JP2013152530A - 導電パターン基板、タッチパネルセンサ、導電パターン基板の製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法 - Google Patents

導電パターン基板、タッチパネルセンサ、導電パターン基板の製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】確実に接続された第1導電パターンと第2導電パターンとを備えた導電パターン基板を提供する。
【解決手段】導電パターン基板10の製造方法は、基板11上に第1導電パターン12を形成する第1導電パターン形成工程と、第1導電パターン12に電気的に接続される第2導電パターン15を形成する第2導電パターン形成工程と、を備えている。第1導電パターン形成工程は、第1導電層21を設ける工程と、第1導電層21上にレジストパターン23を設ける工程と、レジストパターン23をマスクとして第1導電層21をウェットエッチングする工程と、レジストパターン23を加熱する工程と、レジストパターン23をマスクとして、第1導電層21をさらにウェットエッチングする工程と、を有している。また第2導電パターン形成工程において、第2導電パターン15は、第1導電パターン2の端部13を少なくとも部分的に覆うよう形成される。
【選択図】図2

Description

本発明は、互いに電気的に接続された複数の導電パターンを含む導電パターン基板および導電パターン基板の製造方法に関する。また本発明は、取出パターンと、取出パターンに電気的に接続された検出パターンとを備えたタッチパネルセンサおよびタッチパネルセンサの製造方法に関する。
従来、基板と、基板上に所定パターンで設けられた第1導電パターンと、第1導電パターンに電気的に接続された第2導電パターンと、を備えた導電パターン基板が知られている。例えば、基板と、基板上に所定パターンで設けられた取出パターンと、取出パターンに電気的に接続された検出パターンと、を備えたタッチパネルセンサが知られている。ここで検出パターンは、外部導体の接近を検知するためのパターンであり、取出パターンは、検出パターンからの信号をタッチパネルセンサの外部へ伝達させるためのパターンである。
上述のタッチパネルセンサにおいて、取出パターンは、一般に、高い導電率を有する金属材料から構成されており、一方、検出パターンは、一般に、透明性を有する透明導電材料から構成されている。このようなタッチパネルセンサの製造方法においては、例えば、はじめに、基板上に金属層を設け、次に、フォトリソグラフィー法によって金属層をパターニングし、これによって基板上に取出パターンを形成する。次に、基板上に検出パターンを、検出パターンが取出パターンに電気的に接続されるよう形成する。検出パターンを形成する方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
特開2010−160745号公報
取出パターンを形成するためのフォトリソグラフィー法においては、はじめに、金属層上にレジスト層を設け、次に、レジスト層を露光・現像することによってレジストパターンを形成する。その後、金属層のうちレジストパターンによって覆われていない部分をエッチングによって除去する。エッチング方法としては例えばウェットエッチングが用いられる。
ウェットエッチングにおいては一般に、金属層のうちレジストパターンによって覆われていない部分を完全に除去するため、エッチング時間が、金属層をその厚み分だけエッチングすること、いわゆるジャストエッチングに要する時間(以下、ジャストエッチング時間と称する)よりも長くなるよう設定される。このようにジャストエッチング時間よりも長くエッチングが実施される場合、金属層は、レジストパターンによって覆われていない部分だけでなく、レジストパターンによって覆われている部分も、側方からのエッチングによって部分的に除去されることがある。この場合、レジストパターンによって覆われている部分のうち厚み方向においてレジストパターンから離れた部分ほどより多く除去され、この結果、得られる取出パターンの端部が逆テーパ状になることが考えられる。
ここで、検出パターンを形成する方法として、スパッタリング法などの、基板の略法線方向に沿って基板に向けて検出パターンの材料となる物質を飛翔させ、これによって物質を基板に付着させる方法が用いられる場合について考える。この場合、原則として物質は、取出パターンの逆テーパ状の端部と基板との間の空間には到達できない。この結果、取出パターンの逆テーパ状の端部は、側方向において検出パターンと接触することができないことになる。このため、取出パターンと検出パターンとの間における電気的な接続が不安定になることが考えられる。
本発明は、このような課題を効果的に解決し得る導電パターン基板、タッチパネルセンサ、導電パターン基板の製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、基板を準備する工程と、前記基板上に、導電性を有する第1導電パターンを形成する第1導電パターン形成工程と、前記基板上に、前記第1導電パターンに電気的に接続され、導電性を有する第2導電パターンを形成する第2導電パターン形成工程と、を備え、前記第1導電パターン形成工程は、前記基板上に、導電性を有する第1導電層を設ける工程と、前記第1導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第1導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第1焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第1焼成工程と、前記第1焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第2エッチング工程と、を有し、前記第2導電パターン形成工程において、前記第2導電パターンは、前記第1導電パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、導電パターン基板の製造方法である。
本発明による導電パターン基板の製造方法において、好ましくは、前記第1エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第1導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される。
本発明による導電パターン基板の製造方法において、前記第2エッチング工程は、前記第1導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施されてもよい。この場合、前記第1導電パターン形成工程は、前記第2エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第2焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第2焼成工程と、前記第2焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第3エッチング工程と、をさらに有していてもよい。
本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、導電性を有する第1導電パターンと、前記基板上に設けられるとともに前記第1導電パターンに電気的に接続され、導電性を有する第2導電パターンと、を備え、
前記第1導電パターンは、前記第2導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、前記端部は、前記第2導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた接続面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面と、前記接続面に隣接する第1隣接面と、を含み、前記接続面と前記第1隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面が延びる方向と前記第1隣接面が延びる方向とが異なっている、導電パターン基板である。
本発明による導電パターン基板において、前記端部は、前記接続面または前記第1隣接面に隣接する第2隣接面をさらに含んでいてもよい。この場合、前記接続面または前記第1隣接面と前記第2隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面または前記第1隣接面が延びる方向と前記第2隣接面が延びる方向とが異なっている。
本発明は、基板を準備する工程と、前記基板上に、導電性を有する取出パターンを形成する取出パターン形成工程と、前記基板上に、前記取出パターンに電気的に接続され、導電性を有する検出パターンを形成する検出パターン形成工程と、を備え、前記取出パターン形成工程は、前記基板上に、導電性を有する第1導電層を設ける工程と、
前記第1導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第1導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第1焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第1焼成工程と、前記第1焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第2エッチング工程と、を有し、前記検出パターン形成工程において、前記検出パターンは、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、タッチパネルセンサの製造方法である。
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、好ましくは、前記第1エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第1導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される。
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記第2エッチング工程は、前記第1導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施されてもよい。この場合、前記第1取出パターン形成工程は、前記第2エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第2焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第2焼成工程と、
前記第2焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第3エッチング工程と、をさらに有していてもよい。
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記検出パターンは、所定の方向に沿って並べられた複数の電極部であって、少なくとも1つの電極部が前記取出パターンに電気的に接続された、複数の電極部と、隣り合う2つの前記電極部を接続するブリッジ部と、を有していてもよい。
この場合、前記検出パターン形成工程は、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも1つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する第1工程と、隣り合う2つの前記電極部を接続するようブリッジ部を形成する第2工程と、を有していてもよい。
若しくは、前記検出パターン形成工程は、前記ブリッジ部を形成する第1工程と、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも1つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する電極部形成工程であって、隣り合う2つの前記電極部が前記ブリッジ部によって接続されるよう複数の前記電極部を形成する、第2工程と、を有していてもよい。この場合、前記第1工程は、前記取出パターン形成工程の前記第1焼成工程の後、前記基板上にブリッジ部用導電層を設ける工程と、前記ブリッジ部用導電層をウェットエッチングし、これによって前記ブリッジ部を形成するブリッジ部用エッチング工程と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記取出パターン形成工程の前記第2エッチング工程が、前記検出パターン形成工程の前記第1工程の前記ブリッジ部用エッチング工程と同時に実施される。
本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、導電性を有する取出パターンと、前記基板上に設けられるとともに前記取出パターンに電気的に接続され、導電性を有する検出パターンと、を備え、
前記取出導電パターンは、前記検出導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、前記端部は、前記検出パターンによって少なくとも部分的に覆われた接続面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面と、前記接続面に隣接する第1隣接面と、を含み、前記接続面と前記第1隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面が延びる方向と前記第1隣接面が延びる方向とが異なっている、タッチパネルセンサである。
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記端部は、前記接続面または前記第1隣接面に隣接する第2隣接面をさらに含んでいてもよい。この場合、前記接続面または前記第1隣接面と前記第2隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面または前記第1隣接面が延びる方向と前記第2隣接面が延びる方向とが異なっている。
本発明によれば、第1導電パターン形成工程は、レジストパターンをマスクとして第1導電層を、その端部が、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第1エッチング工程と、第1エッチング工程の後、レジストパターンを加熱する第1焼成工程であって、加熱に起因する流動によってレジストパターンの端部が外方に変位する、第1焼成工程と、を有している。このため、第1導電パターンの端部は、少なくとも部分的に、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を含むことができる。このことにより、第1導電パターンと、その後に形成される第2導電パターンとの間における電気的な接続を確保することができる。また第1導電パターン形成工程は、第1焼成工程の後、レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第2エッチング工程をさらに有している。これによって、第1導電パターンの端部が、第2導電パターンが形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
図1は、本発明の第1の実施の形態における導電パターン基板を示す断面図。 図2は、図1に示す第1導電パターンの端部を拡大して示す断面図。 図3は、図2に示す第1導電パターンの端部の各面が延びる方向を示す図。 図4は、本発明の第1の実施の形態において、導電パターン基板の製造方法を示すフローチャート。 図5Aは、第1導電層上にレジスト層を設ける工程を示す図。 図5Bは、レジスト層を露光・現像してレジストパターンを形成する工程を示す図。 図5C(a)(b)は、第1導電層をウェットエッチングする工程を示す図。 図5Dは、レジストパターンを加熱する工程を示す図。 図5Eは、第1導電層をさらにウェットエッチングする工程を示す図。 図5Fは、第2導電パターンを形成する工程を示す図。 図6Aは、比較の形態において、第1導電層をウェットエッチングする工程を示す図。 図6Bは、比較の形態において、第2導電パターンを形成する工程を示す図。 図7Aは、第1の実施の形態の変形例における第2エッチング工程を示す図。 図7Bは、第1の実施の形態の変形例における第2焼成工程を示す図。 図7Cは、第1の実施の形態の変形例における第3エッチング工程を示す図。 図8は、第1導電パターンの第1の変形例を示す図。 図9は、第1導電パターンの第2の変形例を示す図。 図10は、第1導電パターンの第3の変形例を示す図。 図11は、本発明の第2の実施の形態におけるタッチパネルセンサを示す平面図。 図12は、図11に示すタッチパネルセンサをXII−XII方向から見た縦断面図。 図13は、図11に示すタッチパネルセンサをXIII−XIII方向から見た縦断面図。 図14は、取出パターンの端部を拡大して示す断面図。 図15は、本発明の第2の実施の形態において、タッチパネルセンサの製造方法を示すフローチャート。 図16Aは、第1導電層をパターニングして取出パターンを形成する工程を示す図。 図16Bは、電極部および第1ブリッジ部を形成する工程を示す図。 図16Cは、絶縁層を形成する工程を示す図。 図16Dは、第2ブリッジ部を形成する工程を示す図。 図16Eは、オーバーコート層形成する工程を示す図。 図17は、本発明の第3の実施の形態におけるタッチパネルセンサを示す断面図。 図18は、本発明の第3の実施の形態において、タッチパネルセンサの製造方法を示すフローチャート。 図19は、本発明の第3の実施の形態の変形例において、タッチパネルセンサの製造方法を示すフローチャート。 図20Aは、第1エッチング工程および第1焼成工程後の第1導電層およびレジストパターンを示す図。 図20Bは、ブリッジ部用導電層およびブリッジ部用導電層上のレジストパターンを形成する工程を示す図。 図20Cは、ブリッジ部用導電層をウェットエッチングして第2ブリッジ部を形成する工程を示す図。 図20Dは、第2ブリッジ部上に絶縁層を形成する工程を示す図。 図20Eは、電極部、第1ブリッジ部およびオーバーコート層を形成する工程を示す図。
第1の実施の形態
以下、図1乃至図5Fを参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。まず図1乃至図3により、本実施の形態における導電パターン基板10について説明する。
導電パターン基板
図1は、導電パターン基板10を示す断面図である。図1に示すように、導電パターン基板10は、基板11と、基板11上に設けられ、導電性を有する第1導電パターン12と、基板11上に設けられるとともに第1導電パターン12に接続され、導電性を有する第2導電パターン15と、を備えている。図1に示すように、第1導電パターン12は、第2導電パターン15によって少なくとも部分的に覆われた端部13を有しており、この端部13を介して、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間における電気的な接続が確保されている。ここで「端部」は、第1導電パターン12のうち基板11に向かって延びる面を有する部分として定義される。
基板11を構成する材料としては、光透過性を有する材料が用いられ、例えばガラスやポリマー等が用いられる。第1導電パターン12を構成する材料は、導電性を有する限りにおいて特には限定されないが、例えば、高い導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。第1導電パターン12を構成する金属材料としては、アルミニウム(Al)、モリブデン、パラジウム、銀(Ag)、銅等の金属及びそれらを主成分とする合金、あるいはそれら合金を含む積層体が用いられる。このうち銀を含む合金の例としては、銀、パラジウム、銅を含んでなるAPC合金が挙げられる。また銅を含む合金の例としては、マグネシウムを4at%含む銅合金が挙げられる。第2導電パターン15を構成する材料も、導電性を有する限りにおいて特には限定されないが、例えば、導電性および透光性を有する透明導電材料が用いられる。第2導電パターン15を構成する透明導電材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が2種以上複合されてもよい。
次に図2および図3を参照して、第1導電パターン12の端部13の構造について詳細に説明する。図2は、図1に示す第1導電パターン12の端部13を拡大して示す断面図であり、図3は、図2に示す第1導電パターン12の端部13を拡大して示す図である。図2において、第1導電パターン12の厚みが符号tで示されており、第2導電パターン15の厚みが符号tで示されている。図2に示す例においては、第1導電パターン12の厚みtが第2導電パターン15の厚みtよりも大きくなっている。
図2に示すように、第1導電パターン12の端部13は、接続面13aと、接続面13aに隣接するとともに基板11に向かって延びる第1隣接面13bと、を含んでいる。ここで接続面13aは、端部13に含まれる複数の面のうち、第2導電パターン15と接しており、かつ最も基板11側に位置している面として定義される。図2に示す例において、接続面13aは、第1導電パターン12の上面(基板11と反対側に位置する面)から基板11に向かって延びる面となっている。図2において、接続面13aと基板11との間の最短距離が符号hによって示されている。
接続面13aは、図2に示すように、基板11との間の距離が小さくなるにつれて外方に移行する領域を有する面、いわゆる順テーパ状の面となっている。一方、第1隣接面13bは、基板11との距離が小さくなるにつれて内方に移行する領域を有する面、いわゆる逆テーパ状の面となっている。接続面13aを少なくとも部分的に順テーパ状の面とすることにより、図2に示すように、接続面13aを、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面とすることができる。また図2に示すように、接続面13aと基板11との間の最短距離hは、第2導電パターン15の厚みtよりも小さくなっている。このため、第1導電パターン12が形成された後に第2導電パターン15が形成される場合であって、かつ、第1導電パターン12の厚みtが第2導電パターン15の厚みtよりも大きくなっている場合であっても、第1導電パターン12と第2導電パターン15とを接続面13aにおいて確実に接触させることができる。このことにより、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続を確保することができる。
なお「基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する」とは、図3に示すように接続面13aの一部分から基板の外方に向かって基板11の法線方向に平行に延びる矢印Nを描いた場合に、この矢印Nが、第1導電パターン12の他の部分に衝突することがない、ということを意味している。ここで「外方」とは、基板11から遠ざかる方向を意味している。
第1導電パターン12の端部13に、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出している接続面13aが存在しているかどうかを判断するための方法が特に限られることはなく、パターンの端部の形状を観察するための一般的な方法が用いられる。例えば、走査型電子顕微鏡や高倍率の光学顕微鏡を用いて第1導電パターン12の端部13を観察し、これによって上述の接続面13aが存在しているかどうかを判断することができる。この際の観察方向は、基板11の法線方向に平行な方向に特に限られることはなく、様々な方向からの観察を採用することができる。
次に図3を参照して、接続面13aと第1隣接面13bとの関係について説明する。図3において、接続面13aと第1隣接面13bとの間の境界部分(境界線)が符号13cで示されている。図3に示すように、境界部分13cにおいて、接続面13aが延びる方向Taと、第1隣接面13bが延びる方向Tbとは異なっている。すなわち境界部分は、面が延びる方向が非連続的に変化する部分として定義される。端部13に含まれる複数の面は、このような境界部分を境として、異なる面として定義される。
積層パターン基板の製造方法
次に図4および図5A〜Fを参照して、導電パターン基板10の製造方法について説明する。図4は、導電パターン基板10の製造方法を示すフローチャートである。
はじめに基板11を準備し(工程S11)、次に、基板11上に、導電性を有する第1導電層21を設ける(工程S12)。この第1導電層21は、パターニングされて第1導電パターン12となる層である。第1導電層21は、第1導電パターン12を構成するための金属材料からなっている。
(第1導電パターン形成工程)
以下、第1導電層21をパターニングして第1導電パターン12を形成する第1導電パターン形成工程について説明する。はじめに、第1導電層21上にレジスト層25を設ける(工程S13)。これによって、図5Aに示すように、第1導電層21およびレジスト層25が設けられた基板11が準備される。レジスト層25を構成する材料としては、光溶解型の感光性材料が用いられる。例えば、ノボラック樹脂をベースとしたポジ型感光性樹脂材料などが用いられ得る。なお、レジスト層25を設けた後、レジスト層25に対して加熱処理(プリベーク)が実施されてもよい。
次に、レジスト層25に対する露光・現像処理を実施し、これによって、レジスト層25をパターニングしてレジストパターン23を形成する(工程S14)。露光処理においては、例えば、レジスト層25のうち後に形成される第1導電パターン12に対応する部分には光を照射せず、その他の部分には光を照射するよう構成された露光装置(図示せず)が用いられる。図5Bは、形成されたレジストパターン23を示す図である。レジストパターン23は、後に形成される第1導電パターン12に対応するパターンを有している。
次に図5C(a)(b)に示すように、レジストパターン23をマスクとして第1導電層21をウェットエッチングする(第1エッチング工程S15)。この第1エッチング工程においては、第1導電層21の端部22が、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第1面22aを有するようウェットエッチングが実施される。なお「基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する」とは、上述の接続面13aの場合と同様に、第1面22aの一部分から基板の外方に向かって基板11の法線方向に平行に延びる矢印Nを描いた場合に、この矢印Nが、第1導電層21の他の部分に衝突することがない、ということを意味している。このような第1面22aが第1導電層21の端部22に存在しているかどうかの判断方法においても、上述の接続面13aの場合と同様の方法が用いられ得る。用いられるエッチング液は、第1導電層21を構成する材料に応じて適宜選択される。例えば第1導電層21を構成する金属がアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を容積比で5:5:5:1の割合で配合してなる燐硝酢酸(水)をエッチング液として用いることができる。また、第1導電層21が銀またはその合金からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を容積比で5:1:5:5の割合で配合してなる燐硝酢酸(水)をエッチング液として用いることができる。
以下、第1エッチング工程において、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第1面22aが形成されるようウェットエッチングを実施するための方法の一例について説明する。ここでは、エッチング時間を適切に設定することによって上述の第1面22aを形成する方法について説明する。
第1エッチング工程におけるエッチング時間は、第1導電層21をその厚みt分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間(ジャストエッチング時間、以下JET)よりも短くなるよう設定される。すなわちエッチング時間がJET−αに設定される。ここでJETは、レジストパターン23のような、第1導電層21に対するエッチング液の接触を阻害する部材が存在しない場合を仮定し、そのような場合に第1導電層21をその厚みt分だけエッチングすることに要する時間として定義される。
第1エッチング工程においては、第1導電層21上にレジストパターン23が存在しているため、レジストパターン23によって覆われている第1導電層21がエッチング液から保護されるとともに、レジストパターン23の近傍においてエッチング液の流動性が阻害される。この場合、レジストパターン23によって覆われていない第1導電層21において、レジストパターン23の端部24近傍に位置する部分は、端部24から離れた位置にある部分に比べて、エッチング液に溶解し難くなっている。このため、図5C(b)に示すように、第1エッチング工程におけるエッチング時間をJET−αに設定することによって、順テーパ状の部分(第1面22a)を有する端部22を形成することができる。なおエッチング時間がJET−αに設定されているため、図5C(b)に示すように、第1導電層21のうちレジストパターン23によって覆われていなかった部分にも残渣21aが残っている。また図5C(b)に示すように、第1導電層21の端部22には、レジストパターン23の真下の部分が除去されること、いわゆるアンダーカットや、側方からエッチングされること、いわゆるサイドエッチなどの影響による形状が形成されることもある。
上記αは、JETの絶対値、第1導電層21の厚み、用いられるエッチング液や第1面22aの所望の形状などに応じて適宜設定されるが、例えば、0〜60秒の範囲内、より好ましくは20〜30秒の範囲内に設定される。
次に、レジストパターン23を加熱する(第1焼成工程S16)。この第1焼成工程における加熱温度は、加熱によってレジストパターン23が流動性を有するようになり、この結果、図5Dに示すように、加熱に起因する流動によってレジストパターン23の端部24が外方に変位するよう、設定されている。図5Dにおいて、第1焼成工程における流動によって端部24が外方に変位することにより形成された第1拡張部が符号24aで示されている。図5Dに示すように、レジストパターン23の端部24の第1拡張部24aは、第1導電層21の端部22の第1面22aを部分的に覆っている。
レジストパターン23の端部24を流動によって若干外方へ変位させることは、第1焼成における加熱温度を適切に設定することにより実現され得る。例えば、第1焼成工程における加熱温度は、レジストパターン23を焼き固めるために実施される一般的なポストベーク処理における加熱温度よりも低く設定される。例えば、レジストパターン23の材料として、230℃よりも高い温度でポストベーク処理が実施されるような材料が用いられる場合、第1焼成工程における加熱温度が180〜230℃の範囲内に設定される。これによって、レジストパターン23に所望の流動性を付与することができる。
次に、第1焼成工程によって加熱された後のレジストパターン23をマスクとして第1導電層21をさらにウェットエッチングする(第2エッチング工程S17)。これによって、図5Eに示すように、第1導電層21の端部22の第1面22aのうちレジストパターン23の端部24の第1拡張部24aによって覆われていない部分がエッチングされる。このように再度ウェットエッチングを実施することにより、第1導電層21のうち後に第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在している部分を部分的に除去することができる。
図5Eにおいて、第2エッチング工程におけるエッチングによって形成された面(第2面)が符号22bで示されている。また、第1面22aと第2面22bとの間の境界部分が符号22cで示されている。上述のように、第1導電層21の端部22において、第1面22aおよび第2面22bは、異なるエッチング工程によって形成された面となっている。このため、第1面22aおよび第2面22bは、境界部分22cにおいて面が延びる方向が互いに異なる、非連続な面となっている。このように複数回のエッチング工程によって第1導電層21をパターニングすることにより、互いに非連続な複数の面を含む端部22を形成することができる。
その後、第1導電層21上に残っているレジストパターン23を除去する(工程S18)。これによって、図2および図3に示す端部13を有する第1導電パターン12を得ることができる。なお図2および図3と図5Eとの比較から明らかなように、第1導電層21の端部22における第1面22a,第2面22bおよび境界部分22cが、第1導電パターン12の端部13における接続面13a,第1隣接面13bおよび境界部分13cとなっている。
次に、基板11上に、第1導電パターン12に電気的に接続され、導電性を有する第2導電パターン15を形成する(第2導電パターン形成工程S19)。第2導電パターン形成工程において、第2導電パターン15は、図5Fに示すように、第1導電パターン12の端部13を少なくとも部分的に覆うよう形成される。例えば、スパッタリング法などの、第2導電パターン15の材料である透明導電材料を基板11の略法線方向に沿って基板11に向けて飛翔させ、これによって透明導電材料を基板11に付着させる方法が用いられる。この場合、第1導電パターン12の端部13の第1隣接面13bは逆テーパ状の面となっているため、第1隣接面13bと基板11との間には透明導電材料がほとんど到達できない。このため図5Fに示すように、第1隣接面13bと基板11との間には空隙14が形成される。一方、第1導電パターン12の端部13の接続面13aは順テーパ状の面となっているため、図5Fに示すように、透明導電材料が接続面13a上に堆積することができる。この結果、接続面13a上に堆積した透明導電材料、および第1導電パターン12の上面上に堆積した透明導電材料を介して、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間における電気的な接続を確保することができる。このようにして、互いに電気的に接続された第1導電パターン12および第2導電パターン15を備えた導電パターン基板10を得ることができる。
なお、図1および図5Fに示すパターンを有する第2導電パターン15を得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、基板11上の領域のうち第2導電パターン15が形成されない領域を覆うマスク(図示せず)を配置した状態でスパッタリングを実施し、これによって第2導電パターン15を形成してもよい。若しくは、はじめに基板11上の全域にわたって、透明導電材料からなる層(第2導電層、図示せず)を形成し、次に、フォトリソグラフィー法などを用いて第2導電層をパターニングし、これによって第2導電パターン15を形成してもよい。
このように本実施の形態によれば、上述の第1エッチング工程、第1焼成工程および第2エッチング工程を順次実施することにより、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面13aを含む端部13を有する第1導電パターン12を形成することができる。このことにより、第1導電パターン12と、その後に形成される第2導電パターン15との間における電気的な接続を確保することができる。
また本実施の形態によれば、上述の第2エッチング工程を実施することにより、第1導電パターン12の端部13が、第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。このため、例えば第1導電パターン12が遮光性を有する金属材料から構成され、第2導電パターン15が透光性を有する透明導電材料から構成される場合に、第2導電パターン15が形成される領域における透光性が第1導電パターン12によって阻害されることを抑制することができる。このことにより、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間における電気的な接続を確保するとともに、良好な透光特性を有する導電パターン基板10を得ることができる。
なお、上述のように複数回のエッチング工程を繰り返したとしても、第1導電パターン12の端部13が若干、第2導電パターン15が形成されるべき領域に向かって突出することがある。図2において、端部13の突出長さが符号wによって示されている。突出長さwの具体的な値は、実現可能なエッチングの精度や、第2導電パターン15が形成される領域の寸法などに応じて適宜決定されるが、例えば10μm以下となっている。
比較の形態
次に、図6Aおよび図6Bを参照して、本実施の形態の効果を比較の形態と比較して説明する。図6Aおよび図6Bに示す比較の形態は、本実施の形態における第1焼成工程および第2エッチング工程が実施されない点、すなわち、1回のウェットエッチングのみで第1導電パターン12の端部13が形成される点が異なるのみであり、他の構成は、上述の本実施の形態の場合と同様である。図6Aおよび図6Bに示す比較の形態において、上述の本実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図6Aは、比較の形態において、第1導電層21をエッチングする工程を示す図であり、本実施の形態における図5C(b)に対応する図である。また図6Bは、比較の形態において、第2導電パターン15を形成する工程を示す図であり、本実施の形態における図5Fに対応する図である。比較の形態においては、1回のウェットエッチングによって第1導電層21をパターニングすることにより、第1導電パターン12が形成される。このため比較の形態においては、エッチング時間がJET+βに設定される。すなわち、JETよりも長い時間にわたって第1導電層21がエッチングされる。なぜなら、比較の形態においては、第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在しないように成形された端部22’を1回のウェットエッチングによって形成するため、エッチング時間を長めに設定する必要があるからである。この結果、図6Aに示すように、第1導電層21の端部22’の第1面22a’が逆テーパ状の面になってしまうと考えられる。
上述の本実施の形態における第2導電パターン15の形成工程において説明したように、スパッタリングの際、逆テーパ状になっている第1面22a’と基板11との間には、透明導電材料がほとんど到達できない。ここで、第1導電パターン12’の厚みtが第2導電パターン15の厚みtよりも大きくなっている場合、図6Bに示すように、第1導電パターン12’の上面上に堆積される透明導電材料からなる第2導電パターン15と、基板11上に堆積される透明導電材料からなる第2導電パターン15との間が断線されてしまうことになる。このため、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続を確保することができない。
これに対して本実施の形態によれば、上述のように複数回のウェットエッチングを繰り返すことにより、少なくとも1回目のウェットエッチング(第1エッチング工程)を、JST以下のエッチング時間で実施することができる。これによって、順テーパ状の接続面13aを少なくとも部分的に第1導電パターン12の端部13に形成することができ、このことにより、接続面13a上に堆積される透明導電材料を介して、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続を確実に実現することができる。また複数回のウェットエッチングを繰り返すことにより、端部13が第2導電パターン15に向かって突出する突出長さwを可能な限り小さくすることができる。
第1導電パターンおよび第1導電パターンの形成工程の変形例
なお上述の本実施の形態において、第1エッチング工程によって形成される第1面22aが、第1導電パターン12の端部13の接続面13aとなっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第2エッチング工程またはそれ以降のエッチング工程によって形成される面が、第1導電パターン12の端部13の接続面13aとなっていてもよい。このように、第2エッチング工程またはそれ以降のエッチング工程によって形成される面が接続面13aとなる例について説明する。
(第1の変形例)
図7Aは、変形例における第2エッチング工程を示す図であり、本実施の形態における図5Eに対応する図である。図7Aに示すように、本変形例においては、第2エッチング工程によって形成される第2面22bが、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出するよう、エッチングが実施される。すなわち、第2面22bが順テーパ状の面となるよう、エッチングが実施される。図8は、このようにして形成された第1導電パターン12を備えた導電パターン基板10を示す図である。
図8に示す例において、端部13に含まれる複数の面のうち、第2導電パターン15と接している面であって、最も基板11側に位置している面が符号13aによって示されている。図7Aおよび図8から明らかなように、図8に示す例においては、第2エッチング工程によって形成された第2面22bが、端部13の接続面13aとなっている。一方、接続面13aを介して接続面13aと隣接する第1隣接面13bは、第1エッチング工程によって形成された第1面22aから構成されている。本変形例によれば、第1導電パターン12の端部13の面13a,13bいずれもが、第2導電パターン15に接し得る面となっている。このため、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続をより確実に確保することができる。また本変形例によれば、第2エッチング工程を実施することにより、上述の比較の形態に比べて、第1導電パターン12の端部13が、第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
(第2の変形例)
次に、図7Aに示す第2エッチング工程の後、さらに第2焼成工程および第3エッチング工程を実施する例について説明する。図7Bは、図7Aに示す第2エッチング工程の後、レジストパターン23を加熱する第2焼成工程であって、加熱に起因する流動によってレジストパターン23の端部24がさらに外方に変位する、第2焼成工程を実施する場合を示す図である。第2焼成工程は、上述の第1焼成工程と略同一であるので、詳細な説明は省略する。第2焼成工程を実施することにより、図7Bに示すように、加熱に起因する流動によってレジストパターン23の端部24がさらに外方に変位する。この結果、図7Bに示すように、レジストパターン23の端部24において、第1導電層21の端部22の第2面22bを部分的に覆う第2拡張部24bが形成される。
図7Cは、図7Bに示す第2焼成工程の後、レジストパターン23をマスクとして第1導電層21をさらにウェットエッチングする第3エッチング工程を示す図である。第3エッチング工程を実施することによって、図7Cに示すように、第1導電層21の端部22の第2面22bのうちレジストパターン23の端部24の第2拡張部24bによって覆われていない部分がエッチングされる。このように再度ウェットエッチングを実施することにより、第1導電層21のうち後に第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在している部分をさらに除去することができる。なお図7Cにおいては、第3エッチング工程によって形成される第3面22dが逆テーパ状となるようエッチングが実施される例を示している。図9は、このようにして形成された第1導電パターン12を備えた導電パターン基板10を示す図である。
図9に示す例において、端部13に含まれる複数の面のうち、第2導電パターン15と接している面であって、最も基板11側に位置している面が符号13aによって示されている。図7Cおよび図9から明らかなように、図9に示す例においては、第2エッチング工程によって形成された第2面22bが、端部13の接続面13aとなっている。一方、境界部分13cを介して接続面13aと隣接する第1隣接面13bは、第3エッチング工程によって形成された第3面22dから構成されている。また本変形例において、第1導電パターン12の端部13は、境界部分13eを介して接続面13aと隣接する第2隣接面13dであって、第1エッチング工程によって形成された第1面22aから構成された第2隣接面13dをさらに含んでいる。本変形例によれば、第1導電パターン12の端部13の面13a,13dいずれもが、第2導電パターン15に接し得る面となっており、これによって、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続をより確実に確保することができる。また本変形例によれば、第3エッチング工程を実施することにより、上述の図8に示す第1の変形例の場合に比べて、第1導電パターン12の端部13が、第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
(第3の変形例)
なお図7Cに示す第2の変形例においては、形成される第3面22dが逆テーパ状となるようエッチングが実施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図示はしないが、第3エッチング工程において、形成される第3面22dが順テーパ状となるようエッチングが実施されてもよい。図10は、このようにして形成された第1導電パターン12を備えた導電パターン基板10を示す図である。
図10に示す例において、端部13に含まれる複数の面のうち、第2導電パターン15と接している面であって、最も基板11側に位置している面が符号13aによって示されている。図10に示す例においては、第3エッチング工程によって形成された第3面22dが、端部13の接続面13aとなっている。一方、境界部分13cを介して接続面13aと隣接する第1隣接面13bは、第2エッチング工程によって形成された第3面22bから構成されている。また、境界部分13eを介して第1隣接面13bと隣接する第2隣接面13dは、第1エッチング工程によって形成された第1面22aから構成されている。本変形例によれば、第1導電パターン12の端部13の面13a,13b,13dいずれもが、第2導電パターン15に接し得る面となっている。このため、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続をより確実に確保することができる。また本変形例によれば、第3エッチング工程を実施することにより、上述の図8に示す第1の変形例の場合に比べて、第1導電パターン12の端部13が、第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
(その他の変形例)
なお、第1導電パターン形成工程において実施されるウェットエッチングの回数の上限が3回に限られることはなく、4回またはそれ以上の回数のウェットエッチングを実施してもよい。多数のウェットエッチングおよび焼成工程を繰り返して第1導電パターン12を形成することにより、第1導電パターン12の端部13の形状をより精密に制御することができる。このことにより、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続をより確実に確保するとともに、第1導電パターン12の端部13が、第2導電パターン15が形成されるべき領域にまで延在することをより抑制することができる。
また上述の本実施の形態および各変形例において、第1導電パターン12の厚みtが第2導電パターン15の厚みtよりも大きくなっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図示はしないが、第1導電パターン12の厚みtが第2導電パターン15の厚みtよりも小さくなっている場合に、上述の本実施の形態および各変形例による第1導電パターン形成工程が実施されてもよい。一般に、第1導電パターン12の厚みtが第2導電パターン15の厚みtよりも小さくなっている場合は、第1導電パターン12の端部13が逆テーパ状の面のみを含んでいる場合であっても、第1導電パターン12の端部13を覆うよう第2導電パターン15を形成することにより、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続を確保することができると考えられる。この場合であっても、上述の本実施の形態および各変形例による第1導電パターン形成工程を実施することにより、上述のように、第1導電パターン12の端部13が、少なくとも部分的に順テーパ状となっている面を有することができる。このため、第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続をより強固なものとすることができる。
第2の実施の形態
次に図11乃至図16Eを参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態においては、上述の第1の実施の形態における第1導電パターン形成工程を用いてタッチパネルセンサ30を製造する方法について説明する。図11乃至図16Eに示す第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
タッチパネルセンサ
はじめに図11を参照して、本実施の形態によるタッチパネルセンサ30全体について説明する。図11は、タッチパネルセンサ30を示す平面図である。
タッチパネルセンサ30は、タッチパネルセンサ30への外部導体(例えば、人間の指)の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。このタッチパネルセンサ30は、基板11と、基板11上に所定のパターンで設けられ、接触位置などのいわゆるタッチを検出する検出パターン35と、検出パターン35に電気的に接続された取出パターン32と、を備えている。検出パターン35は、図11に示すように、第1方向に沿って、例えば図11の左右方向に沿って延びる複数のパターンと、第2方向に沿って、例えば図11の上下方向に沿って延びる複数のパターンと、を有している。このうち第1方向に沿って延びるパターンは、第1方向に沿って並べられた複数の第1電極部36aと、隣り合う2つの第1電極部36aを接続する第1ブリッジ部37aと、を含んでいる。第1方向に沿って延びるパターンにおいて、少なくとも1つの第1電極部36aは、図11に示すように取出パターン32に接続されている。また第2方向に沿って延びるパターンは、第2方向に沿って並べられた複数の第2電極部36bと、隣り合う2つの第2電極部36bを接続する第2ブリッジ部37bと、を含んでいる。第2方向に沿って延びるパターンにおいて、少なくとも1つの第2電極部36bは、図11に示すように取出パターン32に接続されている。
取出パターン32は、検出パターン35からの信号をタッチパネルセンサ30の外部へ伝達させるために形成されたパターンであり、基板11の周縁部に沿って延びるよう構成されている。取出パターン32は、図11に示すように、外部のコネクタ(図示せず)などとの間の接続のために形成された端子部32aを含んでいてもよい。
タッチパネルセンサ30において、検出パターン35が設けられている領域は、タッチパネルセンサ30が液晶表示装置などと組み合わされる時に画像などが表示される表示領域となっている。一方、取出パターン32が設けられている領域は、画像などが表示されない非表示領域となっている。検出パターン35を構成する材料としては、例えば上述の第1の実施の形態における第2導電パターン15の場合と同様に、導電性および透光性を有する透明導電材料が用いられる。一方、取出パターン32を構成する材料としては、例えば上述の第1の実施の形態における第1導電パターン12の場合と同様に、導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。
次にタッチパネルセンサ30の層構成について説明する。図12および図13はそれぞれ、図11に示すタッチパネルセンサをXII−XII方向およびXIII−XIII方向から見た縦断面図である。図12および図13に示すように、取出パターン32および検出パターン35は、いずれも基板11の一側11aに設けられている。
図12および図13に示すように、検出パターン35において、第1電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aは、基板11の一側11aの面上に形成されたパターンとなっている。一方、第2ブリッジ部37bは、第1ブリッジ部37a上に設けられた絶縁層38上に設けられたパターンとなっている。このように第1ブリッジ部37aと第2ブリッジ部37bとの間に絶縁層38を介在させることによって、第1ブリッジ部37aと第2ブリッジ部37bとの間が導通することを防ぎながら、隣接する2つの電極部36a,36bを電気的に接続することができる。絶縁層38を構成する材料としては、絶縁性を有する材料が用いられ、例えば感光性を有するアクリル樹脂等が用いられる。なお図12および図13に示すように、絶縁層38は、第1ブリッジ部37aと第2ブリッジ部37bとの間だけでなく、第1電極部36aおよび第2電極部36b上にさらに設けられていてもよい。
好ましくは、図12および図13において二点鎖線で示すように、基板11の他側11bには、カラーフィルタ、反射防止膜や偏光板など、表示装置(図示せず)を構成する上で用いられる何らかの表示装置用部材50が設けられている。この場合、タッチパネルセンサ30の基板11は、表示装置用部材50と共通で使用される基板となっている。すなわちタッチパネルセンサ30は、オンセル型のタッチパネルセンサとなっている。なおタッチパネルセンサ30がオンセル型のタッチパネルセンサに限られることはない。例えばタッチパネルセンサ30は、液晶表示装置のTFT基板とともに構成される、いわゆるインセル型のタッチパネルセンサとなっていてもよい。
図12および図13に示すように、タッチパネルセンサ30は、第1ブリッジ部37aおよび絶縁層38上に設けられたオーバーコート層39をさらに備えていてもよい。このようなオーバーコート層39を設けることにより、第1ブリッジ部37aおよび絶縁層38が損傷することや、外部からの水分がタッチパネルセンサ30の内部に入り込むことを防ぐことができる。このようなオーバーコート層39を構成する材料としては、絶縁性を有する材料が用いられ、例えば光硬化性アクリル樹脂が用いられる。
次に、取出パターン32と検出パターン35との間の電気的な接続の態様について説明する。図12および図13に示すように、検出パターン35は、取出パターン32の端部13を少なくとも部分的に覆うよう形成されている。図14は、図12および図13に示す取出パターン32の端部13を拡大して示す断面図である。図14に示すように、取出パターン32の端部13は、接続面13aと、接続面13aに隣接するとともに基板11に向かって延びる第1隣接面13bと、を含んでいる。取出パターン32の端部13および端部13を構成する面13a,13bは、図2および図3に示す上述の第1の実施の形態における端部13および面13a,13bと同一である。すなわち、本実施の形態における取出パターン32は、上述の第1の実施の形態における第1導電パターン12に相当している。一方、本実施の形態における検出パターン35は、上述の第1の実施の形態における第2導電パターン15に相当している。このように、第1の実施の形態における第1導電パターン12と第2導電パターン15との間の電気的な接続の態様と同様の態様を利用して取出パターン32と検出パターン35とを接続することにより、取出パターン32と検出パターン35との間における電気的な接続を確保することができる。
なお検出パターン35は、取出パターン32の端部13近傍においてのみでなく、端部13から離れた位置においても取出パターン32の上面を覆うよう形成されていてもよい。例えば図12および図13に示すように、検出パターン35は、取出パターン32を全域にわたって覆うよう形成されていてもよい。この場合、検出パターン35の電極部36a,36bによって検出された信号を外部に取り出す際、信号は、取出パターン32だけでなく、検出パターン35のうち取出パターン32上に設けられた部分をも通ることができる。これによって、電極部36a,36bによって検出された信号をより低い抵抗で外部へ送ることができる。
積層パターン基板の製造方法
次に図15乃至図16Eを参照して、タッチパネルセンサ30の製造方法について説明する。図15は、タッチパネルセンサ30の製造方法を示すフローチャートである。
はじめに基板11を準備し(工程S31)、次に、基板11上に、導電性を有する第1導電層21を設ける(工程S32)。この第1導電層21は、パターニングされて取出パターン32となる層である。第1導電層21は取出パターン32を構成するための金属材料からなっている。
(取出パターン形成工程)
次に、第1導電層21をパターニングして取出パターン32を形成する取出パターン形成工程を実施する。取出パターン形成工程においては、はじめに、第1導電層21上にレジスト層25を設け(工程S33)、次に、レジスト層25を露光・現像してレジストパターンを形成する(工程S34)。その後、レジストパターン23をマスクとして第1導電層21を、その端部22が、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第1面22aを有するようウェットエッチングする(第1エッチング工程S35)。次に、レジストパターン23を加熱する工程であって、加熱に起因する流動によってレジストパターン23の端部24を外方に変位させる工程(第1焼成工程S36)を実施する。その後、レジストパターン23をマスクとして、第1導電層21をさらにウェットエッチングする(第2エッチング工程S37)。次に、第1導電層21上に残っているレジストパターン23を除去する(工程S38)。これによって、図14に示す端部13を有する取出パターン32を得ることができる(図16A参照)。なお上述の工程S33〜38は、図5A乃至図5Eに示す第1の実施の形態における工程S13〜18と略同一であるので、詳細な説明を省略する。
(検出パターン形成工程の第1工程)
次に、基板11上に、取出パターン32に電気的に接続され、導電性を有する検出パターン35の一部分を形成する。具体的には、検出パターン35のうち、第1電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを形成する(工程S39)。本工程において、検出パターン35の少なくとも1つの第2電極部36bは、図16Bに示すように、取出パターン32の端部13を少なくとも部分的に覆うよう形成される。同様に、図示はしないが、検出パターン35の少なくとも1つの第1電極部36aは、取出パターン32の端部13を少なくとも部分的に覆うよう形成される。例えば、スパッタリング法などの、検出パターン35の材料である透明導電材料を基板11の略法線方向に沿って基板11に向けて飛翔させ、これによって透明導電材料を基板11に付着させる方法が用いられる。
ここで上述のように、取出パターン32の端部13の接続面13aは順テーパ状の面となっている。このため図14に示すように、透明導電材料が接続面13a上に堆積することができる。この結果、接続面13a上に堆積した透明導電材料、および取出パターン32の上面上に堆積した透明導電材料を介して、取出パターン32と検出パターン35の電極部36a,36bとの間における電気的な接続を確保することができる。
なお、図16Bに示すパターンを有する電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、基板11上の領域のうち電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aが形成されない領域を覆うマスク(図示せず)を配置した状態でスパッタリングを実施し、これによって電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを形成してもよい。若しくは、はじめに基板11上の全域にわたって、透明導電材料からなる層(第2導電層、図示せず)を形成し、次に、フォトリソグラフィー法などを用いて第2導電層をパターニングし、これによって電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを形成してもよい。
(絶縁層の形成工程)
次に図16Cに示すように、少なくとも第1ブリッジ部37a上に、絶縁性を有する絶縁層38を形成する(工程S40)。なお図16Cに示すように、第2電極部36b上にも絶縁層38を形成してもよい。この場合、第2電極部36b上の領域のうち後に第2ブリッジ部37bが形成される領域には絶縁層38が存在しないよう、絶縁層38が形成される。
(検出パターン形成工程の第2工程)
次に図16Dに示すように、隣り合う2つの第2電極部36bを接続する第2ブリッジ部37bを形成する(工程S41)。本工程において、検出パターン35の第2ブリッジ部37bは、図16Dに示すように、第2電極部36bの上面において第2電極部36bと接続されるよう形成される。このため、第2電極部36bの端部の形状に依らず、第2電極部36bと第2ブリッジ部37bとの間の電気的な接続を確保することができる。
なお、図16Dに示すパターンを有する第2ブリッジ部37bを得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、基板11上の領域のうち第2ブリッジ部37bが形成されない領域を覆うマスク(図示せず)を配置した状態でスパッタリングを実施し、これによって第2ブリッジ部37bを形成してもよい。若しくは、はじめに基板11上の全域にわたって、透明導電材料からなる層(ブリッジ部用導電層、図示せず)を形成し、次に、フォトリソグラフィー法などを用いてブリッジ部用導電層をパターニングし、これによって第2ブリッジ部37bを形成してもよい。
(オーバーコート層の形成工程)
次に図16Eに示すように、第2ブリッジ部37bおよび絶縁層38上にオーバーコート層39を形成する(工程S42)。このようにしてタッチパネルセンサ30を得ることができる。
このように本実施の形態によれば、上述の第1エッチング工程、第1焼成工程および第2エッチング工程を順次実施することにより、基板11の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面13aを含む端部13を有する取出パターン32を形成することができる。このことにより、取出パターン32と、その後に形成される検出パターン35との間における電気的な接続を確保することができる。
また本実施の形態によれば、上述の第2エッチング工程を実施することにより、取出パターン32の端部13が、検出パターン35が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。すなわち、検出パターン35が表示領域にまで延在することを抑制することができる。これによって、表示領域における透光性が取出パターン32によって阻害されることを抑制することができる。このことにより、取出パターン32と検出パターン35との間における電気的な接続を確保するとともに、良好な透光特性を有するタッチパネルセンサ30を得ることができる。
なお、上述のように複数回のエッチング工程を繰り返したとしても、取出パターン32の端部13が若干、表示領域に向かって突出することになる。図14において、端部13の突出長さが符号wによって示されている。突出長さwの具体的な値は、実現可能なエッチングの精度や、表示領域および各電極部36a,36bの寸法などに応じて適宜決定されるが、例えば10μm以下となっている。
なお本実施の形態において、取出パターン形成工程として、図5A乃至図5Eに示す第1の実施の形態における工程が用いられる例を示したが、これに限られることはない。本実施の形態における取出パターン形成工程として、上述の第1の実施形態の各変形例による工程が用いられてもよい。すなわち、順テーパ状の面を2つ以上含む端部13を有する取出パターン32が形成されるよう、取出パターン形成工程を実施してもよい。また、3回以上のエッチング工程を有する取出パターン形成工程を実施してもよい。
第3の実施の形態
次に図17および図18を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態は、検出パターン35の第2ブリッジ部37bを形成する工程が、検出パターン35の第1電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを形成する工程よりも先に形成される点が異なるのみであり、他の構成は、図11乃至図16Eに示す第2の実施の形態と略同一である。第3の実施の形態において、図11乃至図16Eに示す第2の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
タッチパネルセンサ
はじめに図17を参照して、本実施の形態によるタッチパネルセンサ30について説明する。図17は、タッチパネルセンサ30を示す断面図であって、第2の実施の形態における図12に対応する図である。
図17に示すように、検出パターン35において、第1電極部36a(図示せず),第2電極部36bおよび第2ブリッジ部37bは、基板11の一側11aの面上に形成されたパターンとなっている。一方、第1ブリッジ部37aは、第2ブリッジ部37b上に設けられた絶縁層38上に設けられたパターンとなっている。なお、取出パターン32と検出パターン35との間の電気的な接続の態様は、上述の第2の実施の形態の場合と同一であるので、詳細な説明を省略する。
積層パターン基板の製造方法
次に図18を参照して、タッチパネルセンサ30の製造方法について説明する。図18は、タッチパネルセンサ30の製造方法を示すフローチャートである。
はじめに基板11を準備し(工程S31)、次に、基板11上に、導電性を有する第1導電層21を設ける(工程S32)。次に、第1導電層21をパターニングして取出パターン32を形成する取出パターン形成工程(工程S33〜S38)を実施する。これらの工程S31〜38は、第2の実施の形態における工程S31〜38と略同一であるので、詳細な説明を省略する。
(検出パターン形成工程の第1工程)
次に、基板11上に、取出パターン32に電気的に接続され、導電性を有する検出パターン35の一部分を形成する。本実施の形態においては、まず、検出パターン35のうち第2ブリッジ部37bを形成する(工程S41)。第2ブリッジ部37bを得るための方法が特に限られることはなく、上述の第2の実施の形態の場合と同様に、マスクを用いたスパッタリングや、フォトリソグラフィー法によるパターニングなどが適宜実施される。なおフォトリソグラフィー法によるパターニングが実施される場合、取出パターン形成工程の場合と同様のエッチング工程が実施されてもよい。すなわち、第2ブリッジ部37bの端部が少なくとも部分的に順テーパ状の面を含むよう、複数回のウェットエッチングが繰り返されてもよい。これによって、第2ブリッジ部37bと第2電極部36bとの間の電気的な接続を確実に確保することができる。
(絶縁層の形成工程)
次に、第2ブリッジ部37b上に、絶縁性を有する絶縁層38を形成する(工程S40)。
(検出パターン形成工程の第2工程)
その後、基板11上に、検出パターン35のうち、第1電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを形成する(工程S39)。このうち少なくとも1つの第1電極部36aおよび第2電極部36bは、取出パターン32の端部13を少なくとも部分的に覆うよう形成される。また各第2電極部36bは、隣り合う2つの第2電極部36bが、先に形成されている第2ブリッジ部37bによって接続されるよう形成される。第1電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを得るための方法が特に限られることはなく、上述の第2の実施の形態の場合と同様に、マスクを用いたスパッタリングや、フォトリソグラフィー法によるパターニングなどが適宜実施される。
ここで上述のように、取出パターン32の端部13の接続面13aは順テーパ状の面となっている。このため本実施の形態においても、透明導電材料が接続面13a上に堆積することができる。この結果、接続面13a上に堆積した透明導電材料、および取出パターン32の上面上に堆積した透明導電材料を介して、取出パターン32と検出パターン35の電極部36a,36bとの間における電気的な接続を確保することができる。
(オーバーコート層の形成工程)
次に、電極部36a,36b,第2ブリッジ部37bおよび絶縁層38上にオーバーコート層39を形成する(工程S42)。このようにして、図17に示すタッチパネルセンサ30を得ることができる。
タッチパネルセンサの製造方法の変形例
次に図19乃至図20Eを参照して、第3の実施の形態におけるタッチパネルセンサの製造方法の変形例を説明する。本変形例におけるタッチパネルセンサの製造方法は、取出パターン32を形成するための第2エッチング工程S37が、検出パターン35の第2ブリッジ部37bを形成するためのブリッジ部用エッチング工程と同時に実施される点が異なるのみであり、他の構成は、図17および図18に示す第3の実施の形態と略同一である。本変形例において、図17および図18に示す第3の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
上述の第3の実施の形態において、検出パターン形成工程の第1工程によって形成される第2ブリッジ部37bは、取出パターン32とは接していないパターンとなっている。このため、仮に第2ブリッジ部37bがフォトリソグラフィー法を用いて形成される場合、エッチング工程(ブリッジ部用エッチング工程)の際、ブリッジ部用導電層をウェットエッチングするためのエッチング液は、同時に取出パターン32にも接することができる。このため本変形例においては、ブリッジ部用エッチング工程が、取出パターン形成工程の第2エッチング工程S37を兼ねることができ、これによって、第2エッチング工程S37を不要とすることができる。このため、タッチパネルセンサ30の製造に要する工数を削減することができ、これによって、タッチパネルセンサ30の製造コストを低減することができる。以下、本変形例におけるタッチパネルセンサ30の製造方法について説明する。
図19は、本変形例におけるタッチパネルセンサ30の製造方法を示すフローチャートである。はじめに図19に示すように、基板11を準備する工程S31〜レジストパターン23を加熱する第1焼成工程S36までを実施する。図20Aは、第1エッチング工程S35および第1焼成工程S36の第1導電層21およびレジストパターン23を示す図である。
(検出パターン形成工程の第1工程)
次に、検出パターン35のうち第2ブリッジ部37bを形成する(工程S41)。工程S41においては、はじめに図20Bに示すように、基板11上の全域にわたって、第2ブリッジ部37bを構成するための透明導電材料からなるブリッジ部用導電層26を設ける。次に図20Bに示すように、ブリッジ部用導電層26のうち後に第2ブリッジ部37bとなるべき部分を覆うレジストパターン27を形成する。その後、図20Cに示すように、レジストパターン27をマスクとしてブリッジ部用導電層26をウェットエッチングする。これによって、ブリッジ部用導電層26のうちレジストパターン27によって保護されていない部分が除去され、第2ブリッジ部37bが形成される。同時に、第1の実施の形態における第2エッチング工程の場合と同様に、第1導電層21の端部22の第1面22aのうちレジストパターン23の端部24の第1拡張部24aによって覆われていない部分が除去される。これによって、順テーパ状の接続面13aを含む端部13を有する取出パターン32を得ることができる。なおエッチング液としては、ブリッジ部用導電層26および第1導電層21の両方を溶解することができるエッチング液が用いられる。
(絶縁層の形成工程)
その後、レジストパターン23およびレジストパターン27を除去し(工程S38)、次に、図20Dに示すように、第2ブリッジ部37b上に、絶縁性を有する絶縁層38を形成する(工程S40)。
(検出パターン形成工程の第2工程)
その後、図20Eに示すように、基板11上に、検出パターン35のうち、第1電極部36a,第2電極部36bおよび第1ブリッジ部37aを形成する(工程S39)。
(オーバーコート層の形成工程)
次に、電極部36a,36b,第2ブリッジ部37bおよび絶縁層38上にオーバーコート層39を形成する(工程S42)。このようにしてタッチパネルセンサ30を得ることができる。
このように本変形例によれば、取出パターン形成工程の第2エッチング工程S37を、検出パターン形成工程の第1工程のブリッジ部用エッチング工程と同時に実施することができる。これによって、タッチパネルセンサ30の製造に要する工数を削減することができる。
変形例
なお上述の各実施の形態およびそれらの変形例において、検出パターン35の第2ブリッジ部37bが、透光性を有する透明導電材料から構成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、検出パターン35の第2ブリッジ部37bを構成する材料として、遮光性を有する金属材料が用いられてもよい。
10 導電パターン基板
11 基板
11a 基板の一側
11b 基板の他側
12 第1導電パターン
13 第1導電パターンの端部
13a 接続面
13b 第1隣接面
13c 境界部分
13d 第2隣接面
13e 境界部分
15 第2導電パターン
21 第1導電層
22 端部
22a 第1面
22b 第2面
22c 境界部分
22d 第3面
22e 境界部分
23 レジストパターン
24 端部
24a 第1拡張部
24b 第2拡張部
25 レジスト層
26 ブリッジ部用導電層
27 レジストパターン
28 レジスト層
30 タッチパネルセンサ
32 取出パターン
35 検出パターン
36a 第1電極部
36b 第2電極部
37a 第1ブリッジ部
37b 第2ブリッジ部
38 絶縁層
39 オーバーコート層
50 カラーフィルタ

Claims (13)

  1. 基板を準備する工程と、
    前記基板上に、導電性を有する第1導電パターンを形成する第1導電パターン形成工程と、
    前記基板上に、前記第1導電パターンに電気的に接続され、導電性を有する第2導電パターンを形成する第2導電パターン形成工程と、を備え、
    前記第1導電パターン形成工程は、
    前記基板上に、導電性を有する第1導電層を設ける工程と、
    前記第1導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、
    前記レジストパターンをマスクとして前記第1導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第1エッチング工程と、
    前記第1エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第1焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第1焼成工程と、
    前記第1焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第2エッチング工程と、を有し、
    前記第2導電パターン形成工程において、前記第2導電パターンは、前記第1導電パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、導電パターン基板の製造方法。
  2. 前記第1エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第1導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される、請求項1に記載の導電パターン基板の製造方法。
  3. 前記第2エッチング工程は、前記第1導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施され、
    前記第1導電パターン形成工程は、
    前記第2エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第2焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第2焼成工程と、
    前記第2焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第3エッチング工程と、をさらに有する、請求項1または2に記載の導電パターン基板の製造方法。
  4. 基板と、
    前記基板上に設けられ、導電性を有する第1導電パターンと、
    前記基板上に設けられるとともに前記第1導電パターンに電気的に接続され、導電性を有する第2導電パターンと、を備え、
    前記第1導電パターンは、前記第2導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、
    前記端部は、前記第2導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた接続面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面と、前記接続面に隣接する第1隣接面と、を含み、
    前記接続面と前記第1隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面が延びる方向と前記第1隣接面が延びる方向とが異なっている、導電パターン基板。
  5. 前記端部は、前記接続面または前記第1隣接面に隣接する第2隣接面をさらに含み、
    前記接続面または前記第1隣接面と前記第2隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面または前記第1隣接面が延びる方向と前記第2隣接面が延びる方向とが異なっている、請求項4に記載の導電パターン基板。
  6. 基板を準備する工程と、
    前記基板上に、導電性を有する取出パターンを形成する取出パターン形成工程と、
    前記基板上に、前記取出パターンに電気的に接続され、導電性を有する検出パターンを形成する検出パターン形成工程と、を備え、
    前記取出パターン形成工程は、
    前記基板上に、導電性を有する第1導電層を設ける工程と、
    前記第1導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、
    前記レジストパターンをマスクとして前記第1導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第1エッチング工程と、
    前記第1エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第1焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第1焼成工程と、
    前記第1焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第2エッチング工程と、を有し、
    前記検出パターン形成工程において、前記検出パターンは、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、タッチパネルセンサの製造方法。
  7. 前記第1エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第1導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される、請求項6に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
  8. 前記第2エッチング工程は、前記第1導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施され、
    前記第1取出パターン形成工程は、
    前記第2エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第2焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第2焼成工程と、
    前記第2焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第1導電層をさらにウェットエッチングする第3エッチング工程と、をさらに有する、請求項6または7に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
  9. 前記検出パターンは、所定の方向に沿って並べられた複数の電極部であって、少なくとも1つの電極部が前記取出パターンに電気的に接続された、複数の電極部と、隣り合う2つの前記電極部を接続するブリッジ部と、を有し、
    前記検出パターン形成工程は、
    前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも1つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する第1工程と、
    隣り合う2つの前記電極部を接続するようブリッジ部を形成する第2工程と、を有する、請求項6乃至8のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
  10. 前記検出パターンは、所定の方向に沿って並べられた複数の電極部であって、少なくとも1つの電極部が前記取出パターンに電気的に接続された、複数の電極部と、隣り合う2つの前記電極部を接続するブリッジ部と、を有し、
    前記検出パターン形成工程は、
    前記ブリッジ部を形成する第1工程と、
    前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも1つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する電極部形成工程であって、隣り合う2つの前記電極部が前記ブリッジ部によって接続されるよう複数の前記電極部を形成する、第2工程と、を有する、請求項6乃至8のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
  11. 前記第1工程は、
    前記取出パターン形成工程の前記第1焼成工程の後、前記基板上にブリッジ部用導電層を設ける工程と、
    前記ブリッジ部用導電層をウェットエッチングし、これによって前記ブリッジ部を形成するブリッジ部用エッチング工程と、を含み、
    前記取出パターン形成工程の前記第2エッチング工程が、前記検出パターン形成工程の前記第1工程の前記ブリッジ部用エッチング工程と同時に実施される、請求項10に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
  12. 基板と、
    前記基板上に設けられ、導電性を有する取出パターンと、
    前記基板上に設けられるとともに前記取出パターンに電気的に接続され、導電性を有する検出パターンと、を備え、
    前記取出導電パターンは、前記検出導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、
    前記端部は、前記検出パターンによって少なくとも部分的に覆われた接続面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面と、前記接続面に隣接する第1隣接面と、を含み、
    前記接続面と前記第1隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面が延びる方向と前記第1隣接面が延びる方向とが異なっている、タッチパネルセンサ。
  13. 前記端部は、前記接続面または前記第1隣接面に隣接する第2隣接面をさらに含み、
    前記接続面または前記第1隣接面と前記第2隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面または前記第1隣接面が延びる方向と前記第2隣接面が延びる方向とが異なっている、請求項12に記載のタッチパネルセンサ。
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