WO2020049738A1 - 表示デバイス - Google Patents
表示デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020049738A1 WO2020049738A1 PCT/JP2018/033302 JP2018033302W WO2020049738A1 WO 2020049738 A1 WO2020049738 A1 WO 2020049738A1 JP 2018033302 W JP2018033302 W JP 2018033302W WO 2020049738 A1 WO2020049738 A1 WO 2020049738A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- pixel
- sub
- pixel electrode
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 97
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 422
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 25
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 101100310856 Drosophila melanogaster spri gene Proteins 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
第１画素電極（ＰＥｇ）を含む第１サブ画素（ＳＰｇ）と、第１サブ画素に隣接し、第２画素電極（ＰＥｒ）を含む第２サブ画素（ＳＰｒ）と、第１サブ画素に隣接し、第３画素電極（ＰＥｂ）を含む第３サブ画素（ＳＰｂ）と、第１画素電極全体と重なる第１発光層（ＥＭｇ）と、第２画素電極全体と重なる第２発光層（ＥＭｒ）と、第３画素電極全体と重なる第３発光層（ＥＭｂ）とを備え、第１画素電極の周端部（ＥＤｇ）の全周が、第１発光層（ＥＭｇ）と、第２発光層（ＥＭｒ）および前記第３発光層（ＥＭｂ）の少なくとも一方とに重なる。
Description
本発明は表示デバイスに関する。
特許文献１には、陽極上に有機発光層を形成する表示装置において、陽極のエッジを絶縁膜（エッジカバー）で覆う構成が開示されている。
前記の構成では、エッジカバーのパターニング工程において陽極の露出部（エッジカバーで覆われていない部分）が劣化するおそれがある。
本発明の一態様に係る表示デバイスは、第１画素電極を含む第１サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第２画素電極を含む第２サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第３画素電極を含む第３サブ画素と、第１画素電極全体と重なる第１発光層と、第２画素電極全体と重なる第２発光層と、第３画素電極全体と重なる第３発光層とを備え、前記第１画素電極の周端部が、全周にわたって、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる。
本発明の一態様によれば、第１画素電極の周端部が、全周にわたって、複数の発光層に重なるため、第１画素電極のエッジを覆う絶縁膜（エッジカバー）の形成が不要となり、工程数の削減に加えて、第１画素電極の劣化を回避することができる。
以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
図１（ａ）は、表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートであり、図１（ｂ）は、表示デバイスの断面構成を示す模式図である。図１に示すように、表示デバイスの製造においては、まず、基材３にＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ１）。次いで、画素電極層５を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層８を形成する（ステップＳ３）。ＥＬ層８は、例えばフォトリソグラフィ法を用いて形成することもできるし、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いた蒸着法で形成することもできる。次いで、共通電極層９を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層１０を形成する（ステップＳ５）。ステップＳ１～Ｓ４は、表示デバイス製造装置（ステップＳ３を行う成膜装置を含む）が行う。
基材３には、ガラス、ポリイミド等の樹脂を用いることができる。ガラスあるいは樹脂に窒化シリコン等のバリア膜を成膜して基材３とすることもできる。
ＴＦＴ層４には、半導体層、複数の金属層、および複数の絶縁層が設けられ、複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成される。ＴＦＴ層４には、画素電極層５、ＥＬ層８、および共通電極層９で構成される発光素子（例えば、発光ダイオード）の制御回路が形成される。
画素電極層５は、光反射性を有する複数の画素電極を含み、ＥＬ層８は、複数の発光層（例えば、量子ドット層、有機発光層）を含み、共通電極層９は、光透過性を有する共通電極を含む。
画素電極層５は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｌ（アルミニウム）あるいはＡｇ（銀）またはＡｇを含む合金との積層によって構成される。共通電極層９は、例えば、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）、銀ナノワイヤーによって構成される。画素電極層５と共通電極層９とでは仕事関数が異なる。画素電極層５をアノード側（高電圧側）、共通電極層９をカソード側（低電圧側）としてもよいし、画素電極層５をカソード側（低電圧側）、共通電極層９をアノード側（高電圧側）としてもよい。
表示デバイスの表示領域には、画素電極層５、ＥＬ層８、および共通電極層９で構成される発光素子が多数設けられ、表示領域の外側（額縁領域）にＴＦＴ層４等を駆動するドライバが設けられる。
発光素子がＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）である場合、画素電極および共通電極間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。共通電極が透光性であり、画素電極が光反射性であるため、ＥＬ層８から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
発光素子がＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）である場合、画素電極および共通電極間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。発光素子は、ＱＬＥＤ、ＯＬＥＤに限られず、無機発光ダイオード等でもよい。
透光性の封止層１０は、窒化シリコン等の無機絶縁膜を含み、水、酸素等の異物の発光素子への浸透を防いでいる。
〔実施形態１〕
図２は実施形態１の表示デバイスの断面－平面対応図である。図３（ａ）は実施形態１の効果を示す断面模式図であり、図３（ｂ）は比較例を示す断面模式図である。
図２は実施形態１の表示デバイスの断面－平面対応図である。図３（ａ）は実施形態１の効果を示す断面模式図であり、図３（ｂ）は比較例を示す断面模式図である。
図２では、赤色発光するサブ画素ＳＰｒ、緑色発光するサブ画素ＳＰｇ、および青色発光するサブ画素ＳＰｂがこの順に行方向（左右方向）に並ぶ。サブ画素ＳＰｇ（第１サブ画素）は矩形の画素電極ＰＥｇ（第１画素電極）を含む。矩形の画素電極ＰＥｒ（第２画素電極）を含むサブ画素ＳＰｒ（第２サブ画素）と、矩形の画素電極ＰＥｂ（第３画素電極）を含むサブ画素ＳＰｂ（第３サブ画素）とが、サブ画素ＳＰｇに隣接する。画素電極ＰＥｒ・ＰＥｇ・ＰＥｂそれぞれが、ＴＦＴ層４の最上層である有機絶縁膜ＰＦ（ポリイミド等の平坦化膜）上に形成され、ＴＦＴ層４に形成されたトランジスタ（図示せず）に接続される。画素電極ＰＥｇ・ＰＥｒ・ＰＥｂは矩形に限られず、円形、楕円形等でもよい。サブ画素ＳＰｇと列方向（上下方向）に隣接する、サブ画素ＳＰＧｉ（第４サブ画素）およびサブ画素ＳＰＧｊ（第５サブ画素）は、緑色のサブ画素列（ライン）に含まれる。
ＥＬ層８には、画素電極ＰＥｇ全体と重なる発光層ＥＭｇ（第１発光層）と、画素電極ＰＥｒ全体と重なる発光層ＥＭｒ（第２発光層）と、画素電極ＰＥｂ全体と重なる発光層ＥＭｂ（第３発光層）とが設けられる。図１のステップＳ３では、青色発光する発光層ＥＭｂ・ＥＭＢ、緑色発光する発光層ＥＭｇ、赤色発光する発光層ＥＭｒ・ＥＭＲの順に形成され、発光層ＥＭｇは、発光層ＥＭｂ・ＥＭＢよりも上層であり、かつ発光層ＥＭｒ・ＥＭＲよりも下層である。図１の共通電極層９には、発光層ＥＭｒ・ＥＭＲ・ＥＭｇ・ＥＭｂ・ＥＭＢを覆う共通電極ＫＥが形成される。
発光層ＥＭｒは量子ドット層であり、赤色発光する量子ドット、リガンド、および感光性樹脂を含む。発光層ＥＭｇは量子ドット層であり、緑色発光する量子ドット、リガンド、および感光性樹脂が含まれる。発光層ＥＭｂは量子ドット層であり、青色発光する量子ドット、リガンド、および感光性樹脂が含まれる。
各サブ画素では、画素電極をアノード、共通電極をカソードとして機能させてもよいし、画素電極をカソード、共通電極をアノードとして機能させてもよい。
実施形態１では、画素電極ＰＥｇの周端部ＥＤｇの全周が、発光層ＥＭｇと、発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭｂの少なくとも一方とに重なる。すなわち、画素電極ＰＥｇの周端部ＥＤｇは、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭｒに重なる部分と、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭｂに重なる部分と、発光層ＥＭｇ並びに発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭｂに重なる部分とで構成されるため、周端部ＥＤｇには電流が流れない（緑色発光に寄与しない）。画素電極ＰＥｇにおいて周端部ＥＤｇよりも内側に位置する有効部ＮＥｇは、発光層ＥＭｇとだけ重なり、発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭｂとは重ならないため、有効部ＮＥｇには電流が流れる（緑色発光に寄与する）。
また、画素電極ＰＥｒの周端部ＥＤｒの全周が、発光層ＥＭｒと、発光層ＥＭＢおよび発光層ＥＭｇの少なくとも一方とに重なる。すなわち、画素電極ＰＥｒの周端部ＥＤｒは、発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭＢに重なる部分と、発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭｇに重なる部分と、発光層ＥＭｒ並びに発光層ＥＭＢおよび発光層ＥＭｇに重なる部分とで構成されるため、電流が流れない（赤色発光に寄与しない）。画素電極ＰＥｒにおいて周端部ＥＤｒよりも内側に位置する有効部ＮＥｒは、発光層ＥＭｒとだけ重なり、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭＢとは重ならないため、有効部ＮＥｇには電流が流れる（赤色発光に寄与する）。
また、画素電極ＰＥｂの周端部ＥＤｂの全周が、発光層ＥＭｂと、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭＲの少なくとも一方とに重なる。すなわち、画素電極ＰＥｂの周端部ＥＤｂは、発光層ＥＭｂおよび発光層ＥＭｇに重なる部分と、発光層ＥＭｂおよび発光層ＥＭＲに重なる部分と、発光層ＥＭｂ並びに発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭＲに重なる部分とで構成されるため、電流が流れない（青色発光に寄与しない）。画素電極ＰＥｂにおいて周端部ＥＤｂよりも内側に位置する有効部ＮＥｂは、発光層ＥＭｂとだけ重なり、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭＲとは重ならないため、有効部ＮＥｂには電流が流れる（青色発光に寄与する）。
画素電極ＰＥｇに隣接する、画素電極ＰＥＧｉ（第４画素電極）および画素電極ＰＥＧｊ（第５画素電極）は、緑色のサブ画素列（ライン）に含まれており、画素電極ＰＥＧｉ全体および画素電極ＰＥＧｊ全体が、緑色発光する発光層ＥＭｇに重なる。
図２では、発光層ＥＭｇ、発光層ＥＭｒ、および発光層ＥＭｇはそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層である。発光層ＥＭｇは、サブ画素ＳＰｒと同色（赤）の複数のサブ画素ＳＰＲｉ・ＳＰＲｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＲｉ・ＰＥＲｊそれぞれの周端部の一部に共通して重なる。さらに、発光層ＥＭｇは、サブ画素ＳＰｂと同色（青）の複数のサブ画素ＳＰＢｉ・ＳＰＢｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＢｉ・ＰＥＢｊそれぞれの周端部の一部に共通して重なる。発光層ＥＭｒは、サブ画素ＳＰｇと同色（緑）の複数のサブ画素ＳＰＧｉ・ＳＰＧｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＧｉ・ＰＥＧｊの周端部それぞれの一部に共通して重なる。さらに、発光層ＥＭｒは、サブ画素ＳＰｂと同色（青）の複数のサブ画素ＳＰＢｉ・ＳＰＢｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＢｉ・ＰＥＢｊそれぞれの周端部の一部に共通して重なる。発光層ＥＭｂは、サブ画素ＳＰｇと同色（緑）の複数のサブ画素ＳＰＧｉ・ＳＰＧｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＧｉ・ＰＥＧｊそれぞれの周端部の一部に共通して重なる。さらに、発光層ＥＭｂは、サブ画素ＳＰｒと同色（赤）の複数のサブ画素ＳＰＲｉ・ＳＰＲｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＲｉ・ＰＥＲｊそれぞれの周端部の一部に共通して重なる。
実施形態１では、画素電極ＰＥｒ・ＰＥｇ・ＰＥｂの周端部に重なる複数の発光層（多重発光層）がエッジカバー（画素電極のエッジを覆う絶縁膜）として機能するため、画素電極のエッジが劣化する現象（いわゆるサブ画素シュリンク）を抑制することができる。エッジカバーの形成が不要であるため、工程数が削減され、画素電極の有効部ＮＥｒ・ＮＥｇ・ＮＥｂを劣化させることもない。
図２では、画素電極ＰＥｇの有効部ＮＥｇの面積＜画素電極ＰＥｒの有効部ＮＥｒの面積＜画素電極ＰＥｂの有効部ＮＥｂの面積であり、サブ画素ＳＰｇ（緑）の発光領域ＥＡｇの面積＜サブ画素ＳＰｒ（赤）の発光領域ＥＡｒの面積＜サブ画素ＳＰｂ（青）の発光領域ＥＡｂの面積となっている。こうすれば、画素電極ＰＥｂの有効部ＮＥｂの電流密度を小さくすることができ、一般に劣化しやすい青のサブ画素ＳＰｂの寿命を延ばすことができる。
画素電極ＰＥｇ・ＰＥｒの間隙は、少なくとも発光層ＥＭｇ・ＥＭｒと重なり、この間隙の幅ｄ１は、この間隙における有機絶縁膜ＰＦおよび共通電極ＫＥ間の距離ｈ１よりも大きい。こうすれば、画素電極ＰＥｇ・ＰＥｒ間のリーク電流をなくすことができる。
さらに、ｈ１＞画素電極ＰＥｇの厚みＴとし、図３（ａ）のように、共通電極ＫＥを、画素電極ＰＥｇ上において下に凸の形状としている。こうすれば、共通電極ＫＥまでの距離が、画素電極ＰＥｇの有効部ＮＥｇよりもエッジＧｘの方で長くなるため、有効部ＮＥｇの端に電界が集中せず（過剰電流が流れず）、発光領域ＥＡｇのシュリンクを防止することができる。なお、図３（ｂ）のように、共通電極ＫＥまでの距離が、画素電極ＰＥｇの有効部よりもエッジの方で短いと、有効部の端に電界が集中し（過剰電流が流れ）、発光領域がシュリンクするおそれがある。
また、平面視において、画素電極ＰＥｇのエッジＧｘからサブ画素ＳＰｇの発光領域ＥＡｇまでの距離（非発光幅）を、発光領域ＥＡｇの幅（行方向の長さ）よりも小さくすることで、発光領域ＥＡｇを広げ、サブ画素ＳＰｇの輝度を担保している。
図２では、画素電極ＰＥｒ・ＰＥｂの間隙は、発光層ＥＭＢ・ＥＭｒと重なり、この間隙の幅ｄ２は、この間隙における有機絶縁膜ＰＦおよび共通電極ＫＥ間の距離ｈ２よりも大きく、ｈ２＞画素電極ＰＥｒの厚みＴである。共通電極ＫＥは、画素電極ＰＥｒ上において下に凸の形状としている。また、平面視において、画素電極ＰＥｒのエッジＲｘからサブ画素ＳＰｒの発光領域ＥＡｒまでの距離（非発光幅）を、発光領域ＥＡｒの幅よりも小さくしている。
また、画素電極ＰＥｇ・ＰＥｂの間隙は、発光層ＥＭｂ・ＥＭｇと重なり、この間隙の幅ｄ３は、この間隙における有機絶縁膜ＰＦおよび共通電極ＫＥ間の距離ｈ３よりも大きく、ｈ３＞画素電極ＰＥｂの厚みＴである。共通電極ＫＥは、画素電極ＰＥｂ上において下に凸の形状としている。また、平面視において、画素電極ＰＥｂのエッジＢｘからサブ画素ＳＰｂの発光領域ＥＡｂまでの距離（非発光幅）を、発光領域ＥＡｂの幅よりも小さくしている。
図４は、実施形態１でのＥＬ層および共通電極層の形成工程を示す断面－平面対応図である。図５は、ＥＬ層のパターニング工程を示す断面模式図である。
ＥＬ層８の形成においては、まず、図４（ａ）のように画素電極ＰＥｂ全体と重なる青色発光層ＥＭｂと、発光層ＥＭｂから分離された複数の青色発光層（発光層ＥＭＢ含む）とをパターン形成する。次いで、図４（ｂ）のように画素電極ＰＥｇ全体と重なる緑色発光層ＥＭｇと、発光層ＥＭｇから分離された複数の緑色発光層（図示せず）とをパターン形成する。次いで、図４（ｃ）のように画素電極ＰＥｒ全体と重なる発光層ＥＭｒと、発光層ＥＭｒから分離された複数の赤色発光層（図示せず）とをパターン形成する。次いで、図４（ｄ）のように、発光層ＥＭｂ・ＥＭｇ・ＥＭｒを覆う共通電極ＫＥを形成する。図４に示すように、青色発光層ＥＭｂ、緑色発光層ＥＭｇ、および赤色発光層ＥＭｒの平面形状は異なる。
発光波長の大きさの順序は、同じ材料では量子ドットの粒径の大きさの順序に一致するため、青色発光層→緑色発光層→赤色発光層の順に形成することで、画素電極の周端部に重なる複数の発光層については、図４のように、発光波長の大きな（量子ドットの粒径の大きな）発光層が、発光波長の小さな（量子ドットの粒径の小さな）発光層よりも上層に位置する。これにより、上層の発光層の量子ドットが下層の発光層の量子ドットの間隙に落ち込むといった問題を解消することができる。
発光色で異なる材料の量子ドットを用いる場合や、コアシェル構造の量子ドットを用いる場合は、発光色に関わらず、量子ドットの粒径の大きな発光層が、量子ドットの粒径の小さな発光層よりも上層に位置することにより、上層の発光層の量子ドットが下層の発光層の量子ドットの間隙に落ち込むといった問題を解消することができる。また、発光層は発光波長よりも小さな波長の光を吸収するため、発光波長が大きい発光層が上層にあると、外光が発光層に照射された時に、下層からの意図しない蛍光発光が抑制される。ここで示した量子ドットの「粒径」とは、設計値であり、実際には動的光散乱法により測定した中央粒径を指すものとする。量子ドット個々の粒径はばらつきを含むものであり２０％程度の誤差があってもよい。
発光層（ＥＭｂ・ＥＭｇ・ＥＭｒ）は、以下のようにパターン形成することができる。まず、図５（ａ）のように、量子ドットおよびリガンドを含有する感光性樹脂（レジスト）ＲＳを、有機絶縁膜ＰＦ上に塗布する（塗布厚みは、例えば１０～１００ｎｍ）。次いで、図５（ｂ）のように、塗布したレジストＲＳを８０～１２０℃でプリベークし、溶媒を蒸発させ、塗膜を乾燥させる。次いで、図５（ｃ）のように、乾燥したレジストＲＳに対してマスクＭＫ越しにＵＶ露光を行う（露光強度は、例えば１０～１０００〔ｍＪ／ｃｍ２〕）。次いで、図５（ｄ）のように、アルカリ溶液、有機溶媒、水等を用いて現像を行い（ポジ型レジストではＵＶ照射部が溶解し、ネガ型レジストでは、ＵＶ非照射部が溶解する）、パターニングされた発光層ＥＭを得る。その後は必要に応じて、図５（ｅ）のように、例えば１００～２００℃で本焼成する。本焼成により重合反応もしくは硬化反応が促進し、感光性樹脂からのガス放出が抑制される。
図６は、実施形態１の変形例を示す断面－平面対応図である。図６のように、ＥＬ層８に、複数のサブ画素間の共通層である、下層機能層ＦＬａおよび上層機能層ＦＬｂを設けてもよい。この場合、画素電極ＰＥｇの有効部ＮＥｇ上に、下層機能層ＦＬａ、発光層ＥＭｇ、上層機能層ＦＬｂ、および共通電極ＫＥがこの順に積層され、画素電極ＰＥｒの有効部ＮＥｒ上に、下層機能層ＦＬａ、発光層ＥＭｒ、上層機能層ＦＬｂ、および共通電極ＫＥがこの順に積層され、画素電極ＰＥｂの有効部ＮＥｂ上に、下層機能層ＦＬａ、発光層ＥＭｂ、上層機能層ＦＬｂ、および共通電極ＫＥがこの順に積層される。画素電極がアノード、共通電極がカソードとして機能するノーマル構造では、下層機能層ＦＬａが正孔注入層および正孔輸送層を含み、上層機能層ＦＬｂが電子注入層および電子輸送層を含んでいてもよい。画素電極がカソード、共通電極がアノードとして機能するインバート構造では、下層機能層ＦＬａが電子注入層および電子輸送層を含み、上層機能層ＦＬｂが正孔注入層および正孔輸送層を含んでいてもよい。正孔注入層及び電子注入層を総称して電荷注入層、正孔輸送層及び電子輸送層を総称して電荷輸送層とし、電荷注入層と電荷輸送層を機能層とする。さらに、機能層には発光層と電荷輸送層もしくは電荷注入層の間に形成される絶縁性のブロキング層も含まれる。
図６では、下層機能層ＦＬａが、画素電極ＰＥｇの全体、画素電極ＰＥｒの全体、および画素電極ＰＥｂの全体と接触するようにベタ状に形成され、隣り合う画素電極の間隙が下層機能層ＦＬａで埋められている。
〔実施形態２〕
図７は、実施形態２の表示デバイスの断面－平面対応図である。実施形態２では、下層側から順に、画素電極ＰＥｂ全体と重なる（青色）発光層ＥＭｂ、画素電極ＰＥｇ全体と重なる（緑色）発光層ＥＭｇ、および画素電極ＰＥｒ全体と重なる（赤色）発光層ＥＭｒを形成する。発光層ＥＭｂ・ＥＭｇ・ＥＭｒは、表示領域全面に亘るベタ形状であり、発光層ＥＭｂには、画素電極ＰＥｇに重なる開口ｂｋおよび画素電極ＰＥｒに重なる開口Ｂｋが設けられ、発光層ＥＭｇには、画素電極ＰＥｒに重なる開口ｇｋおよび画素電極ＰＥｂに重なる開口Ｇｋが設けられ、発光層ＥＭｒには、画素電極ＰＥｇに重なる開口ｒｋおよび画素電極ＰＥｂに重なる開口Ｒｋが設けられる。
図７は、実施形態２の表示デバイスの断面－平面対応図である。実施形態２では、下層側から順に、画素電極ＰＥｂ全体と重なる（青色）発光層ＥＭｂ、画素電極ＰＥｇ全体と重なる（緑色）発光層ＥＭｇ、および画素電極ＰＥｒ全体と重なる（赤色）発光層ＥＭｒを形成する。発光層ＥＭｂ・ＥＭｇ・ＥＭｒは、表示領域全面に亘るベタ形状であり、発光層ＥＭｂには、画素電極ＰＥｇに重なる開口ｂｋおよび画素電極ＰＥｒに重なる開口Ｂｋが設けられ、発光層ＥＭｇには、画素電極ＰＥｒに重なる開口ｇｋおよび画素電極ＰＥｂに重なる開口Ｇｋが設けられ、発光層ＥＭｒには、画素電極ＰＥｇに重なる開口ｒｋおよび画素電極ＰＥｂに重なる開口Ｒｋが設けられる。
図７では、開口ｂＫは開口ｒｋの全体と重なり、画素電極ＰＥｇは、開口ｒｋの全体および開口ｂｋの全体と重なり、画素電極ＰＥｇの周端部ＥＤｇの全周が、発光層ＥＭｇ並びに発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭｂに重なるため、周端部ＥＤｇには電流が流れない（緑色発光に寄与しない）。画素電極ＰＥｇにおいて周端部ＥＤｇよりも内側に位置する有効部ＮＥｇは、発光層ＥＭｇとだけ重なり、発光層ＥＭｒおよび発光層ＥＭｂとは重ならないため、有効部ＮＥｇには電流が流れる（緑色発光に寄与する）。
また、開口Ｂｋは開口ｇｋの全体と重なり、画素電極ＰＥｒは、開口ｇｋの全体および開口Ｂｋの全体と重なり、画素電極ＰＥｒの周端部ＥＤｒの全周が、発光層ＥＭｒ並びに発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭｂに重なるため、周端部ＥＤｒには電流が流れない（赤色発光に寄与しない）。画素電極ＰＥｒにおいて周端部ＥＤｒよりも内側に位置する有効部ＮＥｒは、発光層ＥＭｒとだけ重なり、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭｂとは重ならないため、有効部ＮＥｒには電流が流れる（赤色発光に寄与する）。
また、開口ＧＫは開口Ｒｋの全体と重なり、画素電極ＰＥｂは、開口Ｒｋの全体および開口Ｇｋの全体と重なり、画素電極ＰＥｂの周端部ＥＤｂの全周が、発光層ＥＭｂ並びに発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭｒに重なるため、周端部ＥＤｂには電流が流れない（青色発光に寄与しない）。画素電極ＰＥｂにおいて周端部ＥＤｂよりも内側に位置する有効部ＮＥｂは、発光層ＥＭｂとだけ重なり、発光層ＥＭｇおよび発光層ＥＭｒとは重ならないため、有効部ＮＥｂには電流が流れる（青色発光に寄与する）。
図７では、発光層ＥＭｇ、発光層ＥＭｒ、および発光層ＥＭｇはそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層である。発光層ＥＭｇは、サブ画素ＳＰｒと同色（赤）のサブ画素ＳＰＲｉ・ＳＰＲｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＲｉ・ＰＥＲｊそれぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる。さらに、発光層ＥＭｇは、サブ画素ＳＰｂと同色（青）のサブ画素ＳＰＢｉ・ＳＰＢｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＢｉ・ＰＥＢｊそれぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる。発光層ＥＭｒは、サブ画素ＳＰｇと同色（緑）のサブ画素ＳＰＧｉ・ＳＰＧｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＧｉ・ＰＥＧｊそれぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる。さらに、発光層ＥＭｒは、サブ画素ＳＰｂと同色（青）のサブ画素ＳＰＢｉ・ＳＰＢｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＢｉ・ＰＥＢｊそれぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる。発光層ＥＭｂは、サブ画素ＳＰｇと同色（緑）のサブ画素ＳＰＧｉ・ＳＰＧｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＧｉ・ＰＥＧｊそれぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる。さらに、発光層ＥＭｂは、サブ画素ＳＰｒと同色（赤）のサブ画素ＳＰＲｉ・ＳＰＲｊに含まれる複数の画素電極ＰＥＲｉ・ＰＥＲｊそれぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる。
実施形態２では、画素電極の周端部と重なる３つの発光層の積層順序（下層側から順に、発光層ＥＭｂ、発光層ＥＭｇ、発光層ＥＭｒ）が、周端部の全周に亘って同じであり、接触する２つの発光層について、下層側の発光層のエッジを、上層側の発光層が覆っている。すなわち、発光層ＥＭｂのエッジ（開口Ｂｋ・ｂｋ周りを含む）を発光層ＥＭｇが覆い、発光層ＥＭｇのエッジ（開口Ｇｋ・ｇｋ周りを含む）を発光層ＥＭｒが覆っている。
発光層ＥＭｂについては、開口ｂｋと開口ＢＫの形状が異なり、発光層ＥＭｇについては、開口ｇｋと開口ＧＫの形状が異なり、発光層ＥＭｒについては、開口ｒｋと開口ＲＫの形状が異なり、画素電極ＰＥｇの有効部ＮＥｇの面積＜画素電極ＰＥｒの有効部ＮＥｒの面積＜画素電極ＰＥｂの有効部ＮＥｂの面積である。
実施形態２では、画素電極の周端が３つの発光層と重なるため、周端部の劣化をより確実に抑えることができる。
発光層ＥＭｂ・ＥＭｇ・ＥＭｒはそれぞれ、表示領域全体に亘ってベタ状に（連続して）形成され、発光層ＥＭｂ、発光層ＥＭｇ、および発光層ＥＭｒそれぞれに、形状の異なる２種類の開口が設けられている。このため、発光層と下地との接地面積が広く（発光層の接着強度が高く）、発光層が剥がれ難い。また、島状の孤立パターンでは、コーナの外回り２７０°が加工プロセスにさらされるが、開口を有する、ベタ状の連続パターンでは、開口のコーナの内回り９０°が加工プロセスにさらされるため、発光層のコーナでの剥がれを抑制することができる。
図８（ａ）～（ｄ）は、実施形態２でのＥＬ層および共通電極層の形成工程を示す断面－平面対応図である。ＥＬ層８の形成においては、まず、図８（ａ）のように画素電極ＰＥｂ全体と重なる（青色）発光層ＥＭｂを表示領域全体に亘って成膜し、開口Ｂｋ・ｂｋを形成する。次いで、図８（ｂ）のように画素電極ＰＥｇ全体と重なる（緑色）発光層ＥＭｇを表示領域全体に亘って成膜し、開口Ｇｋ・ｇｋを形成する。次いで、図８（ｃ）のように画素電極ＰＥｒ全体と重なる（赤色）発光層ＥＭｒを表示領域全体に亘って成膜し、開口Ｒｋ・ｒｋを形成する。次いで、図８（ｄ）のように、発光層ＥＭｒを覆う共通電極ＫＥを形成する。
図９は、実施形態２の変形例を示す断面－平面対応図である。図９のように、発光層ＥＭｂの下層に、画素電極ＰＥｇ・ＰＥｒ・ＰＥｂを覆う下層機能層ＦＬａを設け、共通電極ＫＥの下層に、発光層ＥＭｒ・ＥＭｇ・ＥＭｂを覆う上層機能層ＦＬｂを設けてもよい。
図１０は、実施形態２のさらなる変形例を示す断面－平面対応図であり、図１０（ｄ）のように、２つのピクセル領域に、赤のサブ画素（画素電極ＰＥｒを含む）を１つ、緑のサブ画素（画素電極ＰＥｇを含む）を２つ、青のサブ画素（画素電極ＰＥｂを含む）を１つ含むペンタイル方式の表示デバイスである。青色発光層ＥＭｂ（図１０（ａ）参照）は、画素電極ＰＥｇに重なる開口ｂｋおよび画素電極ＰＥｒに重なる開口ＢＫを有し、表示領域全体に亘り形成される。緑色発光層ＥＭｇ（図１０（ｂ）参照）は、画素電極ＰＥｒに重なる開口ｇｋおよび画素電極ＰＥｂに重なる開口ＧＫを有し表示領域全体に亘り形成される。赤色発光層ＥＭｒ（図１０（ｃ）参照）は、画素電極ＰＥｇに重なる開口ｒｋおよび画素電極ＰＥｂに重なる開口ＲＫを有し、表示領域全体に亘り形成される。青色発光層ＥＭｂ、緑色発光層ＥＭｇ、赤色発光層ＥＭｒは、この順に積層されている。図１０の場合でも、画素電極ＰＥｒ・ＰＥｇ・ＰＥｂそれぞれの周端部には、３つの発光層ＥＭｂ・ＥＭｇ・ＥＭｒがこの順に重なり、これら３つの発光層がエッジカバーとして機能する。
〔実施形態３〕
図１１は、実施形態３の表示デバイスの断面図である。図１１（ａ）では、有機絶縁膜ＰＦにコンタクトホールＨｇを設け、コンタクトホールＨｇによって画素電極ＰＥｇおよびＴＦＴ層４の配線ＳＨｇを接続する。そして、画素電極ＰＥｇの周端部ＥＤｇが２つの発光層ＥＭｂ・ＥＭｇと重なり、さらに、コンタクトホールＨｇの開口ＣＫｇ全体が２つの発光層ＥＭｂ・ＥＭｇと重なる。これにより、周端部ＥＤｇでの過剰電流に加えて、コンタクトホールＨｇの斜面（側壁）での過剰電流を抑制することができる。
図１１は、実施形態３の表示デバイスの断面図である。図１１（ａ）では、有機絶縁膜ＰＦにコンタクトホールＨｇを設け、コンタクトホールＨｇによって画素電極ＰＥｇおよびＴＦＴ層４の配線ＳＨｇを接続する。そして、画素電極ＰＥｇの周端部ＥＤｇが２つの発光層ＥＭｂ・ＥＭｇと重なり、さらに、コンタクトホールＨｇの開口ＣＫｇ全体が２つの発光層ＥＭｂ・ＥＭｇと重なる。これにより、周端部ＥＤｇでの過剰電流に加えて、コンタクトホールＨｇの斜面（側壁）での過剰電流を抑制することができる。
図１１（ｂ）では、有機絶縁膜ＰＦにコンタクトホールＨｒを設け、コンタクトホールＨｒによって画素電極ＰＥｒおよびＴＦＴ層４の配線ＳＨｒを接続する。そして、画素電極ＰＥｒの周端部ＥＤｒが２つの発光層ＥＭｒ・ＥＭｇと重なり、さらに、コンタクトホールＨｒの開口ＣＫｒ全体が２つの発光層ＥＭｒ・ＥＭｇと重なる。これにより、周端部ＥＤｒでの過剰電流に加えて、コンタクトホールＨｒの斜面（側壁）での過剰電流を抑制することができる。
図１１（ｃ）では、有機絶縁膜ＰＦにコンタクトホールＨｂを設け、コンタクトホールＨｂによって画素電極ＰＥｂおよびＴＦＴ層４の配線ＳＨｂを接続する。そして、画素電極ＰＥｂの周端部ＥＤｂが２つの発光層ＥＭｂ・ＥＭＲと重なり、さらに、コンタクトホールＨｂの開口ＣＫｂ全体が２つの発光層ＥＭｂ・ＥＭＲと重なる。これにより、周端部ＥＤｂでの過剰電流に加えて、コンタクトホールＨｂの斜面（側壁）での過剰電流を抑制することができる。
〔まとめ〕
〔態様１〕
第１画素電極を含む第１サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第２画素電極を含む第２サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第３画素電極を含む第３サブ画素とを備える表示デバイスであって、
前記第１画素電極全体と重なる第１発光層と、前記第２画素電極全体と重なる第２発光層と、前記第３画素電極全体と重なる第３発光層と、前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層よりも上層の共通電極とを備え、
前記第１画素電極の周端部の全周が、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる表示デバイス。
〔態様１〕
第１画素電極を含む第１サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第２画素電極を含む第２サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第３画素電極を含む第３サブ画素とを備える表示デバイスであって、
前記第１画素電極全体と重なる第１発光層と、前記第２画素電極全体と重なる第２発光層と、前記第３画素電極全体と重なる第３発光層と、前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層よりも上層の共通電極とを備え、
前記第１画素電極の周端部の全周が、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる表示デバイス。
〔態様２〕
前記第１画素電極において前記周端部よりも内側に位置する有効部は、前記第１発光層と重なり、前記第２発光層および前記第３発光層とは重ならない例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極において前記周端部よりも内側に位置する有効部は、前記第１発光層と重なり、前記第２発光層および前記第３発光層とは重ならない例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様３〕
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素は異なる色で発光する例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素は異なる色で発光する例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様４〕
前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層はそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層であり、
前記第１発光層は、前記第２サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、かつ、第３サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、
前記第２発光層は、第１サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極の周端部それぞれの一部に共通して重なり、かつ、第３サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、
前記第３発光層は、第１サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、かつ、第２サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層はそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層であり、
前記第１発光層は、前記第２サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、かつ、第３サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、
前記第２発光層は、第１サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極の周端部それぞれの一部に共通して重なり、かつ、第３サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、
前記第３発光層は、第１サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、かつ、第２サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様５〕
前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層はそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層であり、
前記第１発光層は、前記第２サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第３サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、
前記第２発光層は、前記第１サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第３サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、
前記第３発光層は、前記第１サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第２サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層はそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層であり、
前記第１発光層は、前記第２サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第３サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、
前記第２発光層は、前記第１サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第３サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、
前記第３発光層は、前記第１サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第２サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様６〕
前記第１サブ画素に隣接し、第４画素電極を含む第４サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第５画素電極を含む第５サブ画素とを備え、
前記第４画素電極全体および前記第５画素電極全体が、前記第１発光層に重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１サブ画素に隣接し、第４画素電極を含む第４サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第５画素電極を含む第５サブ画素とを備え、
前記第４画素電極全体および前記第５画素電極全体が、前記第１発光層に重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様７〕
前記第１画素電極と前記第１発光層との間に、前記第１画素電極全体と接する機能層が設けられている例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極と前記第１発光層との間に、前記第１画素電極全体と接する機能層が設けられている例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様８〕
前記第１画素電極の周端部には、前記第１発光層および前記第２発光層に重なる部分と、前記第１発光層および前記第３発光層に重なる部分とが含まれる例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極の周端部には、前記第１発光層および前記第２発光層に重なる部分と、前記第１発光層および前記第３発光層に重なる部分とが含まれる例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様９〕
前記第２発光層および前記第３発光層それぞれに、前記第１画素電極と重なる開口が設けられ、
前記第１画素電極の周端部の全周が、前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層と重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第２発光層および前記第３発光層それぞれに、前記第１画素電極と重なる開口が設けられ、
前記第１画素電極の周端部の全周が、前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層と重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様１０〕
複数の発光層が重なる領域では、発光波長の大きな発光層が、発光波長の小さな発光層よりも上層に位置する例えば態様１に記載の表示デバイス。
複数の発光層が重なる領域では、発光波長の大きな発光層が、発光波長の小さな発光層よりも上層に位置する例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様１１〕
前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層それぞれが、量子ドットおよび感光性樹脂を含む例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層それぞれが、量子ドットおよび感光性樹脂を含む例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様１２〕
前記第１発光層の平面形状と、前記第２発光層の平面形状と、前記第３発光層の平面形状とが異なる例えば態様３に記載の表示デバイス。
前記第１発光層の平面形状と、前記第２発光層の平面形状と、前記第３発光層の平面形状とが異なる例えば態様３に記載の表示デバイス。
〔態様１３〕
前記第１画素電極および前記第２画素電極の間隙と、前記第１画素電極および前記第３画素電極の間隙とが、前記機能層で埋められている例えば態様７に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極および前記第２画素電極の間隙と、前記第１画素電極および前記第３画素電極の間隙とが、前記機能層で埋められている例えば態様７に記載の表示デバイス。
〔態様１４〕
前記第１画素電極および前記第２画素電極は、絶縁膜上に間隙をおいて配され、
前記間隙における前記絶縁膜と前記共通電極との距離は、前記第１画素電極の厚みよりも大きく、前記間隙の幅よりも小さい例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極および前記第２画素電極は、絶縁膜上に間隙をおいて配され、
前記間隙における前記絶縁膜と前記共通電極との距離は、前記第１画素電極の厚みよりも大きく、前記間隙の幅よりも小さい例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様１５〕
前記共通電極は、前記第１画素電極と重なる部分が、前記第１画素電極側に向けて凸となる形状である例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記共通電極は、前記第１画素電極と重なる部分が、前記第１画素電極側に向けて凸となる形状である例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様１６〕
平面視において、前記第１画素電極のエッジから前記第１サブ画素の発光領域までの距離は、前記第１サブ画素の発光領域の幅よりも小さい例えば態様１に記載の表示デバイス。
平面視において、前記第１画素電極のエッジから前記第１サブ画素の発光領域までの距離は、前記第１サブ画素の発光領域の幅よりも小さい例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様１７〕
前記第１サブ画素の発光面積と、前記第２サブ画素の発光面積と、前記第３サブ画素の発光面積とが異なる例えば態様３に記載の表示デバイス。
前記第１サブ画素の発光面積と、前記第２サブ画素の発光面積と、前記第３サブ画素の発光面積とが異なる例えば態様３に記載の表示デバイス。
〔態様１８〕
前記第１発光層が緑色発光層、前記第２発光層が赤色発光層、前記第３発光層が青色発光層である場合に、前記第１サブ画素の発光面積＜前記第２サブ画素の発光面積＜前記第３サブ画素の発光面積である例えば態様１７に記載の表示デバイス。
前記第１発光層が緑色発光層、前記第２発光層が赤色発光層、前記第３発光層が青色発光層である場合に、前記第１サブ画素の発光面積＜前記第２サブ画素の発光面積＜前記第３サブ画素の発光面積である例えば態様１７に記載の表示デバイス。
〔態様１９〕
接触する２つの発光層について、下層側の発光層のエッジを、上層側の発光層が覆っている例えば態様９に記載の表示デバイス。
接触する２つの発光層について、下層側の発光層のエッジを、上層側の発光層が覆っている例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様２０〕
前記第２発光層の開口の全体および前記第３発光層の開口の全体が、前記第１発光層と重なる例えば態様９に記載の表示デバイス。
前記第２発光層の開口の全体および前記第３発光層の開口の全体が、前記第１発光層と重なる例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様２１〕
前記第２発光層の開口と前記第３発光層の開口との形状が異なる例えば態様９に記載の表示デバイス。
前記第２発光層の開口と前記第３発光層の開口との形状が異なる例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様２２〕
前記第１画素電極の周端部と重なる３つの発光層の積層順序が、前記周端部の全周にわたって同じである例えば態様９に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極の周端部と重なる３つの発光層の積層順序が、前記周端部の全周にわたって同じである例えば態様９に記載の表示デバイス。
〔態様２３〕
前記第１画素電極は、コンタクトホールを介して第１配線に接続され、
前記コンタクトホールの開口の全体が、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
前記第１画素電極は、コンタクトホールを介して第１配線に接続され、
前記コンタクトホールの開口の全体が、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。
〔態様２４〕
前記機能層は、電荷輸送層または電荷注入層を含む、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素の共通層である例えば態様７に記載の表示デバイス。
前記機能層は、電荷輸送層または電荷注入層を含む、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素の共通層である例えば態様７に記載の表示デバイス。
２ 表示デバイス
４ ＴＦＴ層
８ ＥＬ層
ＳＰｒ・ＳＰｇ・ＳＰｂ サブ画素
ＰＥｒ・ＰＥｇ・ＰＥｂ 画素電極
ＥＭｒ・ＥＭｇ・ＥＭｂ 発光層
ＥＤｒ・ＥＤｇ・ＥＤｂ （画素電極の）周端部
ＫＥ 共通電極
Ｈｒ・Ｈｇ・Ｈｂ コンタクトホール
４ ＴＦＴ層
８ ＥＬ層
ＳＰｒ・ＳＰｇ・ＳＰｂ サブ画素
ＰＥｒ・ＰＥｇ・ＰＥｂ 画素電極
ＥＭｒ・ＥＭｇ・ＥＭｂ 発光層
ＥＤｒ・ＥＤｇ・ＥＤｂ （画素電極の）周端部
ＫＥ 共通電極
Ｈｒ・Ｈｇ・Ｈｂ コンタクトホール
Claims (24)
- 第１画素電極を含む第１サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第２画素電極を含む第２サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第３画素電極を含む第３サブ画素とを備える表示デバイスであって、
前記第１画素電極全体と重なる第１発光層と、前記第２画素電極全体と重なる第２発光層と、前記第３画素電極全体と重なる第３発光層と、前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層よりも上層の共通電極とを備え、
前記第１画素電極の周端部の全周が、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる表示デバイス。 - 前記第１画素電極において前記周端部よりも内側に位置する有効部は、前記第１発光層と重なり、前記第２発光層および前記第３発光層とは重ならない請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素は異なる色で発光する請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層はそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層であり、
前記第１発光層は、前記第２サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、かつ、第３サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、
前記第２発光層は、第１サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極の周端部それぞれの一部に共通して重なり、かつ、第３サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、
前記第３発光層は、第１サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なり、かつ、第２サブ画素と同色の複数のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の一部に共通して重なる請求項１に記載の表示デバイス。 - 前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層はそれぞれ、隣接する同色の複数のサブ画素に共通する層であり、
前記第１発光層は、前記第２サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第３サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、
前記第２発光層は、前記第１サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第３サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、
前記第３発光層は、前記第１サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なり、かつ、前記第２サブ画素と同色のサブ画素に含まれる複数の画素電極それぞれの周端部の内側に開口を有するとともに当該周端部の全周と重なる請求項１に記載の表示デバイス。 - 前記第１サブ画素に隣接し、第４画素電極を含む第４サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接し、第５画素電極を含む第５サブ画素とを備え、
前記第４画素電極全体および前記第５画素電極全体が、前記第１発光層に重なる請求項１に記載の表示デバイス。 - 前記第１画素電極と前記第１発光層との間に、前記第１画素電極全体と接する機能層が設けられている請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第１画素電極の周端部には、前記第１発光層および前記第２発光層に重なる部分と、前記第１発光層および前記第３発光層に重なる部分とが含まれる請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第２発光層および前記第３発光層それぞれに、前記第１画素電極と重なる開口が設けられ、
前記第１画素電極の周端部の全周が、前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層と重なる請求項１に記載の表示デバイス。 - 複数の発光層が重なる領域では、発光波長の大きな発光層が、発光波長の小さな発光層よりも上層に位置する請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層それぞれが、量子ドットおよび感光性樹脂を含む請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第１発光層の平面形状と、前記第２発光層の平面形状と、前記第３発光層の平面形状とが異なる請求項３に記載の表示デバイス。
- 前記第１画素電極および前記第２画素電極の間隙と、前記第１画素電極および前記第３画素電極の間隙とが、前記機能層で埋められている請求項７に記載の表示デバイス。
- 前記第１画素電極および前記第２画素電極は、絶縁膜上に間隙をおいて配され、
前記間隙における前記絶縁膜と前記共通電極との距離は、前記第１画素電極の厚みよりも大きく、前記間隙の幅よりも小さい請求項１に記載の表示デバイス。 - 前記共通電極は、前記第１画素電極と重なる部分が、前記第１画素電極側に向けて凸となる形状である請求項１に記載の表示デバイス。
- 平面視において、前記第１画素電極のエッジから前記第１サブ画素の発光領域までの距離は、前記第１サブ画素の発光領域の幅よりも小さい請求項１に記載の表示デバイス。
- 前記第１サブ画素の発光面積と、前記第２サブ画素の発光面積と、前記第３サブ画素の発光面積とが異なる請求項３に記載の表示デバイス。
- 前記第１発光層が緑色発光層、前記第２発光層が赤色発光層、前記第３発光層が青色発光層である場合に、前記第１サブ画素の発光面積＜前記第２サブ画素の発光面積＜前記第３サブ画素の発光面積である請求項１７に記載の表示デバイス。
- 接触する２つの発光層について、下層側の発光層のエッジを、上層側の発光層が覆っている請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記第２発光層の開口の全体および前記第３発光層の開口の全体が、前記第１発光層と重なる請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記第２発光層の開口と前記第３発光層の開口との形状が異なる請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記第１画素電極の周端部と重なる３つの発光層の積層順序が、前記周端部の全周にわたって同じである請求項９に記載の表示デバイス。
- 前記第１画素電極は、コンタクトホールを介して第１配線に接続され、
前記コンタクトホールの開口の全体が、前記第１発光層と、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも一方とに重なる請求項１に記載の表示デバイス。 - 前記機能層は、電荷輸送層または電荷注入層を含む、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素および前記第３サブ画素の共通層である請求項７に記載の表示デバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201880097084.1A CN112640579A (zh) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 显示设备 |
| PCT/JP2018/033302 WO2020049738A1 (ja) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 表示デバイス |
| US17/272,574 US20210359028A1 (en) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/033302 WO2020049738A1 (ja) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020049738A1 true WO2020049738A1 (ja) | 2020-03-12 |
Family
ID=69722525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/033302 WO2020049738A1 (ja) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 表示デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210359028A1 (ja) |
| CN (1) | CN112640579A (ja) |
| WO (1) | WO2020049738A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022191112A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2023032109A1 (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | シャープ株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法 |
| WO2023203685A1 (ja) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146362B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-12-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN113921742A (zh) * | 2020-07-09 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点层图案化的方法、发光器件的制作方法及相关装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291588A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成装置及びそれを用いた自発光装置の作製方法 |
| JP2001290441A (ja) * | 1999-02-26 | 2001-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
| JP2002260851A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Nec Corp | 発光体および発光システム |
| JP2003257657A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、および製造装置 |
| JP2007141847A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| WO2009041595A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2016051992A1 (ja) * | 2014-10-03 | 2016-04-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置 |
| JP2018507526A (ja) * | 2015-02-10 | 2018-03-15 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイパネル |
| US20180179441A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for preparing a quantum dot, a quantum dot prepared therefrom, and an electronic device including the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3994482B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2007-10-17 | 双葉電子工業株式会社 | マルチカラー有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| JP4531324B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2010-08-25 | 大日本印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2005011793A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Sony Corp | 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置 |
| JP5407242B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2014-02-05 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2018006232A (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-09-07 CN CN201880097084.1A patent/CN112640579A/zh active Pending
- 2018-09-07 WO PCT/JP2018/033302 patent/WO2020049738A1/ja active Application Filing
- 2018-09-07 US US17/272,574 patent/US20210359028A1/en active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001290441A (ja) * | 1999-02-26 | 2001-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
| JP2001291588A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-10-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成装置及びそれを用いた自発光装置の作製方法 |
| JP2002260851A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Nec Corp | 発光体および発光システム |
| JP2003257657A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法、および製造装置 |
| JP2007141847A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| WO2009041595A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2016051992A1 (ja) * | 2014-10-03 | 2016-04-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置 |
| JP2018507526A (ja) * | 2015-02-10 | 2018-03-15 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイパネル |
| US20180179441A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for preparing a quantum dot, a quantum dot prepared therefrom, and an electronic device including the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022191112A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2023032109A1 (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | シャープ株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法 |
| WO2023203685A1 (ja) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210359028A1 (en) | 2021-11-18 |
| CN112640579A (zh) | 2021-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020049738A1 (ja) | 表示デバイス | |
| JP6685675B2 (ja) | 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| US9786866B2 (en) | Display device with auxiliary wiring | |
| JP6961468B2 (ja) | ディスプレイ装置 | |
| JP4121514B2 (ja) | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 | |
| JP6688701B2 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| KR102383928B1 (ko) | 전계발광 표시장치 | |
| JP6807350B2 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| KR102572407B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 | |
| US20210376022A1 (en) | Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same, and Display Device | |
| KR20140124615A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP6358946B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20160076688A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
| KR102405943B1 (ko) | 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 | |
| KR20130093187A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2010186582A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20220061080A (ko) | 표시 장치 | |
| JP2021061175A (ja) | 自発光表示パネル | |
| JP2007123278A (ja) | 並列式フルカラーの有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| WO2020065963A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| US20230403904A1 (en) | Display device | |
| JP2021061234A (ja) | 自発光型表示パネル | |
| WO2016006230A1 (ja) | 有機発光デバイスと有機表示装置 | |
| WO2020049742A1 (ja) | 表示デバイス及び表示デバイスの製造方法 | |
| WO2021192242A1 (ja) | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 18932662 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 18932662 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |