KR20200128287A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20200128287A
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roof
organic
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배광수
박범수
오민정
조영제
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판, 기판 상에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 화소전극과 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소, 및 표시요소를 둘러싸는 에어 캐비티를 정의하는 루프층을 포함하며, 루프층의 굴절률은 상기 에어의 굴절률 보다 큰, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이며, 고품질의 이미지를 제공할 수 있는 표시 장치에 관한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것으로, 고품질의 이미지를 제공할 수 있는 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소; 및 상기 표시요소를 둘러싸는 에어 캐비티를 정의하는 루프층;을 포함하며, 상기 루프층의 굴절률은 상기 에어의 굴절률 보다 큰, 표시 장치를 개시한다.
상기 루프층은 무기절연층을 포함할 수 있다.
상기 루프층은 실리콘질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 루프층은 상기 기판의 주면(main surface)에 대하여 경사진 측부(side portion)를 포함할 수 있다.
상기 기판의 주면과 나란한 평면에 대한 상기 측부의 경사각은 50°이거나 그보다 클 수 있다.
상기 루프층은 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다.
상기 표시요소를 커버하고, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 유기봉지층은 상기 에어 캐비티의 굴절률 보다 클 수 있다.
상기 에어 캐비티는 상기 박막봉지층의 위에 위치할 수 있다.
상기 에어 캐비티는 상기 박막봉지층의 아래에 위치할 수 있다.
상기 화소전극의 가장자리를 커버하며 상기 화소전극의 중심영역과 대응하는 개구를 포함하는 화소정의막을 더 포함하며, 상기 에어 캐비티는 상기 화소정의막 상에 위치할 수 있다.
상기 에어 캐비티는 상기 화소전극의 에지와 중첩할 수 있다.
상기 화소전극의 에지는 상기 에어 캐비티 내에 위치할 수 있다.
상기 루프층은 상기 화소전극의 폭 보다 작은 폭을 갖는 개구를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소; 및 상기 표시요소에서 방출되어 상기 기판의 두께방향에 대해 비스듬한 방향을 따라 진행하는 빛의 진행 경로 상에 위치하고, 에어 캐비티를 정의하며 경사진 측부를 포함하는 루프층;을 포함하고, 상기 루프층의 굴절률은 상기 에어의 굴절률 보다 큰, 표시 장치를 개시한다.
상기 루프층은 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다.
상기 에어 캐비티는 상기 표시요소를 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
상기 루프층의 굴절률과 상기 에어의 굴절률의 차는 0.7이거나 그보다 클 수 있다.
상기 루프층은 무기절연층을 포함하며, 상기 기판의 주면에 대한 상기 측부의 경사각은 50°이거나 그보다 클 수 있다.
상기 루프층은 상기 표시요소의 상기 발광층과 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
상기 표시요소를 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층을 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 굴절률과 상기 에어 캐비티의 굴절률의 차이는 적어도 0.5일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시요소에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키고 휘도를 향상시킬 수 있으며, 표시 장치의 수명을 개선할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 중 표시 요소에서 방출된 빛의 경로를 나타낸 단면도이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 6g는 도 6a의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 VIII를 확대한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치 중 에어 캐비티 및 그 주변을 확대한 단면도이다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 17a 내지 도 17e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이다.
도 17g는 도 17a의 평면도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
이하의 실시예에서 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
표시 장치(10)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)에 인접한 외곽영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(10)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 각 화소(P)는 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결될 수 있다. 도 1은 표시 장치(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 표시영역(DA) 및 외곽영역(PA)을 갖는 것으로 이해될 수 있다.
외곽영역(PA)에는 스캔라인(SL)을 통해 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 데이터라인(DL)을 통해 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다.
도 1은 데이터 드라이버(1200)가 기판(100) 상에 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 데이터 드라이버(1200)는 표시 장치(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(10)는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않으며, 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소를 포함할 수 있다. 표시요소는 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1 박막트랜지스터(T1), 제2 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1 박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1 박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)가 배치된다. 화소회로(PC)는 절연층(110)으로 커버될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC) 상에 배치되어 화소회로(PC)와 전기적으로 연결되며, 유기발광다이오드(OLED) 상에는 광 제어 패턴으로서, 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410)이 배치된다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스 기판일 수 있다. 다른 실시예로, 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층 및 무기절연물을 포함하는 배리어층을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된 제1 고분자 수지층, 제1 무기배리어층, 제2 고분자수지층, 및 제2 무기배리어층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 고분자수지층은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 무기배리어층은 실리콘질화물, 실리콘산화물, 또는/및 실리콘산질화물을 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있으며, 트랜지스터의 전극들 사이 및/또는 스토리지 커패시터의 전극들 사이에는 실리콘질화물, 실리콘산질화물이나 실리콘산화물과 같은 절연층이 개재될 수 있다.
화소회로(PC)는 절연층(110)으로 커버되며, 절연층(110) 상의 화소전극(221)은 절연층(110)에 형성된 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 절연층(110)은 유기절연층 및/또는 무기절연층을 포함할 수 있다. 유기절연층은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 무기절연층은 실리콘질화물, 실리콘산질화물이나 실리콘산화물 등을 포함할 수 있다.
화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 위치하며, 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 또는 인듐산화물(In2O3: indium oxide)로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소전극(221) 상에는 화소전극(221)의 에지를 커버하는 화소정의막(120)이 배치될 수 있다. 화소정의막(120)은 화소전극(221)의 에지와 대향전극(223) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(120)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(120)은 무기절연물 또는 유기절연물과 무기절연물을 포함할 수 있다. 화소정의막(120)은 화소전극(221)의 중심영역에 중첩하는 개구(120OP)를 포함할 수 있다. 화소정의막(120)의 개구(120OP)를 통해 화소전극(221)의 중심영역이 노출될 수 있다.
화소전극(221) 상에는 중간층(222)이 배치된다. 중간층(222)은 발광층(222b)을 포함한다. 발광층(222b)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)와 중첩하도록 위치한다. 발광층(222b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.
발광층(222b)의 아래와 위에는 각각 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층(222c)이 배치될 수 있다. 제1 기능층(222a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2 기능층(222c)은 발광층(222b) 위에 배치되는 구성요소로서, 선택적(optional)이다. 제2 기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 후술할 대향전극(223)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.
대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
화소전극(221), 중간층(222), 및 대향전극(223)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)는 봉지부재인 박막봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 박막봉지층(300)은 순차적으로 적층된 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 후술할 에어 캐비티(AC)와의 굴절률의 차이가 0.5 이거나 그보다 큰 물질, 예컨대 굴절률이 약 1.5 내지 약 1.6인 유기물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
에어 캐비티(AC) 구조는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출된 빛의 진행 경로, 예컨대 기판(100)의 두께 방향(z방향)에 비스듬한 방향을 따라 진행하는 빛의 경로 상에 배치될 수 있다. 도 3의 단면도에서, 에어 캐비티(AC)는 박막봉지층(300) 위에 배치되되, 기판(100)의 주면에 수직한 방향(z방향)과 기판(100)의 주면과 나란한 방향(x방향) 사이의 비스듬한 방향을 따라 배치될 수 있다. 일 실시예로, 에어 캐비티(AC)는 박막봉지층(300) 위에 배치되되, 화소정의막(120)과 중첩할 수 있다.
에어 캐비티(AC)는 루프층(410)에 의해 정의될 수 있다. 루프층(410)은 박막봉지층(300)에 접하는 저부(lower portion)와 박막봉지층(300)과의 사이에 에어 캐비티(AC)가 위치하도록 박막봉지층(300)의 상면과 이격된 상부(upper portion) 및 저부와 상부를 연결하는 측부(side portion)를 포함할 수 있다. 루프층(410)의 측부의 경사각(α), 예컨대 기판(100)의 주면(101)과 나란한 가상의 평면에 대하여 측부가 이루는 경사각(α)은 약 50°이거나 그보다 클 수 있다. 예컨대, 경사각(α)은 약 60°이거나 그 보다 클 수 있다. 에어 캐비티(AC)의 높이(h)는 약 1.5㎛ 내지 3.5㎛ 일 수 있다. 예컨대, 에어 캐비티(AC)의 높이(h)는 약 1.5㎛ 내지 3.5㎛이거나, 약 2㎛ 내지 3㎛일 수 있다.
루프층(410)은 무기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 루프층(410)은 무기절연층을 포함할 수 있다. 루프층(410)은 실리콘질화물, 실리콘산화물, 또는/및 실리콘산질화물 등을 포함할 수 있다.
루프층(410)은 에어 캐비티(AC)의 굴절률(n, 약 1.0) 보다 큰 굴절률을 갖는다. 에어 캐비티(AC)와 루프층(410)의 굴절률의 차이는 적어도 약 0.5이상이거나, 적어도 약 0.6이상이거나, 또는 적어도 약 0.7이상일 수 있다. 일 실시예로, 루프층(410)이 실리콘질화물을 포함하는 경우, 실리콘의 함량을 조절함으로써 루프층(410)의 굴절률과 에어 캐비티(AC)의 굴절률의 차이를 조절할 수 있다. 루프층(410)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.9일 수 있다.
도 3 및 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 도 에어 캐비티(AC)는 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 배치되며, 에어 캐비티(AC)의 내측 폭, 예컨대 발광영역(EA)을 사이에 두고 양측에 배치된 에어 캐비티(AC)의 부분들 사이의 폭(W2)은 발광영역(EA)의 폭(W1)과 같거나 그보다 클 수 있다. 여기서, 발광영역(EA)의 폭(W1)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)의 폭으로 정의될 수 있다.
루프층(410)은 에어 캐비티(AC)와 중첩하는 홀(410H)을 포함한다. 루프층(410)의 홀(410H)은 에어 캐비티(AC)를 형성하는 공정에서 형성된 것으로서, 하나의 홀(410H)이 루프층(410)에 구비되거나, 복수의 홀(410H)들이 루프층(410)에 구비될 수 있다. 일 실시예로, 도 4a에 도시된 바와 같이 하나의 홀(410H)이 에어 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 구비될 수 있다. 또는, 도 4b에 도시된 바와 같이, 슬릿 형상의 복수의 홀(410H)들이 발광영역(EA)의 변을 따라 배치될 수 있다. 또는, 도 4c에 도시된 바와 같이 복수의 홀(410H)들이 상호 이격된 채 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 배열될 수 있다.
루프층(410)은 발광영역(EA) 또는/및 화소정의막(120)의 개구(120OP)와 중첩하는 개구(410OP)를 포함할 수 있다. 루프층(410)의 개구(410OP)는 홀(410H)과 마찬가지로 루프층(410)의 상면과 하면을 관통하는 일종의 관통홀이다. 루프층(410)의 개구(410OP)의 폭(W3)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)의 폭(W1)과 동일하거나 그보다 클 수 있다.
루프층(410)은 평탄화층(500)으로 커버될 수 있다. 평탄화층(500)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 평탄화층(500)은 점성을 갖는 유기물을 도포한 후 이를 경화하여 형성할 수 있다. 전술한 바와 같이 루프층(410)이 적어도 하나의 홀(410H)을 포함하고 있으나, 평탄화층(500)을 형성하는 유기물의 점도를 조절함으로써 에어 캐비티(AC) 내에는 평탄화층(500)과 동일한 물질의 유기물이 존재하지 않을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 중 표시 요소에서 방출된 빛의 경로를 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되며 수직방향(z방향)을 따라 진행하는 빛은 경로의 변경 없이 수직한 방향, 즉 "A"의 경로를 따라 진행할 수 있다. 본 발명의 비교예로서, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되어 비스듬한 방향(예, z방향과 x방향 사이의 비스듬한 방향)을 따라 진행하는 빛은 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410)이 없는 경우 그대로 비스듬한 방향을 따라 진행하게 되며, 이 경우 해당하는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 휘도가 저하되는 문제가 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이 광의 진행 경로 상에 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410)이 배치되며, 에어 캐비티(AC)와 루프층(410)의 계면에서 전반사가 일어나므로 빛은 "B"의 경로를 따라 진행할 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)의 출광 효율이 향상되며, 휘도가 증가될 수 있다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이고, 도 6g는 도 6a의 평면도이다.
도 6a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)를 형성한 후, 화소회로(PC)를 커버하는 절연층(110)을 형성한다. 다음으로, 절연층(110)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소전극(221)을 형성한다. 화소전극(221)은 화소전극을 형성하는 물질층을 형성한 후 식각하여 형성될 수 잇다. 화소전극(221)은 도 6a에 도시된 바와 같이 각 화소에 대응하도록 아일랜드 형상으로 형성될 수 있다.
화소전극(221)을 형성한 후, 개구(120OP)를 갖는 화소정의막(120)을 형성하고, 중간층(222) 및 대향전극(223)을 순차적으로 형성할 수 있다. 중간층(222) 중 발광층(222b)은 화소전극(221)과 중첩하도록 각 화소에 대응하도록 위치할 수 있다. 중간층(222) 중 제1 기능층(222a) 및 제2 기능층(222c), 그리고 대향전극(223)은 복수의 화소들을 커버하도록 일체(one body)로 형성될 수 있다.
다음으로, 대향전극(223) 상에 박막봉지층(300)이 형성될 수 있다. 박막봉지층(300)의 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)은 모노머를 도포한 후 이를 경화하여 형성하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 유기발광다이오드(OLED) 및 박막봉지층(300)의 물질은 앞서 설명한 바와 같다.
이 후, 박막봉지층(300) 상에 감광성 유기물을 형성한 후 이를 패터닝하여 유기 구조(60)를 형성한다. 유기 구조(60)는 특정 파장 대역(예, UV 등)의 빛에 반응하는 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 유기 구조(60)는 도 6g에 도시된 바와 같이 유기발광다이오드(OLED)의 발광영역(EA), 예컨대 화소정의막(120)의 개구(120OP)를 전체적으로 둘러싸도록 형성될 수 있다. 발광영역(EA), 예컨대 화소정의막(120)의 개구(120OP)를 사이에 둔 유기 구조(60)의 부분들 사이의 내측 폭(W2')은 화소정의막(120)의 개구(120OP)의 폭(W1)과 같거나 그보다 클 수 있다.
유기 구조(60)는 경사진 측면을 가질 수 있다. 유기 구조(60)는 단면이 대략 사다리꼴의 형상을 가질 수 있다. 유기 구조(60)의 측면의 경사각(α)은 적어도 50°일 수 있다. 예컨대, 경사각(α)은 약 60°이거나 그 보다 클 수 있다.
도 6b를 참조하면, 유기 구조(60) 상에 무기절연층(410A)을 형성한다. 무기절연층(410A)은 기판(100) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 무기절연층(410A)은 유기 구조(60)의 상면과 측면, 그리고 유기 구조(60)의 아래에 배치된 층(예, 박막봉지층)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
무기절연층(410A)은 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성될 수 있다. 무기절연층(410A)은 실리콘질화물을 포함할 수 있다. 또는, 무기절연층(410A)은 실리콘산화물, 또는/및 실리콘산질화물 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 실리콘질화물을 포함하는 무기절연층(410A)은 실리콘의 함량을 조절함으로써, 굴절률을 조절할 수 있다. 예컨대, 무기절연층(410A)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.9일 수 있다.
도 6c 및 도 6d를 참조하면, 무기절연층(410A)을 패터닝하여 루프층(410)을 형성한다. 먼저, 도 6c에 도시된 바와 같이 무기절연층(410A) 상에 감광성 유기층(62)을 형성한다. 감광성 유기층(62)은 제1 투과부(M-h1) 및 제2투과부(M-h2)를 포함하는 마스크(M)를 이용하여 패터닝되며, 제1 투과부(M-h1) 및 제2투과부(M-h2)에 대응하는 부분이 제거되면서 형성된 홀(62h) 및 개구(62OP)를 포함할 수 있다.
이 후, 감광성 유기층(62)을 이용하여 무기절연층(410A)을 에칭함으로써, 도 6d에 도시된 바와 같이 홀(410H) 및 개구(410OP)를 포함하는 루프층(410)을 형성할 수 있다. 도 6d에서는 루프층(410)의 개구(410OP)와 홀(410H)을 각각 별개의 명칭으로 명명하였으나, 개구(410OP)와 홀(410H)은 그 크기에서 차이가 있을 뿐 루프층(410)의 상면과 하면을 관통하도록 형성된 관통홀에 해당한다.
루프층(410)의 개구(410OP)의 폭(W3)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)의 폭(W1)과 같거나 그보다 클 수 있다. 홀(410H)의 폭(W4)은 약 1㎛ 내지 3㎛ 일 수 있다.
도 6e를 참조하면, 루프층(410)의 홀(410H)을 통해 유기 구조(60)를 제거한다. 일 실시예로, 유기 구조(60)는 현상(developing) 공정을 통해 제거될 수 있으며, 유기 구조(60)가 존재하던 공간에는 에어 캐비티(AC)가 형성된다.
이 후, 도 6f에 도시된 바와 같이, 평탄화층(500)을 형성할 수 있다. 평탄화층(500)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 평탄화층(500)은 점성을 갖는 유기물을 도포한 후 이를 경화하여 형성할 수 있다. 루프층(410)에 홀(410H)이 형성되어 있으나, 평탄화층(500)을 형성하는 유기물의 점도를 조절함으로써 에어 캐비티(AC) 내에는 평탄화층(500)과 동일한 물질의 유기물이 존재하지 않거나, 미량의 유기물이 에어 캐비티(AC) 내에 존재할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 8은 도 7의 VIII를 확대한 도면이다.
도 7을 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)가 위치하고, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(221)은 화소회로(PC)를 커버하는 절연층(110) 상에 배치된다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극(221), 중간층(222), 및 대향전극(223)을 포함하고, 화소전극(221)의 에지는 화소정의막(120)으로 커버되는 등, 전술한 구성요소들에 대한 특징은 앞서 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같다.
에어 캐비티(AC) 구조는 화소정의막(120)과 박막봉지층(300) 사이에 위치할 수 있다. 예컨대, 에어 캐비티(AC)는 대향전극(223) 상에 위치할 수 있다. 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410)은 대향전극(223)과의 사이에 에어 캐비티(AC)가 위치하도록 대향전극(223)의 상면과 이격된 상부, 상부 보다 낮은 레벨에 위치하는 저부, 그리고 상부와 저부를 연결하는 측부를 포함할 수 있다. 여기서 저부가 상부 보다 낮은 레벨에 위치한다고 함은, 기판(100)의 주면(101)에 수직인 방향(z방향)을 따라 저부의 높이가 상부 보다 낮음을 나타낸다.
루프층(410)의 저부는 에어 캐비티(AC)로부터 멀어지는 방향으로 연장될 수 있으며, 대향전극(223)의 상면과 접촉할 수 있다. 또는, 대향전극(223)의 바로 위에 캐핑층이 배치되는 경우, 루프층(410)의 저부는 캐핑층의 상면과 접촉할 수 있다. 캐핑층은 LiF를 포함하거나, 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물을 포함할 수 있다.
루프층(410)의 측부는 기판(100)의 주면(101)과 나란한 가상의 평면에 대하여 경사질 수 있다. 측부의 경사각(α)은 적어도 50°일 수 있다. 예컨대, 경사각(α)은 약 60°이거나 그 보다 클 수 있다. 루프층(410)에 의해 정의된 에어 캐비티(AC)의 높이(h)는 약 1.5㎛ 내지 3.5㎛ 이거나, 약 1.5㎛ 내지 3.5㎛이거나, 약 2㎛ 내지 3㎛일 수 있다.
루프층(410)은 무기물, 예컨대, 실리콘질화물, 실리콘산화물, 또는/및 실리콘산질화물을 포함하는 무기절연층일 수 있다. 루프층(410)은 에어 캐비티(AC)의 굴절률(n, 약 1.0) 보다 큰 굴절률을 갖는다. 루프층(410)과 에어 캐비티(AC)의 굴절률의 차이는 약 0.7 이상일 수 있다. 예컨대, 루프층(410)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.9일 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되어 비스듬하게 진행하는 빛은 에어 캐비티(AC)와 루프층(410)의 계면에서 전반사되므로, 유기발광다이오드(OLED)에서의 출광 효율을 향상시킬 수 있으며, 휘도를 향상시킬 수 있다.
박막봉지층(300)은 루프층(410) 상에 위치할 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하며, 이와 관련하여 도 7은 일 실시예로서 박막봉지층(300)이 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함하는 것을 도시한다.
제1 무기봉지층(310)은 루프층(410) 상에 형성될 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 루프층(410)과 접촉할 수 있다. 루프층(410)의 홀(410H) 주변에서, 제1 무기봉지층(310)은 도 8에 도시된 바와 같이 루프층(410)의 상면 및 홀(410H)의 정의하는 측면(410S) 상에도 위치할 수 있다. 루프층(410)은 상부에 형성된 홀(410H)을 포함하기에, 제1 무기봉지층(310)과 동일한 물질을 포함하는 무기물(310R)이 에어 캐비티(AC) 내부에 미량 존재할 수 있다.
유기봉지층(320)은 에어 캐비티(AC)와의 굴절률 차이가 0.5 이거나 그보다 큰 물질, 예컨대 굴절률이 약 1.5 내지 약 1.6인 유기물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)과 에어 캐비티(AC)의 굴절률 차이가 전술한 범위를 만족하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출된 빛의 경로 변경 가능 범위를 증가시킬 수 있다. 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되어 비스듬한 방향으로 진행하는 빛의 경로를 더욱 효과적으로 변경함으로써, 표시 장치의 휘도를 효과적으로 증가시킬 수 있다.
도 7의 단면도에서 루프층(410)에 의해 정의된 에어 캐비티(AC)는 발광영역(EA)의 양측에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 평면상에서 앞서 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다. 루프층(410)의 홀(410H)은 도 4a를 참조하여 설명한 바와 같이 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 하나 구비되거나, 도 4b에 도시된 바와 같이 슬릿 형상의 복수의 홀(410H)들이 발광영역(EA)의 에지를 따라 배치되거나, 또는 도 4c에 도시된 바와 같이 복수의 홀(410H)들이 상호 이격된 채 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 배열될 수 있다. 루프층(410)의 홀(410H)은 약 1㎛ 내지 3㎛의 폭을 가질 수 있다.
루프층(410)은 발광영역(EA)에 대응하는 개구(410OP)를 포함할 수 있다. 루프층(410)의 개구(410OP)의 폭(W3)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)의 폭(W1)과 같거나 그보다 클 수 있고, 화소정의막(120)의 개구(120OP)를 사이에 두고 양측에 위치하는 에어 캐비티(AC)의 부분들 사이의 폭(W2) 보다 작을 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
앞서 도 7를 참조하여 설명한 루프층(410)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)에 중첩하는 개구(410OP)를 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에 따르면 도 9에 도시된 바와 같이 루프층(410)은 개구(410OP)를 포함하지 않는다.
도 9, 및도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 루프층(410)은 에어 캐비티(AC)와 대응하는 홀(410H)을 포함하되, 발광영역(EA)을 커버하도록 연속적으로 형성될 수 있다. 루프층(410)은 실리콘질화물, 실리콘산화물, 또는/및 실리콘산질화물 등을 포함할 수 있으며, 이 경우 루프층(410)은 제1 무기봉지층(310)과 유사하게 일종의 무기봉지층의 역할을 동시에 수행할 수 있다.
루프층(410)이 적어도 하나의 홀(410H)을 제외한 나머지 영역, 예컨대 발광영역(EA)을 포함한 표시영역(DA, 도 1 참조)을 전체적으로 커버하도록 형성하는 경우, 루프층(410)은 제1 무기봉지층(310)과 마찬가지로 무기봉지층으로의 기능을 수행할 수 있으며, 일부 실시예에서 도 9에 도시된 제1 무기봉지층(310)은 생략될 수 있다.
루프층(410)은 도 10a에 도시된 바와 같이 발광영역(EA)을 둘러싸는 하나의 홀(410H)을 구비하거나, 도 10b에 도시된 바와 같이 발광영역(EA)의 변을 따라 연장된 슬릿 형상의 홀(410H)들을 구비하거나, 도 10c에 도시된 바와 같이 발광영역(EA)의 에지를 따라 상호 이격된 채 배열된 홀(410H)들을 구비할 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 11을 참조하면, 박막봉지층(300) 상에 배치된 평탄화층(500)을 더 포함할 수 있다. 에어 캐비티(AC) 구조 상에 박막봉지층(300)이 배치되며 박막봉지층(300)이 유기봉지층(320)을 포함하기에, 유기봉지층(320)이 그 아래의 구성요소들을 전체적으로 커버하면서 평편도를 향상시킬 수 있다. 평탄화층(500)은 박막봉지층(300) 상에 더 배치되어 표시 장치의 편평도를 더욱 향상시키는 역할을 수행할 수 있으며, 평탄화층(500) 상에 위치하는 부재, 예컨대 터치입력층(610) 및/또는 광학적 기능층(620)이 표시 장치로부터 분리되는 것을 방지할 수 있다.
터치입력층(610)은 x방향 및 y방향으로 배열된 터치전극들을 포함할 수 있다. 터치입력층(610)은 뮤추얼 캡 방식 또는/및 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다. 도 11은 터치입력층(610)이 평탄화층(500) 상에 배치된 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로, 터치입력층(610)은 박막봉지층(300) 및 평탄화층(500) 사이에 배치될 수 있다.
광학적 기능층(620)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반사 방지층은 컬러필터층을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
도 11을 참조하여 설명한 터치입력층(610) 및/또는 광학적 기능층(620)은 앞서 도 3과 도 9를 참조하여 설명한 실시예(들) 및 이들로부터 파생되는 실시예에도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.
도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 12a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC) 및 기판(100) 상에 화소회로(PC)를 형성한 후, 화소회로(PC)를 커버하는 절연층(110)을 형성한다. 다음으로, 절연층(110)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소전극(221)을 형성한다.
이 후, 개구(120OP)를 포함하는 화소정의막(120)을 형성하고, 중간층(222) 및 대향전극(223)을 형성한다. 대향전극(223) 상에는 LiF, 무기절연물, 또는 유기절연물을 포함하는 캐핑층이 더 포함될 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의상 캐핑층이 생략된 구조를 설명한다.
전술한 바와 같이 화소전극(221), 중간층(222), 및 대향전극(223)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)를 형성한 후, 유기 구조(60)를 형성한다. 유기 구조(60)는 기판(100) 상에 감광성 유기물층을 형성한 후 이를 패터닝하여 형성할 수 있다. 유기 구조(60)는 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 유기 구조(60)는 앞서 도 6g를 참조하여 설명한 바와 같이 유기발광다이오드(OLED)의 발광영역(EA), 예컨대 화소정의막(120)의 개구(120OP)를 전체적으로 둘러싸도록 형성될 수 있다.
유기 구조(60)는 경사진 측면을 가질 수 있다. 유기 구조(60)는 단면이 대략 사다리꼴의 형상을 가질 수 있다. 유기 구조(60)의 측면의 경사각(α)은 적어도 50°일 수 있다. 예컨대, 경사각(α)은 약 60°이거나 그 보다 클 수 있다.
도 12b를 참조하면, 유기 구조(60) 상에 무기절연층(410A)을 형성한다. 무기절연층(410A)은 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성될 수 있다. 무기절연층(410A)은 실리콘질화물, 실리콘산화물, 또는/및 실리콘산질화물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 실리콘질화물을 포함하는 무기절연층(410A)은 실리콘의 함량을 조절함으로써, 굴절률을 조절할 수 있다. 예컨대, 무기절연층(410A)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.9일 수 있다.
이 후, 도 12c에 도시된 바와 같이 무기절연층(410A)을 패터닝하여 홀(410H)을 포함하는 루프층(410)을 형성한다. 무기절연층(410A)의 패터닝 공정은 앞서 도 6c를 참조하여 설명한 바와 유사하게 마스크와 감광성 유기층을 이용하여 수행될 수 있다. 루프층(410)은 화소정의막(120)의 개구(120OP)와 대응되는 영역을 커버하도록 연속적으로 형성될 수 있다. 도 12c에서는 루프층(410)이 화소정의막(120)의 개구(120OP)를 커버하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 루프층(410)은 앞서 도 6d를 참조하여 설명한 바와 같이 발광영역(EA)과 대응하는 개구(410OP)를 포함할 수 있다.
도 12d를 참조하면, 루프층(410)의 홀(410H)을 통해 유기 구조(60)를 제거함으로써 에어 캐비티(AC)를 형성할 수 있다.
다음으로, 홀(410H)이 형성된 루프층(410) 상에 제1 무기봉지층(310)을 형성할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 화학기상증착법에 의해 형성될 수 있으며, 제1 무기봉지층(310)을 형성하는 공정 중에서 제1 무기봉지층(310)과 동일한 물질을 포함하는 무기물(310R)이 에어 캐비티(AC) 내에 미량 존재할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 도 12d의 확대도에 도시된 바와 같이 루프층(410)의 상면 및 루프층(410)의 홀(410H)을 정의하는 측면(410S) 상에도 위치할 수 있다.
도 12e를 참조하면, 제1 무기봉지층(310) 상에 순차적으로 유기봉지층(320) 및 제2 무기봉지층(330)을 형성할 수 있다. 유기봉지층(320)은 모노머를 도포한 후 경화하여 형성하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치 중 에어 캐비티 및 그 주변을 확대한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)가 배치되고, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(221)은 화소회로(PC)를 커버하는 절연층(110) 상에 배치된다. 기판(100)과 화소회로(PC)의 구조 및 특징은 앞서 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같다.
에어 캐비티(AC) 구조는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출된 빛의 진행 방향에 배치된다. 일 실시예로, 절연층(110)과 박막봉지층(300) 사이에 위치할 수 있다. 예컨대, 에어 캐비티(AC)는 화소전극(221) 상에 위치할 수 있다. 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410)은 절연층(110)과의 사이에 에어 캐비티(AC)가 위치하도록 절연층(110)의 상면과 이격된 상부, 상부에 대하여 낮은 레벨의 저부, 그리고 상부와 저부를 연결하는 측부를 포함할 수 있다. 루프층(410)의 저부 중 일측은 화소전극(221)의 상면과 접촉하고 타측는 절연층(110)의 상면과 접촉할 수 있다.
루프층(410)은 화소전극(221)과 중첩하는 개구(410OP)를 포함하며, 개구(410OP)의 폭(W3)은 화소전극(221)의 폭(W5) 보다 작다. 루프층(410)의 개구(410OP)는 발광영역(EA)을 정의할 수 있다. 루프층(410)의 개구(410OP)가 발광영역(EA)에 해당한다. 루프층(410)에 의해 정의된 에어 캐비티(AC)는 화소전극(221)의 에지를 커버할 수 있다. 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410)은 발광영역(EA)을 정의할 뿐만 아니라, 화소전극(221)의 에지와 대향전극(223) 사이의 거리를 증가시켜 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
루프층(410)의 측부는 기판(100)의 주면(101)과 나란한 가상의 평면에 대하여 경사질 수 있다. 측부의 경사각(α)은 적어도 50°일 수 있다. 예컨대, 경사각(α)은 약 60°이거나 그 보다 클 수 있다. 루프층(410)에 의해 정의된 에어 캐비티(AC)의 높이(h)는 약 1.5㎛ 내지 3.5㎛ 이거나, 약 1.5㎛ 내지 3.5㎛이거나, 약 2㎛ 내지 3㎛일 수 있다.
루프층(410)은 에어 캐비티(AC)의 굴절률(n, 약 1.0) 보다 큰 굴절률을 갖는다. 에어 캐비티(AC)와 루프층(410)의 굴절률의 차이는 적어도 약 0.5이상이거나, 적어도 약 0.6이상이거나, 또는 적어도 약 0.7이상일 수 있다.
루프층(410)은 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 루프층(410)은 실리콘질화물, 실리콘산화물, 및/또는 실리콘산질화물과 같은 무기절연층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 루프층(410)이 실리콘질화물을 포함하는 경우, 실리콘의 함량을 조절함으로써 루프층(410)의 굴절률과 에어 캐비티(AC)의 굴절률의 차이를 조절할 수 있다. 루프층(410)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.9일 수 있다.
도 13, 도 15a 및 도 15b를 참조하면, 에어 캐비티(AC)는 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 배치되며, 고리 형상의 에어 캐비티(AC)의 내측 폭(W2)은 발광영역(EA)의 폭(W1)과 같거나 그보다 클 수 있다. 루프층(410)의 홀(410H)들은 도 15a 및 도 15b에 도시된 바와 같이 상호 이격되어 배치된다. 예컨대, 슬릿 형상의 복수의 홀(410H)들이 발광영역(EA)의 변을 따라 상호 이격되어 배치되거나(도 15a), 복수의 홀(410H)들이 상호 이격된 채 발광영역(EA)을 전체적으로 둘러싸도록 배열(도 15b)될 수 있다.
중간층(222)은 발광층(222b)을 포함하며, 발광층(222b)은 루프층(410)의 개구(410OP)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 발광층(222b)의 아래에는 제1 기능층(222a)이 더 배치될 수 있으며, 발광층(222b)의 위에는 제2 기능층(222c)이 더 배치될 수 있다. 제1 기능층(222a)은 홀 수송층 및/또는 홀 주입층을 포함할 수 있으며, 제2 기능층(222c)은 전자 주입층 및/또는 전자 수송층을 포함할 수 있다.
제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)은 대향전극(223)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다. 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410) 상에 구비된 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및 대향전극(223) 각각과 동일한 물질을 포함하는 물질층(Rm)이 에어 캐비티(AC) 내에 미량 존재할 수 있다. 예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 기능층(222a)과 동일한 물질을 포함하는 제1물질층(222a'), 제2 기능층(222c)과 동일한 물질을 포함하는 제2물질층(222c') 및 대향전극(223)과 동일한 물질을 포함하는 제3물질층(223')을 구비한 물질층(Rm)이 에어 캐비티(AC) 내에 미량 존재할 수 있다.
화소전극(221), 중간층(222), 및 대향전극(223)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300)은 예컨대, 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 루프층(410) 상에 형성되되, 루프층(410)의 상면 및 홀(410H)을 정의하는 루프층(410)의 측면(410S) 상에 위치할 수 있다. 제1 무기봉지층(3100과 동일한 물질을 포함하는 제4물질층(310')이 도 14에 도시된 바와 같이 에어 캐비티(AC) 내에 위치할 수 있다.
유기봉지층(320)은 에어 캐비티(AC)와의 굴절률 차이가 0.5 이거나 그보다 큰 물질, 예컨대 굴절률이 약 1.5 내지 약 1.6인 유기물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)과 에어 캐비티(AC)의 굴절률 차이가 전술한 범위를 만족하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출된 빛의 경로 변경 가능 범위를 증가시킬 수 있다. 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되어 비스듬한 방향으로 진행하는 빛의 경로를 더욱 효과적으로 변경할 수 있으며, 표시 장치의 휘도를 효과적으로 증가시킬 수 있다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 16을 참조하면, 박막봉지층(300) 상에 배치된 평탄화층(500)을 더 포함할 수 있다. 에어 캐비티(AC) 구조 상에 박막봉지층(300)이 배치되며 박막봉지층(300)이 유기봉지층(320)을 포함하기에, 유기봉지층(320)이 그 아래의 구성요소들을 전체적으로 커버하면서 평편도를 향상시킬 수 있다. 평탄화층(500)은 박막봉지층(300) 상에 더 배치되어 표시 장치의 편평도를 더욱 향상시키는 역할을 수행할 수 있으며, 평탄화층(500) 상에 위치하는 부재, 예컨대 터치입력층(610) 및/또는 광학적 기능층(620)이 표시 장치로부터 분리되는 것을 방지할 수 있다. 터치입력층(610) 및 광학적 기능층(620)의 구체적 특징 및 구조는 앞서 도 11을 참조하여 설명한 바와 같다.
도 17a 내지 도 17e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정에 따른 단면도들이고, 도 17g는 도 17a의 평면도이다.
도 17a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)를 형성한 후, 화소회로(PC)를 커버하는 절연층(110)을 형성한다. 다음으로, 절연층(110)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소전극(221)을 형성한다.
이 후, 유기 구조(60)를 형성한다. 유기 구조(60)는 기판(100) 상에 감광성 유기물을 형성한 후 이를 패터닝하여 형성할 수 있다. 유기 구조(60)는 도 17g에 도시된 바와 같이 화소전극(221)의 에지를 전체적으로 둘러싸도록 형성될 수 있다.
유기 구조(60)는 경사진 측면을 가질 수 있다. 유기 구조(60)는 단면이 대략 사다리꼴인 형상을 가질 수 있다. 유기 구조(60)의 측면의 경사각(α)은 적어도 50°일 수 있다. 예컨대, 경사각(α)은 약 60°이거나 그 보다 클 수 있다.
도 17b를 참조하면, 유기 구조(60) 상에 무기절연층(410A)을 형성한다. 무기절연층(410A)은 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성될 수 있다. 무기절연층(410A)은 실리콘질화물을 포함할 수 있다. 또는, 무기절연층(410A)은 실리콘산화물, 또는 실리콘산질화물 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 실리콘질화물을 포함하는 무기절연층(410A)은 실리콘의 함량을 조절함으로써, 굴절률을 조절할 수 있다. 예컨대, 무기절연층(410A)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.9일 수 있다.
무기절연층(410A)은 기판(100) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 무기절연층(410A)은 유기 구조(60)의 상면과 측면, 그리고 유기 구조(60)의 아래에 배치된 층, 예컨대, 절연층(110) 및 화소전극(221)의 상면들과 직접 접촉할 수 있다.
도 17c를 참조하면, 무기절연층(410A)을 패터닝하여 루프층(410)을 형성한다. 루프층(410)은 홀(410H) 및 개구(410OP)를 포함하며, 루프층(410)의 패터닝 공정은 앞서 도 6c를 참조하여 설명한 바와 유사하게 마스크와 감광성 유기층을 이용하여 수행될 수 있다. 루프층(410)의 개구(410OP)는 앞서 도 13을 참조하여 설명한 바와 같이 발광영역에 해당할 수 있다.
이 후, 도 17d에 도시된 바와 같이 루프층(410)의 홀(410H)을 통해 유기 구조(60)를 제거함으로써, 유기 구조(60)가 있던 공간에 에어 캐비티(AC)를 형성할 수 있다. 도 17g를 참조하여 설명한 바와 같이 유기 구조(60)가 화소전극(221)의 에지를 둘러싸도록 형성되므로, 유기 구조(60)를 제거되면서 형성된 에어 캐비티(AC)도 화소전극(221)의 에지를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 화소전극(221)의 에지는 루프층(410)으로 커버된 채 에어 캐비티(AC) 내에 위치할 수 있다.
도 17e를 참조하면, 에어 캐비티(AC)를 정의하는 루프층(410) 상에 제1 기능층(222a)을 형성하고, 루프층(410)의 개구(410OP)와 대응되는 위치에 발광층(222b)을 형성하며, 발광층(222b) 상에 순차적으로, 제2 기능층(222c) 및 대향전극(223)을 형성할 수 있다. 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및 대향전극(223) 각각은 적어도 표시영역을 커버하도록 일체(one body)로 형성된다.
제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및 대향전극(223)은 각각 열 증착법에 의해 형성될 수 있다. 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및 대향전극(223) 각각을 형성하는 공정 중 전술한 층들을 형성하는 물질은 루프층(410)의 홀(410H)을 통해 캐비티의 내측에도 위치할 수 있다. 이와 관련하여, 도 17e에는 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c) 및 대향전극(223) 각각과 동일한 물질을 포함하는 물질층(Rm)이 배치된 것을 도시하며, 물질층(Rm)은 앞서 도 14를 참조하여 설명한 바와 같다.
이 후, 도 17f에 도시된 바와 같이, 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2 무기봉지층(330)을 순차적으로 형성할 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 화학기상증착법에 의해 형성될 수 있으며, 제1 무기봉지층(310)은 루프층(410)의 상면 및 홀(410H)을 정의하는 측면 상에 위치할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)을 형성하는 공정에서, 증착 물질은 홀(410H)을 통해 에어 캐비티(AC) 내에 미량 존재할 수 있으며, 이에 대한 구체적 구조는 앞서 도 14를 참조하여 설명한 바와 같다. 유기봉지층(320)은 유기봉지층(320)을 이루는 유기물의 점도를 조절하는 등의 방식을 통해 에어 캐비티(AC)의 내측에 존재하지 않거나, 미량 존재할 수 있다. 유기봉지층(320)은 모노머를 도포한 후 경화하여 형성하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 18을 참조하면, 표시 장치(10A)는 각 화소별로 다른 색의 빛의 방출할 수 있다. 예컨대, 기판(100) 상에 각 화소에 대응하는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)가 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)는 서로 다른 색상의 빛, 예컨대 각각 적색, 녹색, 청색의 빛(LR, LG, LB)을 방출할 수 있다. 제1 유기발광다이오드(OLED1)는 적색의 화소에 위치하고, 제2 유기발광다이오드(OLED2)는 녹색의 화소에 위치하며, 제3 유기발광다이오드(OLED3)는 청색의 화소에 위치할 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각에서 방출된 적색, 녹색, 청색의 빛(LR, LG, LB)은 기판(100)에서 멀어지는 방향으로 진행하며, 비스듬하게 진행하는 빛은 에어 캐비티(AC)와 루프층(410)의 계면에서 전반사되어 대략 z방향을 따라 진행할 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각에 구비된 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 또는, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각에 구비된 발광층은 유기물 및/또는 양자점을 포함할 수 있다.
도 18에는 간단히 도시되어 있으나, 표시 장치(10A)의 각 화소별 구체적 구조는 앞서 도 3 내지 도 17g를 참조하여 설명한 실시예(들) 및 이들로부터 파생되는 실시예에 따른 구조를 가질 수 있음은 물론이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 19를 참조하면, 표시 장치(10B)는 각 화소에 대응하는 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)를 포함하되, 제1 내지 제3 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)는 청색의 빛(LB)을 방출할 수 있다.
각 화소에서 방출되는 청색의 빛(LB)은 빛의 진행 경로에 위치하는 색변환필터 및 컬러필터를 통과하면서 각각 적색, 녹색, 청색의 빛(LR, LG, LB)으로 변환될 수 있다.
예컨대, 제1 유기발광다이오드(OLED1)에서 방출된 청색의 빛(LB)은 제1색변환부(631)에 의해 적색의 빛으로 변환되며, 변화된 빛은 적색의 컬러필터(641)를 통과하면서 색 순도가 향상되어 외부를 향해 방출될 수 있다. 제1색변환부(631)는 양자점 및 산란입자를 포함할 수 있다. 양자점은 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 양자점의 코어는 -VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
제2 유기발광다이오드(OLED2)에서 방출된 청색의 빛(LB)은 제2색변환부(632)에 의해 적색의 빛으로 변환되며, 변화된 빛은 녹색의 컬러필터(642)를 통과하면서 색 순도가 향상되어 외부를 향해 방출될 수 있다. 제2색변환부(632)는 양자점 및 산란입자를 포함할 수 있다. 양자점은 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 양자점의 코어는 II족-VI족 화합물, III족-V족 화합물, IV족-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 제2색변환부(632)의 양자점의 크기 및/또는 구조는 제1색변환부(631)의 양자점의 크기 및/또는 구조와 다를 수 있다.
제3 유기발광다이오드(OLED3)에서 방출된 청색의 빛(LB)은 투과부(633) 및 청색의 컬러필터(642)를 통과하여 외부로 바출될 수 있다. 투과부(633)는 TiO2와 같은 산란입자를 포함할 수 있다.
제1색변환부(631), 제2색변환부(632) 및 투과부(633) 중 인접한 두개의 부분 사이, 및/또는 적색의 컬러필터(641), 녹색의 컬러필터(642), 및 청색의 컬러필터(643) 중 인접한 두개의 컬러필터 사이에는 차광부(650)가 존재한다. 차광부(650)는 블랙매트릭스를 포함할 수 있다.
도 19에는 간단히 도시되어 있으나, 표시 장치(10A)의 각 화소별 구체적 구조는 앞서 도 3 내지 도 17g를 참조하여 설명한 실시예(들) 및 이들로부터 파생되는 실시예에 따른 구조를 가질 수 있음은 물론이다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판
110: 절연층
120: 화소정의막
221: 화소전극
222: 중간층
222a: 제1 기능층
222b: 발광층
222c: 제2 기능층
223: 대향전극
300: 박막봉지층
410: 루프층
410OP: 개구
410H: 홀
500: 평탄화층
AC: 에어 캐비티

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소; 및
    상기 표시요소를 둘러싸는 에어 캐비티를 정의하는 루프층;을 포함하며,
    상기 루프층의 굴절률은 상기 에어의 굴절률 보다 큰, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 루프층은 무기절연층을 포함하는, 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 루프층은 실리콘질화물, 실리콘 산화물, 실리콘산질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 루프층은 상기 기판의 주면(main surface)에 대하여 경사진 측부(side portion)를 포함하는, 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 기판의 주면과 나란한 평면에 대한 상기 측부의 경사각은 50°이거나 그보다 큰, 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 루프층은 적어도 하나의 홀을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 표시요소를 커버하고, 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층을 더 포함하며,
    상기 적어도 하나의 유기봉지층은 상기 에어 캐비티의 굴절률 보다 큰, 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 에어 캐비티는 상기 박막봉지층의 위에 위치하는, 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 에어 캐비티는 상기 박막봉지층의 아래에 위치하는, 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 화소전극의 가장자리를 커버하며 상기 화소전극의 중심영역과 대응하는 개구를 포함하는 화소정의막을 더 포함하며,
    상기 에어 캐비티는 상기 화소정의막 상에 위치하는, 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 에어 캐비티의 일부는 상기 화소전극의 에지와 중첩하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화소전극의 에지는 상기 에어 캐비티 내에 위치하는, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 루프층은 상기 화소전극의 폭 보다 작은 폭을 갖는 개구를 포함하는, 표시 장치.
  14. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소; 및
    상기 표시요소에서 방출되어 상기 기판의 두께방향에 대해 비스듬한 방향을 따라 진행하는 빛의 진행 경로 상에 위치하고, 에어 캐비티를 정의하며, 경사진 측부를 포함하는, 루프층;을 포함하고
    상기 루프층의 굴절률은 상기 에어의 굴절률 보다 큰, 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 루프층은 적어도 하나의 홀을 포함하는, 표시 장치.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 에어 캐비티는 상기 표시요소를 전체적으로 둘러싸는, 표시 장치.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 루프층의 굴절률과 상기 에어의 굴절률의 차는 0.7이거나 그보다 큰, 표시 장치.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 루프층은 무기절연층을 포함하며, 상기 기판의 주면에 대한 상기 측부의 경사각은 50°이거나 그보다 큰, 표시 장치.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 루프층은 상기 표시요소의 상기 발광층과 대응하는 개구를 포함하는, 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 표시요소를 커버하며, 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층을 더 포함하고,
    상기 적어도 하나의 유기봉지층의 굴절률과 상기 에어 캐비티의 굴절률의 차이는 적어도 0.5인, 표시 장치.
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