CN116569239A - 显示装置以及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：基板二像素电极，配置在所述基板上，且具有第一部分以及配置在所述第一部分的外侧的第二部分，所述第一部分与所述第二部分相比在第二侧上更突出，所述第二侧与靠近所述基板的第一侧相反；发光层，配置为横跨所述第一部分的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧；第一边缘罩，配置为横跨所述第一部分的边缘部的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧，且在所述第一部分的中心部的所述第二侧形成有开口，并覆盖所述第一部分的边缘；以及对向电极，其具备在与所述第一边缘罩相比更靠所述第二侧配置的部分，所述对向电极隔着所述发光层与所述像素电极对向。

Description

显示装置以及显示装置的制造方法
技术领域
本公开涉及显示装置以及显示装置的制造方法。
背景技术
专利文献1所记载的技术涉及有机EL显示装置的制造方法(第0036段)。
在该制造方法中，形成有高低差的基底层(第0038段)。
接着，形成分离各像素的隔离壁(第0025和0038段)。在从隔离壁露出的基底层的有效部，通过台阶形成有从中央部及中央部凹陷的凹部(0039段)。隔离壁的表面对用于形成有机活性层的高分子系材料具有疏液性(第0025和0038段)。
接着，朝向基底层的有效部涂布液状材料而形成涂布层(第0027段和0040段)。
接着，对涂布层进行加热干燥，形成包含发光层的有机活性层(第0023段和0040段)。
根据该制造方法，在向基底层的有效部涂布液状材料时，越过隔离壁的液状材料以及到达基底层的有效部的中央部的液状材料容易向基底层的有效部的凹部流下(0027段)。因此，能够抑制有机活性层的周边部的薄膜化(0027段)。由此，能够防止在两个电极之间产生短路(0028段)。另外，能够抑制电流集中至有机活性层的经薄膜化的部分的寿命降低(第0028段)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2008-234932号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
根据上述制造方法，能够在某种程度上抑制有机活性层的周边部的薄膜化。但是，由于无法使构成发光层的、形成在基底层的有效部的中央部上的部分的边缘部的厚度均匀化，因此，电流集中于该部分，无法使发光层整体均匀地发光。
该问题在有机EL显示装置以外的显示装置中产生。
本发明鉴于该问题而提出。本发明的目的在于，提供能够使发光区域内的发光强度均匀的显示装置以及显示装置的制造方法。
用于解决技术问题的技术方案
本公开的一方式的显示装置包括：基板；像素电极，配置在所述基板上，且具有第一部分以及配置在所述第一部分的外侧的第二部分，所述第一部分与所述第二部分相比在第二侧上更突出，所述第二侧与靠近所述基板的第一侧相反；发光层，配置为横跨所述第一部分的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧二第一边缘罩，配置为横跨所述第一部分的边缘部的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧，且在所述第一部分的中心部的所述第二侧形成有开口，并覆盖所述第一部分的边缘；以及对向电极，其具备在与所述第一边缘罩相比更靠所述第二侧配置的部分，所述对向电极隔着所述发光层与所述像素电极对向。
本公开的另一方式的显示装置的制造方法包括：a)准备基板的工序；b)形成像素电极的工序，所述像素电极配置在所述基板上，且具有第一部分以及配置在所述第一部分的外侧的第二部分，所述第一部分比所述第二部分更向第二侧突出，所述第二侧与靠近所述基板的第一侧相反；c)在所述第二部分的外侧形成剥离层的工序；d)形成发光材料层的工序，其形成配置为横跨所述第一部分的所述第二侧、所述第二部分的所述第二侧以及所述剥离层的所述第二侧形成发光材料层；e)形成发光层的工序，其将所述剥离层以及构成所述发光材料层的、形成于所述剥离层的所述第二侧的部分剥离，从而形成配置为从所述发光材料层跨越所述第一部分的所述第二侧以及所述第二部分的所述第二侧的所述发光层；以及f)形成边缘罩的工序，其形成横跨所述第一部分的边缘部的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧，且在所述第一部分的中心部的所述第二侧形成有开口，并覆盖所述第一部分的边缘的边缘罩。
附图说明
图1是示意性地图示第一实施方式的显示装置的俯视图。
图2是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的各像素的俯视图。
图3是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。
图4是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。
图5是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置所具备的功能层附近的放大剖面图。
图6A是跨越基底的凸部的上侧以及基底的凹部的上侧而形成的发光层的上表面的图像。
图6B是示意性地示出跨越基底的凸部的上侧以及基底的凹部的上侧而形成的发光层的剖面图。
图6C是示意性地示出跨越基底的凸部的上侧以及基底的凹部的上侧而形成的发光层的剖面图。
图7是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置所具备的各像素的剖视图。
图8是示意性地示出第一实施方式的变形例的显示装置所具备的像素的剖视图。
图9是示出第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图10是示出第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图11是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图12是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图13是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图14是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图15是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图16是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图17是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图18是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图19是示意性地示出第一实施方式的显示装置的制造方法得到的中间产品的剖视图。
图20是示意性地图示第二实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。
图21是示意性地图示第三实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。
图22A是示意性地示出显示装置中在基板上形成有疏液性堤以及发光层的状态的剖视图。
图22B是示意性地示出显示装置中在基板上形成有疏液性堤以及发光层的状态的剖视图。
图22C是示意性地示出显示装置中在基板上形成有亲液性堤以及发光层的状态的剖视图。
图23是通过剥离工艺制作的电致发光(EL)元件的截面扫描型透射电子显微镜(STEM)图像。
图24是表示通过剥离工艺制作的EL元件进行EL发光的状态的平面图像。
具体实施方式
以下，参照附图说明本公开的实施方式。另外，对于附图，对相同或等同的要素赋予相同的附图标记，并省略重复的说明。
1关于根据堤的特性的涂布液的润湿方式的一般论述
图22A和图22B是示意性地示出显示装置中在基板上形成有疏液性堤92以及发光层94的状态的剖视图。图22A示出为了形成发光层94而涂布的涂布液的量少的情况。图22B示出为了形成发光层94而涂布的涂布液的量多的情况。
如图22A所图示，在基板91之上形成有疏液性堤92及发光层94，在为了形成发光层94而涂布的涂布液的量少的情况下，发光层94的中心部的厚度变厚，发光层94的边缘部的厚度变薄。
如图22B所图示，在基板91之上形成有疏液性堤92及发光层94，在为了形成发光层94而涂布的涂布液的量多的情况下，发光层94的中心部的厚度变薄，发光层94的边缘部的厚度变厚。另外，由与构成发光层94的材料相同的材料构成的附着物95形成于疏液性堤92上。附着物95对疏液性堤92具有较大的接触角。
进行多层涂布在疏液性堤92上形成发光层94以外的层的情况下，即使疏液性堤92具有疏液性，发光层94的基底也未必具有疏液性。另外，在疏液性堤92具有高的疏液性的情况下，发光层94对疏液性堤92的紧贴性降低。另外，在显示装置具有高分辨率的情况下，为了形成发光层94涂布的涂布液被疏液性堤92排斥而难以在疏液性堤92的开口的内部形成发光层94。
图22C是示意性地示出在显示装置中在基板91上形成有亲液性堤93和发光层94的状态的剖面图。
如图22C所示，在基板91上形成有亲液性堤93和发光层94的情况下，发光层94的中心部的厚度变薄，发光层94的边缘部的厚度变厚。另外，由与构成发光层94的材料相同的材料构成的附着物95形成于亲液性堤93上。附着物95相对于亲液性堤93仅具有小的接触角。因此，附着物95扩散至由亲液性堤93形成的凸部的角落。
图23是通过剥离工艺制作的电致发光(EL)元件的截面扫描型透射电子显微镜(STEM)图像。该STEM图像在横方向的尺寸被压缩为1/3。图24是表示该EL元件进行EL发光的状态的平面图像。
如图23所示，该EL元件具备基板901、像素电极902、空穴注入层903、空穴传输层904、发光层905、电子传输层906、公共电极907以及亲水性堤908。
该EL元件设计成由空穴注入层903、空穴传输层904、发光层905以及电子传输层906构成的功能层的厚度为120nm。但是，该EL元件中，在发光区域内，功能层的厚度不均匀。具体而言，在像素中央部功能层的厚度变薄，在像素边缘部功能层的厚度变厚。其结果，在像素中央部的功能层的厚度与像素边缘部的功能层的厚度之间产生约50nm的差。这样在发光区域内功能层的厚度变得不均匀的情况下，在发光区域内，电流密度变得不均匀，如图24所示，在发光区域内，发光强度变得不均匀，具有高电流密度的部分的劣化加剧。具体而言，功能层的厚度变薄的像素中央部的电流密度变高，该像素中央部的发光强度变强，该像素中央部的劣化加剧。
2第一实施方式
2.1显示装置的平面结构
图1是示意性地图示第一实施方式的显示装置1的俯视图。
显示装置1是有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点发光二极管(QLED)显示装置等。以下，设显示装置1为QLED显示装置。
如图1所示，显示装置1具备多个像素P。
多个像素P呈矩阵状排列。多个像素P也可以排列成非矩阵状。
2.2像素的平面结构及剖面结构
图2是示意性地图示第一实施方式的显示装置1所具备的各像素P的俯视图。图3以及图4是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。图3图示出图2中描绘的切割线III-III的位置处的剖面。图4图示出图2中描绘的切割线IV-IV的位置处的剖面。
图2，如图3及图4所示，显示装置1具备像素R、G及B。像素R、G和B是多个像素P所包含的各像素P所具备的子像素。因此，各像素P具备分别发出红色、绿色以及蓝色的光的三个子像素。各像素P所具备的子像素的数量也可以从3个增减。在该情况下，各像素P可以具备发出红色、绿色以及蓝色以外的颜色的光的子像素，也可以具备发出相同颜色的光的多个子像素。
像素R、G和B分别发出红色、绿色和蓝色的光。像素R、G和B可以分别发出与红色、绿色和蓝色不同颜色的光。
各像素P所具备的两个像素R和G彼此相邻。各像素P所具备的两个像素G和B彼此相邻。相邻的两个像素P分别具有的两个像素B和R彼此相邻。
如图2，图3及图4所示，显示装置1具备基板11、配线12R、12G及12B、无机材料结构物13R、13G及13B、层间绝缘膜14、连接导体15R、15G及15B、像素电极16R、16G及16B、发光层18R、18G及18B以及公共电极20。基板11、配线12R、12G及12B、无机材料结构物13R、13G及13B、层间绝缘膜14以及连接导体15R、15G及15B构成阵列基板25。
基板11、层间绝缘膜14以及公共电极20跨多个像素P而配置。配线12R、12G及12B、无机材料结构物13R、13G及13B、连接导体15R、15G及15B、像素电极16R、16G及16B以及发光层18R、18G及18B配置于各像素P上。
基板11、层间绝缘膜14以及公共电极20横跨像素R、G以及B而配置。配线12R、无机材料结构物13R、连接导体15R、像素电极16R及发光层18R配置在像素R上。配线12G、无机材料结构物13G、连接导体15G、像素电极16G及发光层18G配置于像素G。配线12B、无机材料结构物13B、连接导体15B、像素电极16B以及发光层18B配置于像素B。
如图3及图4所示，显示装置1具备边缘罩21RG、21GB及21BR。
边缘罩21RG划分像素R和像素G。边缘罩21GB划分像素G和像素B。边缘罩21BR划分像素B和像素R。
基板11、配线12R、12G及12B、无机材料结构物13R、13G及13B、层间绝缘膜14、连接导体15R、15G及15B、像素电极16R、16G及16B、发光层18R、18G及18B以及公共电极20配置在基板11上。
以下，将配置在基板11上的要素靠近基板11的第一侧称为该要素的下侧。另外，将与该要素的第一侧相反的该要素的第二侧称作该要素的上侧。
配线12R、12G及12B以及无机材料结构物13R、13G及13B配置在基板11的上侧。层间绝缘膜14与配线12R、12G及12B以及无机材料结构物13R、13G及13B重叠地配置在基板11的上侧。在层间绝缘膜14形成接触孔14R、14G及14B。连接导体15R、15G以及15B分别配置在接触孔14R、14G以及14B的内部。像素电极16R、16G以及16B配置在层间绝缘膜14的上侧。配线12R、12G以及12B分别具备配置在接触孔14R、14G以及14B的下侧的部分。连接导体15R、15G以及15B在接触孔14R、14G以及14B的下侧的端部附近分别与配线12R、12G以及12B连接。由此，连接导体15R将像素电极16R与配线12R相互电连接。连接导体15G将像素电极16G与配线12G相互电连接。连接导体15B将像素电极16B和配线12B相互电连接。
在显示装置1中，无机材料结构物13R、13G及13B是开关元件。开关元件是薄膜晶体管(TFT)等。像素电极16R经由连接导体15R和配线12R与开关元件13R电连接。像素电极16G经由连接导体15G和配线12G与开关元件13G电连接。像素电极16B经由连接导体15B和配线12B与开关元件13B电连接。
发光层18R、18G及18B分别配置在像素电极16R、16G及16B的上侧。边缘罩21RG跨像素电极16R的边缘16RE的上侧、发光层18R的边缘18RE的上侧、像素电极16G的边缘16GE的上侧及发光层18G的边缘18GE的上侧被配置。边缘罩21GB跨像素电极16G的边缘16GE的上侧、发光层18G的边缘18GE的上侧、像素电极16B的边缘16BE的上侧及发光层18B的边缘18BE的上侧被配置。边缘罩21BR跨像素电极16B的边缘16BE的上侧、发光层18B的边缘18BE的上侧、像素电极16R的边缘16RE的上侧及发光层18R的边缘18RE的上侧被配置。公共电极20跨发光层18R、18G及18B的上侧以及边缘罩21RG、21GB及21BR的上侧被配置。因此，公共电极20具备配置在发光层18R、18G以及18B的上侧的部分，成为隔着发光层18R、18G以及18B分别与像素电极16R、16G以及16B对向的对向电极。另外，公共电极20具备配置在边缘罩21RG、21GB及21BR的上侧的部分。因此，边缘罩21RG、21GB及21BR具备配置在发光层18R、18G及18B与公共电极20之间的部分。
2.3发光元件的发光
像素电极16R、16G以及16B分别与发光层18R、18G以及18B电连接。由此，能够从像素电极16R、16G以及16B向发光层18R、18G以及18B分别注入第一电荷。
公共电极20与发光层18R、18G以及18B电连接。由此，能够从公共电极20向发光层18R、18G以及18B注入第二电荷。
在像素电极16R与公共电极20之间施加电位差的情况下，从像素电极16R向发光层18R注入第一电荷。另外，从公共电极20向发光层18R注入第二电荷。其结果是，在发光层18R中第一电荷和第二电荷复合。因此，发光层18R发出红色光。在像素电极16G与公共电极20之间施加电位差的情况下，从像素电极16G向发光层18G注入第一电荷。另外，从公共电极20向发光层18G注入第二电荷。其结果是，在发光层18G中第一电荷和第二电荷复合。因此，发光层18G发出绿色光。在像素电极16B与公共电极20之间施加电位差的情况下，从像素电极16B向发光层18B注入第一电荷。另外，从公共电极20向发光层18B注入第二电荷。其结果是，在发光层18B中第一电荷和第二电荷复合。因此，发光层18B发出蓝色光。
2.4倒置结构以及常规结构
显示装置1具有倒置结构或常规结构。
在显示装置1具有倒置结构的情况下，第一电荷是电子。另外，第二电荷为空穴。另外，像素电极16R、16G以及16B是阴极。另外，公共电极20是阳极。
在显示装置1具有常规结构的情况下，第一电荷为空穴。另外，第二电荷是电子。另外，像素电极16R、16G以及16B是阳极。另外，公共电极20是阴极。
2.5功能层
图5是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置1m所具备的功能层附近的放大剖面图。
如图5所图示，显示装置1m具备功能层17及19。
功能层17跨像素电极16R和发光层18R之间、像素电极16G和发光层18G之间以及像素电极16B和发光层18B之间地配置，传输第一电荷。功能层19跨发光层18R与公共电极20之间、发光层18G与公共电极20之间、以及发光层18B与公共电极20之间地配置，传输第二电荷。
如图5所图示，功能层17包含从电荷注入层171、电荷传输层172及电荷阻挡层173构成的组中选择的至少一种。功能层19包含从电荷注入层191、电荷传输层192及电荷阻挡层193构成的组中选择的至少一种。
在显示装置1m具有倒置结构的情况下，电荷注入层171、电荷传输层172和电荷阻挡层173分别是电子注入层、电子传输层和电子阻挡层。另外，电荷注入层191、电荷传输层192及电荷阻挡层193分别为空穴注入层、空穴传输层及空穴阻挡层。
在显示装置1m具有常规结构的情况下，电荷注入层171、电荷传输层172和电荷阻挡层173分别是空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层。另外，电荷注入层191、电荷传输层192及电荷阻挡层193分别为电子注入层、电子传输层及电子阻挡层。
功能层17及19没有图案化。由此，功能层17遍及发光层18R、18G以及18B的下侧的整体地配置，成为发光层18R、18G以及18B的基底。由此，在配置发光层18R、18G及18B的范围的整体中，对上述发光材料层44R、44G及44B的基底的润湿性变得均匀。由此，通过涂布形成发光材料层44R、44G及44B，并通过将发光材料层44R、44G及44B图案化以形成发光层18R、18G及18B变得容易。
2.6构成各层的材料
像素电极16R、16G及16B以及公共电极20由导电性材料构成。导电性材料例如包含从由金属以及透明导电性氧化物构成的组中选择的至少一种。金属例如包含从由Al、Cu、Au及Ag构成的组中选择的至少一种。透明导电性氧化物例如包含选自由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(znO)、铝锌氧化物(AZO)以及硼锌氧化物(BZO)组成的组中的至少一种。像素电极16R、16G及16B以及公共电极20的各电极可以是由一种导电性材料构成的一层，也可以是由两种以上彼此不同的导电性材料构成的两层以上的的层叠体。两层以上可以同时包含由金属构成的层和由透明导电性氧化物构成的层。
电子传输层由电子传输性材料构成。电子传输性材料例如包含选自由氧化锌、氧化镁锌、氧化钛及氧化锶钛组成的组中的至少一种。氧化锌例如为ZnO。氧化钛例如为TiO2。氧化锶钛例如为SrTiO3。电子传输性材料可以是由一种物质构成的电子传输性材料，也可以是由两种以上的物质的混合物构成的电子传输性材料。
空穴传输层由空穴传输性材料构成。空穴传输性材料例如包含选自由空穴传输性无机材料和空穴传输性有机材料组成的组中的至少一种。空穴传输性无机材料例如包含选自由金属的氧化物、氮化物及碳化物组成的组中的至少一种。金属包含选自Zn、Cr、Ni、Ti、Nb、Al、Si、Mg、Ta、Hf、Zr、Y、La、Sr及Mo中的至少1种。空穴传输性材料含有选自由如下材料构成的群中的至少一种：4，4′，4″-三(9-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(NPB)、锌酞菁(ZnPC)、二[4-(N，N-二甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂亚苯基(HATCN)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚(2，7-(9，9-二正辛基芴)-(1，4-亚苯基-((4-叔丁基苯基)亚氨基)-1，4-亚苯基(TFB)，聚(三苯胺)衍生物(Poly-TPD)、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(PEDOT-PSS)。空穴传输性材料可以是由一种物质构成的空穴传输性材料，也可以是由两种以上的物质的混合物构成的空穴传输性材料。
发光层18R、18G及18B由红色发光材料、绿色发光材料及蓝色发光材料构成。红色发光材料、绿色发光材料及蓝色发光材料的各发光材料包含量子点。该量子点例如是具有100nm以下的粒径的半导体微粒。该半导体微粒例如包含从由II-VI族化合物、III-V族化合物、IV族化合物以及具有钙钛矿结构的化合物构成的组中选择的至少一种。II-VI族化合物含有选自例如MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe及HgTe中的至少一种。III-V族化合物例如包含从由GaAs、GaP、InN、InAs、InP以及InSb构成的组中选择的至少一种。IV族化合物例如包含选自由Si及Ge组成的组中的至少1种。在该半导体微粒包含具有钙钛矿结构的化合物的情况下，该具有钙钛矿结构的化合物例如为复合卤化物钙钛矿。该复合卤化物钙钛矿例如包含从由C1、Br以及I构成的组中选择的至少一种。该半导体微粒可以是由该结晶构成的半导体微粒，也可以是具备具有核/壳结构且由该结晶构成的核及具有宽带隙的壳材料且外涂该核的壳的半导体微粒。在显示装置1为OLED显示装置的情况下，各发光材料包含高分子有机发光材料。
边缘罩21RG、21GB及21BR由绝缘体构成。
2.7发光强度的均匀化
如图2，图3及图4所示，像素电极16R、16G及16B分别具备凸状的第一部分161R、161G及161B。另外，像素电极16R、16G以及16B分别具备凹状的第二部分162R、162G以及162B。
第一部分161R、161G及161B分别存在于像素电极16R、16G及16B的中央部。第二部分162R、162G以及162B分别存在于像素电极16R、16G以及16B的缘边部。因此，第二部分162R、162G以及162B分别配置在第一部分161R、161G以及161B的外侧。第一部分161R、161G及161B分别比第二部分162R、162G及162B更向上侧突出。
第一部分161R和第二部分162R的台阶由无机材料结构物13R形成。第一部分161G和第二部分162G的台阶由无机材料结构物13G形成。第一部分161B和第二部分162B的台阶由无机材料结构物13B形成。无机材料结构物13R、13G及13B分别配置在像素电极16R、16G及16B的上侧。无机材料结构物13R、13G及13B在第一部分161R、161G及161B的下侧分别具有第一高度，在第二部分162R、162G及162B的下侧分别具有比第一高度低的第二高度。由此，层间绝缘膜14具备分别配置于第一部分161R、161G及161B的下侧的第一膜部分141R、141G及141B以及分别配置于第二部分162R、162G及162B的下侧的第二膜部分142R、142G及142B，第一部分161R、161G及161B分别比第二部分162R、162G及162B更向上侧突出。第二高度可以是0。即，无机材料结构物13R、13G及13B也可以集中配置在第一部分161R、161G及161B的下侧。高低差也可以通过其他方法形成。例如，也可以通过光刻法形成层间绝缘膜14，以使得在第一部分161R、161G及161B的下侧层间绝缘膜14的厚度变厚，在第二部分162R、162G及162B的下侧层间绝缘膜14的厚度变薄。
发光层18R跨第一部分161R的上侧及第二部分162R的上侧地配置。发光层18G跨第一部分161G的上侧及第二部分162G的上侧地配置。发光层18B跨第一部分161B的上侧及第二部分162B的上侧地配置。
构成发光层18R的配置在第一部分161R的上侧的中央部分是与第一部分161R重叠的凸部。另外，构成发光层18R的配置在第二部分162R的上侧的边缘部分是与第二部分162R重叠的凹部。该凹部从该凸部连续。该凹部沿着发光层18R的外周的整体。此外，构成发光层18G的配置在第一部分161G的上侧的中央部分是与第一部分161G重叠的凸部。此外，构成发光层18G的配置在第二部分162G的上侧的中央部分是与第二部分162G重叠的凹部。该凹部从该凸部连续。该凹部沿着发光层18G的外周的整体。此外，构成发光层18B的配置在第一部分161B的上侧的中央部分是与第一部分161B重叠的凸部。此外，构成发光层18B的配置在第二部分162B的上侧的中央部分是与第二部分162B重叠的凹部。该凹部从该凸部连续。该凹部沿着发光层18B的外周的整体。
图6A是跨越基底的凸部的上侧以及基底的凹部的上侧而形成的发光层18R的上表面的图像。图6B和图6C是示意性地图示连续跨越基底凸部的上侧和基底凹部的上侧而形成的发光层18R的剖面图。图6B图示出图6A中描绘的切割线B-B的位置处的剖面。图6C图示出图6A中描绘的切割线C-C的位置处的剖面。
如图6A、图6B以及图6C所示，在发光层18R跨过基底的凸部的上侧以及下底的凹部的上侧地形成的情况下，发光层18R在凸部的中心部的上侧具有均匀的厚度，但在凸部的边缘部的上侧具有不均匀的厚度。因此，在构成发光层18R的、形成于凸部的上侧的部分的整体发光，而凸部的上侧的整体被包含于发出红色光的发光区域33R中的情况下，发光区域33R内的发光强度变得不均匀。该问题也可能产生于发光层18G及18B。
如图3及图4所示，边缘罩21BR及21RG跨越第一部分161R的边缘边部的上侧及第二部分162R的上侧地配置。在边缘罩21BR及21RG上，在第一部分161R的中心部的上侧形成开口21R。开口21R与第二部分162R不重叠。由此，构成发光层18R的配置于第一部分161R的边缘部的上侧且具有不均匀的厚度的部分被边缘罩21BR及21RG覆盖。另外，构成发光层18R的配置于第一部分161R的中心部的上侧且具有均匀厚度的部分不被边缘罩21BR及21RG覆盖。因此，发出红色光的发光区域33R被限制在具有该均匀厚度的部分。由此，能够抑制电流集中在构成发光层18R的第一部分161R的边缘部的上侧配置且具有薄的厚度的部分，能够使发光区域33R内的发光强度均匀。
同样地，边缘罩21RG及21GB跨第一部分161G的边缘部的上侧及第二部分162G的上侧地配置。在边缘罩21RG及21GB上，在第一部分161G的中心部的上侧形成开口21G。开口21G与第二部分162G不重叠。由此，构成发光层18G的、配置于第一部分161G的边缘部的上侧且具有不均匀的厚度的部分被边缘罩21RG及21GB覆盖。另外，构成发光层18G的、配置于第一部分161G的中心部的上侧且具有均匀厚度的部分不被边缘罩21RG及21GB覆盖。因此，发出绿色光的发光区域33G被限制在具有该均匀厚度的部分。由此，能够抑制电流集中在构成发光层18G的第一部分161G的边缘部的上侧配置且具有薄的厚度的部分，能够使发光区域33G内的发光强度均匀。
同样地，边缘罩21GB及21BR跨第一部分161B的边缘部的上侧及第二部分162B的上侧地配置。在边缘罩21GB及21BR上，在第一部分161B的中心部的上侧形成开口21B。开口21B与第二部分162B不重叠。由此，构成发光层18B的配置于第一部分161B的边缘部的上侧且具有不均匀的厚度的部分被边缘罩21GB及21BR覆盖。另外，构成发光层18B的配置在第一部分161B的中心部的上侧且具有均匀厚度的部分不被边缘罩21GB及21BR覆盖。因此，发出蓝色光的发光区域33B被限制在具有该均匀厚度的部分。由此，能够抑制电流集中在构成发光层18B的、配置于第一部分161B的边缘部的上侧且具有薄的厚度的部分，能够使发光区域33B内的发光强度均匀。
边缘罩21BR及21RG覆盖第一部分161R的边缘161RE，边缘161RE构成第一部分161R与第二部分162R的边界。由此，容易劣化的第一部分161R的边缘161RE从公共电极20分离。由此，能够抑制像素电极16R劣化。
同样地，边缘罩21RG及21GB覆盖形成第一部分161G和第二部分162G的边界的第一部分161G的边缘161GE。由此，容易劣化的第一部分161G的边缘161GE从公共电极20分离。由此，能够抑制像素电极16G劣化。
同样地，边缘罩21GB及21BR覆盖形成第一部分161B和第二部分162B的边界的第一部分161B的边缘161BE。由此，容易劣化的第一部分161B的边缘161BE从公共电极20分离。由此，能够抑制像素电极16B劣化。
边缘罩21BR和21RG覆盖发光层18R的凸部与发光层18R的凹部的边界以及发光层18R的凹部。边缘罩21RG及21GB覆盖发光层18G的凸部与发光层18G的凹部的边界以及发光层18G的凹部。边缘罩21GB和21BR覆盖发光层18B的凸部和发光层18B的凹部的边界以及发光层18B的凹部。
接触孔14R、14G及14B分别配置于第二部分162R、162G及162B的外侧。由此，能够抑制接触孔14R、14G及14B分别与发光层18R、18G及18B相干涉。
边缘罩21RG、21GB及21BR可以不具有疏液性，也可以具有亲液性。另外，第二部分162R、162G以及162B也可以不被发光层18R、18G以及18B平坦化。
2.8发光层的重叠
如图3及图4所示，分别配置于彼此相邻的两个像素中的两个发光层相互分离。例如，分别配置于像素R和G的发光层18R和18G相互分离。另外，分别配置于像素G和B的发光层18G和18B相互分离。另外，在像素B和R中分别配置的发光层18B和18R相互分离。由此，能够抑制经由该两个发光层的该两个像素之间的串扰。
图7是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置1n所具备的各像素P的剖视图。
如图7所示，在显示装置1n中，分别配置于彼此相邻的两个像素中的两个发光层的边缘部相互重叠。例如，分别配置于像素R和G的发光层18R和18G的边缘部相互重叠。另外，分别配置于像素G和B的发光层18G和18B的边缘部相互重叠。另外，分别配置在像素B和R中的发光层18B和18R的边缘部彼此重叠。由此，能够增大发光层18R、18G以及18B的平面形状。由此，即使在显示装置1具有高分辨率的情况下，也能够通过图案化而形成发光层18R、18G以及18B。
2.9无机材料结构物的变形例
图8是示意性示出第一实施方式的变形例的显示装置1p所具备的像素R的剖视图。
如图8所示，在显示装置1p中，无机材料结构物13R具备配置在第一部分161R的下侧的第一元件131R和配置在第二部分162R的下侧的第二元件132R。第二元件132R的数量比第一元件131R的数量少。由此，在第一部分161R的下侧构成层间绝缘膜14的材料被推高的量比在第二部分162R的下侧构成层间绝缘膜14的材料被推高的量多。因此，第一部分161R比第二部分162R更向上侧突出。
第一元件131R包含从第一开关元件、第一电容器及第一配线构成的组中选择的至少一个。第二元件132R包含从第二开关元件、第二电容器以及第二配线构成的组中选择的至少一个。
在显示装置1p中，第一部分161R由无机材料构造物13R突出到比第二部分162R靠上侧的位置的情况相同，第一部分161G由无机材料构造物13G突出到比第二部分162G靠上侧的位置。另外，利用无机材料结构物13B，第一部分161B比第二部分162B更向上侧突出。
2.10显示装置的制造方法
图9和图10是示出第一实施方式的显示装置1的制造方法的流程图。图11至图19是示意性地示出第一实施方式的显示装置1的制造方法得到的中间产品的剖视图。
如图9及图10所示，显示装置1的制造方法具备工序S101至S 116。
在工序S 101中，准备图11所示的阵列基板25。阵列基板25成为基底基板。
在接下来的工序S102中，形成图11所示的连接导体15R、15G及15B以及像素电极16R、16G及16B。连接导体15R、15G以及15B分别形成在接触孔14R、14G以及14B的内部。像素电极16R、16G以及16B形成在阵列基板25上。
在接下来的工序S103中，形成图11所示的光致抗蚀剂膜41R。光致抗蚀剂膜41R与像素电极16R、16G及16B重叠地形成在阵列基板25上。光致抗蚀剂膜41R由正抗蚀剂构成。正抗蚀剂在照射了感光线的情况下对显影液具有可溶性。感光线为紫外线、电子束等。显影液是碱溶液等。显影液可以含有表面活性剂。正抗蚀剂由不溶于所涂布的涂布液中包含的溶剂的材料构成，该涂布液被涂布以形成下面所述的发光材料层44R。光致抗蚀剂膜41R通过将含有正抗蚀剂及溶剂的涂布液涂布在被涂布面上以形成涂布膜，并通过加热使溶剂从形成的涂布膜中蒸发而形成光致抗蚀剂膜41R。该涂布液是东京应化株式会社制的TFR1000等。涂布液通过模具涂布、喷墨、旋涂等进行涂布。
在接下来的工序S104中，光致抗蚀剂膜41R经由图11所示的掩模42R被曝光。另外，曝光后的光致抗蚀剂膜41R被显像。此时，对构成光致抗蚀膜41R的、形成于像素电极16R的上侧的部分照射感光线。另外，被照射了感光线的部分溶解于显影液中。
通过工序S103和S104，形成图12所示的剥离层43R。剥离层43R形成于第二部分162R的外侧。在剥离层43R形成有开口，成为剥离用的模板。在该开口的内部配置有第二部分162R。也可以在该开口的内部配置像素电极16R的边缘16RE。
在接下来的工序S105中，形成图12所示的发光材料层44R。发光材料层44R与像素电极16R、16G及16B以及剥离层43R重叠地形成在阵列基板25上。发光材料层44R跨第一部分161R的上侧、第二部分162R的上侧及剥离层43R的上侧而形成。发光材料层44R通过将包含红色发光材料及溶剂的涂布液涂布于被涂布面来形成涂布膜，并通过加热使溶剂从形成的涂布膜蒸发而形成。溶剂是辛烷等。
在接下来的工序S106中，剥离层43R以及构成发光材料层44R的、形成于剥离层43R的上侧的部分被剥离。此时，向剥离层43R照射感光线。另外，被照射了感光线的剥离层43R溶解到显影液中。由此，形成发光材料层44R至图13所示的发光层18R。发光层18R跨第一部分161R的上侧及第二部分162R的上侧而形成。
在红色发光材料主要由量子点构成的情况下，发光材料层44R是纳米粒子的集合体。因此，在红色发光材料主要由量子点构成的情况下，发光材料层44R能够使感光线以及显影液透过。因此，在红色发光材料主要由量子点构成的情况下，能够将透过发光材料层44R的感光线照射到剥离层43R，能够通过透过发光材料层44R的显影液使剥离层43R溶解。因此，在红色发光材料主要由量子点构成的情况下，发光材料层44R不会阻碍剥离层43R的剥离。或者，通过使光致抗蚀膜41R的一部分溶解而使形成于剥离层43R的开口的截面形状为倒锥形，从而发光材料层44R能够利用该开口的侧壁部断裂而形成断裂部，从该断裂部浸透显影液，利用该显影液使剥离层43R溶解。因此，发光材料层44R不阻碍剥离层43R的剥离。
从工序S103到S106，通过剥离工艺进行发光材料层44R的图案化，形成发光层18R。
在接下来的工序S107中，形成图14所示的光致抗蚀剂膜41G。光致抗蚀剂膜41G与像素电极16R、16G及16B及发光层18R重叠地形成在阵列基板25上。光致抗蚀剂膜41G可以由构成光致抗蚀剂膜41R的材料相同的材料构成，可以通过与形成光致抗蚀剂膜41R的方法相同的方法形成。
在接下来的工序S108中，光致抗蚀剂膜41G经由图14所示的掩模42G被曝光。另外，曝光后的光致抗蚀剂膜41G被显像。此时，对构成光致抗蚀膜41G的、形成于像素电极16G的上侧的部分照射感光线。另外，被照射了感光线的部分溶解于显影液中。
通过工序S107和S108，形成图15所示的剥离层43G。剥离层43G形成于第二部分162G的外侧。在剥离层43G形成有开口，成为剥离用的模板。在该开口的内部配置有第二部分162G。也可以在该开口的内部配置像素电极16G的边缘16GE。
在接下来的工序S109中，形成图15所示的发光材料层44G。发光材料层44G与像素电极16R、16G及16B、发光层18R以及剥离层43G重叠地形成在阵列基板25上。发光材料层44G跨第一部分161G的上侧、第二部分162G的上侧及剥离层43G的上侧而形成。发光材料层44G通过与形成发光材料层44R的方法相同的方法形成。
在接下来的工序S110中，构成剥离层43G及发光材料层44G的、形成于剥离层43G的上侧的部分被剥离。此时，向剥离层43G照射感光线。另外，被照射了感光线的剥离层43G溶解到显影液中。由此，形成发光材料层44G至图16所示的发光层18G。发光层18G跨第一部分161G及第二部分162G的上侧而形成。
即使在绿色发光材料主要由量子点构成的情况下，发光材料层44G也不会阻碍剥离层43G的剥离。或者，通过使光致抗蚀膜41G的一部分溶解而使形成于剥离层43G的开口的截面形状为倒锥形，从而发光材料层44G能够利用该开口的侧壁部断裂而形成断裂部，从该断裂部浸透显影液，利用该显影液使剥离层43G溶解。因此，发光材料层44G不阻碍剥离层43G的剥离。
从工序S107到S110，通过剥离工艺进行发光材料层44G的图案化，形成发光层18G。
在接下来的工序S111中，形成图17所示的光致抗蚀膜41B。光致抗蚀膜41B与像素电极16R、16G及16B以及发光层18R及18G重叠地形成在阵列基板25上。光致抗蚀剂膜41B可以由构成光致抗蚀剂膜41R的材料相同的材料构成，可以通过形成光致抗蚀剂膜41R的方法相同的方法形成。
在接下来的工序S112中，光致抗蚀剂膜41B经由图17所示的掩模42B被曝光。另外，曝光后的光致抗蚀剂膜41B被显像。此时，对构成光致抗蚀膜41B的、形成于像素电极16B的上侧的部分照射感光线。另外，被照射了感光线的部分溶解于显影液中。
通过工序S111和S112，形成图18所示的剥离层43B。剥离层43B形成于第二部分162B的外侧。在剥离层43B上形成有开口，成为剥离用的模板。在该开口的内部配置有第二部分162B。在该开口的内部也可以配置像素电极16B的边缘16BE。
在接下来的工序S113中，形成图18所示的发光材料层44B。发光材料层44B与像素电极16R、16G及16B、发光层18R及18G以及剥离层43B重叠地形成在阵列基板25上。发光材料层44B横跨第一部分161B的上侧、第二部分162B的上侧以及剥离层43B的上侧而形成。发光材料层44B通过与形成发光材料层44R的方法同样的方法形成。
在接下来的工序S114中，构成剥离层43B和发光材料层44B的、形成于剥离层43B的上侧的部分被剥离。此时，向剥离层43B照射感光线。另外，被照射了感光线的剥离层43B溶解于显影液中。由此，形成发光材料层44B至图19所示的发光层18B。发光层18B跨第一部分161B的上侧和第二部分162B的上侧而形成。
在蓝色发光材料主要由量子点构成的情况下，发光材料层44B也不会阻碍剥离层43B的剥离。或者，通过使光致抗蚀膜41B的一部分溶解，使形成于剥离层43B的开口的截面形状为倒锥形，从而发光材料层44B能够利用该开口的侧壁部断裂而形成断裂部，从该断裂部浸透显影液，利用该显影液使剥离层43B溶解。由此，形成发光材料层44B不会阻碍剥离层43B的剥离。
在接下来的工序S115中，形成图3及图4所示的边缘罩21RG、21GB及21BR。边缘罩21RG、21GB及21BR与像素电极16R、16G、16B以及发光层18R、18G、18B重叠地形成在阵列基板25上。边缘罩21RG、21GB及21BR通过光刻法形成。
在接下来的工序S116中，形成图3及图4所示的公共电极20。公共电极20与像素电极16R、16G及16B、发光层18R、18G及18B以及边缘罩21RG、21GB及21BR重叠地形成在阵列基板25上。
也可以通过剥离工序以外的工序形成发光层18R、18G以及18B。例如，也可以通过量子点以及光致抗蚀剂的混合材料(QD-PR)形成发光层18R、18G以及18B。在这种情况下，可以通过基于光刻的图案化直接地形成发光层18R、18G及18B。
3第二实施方式
以下，对第二实施方式与第一实施方式不同的点进行说明。关于未说明的方面，在第二实施方式中，也采用与第一实施方式中采用的构成同样的构成。
图20是示意性地图示第二实施方式的显示装置2所具备的各像素P的剖视图。
如图20所示，显示装置2具备第一边缘罩21RG、21GB及21BR以及第二边缘罩22RG、22GB及22BR。
显示装置2具备的第一边缘罩21RG、21GB及21BR与显示装置1具备的第一边缘罩21RG、21GB及21BR具有相同的功能。
因此，第一边缘罩21BR及21RG跨第一部分161R的边缘部的上侧及第二部分162R的上侧配置。在第一边缘罩21BR及21RG上，在第一部分161R的中心部的上侧形成开口21R。此外，第一边缘罩21BR及21RG覆盖第一部分161R的边缘161RE。由此，构成发光层18R的配置于第一部分161R的边缘部的上侧且具有不均匀的厚度的部分被第一边缘罩21BR及21RG覆盖。另外，构成发光层18R的配置于第一部分161R的中心部的上侧且具有均匀厚度的部分不被第一边缘罩21BR及21RG覆盖。因此，发光区域33R被限制在具有该均匀厚度的部分。由此，能够使发光区域33R内的发光强度均匀。
同样地，第一边缘罩21RG及21GB跨第一部分161G的边缘部的上侧及第二部分162G的上侧配置。在第一边缘罩21RG及21GB上，在第一部分161G的中心部的上侧形成开口21G。此外，第一边缘罩21RG及21GB覆盖第一部分161G的边缘161GE。由此，构成发光层18G的、配置于第一部分161G的边缘部的上侧且具有不均匀的厚度的部分被第一边缘罩21RG及21GB覆盖。另外，构成发光层18G的、配置于第一部分161G的中心部的上侧且具有均匀厚度的部分不被第一边缘罩21RG及21GB覆盖。因此，发光区域33G被限制在具有该均匀厚度的部分。由此，能够使发光区域33G内的发光强度均匀。
同样地，第一边缘罩21GB及21BR跨第一部分161B的边缘部的上侧及第二部分162B的上侧地配置。此外，在第一边缘罩21GB及21BR上，在第一部分161B的中心部的上侧形成开口21B。此外，第一边缘罩21GB及21BR覆盖第一部分161B的边缘161BE。由此，构成发光层18B的配置于第一部分161B的边缘部的上侧且具有不均匀的厚度的部分被第一边缘罩21GB及21BR覆盖。另外，构成发光层18B的配置在第一部分161B的中心部的上侧且具有均匀厚度的部分不被第一边缘罩21GB及21BR覆盖。因此，发光区域33B被限制在具有该均匀厚度的部分。由此，能够使发光区域33B内的发光强度均匀。
发光层18R的边缘18RE跨上第二边缘罩22BR及22RG。因此，第二边缘罩22BR及22RG配置在发光层18R的边缘18RE的下侧。另外，第二边缘罩22BR及22RG覆盖像素电极16R的边缘16RE。
同样地，发光层18G的边缘18GE跨上第二边缘罩22RG及22GB。因此，第二边缘罩22RG以及22GB配置在发光层18G的边缘18GE的下侧。另外，第二边缘罩22RG以及22GB覆盖像素电极16G的边缘16GE。
同样地，发光层18B的边缘18BE跨上第二边缘罩22GB及22BR。因此，第二边缘罩22GB以及22BR配置在发光层18B的边缘18BE的下侧。另外，第二边缘罩22GB以及22BR覆盖像素电极16B的边缘16BE。
第二边缘罩22BR及22RG的上表面平坦。另外，如上所述，发光层18R的边缘18RE跨上第二边缘罩22BR及22RG的上表面。由此，发光层18R能够通过在平坦的第二边缘罩22BR及22RG的上表面配置发光层18R的边缘18RE的图案化来形成。因此，通过图案化来形成发光层18R是容易的。
同样地，第二边缘罩22RG以及22GB的上表面是平坦的。另外，如上所述，发光层18G的边缘18GE置于第二边缘罩22RG及22GB的上表面。由此，发光层18G能够通过在平坦的第二边缘罩22RG以及22GB的上表面配置发光层18G的边缘18GE的图案化来形成。因此，通过图案化来形成发光层18G是容易的。
同样地，第二边缘罩22GB以及22BR的上表面是平坦的。另外，如上所述，发光层18B的边缘18BE跨上第二边缘罩22GB及22BR的上表面。由此，发光层18B能够通过在平坦的第二边缘罩22GB及22BR的上表面配置发光层18B的边缘18BE的图案化来形成。因此，通过图案化来形成发光层18B是容易的。
在显示装置2中，通过将第二边缘罩22RG、22GB及22BG用作分隔壁，也可以用喷墨法分开涂布发光层18R、18G及18B。
4第三实施方式
以下，对第三实施方式与第一实施方式不同的点进行说明。关于未说明的方面，在第三实施方式中，也采用与第一实施方式中采用的构成同样的构成。
图21是示意性地图示第三实施方式的显示装置3所具备的各像素P的剖视图。
在显示装置3中，具有与发光层18R及18G的颜色不同的颜色的发光层18B横跨像素电极16B的上侧、边缘罩21RG的上侧、边缘罩21GB的上侧及边缘罩21BR的上侧地配置。
显示装置3能够通过将光致抗蚀剂膜41B的一部分留下作为边缘罩21RG、21GB及21BR来制造。通过这样制造显示装置3，能够同时形成发光层18B以及边缘罩21RG、21GB及21BR，能够缩短制造显示装置3的处理。
在显示装置3中，通过蒸镀形成发光材料层44B，能够使发光层18B的厚度均匀。在通过蒸镀形成发光材料层44B的情况下将含有有机化合物的溶液作为蒸镀源时，能够通过雾化沉积形成发光材料层44B。在通过雾化沉积形成发光材料层44B的情况下，例如，量子点溶液被雾化而形成包含量子点的雾，所形成的雾附着于被形成面以在被形成面形成含有量子点的膜。
本发明不限于上述实施方式，可以用上述实施方式所示的构成基本相同的构成、实现相同作用效果的构成、或者可以实现相同目的的构成替换。

Claims (13)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
像素电极，配置在所述基板上，且具有第一部分以及配置在所述第一部分的外侧的第二部分，所述第一部分与所述第二部分相比在第二侧上更突出，所述第二侧与靠近所述基板的第一侧相反；
发光层，配置为横跨所述第一部分的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧；
第一边缘罩，配置为横跨所述第一部分的边缘部的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧，且在所述第一部分的中心部的所述第二侧形成有开口，并覆盖所述第一部分的边缘；以及
对向电极，其具备在与所述第一边缘罩相比更靠所述第二侧配置的部分，所述对向电极隔着所述发光层与所述像素电极对向。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
层间绝缘膜，形成有接触孔，所述接触孔配置于所述第二部分的外侧；
配线，具备配置于所述接触孔的所述第一侧的部分；以及
连接导体，配置在所述接触孔的内部，使所述像素电极和所述配线相互电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述层间绝缘膜包括配置于所述第一部分的所述第一部侧的第一膜部分以及配置于所述第二部分的所述第一侧的第二膜部分，
所述第一膜部分与所述第二膜部分相比更向所述第二侧突出。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括第二边缘罩，其配置在所述发光层的边缘的所述第一侧，并覆盖所述像素电极的边缘。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括无机材料结构物，其配置在所述像素电极的所述第一侧，
所述无机材料结构物在所述第一部分的所述第一侧具有第一高度，在所述第二部分的所述第一侧具有比所述第一高度低的第二高度。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述无机材料结构物包括：
第一元件，配置于所述第一部分的所述第一侧；
第二元件，配置于所述第二部分的所述第一侧，所述第二元件的数量比所述第一元件的数量少。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第一元件包含选自由第一开关元件、第一电容器及第一配线组成的组中的至少一种，
所述第二元件包含选自由第二开关元件、第二电容器及第二配线组成的组中的至少一种。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括功能层，其配置为遍及在所述发光层的所述第一侧的整体。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述功能层包含由电荷传输层、电荷注入层以及电荷阻挡层组成的组中选择的至少一种。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
包括彼此相邻的两个像素，
所述彼此相邻的两个像素分别具备所述发光层，
在所述彼此相邻的两个像素中各像素所具备的两个发光层相互分离。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括彼此相邻的两个像素，
所述相邻的两个像素分别具备所述发光层，
在所述彼此相邻的两个像素中各像素所具备的两个发光层的边缘部相互重叠。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示装置，其特征在于，还具备其他发光层，其配置在所述第一边缘罩上，且具有与所述发光层的颜色不同的颜色。
13.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
a)准备基板的工序二
b)形成像素电极的工序，所述像素电极配置在所述基板上，且具有第一部分以及配置在所述第一部分的外侧的第二部分，所述第一部分比所述第二部分更向第二侧突出，所述第二侧与靠近所述基板的第一侧相反；
c)在所述第二部分的外侧形成剥离层的工序；
d)形成发光材料层的工序，其形成配置为横跨所述第一部分的所述第二侧、所述第二部分的所述第二侧以及所述剥离层的所述第二侧形成发光材料层；
e)形成发光层的工序，其将所述剥离层以及构成所述发光材料层的、形成于所述剥离层的所述第二侧的部分剥离，从而形成配置为从所述发光材料层跨越所述第一部分的所述第二侧以及所述第二部分的所述第二侧的所述发光层；以及
f)形成边缘罩的工序，其形成横跨所述第一部分的边缘部的所述第二侧和所述第二部分的所述第二侧，且在所述第一部分的中心部的所述第二侧形成有开口，并覆盖所述第一部分的边缘的边缘罩。
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