KR101256673B1

KR101256673B1 - 유기 광 발생 소자 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR101256673B1
Application number: KR1020060060470A
Authority: KR
Inventors: 조흥렬; 이준석; 최희동; 김정현; 이재윤
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2006-06-30
Filing date: 2006-06-30
Publication date: 2013-04-19
Also published as: CN100536160C; US8084936B2; CN101097945A; KR20080001967A; US20080001535A1

Abstract

유기 광 발생 소자 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 유기 광 발생 장치는 기판상에 배치된 제1 전극, 제1 전극의 상면에 격자 형상으로 배치되며 상면에 폐루프 형상으로 형성되며 입구로부터 내부로 갈수록 넓어지는 그루브(groove) 형상의 소자 분리부가 형성된 격리벽, 격리벽에 의하여 둘러싸인 제1 전극 상에 배치되며 소자 분리부에 의하여 개별화된 유기 광 발생 패턴 및 개별화된 유기 광 발생 패턴 상에 배치되며 소자 분리부에 의하여 분리된 제2 전극을 포함한다. 이로써, 유기 발광층들 및 화소 전극들을 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리할 뿐만 아니라 유기 발광층을 열화시키는 솔벤트와 같은 가스를 발생하지 않는 무기물로 이루어진 격리벽을 제공하여 성능 및 수명을 연장시키는 효과를 갖는다.

유기, 제1 전극, 제2 전극, 분리, 발광층

Description

유기 광 발생 소자 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

도 1은 본 발명의 유기 광 발생 장치의 일부를 도시한 평면도이다.

도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 유기 광 발생 장치의 제조 방법을 도시한 순서도이다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 의하여 기판에 형성된 제1 전극을 도시한 단면도이다.

도 5 내지 도 9들은 제1 전극 상에 형성되는 격리벽의 제조 공정을 도시한 단면도들이다.

도 10은 도 9에 도시된 기판에 유기 광 발생 패턴 및 제2 전극이 형성된 것을 도시한 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1: 기판 5: 버스 라인

10: 제1 전극 20: 격리벽

30: 유기 광 발생 패턴 40: 제2 전극

유기 광 발생 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 들어, 방대한 데이터를 단시간 내 처리할 수 있는 정보처리장치(information processing device)의 기술 개발이 급속히 이루어지고 있고, 이와 함께 정보처리장치에서 처리된 결과 데이터를 육안으로 확인하기 위한 표시장치(display device)의 기술 개발 역시 급속히 이루어지고 있다.

표시장치는 아날로그 방식 표시장치 및 디지털 방식 표시장치로 구분할 수 있다. 아날로그 방식 표시장치는 음극선관 방식 표시장치(Cathode Ray Type display device, CRT)가 대표적이고, 디지털 방식 표시장치는 액정표시장치(liquid crystal display device, LCD), 유기 광 발생 장치(Organic Light Emitting Device, OLED) 및 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel,PDP) 등이 대표적이다. 최근에는 아날로그 방식 표시장치에 비하여 부피가 작고 무게가 가벼운 디지털 방식 표시장치가 널리 사용되고 있다.

최근에는 디지털 방식 표시장치들 중 유기 광 발생 장치의 기술 개발이 급속히 진행되고 있다.

종래 유기 광 발생 장치는 기판에 배치된 공통전극(common electrode)상에 격자 형상으로 배치된 격리벽(seperator)을 포함한다. 일반적으로, 격리벽은 역 테이퍼 형상을 갖도록 형성되며, 종래 유기 광 발생 장치에서 격리벽은 감광물질(photo sensitive substance), 솔벤트 등을 포함하는 유기막(organic layer)을 패터닝하여 형성한다.

격리벽이 형성된 공통전극 상에는 진공 증착 방법에 의하여 유기 발광층(organic light emitting layer)이 형성되고, 유기 발광층 상에는 화소 전극(pixel electrode)이 증착된다. 이때, 역 테이퍼 형상을 갖는 격리벽은 각 유기 발광층 및 화소 전극을 별도의 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리시키는 역할을 한다.

이와 같은 구성을 갖는 유기 광 발생 장치의 유기 발광층은 각종 가스, 산소, 수소 및 습기 등에 의하여 매우 쉽게 열화 되기 때문에 대부분의 유기 광 발생 장치는 유기 발광층 및 각종 가스, 산소, 수소 및 습기 등의 접촉을 억제하는 유해물질 차단 부재를 포함한다. 유해 물질 차단 부재는 유기 발광층을 밀봉한다.

이때, 유해물질 차단 부재는 유기 발광층 뿐만 아니라 유기물로 이루어진 격리벽까지 함께 밀봉한다. 이와 같이 유해물질 차단 부재가 유기 발광층 뿐만 아니라 격리벽까지 함께 밀봉할 경우, 격리벽으로부터 휘발된 솔벤트 등에 의하여 유해물질 차단 부재에 밀봉된 유기 발광층이 심각하게 열화 되어 유기 발광층의 파손 및 수명이 크게 단축되는 문제점을 갖는다.

본 발명의 하나의 목적은 유기 발광층들 및 화소 전극들을 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리할 뿐만 아니라 유기 발광층을 열화시키는 가스를 발생하지 않는 격리벽을 제공하여 성능 및 수명을 연장시킨 유기 광 발생 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 유기 광 발생 장치의 제조 방법을 제공함에 있 다.

본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 유기 광 발생 장치는 기판상에 배치된 제1 전극, 제1 전극의 상면에 격자 형상으로 배치되며 상면에 폐루프 형상으로 형성되며 입구로부터 내부로 갈수록 넓어지는 그루브(groove) 형상의 소자 분리부가 형성된 격리벽, 격리벽에 의하여 둘러싸인 제1 전극 상에 배치되며 소자 분리부에 의하여 개별화된 유기 광 발생 패턴 및 개별화된 유기 광 발생 패턴 상에 배치되며 소자 분리부에 의하여 분리된 제2 전극을 포함한다.

본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 유기 광 발생 장치의 제조 방법은 기판상에 제1 전극을 형성하고, 제1 전극의 상면에 화소 영역을 노출시키는 격자 형상으로 형성되며, 상면에 폐루프 형상으로 형성되며 입구로부터 내부로 갈수록 넓어지는 그루브 형상의 소자 분리부가 형성된 격리벽을 형성한다. 이어서, 격리벽에 의하여 둘러싸인 제1 전극 상에 소자 분리부에 의하여 개별화된 유기 광 발생 패턴을 형성하고, 개별화된 유기 광 발생 패턴 상에 소자 분리부에 의하여 분리된 제2 전극을 형성한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 제1 전극, 격리벽, 유기 광 발생 패턴, 제 2 전극 및 기타 구조물들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 제1 전극, 격리벽, 유기 광 발생 패턴, 제2 전극 및 기타 구조물들이 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 제1 전극, 격리벽, 유기 광 발생 패턴, 제2 전극 및 기타 구조물들이 직접 제1 전극, 격리벽, 유기 광 발생 패턴, 제2 전극 및 기타 구조물들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 제1 전극, 격리벽, 유기 광 발생 패턴, 제2 전극 및 기타 구조물들이 기판상에 추가로 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극, 제2 전극 및 기타 구조물들이, 예를 들어, "제1", "제2" 등으로 언급되는 경우, 이는 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 제1 전극, 제2 전극 및 기타 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, 예를 들어, "제1", "제2"와 같은 기재는 제1 전극, 제2 전극 및 기타 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.

유기 광 발생 장치( Organic Light Emitting Device )

도 1은 본 발명의 유기 광 발생 장치의 일부를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 광 발생 장치(Organic Light Emitting Device, OLED; 100)는 기판(substrate;1), 제1 전극(first electrode;10), 격리벽(seperator;20), 유기 광 발생 패턴(organic light emitting pattern;30) 및 제2 전극(second electrode;40)을 포함한다.

기판(1)은, 예를 들어, 플레이트 형상을 갖는 투명 기판(transparent substrate)을 포함한다. 본 실시예에서, 기판(1)은 유리 기판(glass substrate)일 수 있다.

제1 전극(10)은 기판(1)상에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 전극(10)은, 투명하면서 도전성을 갖는다. 제1 전극(10)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO), 아몰퍼스-산화 주석 인듐(amorphous Indium Tin Oxide, Za-ITO) 등을 들 수 있다. 본 실시예에서, 제1 전극(10)은 기판(1)의 상면에 전체 면적에 걸쳐 배치된다. 한편, 기판(1) 및 제1 전극(10)의 사이에는 제1 전극(10)에 구동신호를 제공하는 버스 라인(bus line; 5)이 개재될 수 있다.

격리벽(20)은 제1 전극(10) 상에 배치된다. 본 실시예에서 격리벽(20)은 후술될 유기 광 발생 패턴(30)들 및 제2 전극(40)들을 별도의 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리시키는 역할을 한다.

이를 구현하기 위해 격리벽(20)은 제1 전극(10)의 상면에 격자 형상(lattice shape)으로 배치된다. 격자 형상을 갖는 격리벽(20)은, 평면상에서 보았을 때, 폐루프 형상으로 형성된다. 격리벽(20)의 상면에는 소자 분리부(isolation portion;25)를 포함한다. 소자 분리부(25)는 격리벽(20)의 입구로부터 격리벽(20)의 내부로 갈수록 넓어지는 그루브(groove) 형상을 가질 수 있다.

소자 분리부(25)를 형성하기 위해서, 격리벽(20)은 제1 무기 패턴(first inorganic pattern;22) 및 제2 무기 패턴(second inorganic pattern;24)를 포함한 다.

제1 무기 패턴(22)은 제1 전극(10)과 접촉되며 제1 전극(10)에 다른 도전 물질이 직접 증착되는 것을 방지한다. 제2 무기 패턴(24)은 제1 무기 패턴(22) 상에 배치되며, 제2 무기 패턴(24)은 입구로부터 내부로 갈수록 확장되는 소자 분리부(25)를 형성한다. 소자 분리부(25)를 형성하기 위해 제2 무기 패턴(24)의 에지 부분은 상기 제1 무기 패턴(22)과 접촉되고, 제2 무기 패턴(24)의 가운데 부분은 제1 무기 패턴(22)과 이격 된다.

본 실시예에서, 소자 분리부(25)를 형성하는 제2 무기 패턴(24)의 입구는 격리벽(20)과 동일하게, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖는다.

본 실시예에서, 제1 무기 패턴(22) 및 제2 무기 패턴(24)을 이루는 물질의 예로서는 산화물(SiOx) 또는 질화물(SiNx)을 들 수 있다.

유기 광 발생 패턴(30)은 제1 전극(10)과 접촉된 유기 발광층(organic light emitting layer;미도시)을 포함할 수 있다. 유기 발광층은 외부에서 제공된 홀(hole) 및 외부에서 제공된 전자(electron)의 결합에 의하여 광을 발생한다. 유기 발광층은 유기 발광층으로 홀을 제공하기 위한 홀 주입층(hole injection layer, HIL)및 홀 수송층(hole tranport layer, HTL), 유기 발광층으로 전자를 제공하기 위한 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 및 전자 수송층(electron transport layer, ETL)을 더 포함할 수 있다.

유기 광 발생 패턴(30)은 격리벽(20)에 의하여 둘러싸여 형성된 화소 영역(pixel region)에 배치된 제1 전극(10), 제2 무기 패턴(34)의 상면 및 소자 분리 부(25) 내부의 제1 무기 패턴(22) 상에 각각 배치된다.

이때, 유기 광 발생 패턴(30)의 일부가 소자 분리부(25) 내부에 배치됨에 따라, 유기 광 발생 패턴(30)들은 별도의 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리된다.

제2 전극(40)은 제1 전극(10) 상에 배치된 유기 광 발생 패턴(30) 및 소자 분리부(25) 내부에 배치된 유기 광 발생 패턴 상에 각각 배치된다. 이때, 제2 전극(40)의 일부가 소자 분리부(25) 내부에 배치됨에 따라, 제2 전극(40)은 별도의 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리된 유기 광 발생 패턴(30)상에 각각 배치된다.

본 실시예에서, 제2 전극(40)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 낮은 일함수(work function)를 갖는 알루미늄 합금, 알루미늄 등을 들 수 있다.

상술한 바에 의하면, 제1 전극(10) 상에 폐루프 형상을 갖고, 인접한 유기 광 발생 패턴(30) 및 제2 전극(40)을 패터닝 공정 없이 분리시키기 위한 그루브 형상의 소자 분리부(25)를 갖는 무기물(inorganic substance)을 포함하는 격리벽(20)을 형성한다. 이로써, 격리벽(20)으로부터 솔벤트와 같은 가스 발생을 억제하여 유기 광 발생 패턴(30)이 격리벽(20)으로부터 발생된 가스에 의하여 유기 발광층이 열화되는 것을 방지할 수 있다.

유기 광 발생 장치의 제조 방법( Method Of Manufacturing the Organic Light Emitting Device )

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 유기 광 발생 장치의 제조 방법을 도시한 순서도이다. 도 4는 본 발명의 일실시예에 의하여 기판에 형성된 제1 전극을 도시 한 단면도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(1), 예를 들면, 유리 기판의 상면에는 도전성 버스 라인(5)이 형성된다. 이때, 버스 라인(5)은 기판(1) 상에 알루미늄, 알루미늄 합금을 포함하는 저저항 금속막(미도시)을 형성하고, 저저항 금속막을 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다. 이와 다르게, 버스 라인(5)은 쉐도우 마스크(shadow mask)를 사용한 진공 증착 방법에 의하여 형성할 수도 있다. 버스 라인(5)은 후술 될 제1 전극(10)에 구동 신호를 제공한다.

기판(1)에 버스 라인(5)이 형성된 후, 단계 S10에서, 기판(1)에는 투명하면서 도전성 물질을 포함하는 제1 전극(10)이 형성된다. 본 실시예에서, 제1 전극(10)은 스퍼터링 공정(sputtering process), 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition process)또는 진공 증착 공정(vacuum deposition process) 등을 통해 기판(1) 상에 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제1 전극(10)을 이루는 물질의 예로서는 산화 주석 인듐(ITO), 산화 아연 인듐(IZO) 또는 아몰퍼스 산화 주석 인듐(a-ITO) 등을 들 수 있다. 이와 다르게, 본 실시예에서, 기판(1)에 형성되는 제1 전극(10)을 저저항 금속으로 형성하여도 무방하다.

단계 S20에 의하여 소자 분리부를 갖는 격리벽을 형성하기 위해, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(1) 상에 제1 전극(10)이 형성된 후, 제1 전극(10) 상에는 제1 무기막(first inorganic layer;22a)이 형성된다. 본 실시예에서, 제1 무기막(22a) 은 화학 기상 증착(CVD) 공정 및 진공 증착 공정 등에 의하여 형성될 수 있다. 제1 무기막(22a)을 이루는 물질의 예로서는 산화물 또는 질화물 등을 들 수 있다.

도 6을 참조하면, 제1 전극(10) 상에 제1 무기막(22a)가 형성된 후, 제1 무기막(22a) 상에는 희생 패턴(sacrificial pattern;23)이 형성된다.

본 실시예에서, 희생 패턴(23)을 제1 무기막(22a) 상에 형성하기 위해서, 먼저, 제1 무기막(22a)상에는 스핀 코팅 공정(spin coating process), 슬릿 코팅 공정(slit coating process) 등을 통하여 유기막(organic layer;미도시)이 형성된다. 이어서, 유기막은 노광 공정(light exposing process) 및 현상 공정(developing process)를 포함하는 포토 공정(photo process)을 통하여 패터닝되어 제1 무기막(22a) 상에는 희생 패턴(23)이 형성된다. 본 실시예에서, 희생 패턴(23)을 이루는 물질의 예로서는 포토레지스트 물질(photoresist substance), 폴리이미드(polyimide) 아크릴 계열 합성 수지 등을 들 수 있다.

본 실시예에서, 희생 패턴(23)은, 평면상에서 보았을 때, 사각형 형상 또는 직사각형 형상을 갖는 화소 영역의 주변에 배치된다. 구체적으로, 희생 패턴(23)은 얇은 띠 형상으로 화소 영역의 주변에 폐루프 형상으로 형성된다.

도 7을 참조하면, 제1 무기막(22a)상에 희생 패턴(23)이 형성된 후, 제1 무기막(22a) 상에는 제2 무기막(second inorganic layer;24a)가 형성되어 제2 무기막(24a)는 제1 무기막(22a) 및 희생 패턴(23)을 덮는다. 본 실시예에서, 제2 무기막(24a)은 화학 기상 증착(CVD) 공정 및 진공 증착 공정 등에 의하여 제1 무기막(22a) 상에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 무기막(24a)을 이루는 물질의 예로서는 산화물 또는 질화물 등을 들 수 있다.

도 8을 참조하면, 제2 무기막(24a)이 제1 무기막(22a)상에 형성된 후, 제2 무기막(24a) 상면에는 전면적에 걸쳐 감광물질(photosensitive substance)을 포함하는 포토레지스트 필름(photoresist film;미도시)이 형성된다.

포토레지스트 필름은 포토 공정에 의하여 패터닝되어 제2 무기막(24a) 상에는 포토레지스트 패턴(photoresist pattern;25)이 형성된다. 본 실시예에서, 포토레지스트 패턴(25)은 화소 영역과 대응하는 제2 무기막(24a)의 일부 및 희생 패턴(23)과 대응하는 제2 무기막(24a)의 일부를 슬릿 형상(slit shape)으로 노출시킨다. 이때, 희생 패턴(23)의 폭이 W1일 때, 희생 패턴(23)의 상면과 대응하는 제2 무기막(24a)를 노출시키는 포토레지스트 패턴(25)의 개구(opening)의 폭 W2는 희생 패턴(23)의 폭 W1 보다 작게 형성된다.

도 9를 참조하면, 제2 무기막(24a) 상에 포토레지스트 패턴(25)이 형성된 후, 제2 무기막(24a) 및 제1 무기막(22a)는 포토레지스트 패턴(25)을 식각 마스크(etching mask)로 이용하여 식각된다.

이때, 제2 무기막(24a) 및 제1 무기막(22a)은, 예를 들어, 에천트(etchant)에 의하여 습식 식각(wet etching)될 수 있다. 이와 다르게, 제2 무기막(24a) 및 제1 무기막(22a)은 플라즈마에 의하여 건식 식각(dry etching)될 수 있다.

제2 무기막(24a) 및 제1 무기막(22a)이 식각됨에 따라 제1 전극(10) 상에는 제1 무기 패턴(first inorganic pattern;22) 및 제2 무기 패턴(second inorganic pattern;24)이 형성된다. 이때, 제1 무기 패턴(22)에 의하여 화소 영역의 제1 전 극(10)의 일부는 노출되고, 제2 무기 패턴(24)에 의하여 희생 패턴(23)의 상면의 일부가 노출된다.

제2 무기 패턴(24)에 의하여 희생 패턴(23)의 상면의 일부가 노출된 후, 희생 패턴(23)은 노출된 부분을 이용하여 식각 되어 희생 패턴(23)은 제2 무기 패턴(24)으로부터 제거된다. 이때, 희생 패턴(23)은 제1 및 제2 무기 패턴(22, 24)들에 대하여 식각 선택비(etching selectivity)가 큰 에천트를 이용하여 제1 및 제2 무기 패턴(22, 24)들의 손상 없이 희생 패턴(23)만을 선택적으로 제거한다. 이와 다르게, 희생 패턴(23)은 산소 플라즈마(oxygen plasma)에 의하여 제거될 수도 있다.

희생 패턴(23)이 제1 및 제2 무기 패턴(22, 24)로부터 제거됨에 따라 제1 및 제2 무기 패턴(22, 24)의 사이에는 폐루프 형상을 갖는 빈 공간이 형성된다. 이 빈 공간은 후술될 유기 광 발생 패턴 및 제2 전극을 패터닝 없이 분리하는 역할을 하는 바, 이하, 이 빈 공간을 소자 분리부(25)라 정의하기로 한다.

도 3 및 도 10을 참조하면, 단계 S30에서, 제1 무기 패턴(22) 및 제2 무기 패턴(24)이 형성된 기판(1)에는 유기 광 발생 패턴(30)이 형성된다. 본 실시예에서, 유기 광 발생 패턴(30)은 진공 증착 방법에 의하여 형성된다. 이때, 유기 광 발생 패턴(30)은 홀 주입층(HIL), 홀 수송층(HTL), 유기 발광층, 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함할 수 있다. 이들 유기 광 발생 패턴(30)들은 제1 및 제2 무기 격리벽(22,24)들로 이루어진 격리벽(20) 및 노출된 제1 전극(10) 상에 진공증착 되는데 이때, 유기 광 발생 패턴(30)들은 증착 도중 격리벽(20)에 형성된 소자 분리부(25)에 의하여 별도의 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리된다.

이어서, 단계 S40에서, 기판(1)상에 유기 광 발생 패턴(30)들이 증착된 후, 유기 광 발생 패턴(30)들의 상면에는 다시 금속 물질, 예를 들면, 일함수가 낮은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정에 의하여 증착되어 전기적으로 분리된 유기 광 발생 패턴(30)들의 상면에는 제2 전극(40)이 형성된다. 이때, 격리벽(20)에 형성된 그루브 형상의 소자 분리부(25)에 의하여 제2 전극(40)들은 별도의 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리되어 유기 광 발생 장치(100)가 제조 된다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 유기 발광층들 및 화소 전극들을 패터닝 공정 없이 전기적으로 분리할 뿐만 아니라 유기 발광층을 열화시키는 솔벤트와 같은 가스를 발생하지 않는 무기물로 이루어진 격리벽을 제공하여 성능 및 수명을 연장시키는 효과를 갖는다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

복수의 화소 영역이 구획된 기판;

상기 기판 상의 화소 영역 둘레를 따라 배치된 버스 라인;

상기 버스 라인이 형성된 기판 상에 배치된 제1 전극;

상기 버스 라인과 대응되는 상기 제1 전극의 상면에 격자 형상으로 배치되며, 상면에 폐루프 형상으로 형성되며 입구로부터 내부로 갈수록 넓어지는 그루브(groove) 형상의 소자 분리부가 형성된 격리벽;

상기 격리벽에 의하여 둘러싸인 상기 제1 전극 상에 배치되며 상기 소자 분리부에 의하여 개별화된 유기 광 발생 패턴; 및

개별화된 상기 유기 광 발생 패턴 상에 배치되며 상기 소자 분리부에 의하여 분리된 제2 전극을 포함하고,

상기 격리벽은 상기 버스 라인과 중첩되도록 배치된 제1 무기 패턴과, 상기 제1 무기 패턴 상에 배치되고, 상기 소자 분리부에 의해 분리된 제 2 무기 패턴을 구비하고, 상기 소자 분리부에서는 상기 격리벽의 제 1 무기 패턴이 노출된 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치.
제1 항에 있어서, 상기 소자 분리부의 노출된 제 1 무기 패턴 상에는 상기 소자 분리부에서 분리된 상기 유기 광 발생 패턴과 제2 전극이 중첩되어 배치된 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치.
제1항에 있어서, 상기 제1 무기 패턴 및 상기 제2 무기 패턴은 질화물 또는 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치.
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 투명한 도전막인 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치.
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치.
복수의 화소 영역이 구획된 기판상에 버스 라인을 형성하는 단계;

상기 버스 라인이 형성된 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;

상기 버스 라인과 대응되는 상기 제1 전극의 상면에 화소 영역을 노출시키는 격자 형상으로 형성되며, 상면에 폐루프 형상으로 형성되며 입구로부터 내부로 갈수록 넓어지는 그루브 형상의 소자 분리부가 형성된 격리벽을 형성하는 단계;

상기 격리벽에 의하여 둘러싸인 상기 제1 전극 상에 상기 소자 분리부에 의하여 개별화된 유기 광 발생 패턴을 형성하는 단계; 및

개별화된 상기 유기 광 발생 패턴 상에 상기 소자 분리부에 의하여 분리된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,

상기 격리벽을 형성하는 단계는,

상기 기판의 버스 라인과 중첩되도록 제1 무기 패턴을 형성하는 단계와,

상기 제1 무기 패턴 상에 제 2 무기 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,

상기 제 2 무기 패턴은 상기 소자 분리부에 의해 분리되고, 상기 소자 분리부에서는 상기 격리벽의 제 1 무기 패턴이 노출된 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계는,

상기 제1 무기 패턴 상의 상기 화소 영역의 주변에 폐루프 형상으로 유기물을 포함하는 희생 패턴을 형성하는 단계;

상기 희생 패턴이 형성된 기판 상에 무기물을 포함하는 무기막을 형성하여 상기 희생 패턴을 덮는 단계;

상기 무기막이 형성된 기판에 포토공정을 진행하여, 상기 희생 패턴과 대응하며, 상기 희생 패턴의 폭보다 좁은 폭으로 무기막을 식각하여 상기 버스 라인과 대응되는 영역에서 분리된 구조를 갖는 제 2 무기 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 제 2 무기 패턴의 분리 영역에 식각 공정을 진행하여, 상기 제 1 무기 패턴 상에 형성된 희생 패턴을 제거하여 상기 격리벽에 소자 분리부를 형성하는 단계를 포함하는 유기 광 발생 장치의 제조방법.
제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 무기 패턴을 형성하는 단계에서 상기 무기물은 산화물 또는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 희생 패턴을 형성하는 단계는

감광물질을 포함하는 유기막을 상기 제1 무기 패턴 상에 형성하는 단계; 및

상기 유기막을 노광하여 폐루프 형상으로 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 유기막은 아크릴 및 폴리이미드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 희생 패턴을 제거하는 단계에서 상기 희생 패턴은 상 기 희생 패턴을 선택적으로 제거하는 에천트에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 희생 패턴을 제거하는 단계에서 상기 희생 패턴은 산소 플라즈마에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.