CN106067474A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种制造有机发光显示装置的方法和一种有机发光显示装置，该方法包括：在基底上形成半导体层；在半导体层上形成栅电极；在基底的整个表面上形成层间绝缘膜以覆盖栅电极；在层间绝缘膜上形成源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成像素电极和像素限定膜，其中，像素电极和像素限定膜的形成包括通过使用一个掩模形成像素电极和像素限定膜。

Description

有机发光显示装置
本申请要求于2015年4月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0055344号韩国专利申请的优先权和全部权益，通过引用将该韩国专利申请的公开内容全部包含于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例涉及一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
诸如等离子体显示面板(PDP)、液晶显示(LCD)装置和有机电致发光显示装置的平板显示装置已经备受关注。
LCD装置不是自发射的，因此有低亮度、低对比度、窄视角和大总体尺寸的问题。虽然PDP是自发射的装置，但是PDP具有比其他平板显示装置更大的重量、更高的能耗和更复杂的制造方法。
然而，有机电致发光显示装置是自发射的，因此具有宽视角和高对比度。此外，有机电致发光显示装置不需要背光，因此具有轻薄的设计和低能耗。此外，有机电致发光显示装置可以用低直流(DC)电压运行并可以具有快的响应时间。有机电致发光显示装置是固态的，因此可以充分地承受外部冲击并可具有宽的工作温度范围。有机电致发光显示装置可以简单地以低成本制造。
在有机电致发光显示装置中用于显示自然色的一个单位像素包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，子像素可以包括发射白光的有机发射层。
发明内容
一个或更多个示例性实施例包括一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
另外的方面将在接下来的描述中部分地阐述，部分地通过该描述将是清楚的，或者可以通过给出的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个示例性实施例，制造有机发光显示装置的方法包括：在基底上形成半导体层；在半导体层上形成栅电极；在基底的整个表面上形成层间绝缘膜以覆盖栅电极；在层间绝缘膜上形成源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成像素电极和像素限定膜，其中，像素电极和像素限定膜的形成包括通过使用一个掩模形成像素电极和像素限定膜。
像素电极可以包括第一层和第二层。
第一层可以设置在第二层下面，其中，第一层包括钛(Ti)或Ti合金。
第一层可以设置在第二层下面，其中，第二层包括导电氧化物。
第一层可以形成为具有等于或小于的厚度。
在形成源电极和漏电极之后，所述方法还可以包括在层间绝缘膜上形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
在形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之后，形成像素电极和像素限定膜之前，所述方法还可以包括在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器上形成覆层。
半导体层可以包括氧化物。
像素电极和像素限定膜的形成可以包括：在基底的整个表面上形成像素电极和像素限定膜；通过使用半色调掩模将像素限定膜图案化；通过使用被图案化的像素限定膜作为掩模来蚀刻第二层的一部分；灰化像素限定膜；通过使用第二层作为掩模来蚀刻第一层的一部分。
在形成像素电极和像素限定膜之后，所述方法还可以包括形成中间层和对电极。
根据一个或更多个示例性实施例，制造有机发光显示装置的方法包括：在基底上形成半导体层；在半导体层上形成栅电极；在基底的整个表面上形成层间绝缘膜以覆盖栅电极；在层间绝缘膜上形成源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成包括第一层和第二层的像素电极；在像素电极上形成像素限定膜；通过使用半色调掩模将像素限定膜图案化；通过使用被图案化的像素限定膜作为掩模来蚀刻第二层的一部分；灰化像素限定膜；通过使用第二层作为掩模来蚀刻第一层的一部分。
第一层可以设置在第二层下面，其中，第一层包括钛(Ti)或Ti合金。
第一层可以设置在第二层下面，其中，第二层包括导电氧化物。
第一层可以形成为具有等于或小于的厚度。
在形成源电极和漏电极之后，所述方法还可以包括在层间绝缘膜上形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
在形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之后，形成像素电极和像素限定膜之前，所述方法还可以包括在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器上形成覆层。
半导体层可以包括氧化物。
根据一个或更多个示例性实施例，有机发光显示装置包括：基底；半导体层，形成在基底上；栅电极，形成在半导体层上；层间绝缘膜，形成在基底的整个表面上以覆盖栅电极；源电极和漏电极，形成在层间绝缘膜上；像素电极，形成在源电极和漏电极中的至少一个的上方；像素限定膜，形成在像素电极上，并限定像素区域和非像素区域，其中，像素电极和像素限定膜通过使用一个掩模形成。
像素电极可以包括第一层和第二层。
第一层可以形成在第二层下面，其中，第一层包括钛(Ti)或Ti合金。
第一层可以形成在第二层下面，其中，第二层包括导电氧化物。
第一层可以形成为具有等于或小于的厚度。
有机发光显示装置还可以包括在层间绝缘膜上形成的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
有机发光显示装置还可以包括在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器上形成的覆层。
半导体层可以包括氧化物。
根据一个或更多个示例性实施例，有机发光显示装置包括：基底；半导体层，形成在基底上；栅电极，形成在半导体层上；层间绝缘膜，形成在基底的整个表面上以覆盖栅电极；源电极和漏电极，形成在层间绝缘膜上；像素电极，形成在源电极和漏电极中的至少一个的上方，并包括第一层和第二层；像素限定膜，形成在像素电极上，并限定像素区域和非像素区域，其中，像素电极和像素限定膜通过使用一个掩模形成，其中，第一层包括金属，第二层包括导电氧化物。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面详细的描述，对本发明的更完整的理解和其许多伴随的优点将会容易清楚，同时其被更好地理解，附图中同样的标记表示相同或相似的组件，其中：
图1是通过使用根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法形成的有机发光显示装置中包括的薄膜晶体管(TFT)阵列基底的剖视图；
图2A至图2E是用于解释在根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法中形成像素电极和像素限定膜的操作的剖视图；
图3是通过使用根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法制造的有机发光显示装置的平面图；以及
图4是图3的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
发明构思可以包括各种实施例和修改，其示例性实施例将在附图中示出并在此被详细地描述。通过下面结合附图所进行的对实施例的描述，发明构思的效果和特征及其伴随的方法将变得清楚。然而，发明构思不限于下面描述的实施例，并且可以以各种方式实施。
现在将详细地对实施例做出参考，实施例的示例在附图中被示出。在附图中，相同的附图标记表示相同的元件，因此将不会给出其重复的解释。
虽然可以用诸如“第一”、“第二”等的术语描述各种组件，但是这样的组件不必受限于上述术语。上述术语仅用来将一个组件与另一个组件区分开来。
如在这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在这里使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当诸如膜、区域或元件的组件被称为“在”另一组件“上”时，该组件可以直接在所述另一组件上，或其间可以存在中间组件。
为了便于解释，可以夸大附图中组件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释而任意地示出附图中组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施某个实施例时，可以与描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续地描述的工艺，或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。
如在这里使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或更多个的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种)(者)”的表述在一系列元件之后时，该表述修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。
图1是通过使用根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法形成的有机发光显示装置中包括的薄膜晶体管(TFT)阵列基底100的剖视图。
根据示例性实施例的有机发光显示装置可以是包括发射白光的有机发射层的白色有机发光显示装置。
详细来说，如图1所示，有机发光显示装置可以是包括滤色器的底发射白色有机发光显示装置。
根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法可以包括在TFT阵列基底100上形成缓冲层110。缓冲层110可以防止杂质离子的扩散或者潮气或外部空气渗入TFT、OLED，并可以用作用于使TFT阵列基底100的表面平坦化的屏障层和/或阻挡层。缓冲层110不是必要的元件，可以省略。
首先，可以在缓冲层110上形成半导体层A。根据示例性实施例，可以通过使用光刻和蚀刻形成半导体层A。
可以由透明导电氧化物形成半导体层A。透明导电氧化物可以包括从镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中选择的至少一种化学元素。例如，可以从InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO和氧化铪铟锌(HIZO)中选择透明导电氧化物。
因为包括硅层的TFT必须通过使用高温工艺形成并且必须经历结晶工艺，所以随着TFT的尺寸增大，在结晶工艺过程中均匀性会降低，从而难以增大TFT的尺寸。
然而，因为包括透明导电氧化物作为有源层的氧化物半导体TFT具有优异的器件特性并且可以通过使用低温工艺来形成，所以说氧化物半导体TFT可以用于平板显示装置的背板。此外，因为氧化物半导体TFT在可视区域中是透明的并且是柔性的，所以氧化物半导体TFT可以应用于透明显示装置或柔性显示装置。
在形成半导体层A之后，可以在半导体层A上形成栅极绝缘膜GI以与TFT阵列基底100的整个表面对应。栅极绝缘膜GI可以形成为具有由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料形成的多层或单层结构。栅极绝缘膜GI可以使半导体层A与设置在半导体层A上的栅电极G绝缘。
在形成栅极绝缘膜GI之后，可以在栅极绝缘膜GI上形成栅电极G。根据示例性实施例，可以通过使用光刻和蚀刻形成栅电极G。
栅电极G可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种金属。
在栅极绝缘膜GI上形成栅电极G后，可以在TFT阵列基底100的整个表面上形成层间绝缘膜130。
可以由无机材料或有机材料形成层间绝缘膜130。在一些示例性实施例中，可以由有机材料形成层间绝缘膜130。例如，可以由从丙烯酰类树脂(例如，聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯醚类树脂、聚苯硫醚类树脂和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种材料形成层间绝缘膜130。
在TFT阵列基底100上形成层间绝缘膜130后，可以在层间绝缘膜130中形成接触孔，并且可以在层间绝缘膜130上形成源电极S和漏电极D。根据示例性实施例，可以通过使用光刻和蚀刻形成源电极S和漏电极D。
可以通过形成在层间绝缘膜130中的接触孔将源电极S和漏电极D连接到半导体层A。
如图1所示，根据本示例性实施例的有机发光显示装置是底发射白色有机发光显示装置。
在通过使用根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法形成的TFT阵列基底100中，在形成源电极S和漏电极D之后，可以在层间绝缘膜130上形成滤色器C/F。
滤色器C/F可以包括红色滤色器R C/F、绿色滤色器G C/F和蓝色滤色器B C/F(未示出)。可以在红色子像素区域中在层间绝缘膜130上形成红色滤色器R C/F以发射红光，可以在绿色子像素区域中在层间绝缘膜130上形成绿色滤色器G C/F以发射绿光，可以在蓝色子像素区域中在层间绝缘膜130上形成蓝色滤色器B C/F以发射蓝光。
即，在TFT阵列基底100上形成层间绝缘膜130后，可以在包括源电极S和漏电极D的TFT阵列基底100上形成红色滤色器R C/F、绿色滤色器G C/F和蓝色滤色器B C/F，以分别地与红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域对应。
详细来说，在涂覆红色光致抗蚀剂之后，可以通过使用光刻和蚀刻在红色子像素区域中在层间绝缘膜130上形成红色滤色器R C/F。
接着，在涂覆绿色光致抗蚀剂之后，可以通过使用光刻和蚀刻在绿色子像素区域中在层间绝缘膜130上形成绿色滤色器G C/F。
接着，在涂覆蓝色光致抗蚀剂之后，可以通过使用光刻和蚀刻在蓝色子像素区域中在层间绝缘膜130上形成蓝色滤色器B C/F(未示出)。
因此，可以在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中分别地形成红色滤色器R C/F、绿色滤色器G C/F和蓝色滤色器B C/F。
在形成红色、绿色和蓝色滤色器C/F之后，可以在滤色器C/F上形成覆层150。根据示例性实施例，可以通过使用光刻和蚀刻形成覆层150。
可以在滤色器C/F上形成覆层150以保护滤色器C/F，可以由诸如丙烯酰类树脂的有机材料形成覆层150。
可以由无机材料或有机材料形成覆层150。在一些示例性实施例中，可以由有机材料形成覆层150。例如，可以由从聚丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、酚树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯醚类树脂、聚苯硫醚类树脂和BCB中选择的至少一种材料形成覆层150。
覆层150不是必要的元件。然而，覆层150可以保护滤色器C/F，并可用作通路层。
在层间绝缘膜130上形成覆层150之后，可以在覆层150上形成像素电极170和像素限定膜180。
具体来说，根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法可以包括通过使用一个掩模而不是不同的掩模来形成像素电极170和像素限定膜180。
因为与其中通过使用不同的掩模顺序地形成像素电极170和像素限定膜180的传统方法不同，根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法包括通过使用一个掩模形成像素电极170和像素限定膜180，所以可以减少时间和成本，从而提高竞争力。
将在下面详细地解释在根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法中通过使用一个掩模形成像素电极170和像素限定膜180的方法。
通过使用根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法制造的有机发光显示装置的像素电极170可以包括第一层171和第二层173。
如图1和图2A所示，可以在第二层173下形成第一层171。
可以由金属形成第一层171，并且第一层171可以防止覆层150在用于灰化像素限定膜180的后续工艺中被蚀刻。
根据示例性实施例，第一层171可以由钛(Ti)或Ti合金形成。然而，本示例性实施例不限于此，第一层171可以由任何其他材料形成。因为第一层171由金属材料形成以用作用于防止设置在第一层171下的覆层150被蚀刻的屏障，所以第一层171可以形成为具有小的厚度。
虽然不限制第一层171的厚度，但是第一层171可以形成为具有小于或等于的厚度以满足薄设计的要求。
第二层173可以由透明导电氧化物形成。即，第二层173可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中选择的至少一种。
图2A至图2E是用于解释根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法中形成像素电极170和像素限定膜180的操作的剖视图。在图2A至图2E中，相同的附图标记表示与图1中的元件相同的元件，因此将不会给出其重复的解释。
如上面在图2A中所描述的，在层间绝缘膜130上形成覆层150之后，可以在覆层150上形成像素电极170以与TFT阵列基底100的整个表面对应，可以在像素电极170上形成像素限定膜180以与TFT阵列基底100的整个表面对应。
接下来，参照图2B，可以通过使用半色调掩模将像素限定膜180图案化。
因为通过使用半色调掩模图案化像素限定膜180，所以可以部分地去除像素限定膜180的与开口180a(将要作为像素区域)对应的一部分，并且可以完全地去除像素限定膜180的与剩余部分180b(将要作为非像素区域)对应的一部分，如图2B所示。
参照图2C，在将像素限定膜180图案化之后，可以通过使用蚀刻去除暴露的第二层173。即，可以通过使用图案化的像素限定膜180作为掩模来蚀刻第二层173的除了其上形成有像素限定膜180的部分之外的部分。根据示例性实施例，可以通过使用干法蚀刻来蚀刻暴露的第二层173，但不限于干法蚀刻。
接着，参照图2D，在蚀刻暴露的第二层173之后，可以灰化(ash)像素限定膜180。可以通过使用各种方法执行作为破坏或分解有机物的工艺的灰化。
根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法不限于灰化像素限定膜180的方法。因此，如图2D所示，可以通过使用灰化去除像素限定膜180的保留在开口180a(将要作为像素区域)中的部分。
当由有机材料形成设置在像素电极170下的覆层150时，覆层150可能会被灰化损坏。然而，在根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法中，因为像素电极170包括第一层171，所以可以防止覆层150被损坏。
即，如上所述，因为第一层171由金属材料形成并用作屏障，所以在灰化过程中可以仅去除像素限定膜180，而不损坏覆层150。
参照图2E，在灰化像素限定膜180之后，可以去除第一层171的一部分。在这种情况下，可以通过使用第二层173作为掩模来去除第一层171的除了其上保留了第二层173的部分之外的部分。根据示例性实施例，可以通过使用干法蚀刻来蚀刻第一层171的一部分，但不限于干法蚀刻。
如上所述，在根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法中，可以通过仅使用一个半色调掩模形成像素限定膜180以及包括第一层171和第二层173的像素电极170。因此，可以减少时间和成本，从而使得可以制造具有高竞争力的有机发光显示装置。
将在下面解释将在像素电极170和像素限定膜180上形成的中间层193、对电极195和间隔物200。
图3是通过使用根据本示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法制造的有机发光显示装置1000的平面图。图4是图3的有机发光显示装置1000的剖视图。在图3和图4中，用同样的附图标记表示与在图1至图2E中的元件相同的元件，因此将不会给出其重复的解释。
可以将有机发光显示装置1000划分为其中显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域。非显示区域包括密封区域SA和垫(pad，或称为“焊盘”)区域PA。
可以在密封区域SA中设置密封基底(未示出)和/或密封材料(未示出)以围绕显示区域DA，并且密封基底和/或密封材料不受限制，只要密封基底和/或密封材料可以密封显示区域DA即可。
密封基底可以是薄膜包封基底，在这种情况下，可以省略密封材料。密封基底可以防止外部的空气或潮气渗入设置在TFT阵列基底100上的多个TFT和有机发光器件(OLED)。因此，当需要时，还可以在密封基底上设置偏振膜或滤色器。
密封材料可以是诸如玻璃料(frit)的无机材料。然而，本示例性实施例不限于此，密封材料可以是环氧树脂。密封材料可以通过使用分配器(dispenser)或丝网印刷来涂覆。玻璃料通常指用于形成玻璃的处于粉末态的原材料，但是可以包括通过向诸如SiO2的主材料添加激光或红外吸收剂、有机粘合剂或者用于减小热膨胀系数的填料而获得的处于糊态的材料。随着有机粘合剂和潮气在干燥或烧结过程中被去除，处于糊态的玻璃料可以固化。激光或红外吸收剂可以包括过渡金属化合物。可以使用激光束作为用于固化密封材料并将TFT阵列基底100附着到密封基底的热源。还可以在密封材料的下面设置用于在使用激光束进行固化过程中帮助吸收激光束的光吸收层(未示出)。光吸收层可以由具有高传热系数的传导材料形成。
垫区域PA是指其中安装有用于驱动设置在显示区域DA中的像素的各种构件和其他模块的区域。
如图4所示，OLED设置在TFT阵列基底100上并在有机发光显示装置1000的显示区域DA中。OLED包括像素电极、包含有机发射层的中间层193和对电极195。此外，有机发光显示装置1000还可以包括像素限定膜180和间隔物200。
根据示例性实施例的有机发光显示装置1000可以通过使用根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法制造。即，根据本示例性实施例的有机发光显示装置1000的像素电极170和像素限定膜180可以通过使用一个掩模形成。
因为在本示例性实施例中通过仅使用一个掩模形成像素电极170和像素限定膜180，而所述像素电极170和像素限定膜180在传统的方法中通过使用不同的掩模单独地形成，所以可以提高在大显示装置中的竞争力。
如图4所示，像素电极170可以电连接到源电极S或漏电极D。本示例性实施例不限于此，可以设置接触金属(未示出)，源电极S或漏电极D可以接触该接触金属，像素电极170可以电连接到该接触金属。
对电极195可以是透明电极或反射电极。当对电极195是透明电极时，对电极195可以包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。当对电极195是反射电极时，对电极195可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其混合物形成的反射膜和由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透明膜。
像素限定膜180可以限定像素区域和非像素区域。像素限定膜180可以包括像素电极170通过其暴露的开口180a，可以形成为完全地覆盖TFT阵列基底100。中间层193可以形成在开口180a中，开口180a可以基本上是像素区域。
像素电极170、中间层193和对电极195组成OLED。从OLED的像素电极170和对电极195注入的空穴和电子在中间层193的有机发射层中彼此结合以产生光。
中间层193可以包括有机发射层。可选择地，中间层193可以包括有机发射层，还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。本示例性实施例不限于此，中间层193可以包括有机发射层，还可以包括其他各种功能层。
对电极195形成在中间层193上。对电极195和像素电极170可以形成电场，并且可以帮助光从中间层193发射。像素电极170可以对于每个像素被图案化，对电极195可以形成为使得共电压施加到所有像素。
虽然像素电极170可以用作阳极，对电极195可以用作阴极，但本示例性实施例不限于此。例如，像素电极170可以用作阴极，对电极195可以用作阳极。
虽然在图4中仅示出一个OLED，但是显示面板可以包括多个OLED。对于OLED中的每个，可以形成一个像素，每个像素可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
然而，本示例性实施例不限于此。中间层193可以公共地形成在像素电极170上，而与像素的位置的无关。在这种情况下，有机发射层可以通过竖直地堆叠或组合包括发射例如红光、绿光和蓝光的发光材料的层来形成。可以做出其他的组合，只要它们可以发射白光即可。此外，还可以设置用于将发射的白光转换成预设颜色的光的颜色转换层或滤色器。
保护层(未示出)可以设置在对电极195上，可以覆盖和保护OLED。保护层可以是无机绝缘膜和/或有机绝缘膜。
间隔物200可以设置在显示区域DA中的像素区域之间。间隔物200可以保持TFT阵列基底100与密封基底之间的间隔，可以防止显示特性由于外部冲击而劣化。
间隔物200可以设置在像素限定膜180上。间隔物200可以从像素限定膜180向密封基底突出。
在一些示例性实施例中，间隔物200可以由与像素限定膜180的材料相同的材料通过使用与像素限定膜180的工艺相同的工艺来形成。即，可以通过使用半色调掩模的曝光工艺，通过调整光的量来同时形成像素限定膜180和间隔物200。然而，本示例性实施例不限于此。像素限定膜180和间隔物200可以顺序地或分别地形成，因此可以是通过使用不同的材料形成的独立的结构。
如上所述，在根据示例性实施例的有机发光显示装置1000中，因为通过使用仅一个掩模形成像素电极170和像素限定膜180而不用执行不同的掩模工艺，所以可以减少时间和成本，从而提高在大显示装置中的竞争力。
根据一个或更多个示例性实施例，因为像素电极和像素限定膜通过使用仅一个掩模形成，所以可以减少时间和成本。
虽然已经具体地示出并参照其示例性实施例描述了发明构思，但是为了举例说明的目的提供所述示例性实施例，而且本领域的普通技术人员将理解的是，从发明构思可做出各种修改和等同的其他实施例。因此，发明构思的真正的技术范围由权利要求的技术精髓限定。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底；
半导体层，形成在所述基底上；
栅电极，形成在所述半导体层上；
层间绝缘膜，形成在所述基底的整个表面上以覆盖所述栅电极；
源电极和漏电极，形成在所述层间绝缘膜上；
像素电极，形成在所述源电极和所述漏电极中的至少一个的上方；以及
像素限定膜，形成在所述像素电极上，并限定像素区域和非像素区域，
所述像素电极和所述像素限定膜通过使用一个掩模形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述像素电极包括第一层和第二层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第一层形成在所述第二层下面，所述第一层包括钛或钛合金。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第一层形成在所述第二层下面，所述第二层包括导电氧化物。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第一层形成为具有等于或小于的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括形成在所述层间绝缘膜上的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括形成在所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器上的覆层。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述半导体层包括氧化物。
9.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底；
半导体层，形成在所述基底上；
栅电极，形成在所述半导体层上；
层间绝缘膜，形成在所述基底的整个表面上以覆盖所述栅电极；
源电极和漏电极，形成在所述层间绝缘膜上；
像素电极，形成在所述源电极和所述漏电极中的至少一个的上方，并包括第一层和第二层；以及
像素限定膜，形成在所述像素电极上，并限定像素区域和非像素区域，
所述像素电极和所述像素限定膜通过使用一个掩模形成，
所述第一层包括金属，以及
所述第二层包括导电氧化物。
10.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底；
半导体层，形成在所述基底上；
栅电极，形成在所述半导体层上；
层间绝缘膜，形成在所述基底的整个表面上以覆盖所述栅电极；
源电极和漏电极，形成在所述层间绝缘膜上；
像素电极，形成在所述源电极和所述漏电极中的一个上；以及
像素限定膜，形成在所述像素电极上，并限定像素区域和非像素区域，所述像素限定膜的在限定的像素区域的第一侧的一部分与所述像素电极叠置，所述像素限定膜的在限定的像素区域的第二侧的另一部分不与所述像素电极叠置；
所述像素电极和所述像素限定膜通过使用一个掩模形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018214802A1 (zh) * 2017-05-23 2018-11-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN111261791A (zh) * 2018-12-03 2020-06-09 乐金显示有限公司 显示装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102359349B1 (ko) * 2015-02-03 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101808715B1 (ko) * 2015-09-23 2017-12-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102510394B1 (ko) * 2016-01-27 2023-03-16 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101857868B1 (ko) 2016-08-26 2018-06-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN106597770B (zh) * 2016-12-28 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102418513B1 (ko) * 2017-10-31 2022-07-06 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20210043792A (ko) * 2019-10-11 2021-04-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100045173A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Kwon Do-Hyun Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
US20120049169A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Bong-Ju Kim Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20120104396A1 (en) * 2010-10-27 2012-05-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same
US20140028181A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN103904102A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 三星显示有限公司 有机发光二极管（oled）显示器
CN104425549A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 有机电致发光设备及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4251874B2 (ja) 2003-01-21 2009-04-08 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100490322B1 (ko) * 2003-04-07 2005-05-17 삼성전자주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2006073642A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100864882B1 (ko) * 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US20110085325A1 (en) 2008-06-26 2011-04-14 Daniel David Lecloux Organic light-emitting diode luminaires
JP5772591B2 (ja) * 2009-03-18 2015-09-02 日本電気株式会社 音声信号処理装置
KR101780815B1 (ko) * 2010-10-29 2017-09-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101833235B1 (ko) 2011-07-14 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102049601B1 (ko) 2012-12-24 2019-11-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102342073B1 (ko) * 2014-11-28 2021-12-22 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100045173A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Kwon Do-Hyun Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus
US20120049169A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Bong-Ju Kim Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20120104396A1 (en) * 2010-10-27 2012-05-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same
US20140028181A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN103904102A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 三星显示有限公司 有机发光二极管（oled）显示器
CN104425549A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 有机电致发光设备及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018214802A1 (zh) * 2017-05-23 2018-11-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制备方法、显示装置及其制备方法
US10930518B2 (en) 2017-05-23 2021-02-23 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof
CN111261791A (zh) * 2018-12-03 2020-06-09 乐金显示有限公司 显示装置
CN111261791B (zh) * 2018-12-03 2022-12-27 乐金显示有限公司 显示装置

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Publication number Publication date
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