KR102510394B1 - 도전 패턴의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

도전 패턴의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

도전 패턴을 형성하는 방법 및 상기 도전 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 도전 패턴 형성 방법에 따르면, 기판 상에 도전 패턴을 형성하기 위한 도전 물질층 및 감광성 유기 물질층이 형성된다. 상기 도전 패턴의 에지에 대응하는 테두리(boundary)를 갖는 제1 마스크 영역, 제2 마스크 영역, 및 상기 제1 마스크 영역과 상기 제2 마스크 영역 사이에 배치되는 제3 마스크 영역을 갖는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 감광성 유기 물질층에 광이 조사된다. 상기 제1 마스크 영역에 대응하는 제1 영역 및 상기 제3 마스크 영역에 대응하는 제2 영역을 갖는 제1 패턴이 형성된다. 측면이 노출되는 상기 도전 패턴을 형성하도록 상기 제1 패턴을 하드 마스크로 이용하여 상기 도전 물질층이 식각된다. 상기 도전 패턴의 측면을 덮는 제2 패턴을 형성하도록 상기 제1 패턴이 리플로우된다.

Description

도전 패턴의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{Method for forming conductive pattern and method for manufacturing organic light emitting display including the conductive pattern}
본 발명은 도전 패턴의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크 수를 줄여 제조 비용을 절감할 수 있는 도전 패턴의 형성 방법 및 상기 도전 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극, 그리고 이들 사이에 개재된 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 제조될 수 있으며, 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도 등의 특성이 우수하기 때문에 개인용 휴대기기에서 텔레비전(TV)에 이르기까지 응용 범위가 확대되고 있다.
고해상도를 갖는 유기 발광 표시 장치를 낮은 제조 비용으로 제조하는 방법에 관한 요구가 증대되고 있다.
본 발명의 실시예들은 하나의 마스크를 이용하여 절연층에 의해 보호되는 도전 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명의 실시예들은 낮은 비용으로 고해상도를 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따라 도전 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법에 따르면, 기판 상에 도전 패턴을 형성하기 위한 도전 물질층 및 감광성 유기 물질층이 형성된다. 상기 도전 패턴의 에지에 대응하는 테두리(boundary)를 갖는 제1 마스크 영역, 제2 마스크 영역, 및 상기 제1 마스크 영역과 상기 제2 마스크 영역 사이에 배치되는 제3 마스크 영역을 갖는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 감광성 유기 물질층에 광이 조사된다. 상기 제1 마스크 영역에 대응하여 제1 두께를 갖는 제1 영역 및 상기 제3 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 얇은 두께를 갖는 제2 영역을 갖는 제1 패턴을 형성하도록 상기 감광성 유기 물질층이 제거된다. 상기 제1 패턴 아래에 배치되고 측면이 노출되는 상기 도전 패턴을 형성하도록 상기 제1 패턴을 하드 마스크로 이용하여 상기 도전 물질층이 식각된다. 상기 도전 패턴의 측면을 덮는 제2 패턴을 형성하도록 상기 제1 패턴이 리플로우된다.
상기 제3 마스크 영역은 상기 제1 마스크 영역의 상기 테두리를 따라 상기 제1 마스크 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상기 도전 물질층을 식각하는 동안, 상기 제1 패턴의 제2 영역의 하부 표면의 일부가 노출되도록 상기 도전 물질층이 식각될 수 있다.
상기 도전 패턴의 상기 에지는 상기 제1 패턴의 에지로부터 안쪽에 형성될 수 있다.
상기 감광성 유기 물질층을 제거하는 동안, 상기 제2 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 일 부분이 제거되고 상기 제3 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 다른 부분이 부분적으로 제거될 수 있다.
상기 제1 패턴을 리플로우하는 동안, 상기 제1 패턴의 일부가 상기 도전 패턴의 측면으로 흘러내려 상기 도전 패턴의 측면이 덮일 수 있다.
상기 도전 패턴은 상면이 상기 제2 패턴에 의해 덮이지 않는 노출 영역을 가질 수 있다. 상기 하프톤 마스크는 상기 제1 마스크 영역의 안쪽에 상기 도전 패턴의 상기 노출 영역에 대응하는 제4 마스크 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 패턴은 상기 제1 영역의 안쪽에 상기 제4 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 얇은 두께를 갖는 제3 영역을 더 가질 수 있다.
상기 제3 영역의 평균 두께는 상기 제2 영역의 평균 두께보다 얇을 수 있다.
상기 도전 물질층을 식각한 후에, 상기 도전 패턴의 상기 노출 영역의 상면이 노출되도록 상기 제1 패턴이 애싱(ashing)될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따라 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법에 따르면, 기판 상에 박막 트랜지스터이 형성된다. 상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터를 덮는 비아 절연막이 형성된다. 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되고 유기 발광층이 상부에 형성될 발광 영역을 갖는 화소 전극을 형성하기 위한 도전 물질층 및 감광성 유기 물질층이 상기 비아 절연막 상에 형성된다. 상기 화소 전극의 상기 발광 영역에 대응하는 제1 마스크 영역, 상기 제1 마스크 영역을 둘러싸고 상기 화소 전극의 에지에 대응하는 바깥 테두리(outer boundary)를 갖는 제2 마스크 영역, 제3 마스크 영역, 및 상기 제2 마스크 영역과 상기 제3 마스크 영역 사이에 배치되는 제4 마스크 영역을 갖는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 감광성 유기 물질층에 광이 조사된다. 상기 제1 마스크 영역에 대응하는 제1 영역, 상기 제2 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 영역보다 두꺼운 제1 두께를 갖는 제2 영역, 및 상기 제4 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 얇은 두께를 갖는 제3 영역을 갖는 제1 패턴을 형성하도록 상기 감광성 유기 물질층이 제거된다. 상기 제1 패턴 아래에 배치되고 측면이 노출되는 상기 화소 전극을 형성하도록 상기 제1 패턴을 하드 마스크로 이용하여 상기 도전 물질층이 식각된다. 상기 제1 패턴의 일부를 제거하여, 상기 화소 전극의 상기 발광 영역의 상면을 노출하는 제2 패턴이 형성된다. 상기 화소 전극의 상기 발광 영역을 노출하고 상기 화소 전극의 측면을 덮는 화소 정의막을 형성하도록 상기 제2 패턴이 리플로우된다.
상기 제4 마스크 영역은 상기 제2 마스크 영역의 상기 바깥 테두리를 따라 상기 제2 마스크 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상기 도전 물질층을 식각하는 동안, 상기 제1 패턴의 제3 영역의 하부 표면의 일부가 노출되도록 상기 도전 물질층이 식각될 수 있다.
상기 화소 전극의 상기 에지는 상기 제1 패턴의 에지로부터 안쪽에 형성될 수 있다.
상기 제1 영역의 평균 두께는 상기 제3 영역의 평균 두께보다 얇을 수 있다.
상기 감광성 유기 물질층을 제거하는 동안, 상기 제1 마스크 영역 및 상기 제4 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 영역이 부분적으로 제거되고, 상기 제3 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 영역이 제거될 수 있다.
상기 제2 패턴을 형성하는 동안, 상기 제1 영역이 제거되도록 상기 제1 패턴이 애싱(ashing)될 수 있다.
상기 제2 패턴을 리플로우하는 동안, 상기 제2 패턴의 일부가 상기 화소 전극의 측면으로 흘러내려 상기 도전 패턴의 측면이 덮일 수 있다.
상기 화소 전극의 상기 발광 영역 상에 상기 유기 발광층이 형성될 수 있다. 상기 유기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 대향 전극이 형성될 수 있다.
상기 대향 전극 상에 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함하는 박막 봉지층이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도전 패턴의 형성 방법에 따르면, 하나의 포토마스크를 이용하여 절연층에 의해 에지가 보호되는 도전 패턴이 형성될 수 있다. 따라서, 제조 비용이 감소되고 공정이 간이화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 공정에 사용되는 마스크 수가 감소되어 제조 비용이 감소되고 공정이 간이화될 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따라 도전 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 다른 실시예에 따라 도전 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 유기 발광 표시 장치를 제조하는데 사용되는 하프톤 마스크의 평면도 및 화소 전극 부분의 확대 단면도를 도시한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따라 도전 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
우선, 도 1d를 참조하면, 기판(11) 상에서 유기 절연막(13)에 의해 덮인 도전 패턴(12)을 포함하는 장치(10)가 도시된다.
장치(10)는 기판(11), 기판(11) 상의 도전 패턴(12) 및 도전 패턴(12)의 상면과 측면을 덮는 유기 절연막(13)을 포함한다. 장치(10)은 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
기판(11)은 베이스 기판(미 도시) 상의 박막 트랜지스터(미 도시)를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는 반도체 물질로 이루어지고 소스 및 드레인 영역들과 소스 및 드레인 영역들 사이의 채널 영역을 갖는 활성층, 및 활성층의 채널 영역과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 기판(11)은 활성층과 게이트 전극을 서로 절연하는 게이트 절연막을 포함할 수 있다. 기판(11)은 유기 발광 표시 장치의 일 구성요소일 수 있다.
도전 패턴(12)은 예컨대 투명 도전성 산화물 및/또는 금속을 포함하는 단일막 또는 다중막일 수 있다. 유기 절연막(13)은 절연성을 갖는 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 도전 패턴(12)은 유기 발광 표시 장치의 소스 및 드레인 전극들 또는 소스 및 드레인 전극들과 동일 층에 배치되는 배선일 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 기판(11) 내의 활성층의 소스 영역 및 드레인 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때, 기판(11)은 게이트 전극과 도전 패턴(12)을 서로 절연하는 층간 절연막을 포함할 수 있다. 유기 절연막(13)은 도전 패턴(12)을 후속 공정에 의해 형성될 수 있는 다른 도전 패턴과 절연시킬 수 있다.
다른 예에 따르면, 기판(11)은 활성층의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 또한, 기판(11)은 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 절연하는 층간 절연막을 포함할 수 있다. 또한, 기판(11)은 박막 트랜지스터를 덮는 절연막을 포함할 수 있다. 절연막은 평탄화된 상면을 가질 수 있으며, 유기 물질로 이루어진 단일막 또는 다중막을 포함할 수 있다. 이때, 도전 패턴(12)은 유기 발광 표시 장치의 화소 전극 또는 화소 전극과 동일 층에 배치되는 배선일 수 있다. 유기 절연막(13)은 도전 패턴(12)을 후속 공정에 의해 형성될 수 있는 도전 물질층과 절연시킬 수 있다.
기판(11) 상에 유기 절연막(13)에 의해 덮인 도전 패턴(12)을 형성하기 위해서는, 일반적으로 도전 패턴(12)을 패터닝하기 위한 제1 마스크와 도전 패턴(12)을 덮는 유기 절연막(13)을 패터닝하기 위한 제2 마스크가 필요하다. 다른 방법으로서 유기 절연막(13)을 먼저 형성한 후, 유기 절연막(13)을 하드 마스크로 이용하여 도전 패턴(12)을 형성할 수 있다. 이 경우, 유기 절연막(13)을 형성하기 위한 하나의 마스크만이 필요하지만, 도전 패턴(12)의 측면이 노출될 수 밖에 없다. 도전 패턴(12)의 측면을 덮기 위해 유기 절연막(13)을 리플로우 시킬 수도 있으나, 유기 절연 물질의 리플로우 시에 부피 수축이 일어나기 때문에 도전 패턴(12)의 측면이 완전히 덮이지 않고 일부가 외부에 노출되는 문제가 발생할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 하나의 마스크를 이용하여 기판(11) 상에 유기 절연막(13)에 의해 측면과 상면이 덮인 도전 패턴을 형성하는 방법이 제공된다.
도 1a를 참조하면, 기판(11) 상에 도전 물질층(12') 및 감광성 유기 물질층(13'')이 순차적으로 형성될 수 있다.
도전 물질층(12')은 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 도전 물질층(12')은 예컨대 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 니오브(Nd), 이리듐(Ir), 및 크롬(Cr) 등을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
감광성 유기 물질층(13'')은 절연성을 갖는 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 감광성 유기 물질은 예컨대 열이나 적외선에 의해 리플로우될 수 있도록 솔벤트를 포함할 수 있다. 감광성 유기 물질은 예컨대 올레핀 계열의 유기 물질, 아크릴 계열의 유기 물질, 또는 이미드 계열의 유기 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 감광성 유기 물질은 폴리이미드(PI; polyimide)를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 감광성 유기 물질은 광에 노출된 부분이 제거되는 포지티브 감광성 물질일 수 있다. 다른 예에 따르면, 감광성 유기 물질은 광에 노출되면 경화되는 네거티브 감광성 물질일 수 있다.
하프톤 마스크(14)를 이용하여 감광성 유기 물질층(13'')에 광이 조사될 수 있다. 하프톤 마스크(14)는 제1 마스크 영역(Ma), 제2 마스크 영역(Mc), 및 제3 마스크 영역(Mb)을 포함한다. 제1 마스크 영역(Ma)은 도전 패턴(도 1d의 12)에 대응할 수 있다. 제2 마스크 영역(Mc)은 도전 물질층(12')이 제거될 영역, 예컨대, 기판(11)의 도전 패턴(12)이 상부에 배치되지 않는 영역에 대응할 수 있다. 제3 마스크 영역(Mb)은 제1 마스크 영역(Ma)과 제2 마스크 영역(Mc) 사이에 배치될 수 있다. 제3 마스크 영역(Mb)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율과 제2 마스크 영역(Mc)의 광 투과율 사이일 수 있다.
제3 마스크 영역(Mb)은 제1 마스크 영역(Ma)의 바깥 테두리를 따라 제1 마스크 영역(Ma)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 마스크 영역(Ma)의 바깥 테두리는 제1 마스크 영역(Ma)과 제3 마스크 영역(Mb)의 경계로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따라, 감광성 유기 물질층(13'')이 포지티브 감광성 물질을 포함하는 경우, 제1 마스크 영역(Ma)은 광을 차단하고, 제2 마스크 영역(Mc)은 광을 투과하고, 제3 마스크 영역(Mb)은 광의 일부를 투과할 수 있다. 이 때, 제3 마스크 영역(Mb)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율보다 높고 제2 마스크 영역(Mc)의 광 투과율보다 낮을 수 있다.
다른 실시예에 따라, 감광성 유기 물질층(13'')이 네거티브 감광성 물질을 포함하는 경우, 제1 마스크 영역(Ma)은 광을 투과하고, 제2 마스크 영역(Mc)은 광을 차단하고, 제3 마스크 영역(Mb)은 광의 일부를 투과할 수 있다. 이 때, 제3 마스크 영역(Mb)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율보다 낮고 제2 마스크 영역(Mc)의 광 투과율보다 높을 수 있다.
도 1b를 참조하면, 하프톤 마스크(14)를 통해 광이 조사된 감광성 유기 물질층(13'')의 일부가 제거될 수 있다. 감광성 유기 물질층(13'')에 대하여 현상(developing) 공정이 수행될 수 있다. 감광성 유기 물질층(13'') 중 제3 마스크 영역(Mb)에 대응하는 부분은 부분적으로 제거되고, 감광성 유기 물질층(13'') 중 제2 마스크 영역(Mb)에 대응하는 부분은 실질적으로 완전히 제거될 수 있다.
감광성 유기 물질층(13'')의 일부가 제거됨에 따라, 제1 영역(13a') 및 제2 영역(13b')을 포함하는 제1 패턴(13')이 형성될 수 있다.
제1 영역(13a')은 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하며, 제2 영역(13b')은 제3 마스크 영역(Mb)에 대응한다. 감광성 유기 물질층(13'') 중 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하는 부분은 실질적으로 제거되지 않고, 감광성 유기 물질층(13'') 중 제3 마스크 영역(Mb)에 대응하는 부분은 부분적으로 제거되므로, 제1 영역(13a')은 제2 영역(13b')에 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
도 1c를 참조하면, 제1 패턴(13')을 하드 마스크로 이용하여 도전 물질층(12')을 습식 식각하여, 도전 패턴(12)이 형성될 수 있다. 도전 패턴(12)은 제1 패턴(13') 아래에 배치되고, 측면이 노출될 수 있다.
도전 물질층(12')은 제1 패턴(13')을 하드 마스크로 이용하여 과도 식각될 수 있다. 따라서, 제1 패턴(13')의 제2 영역(13b')의 일부의 하부 면이 노출될 수 있다. 하부 면이 노출되는 제2 영역(13b')의 일부는 보이드(void) 상에 위치하게 된다. 예를 들면, 도전 패턴(12)의 에지가 제1 패턴(13')의 에지로부터 거리(d)만큼 안쪽으로 들어갈 수 있다. 거리(d)는 약 0.7㎛이상일 수 있다. 거리(d)는 약 2㎛이하일 수 있다.
도 1d를 참조하면, 제1 패턴(13')을 리플로우시켜 도전 패턴(12)의 상면 및 측면을 덮는 유기 절연막(13)이 형성될 수 있다. 유기 절연막(13)은 제2 패턴으로 지칭될 수 있다.
제1 패턴(13')은 예컨대 열 또는 적외선에 의해 열적 리플로우(thermal reflow)될 수 있다. 리플로우 공정을 위하여, 제1 패턴(13')을 포함하는 기판(11)은 핫 플레이트 상에 배치될 수 있다. 핫 플레이트는 아래에서 위쪽으로, 즉, 기판(110)으로부터 열을 상부에 전달하기 때문에, 제1 패턴(13')의 제2 영역(13b')의 일부가 도전 패턴(12)의 측면을 따라 아래로 흘러내리게 할 수 있다. 다른 예에 따르면, 리플로우 공정을 위하여, 제1 패턴(13')을 포함하는 기판(11)은 오븐에서 가열되거나, 적외선이 조사될 수 있다.
도전 패턴(12)의 측면이 노출되는 경우 후속 공정에 의해 형성되는 다른 도전 패턴과 단락될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 패턴(13')을 리플로우시켜 도전 패턴(12)의 측면를 덮는 유기 절연막(13)이 형성될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 방법에 따르면, 도전 패턴(12)과 도전 패턴(12)의 상면 및 측면을 덮는 유기 절연막(13)을 하나의 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 따라서, 제조 비용은 감소될 수 있으며, 공정이 간소화되어, 공정 시간이 감소될 수 있다.
제1 패턴(13')은 솔벤트를 포함하는 감광성 유기 물질을 포함하는 감광성 유기 물질층(13'')으로부터 형성된다. 제1 패턴(13')을 리플로우 시키기 위해 열을 가하게 되면, 감광성 유기 물질 내의 솔벤트가 제거되면서, 부피 수축이 발생한다. 특히 두꺼운 두께를 갖는 제1 패턴(13')의 제1 영역(13a')은 부피 수축 시에 강한 수축 힘이 작용한다. 만약 제1 패턴(13')이 두꺼운 부분만으로 형성될 경우, 강한 수축 힘에 의해 안쪽으로 이동하게 될 뿐만 아니라, 리플로우된 제1 패턴(13')의 표면 장력에 의해 도전 패턴(12)의 측면을 덮지 못할 수도 있다. 리플로우에 의해 두꺼운 부분만 존재하는 제1 패턴(13')이 용융되어 버릴 경우, 용융된 제1 패턴(13')이 무너지면서 도전 패턴(12)의 측면에 보이드가 발생할 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 도 5b에 도시된 바와 같이 제1 패턴(13')은 두꺼운 두께를 갖는 제1 영역(13a')뿐만 아니라 바깥 쪽에 위치하는 두께가 얇은 제2 영역(13b')을 갖는다. 제1 패턴(13')의 제2 영역(13b')은 얇은 두께로 인하여 제1 영역(13a')에 비해 약한 수축 힘이 작용한다. 게다가 제2 영역(13b')은 두께가 얇기 때문에 리플로우에 의해 제1 영역(13a')에 비해 먼저 가라 앉게 된다. 제2 영역(13b')의 일부의 아래는 비어있으므로, 리플로우 공정이 시작되면 제2 영역(13b')의 일부는 먼저 용융되어 도전 패턴(12)의 측면을 따라 흘러내리거나 중력에 의해 도전 패턴(12)의 측면을 덮도록 가라 앉을 수 있다. 그 결과, 두께가 얇은 제2 절연 패턴(140')의 제2 영역(13b')으로 인하여 도전 패턴(12)의 측면은 유기 절연막(13)에 의해 완전히 덮을 수 있다. 따라서, 후속 공정에 의해 형성되는 다른 도전 패턴이 도전 패턴(12)의 측면과 단락되는 문제가 발생하지 않을 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 다른 실시예에 따라 도전 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
우선, 도 2e를 참조하면, 기판(21) 상에서 유기 절연막(23)에 의해 가장자리 영역이 덮인 도전 패턴(22)을 포함하는 장치(20)가 도시된다.
장치(20)는 기판(21), 기판(21) 상에 배치되고 유기 절연막(23)에 의해 덮이지 않고 노출되는 중앙 영역(22a) 및 중앙 영역(22a) 둘레의 가장자리 영역(22b)을 갖는 도전 패턴(22), 및 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 노출하고 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮는 유기 절연막(23)을 포함한다. 유기 절연막(23)은 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 향하는 경사 방향을 갖는 제1 경사부(23a)와 제1 경사부(23a)와 다른 경사 방향을 갖는 제2 경사부(23b)를 포함한다. 화소 전극(23)의 단부(23c)는 기판(21)과 제2 경사부(23b)의 위치된다. 장치(20)은 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
기판(21)은 베이스 기판(미 도시) 상의 박막 트랜지스터(미 도시)를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는 반도체 물질로 이루어지고 소스 및 드레인 영역들과 소스 및 드레인 영역들 사이의 채널 영역을 갖는 활성층, 및 활성층의 채널 영역과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 기판(21)은 활성층과 게이트 전극을 서로 절연하는 게이트 절연막을 포함할 수 있다. 기판(21)은 활성층의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 기판(21)은 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 절연하는 층간 절연막을 포함할 수 있다. 기판(21)은 박막 트랜지스터를 덮는 비아 절연막을 포함할 수 있다. 비아 절연막은 평탄화된 상면을 가질 수 있으며, 유기 물질로 이루어진 단일막 또는 다중막을 포함할 수 있다. 기판(21)은 플렉서블 특성을 가질 수 있으며, 잘 휘어지고 구부러지며 접히거나 말릴 수도 있다. 기판(21)은 유기 발광 표시 장치의 일 구성요소일 수 있다.
도전 패턴(22)은 예컨대 투명 도전성 산화물 및/또는 금속을 포함하는 단일막 또는 다중막일 수 있다. 도전 패턴(22)은 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 도전 패턴(22)은 예컨대 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 니오브(Nd), 이리듐(Ir), 및 크롬(Cr) 등을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
도전 패턴(22)은 유기 절연막(23)에 의해 덮이지 않고 노출되는 중앙 영역(22a) 및 중앙 영역(22a) 둘레에 위치하고 유기 절연막(23)에 의해 덮이는 가장자리 영역(22b)으로 구분될 수 있다.
유기 절연막(23)은 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 노출하고 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮을 수 있다. 유기 절연막(23)은 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 향하는 경사 방향을 갖는 제1 경사부(23a)와 제1 경사부(23a)와 다른 경사 방향을 갖는 제2 경사부(23b)를 포함한다. 제1 경사부(23a)는 도전 패턴(22) 상의 일 영역(P1)으로부터 도전 패턴(22)의 단부(22c)를 향하여 점점 두께가 증가하면서 연장된다. 도전 패턴(22) 상의 일 영역(P1)은 중앙 영역(22a)과 가장자리 영역(22b)의 경계로 정의될 수 있다. 제2 경사부(23b)는 제1 경사부(23a)로부터 기판(21) 상면의 일 영역(P2)까지 제1 경사부(23a)와 다른 경사 방향으로 점점 두께가 감소하면서 연장된다. 제1 경사부(23a)와 제2 경사부(23b)의 경계는 수직 단면에서 가장 높이가 높은 영역으로 정의될 수 있다. 즉, 제1 경사부(23a)와 제2 경사부(23b)의 경계는 기판(110)의 상부 표면과 평행한 상부 표면을 갖는 영역으로 정의될 수 있다.
제1 경사부(23a)의 상부 표면은 도전 패턴(22) 상의 일 영역(P1)으로부터 기판(21)으로부터 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 제1 경사부(23a)는 영역(P1)으로부터 제2 경사부(23b)와의 경계까지 높이가 증가하는 단면 형상을 가질 수 있다. 제2 경사부(23b)의 상부 표면은 제1 경사부(23a)로부터 기판(21)의 일 영역(P2)까지 기판(21)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 제2 경사부(23b)는 제1 경사부(23a)와의 경계로부터 기판(21)의 일 영역(P2)까지 높이가 감소하는 단면 형상을 가질 수 있다.
유기 절연막(23)은 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)의 상면을 노출하고, 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b)을 덮도록 배치될 수 있다. 유기 절연막(23)은 절연성을 갖는 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
유기 절연막(23)의 하부면 중 일부는 도전 패턴(22)의 상면과 직접 접하고, 나머지 일부는 기판(21)의 상면과 직접 접할 수 있다. 유기 절연막(23)의 하부면 중에서 도전 패턴(22)의 상면과 직접 접하는 일부 영역의 면적은 기판(21)의 상면과 직접 접하는 나머지 일부 영역의 면적에 비해 클 수 있다.
도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b)은 유기 절연막(23)의 제1 경사부(23a)와 기판(21) 사이에 개재될 뿐만 아니라 유기 절연막(23)의 제2 경사부(23b)의 적어도 일부와 기판(21) 사이에 개재될 수 있다. 즉, 도전 패턴(22)의 단부(22c)는 기판(21)과 제2 경사부(23b) 사이에 위치할 수 있다. 도전 패턴(22) 상의 일 영역(P1)으로부터 도전 패턴(22)의 단부(22c)까지의 거리(d1)는 도전 패턴(22)의 단부(22c)로부터 기판(21) 상의 일 영역(P2)까지의 거리(d2)보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 도전 패턴(22)의 상면과 제1 경사부(23a)의 상면 사이의 제1 각도(θ1)는 기판(21)의 상면과 제2 경사부(23b)의 상면 사이의 제2 각도(θ2)보다 클 수 있다. 예컨대, 제1 각도(θ1)는 약 55도 미만이고, 제2 각도(θ2)는 약 35도 미만일 수 있다. 제1 각도(θ1)와 제2 각도(θ2)의 차이는 약 5도 이상일 수 있다.
도전 패턴(22)의 상면에 대한 제1 경사부(23a)의 상부 표면의 기울기는 위치에 따라 달라질 수 있다. 또한, 도전 패턴(22)의 상면에 대한 제2 경사부(23b)의 상부 표면의 기울기도 역시 위치에 따라 달라질 수 있다. 제1 각도(θ1)는 도전 패턴(22) 상의 일 영역(P1)에서의 제1 경사부(23a)의 상부 표면의 기울기를 의미하고, 제2 각도(θ2)는 기판(21) 상의 일 영역(P2)에서의 제2 경사부(23b)의 상부 표면의 기울기를 의미한다.
도전 패턴(22)은 유기 발광 표시 장치의 화소 전극 또는 화소 전극과 동일 층에 배치되는 배선일 수 있다. 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a) 상에는 유기 발광층(미 도시)이 배치될 수 있다. 유기 절연막(23)은 도전 패턴(22)의 측면을 후속 공정에 의해 형성될 수 있는 도전 물질층과 절연시킬 수 있다.
기판(21), 기판(21) 상에 배치되고 유기 절연막(23)에 의해 덮이지 않고 노출되는 중앙 영역(22a) 및 중앙 영역(22a) 둘레의 가장자리 영역(22b)을 갖는 도전 패턴(22), 및 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 노출하고 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮는 유기 절연막(23)을 포함하는 장치(20)를 형성하기 위해서는, 일반적으로 기판(21) 상의 도전 패턴(22)을 패터닝하기 위한 제1 마스크와 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮는 유기 절연막(23)을 패터닝하기 위한 제2 마스크가 필요하다. 다른 방법으로서 하나의 하프톤 마스크를 이용하여 유기 절연 패턴을 형성하고 유기 절연 패턴을 하드 마스크로 이용하여 도전 패턴(22)을 패터닝하고, 중앙 영역(22a)을 노출시키기 위해 유기 절연 패턴의 일부를 제거함으로써, 도전 패턴(22) 및 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 노출하고 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b)을 덮는 유기 절연막(23)을 포함하는 구조가 형성될 수 있다. 이 경우, 하나의 하프톤 마스크만이 필요하지만, 도전 패턴(22)의 측면이 노출될 수 밖에 없다. 도전 패턴(22)의 측면을 덮기 위해 유기 절연막(23)을 리플로우 시킬 수도 있으나, 유기 절연 물질의 리플로우 시에 부피 수축이 일어나기 때문에 도전 패턴(22)의 측면이 완전히 덮이지 않고 일부가 외부에 노출되는 문제가 발생할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 하나의 하프톤 마스크를 이용하여, 기판(21) 상의 도전 패턴(22), 및 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 노출하고 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮는 유기 절연막(23)을 형성하는 방법이 제공된다.
도 2a를 참조하면, 기판(21) 상에 도전 물질층(22') 및 감광성 유기 물질층(23''')이 순차적으로 형성될 수 있다.
도전 물질층(22')은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 도전 물질층(22')은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 니오브(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 등의 금속을 더 포함할 수 있다. 도전 물질층(22')은 단일막 또는 이중막 이상의 다중막으로 구성될 수 있다.
감광성 유기 물질층(23''')은 절연성을 갖는 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 감광성 유기 물질은 예컨대 열이나 적외선에 의해 리플로우될 수 있도록 솔벤트를 포함할 수 있다. 감광성 유기 물질은 예컨대 올레핀 계열의 유기 물질, 아크릴 계열의 유기 물질, 또는 이미드 계열의 유기 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 감광성 유기 물질은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 감광성 유기 물질은 광에 노출된 부분이 제거되는 포지티브 감광성 물질일 수 있다. 다른 예에 따르면, 감광성 유기 물질은 광에 노출되면 경화되는 네거티브 감광성 물질일 수 있다.
하프톤 마스크(24)를 이용하여 감광성 유기 물질층(23''')에 광이 조사될 수 있다. 하프톤 마스크(24)는 제1 마스크 영역(Ma), 제2 마스크 영역(Mb), 제3 마스크 영역(Md) 및 제4 마스크 영역(Mc)을 포함한다. 제1 마스크 영역(Ma)은 도전 패턴(도 2e의 22)의 중앙 영역(22a)에 대응할 수 있다. 제2 마스크 영역(Mb)은 제1 마스크 영역(Ma)을 둘러싸고 도전 패턴(22)의 에지에 대응하는 바깥 테두리(outer boundary)를 가질 수 있다. 제3 마스크 영역(Md)은 도전 물질층(22')이 제거될 영역, 예컨대, 기판(21)의 도전 패턴(22)이 상부에 배치되지 않는 영역에 대응할 수 있다. 제4 마스크 영역(Mc)은 제2 마스크 영역(Mb)과 제3 마스크 영역(Md) 사이에 배치될 수 있다.
제4 마스크 영역(Mc)은 제2 마스크 영역(Mb)의 바깥 테두리를 따라 제2 마스크 영역(Mb)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 마스크 영역(Mb)의 바깥 테두리는 제2 마스크 영역(Mb)과 제4 마스크 영역(Mc)의 경계로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따라, 감광성 유기 물질층(23''')이 포지티브 감광성 물질을 포함하는 경우, 제1 마스크 영역(Ma)은 광의 일부를 투과하고, 제2 마스크 영역(Mb)은 광을 차단하고, 제3 마스크 영역(Md)은 광을 투과하고, 제4 마스크 영역(Mc)은 광의 일부를 투과할 수 있다. 이 때, 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율은 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율보다 높을 수 있다.
다른 실시예에 따라, 감광성 유기 물질층(23''')이 네거티브 감광성 물질을 포함하는 경우, 제1 마스크 영역(Ma)은 광의 일부를 투과하고, 제2 마스크 영역(Mb)은 광을 투과하고, 제3 마스크 영역(Md)은 광을 차단하고, 제4 마스크 영역(Mc)은 광의 일부를 투과할 수 있다. 이 때, 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율보다 높을 수 있다.
도 2b를 참조하면, 하프톤 마스크(24)를 통해 광이 조사된 감광성 유기 물질층(23''')의 일부가 제거될 수 있다. 감광성 유기 물질층(23''')에 대하여 현상(developing) 공정이 수행될 수 있다. 감광성 유기 물질층(23''') 중 제1 마스크 영역(Ma)과 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분들은 부분적으로 제거되고, 감광성 유기 물질층(23''') 중 제3 마스크 영역(Md)에 대응하는 부분은 실질적으로 완전히 제거될 수 있다.
감광성 유기 물질층(23''')의 일부가 제거됨에 따라, 제1 영역(23a''), 제2 영역(23b'') 및 제3 영역(23c'')을 포함하는 제1 패턴(23'')이 형성될 수 있다.
제1 영역(23a'')은 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하며, 제1 두께(ha)를 갖는다. 제2 영역(23b'')은 제2 마스크 영역(Mb)에 대응하며, 제2 두께(hb)를 갖는다. 제3 영역(23c'')은 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하며, 제3 두께(hc)를 갖는다. 감광성 유기 물질층(23''') 중 제1 마스크 영역(Ma)와 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분들은 부분적으로 제거되지만, 감광성 유기 물질층(23''') 중 제2 마스크 영역(Mb)에 대응하는 부분은 실질적으로 제거되지 않으므로, 제2 영역(23b'')의 제2 두께(hb)는 제1 두께(ha)와 제3 두께(hc)에 비해 두껍다.
감광성 유기 물질층(23''')이 포지티브 감광성 물질을 포함할 경우, 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율은 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 또한, 감광성 유기 물질층(23''')이 네거티브 감광성 물질을 포함할 경우, 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 따라서, 감광성 유기 물질층(23''') 중 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하는 부분이 감광성 유기 물질층(23''') 중 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분에 비해 더욱 많이 제거될 수 있다. 그 결과, 감광성 유기 물질층(23''') 중 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분은 감광성 유기 물질층(23''') 중 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하는 부분에 비해 더욱 많이 잔존하며, 제3 영역(23c'')의 제3 두께(hc)는 제1 영역(23a'')의 제1 두께(ha)보다 두꺼울 수 있다. 즉, 제1 영역(23a'')의 평균 두께는 제3 영역(23c'')의 평균 두께보다 얇을 수 있다.
도 2c를 참조하면, 제1 패턴(23'')을 하드 마스크로 이용하여 도전 물질층(22')을 습식 식각하여, 도전 패턴(22)이 형성될 수 있다. 도전 패턴(22)은 제1 패턴(23'') 아래에 배치되고, 측면이 노출될 수 있다.
도전 물질층(22')은 제1 패턴(23'')을 하드 마스크로 이용하여 과도 식각될 수 있다. 따라서, 제1 패턴(23'')의 제3 영역(23c'')의 일부의 하부 면이 노출될 수 있다. 하부 면이 노출되는 제3 영역(23c'')의 일부는 보이드(void) 상에 위치하게 된다. 예를 들면, 도전 패턴(22)의 에지가 제1 패턴(23'')의 에지로부터 거리(d)만큼 안쪽으로 들어갈 수 있다. 거리(d)는 약 0.7㎛이상일 수 있다. 거리(d)는 약 2㎛이하일 수 있다.
도 2d를 참조하면, 도전 패턴(22)의 중앙 영역(도 2e의 22a)이 노출되도록 제1 패턴(23'')의 일부가 제거될 수 있다. 예를 들면, 제1 패턴(23'')에 대하여 애싱(ashing) 공정이 수행되어, 제1 패턴(23'')의 두께가 얇아질 수 있다. 예컨대, 애싱 공정에 의해, 제1 패턴(23'')의 제1 영역(23a'')은 완전히 제거되어, 제1 영역(23a'')에 의해 덮여 있던 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)의 상면이 노출될 수 있다. 제1 패턴(23'')의 제1 영역(23a'')이 제거될 때, 제1 패턴(23'')의 제2 영역(23b'') 및 제3 영역(23c'')도 역시 제거되지만, 제2 영역(23b'') 및 제3 영역(23c'')은 제1 영역(23a'')보다 두꺼우므로, 제2 영역(23b'') 및 제3 영역(23c'')은 완전히 제거되지 않는다.
그 결과, 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)의 상면을 노출하는 제2 패턴(23')이 형성된다. 제2 패턴(23')의 제1 부분(23b')은 제1 패턴(23'')의 제2 영역(23b'')이 예컨대 애싱 공정에 의해 부분적으로 제거되고 남은 부분에 대응할 수 있다. 제2 패턴(23')의 제2 부분(23c')은 제1 패턴(23'')의 제3 영역(23c'')이 예컨대 애싱 공정에 의해 부분적으로 제거되고 남은 부분에 대응할 수 있다. 제2 패턴(23')은 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(도 2e의 22b)을 덮으며, 도전 패턴(22)의 측면을 여전히 노출할 수 있다.
도 2e를 참조하면, 제2 패턴(23')을 리플로우시켜 도전 패턴(22)의 측면 또는 단부(22c)를 덮는 유기 절연막(23)이 형성될 수 있다. 유기 절연막(23)은 도전 패턴(22)의 중앙 영역(22a)을 노출하고 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮을 수 있다.
제2 패턴(23')은 예컨대 열 또는 적외선에 의해 열적 리플로우(thermal reflow)될 수 있다. 리플로우 공정을 위하여, 제2 패턴(23')을 포함하는 기판(21)은 핫 플레이트 상에 배치될 수 있다. 핫 플레이트는 아래에서 위쪽으로, 즉, 기판(21)으로부터 열을 상부에 전달하기 때문에, 제2 패턴(23')의 제2 부분(23c')의 일부가 도전 패턴(22)의 측면을 따라 아래로 흘러내리게 할 수 있다. 다른 예에 따르면, 리플로우 공정을 위하여, 제2 패턴(23')을 포함하는 기판(21)은 오븐에서 가열되거나, 적외선이 조사될 수 있다.
도전 패턴(22)의 단부(22c)가 노출되는 경우 후속 공정에 의해 형성되는 도전 물질층과 단락될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제2 패턴(23')을 리플로우시켜 도전 패턴(22)의 측면 또는 단부(22c)를 덮는 유기 절연막(23)이 형성될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 방법에 따르면, 도전 패턴(22)과 도전 패턴(22)의 가장자리 영역(22b) 및 측면을 덮는 유기 절연막(23)을 하나의 하프톤 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 따라서, 제조 비용은 감소될 수 있으며, 공정이 간소화되어, 공정 시간이 감소될 수 있다.
제2 패턴(23')은 솔벤트를 포함하는 감광성 유기 물질을 포함하는 감광성 유기 물질층(23''')으로부터 형성된다. 제2 패턴(23')을 리플로우 시키기 위해 열을 가하게 되면, 감광성 유기 물질 내의 솔벤트가 제거되면서, 부피 수축이 발생한다. 제2 패턴(23')의 두꺼운 제1 부분(23b')은 부피 수축 시에 강한 수축 힘이 작용한다. 만약 제2 패턴(23')이 얇은 제2 부분(23c') 없이 두꺼운 제1 부분(23b')만으로 이루어진 경우, 강한 수축 힘에 의해 안쪽으로 이동하게 될 뿐만 아니라, 리플로우된 제2 패턴(23')의 표면 장력에 의해 도전 패턴(22)의 측면을 덮지 못할 수도 있다. 리플로우에 의해 두꺼운 제1 부분(23b')만 존재하는 제2 패턴(23')이 용융되어 버릴 경우, 용융된 제2 패턴(23')이 무너지면서 도전 패턴(22)의 측면에 보이드가 발생할 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 패턴(23')은 두꺼운 제1 부분(23b')뿐만 아니라 바깥 쪽에 위치하는 얇은 제2 부분(23c')을 갖는다. 제2 패턴(23')의 얇은 제2 부분(23c')은 두꺼운 제1 부분(23b')에 비해 약한 수축 힘이 작용한다. 게다가 제2 부분(23c')은 두께가 얇기 때문에 리플로우에 의해 두꺼운 제1 부분(23b')에 비해 먼저 가라 앉게 된다. 제2 패턴(23')의 얇은 제2 부분(23c')의 아래는 비어있으므로, 리플로우 공정이 시작되면 제2 패턴(23')의 얇은 제2 부분(23c')이 먼저 용융되어 제2 부분(23c')의 일부는 도전 패턴(22)의 측면을 따라 흘러내리거나 도전 패턴(22)의 측면을 따라 가라 앉을 수 있다. 그 결과, 본 실시예에 따르면, 제2 패턴(23')의 두께가 얇은 제2 부분(23c')으로 인하여 도전 패턴(22)의 측면을 완전히 덮을 수 있다. 따라서, 후속 공정에 의해 형성될 수 있는 도전 물질층이 도전 패턴(22)의 측면 또는 단부(22c)와 단락되는 문제가 발생하지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT)를 덮는 비아 절연막(119), 비아 절연막(119) 상에 배치되고 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되며 상부에 유기 발광층(132)이 배치되는 중앙 영역과 중앙 영역 둘레의 가장자리 영역을 갖는 화소 전극(131), 화소 전극(131)의 중앙 영역을 노출하고 화소 전극(131)의 가장자리 영역을 덮는 화소 정의막(140), 화소 전극(140)의 중앙 영역 상의 유기 발광층(132), 및 유기 발광층(132)과 화소 정의막 상의 대향 전극(133)을 포함한다. 화소 정의막(140)은 화소 전극(131)의 중앙 영역을 노출하는 개구(140h)를 가지며, 화소 전극(131)의 중앙 영역을 향하는 경사 방향을 갖는 제1 경사부(140a)와 제1 경사부(140a)와 다른 경사 방향을 갖는 제2 경사부(140b)를 포함한다. 화소 전극(131)의 단부(131a)는 비아 절연막(119)과 제2 경사부(140b)의 사이에 배치된다.
기판(110)은 유리, 금속 또는 플라스틱 등 다양한 소재로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(110)은 플렉서블 소재의 기판(110)을 포함할 수 있다. 여기서, 플렉서블 소재의 기판(110)이란 잘 휘어지고 구부러지며 접거나 말 수 있는 기판을 지칭한다. 이러한 플렉서블 소재의 기판(110)은 초박형 유리, 금속 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 플라스틱을 사용하는 경우 기판(110)은 폴리이미드(PI; polyimide)를 포함할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 기판(110) 상에는 복수의 화소들이 배열되며, 화소들 각각에는 화상을 구현하기 위한 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다.
기판(110) 상에는 불순 원소의 침투를 방지하고 기판(110)의 표면을 평탄화하는 역할을 하는 버퍼막(111)이 배치될 수 있다. 기판(110)과 버퍼막(111) 사이에 배리어층(미 도시)이 개재될 수 있다. 버퍼막(111)은 필요에 따라 생략될 수 있다.
버퍼막(111) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 유기 발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 회로부의 일부로써 기능할 수 있으며, 구동 회로부는 박막 트랜지스터(TFT) 외에 커패시터 및 배선 등을 더 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 버퍼막(111) 상에 배치된 활성층(121), 활성층(121)과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극(122), 활성층(121)의 소스 영역에 연결되는 소스 전극(123), 및 활성층(121)의 드레인 영역에 연결되는 드레인 전극(124)을 포함할 수 있다. 드레인 전극(124)은 도 3에 도시된 바와 같이 화소 전극(131)에 전기적으로 연결될 수 있다. 활성층(121)과 게이트 전극(122) 사이에는 게이트 절연막(113)이 개재되고, 게이트 전극(122)과 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 사이에는 층간 절연막(115)이 개재될 수 있다.
활성층(121)은 반도체 물질을 포함하며, 예를 들면, 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 실시예에 따르면 활성층(121)은 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(122)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 배선(미 도시)에 연결될 수 있으며, 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(122)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질로 이루어진 단일막 또는 다중막일 수 있다.
소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 전도성이 좋은 도전 물질로 이루어진 단일막 또는 다중막일 수 있다.
일 실시예에 따른 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(122)이 활성층(121)의 상부에 배치된 탑 게이트 타입(top gate type)이지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 실시예에 따르면 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(122)이 활성층(121)의 하부에 배치된 바텀 게이트 타입(bottom gate type)일 수 있다.
게이트 절연막(113) 및 층간 절연막(115)은 무기 물질로 구성된 단일막 또는 다중막일 수 있으며, 예를 들면, 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 및/또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
비아 절연막(119)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮으며, 박막 트랜지스터(TFT) 등에 의한 단차를 해소하기 위해 평탄화된 상면을 가질 수 있다. 비아 절연막(119)은 유기 물질로 이루어진 단일막 또는 다중막일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 실시예에 따르면 비아 절연막(119)은 무기 절연막, 또는 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체일 수 있다.
비아 절연막(119) 상에는 비아 절연막(119)에 형성된 비아홀(VIA)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된 화소 전극(131)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 화소 전극(131)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(124)에 전기적으로 연결되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
화소 전극(131)은 높은 일함수를 갖는 물질로 형성될 수 있다. 기판(110)의 방향으로 화상을 표시하는 배면 발광형일 경우, 화소 전극(131)은 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 대향 전극(133)의 방향으로 화상을 표시하는 전면 발광형일 경우, 화소 전극(131)은 앞에서 나열된 투명 도전성 산화물들뿐만 아니라 예컨대 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 니오브(Nd), 이리듐(Ir), 및 크롬(Cr) 등을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 금속 반사막을 더 포함할 수 있다.
화소 정의막(140)은 화소 전극(131)의 가장자리 영역을 덮으며 화소 전극(131)의 중앙 영역을 노출하는 개구(140h)를 가지며, 화소 전극(131)의 중앙 영역을 향하는 경사 방향을 갖는 제1 경사부(140a)와 제1 경사부(140a)와 다른 경사 방향을 갖는 제2 경사부(140b)를 포함한다. 제1 경사부(140a)는 화소 전극(131)의 상면과 개구(140h)가 접하는 영역(P1)으로부터 연장된다. 제2 경사부(140b)는 제1 경사부(140a)로부터 비아 절연막(119)의 상면의 일 영역(P2)까지 제1 경사부(140a)와 다른 경사 방향으로 연장된다. 제1 경사부(140a)와 제2 경사부(140b)의 경계는 수직 단면에서 가장 높이가 높은 영역으로 정의될 수 있다. 즉, 제1 경사부(140a)와 제2 경사부(140b)의 경계는 기판(110)의 상부 표면과 평행한 상부 표면을 갖는 영역으로 정의될 수 있다.
제1 경사부(140a)의 상부 표면은 화소 전극(131)의 상면과 상기 개구(140h)가 접하는 영역(P1)으로부터 기판(110)으로부터 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 제1 경사부(140a)는 영역(P1)으로부터 제2 경사부(140b)와의 경계까지 높이가 증가하는 단면 형상을 가질 수 있다. 제2 경사부(140b)의 상부 표면은 제1 경사부(140a)로부터 비아 절연막(119)의 일 영역(P2)까지 기판(110)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 제2 경사부(140b)는 제1 경사부(140a)와의 경계로부터 일 영역(P2)까지 높이가 감소하는 단면 형상을 가질 수 있다. 이때, 기판(110)으로부터 멀어지는 방향 및 기판(110)을 향하는 방향은 기판(110)의 상면에 대하여 수직한 방향만을 의미하지 않으며, 기판(110)의 상면에 대하여 소정 각도로 기울어진 방향을 포함하는 기판(110)의 상면에 대하여 대략적으로 수직한 방향을 의미한다.
화소 정의막(140)은 화소 전극(131)의 중앙 영역의 상면을 노출하고, 화소 전극(131)의 중앙 영역을 제외한 가장자리 영역을 덮도록 배치될 수 있다. 화소 정의막(140)은 감광성 유기 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 폴리이미드(PI; polyimide)를 포함할 수 있다.
화소 정의막(140)의 하부면 중 일부는 화소 전극(131)의 상면과 직접 접하고, 나머지 일부는 비아 절연막(119)의 상면과 직접 접할 수 있다. 화소 정의막(140)의 하부면 중에서 화소 전극(131)의 상면과 직접 접하는 일부 영역의 면적은 비아 절연막(119)의 상면과 직접 접하는 나머지 일부 영역의 면적에 비해 클 수 있다.
화소 전극(131)의 가장자리 영역은 화소 정의막(140)의 제1 경사부(140a)와 비아 절연막(119) 사이에 개재될 뿐만 아니라 화소 정의막(140)의 제2 경사부(140b)의 적어도 일부와 비아 절연막(119) 사이에 개재될 수 있다. 즉, 화소 전극(131)의 단부(131a)는 비아 절연막(119)과 제2 경사부(140b) 사이에 배치될 수 있다. 화소 전극(131) 상면의 일 영역(P1)으로부터 화소 정의막(140)에 의해 덮여 있는 화소 전극(131)의 단부(131a)까지의 거리(d1)는, 비아 절연막(119) 상면의 일 영역(P2)으로부터 화소 전극(131)의 단부(131a)까지의 거리(d2)보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 화소 전극(131)의 상면과 제1 경사부(140a)의 상면 사이의 제1 각도(θ1)는 비아 절연막(119)의 상면과 제2 경사부(140b)의 상면 사이의 제2 각도(θ2)보다 클 수 있다. 예컨대, 제1 각도(θ1)는 약 55도 미만이고, 제2 각도(θ2)는 약 35도 미만일 수 있다. 제1 각도(θ1)와 제2 각도(θ2)의 차이는 약 5도 이상일 수 있다.
화소 전극(131)의 상면에 대한 제1 경사부(140a)의 상부 표면의 기울기는 위치에 따라 달라질 수 있다. 또한, 화소 전극(131)의 상면에 대한 제2 경사부(140b)의 상부 표면의 기울기도 역시 위치에 따라 달라질 수 있다. 제1 각도(θ1)는 화소 전극(131) 상면의 일 영역(P1)에서의 제1 경사부(140a)의 상부 표면의 기울기를 의미하고, 제2 각도(θ2)는 비아 절연막(119) 상면의 일 영역(P2)에서의 제2 경사부(140b)의 상부 표면의 기울기를 의미한다.
화소 전극(131)의 중앙 영역 상에는 유기 발광층(132)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(132)이 상부에 배치되는 화소 전극(131)의 중앙 영역은 발광 영역으로 지칭될 수 있다. 화소 전극(131)의 중앙 영역 또는 발광 영역은 화소 전극(131)의 화소 정의막(140)에 의해 덮이지 않은 영역으로 정의될 수 있다.
유기 발광층(132)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 구성될 수 있으며, 화소 전극(131)과 대향 전극(133) 사이에는 유기 발광층(132) 이외에 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나가 더 개재될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 화소 전극(131)과 대향 전극(131) 사이에는 상술한 층들 외에 기타 다양한 기능층이 더 배치될 수 있다.
유기 발광층(132)은 유기 발광 소자(OLED)마다 배치될 수 있으며, 유기 발광 소자(OLED)에 포함된 유기 발광층(132)의 종류에 따라 유기 발광 소자(OLED)는 적색, 녹색, 또는 청색 중 하나의 색상의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 복수의 유기 발광층들(132)이 하나의 유기 발광 소자(OLED)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색, 및 청색 중 둘 이상의 색상의 광들을 각각 방출하는 유기 발광층들(132)이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성되어 백색광을 방출할 수 있다. 이 경우, 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나 컬러 필터가 더 포함될 수 있다. 적색, 녹색, 및 청색은 예시적인 것으로, 백색광을 방출하기 위한 색의 조합은 이에 한정되지 않는다.
유기 발광층(132) 상에는 대향 전극(133)이 배치되며, 대향 전극(133)은 다양한 도전성 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 대향 전극(133)은 리튬(Li), 칼슘(Ca), 불화리튬(LiF), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 은(Ag)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 배면 발광형의 경우, 대향 전극(133)은 반사 전극일 수 있으며, 전면 발광형의 경우 대향 전극(133)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 대향 전극(133) 상에는 유기 발광 소자(OLED)를 밀봉하기 위하여 적어도 하나의 유기막(151)과 적어도 하나의 무기막(152)을 포함하는 박막 봉지층(150)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(150)은 유기 발광 소자(OLED)가 외부의 공기나 이물질에 노출되지 않도록 유기 발광 소자(OLED)를 밀봉하는 역할을 수행하며, 얇은 두께를 가지므로 벤딩(bending) 또는 폴딩(folding) 등이 가능한 플렉서블 표시 장치의 봉지 수단으로 이용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 무기막(152)은 실리콘나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 실리콘 옥시나이트라이드 (SiOxNy) 등의 산화물, 질화물 또는 질산화물을 포함할 수 있다. 무기막(152)은 유기 발광 소자(OLED)에 수분이나 산소 등과 같은 이물이 침투하는 것을 차단 또는 감소시키는 역할을 한다. 무기막(152)은 기판(110)의 가장자리 영역에서 기판(110)의 상면과 직접 접할 수 있다. 무기막(152)의 가장자리 영역은 기판(110)의 상면과 접하며, 무기막(152)이 층간 절연막(115)으로부터 박리되는 것을 감소 또는 방지함으로써, 박막 봉지층(150)의 봉지 특성을 향상시킬 수 있다.
박막 봉지층(150)의 유기막(151)은 대향 전극(133)과 무기막(152) 사이에 배치될 수 있으며, 유기 발광 소자(OLED)에 수분 또는 산소 등의 이물이 침투하는 것을 차단 또는 감소시킬 수 있다. 유기막(151)은 무기막(152)과 함께 사용되어 봉지 특성을 향상할 수 있으며, 평탄하지 않은 면을 평탄화시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 유기막(151)은 에폭시 계열 수지, 아크릴 계열 수지 또는 폴리 이미드 계열 수지 등 다양한 유기물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 대향 전극(133)과 박막 봉지층(150) 사이에는 기능층(미 도시) 및 보호층(미 도시)이 더 배치될 수 있다. 기능층은 유기 발광 소자(OLED)로부터 방출된 가시 광선의 굴절률을 제어하여 광효율을 향상시키는 캐핑층(미 도시) 및/또는 LiF층(미 도시)을 포함할 수 있으며, 보호층(미 도시)은 알루미늄 산화물 등의 무기물을 포함할 수 있다.
도 4a 내지 도 4g는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다.
기판(110) 상에 버퍼막(111)이 형성될 수 있다. 버퍼막(111) 상에 반도체 물질층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 활성층(121)이 형성될 수 있다. 활성층(121) 상에 게이트 절연막(113)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(113) 상에 도전 물질층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 게이트 전극(122)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(122)은 활성층(121)과 적어도 일부가 평면 상에서 중첩될 수 있다.
게이트 전극(122)을 덮는 층간 절연막(115)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(115), 게이트 절연막(113)을 동시에 식각하여, 활성층(121)의 일부 영역들을 노출하는 콘택홀들(C1, C2)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 활성층(121)은 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있으며, 콘택홀(C1, C2)을 통해 노출된 영역은 활성층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있다.
층간 절연막(115) 상에 도전 물질층을 형성한 후 이를 패터닝하여 활성층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결되는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 덮는 제1 절연 물질층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(124)의 일부를 노출하는 비아홀(VIA)을 갖는 비아 절연막(119)이 형성될 수 있다. 비아 절연막(119)은 유기 물질로 이루어진 단일막 또는 다중막일 수 있다.
도 4c를 참조하면, 비아 절연막(119) 상에 도전 물질층(131') 및 제2 절연 물질층(140''')이 순차적으로 형성될 수 있다. 도전 물질층(131')은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 도전 물질층(131')은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 니오브(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 등의 금속 반사막을 더 포함할 수 있다.
제2 절연 물질층(140''')은 절연성을 갖는 감광성 유기 물질을 포함할 수 있으며, 감광성 유기 물질층으로 지칭될 수 있다. 일 예에 따르면, 감광성 유기 물질은 광에 노출된 부분이 제거되는 포지티브 감광성 물질일 수 있다. 다른 예에 따르면, 감광성 유기 물질은 광에 노출되면 경화되는 네거티브 감광성 물질일 수 있다. 감광성 유기 물질은 예컨대 열이나 적외선에 의해 리플로우될 수 있도록 솔벤트를 포함할 수 있다. 감광성 유기 물질은 예컨대 올레핀 계열의 유기 물질, 아크릴 계열의 유기 물질, 또는 이미드 계열의 유기 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 감광성 유기 물질은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
하프톤 마스크(M)를 이용하여 제2 절연 물질층(140''')에 광이 조사될 수 있다. 하프톤 마스크(M)는 제1 마스크 영역(Ma), 제2 마스크 영역(Mb), 제3 마스크 영역(Md) 및 제4 마스크 영역(Mc)을 포함한다. 제1 마스크 영역(Ma)은 화소 전극(도 3의 131)의 발광 영역에 대응할 수 있다. 제2 마스크 영역(Mb)은 제1 마스크 영역(Ma)을 둘러싸고 화소 전극(131)의 에지에 대응하는 바깥 테두리(outer boundary)를 가질 수 있다. 제3 마스크 영역(Md)은 도전 물질층(131')이 제거될 영역, 예컨대, 비아 절연막(도 3의 119)의 화소 전극(131)이 상부에 배치되지 않는 영역에 대응할 수 있다. 제4 마스크 영역(Mc)은 제2 마스크 영역(Mb)과 제3 마스크 영역(Md) 사이에 배치될 수 있다.
제4 마스크 영역(Mc)은 제2 마스크 영역(Mb)의 바깥 테두리를 따라 제2 마스크 영역(Mb)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 마스크 영역(Mb)의 바깥 테두리는 제2 마스크 영역(Mb)과 제4 마스크 영역(Mc)의 경계로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따라, 제2 절연 물질층(140''')이 포지티브 감광성 물질을 포함하는 경우, 제1 마스크 영역(Ma)은 광의 일부를 투과하고, 제2 마스크 영역(Mb)은 광을 차단하고, 제3 마스크 영역(Md)은 광을 투과하고, 제4 마스크 영역(Mc)은 광의 일부를 투과할 수 있다. 이 때, 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율은 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율보다 높을 수 있다.
다른 실시예에 따라, 제2 절연 물질층(140''')이 네거티브 감광성 물질을 포함하는 경우, 제1 마스크 영역(Ma)은 광의 일부를 투과하고, 제2 마스크 영역(Mb)은 광을 투과하고, 제3 마스크 영역(Md)은 광을 차단하고, 제4 마스크 영역(Mc)은 광의 일부를 투과할 수 있다. 이 때, 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율보다 높을 수 있다.
도 4d를 참조하면, 하프톤 마스크(M)를 통해 광이 조사된 제2 절연 물질층(140''')의 일부가 제거될 수 있다. 제2 절연 물질층(140''')에 대하여 현상(developing) 공정이 수행될 수 있다. 제2 절연 물질층(140''') 중 제1 마스크 영역(Ma)과 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분들은 부분적으로 제거되고, 제2 절연 물질층(140''') 중 제3 마스크 영역(Md)에 대응하는 부분은 실질적으로 완전히 제거될 수 있다.
제2 절연 물질층(140''')의 일부가 제거됨에 따라, 제1 영역(140a''), 제2 영역(140b'') 및 제3 영역(140c'')을 포함하는 제1 절연 패턴(140'')이 형성될 수 있다. 제1 절연 패턴(140'')은 제1 패턴으로 지칭될 수 있다.
제2 영역(140b'')은 제2 마스크 영역(Mb)에 대응하며, 제2 절연 물질층(140''') 중 제2 마스크 영역(Mb)에 대응하는 부분은 실질적으로 제거되지 않으므로 가장 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 제1 영역(140a'')은 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하며, 제2 절연 물질층(140''') 중 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하는 부분이 부분적으로 제거되어 제2 영역(140b'')의 두께보다 얇은 두께를 가질 수 있다. 제3 영역(140c'')은 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하며, 제2 절연 물질층(140''') 중 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분이 부분적으로 제거되어 제2 영역(140b'')의 두께보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
제2 절연 물질층(140''')이 포지티브 감광성 물질을 포함할 경우, 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율은 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 또한, 제2 절연 물질층(140''')이 네거티브 감광성 물질을 포함할 경우, 제4 마스크 영역(Mc)의 광 투과율은 제1 마스크 영역(Ma)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 따라서, 제2 절연 물질층(140''') 중 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하는 부분이 제2 절연 물질층(140''') 중 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분에 비해 더욱 많이 제거될 수 있다. 그 결과, 제2 절연 물질층(140''') 중 제4 마스크 영역(Mc)에 대응하는 부분은 제2 절연 물질층(140''') 중 제1 마스크 영역(Ma)에 대응하는 부분에 비해 더욱 많이 잔존하며, 제3 영역(140c'')의 두께는 제1 영역(140a'')의 두께보다 두꺼울 수 있다. 즉, 제1 영역(140a'')의 평균 두께는 제3 영역(140c'')의 평균 두께보다 얇을 수 있다.
제1 절연 패턴(140'')을 하드 마스크로 이용하여 도전 물질층(131')을 습식 식각하여, 화소 전극(131)이 형성될 수 있다. 화소 전극(131)은 제1 절연 패턴(140'') 아래에 배치되고, 측면이 노출될 수 있다.
도전 물질층(131')은 제1 절연 패턴(140'')을 하드 마스크로 이용하여 과도 식각될 수 있다. 따라서, 제1 절연 패턴(140'')의 제3 영역(140c'')의 일부의 하부 면이 노출될 수 있다. 하부 면이 노출되는 제3 영역(140c'')의 일부는 보이드(void) 상에 위치하게 된다. 예를 들면, 화소 전극(131)의 에지가 제1 절연 패턴(140'')의 에지로부터 거리(d)만큼 안쪽으로 들어갈 수 있다. 거리(d)는 약 0.7㎛이상일 수 있다. 거리(d)는 약 2㎛이하일 수 있다.
도 4e를 참조하면, 화소 전극(131)의 발광 영역의 상면이 노출되도록 제1 절연 패턴(140'')의 일부가 제거될 수 있다. 예를 들면, 제1 절연 패턴(140'')에 대하여 애싱(ashing) 공정이 수행되어, 제1 절연 패턴(140'')의 두께가 얇아질 수 있다. 예컨대, 애싱 공정에 의해, 제1 절연 패턴(140'')의 제1 영역(140a'')은 완전히 제거되어, 제1 영역(140a'')에 의해 덮여 있던 화소 전극(131)의 발광 영역의 상면이 노출될 수 있다. 제1 절연 패턴(140'')의 제1 영역(140a'')이 제거될 때, 제1 절연 패턴(140'')의 제2 영역(140b'') 및 제3 영역(140c'')도 역시 제거되지만, 제2 영역(140b'') 및 제3 영역(140c'')은 제1 영역(140a'')보다 두꺼우므로, 제2 영역(140b'') 및 제3 영역(140c'')은 완전히 제거되지 않는다.
그 결과, 화소 전극(131)의 발광 영역의 상면을 노출하는 제2 절연 패턴(140')이 형성된다. 제2 절연 패턴(140')은 제2 패턴으로 지칭될 수 있다. 제2 절연 패턴(140')의 일부(140b')은 제1 절연 패턴(140'')의 제2 영역(140b'')이 부분적으로 제거되고 남은 부분에 대응할 수 있다. 제2 절연 패턴(140')의 다른 일부(140c')은 제1 절연 패턴(140'')의 제3 영역(140c'')이 부분적으로 제거되고 남은 부분에 대응할 수 있다. 제2 절연 패턴(140')은 화소 전극(131)의 가장자리 영역을 덮으며, 화소 전극(131)의 측면을 여전히 노출할 수 있다.
도 4f를 참조하면, 제2 절연 패턴(140')을 리플로우시켜 화소 전극(131)의 측면 또는 단부(131a)를 덮는 화소 정의막(140)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(140)은 화소 전극(131)의 발광 영역을 노출하고 화소 전극(131)의 가장자리 영역 및 측면을 덮을 수 있다.
제2 절연 패턴(140')은 예컨대 열 또는 적외선에 의해 열적 리플로우(thermal reflow)될 수 있다. 리플로우 공정을 위하여, 제2 절연 패턴(140')을 포함하는 기판(110)은 핫 플레이트 상에 배치될 수 있다. 핫 플레이트는 아래에서 위쪽으로, 즉, 기판(110)으로부터 열을 상부에 전달하기 때문에, 제2 절연 패턴(140')의 일부(140c')가 화소 전극(131)의 측면을 따라 아래로 흘러내리게 할 수 있다. 다른 예에 따르면, 리플로우 공정을 위하여, 제2 절연 패턴(140')을 포함하는 기판(110)은 오븐에서 가열되거나, 적외선이 조사될 수 있다.
화소 전극(131)의 단부(131a)가 노출되는 경우 후속 공정에 의해 형성되는 대향 전극(133, 도 4g)과 단락될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제2 절연 패턴(140')을 리플로우시켜 화소 전극(131)의 단부(131a)를 덮는 화소 정의막(140)이 형성될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법에 따르면, 화소 전극(131)과 화소 전극(131)의 가장자리 영역 및 측면을 덮는 화소 정의막(140)을 하나의 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 따라서, 제조 비용은 감소될 수 있으며, 공정이 간소화되어, 공정 시간이 감소될 수 있다.
도 4g를 참조하면, 화소 전극(131)의 발광 영역, 예컨대, 화소 전극(131)의 화소 정의막(140)에 의해 덮이지 않은 영역 상에 유기 발광층(132)이 형성될 수 있다.
유기 발광층(132) 및 화소 정의막(140) 상에 대향 전극(133)이 형성될 수 있다. 대향 전극(131)은 비아 절연막(119)의 노출된 영역, 즉, 화소 전극(131)과 화소 정의막(140)에 의해 덮이지 않은 영역 상에도 형성될 수 있다.
다시, 도 3를 참조하면, 대향 전극(133) 상에 적어도 하나의 무기막(152) 및 적어도 하나의 유기막(151)을 포함하는 박막 봉지층(150)이 형성될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따라 유기 발광 표시 장치를 제조하는데 사용되는 하프톤 마스크의 평면도 및 화소 전극 부분의 확대 단면도를 도시한다.
도 5a를 참조하면, 화소 전극(131) 및 화소 정의막(도 3의 140)을 형성하기 위한 하프톤 마스크(M)가 도시된다. 화소 전극(131)은 비아 절연막(도 3의 119)에 형성되는 비아홀(VIA)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다.
하프톤 마스크(M)는 제1 마스크 영역(Ma), 제2 마스크 영역(Mb), 제3 마스크 영역(Md) 및 제4 마스크 영역(Mc)을 포함한다. 제1 마스크 영역(Ma)은 화소 전극(131)의 발광 영역에 대응할 수 있다. 제2 마스크 영역(Mb)은 제1 마스크 영역(Ma)을 둘러싸고 화소 전극(131)의 에지에 대응하는 바깥 테두리(outer boundary)를 가질 수 있다. 제3 마스크 영역(Md)은 도전 물질층(131')이 제거될 영역, 예컨대, 비아 절연막(도 3의 119)의 화소 전극(131)이 상부에 배치되지 않는 영역에 대응할 수 있다. 제4 마스크 영역(Mc)은 제2 마스크 영역(Mb)과 제3 마스크 영역(Md) 사이에 제2 마스크 영역(Mb)의 바깥 테두리를 따라 제2 마스크 영역(Mb)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
화소 전극(131)의 에지는 평면 상에서 제3 마스크 영역(Md)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(131)은 과도 식각에 의해 형성될 수 있으므로, 화소 전극(131)의 에지는 제3 마스크 영역(Md)의 바깥 테두리로부터 일정한 거리만큼 안쪽에 위치할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 화소 전극(131) 상의 제2 절연 패턴(140') 및 화소 정의막(140)이 중첩하여 도시된다.
하프톤 마스크(M)를 이용하여 제2 절연 물질층(도 4c의 140''')에 광을 조사한 후, 제2 절연 물질층(140''')의 일부를 제거함으로써, 제1 절연 패턴(도 4d의 140'')이 형성된다. 제1 절연 패턴(140'')에 대하여 애싱 공정이 수행되면, 제2 절연 패턴(140')이 형성된다. 제2 절연 패턴(140')을 리플로우 시키면 화소 정의막(140)이 형성된다.
제2 절연 패턴(140')은 솔벤트를 포함하는 감광성 유기 물질을 포함하는 제2 절연 물질층(140''')으로부터 형성된다. 제2 절연 패턴(140')을 리플로우 시키기 위해 열을 가하게 되면, 감광성 유기 물질 내의 솔벤트가 제거되면서, 부피 수축이 발생한다. 도 5a를 참조하면, 제2 절연 패턴(140')은 평면 상에서 도너츠 형상을 가지며, 부피 수축 시 안쪽 지름이 줄어들 수 있다.
제2 절연 패턴(140')의 두꺼운 부분은 부피 수축 시에 강한 수축 힘이 작용한다. 만약 제2 절연 패턴(140')에 얇은 부분 없이 두꺼운 부분만으로 형성될 경우, 강한 수축 힘에 의해 안쪽으로 이동하게 될 뿐만 아니라, 리플로우된 제2 절연 패턴(140')의 표면 장력에 의해 화소 전극(131)의 측면을 덮지 못할 수도 있다. 리플로우에 의해 두꺼운 부분만 존재하는 제2 절연 패턴(140')이 용융되어 버릴 경우, 용융된 제2 절연 패턴(140')이 무너지면서 화소 전극(131)의 측면에 보이드가 발생할 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 도 5b에 도시된 바와 같이 제2 절연 패턴(140')은 두꺼운 부분뿐만 아니라 바깥 쪽에 위치하는 얇은 부분을 갖는다. 제2 절연 패턴(140')의 얇은 부분은 두꺼운 부분에 비해 약한 수축 힘이 작용한다. 게다가 두께가 얇기 때문에 리플로우에 의해 두꺼운 부분에 비해 먼저 가라 앉게 된다. 제2 절연 패턴(140')의 얇은 부분의 아래는 비어있으므로, 리플로우 공정이 시작되면 제2 절연 패턴(140')의 얇은 부분은 화소 전극(131)의 측면을 따라 흘러내리거나 화소 전극(131)의 측면을 따라 가라 앉을 수 있다. 그 결과, 본 실시예에 따르면, 제2 절연 패턴(140')의 두께가 얇은 부분으로 인하여 화소 전극(131)의 측면을 완전히 덮을 수 있다. 따라서, 후속 공정에 의해 형성되는 대향 전극(도 3의 133)이 화소 전극(131)의 측면 또는 단부(131a)와 단락되는 문제가 발생하지 않을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10, 20: 장치
11, 21: 기판
12, 22: 도전 패턴
13, 23: 유기 절연막
14, 24: 하프톤 마스크
100: 유기 발광 표시 장치
110: 기판
131: 화소 전극
140: 화소 정의막

Claims (19)

  1. 기판 상에 도전 패턴을 형성하기 위한 도전 물질층 및 감광성 유기 물질층을 형성하는 단계;
    상기 도전 패턴의 에지에 대응하는 테두리(boundary)를 갖는 제1 마스크 영역, 제2 마스크 영역, 및 상기 제1 마스크 영역과 상기 제2 마스크 영역 사이에 배치되는 제3 마스크 영역을 갖는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 감광성 유기 물질층에 광을 조사하는 단계;
    상기 제1 마스크 영역에 대응하여 제1 두께를 갖는 제1 영역 및 상기 제3 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 얇은 두께를 갖는 제2 영역을 갖는 제1 패턴을 형성하도록 상기 감광성 유기 물질층을 제거하는 단계;
    상기 제1 패턴 아래에 배치되고 측면이 노출되는 상기 도전 패턴을 형성하도록 상기 제1 패턴을 하드 마스크로 이용하여 상기 도전 물질층을 식각하는 단계; 및
    상기 도전 패턴의 측면을 덮는 제2 패턴을 형성하도록 상기 제1 패턴을 리플로우하는 단계를 포함하는 도전 패턴 형성 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 마스크 영역은 상기 제1 마스크 영역의 상기 테두리를 따라 상기 제1 마스크 영역을 둘러싸도록 배치되는 도전 패턴 형성 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 도전 물질층을 식각하는 단계는,
    상기 제1 패턴의 제2 영역의 하부 표면의 일부가 노출되도록 상기 도전 물질층을 식각하는 단계를 포함하는 도전 패턴 형성 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 도전 패턴의 상기 에지는 상기 제1 패턴의 에지로부터 안쪽에 형성되어 있는 도전 패턴 형성 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 감광성 유기 물질층을 제거하는 단계는,
    상기 제2 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 제1 부분을 제거하고 상기 제3 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 제2 부분을 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는 도전 패턴 형성 방법
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 패턴을 리플로우하는 단계는,
    상기 제1 패턴의 일부가 상기 도전 패턴의 측면으로 흘러내려 상기 도전 패턴의 측면을 덮는 단계를 포함하는 도전 패턴 형성 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은 상면이 상기 제2 패턴에 의해 덮이지 않는 노출 영역을 갖고,
    상기 하프톤 마스크는 상기 제1 마스크 영역의 안쪽에 상기 도전 패턴의 상기 노출 영역에 대응하는 제4 마스크 영역을 더 포함하고,
    상기 제1 패턴은 상기 제1 영역의 안쪽에 상기 제4 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 얇은 두께를 갖는 제3 영역을 더 가지는 도전 패턴 형성 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제3 영역의 평균 두께는 상기 제2 영역의 평균 두께보다 얇은 도전 패턴 형성 방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 도전 물질층을 식각하는 단계 후에, 상기 도전 패턴의 상기 노출 영역의 상면이 노출되도록 상기 제1 패턴을 애싱(ashing)하는 단계를 더 포함하는 도전 패턴 형성 방법.
  10. 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터를 덮는 비아 절연막을 형성하는 단계;
    화소 전극을 형성하기 위한 도전 물질층 및 감광성 유기 물질층을 상기 비아 절연막 상에 형성하는 단계;
    상기 화소 전극의 발광 영역에 대응하는 제1 마스크 영역, 상기 제1 마스크 영역을 둘러싸고 상기 화소 전극의 에지에 대응하는 바깥 테두리(outer boundary)를 갖는 제2 마스크 영역, 제3 마스크 영역, 및 상기 제2 마스크 영역과 상기 제3 마스크 영역 사이에 배치되는 제4 마스크 영역을 갖는 하프톤 마스크를 이용하여 상기 감광성 유기 물질층에 광을 조사하는 단계;
    상기 제1 마스크 영역에 대응하는 제1 영역, 상기 제2 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 영역보다 두꺼운 제1 두께를 갖는 제2 영역, 및 상기 제4 마스크 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 얇은 두께를 갖는 제3 영역을 갖는 제1 패턴을 형성하도록 상기 감광성 유기 물질층을 제거하는 단계;
    상기 제1 패턴 아래에 배치되고 측면이 노출되는 상기 화소 전극을 형성하도록 상기 제1 패턴을 하드 마스크로 이용하여 상기 도전 물질층을 식각하는 단계;
    상기 제1 패턴의 일부를 제거하여, 상기 화소 전극의 상기 발광 영역의 상면을 노출하는 제2 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 화소 전극의 상기 발광 영역을 노출하고 상기 화소 전극의 측면을 덮는 화소 정의막을 형성하도록 상기 제2 패턴을 리플로우하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제4 마스크 영역은 상기 제2 마스크 영역의 상기 바깥 테두리를 따라 상기 제2 마스크 영역을 둘러싸도록 배치되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 도전 물질층을 식각하는 단계는,
    상기 제1 패턴의 제3 영역의 하부 표면의 일부가 노출되도록 상기 도전 물질층을 식각하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 화소 전극의 상기 에지는 상기 제1 패턴의 에지로부터 안쪽에 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 평균 두께는 상기 제3 영역의 평균 두께보다 얇은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 감광성 유기 물질층을 제거하는 단계는,
    상기 제1 마스크 영역 및 상기 제4 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 영역을 부분적으로 제거하고, 상기 제3 마스크 영역에 대응하는 상기 감광성 유기 물질층의 영역을 제거하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제1 영역이 제거되도록 상기 제1 패턴을 애싱(ashing)하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 패턴을 리플로우하는 단계는,
    상기 제2 패턴의 일부가 상기 화소 전극의 측면으로 흘러내려 상기 화소 전극의 측면을 덮는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제10 항에 있어서,
    상기 화소 전극의 상기 발광 영역 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 대향 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 대향 전극 상에 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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