TWI777926B - 形成導電圖案之方法及製造包括該導電圖案之有機發光顯示器之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種形成導電圖案之方法。該方法包含：形成導電材料層；在導電材料層上形成感光性有機材料層；透過半色調遮罩來輻照感光性有機材料層，該半色調遮罩包括第一遮罩區域、第二遮罩區域、以及第三遮罩區域；移除感光性有機材料層來形成第一圖案，第一圖案包括一對應於該第一遮罩區域之第一區域、以及一對應於該第三遮罩區域之第二區域；使用第一圖案作為硬遮罩來蝕刻導電材料層以形成導電圖案，導 電圖案配置於第一圖案下方且具有經暴露之側向表面；以及回焊第一圖案以形成一覆蓋導電圖案之側向表面之第二圖案。

Description

形成導電圖案之方法及製造包括該導電圖案之有機發光顯示器之方法 【優先權聲明】
本申請案主張於2016年1月27日在韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)提出申請之第10-2016-0010172號韓國專利申請案之優先權及權利，其揭露全文併於此以供參考。
所述技術係關於一種導電圖案。更具體而言，所述技術係關於一種形成一導電圖案之方法、及一種製造一包括該導電圖案之有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置包括一有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)，該有機發光二極體具有一電洞注入(hole injection)電極、一電子注入(electron injection)電極、 以及一有機發射層設置於電洞注入電極與電子注入電極之間。另外，有機發光顯示裝置為自發射式(self-emissive)。在有機發射層中，經由電洞注入電極注入之電洞與經由電子注入電極注入之電子彼此相組合而產生原子之激子，激子自一激發態下降至一基態，藉此產生光。
有機發光顯示裝置不需要光源，且因此，係以低電壓來驅動。有機發光顯示裝置並且為輕量且薄的。另外，由於有機發光顯示裝置可具有寬視角、高對比度及快速的回應時間(response time)，因而有機發光顯示裝置係被應用於個人可攜式電子裝置且近來係被應用於電視機。
本發明之實施態樣係提供一種藉由使用一單一遮罩來形成一導電圖案之方法，該導電圖案可受一絕緣層保護。本發明之實施態樣更包含一種有機發光顯示裝置及一種製造該有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置能夠以較低成本來實現高解析度。
根據本發明之一實例性實施態樣，提供一種形成一導電圖案之方法。該形成一導電圖案之方法包含：在一基板上形成一用於形成該導電圖案之導電材料層；在該導電材料層上形成一感光性有機材料層(photosensitive organic material layer)；透過一半色調遮罩(halftone mask)來輻照該感光性有機材料 層，該半色調遮罩包括：一第一遮罩區域，具有一對應於該導電圖案之邊緣之邊界；一第二遮罩區域；以及一第三遮罩區域，設置於該第一遮罩區域與該第二遮罩區域之間；藉由移除該感光性有機材料層來形成一第一圖案，該第一圖案包括：一第一區域，對應於該第一遮罩區域且具有一第一厚度；以及一第二區域，對應於該第三遮罩區域且具有小於一該第一厚度之第二厚度；使用該第一圖案作為一硬遮罩(hard mask)來蝕刻該導電材料層，並形成該導電圖案，該導電圖案配置於該第一圖案下方且具有經暴露之側向表面(lateral surface)；以及藉由回焊(reflow)該第一圖案來形成一第二圖案，該第二圖案覆蓋該導電圖案之該側向表面。
在該形成一導電圖案之方法中，該第三遮罩區域可沿著該第一遮罩區域之邊界設置且可環繞該第一遮罩區域。
在該形成一導電圖案之方法中，蝕刻該導電材料層之步驟可包含暴露出該第一圖案之該第二區域之下表面之一部分。
在該形成一導電圖案之方法中，該導電圖案之邊緣可相對於該第一圖案之邊緣而內縮(indented)。
在該形成一導電圖案之方法中，移除該感光性有機材料層之步驟可包含完全移除該感光性有機材料層中對應於該第 二遮罩區域之一第一部分，並局部地移除該感光性有機材料層中對應於該第三遮罩區域之一第二部分。
在該形成一導電圖案之方法中，形成該第二圖案之步驟可包含藉由使該第一圖案之一部分沿著該導電圖案之該側向表面流動(flow)而覆蓋該導電圖案之該側向表面。
在該形成一導電圖案之方法中，該導電圖案可具有一經暴露區域，該經暴露區域之上表面係未覆蓋有該第二圖案；該半色調遮罩可更包含一位於該第一遮罩區域內之第四遮罩區域，該第四遮罩區域對應於該導電圖案之該經暴露區域；且該第一圖案可更包含一對應於該第四遮罩區域且位於該第一區域內之第三區域，該第三區域具有一小於該第一厚度之第三厚度。
在該形成一導電圖案之方法中，該第三區域之平均厚度可小於該第二區域之平均厚度。
該形成一導電圖案之方法可更包含灰化(ashing)該第一圖案，以暴露出該導電圖案之該經暴露區域之上表面。
根據本發明之一實例性實施態樣，提供一種製造一顯示裝置之方法。該製造一顯示裝置之方法包含：在一基板上形成一薄膜電晶體；形成一覆蓋該薄膜電晶體之通路絕緣層(via insulating layer)；在該通路絕緣層上形成一用於形成一畫素電極之導電材料層；在該導電材料層上形成一感光性有機材料層； 透過一半色調遮罩來輻照該感光性有機材料層，該半色調遮罩包括：一第一遮罩區域，對應於該畫素電極之一發光區域；一第二遮罩區域，環繞該第一遮罩區域且具有一對應於該畫素電極之邊緣之外邊界；一第三遮罩區域；以及一第四遮罩區域，設置於該第二遮罩區域與該第三遮罩區域之間；移除該感光性有機材料層，以形成一第一圖案，該第一圖案包括：一第一區域，對應於該第一遮罩區域且具有一第一厚度；一第二區域，對應於該第二遮罩區域且具有一大於該第一厚度之第二厚度；以及一第三區域，對應於該第四遮罩區域且具有一小於該第二厚度之第三厚度；使用該第一圖案作為一硬遮罩來蝕刻該導電材料層，以形成該畫素電極，該畫素電極配置於該第一圖案下方且具有經暴露之側向表面；移除該第一圖案之一部分，以形成一第二圖案，該畫素電極之該發光區域之上表面經由該第二圖案而被暴露出；以及回焊該第二圖案，以形成一畫素界定層，該畫素界定層暴露出該畫素電極之該發光區域並覆蓋該畫素電極之該側向表面。
在該製造一顯示裝置之方法中，該第四遮罩區域可沿著該第二遮罩區域之外邊界設置以環繞該第二遮罩區域。
在該製造一顯示裝置之方法中，蝕刻該導電材料層 之步驟可包含暴露出該第一圖案之該第三區域之下表面之一部分。
在該製造一顯示裝置之方法中，該畫素電極之邊緣可相對於該第一圖案之邊緣而內縮。
在該製造一顯示裝置之方法中，該第一區域之平均厚度可小於該第三區域之平均厚度。
在該製造一顯示裝置之方法中，移除該感光性有機材料層之步驟可包含局部地移除該感光性有機材料層中對應於該第一遮罩區域及該第四遮罩區域之區域，並完全移除該感光性有機材料層中對應於該第三遮罩區域之區域。
在該製造一顯示裝置之方法中，形成該第二圖案之步驟可包含灰化該第一圖案，以移除該第三區域。
在該製造一顯示裝置之方法中，回焊該第二圖案之步驟可包含藉由使該第二圖案之一部分沿著該畫素電極之該側向表面流動而覆蓋該畫素電極之該側向表面。
該製造一顯示裝置之方法可更包含：在該畫素電極之該發光區域上形成一有機發射層；以及在該有機發射層及該畫素界定層上形成一相對電極(opposite electrode)。
該製造一顯示裝置之方法可更包含在該相對電極上形成一薄膜封裝層(thin-film encapsulation layer)，該薄膜封裝層包含至少一無機層及至少一有機層。
根據本發明之一實例性實施態樣，提供一種製造一 顯示裝置之方法。該製造一顯示裝置之方法包含：在一基板上形成一薄膜電晶體；形成一覆蓋該薄膜電晶體之通路絕緣層；在該通路絕緣層上形成一用於形成一畫素電極之導電材料層，該畫素電極具有一中心區域；在該導電材料層上形成一感光性有機材料層；透過一半色調遮罩來輻照該感光性有機材料層；移除該感光性有機材料層，以形成一第一圖案，該第一圖案包括：一第一區域，具有一第一厚度；一第二區域，具有一大於該第一厚度之第二厚度；以及一第三區域，具有一小於該第二厚度之第三厚度；使用該第一圖案作為一硬遮罩來蝕刻該導電材料層，以形成該畫素電極，該畫素電極經配置成與該第一圖案相鄰；移除該第一圖案之一部分，以形成一第二圖案，該畫素電極之該中心區域之上表面經由該第二圖案而被暴露出；以及回焊該第二圖案，以形成一畫素界定層，該畫素界定層暴露出該畫素電極之該中心區域之上表面並覆蓋該畫素電極之側向表面，其中回焊該第二圖案之步驟可包含藉由使該第二圖案之一部 分沿著該畫素電極之該側向表面流動而覆蓋該畫素電極之該側向表面。
10、20‧‧‧裝置
11、21、110‧‧‧基板
12、22‧‧‧導電圖案
12'、22'、131'‧‧‧導電材料層
13、23‧‧‧有機絕緣層
13'、23"‧‧‧第一圖案
13"、23'''‧‧‧感光性有機材料層
13a'、23a"、140a"‧‧‧第一區域
13b'、23b"、140b"‧‧‧第二區域
14、24、M‧‧‧半色調遮罩
22a‧‧‧中心區域
22b‧‧‧邊緣區域
22c、131a‧‧‧端部
23'‧‧‧第二圖案
23a、140a‧‧‧第一傾斜部
23b、140b‧‧‧第二傾斜部
23b'、140b'‧‧‧第一部分
23c'、140c'‧‧‧第二部分
23c"、140c"‧‧‧第三區域
100‧‧‧有機發光顯示裝置/有機發光顯示器
111‧‧‧緩衝層
113‧‧‧閘極絕緣層
115‧‧‧層間絕緣層
119‧‧‧通路絕緣層
121‧‧‧主動層
122‧‧‧閘極電極
123‧‧‧源極電極
124‧‧‧汲極電極
131‧‧‧畫素電極
132‧‧‧有機發射層
133‧‧‧相對電極
140‧‧‧畫素界定層
140'‧‧‧第二絕緣圖案
140"‧‧‧第一絕緣圖案
140'''‧‧‧第二絕緣材料層
140h‧‧‧開口
150‧‧‧薄膜封裝層
151‧‧‧有機層
152‧‧‧無機層
C1‧‧‧第一接觸孔
C2‧‧‧第二接觸孔
d、d1、d2‧‧‧距離
ha‧‧‧第一厚度
hb‧‧‧第二厚度
hc‧‧‧第三厚度
Ma、Mb、Mc、Md‧‧‧遮罩區域
OLED‧‧‧有機發光裝置
P1、P2‧‧‧區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體
VIA‧‧‧通路孔
θ1‧‧‧第一夾角
θ2‧‧‧第二夾角
結合附圖以及下文對各實例性實施態樣之說明，彼等方面及/或其他方面將變得清楚且更容易瞭解，在附圖中：第1A圖至第1D圖係例示根據本發明一實例性實施態樣之一種形成導電圖案之方法的剖視圖；第2A圖至第2E圖係例示根據本發明一實例性實施態樣之一種形成導電圖案之方法的剖視圖；第3圖係根據本發明一實例性實施態樣之一種有機發光顯示器的剖視圖；第4A圖至第4G圖係例示根據本發明一實例性實施態樣之一種製造第3圖所示有機發光顯示器之方法的剖視圖；第5A圖係例示根據本發明一實例性實施態樣之一用於製造有機發光顯示器之半色調遮罩的平面圖；以及第5B圖係例示根據本發明一實例性實施態樣之一畫素電極的放大剖視圖。
由於本發明可涵蓋各種改變及眾多實施態樣，因而將在附圖中例示並在本文中詳細地闡述本發明之實例性實施態樣。在下文中，將參照附圖更全面地闡述本發明實施態樣之各方 面與特徵以及用於達成該等態樣及特徵之方法；然而，本發明尚可以諸多不同形式實施，而不應被理解為僅限於本文中所述之實例性實施態樣。
將理解，當將一層、區域或組件被稱為「形成於」或「設置於」另一層、區域或組件「上」時，該層、區域或組件可直接或間接形成或設置於該另一層、區域或組件上。因此，可能存在中介層(intervening layer)、區域或組件。
為方便解釋，附圖中各元件之大小可能被擴大，而本發明之以下實施態樣並不限於此等大小。
下文將參照附圖來更詳細地闡述本發明之實施態樣。不管圖號如何，彼等與其他各圖中之組件相同或類似之組件可藉由相同參考編號來指代，且可省略多餘解釋。
第1A圖至第1D圖係例示根據本發明一實例性實施態樣之一種形成導電圖案之方法的剖視圖。
參照第1D圖，一裝置10係設置於一基板11上。裝置10包括一導電圖案12。導電圖案12係覆蓋有一有機絕緣層13。
導電圖案12可設置於基板11上。有機絕緣層13可覆蓋導電圖案12之上表面及側向表面。裝置10可為一有機發光顯示器。
基板11可包括一設置於一基底基板(base substrate)上之一薄膜電晶體。薄膜電晶體可包括一由一半導體材料形成之主動層(active layer)。主動層可包括一源極區域、一汲極區域、 及一設置於源極區域與汲極區域之間之通道區域。薄膜電晶體可包括一閘極電極，閘極電極與主動層之通道區域至少局部地交疊。基板11可包括一閘極絕緣層(gate insulating layer)，閘極絕緣層可將主動層與閘極電極絕緣。基板11可為一有機發光顯示裝置之一組件。
導電圖案12可包括一單一層或多層，例如透明導電氧化物及/或金屬的單一層或多層。有機絕緣層13可包括一絕緣之感光性有機材料。
導電圖案12可包括一有機發光顯示裝置之一源極電極及一汲極電極或可包括一佈線(wiring)，佈線設置於其上設置有源極電極及汲極電極之實質上同一層上。源極電極及汲極電極可分別電性連接至基板11內主動層之源極區域及汲極區域。基板11可包括一層間絕緣層(interlayer insulating layer)，層間絕緣層可將閘極電極與導電圖案12絕緣。有機絕緣層13可將導電圖案12與另一可藉由不同製程而形成之導電圖案絕緣。
基板11可包括分別電性連接至主動層之源極區域及汲極區域之源極電極及汲極電極。基板11亦可包括一層間絕緣層，層間絕緣層可將閘極電極與源極電極及汲極電極之任一者或二者絕緣。基板11亦可包括一通路絕緣層，通路絕緣層可覆蓋薄膜電晶體。通路絕緣層可具有一經平坦化之上表面，且可包括由一有機材料形成之一單一層或多層。導電圖案12可為一有機發光顯示裝置之一畫素電極或可為一佈線，佈線設置於其上設置有畫素電極之實質上同一層上。有機絕緣層13可將導電圖案12與一可 藉由不同製程而形成之導電材料層絕緣。
一般而言，為了在基板11上形成覆蓋有有機絕緣層13之導電圖案12，可使用用於圖案化出導電圖案12之一第一遮罩及用於圖案化有機絕緣層13(覆蓋導電圖案12)之一第二遮罩。根據一種方法，在有機絕緣層13形成之後，可使用有機絕緣層13作為一硬遮罩來形成導電圖案12。因此，可僅需要一個遮罩以形成有機絕緣層13。然而，如此一來，導電圖案12之側向表面可能被暴露。為了覆蓋導電圖案12之側向表面，有機絕緣層13可經受回焊。然而，在有機絕緣材料之回焊期間可能會發生體積收縮，因而導電圖案12之側向表面仍可能被局部地暴露。
本發明之實例性實施態樣可提供一種藉由使用單一遮罩在基板11上形成一導電圖案12之方法，其中導電圖案12之側向表面及上表面係覆蓋有有機絕緣層13。
參照第1A圖，一導電材料層12'及一感光性有機材料層13"可依序形成於基板11上。
導電材料層12'可包括選自以下群組之至少一種透明導電氧化物：氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化鋅(zinc oxide，ZnO)、氧化銦(indium oxide，In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide，IGO)、及氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)。導電材料層12'亦可包括選自以下群組之至少一種金屬：銀(silver，Ag)、鎂(magnesium，Mg)、鋁(aluminum，Al)、鉑(platinum，Pt)、鈀(palladium，Pd)、金(gold，Au)、鎳(nickel，Ni)、釹(neodymium，Nd)、銥(iridium， Ir)、及鉻(chromium，Cr)。
感光性有機材料層13"可包括一絕緣之感光性有機材料。感光性有機材料可包括一溶劑，以使感光性有機材料能夠藉由向其施加例如熱或紅外線而被回焊。感光性有機材料可例如包括一烯烴系(olefin-based)有機材料、一丙烯酸系(acryl-based)有機材料、或一醯亞胺系(imide-based)有機材料。舉例而言，感光性有機材料可包括聚醯亞胺(polyimide，PI)。感光性有機材料可為一種正型感光性材料，其中被暴露於光之部分可被移除。或者，感光性有機材料可為一種負型感光性材料，其中未被暴露於光之部分可被移除。
可向感光性有機材料層13"輻射光，且可根據一所欲圖案而使用一半色調遮罩14來阻擋及透射光。半色調遮罩14可包括一第一遮罩區域Ma、一第二遮罩區域Mc及一第三遮罩區域Mb。第一遮罩區域Ma可對應於第1D圖所示導電圖案12。第二遮罩區域Mc可對應於基板11的可被移除導電材料層12'之一區域，例如是基板11上可不設置導電圖案12之區域。第三遮罩區域Mb可設置於第一遮罩區域Ma與第二遮罩區域Mc之間。第三遮罩區域Mb之透光度(light transmittance)可介於第一遮罩區域Ma之透光度與第二遮罩區域Mc之透光度之間。
第三遮罩區域Mb可沿著第一遮罩區域Ma之輸出邊界(output boundary)而設置，以環繞第一遮罩區域Ma。第一遮罩區域Ma之輸出邊界可界定為第一遮罩區域Ma與第三遮罩區域Mb之間的邊界。
根據本發明之一實施態樣，當感光性有機材料層13"包括一正型感光性材料時，第一遮罩區域Ma可阻擋實質上所有光，第二遮罩區域Mc可透射實質上所有光，且第三遮罩區域Mb可透射一部分光。因此，第三遮罩區域Mb之透光度可高於第一遮罩區域Ma之透光度，且第三遮罩區域Mb之透光度可低於第二遮罩區域Mc之透光度。
根據本發明之一實施態樣，當感光性有機材料層13"包括一負型感光性材料時，第一遮罩區域Ma可透射實質上所有光，第二遮罩區域Mc可阻擋實質上所有光，且第三遮罩區域Mb可透射一部分光。因此，第三遮罩區域Mb之透光度可低於第一遮罩區域Ma之透光度，且第三遮罩區域Mb之透光度可高於第二遮罩區域Mc之透光度。
參照第1A圖及第1B圖，感光性有機材料層13"受到透過半色調遮罩14之光輻照之部分可被移除。感光性有機材料層13"可在被移除之前經受一顯影製程。對應於第三遮罩區域Mb之感光性有機材料層13"的部分可局部地被移除，且對應於第二遮罩區域Mc之感光性有機材料層13"的部分可實質上完全被移除。
由於感光性有機材料層13"之一部分被移除，因而可相應地形成一包括一第一區域13a'及一第二區域13b'之第一圖案13'。
第一區域13a'可對應於第一遮罩區域Ma，且第二區域13b'可對應於第三遮罩區域Mb。由於對應於第一遮罩區域Ma之感光性有機材料層13"的部分可實質上不被移除，且對應於第三遮 罩區域Mb之感光性有機材料層13"的部分可局部地被移除，因而第一區域13a'可厚於第二區域13b'。
參照第1C圖，導電圖案12可藉由使用第一圖案13'作為一硬遮罩來濕蝕刻(wet etching)第1B圖所示導電材料層12'而形成。導電圖案12可設置於第一圖案13'下方，且導電圖案12之側向表面可被暴露。
第1B圖所示導電材料層12'可使用第一圖案13'作為一硬遮罩而被蝕刻。因此，第一圖案13'之第二區域13b'之一部分之下表面可被暴露。第二區域13b'中具有經暴露下表面的部分可位於一空隙(void)上。舉例而言，導電圖案12之邊緣可相對於第一圖案13'之邊緣而內縮一距離d。距離d可為約0.7微米或更大。舉例而言，距離d可為約2微米或更小。
參照第1C圖及第1D圖，可藉由對第一圖案13'進行回焊來形成覆蓋導電圖案12上表面及側向表面之有機絕緣層13。有機絕緣層13可被稱為一第二圖案。
第一圖案13'可藉由施加例如熱或紅外線而被熱回焊(thermally reflow)。為了執行一回焊製程，可將包括第一圖案13'之基板11設置於一熱板(hot plate)上。由於熱板自基板11向上遞送熱，因而第一圖案13'之第二區域13b'之一部分可沿著導電圖案12之側向表面流動。回焊製程亦可藉由在一烘箱(oven)內加熱包括第一圖案13'之基板11或以紅外線輻照包括第一圖案13'之基板11而執行。
當導電圖案12之側向表面被暴露時，短路可能會發生在導電圖案12與另一藉由不同製程而形成之導電圖案之間。根據本發明之一實施態樣，可藉由對第一圖案13'進行回焊來形成覆蓋導電圖案12側向表面之有機絕緣層13。因此，根據本發明之一實施態樣，可使用單一遮罩來形成導電圖案12、以及覆蓋導電圖案12上表面及側向表面之有機絕緣層13。因此，可降低製造成本，且可簡化製造製程，而此又可使加工時間減少。
參照第1A圖及第1C圖，第一圖案13'可由感光性有機材料層13"形成，感光性有機材料層13"可包括一感光性有機材料及一溶劑。當第一圖案13'被加熱而經受一回焊製程時，感光性有機材料內之溶劑可被移除，且實質上同時，第一圖案13'之體積可收縮。具體而言，第一圖案13'中相對厚之第一區域13a'可在體積收縮期間受到一強收縮力。若第一圖案13'僅包括一厚部分，則第一圖案13'可因強收縮力而向內移動，且第一圖案13'可因經回焊之第一圖案13'之表面張力而不能覆蓋導電圖案12之側向表面。當僅包括一厚部分之第一圖案13'因回焊而被熔化時，熔化之第一圖案13'可能斷裂，且實質上同時，可能會在導電圖案12之側向表面上產生空隙。
根據本發明之一實施態樣，如第1B圖所示，第一圖案13'可包括第一區域13a'，且第二區域13b'可位於第一區域13a'外並可為相對薄的。由於第一圖案13'之第二區域13b'可為相對薄的，第二區域13b'可受到較第一區域13a'所受到之收縮力為弱之收縮力。此外，由於第二區域13b'可為薄的，因而第二區域13b'可在 第一區域13a'之前因回焊而熔化。由於第二區域13b'之一部分下方之空間可為空的，因而當開始一回焊製程時，第二區域13b'之該部分可首先熔化，且因此，由於重力作用而可沿著導電圖案12之側向表面流動或可覆蓋導電圖案12之側向表面。因此，由於第一圖案13'之第二區域13b'係薄的，因而導電圖案12之側向表面可完全被有機絕緣層13覆蓋。因此，可防止在另一藉由不同製程而形成之導電圖案與導電圖案12側向表面之間的短路。
第2A圖至第2E圖係例示根據本發明一實施態樣之一種形成導電圖案之方法的剖視圖。
參照第2E圖，一裝置20係設置於一基板21上。裝置20包括一導電圖案22。導電圖案22具有一邊緣區域，邊緣區域覆蓋有一有機絕緣層23。
裝置20可包括基板21。導電圖案22可設置於基板21上。導電圖案22可具有一中心區域22a及一圍繞中心區域22a而設置之邊緣區域22b。一有機絕緣層23可暴露出導電圖案22之中心區域22a。有機絕緣層23亦可覆蓋導電圖案22之邊緣區域22b及側向表面。有機絕緣層23可包括一第一傾斜部(first inclined portion)23a及一第二傾斜部23b，第一傾斜部23a朝向導電圖案22之中心區域22a傾斜，第二傾斜部23b則朝不同於第一傾斜部23a之方向傾斜。導電圖案22之一端部(end)22c可位於基板21與第二傾斜部23b之間。裝置20可為一有機發光顯示器。
基板21可包括一設置於一基底基板上之薄膜電晶體。薄膜電晶體可包括一由一半導體材料形成之主動層。主動層 可包括一源極區域、一汲極區域、及一設置於源極區域與汲極區域間之通道區域。薄膜電晶體亦可包括一閘極電極，閘極電極與主動層之通道區域至少局部地交疊。基板21可包括一閘極絕緣層，閘極絕緣層可將主動層與閘極電極絕緣。基板21可包括一源極電極及一汲極電極，源極電極及汲極電極分別電性連接至主動層之源極區域及汲極區域。基板21亦可包括一層間絕緣層，層間絕緣層可將閘極電極與源極電極及汲極電極絕緣。基板21可包括一通路絕緣層，通路絕緣層可覆蓋薄膜電晶體。通路絕緣層可具有一經平坦化之上表面，且可包括由有機材料形成之一單一層或由有機材料形成之多層。基板21可為撓性的(flexible)，且可輕易被彎曲、折疊或捲起。基板21可為一有機發光顯示裝置之一組件。
導電圖案22可包括一單一層或可包括多層，例如透明導電氧化物及/或金屬之單一層或多層。導電圖案22可包括選自以下群組之至少一種透明導電氧化物：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、及氧化鋁鋅(AZO)。導電圖案22可包括選自以下群組之至少一種金屬：銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、及鉻(Cr)。
導電圖案22可包括中心區域22a，其被暴露而未覆蓋有有機絕緣層23。導電圖案22可更包括圍繞中心區域22a之邊緣區域22b，且邊緣區域22b可覆蓋有有機絕緣層23。
有機絕緣層23可暴露出導電圖案22之中心區域22a，並覆蓋導電圖案22之邊緣區域22b及側向表面。有機絕緣層 23可包括一第一傾斜部23a及一第二傾斜部23b，第一傾斜部23a向導電圖案22之中心區域22a傾斜，第二傾斜部23b則向不同於第一傾斜部23a之方向傾斜。第一傾斜部23a之厚度可自導電圖案22上之一區域P1朝向導電圖案22之端部22c而增大。導電圖案22上之區域P1可被界定為一介於導電圖案22之中心區域22a與邊緣區域22b之間的邊界。第二傾斜部23b之厚度可自第一傾斜部23a朝向基板21之上表面上之一區域P2而減小。第二傾斜部23b可具有與第一傾斜部23a之傾斜方向不同之傾斜方向。第一傾斜部23a與第二傾斜部23b之間的邊界可被界定為在垂直橫截面中一具有最大高度之區域。舉例而言，第一傾斜部23a與第二傾斜部23b之間的邊界可被界定為一具有平行於基板21之上表面的區域。
第一傾斜部23a之上表面可自導電圖案22上之區域P1在遠離基板21之方向上延伸。舉例而言，第一傾斜部23a可具有一橫截面，其高度係自區域P1向第一傾斜部23a與第二傾斜部23b之間的邊界增大。第二傾斜部23b之上表面可自第一傾斜部23a在朝向基板21之方向上延伸至基板21上之區域P2。舉例而言，第二傾斜部23b可具有一橫截面，其高度係自第一傾斜部23a與第二傾斜部23b之間的邊界向區域P2減小。
有機絕緣層23可被設置成使導電圖案22之中心區域22a之上表面被暴露且使導電圖案22之邊緣區域22b之上表面及導電圖案22之側向表面被覆蓋。有機絕緣層23可包括一絕緣之感光性有機材料。
有機絕緣層23之下表面之一部分可直接接觸導電圖 案22之上表面，且有機絕緣層23之下表面之剩餘部分可直接接觸基板21之上表面。有機絕緣層23之下表面中直接接觸導電圖案22之上表面的部分，可具有較與基板21之上表面直接接觸之剩餘部分為大的面積。
導電圖案22之邊緣區域22b可插入於有機絕緣層23之第一傾斜部23a與基板21之間，且亦可插入於有機絕緣層23之第二傾斜部23b之至少一部分與基板21之間。舉例而言，導電圖案22之端部22c可位於基板21與第二傾斜部23b之間。如第3圖所示，自導電圖案22上之區域P1至導電圖案22之端部22c的距離d1可大於自導電圖案22之端部22c至基板21上之區域P2的距離d2。
根據本發明之一實施態樣，導電圖案22之上表面與第一傾斜部23a之上表面之間的第一夾角θ1可大於基板21之上表面與第二傾斜部23b之上表面之間的第二夾角θ2。舉例而言，第一夾角θ1可小於約55°，且第二夾角θ2可為約35°。第一夾角θ1與第二夾角θ2之差可為約5°或更大。
相對於導電圖案22之上表面的第一傾斜部23a之上表面之傾斜角可根據在第一傾斜部23a上之位置而變化。相對於導電圖案22之上表面的第二傾斜部23b之上表面之傾斜角亦可根據在第二傾斜部23b上之位置而變化。第一夾角θ1可表示在導電圖案22上之區域P1處的第一傾斜部23a之上表面之傾斜角，且第二夾角θ2可表示在基板21上之區域P2處的第二傾斜部23b之上表面之傾斜角。
導電圖案22可為一有機發光顯示裝置之一畫素電極 或可為佈線，佈線設置於與其上設置有該畫素電極之層實質上相同之層上。一有機發射層可設置於導電圖案22之中心區域22a上。有機絕緣層23可將導電圖案22之側向表面與一可藉由不同製程而形成之導電材料層絕緣。
一般而言，為了形成導電圖案22，導電圖案22設置於基板21上且包括經暴露之中心區域22a以及覆蓋有有機絕緣層23之邊緣區域22b(圍繞中心區域22a)與側向表面，需要一用於在基板21上圖案化出導電圖案22之第一遮罩及一用於圖案化出覆蓋導電圖案22邊緣區域22b及各側向表面之有機絕緣層23之第二遮罩。有機絕緣圖案可使用一單一半色調遮罩來形成，導電圖案22可使用有機絕緣圖案作為一硬遮罩來圖案化，且有機絕緣圖案之一部分可經移除以暴露出中心區域22a，藉此形成一包括導電圖案22及有機絕緣層23之結構，有機絕緣層23暴露出導電圖案22之中心區域22a並覆蓋導電圖案22之邊緣區域22b。在此種方法中，可僅需要一個半色調遮罩，但導電圖案22之側向表面可被暴露。雖然有機絕緣層23可被回焊以覆蓋導電圖案22之側向表面，但由於在有機絕緣材料之回焊期間可能會發生體積收縮，因而導電圖案22之側向表面之一部分可能會被暴露。
根據本發明之一實施態樣，可提供一種藉由使用一單一半色調遮罩於基板21上形成導電圖案22並形成有機絕緣層23之方法，有機絕緣層23暴露出導電圖案22之中心區域22a並覆蓋導電圖案22之邊緣區域22b及側向表面。
參照第2A圖，一導電材料層22'及一感光性有機材料 層23'''可依序形成於基板21上。
導電材料層22'可包括選自以下群組之至少一種透明導電氧化物：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、及氧化鋁鋅(AZO)。導電材料層22'可更包括金屬，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、或鉻(Cr)。導電材料層22'可包括一單一層或可包括多層。
感光性有機材料層23"'可包括一絕緣之感光性有機材料。感光性有機材料可包括一溶劑，以使感光性有機材料能夠藉由向其施加例如熱或紅外線而被回焊。感光性有機材料可例如包括一烯烴系有機材料、一丙烯酸系有機材料、或一醯亞胺系有機材料。舉例而言，感光性有機材料可包括聚醯亞胺(PI)。感光性有機材料可為一種正型感光性材料，其中被暴露於光之部分可被移除。或者，感光性有機材料可為一種負型感光性材料，其中未被暴露於光之部分可被移除。
可向感光性有機材料層23'''輻射光，且可根據一所欲圖案而使用一半色調遮罩24來阻擋及透射光。半色調遮罩24可包括一第一遮罩區域Ma、一第二遮罩區域Mb、一第三遮罩區域Md、及一第四遮罩區域Mc。第一遮罩區域Ma可對應於第2E圖所示導電圖案22之中心區域22a。第二遮罩區域Mb可具有外邊界，外邊界環繞第一遮罩區域Ma且對應於導電圖案22之邊緣。第三遮罩區域Md可對應於基板21的可被移除導電材料層22'之區域，例如，基板21上可不設置導電圖案22之區域。第四遮罩區域Mc可設置於第二遮 罩區域Mb與第三遮罩區域Md之間。
第四遮罩區域Mc可沿著第二遮罩區域Mb之輸出邊界而設置以環繞第二遮罩區域Mb。因此，第二遮罩區域Mb之輸出邊界可被界定為第二遮罩區域Mb與第四遮罩區域Mc之間的邊界。
根據本發明之一實施態樣，當感光性有機材料層23'''包括一正型感光性材料時，第一遮罩區域Ma可透射一部分光，第二遮罩區域Mb可阻擋光，第三遮罩區域Md可透射光，且第四遮罩區域Mc可透射一部分光。第一遮罩區域Ma之透光度可高於第四遮罩區域Mc之透光度。
根據本發明之一實施態樣，當感光性有機材料層23'''包括一負型感光性材料時，第一遮罩區域Ma可透射一部分光，第二遮罩區域Mb可透射實質上所有光，第三遮罩區域Md可阻擋實質上所有光，且第四遮罩區域Mc可透射一部分光。第四遮罩區域Mc之透光度可高於第一遮罩區域Ma之透光度。
參照第2A圖及第2B圖，感光性有機材料層23'''受到透過半色調遮罩24之光輻照的部分可被移除。感光性有機材料層23'''可在被移除之前經受一顯影製程。對應於第一遮罩區域Ma及第四遮罩區域Mc之感光性有機材料層23'''的部分可局部地被移除，且對應於第三遮罩區域Md之感光性有機材料層23'''的部分可實質上完全被移除。
由於感光性有機材料層23'''之一部分被移除，因此可相應地形成一包括一第一區域23a"、一第二區域23b"及一第三區域 23c"之第一圖案23"。
具有第一厚度ha之第一區域23a"可對應於第一遮罩區域Ma。具有第二厚度hb之第二區域23b"可對應於第二遮罩區域Mb。具有第三厚度hc之第三區域23c"可對應於第四遮罩區域Mc。由於對應於第一遮罩區域Ma及第四遮罩區域Mc之感光性有機材料層23'''的部分可局部地被移除，但對應於第二遮罩區域Mb之感光性有機材料層23'''的部分可實質上未被移除，因此第二區域23b"之第二厚度hb可大於第一厚度ha，且第二區域23b"之第二厚度hb可大於第三厚度hc。因此，第三區域23c"之第三厚度hc可小於第二厚度hb。
當感光性有機材料層23'''包括一正型感光性材料時，第一遮罩區域Ma之透光度可高於第四遮罩區域Mc之透光度。當感光性有機材料層23'''包括一負型感光性材料時，第四遮罩區域Mc之透光度可高於第一遮罩區域Ma之透光度。因此，感光性有機材料層23'''中與第一遮罩區域Ma對應之部分之被移除程度可大於感光性有機材料層23'''中與第四遮罩區域Mc對應之部分之被移除程度。因此，感光性有機材料層23'''中與第四遮罩區域Mc對應之部分之存留量可大於感光性有機材料層23'''中與第一遮罩區域Ma對應之部分之存留量，且第三區域23c"之第三厚度hc可大於第一區域23a"之第一厚度ha。因此，第一區域23a"之平均厚度可小於第三區域23c"之平均厚度。
參照第2C圖，導電圖案22可藉由使用第一圖案23"作為一硬遮罩來濕蝕刻第2B圖所示導電材料層22'而形成。導電圖 案22可設置於第一圖案23"下方，且導電圖案22之側向表面可被暴露。
第2B圖所示導電材料層22'可使用第一圖案23"作為一硬遮罩而被蝕刻。因此，第一圖案23"中第三區域23c"之一部分之下表面可被暴露。第三區域23c"中具有經暴露之下表面的部分可位於一空隙上。舉例而言，導電圖案22之邊緣可相對於第一圖案23"之邊緣而內縮距離d。距離d可為約0.7微米或更大。舉例而言，距離d可為約2微米或更小。
參照第2C圖及第2D圖，第一圖案23"之一部分可經移除從而可暴露出導電圖案22之第2E圖所示中心區域22a。舉例而言，可在第一圖案23"上執行灰化，且因此，第一圖案23"之厚度可減小。舉例而言，藉由灰化，第一圖案23"之第一區域23a"可被完全移除，且因此，導電圖案22之第2E圖所示中心區域22a之被第一區域23a"覆蓋的上表面可被暴露。當第一圖案23"之第一區域23a"被移除時，第一圖案23"之第二區域23b"及第三區域23c"亦可被移除，但由於第二區域23b"及第三區域23c"可厚於第一區域23a"，因而第二區域23b"及第三區域23c"可不被完全移除。
因此，一第二圖案23'可經形成，第二圖案23'暴露出導電圖案22之第2E圖所示中心區域22a之上表面。第二圖案23'之一第一部分23b'可對應於在第一圖案23"之第二區域23b"藉由例如灰化而局部地被移除之後所餘留之部分。第二圖案23'之一第二部分23c'可對應於在第一圖案23"之第三區域23c"藉由例如灰化而局部地被移除之後所餘留之部分。第二圖案23'可覆蓋導電圖案22之第 2E圖所示邊緣區域22b，且導電圖案22之側向表面可被暴露。
參照第2D圖及第2E圖，可藉由對第二圖案23'進行回焊來形成覆蓋導電圖案22之側向表面或端部22c之有機絕緣層23。有機絕緣層23可暴露出導電圖案22之中心區域22a，並可覆蓋導電圖案22之邊緣區域22b及側向表面。
第二圖案23'可藉由例如施加熱或紅外線而被熱回焊。為了執行一回焊製程，包括第二圖案23'之基板21可設置於一熱板上。由於熱板自基板21向上遞送熱，第二圖案23'之第二部分23c'之一部分可沿著導電圖案22之側向表面流動。回焊製程亦可藉由在一烘箱內加熱包括第二圖案23'之基板21或以紅外線輻照包括第二圖案23'之基板21而執行。
當導電圖案22之端部22c被暴露時，短路可能會發生在導電圖案22與一藉由不同製程而形成之導電材料層之間。根據本發明之一實施態樣，覆蓋導電圖案22之側向表面或端部22c之有機絕緣層23。因此，根據本發明之一實施態樣，可使用一單一半色調遮罩來被形成導電圖案22、以及覆蓋導電圖案22之邊緣區域22b及側向表面之有機絕緣層23可使用一單一半色調遮罩而形成。因此，製造成本可降低，且一製造製程可簡化，而此又可使加工時間減少。
第二圖案23'可由感光性有機材料層23'''形成，感光性有機材料層23'''包括一具有一溶劑之感光性有機材料。當第二圖案23'被加熱而經受一回焊製程時，感光性有機材料內之溶劑可被移除，且實質上同時，第二圖案23'之體積可收縮。第二圖案23'之 第一部分23b'可為相對厚的，且可在體積收縮期間受到一強收縮力。若第二圖案23'實質上僅包括厚的第一部分23b'而不包括薄的第二部分23c'，則第二圖案23'可因強收縮力而向內移動，且可因經回焊之第二圖案23'之表面張力而不能覆蓋導電圖案22之側向表面。當實質上僅包括厚的第一部分23b'之第二圖案23'因回焊而被熔化時，熔化之第二圖案23'可能斷裂，且實質上同時，可能會在導電圖案22之側向表面上產生空隙。
根據本發明之一實施態樣，第二圖案23'不僅可包括厚的第一部分23b'，而且可包括薄的第二部分23c'圍繞厚的第一部分23b'。相較於第二圖案23'之厚的第一部分23b'，第二圖案23'之薄的第二部分23c'可受到一弱收縮力。此外，由於第二部分23c'可為相對薄的，因而第二部分23c'可在厚的第一部分23b'之前因回焊而熔化。由於第二圖案23'之薄的第二部分23c'下方之一空間可為空的，因而當開始一回焊製程時，薄的第二部分23c'可首先熔化，且因此，薄的第二部分23c'之一部分因重力作用而可沿著導電圖案22之側向表面流動或可覆蓋導電圖案22之側向表面。因此，根據本發明之一實施態樣，導電圖案22之側向表面可因第二圖案23'之薄的第二部分23c'而被完全覆蓋。因此，可防止在一藉由不同製程而形成之導電材料層與導電圖案22之側向表面或端部22c之間的短路。
第3圖係根據本發明一實施態樣之一種有機發光顯示器的剖視圖。
參照第3圖，一有機發光顯示裝置100可包括一基板 110。一薄膜電晶體TFT可設置於基板110上。一通路絕緣層119可覆蓋薄膜電晶體TFT。有機發光顯示裝置100可更包括一畫素電極131，畫素電極131設置於通路絕緣層119上且電性連接至薄膜電晶體TFT。畫素電極131可包括一中心區域及一圍繞中心區域之邊緣區域，中心區域上可設置有一有機發射層132。有機發光顯示裝置100可更包括一畫素界定層140，畫素界定層140暴露出畫素電極131之中心區域並覆蓋畫素電極131之邊緣區域。有機發射層132可設置於畫素電極131之中心區域上。一相對電極133可設置於有機發射層132及畫素界定層140上。畫素界定層140可包括一開口140h，其中可暴露出畫素電極131之中心區域，且亦可包括一第一傾斜部140a及一第二傾斜部140b，第一傾斜部140a係朝向畫素電極131之中心區域傾斜，第二傾斜部140b係在不同於第一傾斜部140a之方向上傾斜。畫素電極131之一端部131a可位於通路絕緣層119與第二傾斜部140b之間。
基板110可包括各種材料之任一者，例如玻璃、塑膠及金屬。根據本發明之一實施態樣，基板110可為撓性的。撓性基板110可指一種可輕易被彎曲、折疊或捲起之基板。撓性基板110可由超薄玻璃、金屬或塑膠形成。舉例而言，當基板110係由塑膠形成時，基板110可包括聚醯亞胺(PI)，但本發明概念之實施態樣並不限於此。複數個畫素可安置於基板110上，且一用於實現一影像之有機發光裝置OLED可設置於各畫素上。
一緩衝層111可設置於基板110上。緩衝層111可防止雜質元素滲透且可平坦化基板110之表面。一障壁層(barrier layer) (圖中未顯示)可插入於基板110與緩衝層111之間。
薄膜電晶體TFT可設置於緩衝層111上。薄膜電晶體TFT可用作一用於驅動有機發光裝置OLED之驅動電路單元之一部分。除薄膜電晶體TFT以外，驅動電路單元可更包括電容器、佈線等。
薄膜電晶體TFT可包括：一主動層121，設置於緩衝層111上；一閘極電極122，閘極電極122之至少一部分與主動層121交疊；一源極電極123，電性連接至主動層121之一源極區域；以及一汲極電極124，電性連接至主動層121之一汲極區域。汲極電極124可電性連接至畫素電極131。一閘極絕緣層113可插入於主動層121與閘極電極122之間，且一層間絕緣層115可插入於閘極電極122與源極電極123及汲極電極124之間。
主動層121可包括半導體材料，例如，非晶矽(amorphous silicon，a-Si)或多晶矽(polycrystalline silicon，poly-Si)。然而，本發明概念之實施態樣並不限於此。根據本發明之一實施態樣，主動層121可包括有機半導體材料或氧化物半導體材料。
閘極電極122可電性連接至一閘極線(gate line)，閘極線可向薄膜電晶體TFT施加一接通/關斷訊號(ON/OFF signal)，且閘極電極122可由一低電阻金屬材料形成。舉例而言，閘極電極122可為由一導電材料形成之一單一層或多層(multi-layer)，導電材料包括鉬(molybdenum，Mo)、鋁(aluminum，Al)、銅(copper，Cu)、及/或鈦(titanium，Ti)。
源極電極123及汲極電極124可各自包括由一導電材料形成之一單一層或多層。
根據本發明之一實施態樣，薄膜電晶體TFT可為一頂部閘極型(top gate type)，其中閘極電極122可設置於主動層121上，但本發明概念之實施態樣並不限於此。根據本發明之一實施態樣，薄膜電晶體TFT可為一底部閘極型(bottom gate type)，其中閘極電極122可設置於主動層121下方。
閘極絕緣層113及層間絕緣層115可為由一無機材料形成之一單一層或多層。舉例而言，閘極絕緣層113及層間絕緣層115可包括氧化矽(silicon oxide，SiO2)、氮化矽(silicon nitride，SiNx)、氮氧化矽(silicon oxynitride，SiON)、氧化鋁(aluminum oxide，Al2O3)、氧化鈦(titanium oxide，TiO2)、氧化組(tantalum oxide，Ta2O5)、氧化鉿(hafnium oxide，HfO2)、及/或氧化鋯(zirconium oxide，ZrO2)。
通路絕緣層119可覆蓋薄膜電晶體TFT，且可具有一經平坦化之上表面，以減輕由薄膜電晶體TFT所引起之階差(step difference)。通路絕緣層119可包括一單一層或可包括多層，該單一層或多層係由一有機材料形成。然而，本發明概念之實施態樣並不限於此。根據本發明之一實施態樣，通路絕緣層119可包括一無機絕緣層或可包括無機絕緣層及有機絕緣層之堆疊。
經由形成於通路絕緣層119中之通路孔VIA而電性連接至薄膜電晶體TFT之畫素電極131可設置於通路絕緣層119上。根據本發明之一實施態樣，畫素電極131可電性連接至薄膜電晶體 TFT之汲極電極124。然而，本發明概念之實施態樣並不限於此。
畫素電極131可由一具有高功函數(work function)之材料形成。在基板110之方向上顯示一影像之底部發射型顯示器中，畫素電極131可包括選自以下群組之至少一種透明導電氧化物：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、及氧化鋁鋅(AZO)。
根據本發明之一實施態樣，在相對電極133之方向上顯示一影像之頂部發射型顯示器中，畫素電極131可包括選自以下群組之至少一種透明導電氧化物：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、及氧化鋁鋅(AZO)，且畫素電極131可更包括選自以下群組之至少一金屬反射層：銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、及鉻(Cr)。
畫素界定層140可包括開口140h，以覆蓋畫素電極131之邊緣區域並暴露出畫素電極131之中心區域。畫素界定層140可更包括第一傾斜部140a及第二傾斜部140b，第一傾斜部140a係朝傾斜向畫素電極131之中心區域傾斜，第二傾斜部140b係沿不同於第一傾斜部140a之方向傾斜。第一傾斜部140a可自一區域P1延伸，在區域P1中畫素電極131之上表面係與開口140h接觸。第二傾斜部140b可自第一傾斜部140a在不同於第一傾斜部140a之傾斜方向上朝向一區域P2而延伸，區域P2在通路絕緣層119之上表面上。第一傾斜部140a與第二傾斜部140b之間的邊界可被界定為一在垂直橫截面中具有最大高度之區域。舉例而言，第一傾斜部140a與 第二傾斜部140b之間的邊界可被界定為具有一平行於基板110之上表面的區域。
第一傾斜部140a之上表面可自區域P1在遠離基板110之方向上延伸，在區域P1中畫素電極131之上表面可與開口140h接觸。舉例而言，第一傾斜部140a可具有一橫截面，其中高度係自區域P1向第一傾斜部140a與第二傾斜部140b之間的邊界增大。第二傾斜部140b之上表面可自第一傾斜部140a在朝向基板110之方向上延伸至區域P2，區域P2在通路絕緣層119上。舉例而言，第二傾斜部140b可具有一橫截面，其中高度係自第一傾斜部140a與第二傾斜部140b之間的邊界向區域P2減小。如本文中所使用，遠離基板110之方向及朝向基板110之方向並不僅意指精確垂直於基板110之上表面的方向，而是亦可包括近似垂直於基板110之上表面的方向，包括相對於基板110之上表面以一預定角度傾斜之方向。
畫素界定層140可暴露出畫素電極131之中心區域之上表面，並可覆蓋畫素電極131的除其中心區域外之邊緣區域。畫素界定層140可包括一感光性有機材料，例如，聚醯亞胺(PI)。
畫素界定層140之下表面之一部分可直接接觸畫素電極131之上表面，且畫素界定層140之下表面之剩餘部分可直接接觸通路絕緣層119之上表面。相較於直接接觸通路絕緣層119之上表面之剩餘部分，直接接觸畫素電極131之上表面的畫素界定層140之下表面之部分可具有較大之面積。
畫素電極131之邊緣區域可插入於畫素界定層140之 第一傾斜部140a與通路絕緣層119之間。畫素電極131之邊緣區域亦可插入於畫素界定層140之第二傾斜部140b之至少一部分與通路絕緣層119之間。舉例而言，畫素電極131之端部131a可位於通路絕緣層119與第二傾斜部140b之間。自畫素電極131之上表面上之區域P1至覆蓋有畫素界定層140之畫素電極131之端部131a的距離d1可大於自通路絕緣層119之上表面上之區域P2至畫素電極131之端部131a的距離d2。
根據本發明之一實施態樣，畫素電極131之上表面與第一傾斜部140a之上表面之間的第一夾角θ1可大於通路絕緣層119之上表面與第二傾斜部140b之上表面之間的第二夾角θ2。舉例而言，第一夾角θ1可小於約55°，且第二夾角θ2可小於約35°。第一夾角θ1與第二夾角θ2之差可為約5°或更大。
第一傾斜部140a之上表面相對於畫素電極131之上表面所成之傾斜角可根據在第一傾斜部140a上之位置而變化。第二傾斜部140b之上表面相對於畫素電極131之上表面所成之傾斜角可根據在第二傾斜部140b上之位置而變化。第一夾角θ1可表示在畫素電極131之上表面上之區域P1處之傾斜角，且第二夾角θ2可表示第二傾斜部140b之上表面在通路絕緣層119之上表面上之區域P2處之傾斜角。
有機發射層132可設置於畫素電極131之中心區域上。其上設置有有機發射層132的畫素電極131之中心區域可被稱為一發光區域。畫素電極131之中心區域或發光區域可被界定為畫素電極131未被畫素界定層140覆蓋之區域。
有機發射層132可包括一低分子有機材料或一高分子有機材料。除有機發射層132以外，畫素電極131與相對電極133之間可進一步插入有以下之至少一者：一電洞注入層(hole injection layer，HIL)、一電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)、一電子傳輸層(electron transport layer，ETL)、或一電子注入層(electron injection layer，EIL)。根據本發明之一實施態樣，畫素電極131與相對電極133之間可更設置除前述各層外之各種功能層(functional layer)。
有機發射層132可實質上設置於各有機發光裝置OLED中，且根據有機發光裝置OLED中所包括之有機發射層132之類型，有機發光裝置OLED可發射紅色光、綠色光或藍色光。然而，本發明概念之實施態樣並不限於此，且複數個有機發射層132可設置於一單一有機發光裝置OLED上。舉例而言，分別發射紅色、綠色及藍色之至少二種原色之光的複數個有機發射層132可經垂直堆疊或混合，以發射白色光。有機發光顯示器100可更包括一色彩轉換層(color converting layer)或一濾色片(color filter)，色彩轉換層或濾色片可將白色光轉換成一預定色彩之光。原色紅色、綠色及藍色係實例性的，且因此，用於發射白色光之色彩組合並不限於此。
相對電極133可設置於有機發射層132上，且可由各種導電材料形成。舉例而言，相對電極133可包括一單一層或可包括多個層，單一層或多個層包括以下之至少一者：鋰(lithium，Li)、鈣(calcium，Ca)、氟化鋰(lithium fluoride，LiF)、鋁(Al)、 鎂(Mg)、或銀(Ag)。在底部發射型顯示器中，相對電極133可為一反射電極(reflective electrode)。在頂部發射型顯示器中，相對電極133可為一透明電極或半透明電極。
根據本發明之一實施態樣，一薄膜封裝層150可設置於相對電極133上且可封裝有機發光裝置OLED，薄膜封裝層150包括至少一有機層151及至少一無機層152。薄膜封裝層150可封裝有機發光裝置OLED，且可防止有機發光裝置OLED暴露於外部空氣或外來材料。由於薄膜裝封層150可為相對薄的，薄膜封裝層150可被用作可彎曲或可折疊之一用於撓性顯示器之封裝手段。
根據本發明之一實施態樣，無機層152可包括氧化物、氮化物或氮氧化物，例如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、或氮氧化矽(SiOxNy)。無機層152可阻止或減少例如水分或氧氣等外來材料滲透至有機發光裝置OLED。無機層152可直接接觸基板110之邊緣區域之上表面。無機層152之邊緣區域可接觸基板110之上表面，且無機層152與層間絕緣層115之分離可經減少或防止，此可使得薄膜封裝層150更有效。
薄膜封裝層150之有機層151可設置於相對電極133與無機層152之間，且可阻止或減少例如水分或氧氣等外來材料滲透至有機發光裝置OLED中。有機層151可與無機層152一同使用以提高對外來材料之防護等級，且可平坦化一不平滑的表面。根據本發明之一實施態樣，有機層151可包括各種有機材料之任一者，例如環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂。
根據本發明之一實施態樣，可於相對電極133與薄膜 封裝層150之間進一步設置一功能層(圖中未顯示)及一保護層(protection layer)。功能層可包括一封蓋層(capping layer)及/或一LiF層，用於藉由控制自有機發光裝置OLED所發射之可見光之折射率而提高發光效率。保護層可包括一無機材料，例如氧化鋁(Al2O3)。
第4A圖至第4G圖係例示根據本發明一實施態樣之一種製造第3圖所示有機發光顯示器之方法的剖視圖。
參照第4A圖，薄膜電晶體TFT可形成於基板110上。
緩衝層111可形成在基板110上。一半導體材料層可形成在緩衝層111上，且隨後，半導體材料層可經圖案化以藉此形成主動層121。閘極絕緣層113可形成於主動層121上。一導電材料層可形成在閘極絕緣層113上並經圖案化，以藉此形成閘極電極122。閘極電極122之至少一部分可與主動層121交疊。
層間絕緣層115可經形成以覆蓋閘極電極122。層間絕緣層115及閘極絕緣層113可實質上同時被蝕刻以藉此形成一第一接觸孔C1通路及一第二接觸孔C2通路，在該二個接觸孔中，主動層121之某些區域被暴露出。根據本發明之一實施態樣，主動層121可包括多晶矽(poly-Si)，且藉由第一接觸孔C1及第二接觸孔C2暴露出之主動層121的區域可分別為主動層121之源極區域及汲極區域。
一導電材料層可形成於層間絕緣層115上並經圖案化以藉此形成源極電極123及汲極電極124，源極電極123及汲極電 極124可分別電性連接至主動層121之源極區域及汲極區域。
參照第4B圖，一第一絕緣材料層可覆蓋薄膜電晶體TFT。第一絕緣層可形成於基板110上且經圖案化以藉此形成通路絕緣層119。通路絕緣層119可包括通路孔VIA，薄膜電晶體TFT之汲極電極124之部分可經由通路孔VIA而被暴露出。通路絕緣層119可包括一單一層或可為多層，該單一層或多層由有機材料形成。
參照第4C圖，一導電材料層131'及一第二絕緣材料層140'''可依序形成於通路絕緣層119上。導電材料層131'可包括選自以下群組之至少一種透明導電氧化物：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、及氧化鋁鋅(AZO)。導電材料層131'可更包括一金屬反射層，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、或鉻(Cr)。
第二絕緣材料層140'''可包括一絕緣之感光性有機材料，且可被稱為一感光性有機材料層。感光性有機材料可為一種正型感光性材料，其中被暴露於光之部分可被移除。或者，感光性有機材料可為一種負型感光性材料，其中未被暴露於光之部分可被移除。感光性有機材料可包括一溶劑，以使感光性有機材料能夠藉由向其施加例如熱或紅外線而被回焊。感光性有機材料可例如包括一烯烴系有機材料、一丙烯酸系有機材料、或一醯亞胺系有機材料。舉例而言，感光性有機材料可包括聚醯亞胺(PI)。
可向第二絕緣材料層140'''輻射光，且可根據一所欲圖案而使用一半色調遮罩M來阻擋及透射光。半色調遮罩M可包括 一第一遮罩區域Ma、一第二遮罩區域Mb、一第三遮罩區域Md、及一第四遮罩區域Mc。第一遮罩區域Ma可對應於第3圖所示畫素電極131之發光區域。第二遮罩區域Mb可具有外邊界，外邊界環繞第一遮罩區域Ma且對應於畫素電極131之邊緣。第三遮罩區域Md可對應於第3圖所示通路絕緣層119中導電材料層131'可被移除的區域，例如，通路絕緣層119之其上可不設置畫素電極131之區域。第四遮罩區域Mc可設置於第二遮罩區域Mb與第三遮罩區域Md之間。
第四遮罩區域Mc可沿著第二遮罩區域Mb之輸出邊界而設置以環繞第二遮罩區域Mb。第二遮罩區域Mb之輸出邊界可被界定為第二遮罩區域Mb與第四遮罩區域Mc之間的邊界。
根據本發明之一實施態樣，當第二絕緣材料層140'''包括一正型感光性材料時，第一遮罩區域Ma可透射一部分光，第二遮罩區域Mb可阻擋實質上所有光，第三遮罩區域Md可透射實質上所有光，且第四遮罩區域Mc可透射一部分光。第一遮罩區域Ma之透光度可高於第四遮罩區域Mc之透光度。
根據本發明之一實施態樣，當第二絕緣材料層140'''包括一負型感光性材料時，第一遮罩區域Ma可透射一部分光，第二遮罩區域Mb可透射實質上所有光，第三遮罩區域Md可阻擋實質上所有光，且第四遮罩區域Mc可透射一部分光。第四遮罩區域Mc之透光度可高於第一遮罩區域Ma之透光度。
參照第4C圖及第4D圖，第二絕緣材料層140'''受到透過半色調遮罩M之光輻照的部分可被移除。第二絕緣材料層140''' 可在被移除之前經受一顯影製程。分別對應於第一遮罩區域Ma及第四遮罩區域Mc之第二絕緣材料層140'''的部分可局部地被移除，且對應於第三遮罩區域Md之第二絕緣材料層140'''的部分可實質上完全被移除。
由於第二絕緣材料層140'''之一部分被移除，因而可形成一包括一第一區域140a"、一第二區域140b"及一第三區域140c"之第一絕緣圖案140"。第一絕緣圖案140"可被稱為一第一圖案。
第二區域140b"可對應於第二遮罩區域Mb，且由於第二絕緣材料層140'''對應於第二遮罩區域Mb的部分可實質上未被移除，因而對應於第二遮罩區域Mb之部分可為相對厚的。第一區域140a"可對應於第一遮罩區域Ma，且由於第二絕緣材料層140'''對應第一遮罩區域Ma的部分可局部地被移除，因而對應於第一遮罩區域Ma之部分可薄於第二區域140b"。第三區域140c"可對應於第四遮罩區域Mc，且由於第二絕緣材料層140'''對應於第四遮罩區域Mc的部分可局部地被移除，因而對應於第四遮罩區域之部分可薄於第二區域140b"。
當第二絕緣材料層140'''包括一正型感光性材料時，第一遮罩區域Ma之透光度可高於第四遮罩區域Mc之透光度。當第二絕緣材料層140'''包括一負型感光性材料時，第四遮罩區域Mc之透光度可高於第一遮罩區域Ma之透光度。因此，相較於對應於第四遮罩區域Mc之第二絕緣材料層140'''的部分，對應於第一遮罩區域Ma之第二絕緣材料層140'''的部分可被移除較多。因此，相較於 對應於第一遮罩區域Ma之第二絕緣材料層140'''的部分，對應於第四遮罩區域Mc之第二絕緣材料層140'''的部分可餘留較多，且第三區域140c"可厚於第一區域140a"。因此，第一區域140a"之平均厚度可小於第三區域140c"之平均厚度。
畫素電極131可藉由使用第一絕緣圖案140"作為一硬遮罩來濕蝕刻導電材料層131'而形成。畫素電極131可設置於第一絕緣圖案140"下方，且畫素電極131之側向表面可被暴露。
導電材料層131'可使用第一絕緣圖案140"作為一硬遮罩而被蝕刻。因此，第一絕緣圖案140"中第三區域140c"之一部分之下表面可被暴露。具有經暴露下表面之第三區域140c"的部分可位於一空隙上。舉例而言，畫素電極131之邊緣可相對於第一絕緣圖案140"之邊緣而內縮距離d。距離d可為約0.7微米或更大。距離d可為約2微米或更小。
參照第4D圖及第4E圖，第一絕緣圖案140"之一部分可經移除從而暴露出畫素電極131之發光區域之上表面。舉例而言，第一絕緣圖案140"可經受一灰化製程，且因此，第一絕緣圖案140"之厚度可減小。舉例而言，透過灰化製程，第一絕緣圖案140"之第一區域140a"可被完全移除，且因此，覆蓋有第一區域140a"的畫素電極131之發光區域之上表面可被暴露。當第一絕緣圖案140"之第一區域140a"被移除時，第一絕緣圖案140"之第二區域140b"及第三區域140c"亦可被移除。然而，由於第二區域140b"及第三區域140c"可厚於第一區域140a"，因而第二區域140b"及第三區域140c"可不被完全移除。
因此，一第二絕緣圖案140'可經形成以暴露出畫素電極131之發光區域之上表面。第二絕緣圖案140'可被稱為一第二圖案。第二絕緣圖案140'之第一部分140b'可對應於第一絕緣圖案140"之第二區域140b"局部地被移除之後可餘留之部分。第二絕緣圖案140'之第二部分140c'可對應於第一絕緣圖案140"之第三區域140c"局部地被移除之後可餘留之部分。第二絕緣圖案140'可覆蓋畫素電極131之邊緣區域，且可暴露出畫素電極131之側向表面。
參照第4E圖及第4F圖，可藉由對第二絕緣圖案140'進行回焊來形成覆蓋畫素電極131側向表面或端部131a之畫素界定層140。畫素界定層140可暴露出畫素電極131之發光區域，並覆蓋畫素電極131之邊緣區域及側向表面。
第二絕緣圖案140'可藉由施加例如熱或紅外線而被熱回焊。為執行一回焊製程，可將包括第二絕緣圖案140'之基板110設置於一熱板上。由於熱板自基板110向上遞送熱，因而第二絕緣圖案140'之第二部分140c'可沿著導電圖案131之側向表面流動。回焊製程亦可藉由在一烘箱內加熱包括第二絕緣圖案140'之基板110或以紅外線輻照包括第二絕緣圖案140'之基板110而執行。
當畫素電極131之端部131a被暴露時，短路可能會發生在畫素電極131與藉由不同製程而形成之第4G圖所示相對電極133之間。根據本發明之一實施態樣，覆蓋畫素電極131端部131a之畫素界定層140可藉由回焊第二絕緣圖案140'而形成。因此，在根據本發明一實施態樣之一種製造有機發光顯示器100之方法中，可使用一單一遮罩來形成畫素電極131、以及覆蓋畫素電極131 邊緣區域及側向表面之畫素界定層140。因此，製造成本可降低，且製造製程可簡化，而此又可使加工時間減少。
參照第4G圖，有機發光層132可形成在畫素電極131之發光區域上。發光區域可為未經畫素界定層140覆蓋之畫素電極131的一區域。
相對電極133可形成在有機發光層132及畫素界定層140上。相對電極133亦可形成在通路絕緣層119之一經暴露區域上，該經暴露區域可為通路絕緣層119未經畫素電極131及畫素界定層140覆蓋的區域。相對電極133上可形成包括至少一有機層151及至少一無機層152之第3圖所示薄膜封裝層150。
第5A圖係例示根據本發明一實施態樣之一用於製造有機發光顯示器之半色調遮罩的平面圖。第5B圖係例示根據本發明一實施態樣之一畫素電極的放大剖視圖。
參照第5A圖，其例示用於形成第3圖所示畫素電極131及第3圖所示畫素界定層140之半色調遮罩M。畫素電極131可經由形成於第3圖所示通路絕緣層119中之通路孔VIA而電性連接至薄膜電晶體TFT。
半色調遮罩M可包括一第一遮罩區域Ma、一第二遮罩區域Mb、一第三遮罩區域Md、及一第四遮罩區域Mc。第一遮罩區域Ma可對應於畫素電極131之發光區域。第二遮罩區域Mb可具有外邊界，外邊界環繞第一遮罩區域Ma且對應於畫素電極131之邊緣。第三遮罩區域Md可對應於第3圖所示通路絕緣層119中導 電材料層131'可被移除的區域，例如，通路絕緣層119之其上不設置畫素電極131之區域。第四遮罩區域Mc可沿著第二遮罩區域Mb之輸出邊界而設置於第二遮罩區域Mb與第三遮罩區域Md之間，以環繞第二遮罩區域Mb。
畫素電極131之邊緣可與第三遮罩區域Md交疊。由於畫素電極131可藉由蝕刻而形成，因而畫素電極131之邊緣可自第三遮罩區域Md之外邊界內縮一特定距離。
參照第5B圖，畫素電極131上之第二絕緣圖案140'及畫素界定層140可彼此交疊。
在藉由使用半色調遮罩M向第4C圖所示第二絕緣材料層140'''輻射光之後，可移除第4C圖所示第二絕緣材料層140'''之一部分，且因此，可形成第4D圖所示第一絕緣圖案140"。當使第4D圖所示第一絕緣圖案140"經受灰化時，可形成第二絕緣圖案140'。當第二絕緣圖案140'被回焊時，可形成畫素界定層140。
第二絕緣圖案140'可由第二絕緣材料層140'''形成，第二絕緣材料層140'''包括一具有一溶劑之感光性有機材料。當第二絕緣圖案140'藉由向其施加熱或紅外線而被回焊時，感光性有機材料內之溶劑可被移除，且實質上同時，第二絕緣圖案140'之體積可收縮。參照第5A圖，第二絕緣圖案140'可具有一炸甜圈(donut)形狀，且第二絕緣圖案140'之內徑可在體積收縮期間減小。
第二絕緣圖案140'之一厚部分可在體積收縮期間受到一強收縮力。若第二絕緣圖案140'實質上僅包括一厚部分而不具 有一薄部分，則第二絕緣圖案140'可因強收縮力而向內移動，且可因經回焊之第二絕緣圖案140'之表面張力而不能覆蓋畫素電極131之側向表面。當實質上僅包括一厚部分之第二絕緣圖案140'因回焊而被熔化時，熔化之第二絕緣圖案140'可能斷裂，且實質上同時，可能會在畫素電極131之側向表面上產生空隙。
根據本發明之一實施態樣，如第5B圖所示，第二絕緣圖案140'可包括一厚部分及一位於厚部分以外之薄部分。相較於第二絕緣圖案140'之厚部分，第二絕緣圖案140'之一薄部分可受到較弱的收縮力。此外，由於第二絕緣圖案140'之薄部分可為相對薄的，薄部分可在厚部分之前因回焊而熔化。由於一鄰接第二絕緣圖案140'之薄部分的空間可為空的，因而當開始一回焊製程時，第二絕緣圖案140'之薄部分因重力作用而可沿著畫素電極131之側向表面流動或可覆蓋畫素電極131之側向表面。因此，根據本發明之一實施態樣，畫素電極131之側向表面可因第二絕緣圖案140'之薄部分而被完全覆蓋。因此，可防止在藉由不同製程而形成之第3圖所示相對電極133與畫素電極131側向表面或端部131a之間的短路。
儘管已參照圖式闡述了本發明之一或多個實施態樣，然而，此項技術領域中具有通常知識者將理解，可在不背離本發明之精神及範圍之情形下，在形式及細節上對本發明作出各種改變。
100‧‧‧有機發光顯示裝置/有機發光顯示器
110‧‧‧基板
111‧‧‧緩衝層
113‧‧‧閘極絕緣層
115‧‧‧層間絕緣層
119‧‧‧通路絕緣層
121‧‧‧主動層
122‧‧‧閘極電極
123‧‧‧源極電極
124‧‧‧汲極電極
131‧‧‧畫素電極
131a‧‧‧端部
132‧‧‧有機發射層
133‧‧‧相對電極
140‧‧‧畫素界定層
140a‧‧‧第一傾斜部
140b‧‧‧第二傾斜部
140h‧‧‧開口
150‧‧‧薄膜封裝層
151‧‧‧有機層
152‧‧‧無機層
d1、d2‧‧‧距離
OLED‧‧‧有機發光裝置
P1、P2‧‧‧區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體
VIA‧‧‧通路孔
θ1‧‧‧第一夾角
θ2‧‧‧第二夾角

Claims (16)

  1. 一種形成一導電圖案之方法，包含：在一基板上形成一用於形成該導電圖案之導電材料層；在該導電材料層上形成一感光性有機材料層(photosensitive organic material layer)；透過一半色調遮罩(halftone mask)來輻照該感光性有機材料層，該半色調遮罩包括：一第一遮罩區域，具有一對應於該導電圖案之邊緣之邊界；一第二遮罩區域；一第三遮罩區域，設置於該第一遮罩區域與該第二遮罩區域之間；以及一第四遮罩區域，對應於該第一遮罩區域中的該導電圖案的一中央區域；藉由部分移除該感光性有機材料層來形成一第一圖案，該第一圖案包括：一第一區域，對應於該第一遮罩區域且具有一第一厚度；一第二區域，對應於該第三遮罩區域且具有一小於該第一厚度之第二厚度；以及一第三區域，對應於該第四遮罩區域並具有小於該第一區域中的該第二厚度的一第三厚度；使用該第一圖案作為一硬遮罩(hard mask)來蝕刻該導電材料層，並形成該導電圖案，該導電圖案配置於該第一圖案下方且具有經暴露之側向表面(exposed lateral surface)；部分灰化(ashing)該第一圖案，以形成暴露出該導電圖案之該經暴露區域之上表面的第二圖案，部分灰化該第一圖案的步驟包含移除該第一圖案的該第一區域以及保留至少一部份的該第一圖案的該第三區域；以及藉由回焊(reflow)該第二圖案來形成一第三圖案，該第三圖案覆蓋該導電圖案之該側向表面。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該第三遮罩區域係沿著該第一遮罩區域之邊界設置且環繞該第一遮罩區域。
  3. 如請求項1所述之方法，其中蝕刻該導電材料層之步驟包含暴露出該第一圖案之該第二區域之下表面之一部分。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該導電圖案之邊緣係相對於該第一圖案之邊緣而內縮(indented)。
  5. 如請求項1所述之方法，其中部分移除該感光性有機材料層之步驟包含完全移除該感光性有機材料層中對應於該第二遮罩區域之一第一部分，並局部地移除該感光性有機材料層中對應於該第三遮罩區域之一第二部分。
  6. 如請求項1所述之方法，其中形成該第三圖案之步驟包含藉由使該第一圖案之一部分沿著該導電圖案之該側向表面流動(flow)而覆蓋該導電圖案之該側向表面。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該第一圖案的該第三區域之平均厚度係小於該第一圖案的該第二區域之平均厚度。
  8. 一種製造一顯示裝置之方法，包含：在一基板上形成一薄膜電晶體；形成一覆蓋該薄膜電晶體之通路絕緣層(via insulating layer)；在該通路絕緣層上形成一用於形成一畫素電極之導電材料層；在該導電材料層上形成一感光性有機材料層；透過一半色調遮罩來輻照該感光性有機材料層，該半色調遮罩包括：一第一遮罩區域，對應於該畫素電極之一發光區域；一第二遮罩區域，環繞該第一遮罩區域且具有一對應於該畫素電極 之邊緣之外邊界；一第三遮罩區域；以及一第四遮罩區域，設置於該第二遮罩區域與該第三遮罩區域之間；部分移除該感光性有機材料層，以形成一第一圖案，該第一圖案包括：一第一區域，對應於該第一遮罩區域且具有一第一厚度；一第二區域，對應於該第二遮罩區域且具有一大於該第一厚度之第二厚度；以及一第三區域，對應於該第四遮罩區域且具有一大於該第一厚度且小於該第二厚度之第三厚度；使用該第一圖案作為一硬遮罩來蝕刻該導電材料層，以形成該畫素電極，該畫素電極配置於該第一圖案下方且具有經暴露之側向表面；灰化該第一圖案之一部分，以形成一第二圖案，以使該畫素電極之該發光區域之上表面經由該第二圖案而被暴露出，灰化該第一圖案的一部份的步驟包含移除該第一圖案的該第一區域以及保留至少一部份的該第一圖案的該第三區域；以及回焊該第二圖案，以形成一畫素界定層，該畫素界定層暴露出該畫素電極之該發光區域並覆蓋該畫素電極之該側向表面。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該第四遮罩區域係沿著該第二遮罩區域之外邊界設置以環繞該第二遮罩區域。
  10. 如請求項8所述之方法，其中蝕刻該導電材料層之步驟包含暴露出該第一圖案之該第三區域之下表面之一部分。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該畫素電極之邊緣係相對於該第一圖案之邊緣而內縮。
  12. 如請求項8所述之方法，其中該第一圖案的該第一區域之平均厚度係小於該第一圖案的該第三區域之平均厚度。
  13. 如請求項8所述之方法，其中部分移除該感光性有機材料層之步驟包含局部地移除該感光性有機材料層中對應於該第一遮罩區域及該第四遮罩區域之區域，並完全移除該感光性有機材料層中對應於該第三遮罩區域之區域。
  14. 如請求項8所述之方法，其中回焊該第二圖案之步驟包含藉由使該第二圖案之一部分沿著該畫素電極之該側向表面流動而覆蓋該畫素電極之該側向表面。
  15. 如請求項8所述之方法，更包含：在該畫素電極之該發光區域上形成一有機發射層；以及在該有機發射層及該畫素界定層上形成一相對電極(opposite electrode)。
  16. 如請求項15所述之方法，更包含在該相對電極上形成一薄膜封裝層(thin-film encapsulation layer)，該薄膜封裝層包含至少一無機層及至少一有機層。
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