CN112640579A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

具备：包含第一像素电极(PEg)的第一子像素(SPg)；与第一子像素相邻，包含第二像素电极(PEr)的第二子像素(SPr)；与第一子像素相邻，包含第三像素电极(PEb)的第三子像素(SPb)；与第一像素电极整体重叠的第一发光层(EMg)；与第二像素电极整体重叠的第二发光层(EMr)；以及与第三像素电极整体重叠的第三发光层(EMb)，第一像素电极的周端部(EDg)的整周与第一发光层(EMg)、第二发光层(EMr)和第三发光层(EMb)的至少一个重叠。

Description

显示设备
技术领域
本发明涉及一种显示设备。
背景技术
在专利文献1中，公开了在阳极上形成有机发光层的显示装置中，用绝缘膜(边缘罩)覆盖阳极的边缘的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“2008-077953公报(2008年4月3日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在上述的结构中，在边缘罩的图案化工序中，阳极的露出部(未被边缘罩覆盖的部分)有可能会劣化。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一实施方式的一种显示设备，具备：包含第一像素电极的第一子像素；与所述第一子像素相邻，且包含第二像素电极的第二子像素；以及与所述第一子像素相邻，包含第三像素电极的第三子像素，具备：第一发光层，与所述第一像素电极整体重叠；第二发光层，与所述第二像素电极整体重叠；第三发光层，与所述第三像素电极整体重叠；以及公共电极，比所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层靠上层，所述第一像素电极的周端部的整周与所述第一发光层、所述第二发光层及所述第三发光层中的至少一个重叠。
有益效果
根据本发明的一方式，第一像素电极的周端部在整个周缘与多个发光层重叠，因此不需要形成覆盖第一像素电极的边缘的绝缘膜(边缘罩)，除了工序数的削减以外，还能够避免第一像素电极的劣化。
附图说明
图1的(a)是示出显示设备的制造方法的一个例子的流程图，(b)是示出显示设备的截面构成的示意图。
图2是第一实施方式的显示设备的截面-平面对应图。
图3的(a)是表示第一实施方式中的效果的截面示意图，(b)是表示比较例的截面示意图。
图4的(a)～(d)是第一实施方式的EL层及公共电极层的形成步骤的截面-平面对应图。
图5的(a)～(e)是表示EL层的图案化工序的截面示意图。
图6是示出第一实施方式的变形例的截面-平面对应图。
图7是示出第二实施方式的显示设备的截面-平面对应图。
图8的(a)～(d)是表示第二实施方式中的EL层及公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。
图9是示出第二实施方式的变形例的截面-平面对应图。
图10是示出第二实施方式的另一变形例的截面-平面对应图。
图11是示出第三实施方式的显示设备的截面图。
具体实施方式
在下文中，“同层”指的是在同一工序(成膜工序)中由同一材料形成的，“下层”指的是在比比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比比较对象层更后面的工序中形成的。
图1的(a)是示出显示设备的制造方法的一个例子的流程图，图1的(b)是示出显示设备的截面构成的示意图。如图1所示，在显示设备的制造中，首先，在基材3上形成TFT层4(步骤S1)。接着，形成像素电极层5(步骤S2)。接着，形成EL(电致发光)层8(步骤S3)。EL层8可以使用例如光刻法形成，也可以使用了FMM(精细金属掩膜)的蒸镀法来形成。接着，形成公共电极层9(步骤S4)。接着，形成密封层10(步骤S5)。步骤S1～S4由显示设备制造装置(包括进行步骤S3的成膜装置)进行。
基材3可以使用玻璃、聚酰亚胺等树脂。也可以在玻璃或树脂中成膜氮化硅等势垒膜而作为基材3。
在TFT层4设置有半导体层、多个金属层以及多个绝缘层，形成多个TFT(薄膜晶体管)。在TFT层4形成有由像素电极层5、EL层8以及公共电极层9构成的发光元件(例如，发光二极管)的控制电路。
像素电极层5包括具有光反射性的多个像素电极，EL层8包括多个发光层(例如量子点层、有机发光层)，公共电极层9包括具有透光性的公共电极。
像素电极层5例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)与Al(铝)、Ag(银)或包含Ag的合金的层积构成。公共电极层9例如由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(Indium zincOxide：氧化铟锌)、银纳米线构成。在像素电极层5与公共电极层9中，功函数不同。可以将像素电极层5作为阳极侧(高电压侧)、将公共电极层9作为阴极侧(低电压侧)，也可以将像素电极层5作为阴极侧(低电压侧)、将公共电极层9作为阳极侧(高电压侧)。
在显示设备的显示区域设有由像素电极层5、EL层8以及公共电极层9构成的多个发光元件，在显示区域的外侧(边框区域)设有驱动TFT层4等的驱动器。
在发光元件ES为QLED(量子点发光二极管)的情况下，通过像素电极以及公共电极之间的驱动电流使空穴和电子在发光层内复合，由此产生的激子从量子点的导带能级(conduction band)向价带能级(valence band)迁移的过程中放出光(荧光)。公共电极是透光性的，像素电极是光反射性的，因此从EL层8放出的光朝向上方，成为顶部发光。
在发光元件ES为OLED(有机发光二极管)的情况下，通过像素电极以及公共电极之间的驱动电流使空穴和电子在发光层内复合，由此产生的激子向基态迁移的过程中放出光。发光元件不限于QLED、OLED，也可以是无机发光二极管等。
透光性的密封层10包括氮化硅等无机绝缘膜，防止水、氧等异物向发光元件渗透。
(第一实施方式)
图2为第一实施方式的显示设备的截面-平面对应图。图3的(a)是表示第一实施方式中的效果的截面示意图，图3的(b)是表示比较例的截面示意图。
在图2中，发红色光的子像素SPr、发绿色光的子像素SPg以及发蓝色光的子像素SPb依次沿行方向(左右方向)排列。子像素SPg(第一子像素)包括矩形的像素电极PEg(第一像素电极)。包括矩形的像素电极PEr(第二像素电极)的子像素SPr(第二子像素)、包括矩形的像素电极PEb(第三像素电极)的子像素SPb(第三子像素)与子像素SPg邻接。像素电极PEr、PEg、PEb分别形成于作为TFT层4的最上层的有机绝缘膜PF(聚酰亚胺等的平坦化膜)上，与形成于TFT层4的晶体管(未图示)连接。像素电极PEg、PEr、PEb不限于矩形，也可以是圆形、椭圆形等。与子像素SPg在列方向(上下方向)上相邻的子像素SPGi(第四子像素)和子像素SPGj(第五子像素)包含在绿色的子像素列(行)中。
在EL层8设置有与像素电极PEg整体重叠的发光层EMg(第一发光层)、与像素电极PEr整体重叠的发光层EMr(第二发光层)以及与像素电极PEb整体重叠的发光层EMb(第三发光层)。在图1的步骤S3中，按照发蓝色光的发光层EMb、EMB、发绿色光的发光层EMg、发红色光的发光层EMr、EMR的顺序形成，发光层EMg比发光层EMb、EMB更上层，且比发光层EMr、EMR更下层。在图1的公共电极层9中，形成覆盖发光层EMr、EMR、EMg、EMb、EMB的公共电极KE。
发光层EMr为量子点层，含有发红色光的量子点、配体及感光性树脂。发光层EMr为量子点层，含有发绿色光的量子点、配体及感光性树脂。发光层EMr为量子点层，含有发蓝色光的量子点、配体及感光性树脂。
在各子像素中，可以使像素电极作为阳极、使公共电极作为阴极发挥功能，也可以使像素电极作为阴极、使公共电极作为阳极发挥功能。
在第一实施方式中，像素电极PEg的周端部EDg的整周与发光层EMg、发光层EMr以及发光层EMb中的至少一个重叠。即，由于像素电极PEg的周端部EDg由与发光层EMg及发光层EMr重叠的部分、与发光层EMg及发光层EMb重叠的部分以及与发光层EMg及发光层EMr及发光层EMb重叠的部分构成，因此在周端部EDg不流动电流(无助于发绿色光)。在像素电极PEg中位于比周端部EDg靠内侧的有效部NEg仅与发光层EMg重叠，不与发光层EMr以及发光层EMb重叠，因此，在有效部NEg中电流流动(有助于发绿色光)。
另外，像素电极PEr的周端部EDr的整周与发光层EMg、发光层EMr以及发光层EMb中的至少一个重叠。即，由于像素电极PEr的周端部EDr由与发光层EMr及发光层EMB重叠的部分、与发光层EMr及发光层EMg重叠的部分以及与发光层EMr及发光层EMB及发光层EMg重叠的部分构成，因此在周端部EDr不流动电流(无助于发红色光)。在像素电极PEr中位于比周端部EDr靠内侧的有效部NEr仅与发光层EMr重叠，不与发光层EMg及发光层EMB重叠，因此，在有效部NEg中电流流动(有助于发红色光)。
另外，像素电极PEb的周端部EDb的整周与发光层EMb和发光层EMg及发光层EMR的至少一个重叠。即，由于像素电极PEb的周端部EDb由与发光层EMb以及发光层EMg重叠的部分、与发光层EMb以及发光层EMR重叠的部分、以及与发光层EMb和发光层EMg以及发光层EMR重叠的部分构成，因此不流动电流(无助于发蓝色光)。在像素电极PEb中位于周端部EDb的内侧的有效部NEb与发光层EMb仅重叠，不与发光层EMg及发光层EMR重叠，因此，在有效部NEb中电流流动(有助于发蓝色光)。
与像素电极PEg相邻的像素电极PEGi(第四像素电极)以及像素电极PEGj(第五像素电极)包含在绿色的子像素列(行)中，像素电极PEGi整体以及像素电极PEGj整体与发绿色光的发光层Eg重叠。
在图2中，发光层EMg、发光层EMr以及发光层EMg分别是相邻的同色的多个子像素公共的层。发光层EMg与子像素SPr同色(红)的多个子像素SPRi、SPRj所包含的多个像素电极PERi、PERj各自的周端部的一部分公共地重叠。并且，发光层EMg与子像素SPb同色(蓝色)的多个子像素SPBi、SPBj所包含的多个像素电极PEBi、PEBj各自的周端部的一部分公共地重叠。发光层EMr与子像素SPg同色(绿色)的多个子像素SPGi、SPGj所包含的多个像素电极PEGi、PEGj各自的周端部的一部分公共地重叠。而且，发光层EMr与子像素SPb同色(蓝色)的多个子像素SPBi、SPBj所包含的多个像素电极PEBi、PEBj各自的周端部的一部分公共地重叠。发光层EMb与子像素SPg同色(绿色)的多个子像素SPGi、SPGj所包含的多个像素电极PEGi、PEGj各自的周端部的一部分公共地重叠。并且，发光层EMb与子像素SPr同色(红色)的多个子像素SPRi、SPRj所包含的多个像素电极PERi、PERj各自的周端部的一部分公共地重叠。
在第一实施方式中，与像素电极PEr、PEg、PEb的周端部重叠的多个发光层(多重发光层)作为边缘罩(覆盖像素电极的边缘的绝缘膜)发挥功能，因此能够抑制像素电极的边缘劣化的现象(所谓的子像素收缩)。由于不需要边缘罩的形成，因此工序数被削减，不会使像素电极的有效部NEr、NEg、NEb劣化。
在图2中，像素电极PEg的有效部NEg的面积＜像素电极PEr的有效部NEr的面积＜像素电极PEb的有效部NEb的面积，子像素SPg(绿色)的发光区域EAg的面积＜子像素SPr(红色)的发光区域EAr的面积＜子像素SPb(蓝色)的发光区域EAb的面积。这样，能够减小像素电极PEb的有效部NEb的电流密度，能够延长一般容易劣化的蓝色的子像素SPb的寿命。
像素电极PEg、PEr的间隙至少与发光层EMg、EMr重叠，该间隙的宽度d1大于该间隙中的有机绝缘膜PF与公共电极KE间的距离h1。这样，能够消除像素电极PEg、PEr间的泄漏电流。
进而，将h1＞作为像素电极PEg的厚度T，如图3的(a)所示，将公共电极KE在像素电极PEg上形成为向下凸的形状。如果这样设置，则到公共电极KE的距离在边缘Gx上比像素电极PEg的有效部NEg长，因此，电场不会集中在有效部NEg的端部(不会流过过剩电流)，能够防止发光区域EAg的收缩。此外，如图3的(b)所示，如果到公共电极KE的距离在边缘比像素电极PEg的有效部短，则电场集中在有效部的端部(流过过剩电流)，发光区域有可能收缩。
另外，在俯视时，通过使从像素电极PEg的边缘Gx到子像素SPg的发光区域EAg的距离(非发光宽度)小于发光区域EAg的宽度(行方向的长度)，扩大发光区域EAg，确保子像素SPg的亮度。
在图2中，像素电极PEr、PEb的间隙与发光层EMB、EMr重叠，该间隙的宽度d2大于该间隙中的有机绝缘膜PF以及公共电极KE间的距离h2，h2＞像素电极PEr的厚度T。公共电极KE在像素电极PEr上形成为向下凸的形状。另外，在俯视时，使从像素电极PEr的边缘Rx到子像素SPr的发光区域EAr的距离(非发光宽度)小于发光区域EAr的宽度。
另外，像素电极PEg、PEb的间隙与发光层EMb、EMg重叠，该间隙的宽度d3大于该间隙中的有机绝缘膜PF以及公共电极KE间的距离h3，h3＞像素电极PEb的厚度T。公共电极KE在像素电极PEb上形成为向下凸的形状。另外，在俯视时，使从像素电极PEb的边缘Bx到子像素SPb的发光区域EAb的距离(非发光宽度)小于发光区域EAb的宽度。
图4是示出第一实施方式的EL层和公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。图5是示出EL层的图案化工序的截面示意图。
在EL层8的形成中，首先，如图4的(a)那样与像素电极PEb整体重叠的蓝色发光层EMb、和从发光层EMb分离的多个蓝色发光层(包括发光层EMB)形成图案。接着，如图4的(b)那样与像素电极PEg整体重叠的绿色发光层EMg和从发光层EMg分离的多个绿色发光层(未图示)形成图案。接着，如图4的(c)那样与像素电极PEr整体重叠的发光层EMr和从发光层EMr分离的多个红色发光层(未图示)形成图案。接着，如图4的(d)所示，形成覆盖发光层EMb、EMg、EMr的公共电极KE。如图4所示，蓝色发光层EMb、绿色发光层EMg及红色发光层EMr的平面形状不同。
发光波长的大小的顺序由于在相同的材料中与量子点的粒径的大小的顺序一致，因此通过以蓝色发光层→绿色发光层→红色发光层的顺序形成，对于与像素电极的周端部重叠的多个发光层，如图4所示，发光波长大的(量子点的粒径大的)发光层位于比发光波长小的(量子点的粒径小的)发光层更靠上层的位置。由此，能够解决上层的发光层的量子点落入下层的发光层的量子点的间隙这样的问题。
在使用发光色不同的材料的量子点的情况、或使用核壳结构的量子点的情况下，无论发光色如何，量子点的粒径大的发光层都位于比量子点的粒径小的发光层靠上层，由此能够解决上层的发光层的量子点落入下层的发光层的量子点的间隙这样的问题。另外，由于发光层吸收比发光波长小的波长的光，因此，当发光波长大的发光层处于上层时，当外部光照射到发光层时，从下层的非预期的荧光发光被抑制。这里所示的量子点的“粒径”是设计值，实际上是指通过动态光散射法测定的中央粒径。每个量子点的粒径包含偏差，可以具有20％左右的误差。
发光层(EMb、EMg、EMr)能够以如下方式形成图案。首先，如图5(a)那样，将含有量子点及配体的感光性树脂(抗蚀剂)RS涂布在有机绝缘膜PF上(涂布厚度例如为10～100nm)。接着，如图5(b)那样，将涂布的抗蚀剂RS在80～120℃下预烘烤，使溶剂蒸发，使涂膜干燥。接着，如图5(c)那样，对经干燥的抗蚀剂RS隔着掩膜MK进行UV曝光(曝光强度例如为10～1000〔mJ/cm2〕)。接着，如图5的(d)所示，使用碱溶液、有机溶剂、水等进行显影(在正型抗蚀剂中UV照射部溶解，在负型抗蚀剂中UV非照射部溶解)，得到图案化的发光层EM。其后根据需要，如图5的(e)那样，例如在100～200℃下进行正式烧制。通过正式烧制，促进聚合反应或固化反应，抑制从感光性树脂的气体释放。
图6是示出第一实施方式的变形例的截面-平面对应图。如图6所示，也可以在EL层8中设置作为多个子像素间的公共层的下层功能层FLa以及上层功能层FLb。在该情况下，在像素电极PEg的有效部NEg上依次层叠有下层功能层FLa、发光层EMg、上层功能层FLb以及公共电极KE，在像素电极PEr的有效部NEr上依次层叠有下层功能层FLa、发光层EMr、上层功能层FLb以及公共电极KE，在像素电极PEb的有效部NEb上依次层叠有下层功能层FLa、发光层EMb、上层功能层FLb以及公共电极KE。在像素电极作为阳极、公共电极作为阴极发挥功能的普通结构中，下层功能层FLa也可以包含空穴注入层和空穴输送层，上层功能层FLb也可以包含电子注入层和电子输送层。在像素电极作为阴极、公共电极作为阳极发挥作用的倒置结构中，下层功能层FLa可以包括电子注入层及电子传输层，上层功能层FLb可以包括空穴注入层及空穴传输层。将空穴注入层和电子注入层统称为电荷注入层、空穴输送层和电子输送层统称为电荷输送层，将电荷注入层和电荷输送层作为功能层。进而，功能层中还包括在发光层与电荷输送层或者电荷注入层之间形成的绝缘性的阻挡层。
在图6中，下层功能层FLa以与像素电极PEg的整体、像素电极PEr的整体以及像素电极PEb的整体接触的方式形成为整面状，相邻的像素电极的间隙被下层功能层FLa填埋。
〔第二实施方式〕
图7是第二实施方式的显示设备的截面-平面对应图。在第二实施方式中，从下层侧开始依次形成与整个像素电极PEb重叠的(蓝色)发光层EMb、与整个像素电极PEg重叠的(绿色)发光层EMg、以及与整个像素电极PEr重叠的(红色)发光层EMr。发光层EMb、EMg、EMr为遍及整个显示区域的整面状，在发光层EMb设置有与像素电极PEg重叠的开口bk和与像素电极PEr重叠的开口Bk，在发光层EMg设置有与像素电极PEr重叠的开口gk和与像素电极PEb重叠的开口Gk，在发光层EMr设置有与像素电极PEg重叠的开口rk和与像素电极PEb重叠的开口Rk。
在图7中，开口与开口rk的整体重叠，像素电极PEg与开口rk的整体以及开口bk的整体重叠，像素电极PEg的周端部EDg的整周与发光层EMg和发光层EMr以及发光层EMb重叠，因此在周端部EDg电流不流动(无助于发绿色光)。在像素电极PEg中位于比周端部EDg靠内侧的有效部NEg仅与发光层EMg重叠，不与发光层EMr以及发光层EMb重叠，因此，在有效部NEg中电流流动(有助于发绿色光)。
另外，开口Bk与开口gk的整体重叠，像素电极PEr与开口gk的整体以及开口Bk的整体重叠，像素电极PEr的周端部EDr的整周与发光层EMr和发光层EMg以及发光层EMb重叠，因此在周端部EDr不流动电流(无助于发红色光)。在像素电极PEr中位于比周端部EDr靠内侧的有效部NEr仅与发光层EMr重叠，不与发光层EMg及发光层EMb重叠，因此，在有效部NEr电流流动(有助于发红色光)。
另外，开口GK与开口Rk的整体重叠，像素电极PEb与开口Rk的整体以及开口Gk的整体重叠，像素电极PEb的周端部EDb的整周与发光层EMb和发光层EMg以及发光层EMr重叠，因此在周端部EDb不流动电流(无助于发蓝色光)。在像素电极PEb中位于周端部EDb的内侧的有效部NEb与发光层EMb仅重叠，不与发光层EMg及发光层EMr重叠，因此，在有效部NEb中电流流动(有助于发蓝色光)。
在图7中，发光层EMg、发光层EMr以及发光层EMg分别是相邻的同色的多个子像素公共的层。发光层EMg在与子像素SPr同色(红色)的子像素SPRi、SPRj所包含的多个像素电极PERi、PERj各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。而且，发光层EMg在与子像素SPb同色(蓝色)的子像素SPBi、SPBj所包含的多个像素电极PEBi、PEBj各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。发光层EMr在与子像素SPg同色(绿色)的子像素SPGi、SPGj所包含的多个像素电极PEGi、PEGj各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。而且，发光层EMr在与子像素SPb同色(蓝色)的子像素SPBi、SPBj所包含的多个像素电极PEBi、PEBj各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。发光层EMb在与子像素SPg同色(绿色)的子像素SPGi、SPGj所包含的多个像素电极PEGi、PEGj各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。而且，发光层EMb在与子像素SPr同色(红色)的子像素SPRi、SPRj所包含的多个像素电极PERi、PERj各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。
在第二实施方式中，与像素电极的周端部重叠的三个发光层的层叠顺序(从下层侧开始依次为，发光层EMb、发光层EMg、发光层EMr)在周端部的整周上相同，对于接触的两个发光层，上层侧的发光层覆盖下层侧的发光层的边缘。即，发光层EMg覆盖发光层EMb的边缘(包括开口Bk、bk周围)，发光层EMr覆盖发光层EMg的边缘(包括开口Gk、gk周围)。
发光层EMb的开口bk和开口BK的形状不同，发光层EMg的开口gk和开口GK的形状不同，发光层EMr的开口RK的形状与开口rk不同，像素电极PEg的有效部NEg的面积＜像素电极PEr的有效部NEr的面积＜像素电极PEb的有效部NEb的面积。
在第二实施方式中，由于像素电极的周端与三个发光层重叠，因此能够更可靠地抑制周端部的劣化。
发光层EMb、EMg、EMr分别在整个显示区域上以整面状(连续)形成，在发光层EMb、发光层EMg及发光层EMr上分别设置有形状不同的两种开口。因此，发光层与基底的接地面积大(发光层的粘接强度高)，发光层难以剥离。另外，在岛状的孤立图案中，拐角的外围270°暴露于加工工序中，但在具有开口的实心状的连续图案中，开口的拐角的内围90°暴露于加工工序中，因此能够抑制发光层在拐角处的剥离。
图8的(a)～(d)是示出第二实施方式中的EL层和公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。在EL层8的形成中，首先，如图8的(a)所示，在显示区域整体成膜与像素电极PEb整体重叠的(蓝色)发光层EMb，形成开口Bk、bk。接着，如图8的(b)所示，在显示区域整体成膜与像素电极PEg整体重叠(绿色)的发光层EMg，形成开口Gk、gk。接着，如图8的(c)所示，在显示区域整体成膜与像素电极PEr整体重叠的(红色)发光层EMr，形成开口Rk、rk。接着，如图8的(d)所示，形成覆盖发光层EMr的公共电极KE。
图9是示出第二实施方式的变形例的截面-平面对应图。如图9所示，可以在发光层EMb的下层设置覆盖像素电极PEg、PEr、PEb的下层功能层FLa，在公共电极KE的下层设置覆盖发光层EMr、EMg、EMb的上层功能层FLb。
图10为示出第二实施方式的另一变形例的截面-平面对应图，如图10(d)所示，是在两个像素区域中包括一个红色的子像素(包括像素电极PEr)、两个绿色的子像素(包括像素电极PEg)、一个蓝色的子像素(包括像素电极PEb)的Pentile方式的显示设备。蓝色发光层EMb(参照图10的(a))具有与像素电极PEg重叠的开口bk和与像素电极PEr重叠的开口BK，遍及显示区域整体而形成。绿色发光层EMg(参照图10的(b))具有与像素电极PEr重叠的开口gk和与像素电极PEb重叠的开口GK，遍及显示区域整体而形成。红色发光层EMr(参照图10的(c))具有与像素电极PEg重叠的开口rk和与像素电极PEb重叠的开口RK，遍及显示区域整体而形成。蓝色发光层EMb、绿色发光层EMg、红色发光层EMr依次层叠。在图10的情况下，在像素电极PEr、PEg、PEb各自的周端部，三个发光层EMb、EMg、EMr依次重叠，这三个发光层作为边缘罩而发挥作用。
〔第三实施方式〕
图11为第三实施方式的显示设备的截面图。图11(a)中，在有机绝缘膜PF设置接触孔Hg，通过接触孔Hg连接像素电极PEg及TFT层4的布线SHg。并且，像素电极PEg的周端部EDg与两个发光层EMb、EMg重叠，并且，接触孔Hg的开口CKg整体与两个发光层EMb、EMg重叠。由此，除了周端部EDg处的过剩电流以外，还能够抑制接触孔Hg的斜面(侧壁)处的过剩电流。
图11的(b)中，在有机绝缘膜PF设置接触孔Hr，通过接触孔Hr连接像素电极PEr及TFT层4的布线SHr。并且，像素电极PEr的周端部EDr与两个发光层EMr、EMg重叠，并且，接触孔Hr的开口CKr整体与两个发光层EMr、EMg重叠。由此，除了周端部EDr处的过剩电流以外，还能够抑制接触孔Hr的斜面(侧壁)处的过剩电流。
图11的(c)中，在有机绝缘膜PF设置接触孔Hb，通过接触孔Hb连接像素电极PEb和TFT层4的布线SHb。并且，像素电极PEb的周端部EDb与两个发光层EMb、EMR重叠，并且，接触孔Hb的开口CKb整体与两个发光层EMb、EMR重叠。由此，除了周端部EDb的过剩电流以外，还能够抑制接触孔Hb的斜面(侧壁)的过剩电流。
[总结]
〔方式1〕
一种显示设备，具备：包含第一像素电极的第一子像素；与所述第一子像素相邻，且包含第二像素电极的第二子像素；以及与所述第一子像素相邻，包含第三像素电极的第三子像素，
具备：第一发光层，与所述第一像素电极整体重叠；第二发光层，与所述第二像素电极整体重叠；第三发光层，与所述第三像素电极整体重叠；以及公共电极，比所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层靠上层，
所述第一像素电极的周端部的整周与所述第一发光层、所述第二发光层及所述第三发光层中的至少一个重叠。
〔方式2〕
如方式1所述的显示设备，所述第一像素电极中的位于比所述周端部靠内侧的位置的有效部与所述第一发光层重叠，与所述第二发光层及所述第三发光层不重叠。
〔方式3〕
如方式1所述的显示设备，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素以不同的颜色发光。
〔方式4〕
如方式1所述的显示设备，所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层分别是相邻的同色的多个子像素公共的层，
所述第一发光层与所述第二子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，且与第三子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，
所述第二发光层与第一子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极的周端部各自的一部分公共地重叠，且与第三子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，
所述第三发光层与和第一子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，并且与和第二子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠。
〔方式5〕
如方式1中所述的显示设备，所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层分别是相邻的同色的多个子像素公共的层，
所述第一发光层在与所述第二子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，并且，在与所述第三子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，
所述第二发光层在与所述第一子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，并且，在与所述第三子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，
所述第三发光层在与所述第一子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠，并且，在与所述第二子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。
〔方式6〕
如方式1中所述的显示设备，还具备第四子像素，与所述第一子像素相邻，包含第四像素电极；以及第五子像素，与所述第一子像素相邻，包含第五像素电极，
所述第四像素电极整体及所述第五像素电极整体与所述第一发光层重叠。
〔方式7〕
如方式1中所述的显示设备，在所述第一像素电极和所述第一发光层之间设置有与所述第一像素电极整体接触的功能层。
〔方式8〕
如方式1中所述的显示设备，在所述第一像素电极的周端部，包含与所述第一发光层和所述第二发光层重叠的部分以及与所述第一发光层和所述第三发光层重叠的部分。
〔方式9〕
如方式1中所述的显示设备，所述第二发光层及所述第三发光层上分别设有与所述第一像素电极重叠的开口，
所述第一像素电极的周端部的整周与所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层重叠。
〔方式10〕
如方式1中所述的显示设备，在多个发光层重叠的区域中，发光波长大的发光层位于发光波长小的发光层的上层。
〔方式11〕
如方式1中所述的显示设备，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层分别包含量子点和感光性树脂。
〔方式12〕
如方式3中所述的显示设备，所述第一发光层的平面形状、所述第二发光层的平面形状以及所述第三发光层的平面形状不相同。
〔方式13〕
如方式7所述的显示设备，所述第一像素电极和所述第二像素电极的间隙、所述第一像素电极和所述第三像素电极的间隙由所述功能层填充。
〔方式14〕
如方式1所述的显示设备，所述第一像素电极及所述第二像素电极在绝缘膜上隔着间隙配置，
所述间隙中的所述绝缘膜与所述公共电极的距离比所述第一像素电极的厚度大，且比所述间隙的宽度小。
〔方式15〕
如方式1所述的显示设备，所述公共电极为与所述第一像素电极重叠的部分向所述第一像素电极侧凸出的形状。
〔方式16〕
如方式1所述的显示设备，在俯视时，从所述第一像素电极的边缘到所述第一子像素的发光区域的距离小于所述第一子像素的发光区域的宽度。
〔方式17〕
如方式3所述的显示设备，所述第一子像素的发光面积、所述第二子像素的发光面积和所述第三子像素的发光面积不相同。
〔方式18〕
如方式17所述的显示设备，在所述第一发光层为绿色发光层、所述第二发光层为红色发光层、所述第三发光层为蓝色发光层的情况下，所述第一子像素的发光面积＜所述第二子像素的发光面积＜所述第三子像素的发光面积。
〔方式19〕
如方式9所述的显示设备，对于接触的两个发光层，上层侧的发光层将下层侧的发光层的边缘覆盖。
〔方式20〕
如方式9所述的显示设备，所述第二发光层的开口的整体及所述第三发光层的开口的整体与所述第一发光层重叠。
〔方式21〕
如方式9所述的显示设备，所述第二发光层的开口和所述第三发光层的开口的形状不同。
〔方式22〕
如方式9所述的显示设备，与所述第一像素电极的周端部重叠的三个发光层的层叠顺序在所述周端部的整周上都相同。
〔方式23〕
如方式1所述的显示设备，所述第一像素电极通过接触孔与第一配线连接，
所述接触孔的开口的整体与所述第一发光层、所述第二发光层及所述第三发光层中的至少一个重叠。
〔方式24〕
如方式7所述的显示设备，其特征在于，所述功能层是包含电荷传输层或电荷注入层的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的公共层。
附图标记说明
2 显示设备
4 TFT层
8 EL层
SPr、SPg、SPb 子像素
PEr、PEg、PEb 像素电极
EMr、EMg、EMb 发光层
EDr、EDg、EDb(像素电极的) 周端部
KE 公共电极
Hr、Hg、Hb 接触孔。

Claims (24)

1.一种显示设备，具备：包含第一像素电极的第一子像素；与所述第一子像素相邻，且包含第二像素电极的第二子像素；以及与所述第一子像素相邻，包含第三像素电极的第三子像素，其特征在于，
具备：第一发光层，与所述第一像素电极整体重叠；第二发光层，与所述第二像素电极整体重叠；第三发光层，与所述第三像素电极整体重叠；以及公共电极，比所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层靠上层，
所述第一像素电极的周端部的整周与所述第一发光层、所述第二发光层及所述第三发光层中的至少一个重叠。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述第一像素电极中的位于比所述周端部靠内侧的位置的有效部与所述第一发光层重叠，与所述第二发光层及所述第三发光层不重叠。
3.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素以不同的颜色发光。
4.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层分别是相邻的同色的多个子像素公共的层，
所述第一发光层与所述第二子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，且与第三子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，
所述第二发光层与第一子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极的周端部各自的一部分公共地重叠，且与第三子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，
所述第三发光层与跟第一子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠，并且与和第二子像素同色的多个子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的一部分公共地重叠。
5.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层分别是相邻的同色的多个子像素公共的层，
所述第一发光层在与所述第二子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，并且，在与所述第三子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，
所述第二发光层在与所述第一子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口，且与该周端部的整周重叠，并且，在与所述第三子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口且与该周端部的整周重叠，
所述第三发光层在与所述第一子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠，并且，在与所述第二子像素同色的子像素所包含的多个像素电极各自的周端部的内侧具有开口，并且与该周端部的整周重叠。
6.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，还具备
第四子像素，与所述第一子像素相邻，包含第四像素电极；以及第五子像素，与所述第一子像素相邻，包含第五像素电极，
所述第四像素电极整体及所述第五像素电极整体与所述第一发光层重叠。
7.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
在所述第一像素电极和所述第一发光层之间设置有与所述第一像素电极整体接触的功能层。
8.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
在所述第一像素电极的周端部包含与所述第一发光层和所述第二发光层重叠的部分以及与所述第一发光层和所述第三发光层重叠的部分。
9.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
所述第二发光层及所述第三发光层上分别设有与所述第一像素电极重叠的开口，
所述第一像素电极的周端部的整周与所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层重叠。
10.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，
在多个发光层重叠的区域中，发光波长大的发光层位于发光波长小的发光层的上层。
11.如权利要求1中所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层分别包含量子点和感光性树脂。
12.如权利要求3中所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层的平面形状、所述第二发光层的平面形状以及所述第三发光层的平面形状不相同。
13.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述第一像素电极和所述第二像素电极的间隙、所述第一像素电极和所述第三像素电极的间隙由所述功能层填充。
14.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述第一像素电极及所述第二像素电极在绝缘膜上隔着间隙配置，
所述间隙中的所述绝缘膜与所述公共电极的距离比所述第一像素电极的厚度大，且比所述间隙的宽度小。
15.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述公共电极为与所述第一像素电极重叠的部分向所述第一像素电极侧凸出的形状。
16.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在俯视时，从所述第一像素电极的边缘到所述第一子像素的发光区域的距离小于所述第一子像素的发光区域的宽度。
17.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述第一子像素的发光面积、所述第二子像素的发光面积和所述第三子像素的发光面积不相同。
18.如权利要求17所述的显示设备，其特征在于，在所述第一发光层为绿色发光层、所述第二发光层为红色发光层、所述第三发光层为蓝色发光层的情况下，所述第一子像素的发光面积＜所述第二子像素的发光面积＜所述第三子像素的发光面积。
19.如权利要求9所述的显示设备，其特征在于，对于接触的两个发光层，上层侧的发光层覆盖下层侧的发光层的边缘。
20.如权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述第二发光层的开口的整体及所述第三发光层的开口的整体与所述第一发光层重叠。
21.如权利要求9所述的显示设备，其特征在于，所述第二发光层的开口和所述第三发光层的开口的形状不同。
22.如权利要求9所述的显示设备，其特征在于，与所述第一像素电极的周端部重叠的三个发光层的层叠顺序在所述周端部的整周上都相同。
23.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一像素电极通过接触孔与第一配线连接，
所述接触孔的开口的整体与所述第一发光层、所述第二发光层及所述第三发光层中的至少一个重叠。
24.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述功能层是包含电荷传输层或电荷注入层的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的公共层。
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