JP2011023558A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置において、装置全体の厚さ及び重量を低減すると共に、製造工程を減らす。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられた有機ＥＬ素子２２と、有機ＥＬ素子２２の反基板側に設けられた封止膜２９とを備え、封止膜２９の表面に設けられたタッチ検出電極３１と、タッチ検出電極３１の外周縁部に互いに離間して電気的に接続された複数本のタッチ検出配線３２と、各タッチ検出配線３２からの電気信号によりタッチ検出電極３１におけるタッチ位置を検出するタッチ位置検出回路４０とをさらに備えている。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置に関し、特に、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置に関するものである。

有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリクス基板上において各画素毎に、下部電極、有機ＥＬ層及び上部電極が順に積層された有機ＥＬ素子を備え、下部電極と上部電極との間に電流を流すことにより、その間に挟まれた有機ＥＬ層を電流に応じた強度で発光させて、画像表示を行うように構成されている。この有機ＥＬ表示装置に対して、指やペンなどで接触した表示画面上の位置情報を検出するタッチセンサ機能を付加するために、その表示画面上にタッチパネルを重ねて設けることが知られている。

タッチパネルは、その動作原理によって、抵抗膜方式、静電容量結合方式、赤外線方式、超音波方式、及び電磁誘導結合方式などに分類されている。その中でも、抵抗膜方式及び静電容量結合方式のタッチパネルは、低コストで表示装置に搭載可能であるので、よく利用されている。

抵抗膜方式のタッチパネルは、例えば、互いに対向して配置された一対の基板と、一対の基板の内側にそれぞれ設けられた一対の透明導電膜と、一対の基板の間に狭持されて一対の透明導電膜の間に空気層を形成するための絶縁性を有するスペーサとを備えている。このように構成された抵抗膜方式のタッチパネルは、その表面が押圧されることにより、一対の透明導電膜同士が接触（短絡）して、それら一対の透明導電膜の間に電流が流れることから、押圧された位置を検出する構成となっている。

上記抵抗膜方式のタッチパネルを表示画面上に重ねて設けた有機ＥＬ表示装置として、例えば、特許文献１には、表示装置本体である有機ＥＬ表示パネルにタッチパネルが接着層を介して全面に貼り合わせられた有機ＥＬ表示装置が開示されている。そして、これによれば、有機ＥＬ表示パネルとタッチパネルとの間の隙間をなくし、表示装置を薄型化することができる、と記載されている。

特開２００４−１４５８７８号公報

しかしながら、特許文献１に開示された抵抗膜方式のタッチパネルを備えた有機ＥＬ表示装置であっても、タッチパネルを有機ＥＬ表示パネルに搭載する必要があるので、タッチパネルを構成する一対の基板を有機ＥＬ表示パネルに重ねることになり、装置全体の厚さ及び重量が増大する。さらに、有機ＥＬ表示パネルとは別個にタッチパネルを作製する工程、及び作製したタッチパネルを有機ＥＬ表示パネルに貼り合わせる工程を行う必要があるため、製造工程が増して歩留り及びスループットが低下し、製造コストが上がってしまう。

本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置において、装置全体の厚さ及び重量を低減すると共に、製造工程を減らすことにある。

上記の目的を達成するために、この発明は、封止膜の表面にタッチ検出電極が設けられ、そのタッチ検出電極上におけるタッチ位置を、タッチ検出電極に電気的に接続されたタッチ検出配線からの電気信号により検出するように構成されているものである。

具体的に、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、上記基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、上記有機ＥＬ素子の反基板側に設けられた封止膜とを備えた有機ＥＬ表示装置であって、上記封止膜の表面に設けられたタッチ検出電極と、上記タッチ検出電極の外周縁部に互いに離間して電気的に接続された複数本のタッチ検出配線と、上記各タッチ検出配線からの電気信号により上記タッチ検出電極上におけるタッチ位置を検出するタッチ位置検出回路とをさらに備えていることを特徴とする。

上記の構成によると、各タッチ検出配線からの電気信号によりタッチ位置を検出可能なタッチ検出電極が封止膜の表面に直接に設けられていることによりタッチセンサ機能を有しているため、表示装置本体にタッチパネルを搭載する必要がなく、装置全体の厚さ及び重量が低減する。さらに、表示装置本体とは別個にタッチパネルを作製する工程、及び作製したタッチパネルを表示装置本体に貼り合わせる工程を行う必要もなくなるので、全体として製造工程が減る。したがって、装置全体の厚さ及び重量を低減すると共に、製造工程を減らすことが可能になる。これにより、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置の薄型化及び軽量化を図りながらも、製造歩留り及びスループットを向上させて、製造コストを下げることが可能になる。

上記構成の有機ＥＬ表示装置において、上記有機ＥＬ素子と上記封止膜との間には、上記有機ＥＬ素子を覆う素子封止膜と、該素子封止膜を覆い、上記有機ＥＬ素子と上記タッチ検出電極とを電磁遮蔽するためのシールド層とが設けられていることが好ましい。

上記の構成によると、有機ＥＬ素子と封止膜との間において有機ＥＬ素子を覆う素子封止膜上にシールド層が設けられているため、画像表示を行うために有機ＥＬ素子に印加される経時的に変化する電圧に起因してタッチ検出電極に誘起電圧が発生することが抑制される。そのことにより、タッチ検出電極上におけるタッチ位置を検出するための電気信号に含まれるノイズ成分が低減するため、タッチ位置の検出精度を向上させることが可能になる。

そして、上記タッチ検出電極は、電極封止膜によって覆われていることが好ましい。

上記の構成によると、有機ＥＬ素子が素子封止膜、封止膜及び電極封止膜により多層化された封止膜で封止されているため、有機ＥＬ素子の反基板側に封止板を設けることなく、有機ＥＬ素子への外部からの水分や酸素の進入を十分に抑制することが可能になる。これにより、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置の薄型化及び軽量化を良好に行うことが可能になる。

また、上記封止膜は、上記有機ＥＬ素子を直接に覆っていることが好ましい。

上記の構成によると、封止膜が有機ＥＬ素子を封止する素子封止膜を構成しており、シールド層やシールド層を封止するシールド封止膜などのシールド構造体が設けられていない簡素な構造であるため、シールド構造体が設けられている場合に比べて、シールド構造体を形成する工程を行う必要がない分さらに製造工程が減る。そのことにより、製造歩留り及びスループットがさらに向上して製造コストがより低減すると共に、より容易にタッチセンサ機能を有機ＥＬ表示装置に付加することが可能になる。そして、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置の薄型化及び軽量化を可及的に行うことが可能になる。

また、上記タッチ検出電極の反基板側には、封止板が封止樹脂を介して設けられていることが好ましい。

上記の構成によると、有機ＥＬ素子にまで水分や酸素が外部から侵入することが封止板により良好に抑制されるため、封止板が設けられていない場合に比べて、有機ＥＬ素子における電極の酸化や有機層の材質劣化の進行がより抑制される。そのことにより、有機ＥＬ素子の発光品位の低下が抑制されるため、有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上させることが可能になる。

また、上記各タッチ検出配線は、上記基板と上記タッチ検出電極との間に一部が重なるように設けられていることが好ましい。

上記の構成によると、有機ＥＬ素子などの他の構造体と併せてタッチ検出配線を形成することが可能になるため、製造工程を簡略化することが可能になる。

また、上記各タッチ検出配線は、上記タッチ検出電極の外側で上記基板の一方側の端部に設定された端子領域にそれぞれ引き出されて、当該引き出し端部に形成された接続端子が配線基板にまとめて電気的に接続され、上記タッチ位置検出回路は、上記配線基板を介して上記各接続端子に電気的に接続されていることが好ましい。

上記の構成によると、複数本のタッチ検出配線の各接続端子が、基板の一方側に設定された端子領域で配線基板にまとめて接続されて、その配線基板を介してタッチ位置検出回路に電気的に接続された簡素な構造となっているので、配線基板などの実装部品の数が最小限に抑えられる。これにより、製造コストをさらに下げて、且つタッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置をより容易に製造することが可能になる。

さらに、上記タッチ検出電極は、矩形状に形成され、上記端子領域は、上記タッチ検出電極の一辺に沿って設定され、上記複数本のタッチ検出配線は、上記タッチ検出電極における端子領域側の２隅からそれぞれ引き出された２本の第１タッチ検出配線と、上記タッチ検出電極における反端子領域側の２隅からそれぞれ引き出された２本の第２タッチ検出配線とで構成され、上記２本の第２タッチ検出配線は、上記タッチ検出電極上における上記端子領域が沿う一辺に隣接する対辺に沿って両側から引き出されていることが好ましい。

上記の構成によると、２本の第２タッチ検出配線がタッチ検出電極の互いに異なる辺に沿って引き出されているため、両第２タッチ検出配線がタッチ検出電極の同一辺、すなわち端子領域が沿う一辺に隣接する対辺のうち一方にのみ沿って引き出された場合よりも、タッチ検出電極の接続端子が設けられた端子領域の幅が狭くなり、表示領域の外側の額縁領域を小さくすることが可能になる。また、配線の多層化をすることなく、額縁領域を狭くすることが可能になるので、製造工程が簡略化されると共に、製造歩留りをより向上させることが可能になる。

上記有機ＥＬ表示装置は、上記タッチ検出電極上におけるタッチ位置を静電容量結合方式により検出するように構成されていることが好ましい。

静電容量結合方式では、単層でタッチ検出電極を形成する方式があり、その場合、多層でタッチ検出電極を形成する方式やその他の方式に比べて、製造効率が簡略化され、製品構造や電極パターンも単純であるので、製造歩留り及びスループットが大幅に向上する。

上記タッチ検出電極は、酸化スズ、インジウムスズ酸化物又はインジウム亜鉛酸化物により形成されていてもよい。

上記の構成によると、酸化スズ、インジウムスズ酸化物及びインジウム亜鉛酸化物は、一般的な透明導電膜であるので、画像表示を妨げることなく、本発明の作用効果が具体的に奏される。

本発明によれば、封止膜の表面にタッチ検出電極が設けられ、そのタッチ検出電極上におけるタッチ位置を、タッチ検出電極に電気的に接続されたタッチ検出配線からの電気信号により検出するように構成されているので、装置全体の厚さ及び重量を低減できると共に、製造工程を減らすことができる。その結果、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置において、薄型化及び軽量化を図りながらも、製造コストを下げることができる。

実施形態１における有機ＥＬ表示装置を概略的に示す斜視図である。 有機ＥＬ表示パネルにおける表示領域の一部を概略的に示す斜視図である。 有機ＥＬ表示パネルを概略的に示す斜視図である。 図２のIV−IV線における断面図である。 有機ＥＬ表示パネルにおける駆動回路を示す概念図である。 １つの画素回路を示す概念図である。 画素回路を構成するパターンを概略的に示す平面図である。 図７のVIII−VIII線における断面図である。 図７のIX−IX線における断面図である。 図３におけるX−X線における断面図である。 図３におけるXI−XI線における断面図である。 １次元抵抗体を用いた静電容量結合方式のタッチセンサの動作原理を説明するための模式図である。 タッチセンサ部でのタッチ位置検出の動作原理を説明するための模式図である。 タッチセンサ回路基板上におけるタッチ位置検出回路の概念図である。 アクティブマトリクス基板の作製における前半工程図であり、図８対応箇所を示す断面図である。 アクティブマトリクス基板の作製における後半工程図であり、図８対応箇所を示す断面図である。 有機ＥＬ素子の形成における前半工程図であり、図４対応箇所を示す断面図である。 有機ＥＬ素子の形成における後半工程図、及び下部封止膜の形成における工程図であり、図４対応箇所を示す断面図である。 シールド構造体及びタッチ検出電極の形成における工程図であり、図４対応箇所を示す断面図である。 実施形態２における有機ＥＬ表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。 実施形態３における有機ＥＬ表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。

《発明の実施形態１》
図１〜図１９は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。

図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓを概略的に示す斜視図である。図２は、有機ＥＬ表示装置Ｓの表示領域Ｄの一部を概略的に示す斜視図である。図３は、表示装置本体である有機ＥＬ表示パネル１を概略的に示す斜視図である。図４は、図２のIV−IV線における表示領域Ｄの断面図である。

＜有機ＥＬ表示装置Ｓの構成＞
本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓは、図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１と、その有機ＥＬ表示パネル１にフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit、以下、ＦＰＣと称する）２を介して接続されたタッチセンサ回路基板３とを備えている。

有機ＥＬ表示パネル１は、例えば矩形状などに形成され、外縁部分に非表示領域である額縁領域Ｆ、その額縁領域Ｆの内側に画像表示を行う表示領域Ｄがそれぞれ設定されている。そして、額縁領域Ｆの一辺側（図１中右側）には外部回路と接続するための端子領域Ｔが設定されている。ＦＰＣ２は、一端部が異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film、以下、ＡＣＦと称する）を介して端子領域Ｔに接続され、他端部がＡＣＦや半田付けによりタッチセンサ回路基板３に接続されている。このＦＰＣ２には、有機ＥＬ表示パネル１とタッチセンサ回路基板３とを電気的に接続するための配線パターンを含む所定の配線パターンが設けられている。

＜有機ＥＬ表示パネル１の構成＞
有機ＥＬ表示パネル１は、アクティブマトリクス駆動方式を採用しており、それぞれが個別に電気的に駆動制御可能な図２に示す複数の画素Ｐで表示領域Ｄが構成されている。例えば、フルハイビジョンの有機ＥＬ表示パネル１では、横方向（図中Ｘ方向）に１９２０個、縦方向（図中Ｙ方向）に１０８０個の画素Ｐが並んでいる。各画素Ｐは、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３色の副画素ｐ１を１組として構成されている。なお、図２では３色の副画素ｐ１が並置方式でストライプ状に並んでいる様子を示しているが、その他に３色の副画素ｐ１がデルタ配列であっても、本特許の趣旨に影響は及ばない。また、３色の副画素ｐ１が積層されている積層方式やその他の並べ方であっても、本特許の趣旨に影響は及ばない。

この有機ＥＬ表示パネル１は、図３及び図４に示すように、アクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０上の表示領域Ｄに各副画素ｐ１に対応して所定配列で設けられた複数の有機ＥＬ素子２２と、各有機ＥＬ素子２２を覆うように設けられた素子封止膜としての下部封止膜２７と、下部封止膜２７上に各有機ＥＬ素子２２に重なるように設けられたシールド層２８と、シールド層２８を覆うように設けられたシールド封止膜としての中間封止膜２９と、中間封止膜２９上に設けられたタッチセンサ部３０とを備えている。

＜有機ＥＬ表示パネル１における駆動回路の構成＞
有機ＥＬ表示パネル１には、アクティブマトリクス基板１０と各有機ＥＬ素子２２で構成された図５及び図６に示す駆動回路が設けられている。図５は、有機ＥＬ表示パネル１における駆動回路を示す概念図である。図６は、１つの副画素ｐ１での回路を示す概念図である。

アクティブマトリクス基板１０には、図５に示すように、有機ＥＬ表示パネル１を駆動するための駆動回路として、表示領域Ｄにおいて、互いに並行して延びる複数のゲート配線（走査線）１５と、各ゲート配線１５に交差する方向に互いに並行して延びる複数のソース配線（データ線）１８と、各ソース配線１８に沿って延びる複数の電流供給配線１９とが設けられている。ここで、ゲート配線１５及びソース配線１８は、互いに絶縁されており、全体として各副画素ｐ１を区画するように格子状に形成されている。

さらに、アクティブマトリクス基板１０には、各ゲート配線１５が接続されてこれら各ゲート配線１５を駆動させるゲート線駆動回路ＧＤｒと、各ソース配線１８が接続されてこれら各ソース配線１８を駆動させるソース線駆動回路ＳＤｒと、各有機ＥＬ素子２２に電流を供給するための電源回路Ｖｐ，Ｖｃｏｍとが設けられている。電源回路Ｖｐには各電流供給配線１９が接続されている。ゲート線駆動回路ＧＤｒ、ソース線駆動回路ＳＤｒ及び電源回路Ｖｐ，Ｖｃｏｍは、例えばモノリシック回路として額縁領域Ｆに形成されている。ゲート線駆動回路ＧＤｒ及びソース線駆動回路ＳＤｒは、ＦＰＣ２を介して別基板に設けられた図３に示す表示制御回路ＴＣＯＮに電気的に接続されている。そして、各副画素ｐ１には、ゲート配線１５及びソース配線１８からの信号に応じて駆動する画素回路Ｐｃが構成されている。

画素回路Ｐｃは、図６に示すように、ゲート配線１５及びソース配線１８に接続されたスイッチング用薄膜トランジスタＴｒ１と、各々、スイッチング用薄膜トランジスタＴｒ１のドレインに電気的に接続された駆動用薄膜トランジスタＴｒ２及び保持容量Ｃｓとを備えている。保持容量Ｃｓは、電流供給配線１９を介して電源回路Ｖｐにも接続されている。駆動用薄膜トランジスタＴｒ２は、ソースが電流供給配線１９、ドレインが有機ＥＬ素子２２にそれぞれ接続されている。そして、有機ＥＬ素子２２は、電源回路Ｖｃｏｍに接続されている。

＜アクティブマトリクス基板１０及び有機ＥＬ素子２２の構成＞
図６の画素回路Ｐｃは、例えば図７〜図９に示すパターンで構成される。図７は、１つの画素回路Ｐｃのパターンを示す平面図である。図８は図７のVIII−VIII線における断面、図９は図７のIX−IX線における断面をそれぞれ示す図である。なお、図７中の参照符合Ｃは、コンタクトホールを介して上下パターンを接続する接続部である。また、図８及び図９では、有機ＥＬ素子２２よりも上層の構成を省略している。

＜アクティブマトリクス基板１０の構成＞
アクティブマトリクス基板１０は、図８及び図９に示す絶縁性基板１１上に上記駆動回路が形成されている。絶縁性基板１１は、有機ＥＬ素子２２の機械的耐久性を担保する機能、及び有機層に外部から水分や酸素が進入することを抑制する機能を有している。絶縁性基板１１の材料としては、ガラスや石英などの無機材料、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチック、及びアルミナなどのセラミックスなどを用いることができる。また、アルミニウムや鉄などの金属基板の一方面をシリカゲル（ＳｉＯ_２）や有機絶縁性材料などの絶縁材料でコートした基板、又はアルミニウムや鉄などの金属基板の表面に陽極酸化などの方法で絶縁化処理を施した基板などであっても構わない。

絶縁性基板１１上には、図８に示すように、その表面からの不純物の拡散を防ぐ目的で保護膜１２が設けられており、その保護膜１２上にスイッチング用及び駆動用薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられている。これらスイッチング用及び駆動用薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、トップゲート型の構造を採用しており、保護膜１２の表面に設けられたポリシリコンからなる半導体層１３ａ，１３ｂと、半導体層１３ａ，１３ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４を介して半導体層１３ａ，１３ｂの中央部分（チャネル領域）に重なるように設けられたゲート電極１５ａ，１６ｂと、半導体層１３ａ，１３ｂの一方側（ソース領域）に接続されたソース電極１８ａ，１９ｂと、半導体層１３ａ，１３ｂの他方側（ドレイン領域）に接続されたドレイン電極１６ａ，２０とを備えている。

なお、本実施形態では、半導体層１３ａ，１３ｂがポリシリコンからなるとしているが、半導体層１３ａ，１３ｂは、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化亜鉛などの酸化物半導体で構成されていてもよい。

スイッチング用薄膜トランジスタＴｒ１は、ゲート電極１５ａがゲート配線１５の図７中下方に突出した部分で構成されている。ソース電極１８ａは、ソース配線１８の図７中右側側方に突出した部分で構成され、平坦化絶縁膜２１及びゲート絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールｈを介して（接続部Ｃで）半導体層１３ａに接続されている。また、ドレイン電極１６ａは、電流供給配線１９に重なるように延びるゲート配線１６の一端部で構成され、ゲート絶縁膜１４に形成されたコンタクトホール１４ｈを介して（接続部Ｃで）半導体層１３ａに接続されている。そして、ゲート配線１６と電流供給配線１９とが層間絶縁膜１７を介して対向する構造により保持容量Ｃｓが構成されている。

駆動用薄膜トランジスタＴｒ２は、スイッチング用薄膜トランジスタＴｒ１に隣接して設けられており、ゲート電極１６ｂがゲート配線１６におけるドレイン電極１６ａとは反対側の端部で構成されている。ソース電極１９ｂは、電流供給配線１９の図７中左側側方に突出した部分で構成され、平坦化絶縁膜２１及びゲート絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールｈを介して（接続部Ｃで）半導体層１３ｂに接続されている。そして、ドレイン電極２０は、層間絶縁膜１７及びゲート絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールｈを介して（接続部Ｃで）半導体層１３ｂから層間絶縁膜１７上に引き出されている。

＜有機ＥＬ素子２２の構成＞
各有機ＥＬ素子２２は、図９に示すように平坦化絶縁膜２１上に設けられ、駆動用薄膜トランジスタＴｒ２のドレイン電極２０にそれぞれ電気的に接続されている。この有機ＥＬ素子２２は、トップエミッション型の構造を採用しており、平坦化絶縁膜２１の表面に設けられた下部電極２３と、下部電極２３上に設けられた有機ＥＬ層２５と、有機ＥＬ層２５を介して下部電極２３に重なるように設けられた上部電極２６とを備え、有機ＥＬ層２５が対応する副画素の色で発光する。本実施形態では、下部電極２３が陽極を構成し、上部電極２６が陰極を構成している。

下部電極２３は、図７及び図８に示すように平坦化絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール２１ｈを介して（接続部Ｃで）駆動用薄膜トランジスタＴｒ２のドレイン電極２０に接続されている。また、平坦化絶縁膜２１上において各下部電極２３の間には、図４及び図９に示すように、それら各下部電極２３のエッジを覆うように格子状のエッジカバー２４が設けられ、このエッジカバー２４により各下部電極２３が区画されている。

下部電極２３は、有機ＥＬ層２５に正孔（ホール）を注入する機能を有する。この下部電極２３の材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などの金属材料を用いることができる。また、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）などの合金であっても構わない。さらに、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウムスズ酸化物（酸化インジウムと酸化スズとの化合物：ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（酸化インジウムと酸化亜鉛との酸化物：ＩＺＯ）などの導電性酸化物などであってもよい。また、下部電極２３は、上記材料からなる層を複数積層して構成されていてもよい。

この下部電極２３は、仕事関数の大きな材料で構成することが好ましい。仕事関数の大きな材料で下部電極２３を構成することにより、有機ＥＬ層２５への正孔注入の効率を向上させることができるからである。仕事関数の大きな材料としては、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などが挙げられる。また、下部電極２３は、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性の材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、有機ＥＬ層２５から下部電極２３側に向けて出射された光が下部電極２３により上部電極２６側に高い反射率で反射される。そのため、有機ＥＬ層２５からの光の出射効率を高めることができ、高い輝度を実現することができる。さらに、下部電極２３は、高い導電性及び光反射率を有するアルミニウム（Ａｌ）などの金属層と、仕事関数の大きなインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの導電性酸化物層とが積層された多層構造であってもよい。この構成によれば、下部電極２３の高い光反射率と高いホール注入効率とを同時に実現することができる。したがって、より高輝度な有機ＥＬ素子２２を実現することができる。

有機ＥＬ層２５は、正孔輸送層２５ｈｔ、発光層２５ｅ及び電子輸送層２５ｅｔがこの順に積層された３層構造を有している。

正孔輸送層２５ｈｔは、下部電極２３から有機ＥＬ層２５への正孔の輸送効率を向上させる機能を有する。この正孔輸送層２５ｈｔは、各下部電極２３を覆うように設けられており、全ての有機ＥＬ素子２２で一体に形成されて共用されている。正孔輸送層２５ｈｔの材料としては、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、又はセレン化亜鉛などを用いることができる。

発光層２５ｅは、下部電極２３から注入された正孔と上部電極２６から注入された電子とを再結合させて発光する機能を有する。この発光層２５ｅは、各有機ＥＬ素子２２毎に分離して設けられ、発光色（赤色、緑色又は青色）に合わせて異なる材料で形成されている。発光層２５ｅの材料としては、金属オキシノイド化合物［８−ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘電体、ピリジン誘電体、ローダミン誘電体、アクイジン誘電体、フェノキサゾン、キナクリドン誘電体、ルブレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン、又はポリシランなどを用いることができる。

電子輸送層２５ｅｔは、電子を発光層２５ｅまで効率良く移動させる役割を持つ。この電子輸送層２５ｅｔも、各発光層２５ｅを覆うように設けられており、正孔輸送層２５ｈｔと同様に全ての有機ＥＬ素子２２で一体に形成されて共用されている。電子輸送層２５ｅｔの材料としては、例えば、有機化合物としてオキサジアゾール誘電体、トリアゾール誘電体、ベンゾキノン誘電体、ナフトキノン誘電体、アントラキノン誘電体、テトラシアノアントラキノジメタン誘電体、ジフェノキノン誘電体、フルオレノン誘電体、シロール誘電体、金属オキシノイド化合物などを用いることができる。

上部電極２６は、有機ＥＬ層２５に電子を注入する機能を有する。この上部電極２６の材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などの金属材料を用いることができる。また、上部電極２６は、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ_２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）などの合金により形成されていてもよい。さらに、上部電極２６は、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物により形成されていてもよい。また、上部電極２６は、上記材料からなる層を複数積層して形成することもできる。

この上部電極２６は、仕事関数の小さな材料で構成することが好ましい。仕事関数の小さな材料で上部電極２６を構成することにより、有機ＥＬ層２５への電子注入の効率を向上させることができるからである。仕事関数が小さな材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。また、上部電極２６は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの光透過性を有する材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、発光層２５ｅからの光の上部電極２６による吸収率を低くすることができ、高い輝度を実現することができる。さらに、上部電極２６は、仕事関数が小さいカルシウム（Ｃａ）やアルミニウム（Ａｌ）からなる金属層と、高い光透過率を有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などからなる透明電極層とが積層された多層構造であってもよい。この構成によれば、上部電極２６の高い電子注入効率と高い光透過率とを同時に実現することができる。したがって、より高輝度な有機ＥＬ素子２２を実現することができる。

＜下部封止膜２７の構成＞
下部封止膜２７は、上部電極２６を大気中の水分や酸素から保護すると共に上部電極２６とシールド層２８とを絶縁するために設けられている。この下部封止膜２７は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（Ｓｉ_ｘＮ_ｙ：ｘ，ｙは０より大きい実数）や、シリコンナイトライド（ＳｉＯＮ）などの単一の絶縁性膜、又はこれら絶縁性膜が積層された積層膜によって形成されて、光透過性を有している。

＜シールド層２８の構成＞
シールド層２８は、少なくとも表示領域Ｄを含むように下部封止膜２７上に、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料で形成されて、各有機ＥＬ素子２２とタッチセンサ部３０とを電磁遮蔽している。そのことにより、画像表示を行うために各有機ＥＬ素子２２に印加される経時的に変化する電圧に起因してタッチセンサ部３０に誘起電圧が発生することが抑制され、表示領域Ｄで発生するノイズからタッチセンサ部３０が保護されている。

このシールド層２８は、図３に示すように、反端子領域Ｔ側の一端部に接続されたシールド配線２８ｌにより有機ＥＬ表示パネル１の外縁部に沿って額縁領域Ｆを延びて端子領域Ｔに引き出されて、その引き出し端部に形成された接続端子２８ｔがＦＰＣ２の配線パターンに電気的に接続されている。シールド配線２８ｌは、図１０に示すようにアクティブマトリクス基板１０とシールド層２８との間に一端部が重なるように設けられている。そして、シールド配線２８ｌは、ＦＰＣ２及びタッチセンサ回路基板３を介して接地されている。

＜中間封止膜２９の構成＞
中間封止膜２９は、各有機ＥＬ素子２２及びシールド層２８を大気中の水分や酸素から保護すると共にシールド層２８とタッチセンサ部３０とを絶縁するために設けられている。この中間封止膜２９も、下部封止膜２７と同様に、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（Ｓｉ_ｘＮ_ｙ：ｘ，ｙは０より大きい実数）や、シリコンナイトライド（ＳｉＯＮ）などの単一の絶縁性膜、又はこれら絶縁性膜が積層された積層膜によって形成されて、光透過性を有している。

＜タッチセンサ部３０の構成＞
タッチセンサ部３０は、図３に太線で示すように、少なくとも表示領域Ｄを含むように中間封止膜２９上に設けられたタッチ検出電極３１と、タッチ検出電極３１の外周縁部に互いに離間してそれぞれ接続された複数本のタッチ検出配線３２と、タッチ検出電極３１を覆うように設けられた電極封止膜としての上部封止膜３３とを備えている。

タッチ検出電極３１は、例えば矩形状に形成され、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料で形成されて、光透過性を有している。

複数本のタッチ検出配線３２は、タッチ検出電極３１における端子領域Ｔ側（図３中右側）の２隅にそれぞれ接続された２本の第１タッチ検出配線３２ａと、タッチ検出電極３１における反端子領域Ｔ側（図３中左側）の２隅にそれぞれ接続された２本の第２タッチ検出配線３２ｂとで構成されている。これら各タッチ検出配線３２は、端子領域Ｔに引き出されて、その引き出し端部に形成された接続端子３２ｔがＦＰＣ２の配線パターンにまとめて電気的に接続されている。これら各タッチ検出配線３２は、図１１に示すように、アクティブマトリクス基板１０とタッチ検出電極３１の四隅部分との間に一端部が重なるように設けられている。

上部封止膜３３は、端子領域Ｔを除いてアクティブマトリクス基板１０上の各配線２８ｌ，３２をタッチ検出電極３１と共に全て覆うように設けられ、これら電極３１、配線２８ｌ，３２及び有機ＥＬ素子２２を大気中の水分や酸素から保護すると共に、タッチ検出電極３１上におけるタッチされた点で静電容量を形成するために設けられている。この上部封止膜３３も、下部封止膜２７と同様に、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（Ｓｉ_ｘＮ_ｙ：ｘ，ｙは０より大きい実数）や、シリコンナイトライド（ＳｉＯＮ）などの単一の絶縁性膜、又はこれら絶縁性膜が積層された積層膜によって形成されて、光透過性を有している。

＜タッチ位置検出方法＞
ここで、図１２及び図１３を参照しながら、本実施形態で採用するタッチセンサ部３０での静電容量結合方式によるタッチ位置の検出方法の原理について説明する。図１２は、１次元抵抗体を用いた静電容量結合方式のタッチセンサの動作原理を説明するための模式図である。図１３は、タッチセンサ部３０でのタッチ位置検出の動作原理を説明するための模式図である。

図１２では、説明を簡単にするため、タッチ検出電極３１として、電極Ａ及びＢに挟まれた１次元抵抗体を示しているが、実際の表示装置では、２次元的な広がりを持つタッチ検出電極３１がこの１次元抵抗体と同様の機能を発揮することになる。

電極Ａ及びＢのそれぞれには、電流−電圧変換用の抵抗ｒが接続されている。これら端子Ａ及びＢは、後述するタッチ位置検出回路に接続されている。

電極Ａとグランドとの間、及び電極Ｂとグランドとの間には、同相同電位の電圧（交流ｅ）が印加されている。このとき、電極Ａ及びＢは常に同電位にあるため、電極Ａと電極Ｂとの間を電流は流れない。

そして、仮に、指で位置Ｘをタッチした場合において、指によってタッチされた位置Ｘから電極Ａまでの抵抗をＲ_１、位置Ｘから電極Ｂまでの抵抗をＲ_２、Ｒ＝Ｒ_１＋Ｒ_２とする。このとき、人のインピーダンスをＺとし、電極Ａを流れる電流をｉ_１、電極Ｂを流れる電流をｉ_２とした場合、以下の式が成立する。

ｅ＝ｒｉ_１＋Ｒ_１ｉ_１＋（ｉ_１＋ｉ_２）Ｚ （式１）
ｅ＝ｒｉ_２＋Ｒ_２ｉ_２＋（ｉ_１＋ｉ_２）Ｚ （式２）
上記の（式１）及び（式２）から、以下の（式３）及び（式４）が得られる。

ｉ_１（ｒ＋Ｒ_１）＝ｉ_２（ｒ＋Ｒ_２） （式３）
ｉ_２＝ｉ_１（ｒ＋Ｒ_１）／（ｒ＋Ｒ_２） （式４）
上記の（式４）を（式１）に代入すると、以下の（式５）が得られる。

ｅ＝ｒｉ_１＋Ｒ_１ｒ_１＋（ｉ_１＋ｉ_１（ｒ＋Ｒ_１）／（ｒ＋Ｒ_２））Ｚ
＝ｉ_１（Ｒ（Ｚ＋ｒ）＋Ｒ_１Ｒ_２＋２Ｚｒ＋ｒ^２）／（ｒ＋Ｒ_２） （式５）
上記の（式５）から、以下の（式６）が得られる。

ｉ_１＝ｅ（ｒ＋Ｒ_２）／（Ｒ（Ｚ＋ｒ）＋Ｒ_１Ｒ_２＋２Ｚｒ＋ｒ^２） （式６）
同様にして、以下の（式７）が得られる。

ｉ_２＝ｅ（ｒ＋Ｒ_１）／（Ｒ（Ｚ＋ｒ）＋Ｒ_１Ｒ_２＋２Ｚｒ＋ｒ^２） （式７）
ここで、Ｒ_１、Ｒ_２の比を全体の抵抗Ｒを用いて表すと、以下の（式８）が得られる。

Ｒ_１／Ｒ＝（２ｒ／Ｒ＋１）ｉ_２／（ｉ_１＋ｉ_２）−ｒ／Ｒ （式８）
ここで、ｒ及びＲは既知であるので、電極Ａを流れる電流ｉ_１と電極Ｂを流れる電流ｉ_２とを測定によって求めれば、上記の（式８）からＲ_１／Ｒを決定することができる。なお、Ｒ_１／Ｒは、指で接触した人間を含むインピーダンスＺに依存しない。したがって、インピーダンスＺがゼロ又は無限大でない限り、上記の（式８）が成立し、人、材料による変化、状態を無視できる。

次に、図１３を参照しながら、上記１次元の場合における関係式を２次元の場合に適用した場合について説明する。ここで、タッチ検出電極３１の四隅には、図１３に示すように、電極Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤが形成されている。これら各電極Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤは、タッチ検出電極３１に対する各タッチ検出配線３２の接続部分で構成され、後述する位置検出回路に接続されている。

これら各電極Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤには、同相同電位の交流電圧が印加され、指などでタッチすることによって各端子Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに流れる電流をそれぞれｉ_１、ｉ_２、ｉ_３及びｉ_４とする。この場合、上記の計算と同様な計算により、以下の式が得られる。

Ｘ＝ｋ_１＋ｋ_２・（ｉ_２＋ｉ_３）／（ｉ_１＋ｉ_２＋ｉ_３＋ｉ_４） （式９）
Ｙ＝ｋ_１＋ｋ_２・（ｉ_１＋ｉ_２）／（ｉ_１＋ｉ_２＋ｉ_３＋ｉ_４） （式１０）
ここで、Ｘはタッチ検出電極３１上におけるタッチ位置のＸ座標、Ｙはタッチ検出電極３１上におけるタッチ位置のＹ座標である。また、ｋ１はオフセット、ｋ２は倍率である。さらに、ｋ１及びｋ２は、人のインピーダンスに依存しない定数である。

そして、上記の（式９）及び（式１０）に基づけば、各電極Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤを流れる電流ｉ_１、ｉ_２、ｉ_３及びｉ_４の測定値からタッチ検出電極３１上のタッチ位置を決定することができる。

なお、上述した例では、タッチ検出電極３１の４隅に電極を配置し、各電極を流れる電流を測定することにより、２次元的な広がりを持つ面上におけるタッチ位置を検出しているが、タッチ検出電極３１の電極数は４つに限られるものではない。２次元的なタッチ位置の検出に必要な電極の最低数は３つであるが、電極の数を５つ以上に増加させることにより、タッチ位置の検出精度を向上させることができる。

＜タッチセンサ回路基板３の構成＞
上記タッチ位置検出方法によるタッチ検出電極３１上のタッチ位置の検出は、図１４に示すタッチセンサ回路基板３に設けられたタッチ位置検出回路４０により実行される。図１４は、タッチセンサ回路基板３におけるタッチ位置検出回路４０を示す概念図である。

タッチ位置検出回路４０は、各タッチ検出配線３２からの電気信号によりタッチ検出電極３１におけるタッチ位置を検出するように構成されている。このタッチ位置検出回路４０は、各タッチ検出配線３２毎に設けられ、それら各タッチ検出配線３２にＦＰＣ２の配線パターンを介してそれぞれ接続された電流検出回路４１と、各電流検出回路４１に接続された電流変化検出回路４２と、電流変化検出回路４２に接続された増幅回路４３と、増幅回路４３に接続されたノイズ除去回路４４と、ノイズ除去回路４４に接続されたフィルタリング＆増幅回路４５と、フィルタリング＆増幅回路４５に接続されたサンプル＆ホールド回路４６と、サンプル＆ホールド回路４６に接続されたＡ／Ｄ変換回路４７と、Ａ／Ｄ変換回路４７に接続された演算回路４８とを備えている。

各電流検出回路４１は、各タッチ検出配線３２を介してタッチ検出電極３１の四隅の各々とグランドとの間を流れる電流を測定して、その測定結果であるアナログ電気信号を電流変化検出回路４２に送り出す。電流変化検出回路４２は、受け取ったアナログ電気信号からタッチセンサ部３０がタッチされたときの電流の変化分（増加分）を検出してその変化分の信号を増幅回路４３に送る。増幅回路４３は、前記変化分が微弱であるため、ノイズ除去が行えるレベルにまで前記変化分の信号を増幅する。ノイズ除去回路４４は、増幅された前記信号に乗ったタッチ情報に関する信号以外の成分であるノイズを除去する。フィルタリング＆増幅回路４５は、まず、フィルタリングを行ってノイズ除去された前記変化分の信号に重畳されている交流信号を除去する。そして、増幅処理を行ってサンプル＆ホールド回路が動作するのに十分な信号レベルまで前記変化分の信号を増幅する。サンプル＆ホールド回路４６は、増幅された前記変化分の信号をサンプリングして保持すると共にＡ／Ｄ変換回路に送り出す。Ａ／Ｄ変換回路４７は、受け取ったアナログ電気信号からデジタル化されたデジタル電気信号を生成し、演算回路４８に出力する。演算回路４８は、入力された電気信号に基づき上記タッチ位置検出方法に従ってタッチ位置を求め、タッチ点を形成した操作者による入力命令を判断し、所定のデータ処理などを行う。

＜有機ＥＬ表示装置Ｓの作動＞
上記構成の有機ＥＬ表示装置Ｓでは、各副画素ｐ１において、表示制御回路ＴＣＯＮからの信号に基づき、ゲート線駆動回路ＧＤｒによりゲート配線１５からゲート信号がゲート電極１５ａに送られて、スイッチング用薄膜トランジスタＴｒ１がオン状態になったときに、ソース線駆動回路ＳＤｒによりソース配線１８からソース信号がソース電極１８ａに送られ、半導体層１３ａ及びドレイン電極１６ａを介して、保持容量Ｃｓが充電されると共に、ゲート電極１６ｂに送られて駆動用薄膜トランジスタＴｒ２がオン状態となる。また、スイッチング用薄膜トランジスタＴｒ１がオフ状態のときには、充電された保持容量Ｃｓの電圧により駆動用薄膜トランジスタＴｒ２のオン状態が維持される。このように駆動用薄膜トランジスタＴｒ２がオン状態のとき、ソース信号に応じた電流が電流供給配線１９から有機ＥＬ素子２２に流れる。そして、有機ＥＬ表示装置Ｓでは、有機ＥＬ層２５に流れる電流の大きさによって各画素Ｐ毎における発光色の異なる３つの有機ＥＬ素子２２の発光強度をそれぞれ調整することにより、所望の画像が表示される。

また、有機ＥＬ表示装置Ｓでは、上部封止膜３３の表面がタッチされたときに、上部封止膜３３のタッチされた点でタッチ検出電極３１と人体（指など）との間に静電容量が形成されて人体を介して接地し、その静電容量を介して微弱電流が流れて、タッチ検出電極３１の四隅と接地点との間の電流値において変化が生じ、そのタッチ検出電極３１の四隅と接地点との間の電流値の変化に基づいてタッチ位置検出回路４０によりタッチされた位置が検出される。

−製造方法−
次に、上記有機ＥＬ表示装置Ｓを製造する方法について、図１５〜図１９を参照しながら一例を挙げて説明する。

図１５及び図１６は、アクティブマトリクス基板１０の作製における工程図であり、図８に対応する箇所の断面図である。図１７及び図１８は、有機ＥＬ素子２２及び下部封止膜２７の形成における工程図であり、図４に対応する箇所の断面図である。図１９は、中間封止膜２９及びタッチ検出電極３１の形成における工程図であり、図４に対応する箇所の断面図である。

有機ＥＬ表示装置Ｓの製造方法は、アクティブマトリクス基板作製工程、有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程、及び回路基板実装工程を含んでいる。

＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
まず、絶縁性基板１１として無アルカリガラス基板を準備する。この基板１１は、ＩＰＡ（Iso-Propyl Alcohol）超音波洗浄や純水洗浄などの方法により、有機物などの異物を予め除去しておく。

次に、準備したガラス基板１１の全面に、公知のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）膜を１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の厚さに成膜することで、図１５（ａ）に示すように保護膜１２を形成する。

さらに、保護膜１２が形成された基板上に、プラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜を３０ｎｍ〜８０ｎｍ程度の厚さに成膜した後、そのアモルファスシリコン膜を固相成長させる。固相成長は、例えば、アモルファスシリコン膜１３に対して結晶化を助長するニッケル（Ｎｉ）などの金属触媒を塗布法や成膜法により添加し、その後、基板が歪まない程度の温度で加熱処理を行うことによって、金属添加物を起点として結晶粒を成長させることにより行う。これにより、結晶質シリコン膜が形成される。次に、その結晶質シリコン膜にエキシマレーザを照射して熱処理することで、多結晶化したポリシリコン膜を形成する。そして、そのポリシリコン膜をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで、図１５（ｂ）に示すように半導体層１３ａ，１３ｂを形成する。

続いて、半導体層１３ａ，１３ｂが形成された基板上に、公知のＣＶＤ法により、図１５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜１４として酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜を５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さで成膜する。次に、ソース領域及びドレイン領域となる各領域に、イオンドーピング法により、不純物元素をドープし、その後、基板を熱処理することにより、各薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の閾値を調整する。

次いで、ゲート絶縁膜１４をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで、図１５（ｄ）に示すように、コンタクトホール１４ｈを形成する。そして、コンタクトホール１４ｈが形成されたゲート絶縁膜１４の全面に、スパッタ法により、チタン（Ｔｉ）膜などの高融点金属膜を成膜し、その高融点金属膜をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで、ゲート配線１５，１６、ゲート電極１５ａ，１６ｂ及びドレイン電極１６ａを形成する。さらに、イオンドーピング法により、半導体層１３ａ，１３ｂの抵抗値などを調整する。

次に、ゲート電極１５ａ，１６ｂなどが形成された基板上に、公知のＣＶＤ法により、図１６（ａ）に示すように、層間絶縁膜１７として例えば窒化ケイ素膜などのケイ素系絶縁膜を４００ｎｍ〜９００ｎｍ程度の厚さに成膜する。そして、層間絶縁膜１７及びゲート絶縁膜１４に対し、フォトリソグラフィーにより、図１６（ｂ）に示すようにコンタクトホールｈを形成する。続いて、コンタクトホールｈが形成された層間絶縁膜１７上に、スパッタ法により、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜及びチタン（Ｔｉ）膜を順に積層した低抵抗なアルミニウム系金属を含む金属積層膜を成膜し、その金属積層膜をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで、ソース配線１８、電流供給配線１９及びソース電極１８ａ，１９ｂを形成する。その後、基板に高温熱処理を行う。

その後、ソース電極１８ａ，１９ｂなどが形成された基板上に、スピンコート法により、感光性のアクリル樹脂やポリイミド樹脂、ノボラック樹脂を塗布する。続いて、塗布した樹脂を所定のパターンで露光した後に現像して、２００℃以上の高温炉で熱処理することにより、図１６（ｃ）に示すようにコンタクトホール２１ｈを有する平坦化絶縁膜２１を１μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。

このようにして、アクティブマトリクス基板１０を作製することができる。

＜有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程＞
まず、アクティブマトリクス基板１０の全面に、ＤＣスパッタ法により、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を８０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに成膜する。このとき、ＤＣスパッタ法のターゲットとしては、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ_２）を５重量パーセント〜２０重量パーセント含む酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）からなるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いる。その後、基板を２００℃以上の高温で１〜２時間に亘って熱処理する。さらに、スパッタ法によりインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜上にアルミニウム（Ａｌ）膜を成膜することで、それら導電膜が順に積層された金属積層膜を形成する。そして、その金属積層膜をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで、図１７（ａ）に示すように、下部電極２３を形成する。

次に、下部電極２３が形成された基板上に、スピンコート法により、感光性のポリイミド樹脂を塗布し、その塗布した樹脂をフォトマスクを用いて所定のパターンで露光した後に現像して、熱処理することでエッジカバー２４を形成する。

続いて、エッジカバー２４が形成された基板上に、公知の真空蒸着法により、図１７（ｂ）に示すように、正孔輸送層２５ｈｔとしてＮＰＢ（N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidene）を３０ｎｍ程度の厚さに形成する。

さらに、正孔輸送層２５ｈｔ上に、マスク蒸着法により、図１７（ｃ）に示すように、発光層２５ｅを３０ｎｍ程度の厚さに形成する。マスク蒸着法では、蒸着源として例えば赤色、緑色又は青色の発光有機材料をるつぼに入れておき、雰囲気圧力が例えば１０^−４Ｐａ程度にまで真空引きした減圧下でるつぼを加熱し、るつぼ内の発光有機材料を所定のマスクを介して蒸着させることにより、選択した色の発光層（例えば赤色の発光層）２５ｅを形成する。さらに、他の２色の発光層（例えば緑色及び青色の発光層）２５ｅについても、マスクをずらして同様な工程を繰り返し行うことにより形成して、各色の発光層２５ｅを形成する。

そして、各発光層２５ｅが形成された基板上に、公知の真空蒸着法により、図１８（ａ）に示すように、電子輸送層２５ｅｔとしてＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体（aluminato tris-8-hydroxyquinolate））を４０ｎｍ程度の厚さに形成する。

その後、電子輸送層２５ｅｔ上に、マスク蒸着法によりマグネシウム（Ｍｇ）膜及び銀（Ａｇ）膜を１ｎｍ〜２０ｎｍ程度の厚さで連続して成膜し、さらに電気抵抗を下げるために銀（Ａｇ）膜上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介してインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を成膜する。このとき、イオンビームスパッタ法では、例えば、ＳｎＯ_２を５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含むインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）をターゲットとして用い、イオンビームパワーを０．５ｋＷ〜２．０ｋＷ、アルゴン（Ａｒ）の流量を１０〜１００ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ_２）の流量を５ｓｃｃｍ〜２０ｓｃｃｍにそれぞれ設定する。このようにして、マグネシウム（Ｍｇ）膜、銀（Ａｇ）膜及びインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜が順に積層された図１８（ｂ）に示す上部電極２６及びそれを備えた有機ＥＬ素子２２を形成すると共に、タッチ検出配線３２及びシールド配線２８ｌを同時に形成する。

次に、有機ＥＬ素子２２などが形成された基板上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して、図１８（ｃ）に示すように、下部封止膜２７としてシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）を４００ｎｍ程度の厚さに形成する。このとき、イオンビームスパッタ法では、例えば、シリコン（Ｓｉ）をターゲットとして用い、イオンビームパワーを１ｋＷ程度、窒素の流量を３０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ_２）の流量を１５ｓｃｃｍ程度にそれぞれ設定する。

続いて、下部封止膜２７上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して、図１９（ａ）に示すように、シールド層２８としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層を１００ｎｍ程度の厚さに形成する。このとき、イオンビームスパッタ法では、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ_２）を１０重量パーセント含む酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）からなるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）をターゲットとして用い、イオンビームパワーを１ｋＷ程度、アルゴン（Ａｒ）の流量を３０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ_２）の流量を１５ｓｃｃｍにそれぞれ設定する。

さらに、シールド層２８が形成された基板上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して中間封止膜２９としてシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）を２００ｎｍ程度の厚さに形成する。このとき、イオンビームスパッタ法では、例えば、シリコン（Ｓｉ）をターゲットとして用い、イオンビームパワーを１ｋＷ程度、窒素（Ｎ）の流量を３０ｓｃｃｍ程度、酸素（Ｏ_２）の流量を１５ｓｃｃｍ程度にそれぞれ設定する。

そして、中間封止膜２９上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して、図１９（ｂ）に示すように、タッチ検出電極３１としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を１００ｎｍ程度の厚さに形成する。このとき、イオンビームスパッタ法では、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）を１０重量パーセント含む酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）からなるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）をターゲットとして用い、イオンビームパワーを１ｋＷ程度、アルゴン（Ａｒ）の流量を３０ｓｃｃｍ程度、酸素（Ｏ_２）の流量を１５ｓｃｃｍ程度にそれぞれ設定する。

その後、タッチ検出電極３１上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して上部封止膜３３としてシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）膜を２００ｎｍ程度の厚さに形成して、タッチセンサ部３０を形成する。このとき、イオンビームスパッタ法では、例えば、シリコン（Ｓｉ）をターゲットとして用い、イオンビームパワーを１ｋＷ程度、窒素（Ｎ）の流量を３０ｓｃｃｍ程度、酸素（Ｏ_２）の流量を１５ｓｃｃｍ程度にそれぞれ設定する。

このようにして、図３に示す有機ＥＬ表示パネル１を作製することができる。

＜回路基板実装工程＞
まず、各々予め作製されて半田付け又はＡＣＦを介する圧着により互いに接続されたタッチセンサ回路基板３及びＦＰＣ２を準備する。そして、有機ＥＬ表示パネル１の端子領域Ｔに対し、ＡＣＦを介してＦＰＣ２を圧着して接続することにより、ＦＰＣ２及びタッチセンサ回路基板３を実装する。

以上のようにして、図１に示す有機ＥＬ表示装置Ｓを製造することができる。

−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１の有機ＥＬ表示装置Ｓによると、各タッチ検出配線３２からの電気信号によりタッチ位置を検出可能なタッチ検出電極３１が中間封止膜２９の表面に直接に設けられていることによりタッチセンサ機能を有しているため、有機ＥＬ表示パネル１にタッチパネルを搭載する必要がなく、装置全体の厚さ及び重量を低減できる。さらに、有機ＥＬ表示パネル１とは別個にタッチパネルを作製する工程、及び作製したタッチパネルを有機ＥＬ表示パネル１に貼り合わせる工程を行う必要もなくなるので、全体として製造工程を減らすことができる。したがって、装置全体の厚さ及び重量を低減できると共に、製造工程を減らすことができる。

そして、各有機ＥＬ素子２２が下部封止膜２７、中間封止膜２９及び上部封止膜３３により多層化された封止膜で封止されているため、各有機ＥＬ素子２２の反基板１０側に封止板を設けることなく、各有機ＥＬ素子２２への外部からの水分や酸素の進入を十分に抑制できる。これにより、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置Ｓの薄型化及び軽量化を良好に行うことができる。

その結果、有機ＥＬ表示装置Ｓの薄型化及び軽量化を図りながらも、製造歩留り及びスループットを向上させて、製造コストを下げることができる。

さらに、この実施形態１の有機ＥＬ表示装置Ｓ１は、各有機ＥＬ素子２２と中間封止膜２９との間において有機ＥＬ素子２２を覆う下部封止膜２７上にシールド層２８が設けられているため、タッチ検出電極３１におけるタッチ位置を検出するための電気信号に含まれるノイズ成分を低減でき、タッチ位置の検出精度を向上させることができる。

《発明の実施形態２》
図２０は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の実施形態２を示している。なお、以降の各実施形態では、図１〜図１９と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。図２０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓにおける表示領域Ｄの図４に対応する箇所を示す断面図である。

上記実施形態１では、下部封止膜２７とタッチ検出電極３１との間にシールド層２８及び中間封止膜２９が設けられているとしたが、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓでは、図２０に示すように、下部封止膜２７の表面にタッチ検出電極３１が直接に設けられている。下部封止膜２７は、比較的厚く、例えば６００ｎｍ程度の厚さに形成されている。本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓにおけるその他の構成については、上記実施形態１と同様である。

−製造方法−
本実施形態における有機ＥＬ表示装置Ｓの製造方法も、アクティブマトリクス基板作製工程、有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程、及び回路基板実装工程を含んでいる。なお、アクティブマトリクス基板作製工程及び回路基板実装工程については、上記実施形態１と同様であるので、その説明を省略する。

＜有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程＞
上記実施形態１と同様に有機ＥＬ素子を形成した後において、有機ＥＬ素子２２が形成された基板上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して下部封止膜２７としてシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）を６００ｎｍ程度の厚さに形成する。

下部封止膜２７が形成された基板上に、上記実施形態１と同様にして、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介してタッチ検出電極３１としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層を１００ｎｍ程度の厚さに形成する。次いで、タッチ検出電極３１が形成された基板上に、イオンビームスパッタ法により、所定のマスクを介して上部封止膜３３としてシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）を３００ｎｍ程度の厚さに形成して、タッチセンサ部３０を形成する。

以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示パネル１を作製することができ、その後、回路基板実装工程を行うことにより本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓを製造することができる。

−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２の有機ＥＬ表示装置Ｓによると、各タッチ検出配線３２を介する電気信号によりタッチ位置を検出可能なタッチ検出電極３１が下部封止膜２７の表面に直接に設けられているので、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。

さらに、この実施形態２の有機ＥＬ表示装置Ｓは、下部封止膜２７とタッチ検出電極３１との間にシールド層２８やシールド配線２８ｌ、中間封止膜２９などのシールド構造体が設けられていない簡素な構造であるため、シールド構造体２８，２８ｌ，２９が設けられている場合に比べて、シールド構造体２８，２８ｌ，２９を形成する工程を行う必要がない分さらに製造工程が減る。そのことにより、製造歩留り及びスループットがさらに向上して製造コストをより低減できると共に、より容易にタッチセンサ機能を有機ＥＬ表示装置Ｓに付加することができる。そして、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置Ｓの薄型化及び軽量化を可及的に行うことができる。

《発明の実施形態３》
図２１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の実施形態３を示している。図２１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓにおける表示領域Ｄの図４に対応する箇所を示す断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓは、図２１に示すように、上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置Ｓの構成に加えて、上部封止膜３３上に封止樹脂３５を介して封止板３６が貼り合わせられている。この封止板３６としては、無アルカリガラス基板や、水分透過性が低く且つ光透過性があればプラスチック板も用いることができる。封止板３６にプラスチック板を採用する場合には、柔軟性があるものを用いてもよい。

そして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓは、封止板３６の表面がタッチされたときに、上記実施形態１と同様に、静電容量結合方式によりタッチ検出電極３１上におけるタッチ位置をタッチ検出電極３１及び各タッチ検出配線３２を介してタッチ位置検出回路４０で検出するように構成されている。

−製造方法−
本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓの製造方法は、上記実施形態１と同様に、アクティブマトリクス基板作製工程、有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程、及び回路基板実装工程を含み、さらに有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程と回路基板実装工程との間に行う封止板貼り合わせ工程を含んでいる。なお、アクティブマトリクス基板作製工程、有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程、及び回路基板実装工程については、上記実施形態１と同様であるので、その説明を省略する。

＜封止板貼り合わせ工程＞
上記実施形態１と同様に有機ＥＬ素子・タッチセンサ部形成工程を行った後に、封止樹脂３５としてエポキシ樹脂を上部封止膜３３上の少なくとも表示領域Ｄを含む領域に滴下する。ここで用いるエポキシ樹脂は、封止板３６を貼り合わせる際の気泡を防ぐため、１０^−１Ｐａ以下に真空引きした減圧下で約５時間に亘って予め真空脱気しておく。そして、加熱炉により、窒素雰囲気中において１００℃程度で約２時間に亘って加熱して、封止樹脂３５を硬化させることにより、タッチセンサ部３０上に封止板３６を接着する。

このようにして、封止板３６が貼り合わせられた有機ＥＬ表示パネル１を作製することができ、その後、回路基板実装工程を行うことにより本実施形態の有機ＥＬ表示装置Ｓを製造することができる。

−実施形態３の効果−
したがって、この実施形態３の有機ＥＬ表示装置Ｓによっても、上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置Ｓの構成を備えているので、装置全体の厚さ及び重量を低減できると共に、製造工程を減らすことができる。

さらに、この実施形態３の有機ＥＬ表示装置Ｓは、タッチセンサ部３０上に封止樹脂を介して封止板３６が設けられていることにより、各有機ＥＬ素子２２にまで水分や酸素が外部から侵入することが封止板３６によりさらに抑制されるため、有機ＥＬ素子２２における電極２３，２６の酸化や有機層２５の材質劣化の進行が良好に抑制される。そのことにより、有機ＥＬ素子２２の発光品位の低下を抑制できるため、有機ＥＬ表示装置Ｓの信頼性を向上させることができる。

《その他の実施形態》
上記各実施形態では、タッチセンサ部３０がタッチ検出電極３１を覆う上部封止膜３３を備え、タッチ検出電極３１上における上部封止膜３３表面のタッチされた位置を静電容量結合方式により検出する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限られず、タッチセンサ部３０は、上部封止膜３３を備えておらず、タッチ検出電極３１に指やペンが直接に接触する直接接触式の構造であってもよい。

上記各実施形態では、各タッチ検出配線３２は一端部がアクティブマトリクス基板１０とタッチ検出電極３１との間に重なっているとしたが、本発明はこれに限られず、各タッチ検出配線３２は、タッチ検出電極３１と上部封止膜３３との間でタッチ検出電極３１の外周縁部上に一端部が重なっていてもよく、また、上部封止膜３３上に設けられて、その上部封止膜３３に形成されたコンタクトホールを介してタッチ検出電極３１の外周縁部に接続されていてもよい。

上記各実施形態では、タッチ検出配線３２及びシールド配線２８ｌを上部電極２６と共に形成するとしたが、タッチ検出配線３２及びシールド配線２８ｌは上部電極２６とは別個独立の工程により形成されていてもよい。

上記各実施形態では、アクティブマトリクス基板１０上に各有機ＥＬ素子２２を有するアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置Ｓについて説明したが、本発明はこれに限られず、パッシブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置であってもよい。

また、上記各実施形態では、各副画素ｐ１内でスイッチング用及び駆動用の２つの薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を有する駆動回路構成について説明したが、３つ以上の薄膜トランジスタが設けられた構成であってもよく、このような構成においても本発明に係る有機ＥＬ表示装置Ｓの作用効果は有効である。

また、上記各実施形態では、スイッチング用及び駆動用薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２としてトップゲート型の構造を有する薄膜トランジスタを用いている場合を示したが、各薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２はボトムゲート型の構造を有していてもよい。また、各薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に代えて、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）ダイオードなどを各有機ＥＬ素子２２に対するスイッチング用素子及び駆動用素子として用いてもよい。

上記各実施形態において、有機ＥＬ層２５は、正孔輸送層２５ｈｔ、発光層２５ｅ及び電子輸送層２５ｅｔの３層構造であるとしたが、性能向上のためにさらに機能分離を進めて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層がこの順に積層された５層構成となっていてもよい。

ここで、正孔注入層は、陽極バッファ層とも呼ばれ、下部電極と有機ＥＬ層とのエネルギーレベルと近づけ、下部電極から有機ＥＬ層への正孔注入効率を改善するために用いられる。正孔注入層の材料としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、又はスチルベン誘導体などを用いることができる。

電子注入層は、上部電極と有機ＥＬ層とのエネルギーレベルを近づけ、上部電極から有機ＥＬ層へ電子が注入される効率を向上させるために用いられ、これにより有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げることが可能となる。この電子注入層は、陰極バッファ層とも呼ばれる。電子注入層の材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ_２）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）などの無機アルカリ化合物、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｒＯを用いることができる。

上記各実施形態では、各有機ＥＬ素子２２がトップエミッション型である場合について説明したが、本発明はこれに限られず、各有機ＥＬ素子が絶縁性基板１１側、つまり素子形成面とは逆側の面より発光を取り出すボトムエミッション型の構造を採用している場合にも適用することが可能である。有機ＥＬ素子がボトムエミッション型である場合は、有機ＥＬ表示パネル１の表示面とは反対側の裏面において、タッチセンサ部３０によりタッチセンサ機能を実現できる。

各有機ＥＬ素子がボトムエミッション型である場合には、下部電極がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの光透過性の材料により形成され、上部電極がアルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、発光層から上部電極側に向けて出射された光が上部電極によって陽極側に高い反射率で反射されると共に、有機ＥＬ層からの光の下部電極による吸収率を低くすることができる。そのため、発光層からの光の出射効率を高くすることができ、高い輝度を実現することができる。また、この場合には、絶縁性基板１１は、ガラスやプラスチックなどの光透過率の高い材料により構成することが好ましい。

以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について有用であり、特に、タッチセンサ機能を有する有機ＥＬ表示装置において、装置全体の厚さ及び重量を低減すると共に、製造工程を減らすことが要望される有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に適している。

Ｓ 有機ＥＬ表示装置
Ｔ 端子領域
２ ＦＰＣ（配線基板）
１０ アクティブマトリクス基板（基板）
２２ 有機ＥＬ素子
２７ 下部封止膜（素子封止膜）
２８ シールド層
２９ 中間封止膜
３１ タッチ検出電極
３２ タッチ検出配線
３２ａ 第１タッチ検出配線
３２ｂ 第２タッチ検出配線
３２ｔ 接続端子
３５ 封止樹脂
３６ 封止板
４０ タッチ位置検出回路

Claims (10)

1. 基板と、
   上記基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、
   上記有機ＥＬ素子の反基板側に設けられた封止膜とを備えた有機ＥＬ表示装置であって、
   上記封止膜の表面に設けられたタッチ検出電極と、
   上記タッチ検出電極の外周縁部に互いに離間して電気的に接続された複数本のタッチ検出配線と、
   上記各タッチ検出配線からの電気信号により上記タッチ検出電極上におけるタッチ位置を検出するタッチ位置検出回路とをさらに備えている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記有機ＥＬ素子と上記封止膜との間には、上記有機ＥＬ素子を覆う素子封止膜と、該素子封止膜を覆い、上記有機ＥＬ素子と上記タッチ検出電極とを電磁遮蔽するためのシールド層とが設けられている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
3. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記タッチ検出電極は、電極封止膜によって覆われている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
4. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記封止膜は、上記有機ＥＬ素子を直接に覆っている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記タッチ検出電極の反基板側には、封止板が封止樹脂を介して設けられている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記各タッチ検出配線は、上記基板と上記タッチ検出電極との間に一部が重なるように設けられている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記各タッチ検出配線は、上記タッチ検出電極の外側で上記基板の一方側の端部に設定された端子領域にそれぞれ引き出されて、当該引き出し端部に形成された接続端子が配線基板にまとめて電気的に接続され、
   上記タッチ位置検出回路は、上記配線基板を介して上記各接続端子に電気的に接続されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
8. 請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記タッチ検出電極は、矩形状に形成され、
   上記端子領域は、上記タッチ検出電極の一辺に沿って設定され、
   上記複数本のタッチ検出配線は、上記タッチ検出電極における端子領域側の２隅からそれぞれ引き出された２本の第１タッチ検出配線と、上記タッチ検出電極における反端子領域側の２隅からそれぞれ引き出された２本の第２タッチ検出配線とで構成され、
   上記２本の第２タッチ検出配線は、上記タッチ検出電極上における上記端子領域が沿う一辺に隣接する対辺に沿って両側から引き出されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
9. 請求項１〜８のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
   上記タッチ検出電極上におけるタッチ位置を静電容量結合方式により検出するように構成されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
10. 請求項１〜９のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
    上記タッチ検出電極は、酸化スズ、インジウムスズ酸化物又はインジウム亜鉛酸化物により形成されている
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

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