赤色用画素電極２３Ｒは、剥がれが起こりにくくなる。これにより、赤色用画素電極２３Ｒの端部における劣化を抑制することができ、赤色発光素子３０Ｒにおいて、発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　対向電極５は、赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層２４Ｇおよび青色発光層２４Ｂ上に配される。より具体的には、赤色発光層部２４Ｒａ、緑色発光層部２４Ｇｃｒおよび青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体上に配される。
　続いて、緑色発光素子３０Ｇについて説明する。
　緑色発光素子３０Ｇは、例えば、基板２１上に、緑色用画素電極２３Ｇ、緑色発光層２４Ｇ、青色発光層部２４Ｂｃｇ、対向電極５がこの順番で積層された構造を有する。
　緑色用画素電極２３Ｇは、基板２１上に配される。
　緑色発光層２４Ｇは、緑色用画素電極２３Ｇ上に配される。緑色発光層２４Ｇは、緑色用画素電極２３Ｇの端部と重なる緑色発光層部２４Ｇａと、緑色用画素電極２３Ｇの中央部と重なる緑色発光層部２４Ｇｂと、を含む。また、例えば、緑色発光層部２４Ｇａの厚さは、緑色発光層部２４Ｇｂの厚さよりも厚い。緑色発光層部２４Ｇｂは、緑色発光素子２０Ｇの発光領域となる。
　青色発光層部２４Ｂｃｇは、緑色発光層２４Ｇ上に配される。より具体的には、青色発光層部２４Ｂｃｇは、青色発光層２４Ｂの一部であり、緑色発光層部２４Ｇａ上に配されている。青色発光層部２４Ｂｃｇは、緑色発光層部２４Ｇａと重なっている。
　緑色発光素子２０Ｇにおいては、緑色発光層２４Ｇにより、機能層が構成されている。そして、機能層における緑色発光層部２４Ｇａは、緑色発光層部２４Ｇｂよりも厚くなっている。そのため、緑色発光素子３０Ｇにおける緑色用画素電極２３Ｇの端部への電流集中を抑制することができる。
　さらに、緑色発光層部２４Ｇａおよび青色発光層部２４Ｂｃｇの積層体は、緑色用画素電極２３Ｇの端部を覆っている。そのため、緑色用画素電極２３Ｇは、剥がれが起こりにくく、緑色用画素電極２３Ｇの端部への電流集中を抑制することができる。これにより、緑色用画素電極２３Ｇの端部における劣化を抑制することができ、緑色発光素子３０Ｇにおいて、発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　対向電極５は、緑色発光層２４Ｇおよび青色発光層２４Ｂ上に配される。より具体的には緑色発光層部２４Ｇｂ上、および緑色発光層部２４Ｇａ上に配された青色発光層部２４Ｂｃｇ上に配される。
　続いて、青色発光素子３０Ｂについて説明する。
　青色発光素子３０Ｂは、例えば、基板２１上に、青色用画素電極２３Ｂ、緑色発光層部２４Ｇｃｂ、青色発光層２４Ｂ、対向電極５がこの順番で積層された構造を有する。
　青色用画素電極２３Ｂは、基板２１上に配される。
　緑色発光層部２４Ｇｃｂは、青色用画素電極２３Ｂ上に配される。緑色発光層部２４Ｇｃｂは、青色用画素電極２３Ｂの端部と重なっている。
　青色発光層２４Ｂは、緑色発光層部２４Ｇｃｂおよび青色用画素電極２３Ｂ上に配される。青色発光層２４Ｂは、青色発光層部２４Ｂａおよび青色発光層部２４Ｂｂを有する。
　青色発光層部２４Ｂａは、緑色発光層部２４Ｇ上に配される。青色発光層部２４Ｂａは、青色用画素電極２３ｂの端部と重なる。青色発光層部２４Ｂｂは、青色用画素電極２３ｂの中央部と重なる。青色発光層部２４Ｂｂは、青色発光素子２０Ｂの発光領域となる。
　青色発光素子３０Ｂにおいては、緑色発光層部２４Ｇｃｂおよび青色発光層２４Ｂにより、機能層が構成されている。そして、機能層における緑色発光層部２４Ｇｃｂおよび青色発光層部２４Ｂａの積層体は、青色発光層部２４Ｂｂよりも厚くなっている。そのため、青色発光素子３０Ｂにおける青色用画素電極２３Ｂの端部への電流集中を抑制することができる。
　さらに、緑色発光層部２４Ｇｃｂおよび青色発光層部２４Ｂａの積層体は、青色用画素電極２３Ｂの端部を覆っている。そのため、青色用画素電極２３Ｂは、剥がれが起こりにくくなる。これにより、青色用画素電極２３Ｂの端部における劣化を抑制することができ、青色発光素子３０Ｂにおいて、発光面積の低下を抑制し、輝度低下を抑制することができる。
　対向電極５は、青色発光層２４Ｂ上に配される。より具体的には青色発光層２４Ｂにおける青色発光層部２４Ｂｂ上、および緑色発光層部２４Ｇｃｂと青色発光層部２４Ｂａとの積層体上に配される。
　以下に、本実施形態に係る表示装置３００の製造方法の一例について、図６、図７Ａ～図７Ｄを参照して説明する。
　まず、基板２１上に、赤色用画素電極２３Ｒ、緑色用画素電極２３Ｇ、青色用画素電極２３Ｂを形成する。赤色用画素電極２３Ｒ、緑色用画素電極２３Ｇ、青色用画素電極２３Ｂは、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、従来公知の各種方法により形成することができる。
　次いで、図７Ａに示すように、赤色用画素電極２３Ｒ上に赤色発光層２４Ｒを形成し、ポジ型感光性緑色発光層２４Ｇ－０を形成する。なお、赤色発光層２４Ｒは、赤色用画素電極２３Ｒの端部と重なる赤色発光層部２４Ｒａと、赤色用画素電極２３Ｒの中央部と重なる赤色発光層部２４Ｒｂと、を含む。
　次いで、図７Ｂに示すように、ポジ型感光性緑色発光層２４Ｇ－０の青色発光素子３０Ｂにおける所定の部分を露光・現像することにより、青色発光素子３０Ｂにおける所定の部分が除去されたポジ型感光性緑色発光層２４Ｇ－１を形成する。
　次いで、図７Ｃに示すように、ポジ型感光性緑色発光層２４Ｇ－１上に、ポジ型感光性青色発光層２４Ｂ－０を形成する。そして、ハーフトーンマスク７０を用いて、ポジ型感光性青色発光層２４Ｂ－０およびポジ型感光性緑色発光層２４Ｇ－１を露光する。具体的には、赤色発光素子３０Ｒにおける所定の部分を露光するとともに、緑色発光素子３０Ｇにおける所定の部分をハーフトーン露光する。この露光により、緑色発光素子３０Ｇの所定の部分は、赤色発光素子３０Ｒの所定の部分に比べて少ない露光量となる。なお、緑色発光素子３０Ｇにおける所定の部分については、ポジ型感光性青色発光層２４Ｂ－０が除去される程度の露光量に調整する。さらに、緑色発光素子３０Ｇにおける所定の部分については、ポジ型感光性緑色発光層２４Ｇ－１の一部が除去される程度の露光量に調整する。
　露光後、現像することにより、図７Ｄに示すように、青色発光層２４Ｂ、緑色発光層２４Ｇを形成する。青色発光層２４Ｂは、露光されていない青色発光層部２４Ｂｂ、および青色発光層部２４Ｂｃｒ・２４Ｂｃｇを含む。また、緑色発光層２４Ｇは、露光されていない緑色発光層部２４Ｇａ・２４Ｇｃｒ、およびハーフトーン露光された緑色発光層部２４Ｇｂを含む。緑色発光層部２４Ｇａ・２４Ｇｃｒの厚さは、緑色発光層部２４Ｇｂよりも厚い。
　これにより、赤色発光素子３０Ｒにおいては、赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層部２４Ｇｃｒ、青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体が形成される。そして、赤色発光素子３０Ｒにおいては、赤色発光層部２４ａ、緑色発光層部２４Ｇｃｒ、青色発光層部２４Ｂｃｒの積層体が赤色用画素電極２３Ｒの端部と重なっている。そして、上記のように、緑色発光層部２４Ｇｃｒ、青色発光層部２４Ｂｃｒは、一回の露光・現像で形成されるため、緑色発光層部２４Ｇｃｒ、青色発光層部２４Ｂｃｒの端面を揃えるとともに、除去される面積を揃えることができる。そのため、複数の画素を同時に形成した場合に、各画素における発光領域の面積を一定に維持しやすく、表示装置の製造時の歩留まりを向上させることができる。
　また、緑色発光素子３０Ｇにおいては、機能層としての、緑色発光層２４Ｇが形成される。そして、緑色発光素子３０Ｇにおいては、緑色発光層部２４Ｇｃｂ、青色発光層部２４Ｂｃｇの積層体が緑色用画素電極２３Ｇの端部と重なっている。そして、上記のように、緑色発光層部２４Ｇａ、青色発光層部２４Ｂｃｇは、一回の露光・現像で形成されるため、緑色発光層部２４Ｇａ、青色発光層部２４Ｂｃｇの端面を揃えるとともに、除去される面積を揃えることができる。そのため、複数の画素を同時に形成した場合に、各画素における発光領域の面積を一定に維持しやすく、表示装置の製造時の歩留まりを向上させることができる。
　さらに、青色発光素子３０Ｂにおいては、緑色発光層２４Ｇ、青色発光層２４Ｂの積層体が形成される。そして、青色発光素子３０Ｂにおいては、緑色発光層２４Ｇｃｂ、青色発光層部２４Ｂａの積層体が青色用画素電極２３Ｂの端部と重なっている。上記のように、青色発光素子３０Ｂは、緑色発光層部２４Ｇｃｂを形成したのち、青色発光層２４Ｂを形成するだけであり、容易に製造することができる。
　続いて、青色発光層２４Ｂ上に対向電極５を形成する。対向電極５は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、従来公知の各種方法により形成することができる。これにより、図６に示す表示装置３００を製造することができる。
　本開示は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。
　例えば、上記実施形態２及び３では、表示装置に含まれる少なくとも１つの発光素子において、発光層が機能層として画素電極の端部と重なる第１部分と、画素電極の中央部と重なる第２部分と、を有し、第１部分の厚さが第２部分の厚さよりも厚くなる例について示されたが、発光層に代わり、又は発光層と共に電荷輸送層が機能層として第１部分の厚さが第２部分の厚さよりも厚くなるように形成されても良い。機能層が発光層である場合には当該機能層の機能を発揮させるための機能材料として発光材料が含まれるが、機能層が電荷輸送層である場合には機能材料として電荷輸送性材料が含まれる。
　また、上記実施形態では機能層がハーフトーン露光により、第１部分と、第１部分の厚さより厚い第２部分とが形成されているが、当該機能層以外の層はリフトオフ法、撥液レジストを用いたリフトオフ法など、公知の様々な方法により形成されても良い。例えば、実施形態３では、青色発光層２４Ｂが赤色画素及び緑色画素においてリフトオフされて形成される場合には、青色発光層２４Ｂに感光性材料が含まれなくても良い。
　さらに、上記実施形態では、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子の順で形成される例が示されているが、発光素子の形成順はこの順に限られない。例えば、青色発光層を形成した後に赤色発光層を形成しても良く、赤色発光層が青色発光層の上層に形成されていても良い。また、上記実施形態では初めに形成される発光層の波長を第１波長、２番目に形成される発光層の波長を第２波長、３番目に形成される発光層の波長を第３波長とし、第１波長、第２波長、第３波長の順で短くなる場合について示されたが、発光層の形成順が変わる場合には、これに伴って第１波長、第２波長、第３波長の長短も変わる。

Claims (12)

  1. 　画素電極と、
    　前記画素電極の上層に設けられた対向電極と、
    　前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた機能層と、を含み、
    　前記機能層は、前記画素電極の端部と重なる第１部分と、前記画素電極の中央部と重なる第２部分と、を有し、
    　前記第１部分の厚さは、前記第２部分の厚さよりも厚い、
    表示装置。
  2. 　前記第１部分は、前記画素電極の端部を覆っている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記機能層は、発光層であり、
    　前記発光層は、前記第１部分に対応し、前記画素電極の端部と重なる第１発光層部と、前記第２部分に対応し、前記画素電極の中央部と重なる第２発光層部と、を有し、
    　前記第１発光層部の厚さが、前記第２発光層部の厚さよりも厚い、
    請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　前記発光層は、発光中心波長が第１波長で発光する第１発光材料を含む第１発光層と、発光中心波長が第２波長で発光する第２発光材料を含む第２発光層と、を含み、
    　前記画素電極は、第１画素電極および第２画素電極を含み、
    　前記第１発光層は、前記第１画素電極の端部と重なる第１の第１発光層部と、前記第１画素電極の中央部と重なる第１の第２発光層部と、を含み、
    　前記第１発光層部は、前記第１の第１発光層部と、前記第２発光層において前記第１画素電極の端部と重なる第２の第１発光層部と、を含み、
    　前記第１発光層部の厚さは、前記第１の第２発光層部の厚さよりも厚い、
    請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記第２発光層は、前記第２の第１発光層部と、前記第２画素電極の中央部と重なる第２の第２発光層部と、前記第２画素電極の端部と重なる第３の第１発光層部を含み、
    　前記第３の第１発光層部の厚さは、前記第２の第２発光層部の厚さよりも厚い、
    請求項４に記載の表示装置。
  6. 　前記第２波長は、前記第１波長よりも短い、請求項４または５に記載の表示装置。
  7. 　前記機能層は、前記発光層の上層に設けられた電荷輸送層を含み、
    　前記電荷輸送層は、前記第１部分に対応し、前記画素電極の端部と重なる第１電荷輸送層部と、前記第２部分に対応し、前記画素電極の中央部と重なる第２電荷輸送層部と、を有し、
    　前記第１電荷輸送層部の厚さが、前記第２電荷輸送層部の厚さよりも厚い、
    請求項１～６のいずれか1項に記載の表示装置。
  8. 　前記画素電極の下層に設けられた絶縁層をさらに備え、
    　前記画素電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記絶縁層の下層に設けられたスイッチング素子に接続されており、
    　前記第１部分は、前記コンタクトホールが形成された領域に延在している、
    請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置。
  9. 　前記コンタクトホールに充填された絶縁部を有する、
    請求項８に記載の表示装置。
  10. 　画素電極と、前記画素電極の上層に設けられた対向電極との間に機能層が設けられた表示装置の製造方法であって、
    　ａ）画素電極上に、機能材料を含む感光性組成物層を形成する工程と、
    　ｂ）前記感光性組成物層を露光、現像し、前記画素電極の端部と重なる第１部分と、前記画素電極の中央部と重なる第２部分と、を有する前記機能層を形成する工程と、
    を含み、
    　前記第１部分の厚さは、前記第２部分の厚さよりも厚い、表示装置の製造方法。
  11. 　第１画素電極および第２画素電極を含む複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上層に設けられた対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に設けられ、第１発光材料を含む第１発光層および第２発光材料を含む第２発光層を含む発光層と、を含む表示装置の製造方法であって、
    　ａ）前記複数の画素電極上に、前記第１発光材料を含む第１感光性組成物層を形成した後、露光、現像して、前記第１画素電極の端部と重なる第１の第１発光層部および前記第１画素電極の中央部と重なる第１の第２発光層部を含む第１発光層を形成する工程と、
    　ｂ）前記第１発光層上に、前記第２発光材料を含む第２感光性組成物層を形成した後、露光、現像して、前記第１画素電極の端部および前記第１の第１発光層部と重なる第２の第１発光層部および前記第２画素電極の中央部と重なる第２の第２発光層部を含む第２発光層を形成する工程と、を含み、
    　前記第１の第１発光層部と前記第２の第１発光層部とを合わせた厚さは、前記第１の第２発光層部の厚さよりも厚い、
    を含む表示装置の製造方法。
  12. 　工程ｂ）において、前記第２感光性組成物層を露光、現像して、前記第２画素電極の端部と重なる第３の第１発光層部を同時に形成し、
    　前記第３の第１発光層部の厚さは、前記第２の発光層部の厚さよりも厚い、
    請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
PCT/JP2021/032212 2021-09-02 2021-09-02 表示装置、表示装置の製造方法 WO2023032109A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/032212 WO2023032109A1 (ja) 2021-09-02 2021-09-02 表示装置、表示装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/032212 WO2023032109A1 (ja) 2021-09-02 2021-09-02 表示装置、表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023032109A1 true WO2023032109A1 (ja) 2023-03-09

Family

ID=85410975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/032212 WO2023032109A1 (ja) 2021-09-02 2021-09-02 表示装置、表示装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2023032109A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257657A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、および製造装置
WO2020049738A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 シャープ株式会社 表示デバイス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257657A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、および製造装置
WO2020049738A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 シャープ株式会社 表示デバイス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100517792C (zh) 高效率的有机发光装置及其制造方法
KR100782639B1 (ko) 배선 기판 및 디스플레이 장치
JP2004355975A (ja) 表示装置の製造方法
KR20130093187A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2020059143A1 (ja) 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法
CN112186124A (zh) 有机发光二极管和显示面板
WO2005094134A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置
EP2311093A2 (fr) Dispositif d'affichage electronique polychrome a ecran electroluminescent
JP2005209421A (ja) 表示装置の製造方法および表示装置
WO2021059452A1 (ja) 電界発光素子及び電界発光装置
WO2022118415A1 (ja) 発光素子の製造方法、発光素子
WO2023032109A1 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法
WO2020041993A1 (zh) 一种采用混合型发光二极管的显示屏幕及其制备方法
WO2022018785A1 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
WO2022079817A1 (ja) 発光素子
WO2022074751A1 (ja) 発光素子の製造方法および発光素子
US20240224571A1 (en) Light-emitting element, and display device
WO2023042244A1 (ja) 表示装置
WO2022259292A1 (ja) 発光素子、および表示装置
US20240049585A1 (en) Method of manufacturing display device
WO2022249370A1 (ja) 表示装置の製造方法及び表示装置
US20240057394A1 (en) Display device and method for manufacturing display device
WO2022219697A1 (ja) 発光素子の製造方法、発光素子
WO2021144870A1 (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
WO2023053450A1 (ja) 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21955998

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE