TWI674689B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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金鍾允
金永大
張文源
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

在一些態樣中,提供一種顯示裝置,包括基板、位於基板上的有機膜、位於有機膜上且具有用以露出有機膜之至少一部分之至少一孔洞的無機膜、位於無機膜上的第一電極、位於第一電極上的第二電極、位於第一電極和第二電極之間以藉由第一電極和第二電極而發射光之發射層、以及位於藉由孔洞所露出之有機膜上的有機圖樣。

Description

顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
申請資料表中所確認之任何及所有優先權主張或其中之任何修正,現予納入參考。例如,本申請主張於2012年12月18日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案號10-2012-0148831之優先權效益,其所揭露之全部內容係係併入此文作為參照。
本公開相關於一種顯示裝置及其製造方法。
目前,輕薄平板顯示器(FPDs)的開發和商業化正在研究中,其可能會取代陰極射線管(CRT)顯示器。
在平板顯示器領域中,具有重量輕和低功耗的液晶顯示器(LCD)係目前最典型地被使用的顯示裝置。然而,由於液晶顯示器不為發光裝置,而為光接收裝置,其可以具有亮度低、對比度低、以及視角窄的缺點,目前一直在積極尋求可以克服上述缺點的新的顯示設備。
由於有機發光二極管顯示器係自發光的,和液晶顯示器相比之下,其可具有優越的視角和對比度。另外,由於有機發光二極管顯示器不需要背光源,其可具有優異的性能諸如重 量輕、超薄拍攝、以及具有低功耗。另外,由於有機發光二極管顯示器可以由低直流電壓驅動,其具有快速的響應速度,且尤其,可具有低的製造成本。
不同於液晶顯示器或等離子顯示器,製造有機發光二極管顯示器的過程包括沉積和封裝過程。特別係,沉積過程係典型的用於形成各種有機發光二極管顯示器之結構物的製造過程,並且一般係進行於約攝氏300度至400度的高溫條件下。
在沉積過程期間,在有機膜形成於基板上之狀態下,用於將無機膜沉積於有機膜的高溫條件下之沉積製程中,有機膜可能會產生排氣。在高溫的條件下形成於沉積製程中的無機膜,其可能由於在沉積製程中產生的排氣而從有機膜剝落。這可以會導致在沉積製程中形成的無機膜,形成非均勻性的厚度或不連續性而劣化有機發光二極管顯示器的可靠性。
因此,若沉積製程係進行於約攝氏180度至200度的低溫條件下,可以減少從有機膜產生的排氣量,且因此可以減少在沉積製程中形成的無機膜的剝落。
然而,若沉積製程係進行於約攝氏180度至200度的低溫條件下,在沉積製程中形成的無機膜和與無機膜接觸的有機膜之間的密合可以係無實質作用的,且因此形成在沉積製程中的無機膜的特性可能無法達到所期望的特性。另外,在之後蝕刻於沉積製程中形成的無機膜的情況中,可以會發生無蝕刻或過度蝕刻的無機膜。
因此,本發明所要處理的主題係提供一種顯示裝置,其包括排氣的排放通路以在高溫條件下的沉積製程中形成高品質的無機膜於有機膜上。
本發明所要處理的另一個主題係提供一種用於製造顯示裝置的方法,該顯示裝置包括排氣的排放通路以在高溫條件下的沉積製程中形成高品質的無機膜於有機膜上。
實施例的附帶優點、主題、以及特徵將被列於以下描述中的一部分,以及一部分對於在本領域中具有通常知識者來說,在於以下之檢視後或可從本發明的實踐了解而變得顯而易見的。
根據本發明的實施例之一態樣,其係提供一種顯示裝置,其包括基板、位於基板上的有機膜、位於有機膜上且具有露出至少一部分的有機膜之至少一孔洞之無機膜、位於無機膜上的第一電極、位於第一電極上的第二電極、位於第一電極和第二電極之間且藉由第一電極和第二電極而發射光之發射層、以及位於藉由孔洞所露出有機膜上的有機圖樣。
根據本發明的實施例之另一態樣,其係提供一種顯示裝置,其包括基板、位於基板上的有機膜、位於有機膜上且具有露出至少一部分的有機膜之至少一孔洞的無機膜、位於無機膜上的第一電極、位於第一電極上的第二電極、位於第一電極和第二電極之間且藉由第一電極和第二電極而發射光之發射層、以及位於無機膜上且與藉由孔洞所露出之有機膜接觸的絕緣層。
根據本發明實施例之又一態樣,其係提供一種用於製 造顯示裝置的方法,其包括形成薄膜電晶體於基板上、形成有機膜於薄膜電晶體上、將感光膜施加至有機膜上、藉由選擇性地曝光和顯影感光膜而形成倒錐形的有機圖樣、以及形成無機膜於有機膜和有機圖樣上。在一些實施例中,有機膜可以包括一或多個選自由丙烯醯基(acryl)、聚亞醯胺(polyimide)、及聚酯(polyester)所組成之群組。在一些實施例中,有機圖樣可以包括負型光阻。在一些實施例中,無機膜可以包括一個或多個選自由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、以及氮化鈦所組成之群組。
根據本公開的實施例,至少可以實現以下的效果。
亦即,由於在高溫條件下之無機膜沉積製程中,無機膜係被防止從有機層剝落下來,高品質的無機膜可以形成於有機膜上。
另外,由於大部分殘留於有機膜上的排氣在高溫沉積製程中被排出,排氣對周圍結構的影響可以被最小化,即使係在完成沉積過程之後。
另外,足夠的黏合力係可獲得在沉積過程中形成的無機膜和與無機膜接觸的有機膜之間。
另外,在蝕刻於沉積製程中形成的無機膜的情況中,可以防止無蝕刻或過度蝕刻的無機膜。
根據本發明實施例的效果係不限於上面所列舉的內容,但進一步的各種效果係包括在描述中。
10‧‧‧基板
12‧‧‧緩衝層
14‧‧‧主動層
16‧‧‧閘極絕緣膜
18‧‧‧閘極電極
20‧‧‧層間絕緣膜
22‧‧‧源極電極
24‧‧‧汲極電極
26‧‧‧第一保護層
28‧‧‧彩色濾光片
30‧‧‧平坦層
32、33‧‧‧感光膜
33a‧‧‧第一感光膜
33b‧‧‧第二感光膜
34、35、36、37‧‧‧有機圖樣
38‧‧‧第二保護層
38a、38b‧‧‧孔洞
40‧‧‧第一電極
42‧‧‧像素定義膜
44‧‧‧隔板
46‧‧‧發射層
48‧‧‧第二電極
50‧‧‧遮罩
60‧‧‧紫外線
70‧‧‧排氣
80‧‧‧單位像素區域
上述的和其它的本發明實施例之目的、特徵、以及優點將從下面的詳細描述並結合附圖而變得更加明顯,其中:第1圖係根據本公開的實施例之顯示裝置的有機圖樣的放大剖視圖;第2圖係根據實施例之顯示裝置的剖視圖;第3圖係根據實施例之顯示裝置的平視圖;第4圖至第6圖係說明根據實施例之顯示裝置的製造方法的剖視圖;第7圖係根據另一實施例之顯示裝置的有機圖樣的放大剖視圖;第8圖至第11圖係說明根據另一實施例之顯示裝置的製造方法的剖視圖;第12圖係根據又一實施例之顯示裝置的孔洞的放大剖視圖;第13圖至第17圖係說明根據又一實施例之顯示裝置的製造方法的剖視圖;第18圖和第19圖係根據又一實施例之顯示裝置的平視圖。
下文將參閱其中顯示典型實施例的附圖而詳細描述本公開的例示性實施例。然而,這些實施例僅係例示性的,且本公開係不限定於此及係可以不同的形式體現。
用語“於...上(on)”其係用來指定元件係位於另一元件上,或位於不同的層或包括兩種情況的層,其中一種情況為元件係直接位於另一元件或另一層上,和其中另一種情況為元件係透過另一層或又另一元件而位於另一元件上。在整個說明書中之相同的參考符號係用於相同的元件於各種圖式中。
雖然用語“第一、第二、以及等等(first,second and so forth)”係被用來描述多樣的形成要素,這樣的形成要素係不受限於其用語。該些用語係僅用於區分形成元件和其他的形成元件。因此,在下面的描述中,第一形成構件可以係為第二形成構件。
在下文中,將參照附圖以描述本公開的實施例。
第1圖係根據實施例之顯示裝置的有機圖樣34的放大剖視圖。第2圖係根據實施例之顯示裝置的剖視圖,並且第3圖係根據實施例之顯示裝置的平視圖。
顯示裝置係為顯示影像的設備,並且可以係液晶顯示器、電泳顯示器、有機發光顯示器、無機電鍍發光(EL,Electro Luminescence)顯示器、場致發射顯示器、表面傳導電子發射顯示器、等離子顯示器、或陰極射線顯示器。
在下文中,根據實施例之顯示裝置,將說明有機發光顯示器。例如,將說明在各種有機發光的發光顯示器之中的白色有機發光顯示器(white OLED(W-OLED))。然而,根據本發明的顯示裝置不限於此實施例,但也可以使用不同類型的顯示裝置。
參照第2圖,根據實施例之顯示裝置可包括薄膜電晶 體,其係設置於形成於基板10上的緩衝層12上。
在一些實施例中,緩衝層12係用於防止雜質元素的滲透和平坦化表面,並且可以係由執行緩衝層12之功能的各種材料形成。在一些實施例中,緩衝層12可以由無機材料,諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦;或有機材料,諸如聚亞醯胺、聚酯、或丙烯醯基、或其之層疊而形成。在一些實施例中,緩衝層12係可以不包括在內。
在一些實施例中,由半導體材料所形成之主動層14可以作為圖樣而形成在緩衝層12上。在一些實施例中,主動層14可以由多晶矽而形成,但係不限於此,並且可以由氧化物半導體所形成。在一些實施例中,主動層可以係鎵銦鋅氧(G-I-Z-O)[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c]層(其中,a、b、以及c係為實數,其滿足條件a0、b0、以及c>0)。
在一些實施例中,閘極絕緣膜16係可以形成於緩衝層12上以覆蓋主動層14,並且閘極電極18係可以形成於閘極絕緣膜16上。
在一些實施例中,層間絕緣膜20可以形成於閘極絕緣膜16上以覆蓋閘極電極18,並且源極電極22和汲極電極24可以形成於層間絕緣膜20上以通過主動層14和接觸孔以彼此接觸。
在一些實施例中,上面所配置的至少一個薄膜電晶體係可以提供給每個像素。
在一些實施例中,薄膜電晶體可以由第一保護層26覆蓋。在一些實施例中,第一保護層26可以係層狀結構,其具有 至少一層形成於層間絕緣膜20上,並且其可以由有機材料及/或無機材料所形成。在一些實施例中,有機材料可以係聚合物材料,諸如丙烯醯基、聚亞醯胺、或聚酯,並且無機材料可以係氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦。
在一些實施例中,彩色濾光片可以形成於第一保護層26上,平坦層30可以形成於彩色濾光片28上。在一些實施例中,白色有機發光顯示器(OLED)可以使用彩色濾光片28以實現紅色、綠色、以及藍色,並且可以使用平坦層30以補償彩色濾光片28的台階高度。在一些實施例中,彩色濾光片28和平坦層30可以係由有機材料製成的有機膜。在一些實施例中,光丙烯醯基材料(photo acryl material)可以被用作為平坦層30。
在一些實施例中,彩色濾光片28可以形成為具有約1微米至2微米的厚度以實現顏色特性,並且平坦層30可以形成係具有2微米至3微米的厚度以補償濾光片28的台階高度。
在一些實施例中,在高溫條件下的沉積製程中,彩色濾光片28和平坦層30可能會產生排氣70,並且此排氣70可能會造成影響於發射層46上,導致像素劣化或類似狀況的發生。在一些實施例中,排氣70可能由於在彩色濾光片28和平坦層30的圖樣形成過程中所發生的光化學反應而產生,和主要係由於光活性化合物(Photoactive Compound,PAC)組件。剩餘的氣體係被觀察到為苯系化合物之苯甲醛(benzaldeyde)、苯甲醇(benzyl alcohol)、甲苯(toluene)其係為、以及木聚醣。
在一些實施例中,第二保護層38可以形成於平坦層30 上,以防止像素劣化等狀況的發生。在一些實施例中,第二保護層38可以與第一保護層26相同的材料製成,但並不限於此。在一些實施例中,第二保護層38可以由無機材料製成的無機膜,且可由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦所製成。
在一些實施例中,第一電極40係可以形成於第二保護層38上。在一些實施例中,第一電極40係可以藉由通孔連接至汲極電極,通孔係形成於第一保護層26和第二保護層38上。
在一些實施例中,像素定義膜42係可以形成於第二保護層38上,且此像素定義膜42可以覆蓋第一電極40的邊緣。在一些實施例中,像素定義膜42可提供具有開口,開口露出一部分的第一電極40。在一些實施例中,像素定義膜42可以由有機材料,諸如丙烯醯基、聚亞醯胺、及聚酯所形成,但並不限於此。在一些實施例中,像素定義膜42也可以由無機材料或有機/無機複合材料所形成。
在一些實施例中,隔板44可以係形成於像素定義膜42上。在一些實施例中,像素定義膜42的表面係不均勻的情況下,隔板44可以使像素定義膜42的表面平坦化。在一些實施例中,隔板44可以調整其有機發光顯示器的總厚度。
在一些實施例中,發射層46可以形成於第一電極40、像素定義膜42、以及隔板44上以覆蓋通過開口露出之一部分的第一電極40,並且第二電極48可以形成於發射層46、像素定義膜42、以及隔板44上以覆蓋發射層46。
在一些實施例中,第一電極40可以獨立地圖樣化,以 便區別每個像素。在一些實施例中,第二電極48可以係形成為共用電極以覆蓋所有的像素,但並不限於此。在一些實施例中,第二電極48可以獨立地圖樣化以便區別每個像素,如同第一電極40相同的方式。
在一些實施例中,有機發光顯示器可以由第一電極40、第二電極48、以及發射層46所配置。在一些實施例中,施加到第一電極40和第二電極48的電壓係可以由薄膜電晶體調整。
在一較佳的實施例中,第一電極40和第二電極48係可以具有彼此相反的極性。在一些實施例中,第一電極40和第二電極48可以分別地係一個陽極和一個陰極,或與此相反,也可以分別地係一個陰極和一個陽極。
在任何情況下,作為陽極的電極,其包括的導體之功函數的絕對值係大的,並且作為陰極的電極,其包括的導體之功函數的絕對值係小的。在一些實施例中,具有大的功函數的絕對值的導體可以係透明導電氧化物,諸如,氧化銦錫、三氧化二銦、氧化鋅、或氧化銦鋅,或者貴金屬,諸如金。在一些實施例中,具有小的功函數的絕對值的導體可以係銀、鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、或氟化鋰/鋁。
在上端發射型的實施例中,其中影像係實現在相對於基板10的方向上,第一電極40可包括光反射板,且第二電極48係可具透光性。
為此,在第一電極40作為陽極的實施例中,銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、或其化合物可以形成作為反射板,而氧化銦錫、三氧化二銦、氧化鋅、或氧化銦鋅,其 係具有高功函數,可以形成於反射板上。在第一電極40作為陰極的情況下,第一電極40可以由具有低功函數且具光反射性之銀、鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣,或氟化鋰/鋁所形成。
在第二電極48作為陰極之實施例中,第二電極48可以由具有低功函數的金屬所形成,諸如鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂、或銀,其具有薄的厚度以使第二電極成為半滲透膜。在一些實施例中,藉由形成透明導體,諸如氧化銦錫、三氧化二銦、氧化鋅、或氧化銦鋅,於金屬半透膜上,由於厚度薄而電阻高的問題可以被解決的。在第二電極48作為陽極之實施例中,第二電極48可以由氧化銦錫、三氧化二銦、氧化鋅、或氧化銦鋅所形成。
在一些實施例中,形成第一電極40和第二電極48的材料可以由本領域具有通常知識者以其他材料替換。
在一些實施例中,第一電極和第二電極可以施加不同極性的電壓至介於第一電極和第二電極之間之發射層46,以使發射層46發射光。
在一些實施例中,低分子量或高分子量的有機層可以用作為發射層46。在使用低分子量的有機層之實施例中,電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)可被層疊為單一的或複合的結構,並且各種可用的有機材料,諸如銅酞菁(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine,NPB)、以及三-8-羥基喹啉鋁tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3),也 可以被採用。在一些實施例中,這些低分子量的有機層可以由氣相沉積法形成。
在一些實施例中,高分子有機層可具有層疊的電洞傳輸層和發光層結構。在這種情況下,PEDOT可以被使用作為電洞傳輸層,以及聚-亞苯基伸乙烯(Poly-Phenylenevinylene,PPV)基和聚芴基的高分子有機材料可以被用作發光層。在一些實施例中,上述的層可以由屏幕印刷法或噴墨印刷法所形成。
在一些實施例中,發射層46可以被包括在單位像素區域80中。在一些實施例中,單位像素區域80可以係包括一發射層46的區域。在一些實施例中,至少一個薄膜電晶體可以被包括在單位像素區域80中。參照第3圖,單位像素區域80可以以矩陣的形式排列,但並不限於此。在一些實施例中,單位像素區域80也係可以PenTile形式排列而配置。
在一些實施例中,可以設置複數個發射層46。在一些實施例中,複數個發射層46可以形成以實質上在相同的平面上彼此間隔。參照第3圖,複數個發射層46可以矩陣排列而設置,但並不限於此。在一些實施例中,複數個發射層46也係可以PenTile形式排列而配置。
上述的發射層46係不受以上之敘述所限,但可以採用其中的各種例子。
在一些實施例中,參照第1圖和第2圖,無機膜,亦即,第二保護層38,可以包括露出有機膜,亦即,平坦層30之至少一部分的至少一孔洞38a。在此,露出至少一部分的平坦層30可以意指第二保護層38係不出現於平坦層30的部分區域上, 並且至少一部分的平坦層30會直接地接觸至除了第二保護層38的其它層。在一些實施例中,孔洞38a可以意指第二保護層38不出現於平坦層30上的部分。
在一些實施例中,與孔洞38a相鄰的區域中的第二保護層38的厚度係可以小於與孔洞38a不相鄰的區域中的第二保護層38的厚度。在例示性實施例中,第二保護層38的厚度於基板10上係恆定的,但相鄰於孔洞38a的第二保護層38的厚度係可以小於在其他區域的第二保護層38的厚度。在一些實施例中,孔洞38a的形狀係可以為從有機發光顯示裝置的上部側面所看到的矩形。然而,孔洞38a的形狀係不限定於此,且其形狀可以為圓形、橢圓形、或多邊形。
在一些實施例中,有機圖樣34係可以位於由孔洞38a露出的平坦層30上。在一些實施例中,至少一部分的有機圖樣34可以與平坦層30直接地接觸。在一些實施例中,有機圖樣34可以與填充整個孔洞38a而由孔洞38a露出的整個平坦層30直接地接觸,但其係並不限於此。在一些實施例中,有機圖樣34也可直接地接觸由孔洞38a而露出的一部分平坦層30。
在一些實施例中,如第1圖和第2圖所示,有機圖樣34可以係為倒錐形。在例示性實施例中,若有機圖樣34係被切割以平行於平坦層30的一個表面,有機圖樣34的剖面的橫截面面積係可以朝平坦層30的方向減少。在第1圖和第2圖的剖視圖中,有機圖樣34可以為梯形,且梯形的兩底中具有較短長度的一底可與平坦層30直接接觸。
在一些實施例中,第二保護層38係可以位於平坦層30 上與平坦層30直接接觸,並且也可以位於有機圖樣34上與有機圖樣直接接觸。在一些實施例中,第二保護層38可位於有機圖樣34的上表面上。在一些實施例中,第二保護層38係可不位於有機圖樣34之至少一部分的側表面上。在一些實施例中,第二保護層38係只可位於有機圖樣34的上表面上。在一些實施例中,像素定義膜42可以直接接觸有機圖樣34之至少一部分的一側邊。第1圖和第2圖所示的實施例中,第二保護層38係不位於有機圖樣34之一不分的側表面上。然而,本實施例並不係限定於此,而第二保護層38也可以位於有機圖樣34的側表面上。在一些實施例中,形成於有機圖樣34的側表面上的第二保護層38的厚度係可以小於形成於有機圖樣34的上表面上的第二保護層38的厚度。
在一些實施例中,第二保護層38係不位於有機圖樣34之至少一部分的側表面上或位於有機圖樣34之至少部分的側表面上的第二保護層38的厚度係小於位於有機圖樣34的上表面上的第二保護層38的厚度,因為第二保護層38係在沉積製程中所沉積。在一些實施例中,位於平坦層30上的第二保護層38可以透過沉積過程而沉積。例如,無機材料,其係從平坦層30對面的沉積源而排出,係可沉積於平坦層30上以形成第二保護層38。在此,由於無機材料從沉積源而排出的移動路徑係固定為粗略的線形,無機材料可不會沉積於具有倒錐形的有機圖樣34的側表面上,或沉積於有機圖樣34的側表面上的有機圖樣34的量可小於沉積於有機圖樣34的上表面上的無機材料的量。
在一些實施例中,有機圖樣34可以由有機材料形成。在例示性實施例中,有機圖樣34可以由光阻形成。在一些實施 例中,有機圖樣34係可以由負型光阻形成。若使用負性光阻作為材料而形成有機圖樣34,其會變得易於形成有機圖樣34的形狀,亦即,倒錐形,且有機圖樣34本身也可以作為排氣70的移動路徑。在一些實施例中,形成有機圖樣34的材料可以為容易地形成倒錐形且可以使排氣70穿透的各種材料之任何一種或其組合。
在一些實施例中,有機圖樣34係可以形成與薄膜電晶體重疊。在例示性實施例中,有機圖樣34可以形成與汲極電極24重疊,但並不限於此。在一些實施例中,有機圖樣34也可以形成以與源極電極22或閘極電極18重疊。
在一些實施例中,有機圖樣34或孔洞38a可以位於複數個發射層46之間。在一些實施例中,複數個發射層46係可以形成為彼此隔開。在例示性實施例中,如第3圖中所示,複數個有機圖樣34可以形成以相鄰於發射層46的兩個側表面。在一些實施例中,三個有機圖樣34可以形成於相鄰發射層46的一個側表面的區域中,並且三個有機圖樣34也可以形成於相鄰在單位像素區域80中相對於發射層46的一個側表面的其他側表面的區域中。在一些實施例中,複數個有機圖樣34可以被佈置以平行於發射層46的一個側表面和其他側表面以相同的距離彼此分隔,但係並不限於此。在例示性實施例中,如第3圖中所示,由於發射層46係以矩陣形式排列,並且有機圖樣34係形成於每個矩陣的兩個側表面上,兩行有機圖樣34可以形成在列方向上的相鄰發射層46之間。在一些實施例中,有機圖樣34可以係不形成在沿著行方向上的相鄰發射層46之間。
在下文中,根據實施例之顯示裝置的製造方法將參照 第4圖至第6圖而描述。第4圖至第6圖係根據實施例以說明顯示裝置的製造方法之剖視圖。為了便於說明,將會省略解釋的部分中重複上述的顯示裝置的內容。
首先,參照第4圖,感光膜32可以被散佈在平坦層30上。在一些實施例中,感光膜32可為具有很容易被光而改變其屬性的薄膜,亦即,具有感光性,且可使用各種類型的感光膜32。然而,較佳為使用可以很容易地形成倒錐形並可使排氣70穿透之感光膜32。在本實施例中,其係被例示為上述的負性光阻用以作為感光膜32。在一些實施例中,在感光膜32被散佈於平坦層30上之後,遮罩50,其在將形成有機圖樣34之位置中具有開口,可以與感光膜32對齊。在一些實施例中,將形成有機圖樣34的位置實質上可以相同於孔洞38a形成的位置。在一些實施例中,將形成有機圖樣34之區域上的負性光阻可藉由在遮罩50對準後透過開口照射紫外線60而硬化。
接著,參照第5圖,倒錐形的有機圖樣34係可以在照射紫外線60後顯影負性光阻而形成。亦即,若負性光阻被曝光和顯影,被紫外線60照射的部分可仍然為倒錐形。如上所述,當形成有機圖樣34時,即使於其他製程中使用的負性光阻可以被用來簡化形成到錐形圖樣,並降低了處理成本,但係並不限於此。
接著,參照第6圖,第二保護層38可以形成於平坦層30和有機圖樣34上。在一些實施例中,第二保護層38可以藉由沉積製程而形成。在一些實施例中,沉積製程可以於攝氏300度至400度之高溫條件下執行。亦即,在高溫條件的沉積製程中,從平坦層30(或彩色濾光片28)而產生的排氣70無法通 過由無機材料製成的第二保護層38,但係能夠通過由有機材料製成的有機圖樣34。若洞孔38a或有機圖樣34係不存在的,其將沒有路徑給從平坦層30(或彩色濾光片28)而產生的排氣70通過,從而排氣70可能會滲透並逃離第二保護層38或通過第二保護層38的邊緣而漏出。亦即,第二保護層38可能無法恰當地沉積在平坦層30上,反而將從平坦層30剝落。然而,由於根據實施例的顯示裝置包括孔洞38a和有機圖樣34,產生於高溫沉積製程中的第二保護層38之排氣70可以通過孔洞38a和有機圖樣34而排放,因此可以防止第二保護層38的剝落。另外,由於提供了適當的環境用於形成第二保護層38,第二保護層38可以高品質形成。另外,殘留在平坦層30(或彩色濾光片28)的排氣70係可以大部分地在高溫沉積製程中排出,並且即使在沉積製程完成後,排氣70對周圍結構的影響可以被最小化。
第7圖式係根據另一實施例的顯示裝置的有機圖樣37的放大剖視圖。為了便於解釋,實質上與第1圖所繪示之元件相同之元件係使用相同的參考符號,並且將省略其重複的說明。
參照第7圖,根據另一實施例的顯示裝置可包括“T”形的有機圖樣37。在此,“T”形可以係為第7圖式中的剖視圖所示的形狀。在一些實施例中,“T”形的有機圖樣37可包括與平坦層30接觸的柱狀部,且其係形成垂直於平坦層30的一個表面上、以及從柱狀部的端部延伸一段預定的距離的翼部,其係延伸於平行平坦層30的一個表面之方向上。在一些實施例中,柱狀部可以與透過孔洞38b而露出的部分的平坦層30相接 觸。在第7圖的例示性實施例中,孔洞38b係被繪示為和根據實施例的顯示裝置的孔洞38a具有不同的形狀,但係並不限於此。在例示性實施例中,柱狀部可位於透過孔38b而露出的區域的中心部分。在一些實施例中,第二保護層38可以形成在翼部上。在一些實施例中,第二保護層38可不位於平坦層30與翼部重疊的至少一部分上。在例示性實施例中,平坦層30與翼部重疊的至少一部分可能會直接接觸至像素定義膜42。
在下文中,將參閱第8圖至第11圖描述根據另一實施例的顯示裝置的製造方法。第8圖至第11圖係說明根據另一實施例的顯示裝置的製造方法的剖視圖。為方便起見,重複上述的顯示裝置的部分的解釋內容將被省略。
首先,參照第8圖及第9圖,感光膜33,例如,光阻,可以被散佈在平坦層30上,並且接著可選擇性地被露出。儘管此步驟係類似於在第4圖中所示的步驟,此步驟和第4圖中所示的步驟不同的地方在於其中的第一感光膜33a和第二感光膜33b係為依序地散佈並且曝光。
在一些實施例中,參照第8圖,第一感光膜33a可以被散佈在平坦層30上,且有機圖樣37的柱狀部所在的區域位置係可選擇性地被露出。
接著,參照第9圖,第二感光膜33b可散佈於第一感光膜33a上,並且有機圖樣37的翼部所在的區域位置係可選擇性地被露出。
接著,參照第10圖,“T”形的有機圖樣37可藉由顯影第一感光膜33a和第二感光膜33b而形成。在第8圖到第10圖, 其係表明負性光阻可被用來作為感光膜33,因此柱狀部和翼部具有倒錐形的形狀,但並不限於此。特別地,根據另一實施例的顯示裝置中,由於有機圖樣37具有“T”的形狀,其係很難在“T”形的側表面上沉積無機材料,特別地,即使係在相鄰於柱狀部之側表面的區域上,因此其係沒有必要使柱部和翼部都為倒錐形。例如,即使藉由使用正型光阻作為第一感光膜33a和第二感光膜33b,第二保護膜係可以被防止沉積於有機圖樣37的側表面上,特別地,在柱狀部的側表面上。
接著,參照第11圖,第二保護層38可透過高溫條件下之沉積製程而形成在平坦層30及有機圖樣37上。在一些實施例中,可以防止第二保護層38的剝落,並形成高品質的第二保護層38,由於孔洞38b和有機圖樣37作為排氣70的移動路徑。
第12圖係根據又一實施例的顯示裝置的孔洞38a的放大剖視圖。為了便於解釋,與第1圖所繪示之元件相同之元件係使用相同參考符號,並且將省略其重複的說明。
參照第12圖,不同於一些實施例,有機圖樣34可不存在於孔洞38a形成的區域上。亦即,除了有機圖樣34,絕緣膜,亦即,一部分的像素定義膜42可以與孔洞38a直接接觸。
在下文中,根據又一實施例的顯示裝置的製造方法將參考第13圖至第17圖而描述。第13圖至第17圖係根據又一實施例的顯示裝置的製造方法而說明的剖視圖。為方便起見,重複上述的顯示裝置的部分的解釋內容將被省略。
首先,第13圖至第15圖係分別為對應於第4圖至第6圖的附圖,將省略其說明。
接著,參照第16圖,在孔洞38a形成的區域上的有機圖樣34和第二保護層38可以使用分離器或類似物而被移除。在例示性實施例中,有機圖樣34的高度可以係第二保護層38的高度的三倍,並且有機圖樣34可能會造成層疊於有機圖樣34上之像素定義膜42的階層高度。因此,在執行後續的製程之前,亦即,緊接著第二保護層38的形成之後,有機圖樣34及在有機圖樣34上的第二保護層38可以被移除以除去導致像素定義膜42的階層高度的因素。
接著,參照第17圖,像素定義膜42係可以形成在平坦層30和第二保護層38上。在一些實施例中,一部分的像素定義膜42可以與平坦層30直接接觸。
第18圖和第19圖係根據又一實施例的顯示裝置的平視圖。為方便起見,與第3圖所繪示之元件實質上相同元件係使用相同的參考符號,並且將省略其重複的說明。
參照第18圖,根據又一實施例之顯示裝置的有機圖樣35可以一條線的形式形成於相鄰發射層46的兩個側表面的區域。接著,參照第19圖,有機圖樣36可以形成於四個單元像素區域80聚在一起的部分中。在一些實施例中,有機圖樣36可以形成於對應發射層46的角落部分的區域上。
雖然本實施例已被特別地表示並參考例示性實施例而描述,其應當被本技術領域具有通常知識者理解的是,在不脫離後附申請專利範圍所定義之本實施例的精神和範圍的情況下,其係可在形式和細節上做出各種改變。因此期望本發明的實施例被認為在所有態樣均係具有說明性的而不具限制性的,參照 所附的申請專利範圍而不係以前面的描述來表示本發明的範圍。

Claims (19)

  1. 一種顯示裝置,其包含:一基板;一有機膜,位於該基板上;一有機圖樣,位於該有機膜的至少一部分上,該有機圖樣包含與該有機膜接觸的一下表面、與該下表面相對之一上表面以及連結該上表面與該下表面之一側表面;一無機膜,包含位於該有機膜上之一第一部分、位於該有機圖樣的該側表面的至少一部分之一第二部分以及位於該有機圖樣的該上表面上之一第三部分;一第一電極,位於該無機膜的該第一部分上;一第二電極,位於該第一電極上;以及一發射層,位在該第一電極和該第二電極之間,藉由該第一電極和該第二電極發射光,其中該無機膜的該第二部分的厚度為0或小於該無機膜的該第三部分的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該有機圖樣係為倒錐形。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,進一步包括一像素定義膜,其位於該無機膜上以分隔出該發射層 所在的區域。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置,其中該有機圖樣係由負型光阻製成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該有機圖樣實質上係為「T」形。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置,其中該有機圖樣係與一部分的該有機膜接觸。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置,其中該無機膜不位於該有機圖樣之該側表面的至少一部分上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置,進一步包括一像素定義膜,其位於該無機膜上以分隔出該發射層所在的區域,其中該有機圖樣之該側表面的至少一部分係與該像素定義膜接觸。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該有機圖樣之至少一部分係與該有機膜直接接觸。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,進一步包括一薄膜電晶體,其位於該基板和該有機膜之間以控制施加於該第一電極和該第二電極的電壓。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置,其中該有機圖樣係被設置為與該薄膜電晶體重疊。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中提 供複數個發射層,該複數個發射層係形成以彼此分隔於實質上同一平面上,以及該有機圖樣係位於該複數個發射層之間。
  13. 一種顯示裝置,包括:一基板;一有機膜,其位於該基板上;一無機膜,其位於該有機膜上並且具有至少一孔洞以露出該有機膜之至少一部分;一第一電極,位於該無機膜上;一第二電極,位於該第一電極上;一發射層,位在該第一電極和該第二電極之間,藉由該第一電極和該第二電極發射光;以及一有機圖樣,位於藉由該孔洞而露出的該有機膜上,其中該有機圖樣不與該無機膜的一上表面接觸,且該無機膜包含位於該有機膜的一上表面上的一第一部分、位於該有機圖樣的一側表面的至少一部分上的一第二部分以及位於該有機圖樣的一上表面上的一第三部分。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置,進一步包含位於該無機膜上以劃分該發射層所在之區域的一像素定義膜,其中該像素定義膜與該無機膜的該上 表面接觸。
  15. 一種用於製造顯示裝置之方法,其包含:形成一薄膜電晶體於一基板上;形成一有機膜於該薄膜電晶體上;施加一感光膜於該有機膜上;藉由選擇性地曝光及顯影該感光膜而形成倒錐形的一有機圖樣;形成一無機膜於該有機膜和該有機圖樣上;以及形成一顯示元件於該無機膜上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製造顯示裝置之方法,其中形成該無機膜包括在攝氏300度至400度的溫度下藉由沉積一無機材料而形成該無機膜。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之製造顯示裝置之方法,進一步包括在該無機膜形成之後,藉由移去該有機圖樣及該有機圖樣上之該無機膜以露出該有機膜。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之製造顯示裝置之方法,進一步包括在該有機膜露出之後,形成一絕緣膜,其係位於該無機膜上以覆蓋已露出的該有機膜。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之製造顯示裝置之方法其中形成該顯示元件包括:在該無機膜形成之後形成一第一電極於該無機膜 上;形成一發射層於該第一電極上;以及形成一第二電極於該發射層上。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011027661A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
GB201412974D0 (en) * 2014-07-22 2014-09-03 Plastic Logic Ltd Protecting transistor array elements against degrading species
KR102262598B1 (ko) * 2014-09-03 2021-06-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI552321B (zh) 2014-09-30 2016-10-01 群創光電股份有限公司 顯示面板及顯示裝置
CN105097874B (zh) * 2015-06-01 2019-02-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置
KR102568781B1 (ko) * 2016-05-31 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102553910B1 (ko) 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
KR20180054983A (ko) * 2016-11-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3743952B1 (en) * 2018-01-25 2022-06-22 OLEDWorks LLC Method for mask-free oled deposition and manufacture
US11825683B2 (en) * 2018-04-20 2023-11-21 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent device including thin film encapsulation structure and method for producing same
KR102625413B1 (ko) * 2018-10-29 2024-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111025800B (zh) * 2019-12-06 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111564484A (zh) * 2020-05-22 2020-08-21 云谷(固安)科技有限公司 显示面板以其加工方法、显示装置
CN111653687A (zh) * 2020-06-29 2020-09-11 云谷(固安)科技有限公司 阵列基板及其制备方法
US20240155883A1 (en) * 2021-03-26 2024-05-09 Sharp Display Technology Corporation Display device
CN114188493A (zh) * 2021-11-29 2022-03-15 惠州华星光电显示有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100200875A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device and electronic apparatus
US20110227100A1 (en) * 2008-11-28 2011-09-22 Sumitomo Chemical Company, Limited Light-emitting device and method for manufacturing thereof
US20120169217A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573138B1 (ko) 2003-06-24 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
KR100611755B1 (ko) * 2004-06-04 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR100700643B1 (ko) * 2004-11-29 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
KR100712111B1 (ko) 2004-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
KR100721955B1 (ko) * 2005-09-30 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP4655942B2 (ja) * 2006-01-16 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
KR20080001263A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼 플레이트 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101373435B1 (ko) * 2007-03-22 2014-03-14 엘지디스플레이 주식회사 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법
KR101452370B1 (ko) * 2007-04-25 2014-10-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 el 장치
KR20090011831A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 삼성전자주식회사 표시장치 및 그 제조방법
JP2009187898A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Seiko Epson Corp 有機el装置及びその製造方法
KR101296656B1 (ko) 2008-06-24 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법
KR101431466B1 (ko) * 2008-07-30 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자의 제조 방법
CN102668706B (zh) * 2009-11-17 2015-03-25 联合创新技术有限公司 有机el显示器
KR101108167B1 (ko) 2010-02-12 2012-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101747341B1 (ko) * 2010-11-02 2017-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110227100A1 (en) * 2008-11-28 2011-09-22 Sumitomo Chemical Company, Limited Light-emitting device and method for manufacturing thereof
US20100200875A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device and electronic apparatus
US20120169217A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN103872076A (zh) 2014-06-18
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KR20140079667A (ko) 2014-06-27
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TW201427139A (zh) 2014-07-01

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