TW201403905A - 有機電場發光裝置及其製造方法、以及電子機器 - Google Patents

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Abstract

本揭示之有機電場發光裝置包含：複數個發光元件，其以10 μm以上60 μm以下之間距寬度配置，並且自基板側依序積層有第1電極、至少包含發光層之有機層及第2電極，且有機層之至少一層係藉由有版印刷法而形成；以及隔板，其設置於相鄰之複數個發光元件之間；且自基板起之隔板之高度與藉由有版印刷法形成之被印刷面之高度之差為0 μm以上1 μm以下。

Description

有機電場發光裝置及其製造方法、以及電子機器
本揭示係關於一種利用有機電致發光(EL，Electro Luminescence，電致發光)現象而發光之有機電場發光裝置及其製造方法、以及包含其之電子機器。
伴隨資訊通訊產業之加速發展，要求具有高性能之顯示元件。其中，作為新一代顯示元件而備受關注之有機EL元件具有如下優點：作為自發發光型顯示元件，不僅視角廣闊且對比度優秀，而且應答時間迅速。
有機EL元件具有積層有包含發光層之複數個層之構成。該等層係例如藉由真空蒸鍍法等乾式法而形成。具體而言，通常為藉由將具有開口之掩膜夾於蒸鍍源與基板之間而圖案化成所需之形狀之層的方法。於使用此種有機EL元件之顯示裝置中，由於隨著大型化或高精細化不斷推進，使掩膜彎曲且使搬送變得複雜等情況，因此對準變得困難且數值孔徑下降。因此，存在元件特性下降之問題。
對此，例如於專利文獻1中，揭示有於具有凹凸之施體膜上形成轉印層(有機膜)，並使用雷射而將凸部上之有機膜轉印的雷射轉印法。然而，於該方法中，由於凹凸上形成有機膜，因此存在難以保持有機膜之膜厚之均一性之問題。
因此，於專利文獻2中，揭示有使用橡皮布之凸版逆向平版印刷法(以下僅稱作反轉印刷法)。反轉印刷法中，於橡皮布上塗佈含有發 光材料之墨水後，使用凹版將油墨層中之不需要的區域(非印刷圖案)選擇性地除去。藉由將以此種方式形成有印刷圖案之橡皮布轉印至被印刷基板上而形成發光層。於該反轉印刷法中，由於有機膜係形成於平坦的橡皮布上，因此容易形成具有均勻的膜厚之有機膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-216562號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-186111號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-079621號公報
然而，例如於如專利文獻3中所記載之於元件間具有隔板之顯示裝置中，若欲藉由反轉印刷而形成設置於隔板間之有機層(例如發光層)，則有空氣進入發光層與被印刷基板之間，而無法正常轉印印刷圖案之虞。因此，有發光特性下降之問題。
因此，希望提供一種抑制使用版之印刷時空氣之進入，且具有良好的發光特性之有機電場發光裝置及其製造方法、以及電子機器。
本技術之一實施形態之有機電場發光裝置包含：複數個發光元件，其以10μm以上60μm以下之間距寬度配置，並且自基板側依序積層有第1電極、至少包含發光層之有機層及第2電極，且有機層之至少一層係藉由有版印刷法而形成；以及隔板，其設置於相鄰之複數個發光元件之間。於該有機電場發光裝置中，自基板起之隔板之高度與藉由有版印刷法形成之被印刷面之高度之差為0μm以上1μm以下。
本技術之一實施形態之有機電場發光裝置之製造方法包含以下之(A)~(D)，且將隔板之高度與藉由有版印刷法形成之被印刷面之高度之差設為0μm以上1μm以下。
(A)按10μm以上60μm以下之間距寬度形成複數個第1電極
(B)於複數個第1電極間形成隔板
(C)於第1電極上形成至少包含發光層之有機層
(D)於有機層上形成第2電極
本技術之一實施形態之電子機器係包含上述有機電場發光裝置者。
於本技術之一實施形態之有機電場發光裝置及其製造方法中，將以10μm以上60μm以下之間距寬度配置之發光元件的藉由有版印刷法而印刷之被印刷面，與設置於發光元件之間之隔板之高度之差設為0μm以上1μm以下。藉此，於藉由有版印刷法而形成包含發光元件之發光層之有機層之時，可抑制空氣進入至被印刷面與有機層之間。
根據本技術之一實施形態之有機電場發光裝置及其製造方法，將設置於以10μm以上60μm以下之間距寬度配置之發光元件之間之隔板之高度、與藉由有版印刷法而印刷之被印刷面之高度之差設為0μm以上1μm以下。藉此，可抑制印刷時空氣進入至包含發光元件之發光層之有機層與被印刷面之間，從而可進行正常的印刷圖案之轉印，且可獲得良好的發光特性。
1‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧有機EL元件
2B‧‧‧有機EL元件
2G‧‧‧有機EL元件
2G1‧‧‧綠像素區域
2R‧‧‧有機EL元件
2R1‧‧‧紅像素區域
3‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧驅動基板
10a‧‧‧驅動基板
11‧‧‧第1電極
12‧‧‧隔板
12a‧‧‧隔板
12A‧‧‧開口部
12b‧‧‧隔板
13A‧‧‧電洞注入層
13B‧‧‧電洞傳輸層
14‧‧‧發光層
14B‧‧‧藍色發光層
14G‧‧‧綠色發光層
14R‧‧‧紅色發光層
15A‧‧‧電子傳輸層
15B‧‧‧電子注入層
16‧‧‧第2電極
18‧‧‧保護層
19‧‧‧接著層
20‧‧‧密封基板
34B‧‧‧藍色發光層
34Y‧‧‧黃色發光層
60‧‧‧橡皮布
61‧‧‧凹版
62‧‧‧橡皮布
110‧‧‧基板
110(圖13)‧‧‧顯示部
110A‧‧‧顯示區域
111‧‧‧TFT(薄膜電晶體)
112‧‧‧平坦化層
120‧‧‧信號線驅動電路
120(圖13)‧‧‧非顯示部
120A‧‧‧信號線
130‧‧‧掃描線驅動電路
130(圖13)‧‧‧操作部
130A‧‧‧掃描線
140‧‧‧像素電路
200‧‧‧影像顯示畫面部
210‧‧‧前面板
220‧‧‧濾光玻璃
310‧‧‧發光部
320‧‧‧顯示部
330‧‧‧選單開關
340‧‧‧快門按鈕
410‧‧‧本體
420‧‧‧鍵盤
430‧‧‧顯示部
510‧‧‧本體部
520‧‧‧透鏡
530‧‧‧啟動/停止開關
540‧‧‧顯示部
610‧‧‧上側殼體
620‧‧‧下側殼體
630‧‧‧連結部
640‧‧‧顯示部
650‧‧‧副顯示器
660‧‧‧圖片燈
670‧‧‧相機
1101‧‧‧閘極電極
1102‧‧‧閘極絕緣膜
1103‧‧‧閘極絕緣膜
1104‧‧‧半導體層
1105‧‧‧通道保護膜
1106‧‧‧源極、汲極電極
Cs‧‧‧電容器(保持電容)
D1r‧‧‧溶液
D1r'‧‧‧不需要部分
GND‧‧‧第2電源線
h‧‧‧高度
h1‧‧‧隔板12之高度
h2‧‧‧第1電極11之高度
H‧‧‧接觸孔
Id‧‧‧驅動電流
L‧‧‧自夾持發光區域之一個隔板12a之中心至另一隔 板12b之中心之距離
LB、LG、LR‧‧‧3色之光
Tr1‧‧‧驅動電晶體
Tr2‧‧‧寫入電晶體
Vcc‧‧‧第1電源線
圖1係表示本揭示之一實施形態之顯示裝置之構成之一例之剖面圖。
圖2(A)、(B)係用於說明圖1所示之顯示裝置中之隔板及第1電極之構成之模式圖。
圖3係表示圖1所示之顯示裝置之驅動基板之電路構成例之模式圖。
圖4係表示圖1所示之顯示裝置之像素電路之一例之等效電路圖。
圖5係表示圖1所示之驅動基板之構成例之剖面圖。
圖6A係用於說明圖1所示之顯示裝置之製造方法之剖面圖。
圖6B係表示繼圖6A後之步驟之剖面圖。
圖6C係表示繼圖6B後之步驟之剖面圖。
圖6D係表示繼圖6C後之步驟(R、G發光層之形成步驟)之剖面圖。
圖6E係表示繼圖6D後之步驟之剖面圖。
圖6F係表示繼圖6E後之步驟之剖面圖。
圖6G係表示繼圖6F之後之步驟之剖面圖。
圖7(A)-(C)係用於說明圖6D所示之步驟之具體的程序之模式圖。
圖8(A)-(C)係表示繼圖7後之步驟之模式圖。
圖9(A)-(C)係表示繼圖8後之步驟之模式圖。
圖10(A)-(C)係表示繼圖9後之步驟之模式圖。
圖11係表示本揭示之一實施形態之顯示裝置之構成之其他例之剖面圖。
圖12係表示變化例1之顯示裝置之構成之剖面圖。
圖13(A)、(B)係表示使用顯示裝置之智慧型手機之構成之立體圖。
圖14係表示使用顯示裝置之電視裝置之構成之立體圖。
圖15(A)、(B)係表示使用顯示裝置之數位靜態相機之構成之立體圖。
圖16係表示使用顯示裝置之個人電腦之外觀之立體圖。
圖17係表示使用顯示裝置之視訊攝影機之外觀之立體圖。
圖18(A)-(G)係表示使用顯示裝置之行動電話機之構成之俯視圖。
以下，參照圖式詳細地對於本揭示之實施形態進行說明。再 者，說明按以下之順序進行。
1.實施形態(包含紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層之顯示裝置之例)
1-1.被印刷面與隔板之構成
1-2.全體構成
1-3.製造方法
2.變化例(包含黃色發光層及藍色發光層之顯示裝置之例)
3.應用例(電子機器之例)
4.實施例
<1.實施形態>
圖1係表示本揭示之一實施形態之有機電場發光裝置(顯示裝置1)之剖面構成之圖。顯示裝置1例如用作有機電場發光彩色顯示器等，例如係於驅動基板10上規則性地且複數個地配置有複數個有機EL元件2(產生紅光之有機EL元件2R(紅像素)、產生綠光之有機EL元件2G(綠像素)、及產生藍光之有機EL元件2B(藍像素))者。該等有機EL元件2係藉由保護層18覆蓋，並經由接著層19而藉由密封基板20密封。該顯示裝置1係如下之上表面發光型顯示裝置，其中相鄰之各色之有機EL元件2R、2G、2B之組構成一個像素(pixel，像素)，且自密封基板20之上表面射出3色之光LR、LG、LB。於本實施形態之顯示裝置1中，有機EL元件2中，自驅動基板10側依序積層有第1電極(圖元電極)11、包含發光層14之有機層、第2電極(對向電極)16，且此處發光層14係藉由有版印刷法而形成。又，於各有機EL元件2R、2G、2B之間，各個隔板12以包圍各像素之方式設置。
[1-1.被印刷面與隔板之構成]
圖2(A)係模式性地表示顯示裝置1之第1電極11及隔板12之構成之圖。隔板12係將各有機EL元件2R、2G、2B電性絕緣者。又，隔板12 係劃分各有機EL元件2R、2G、2B之發光區域者，其以包圍各像素之方式設置，且於各發光區域設置有開口部12A。於開口部12A，設置有包含構成分別對應之有機EL元件2R、2G、2B之發光層14之有機層。於本實施形態中之有機EL元件2中，發光層14(此處為紅色發光層14R及綠色發光層14G)係藉由如上所述之有版印刷法，例如使用橡皮布之逆向平版印刷法、凹版套版印刷等而形成。
於使用橡皮布之逆向平版印刷法(以下僅稱作反轉印刷法)中，在橡皮布上形成特定之印刷圖案後，將該印刷圖案轉印至被印刷基板上。具體而言，例如於橡皮布之形狀為大致矩形形狀之情形時，藉由使用輥等慢慢地將橡皮布自任一端至另一端按壓至被印刷基板上而轉印印刷圖案。此處，於對於周邊上形成較被印刷面更高之階差之區域(即，凹部)進行印刷之情形時，印刷圖案較凹部之底面更大地形成。具體而言，例如於如圖2所示之具有梯形狀之剖面之隔板12之間進行印刷之情形時，印刷圖案係以覆蓋至隔板12之上邊為止之方式形成。於使用如此形成有印刷圖案之橡皮布而印刷之情形時，有空氣進入被印刷面與印刷圖案之間而無法正常地轉印印刷圖案，且氣體進入而形成氣泡之虞。於反轉印刷法中正常地轉印印刷圖案時，構成橡皮布之橡皮布基材之彎曲、及形成有印刷用之塗膜之矽橡膠之變形則變得重要。即，認為，印刷圖案之轉印不良之產生係由於當自橡皮布之任一端(例如隔板12a)向另一端(例如隔板12b)按壓之情形時，於該隔板間(被印刷區域)未發生橡皮布之充分的彎曲及變形，而與隔板12a之上表面接觸之橡皮布在與隔板12a之側面或第1電極11密接之前，就與隔板12b之側面或上表面接觸。
對此，於本實施形態中，藉由規定被印刷面(此處為第1電極11)與設置於其兩端之側壁(此處為隔板12)之階差而抑制氣體之進入。具體而言，較佳為，於間距寬度(自夾持發光區域之一個隔板12a之中心 至另一隔板12b之中心之距離：1)為10μm以上60μm以下之情形時，將隔板12之高度(h1)與第1電極11之高度(h2)之差(h)設為1μm以下。藉由將階差設為1μm以下，而使形成有印刷圖案之橡皮布於隔板間充分地彎曲，例如依序自隔板12A側之上表面接觸至側面，且自作為被印刷面之第1電極11接觸至隔板12b之側面、上表面。藉此，開口部12A之空氣(印刷圖案與第1電極11之間之空氣)伴隨橡皮布之接地而除去。藉此，於第1電極11上，例如可將發光層14之印刷圖案在無氣泡混入的情況下正常地轉印。
再者，隔板12係以覆蓋第1電極11之周緣部之方式設置，隔板12之高度與第1電極相等(h1=h2，h=0μm)或高於(h1>h2)第1電極。又，詳情於下文敍述，隔板12係例如藉由旋轉塗佈法等而形成樹脂膜後，例如使用光微影法等而加工成特定之形狀。此處，隔板12之剖面之形狀亦可為如圖1或圖2(A)所示之梯形形狀或矩形形狀。即，圖2(B)所示之第1電極11之上表面與隔板12之側面所成之角度(θ)可為0°以上90°以下。再者，於圖1、圖2(A)中係以隔板12之上表面相對於驅動基板10為水平的狀態進行記載，但並不限於此，若隔板12之最上部與第1基板11之上表面之高度之差為1μm以下，則亦可具有凹凸或曲面。又，此處係將被印刷面作為第1電極11，但如圖1所示之顯示裝置1，例如於第1電極11與發光層14之間設置有電洞注入層13A、電洞傳輸層13B之情形時，則該等層13A、13B成為被印刷面。
[1-2.顯示裝置之全體構成] (驅動基板10)
圖3係表示形成於顯示裝置1之驅動基板10上之電路構成及上述有機EL元件2R、2G、2B之圖。於驅動基板10中，於基板110上，例如形成有複數個有機EL元件2R、2G、2B配置為矩陣狀之顯示區域110A，以包圍該顯示區域110A之方式配設有作為影像顯示用之驅動 器的信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130。於信號線驅動電路120上連接有沿行方向延伸之複數個信號線120A，於掃描線驅動電路130上連接有沿列方向延伸之複數個掃描線130A。各信號線120A與各掃描線130A之交叉部係與有機EL元件2R、2G、2B中之任一者對應。於顯示區域110A之周邊區域中，除此之外，設置有未圖示之電源線驅動電路。
圖4係表示設置於顯示區域110A內之像素電路140之一例之圖。像素電路140例如包含：驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2(相當於後述之TFT111)；該等電晶體Tr1、Tr2之間之電容器(保持電容)Cs；及有機EL元件2R、2G、2B，該等在第1電源線(Vcc)及第2電源線(GND)之間串接於驅動電晶體Tr1。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2係藉由一般的薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor，薄膜電晶體)而構成，且其構成可為例如逆交錯構造(所謂底閘極型)，亦可為交錯構造(頂閘極型)。藉由此種構成，圖像信號經由信號線120A而自信號線驅動電路120被供給至寫入電晶體Tr2之源極(或汲極)。掃描信號經由掃描線130A而自掃描線驅動電路130被供給至寫入電晶體Tr2之閘極。
圖5係表示該驅動基板10之詳細的剖面構成(TFT111之構成)及有機EL元件2R、2G、2B之概略構成之圖。於驅動基板10上，形成有與上述驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2對應之TFT111。於TFT111中，例如於基板110上之選擇性的區域內配設有閘極電極1101，於該閘極電極1101上，經由閘極絕緣膜1102、1103而形成有半導體層1104。於成為半導體層1104之通道之區域(與閘極電極1101對向之區域)上，設置有通道保護膜1105。於半導體層1104上，分別電性連接有一對源極、汲極電極1106。以覆蓋此種TFT111之方式，遍及基板110之整個面而形成有平坦化層112。
基板110例如由玻璃基板或塑膠基板構成。或，基板110亦可為石 英、矽、金屬等表面經絕緣處理者。又，亦可為具有軟性者，亦可為具有剛性者。
閘極電極1101係發揮藉由施加於TFT111之閘極電壓而控制半導體層1104中之載子密度之作用者。該閘極電極1101例如由包含Mo、Al及鋁合金等中之1種之單層膜、或包含2種以上之積層膜構成。作為鋁合金，例如可列舉鋁-釹合金。
閘極絕緣膜1102、1103係例如包含氧化矽(SiOX)、氮化矽(SiNX)、氮氧化矽(SiON)及氧化鋁(Al2O2)等中之1種之單層膜、或包含其等中之2種以上之積層膜。此處，閘極絕緣膜1102例如包含SiO2，閘極絕緣膜1103例如包含Si3N4。閘極絕緣膜1102、1103之總膜厚例如為200nm~300nm。
半導體層1104例如由包含作為主成分之銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、Al、Ti中之至少1種之氧化物的氧化物半導體構成。該半導體層1104係藉由閘極電壓之施加而於一對源極、汲極電極1106之間形成通道。作為該半導體層1104之膜厚，為了使後述之負電荷之影響達到通道，理想的是不會引起薄膜電晶體之通態電流之惡化之程度，具體而言，理想的是5nm~100nm。
通道保護膜1105係形成於半導體層1104上，且於源極、汲極電極1106形成時防止通道之損傷。該通道保護膜1105例如由包含矽(Si)、氧(O2)以及氟(F)之絕緣膜構成，且厚度例如為10~300nm。
源極、汲極電極1106係作為源極或汲極而發揮功能者，例如為包含鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦、ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)及氧化鈦(TiO)等中之1種之單層膜、或包含其等中之2種以上之積層膜。例如，理想的是使用按Mo、Al、Mo之順序以50nm、500nm、50nm之膜厚積層之3層膜，或ITO及氧化鈦等含氧之金屬化合物等與氧之結合較弱的金屬或金屬化合物。藉此，可穩定地保持氧化物半導 體之電特性。
平坦化層112例如包含聚醯亞胺、酚醛清漆等有機材料。該平坦化層112之厚度例如為10nm~100nm，且較佳為50nm以下。於平坦化層112上，形成有有機EL元件2之陽極電極12。
再者，於平坦化膜112上設置有接觸孔H，通過該接觸孔H而使源極、汲極電極1106、與有機EL元件2R、2G、2B之各第1電極11電性地連接。第1電極11係藉由隔板12而對應於每個像素而電性地分離，且於第1電極11上積層有後述之包含各色發光層之有機層14及第2電極16。關於有機EL元件2R、2G、2B之詳細構成將於下文敍述。
保護層18係用於防止水分向有機EL元件2R、2G、2B之滲入，且包含透射性及透水性較低之材料，厚度例如為2~3μm。保護層18亦可包含絕緣性材料及導電性材料中之任一者。作為絕緣性材料，可列舉無機非晶性之絕緣性材料，例如非晶矽(α-Si)、非晶碳化矽(α-SiC)、非晶氮化矽(α-Si1-xNx)、非晶形碳(α-C)等。由於此種無機非晶性之絕緣性材料不構成晶粒而使透水性較低，從而成為良好的保護膜。
密封基板20係將有機EL元件2R、2G、2B與接著層19一同密封。密封基板20包含對於由有機EL元件2產生之光為透明的玻璃等材料。於該密封基板20上，例如亦可設置彩色濾光片及黑色矩陣(均未圖示)，且於該情形時，可取出由有機EL元件2R、2G、2B產生之各色光，並且吸收於有機EL元件2R、2G、2B內經反射之外部光，從而改善對比度。
(有機EL元件2R、2G、2B)
有機EL元件2R、2G、2B例如分別具有上表面發光型(頂部發光型)之元件構造。然而，並不限於此種構成，例如亦可為自基板110側取出光之透射型，即下表面發光型(底部發光型)。
有機EL元件2R係形成於隔板12之開口部12A，例如於第1電極11上依序積層有電洞注入層(HIL)13B、電洞傳輸層(HTL)13A、紅色發光層14R、藍色發光層14B、電子傳輸層(ETL)15A、電子注入層(EIL)15B及第2電極16。關於有機EL元件2G亦同樣，例如具有將有機EL元件2R之積層構造中之紅色發光層14R替換為綠色發光層14G之積層構造。有機EL元件2B係例如於第1電極11上依序積層有電洞注入層13B、電洞傳輸層13A、藍色發光層14B、電子傳輸層15A、電子注入層15B及第2電極16者。如此，於本實施形態中，紅色發光層14R及綠色發光層14G係針對每個像素而分離地形成，藍色發光層14B係於各像素共通地遍及顯示區域110A之整個面而形成。此外，關於電洞注入層13B、電洞傳輸層13A、電子傳輸層15A及電子注入層15B，係於各像素共通地設置。詳細情況將於下文敍述，於本實施形態中，紅色發光層14R及綠色發光層14G係藉由反轉印刷法而形成，藍色發光層14B係藉由真空蒸鍍法而形成。
第1電極11係例如作為陽極而發揮功能，且於顯示裝置1為上表面發光型之情形時，例如包含鋁、鈦、鉻(Cr)等高反射材料。再者，於為下表面發光型之情形時，例如使用ITO、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化銦鎵鋅)等透明導電膜。
如上所述，隔板12係將有機EL元件2R、2G、2B之各元件間電性絕緣，並且劃分各像素之發光區域。於藉由隔板12而形成之複數個開口部12A形成有有機EL元件2R、2G、2B中之任一者。該隔板12例如包含聚醯亞胺、酚醛清漆樹脂或丙烯酸系樹脂等有機材料。或，該隔板12亦可積層有機材料與無機材料而構成。作為無機材料，例如可列舉SiO2、SiO、SiC、SiN。
電洞注入層13B係用於提高對各色發光層之電洞注入效率，並且 防止漏電之緩衝層。電洞注入層13B之厚度例如較佳為5nm~200nm，進而較佳為8nm~150nm。作為電洞注入層13B之構成材料，可根據電極等鄰接之層之材料之關係而適當選擇，例如可列舉：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙炔、聚伸噻吩基乙烯、聚喹啉、聚喹啉及其等之衍生物，於主鏈或支鏈上包含芳香族胺結構之聚合物等導電性高分子、金屬酞菁(酞菁銅等)、碳等。作為導電性高分子之具體例，可列舉：苯胺低聚物、苯胺低聚物及聚(3,4-乙二氧基噻吩)(PEDOT，Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)等聚二氧基噻吩。此外，亦可使用H.C.Starck製造之商品名Nafion(商標)及商品名Liquion(商標)，日產化學製造之商品名Elsourse(商標)及綜研化學製造之導電性聚合物Verazo等。
電洞傳輸層13A係用於提高對各色發光層之電洞傳輸效率者。電洞傳輸層13A之厚度亦取決於元件之全體構成，例如較佳為5nm~200nm，進而較佳為8nm~150nm。作為構成電洞傳輸層13A之材料，包含可溶於有機溶劑中的高分子材料，例如聚乙烯咔唑、聚芴、聚苯胺、聚矽烷或其等之衍生物，於支鏈或主鏈上包含芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯、或4,4'-雙(N-1-萘基-N-苯基胺基)聯苯(α-NPD)。
紅色發光層14R、綠色發光層14G、藍色發光層14B係分別藉由施加電場而產生電子與電洞之再結合而發光。該等各色發光層之厚度亦取決於元件之全體構成，例如較佳為10nm~200nm，進而較佳為20nm~150nm。
作為構成紅色發光層14R、綠色發光層14G、藍色發光層14B之材料，可為與各自之發光色相對應者，亦可為高分子材料(分子量例如為5000以上)，亦可為低分子材料(分子量例如為5000以下)。於低分子材料之情形時，例如使用主體材料與摻雜劑材料之2種以上之混合材 料。於高分子材料之情形時，例如以已溶於有機溶劑中之墨水之狀態而使用。又，亦可使用該等低分子材料及高分子材料之混合材料。
於本實施形態中，如上所述，紅色發光層14R及綠色發光層14G係藉由作為所謂濕式法之反轉印刷法而形成，藍色發光層14B係藉由作為乾式法之真空蒸鍍法而形成。因此，作為構成紅色發光層14R及綠色發光層14G之材料，主要使用高分子材料；對於藍色發光層14B，主要使用低分子材料。
作為高分子材料，例如可列舉：聚芴系高分子衍生物、(聚)對苯乙炔衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、苝系色素、香豆素系色素、玫瑰紅系色素、或於該等材料中混合有摻雜劑材料者。作為摻雜劑材料，例如可列舉：紅螢烯、苝、9,10-二苯蒽、四苯基丁二烯、尼祿紅、香豆素6等。作為低分子材料，例如可列舉：苯炔、苯乙烯基胺、三苯胺、卟啉、聯三伸苯、氮雜聯三伸苯、四氰基喹諾二甲烷、三唑、咪唑、二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、唑、蒽、茀酮、腙、茋或其等之衍生物，或者聚矽烷系化合物、乙烯咔唑系化合物、噻吩系化合物或苯胺系化合物等雜環式共軛系單體或低聚物。又，各色發光層中，除此種材料以外，作為客體材料亦可包含發光效率較高之材料，例如低分子螢光材料、磷光色素或金屬錯合物等。
電子傳輸層15A係用於提高對各色發光層之電子傳輸效率。作為電子傳輸層15A之構成材料，例如可列舉：喹啉、苝、啡啉、雙苯乙烯、吡、三唑、唑、富勒烯、二唑、茀酮或其等之衍生物或金屬錯合物。具體而言，可列舉：三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq3)、蒽、伸萘基、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、C60、吖啶、茋、1,10-啡啉或其等之衍生物或金屬錯合物。此外，較佳為使用具有優異的電子傳輸性能之有機材料。具體而言，例如可列舉：芳基吡啶衍生物、 及苯并咪唑衍生物等。電子傳輸層15A及電子注入層15B之總膜厚亦取決於元件之全體構成，例如較佳為5nm~200nm，更佳為10nm~180nm。
電子注入層15B係用於提高對各色發光層之電子注入效率。作為電子注入層15B之構成材料，例如可列舉：鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬及其氧化物、複合氧化物、氟化物、碳酸鹽等。
第2電極16之厚度例如為10nm左右，於上表面發光型之情形時，包含具有透光性之導電膜材料，例如ITO、IZO、ZnO、InSnZnO、MgAg、Ag等單層膜或包含其等中之2種以上之積層膜。於下表面發光型之情形時，例如使用鋁、AlSiC、鈦、鉻等高反射率材料。
[1-2.製造方法]
如上所述之顯示裝置1例如可按如下方法製造。
首先，如圖6A所示，於驅動基板10上形成第1電極11。此時，例如藉由真空蒸鍍法或濺鍍法而將上述之電極材料遍及基板整個面而成膜後，例如藉由使用光微影法之蝕刻而進行圖案化。又，第1電極11係經由形成於驅動基板10上之平坦化層112之接觸孔H而連接於TFT111(詳細而言，源極、汲極電極1106)。
繼而，如圖6B所示，形成隔板12。具體而言，對於驅動基板10之整個面，使用上述之樹脂材料，且例如藉由旋轉塗佈法等形成樹脂膜後，例如藉由光微影法等之蝕刻而於與第1電極11對應之部分設置開口部12A。藉此，形成隔板12。開口部12A形成後，視需要亦可回焊隔板12。再者，於樹脂膜之蝕刻係例如使用聚醯亞胺之情形時，圖2(B)所示之第1電極11與隔板12之側面所成之角度(θ)成為20°~30°左右。又，隔板12之高度及角度(θ)可根據構成隔板12之樹脂材料之塗佈量及蝕刻時間而調整。
其次，如圖6C所示，以覆蓋第1電極11及隔板12之方式，例如藉由真空蒸鍍法而依序成膜電洞注入層13B及電洞傳輸層13A。然而，作為該等電洞注入層13B及電洞傳輸層13A之成膜方法，除真空蒸鍍法以外，亦可使用旋轉塗佈法、狹縫式塗佈法、噴墨法等直接塗佈法，或亦可使用凹版套版印刷法、凸版印刷法、凹版反轉印刷法等。
(G、R發光層之形成步驟)
其次，如圖6D所示，分別於紅像素區域2R1中形成紅色發光層14R，於綠像素區域2G1中形成綠色發光層14G。此時，如以下說明所述，藉由使用橡皮布之反轉印刷法而依序分別圖案形成綠色發光層14G及紅色發光層14R。概要如下。
1.第1發光層14R之形成
(1)於橡皮布上塗佈含有第1發光材料之溶液
(2)使用凹版於橡皮布上形成印刷圖案
(3)將橡皮布上之印刷圖案轉印至驅動基板10上
2.第2發光層14G之形成
(1)於橡皮布上塗佈含有第2發光材料之溶液
(2)使用凹版於橡皮布上形成印刷圖案
(3)將橡皮布上之印刷圖案轉印至驅動基板10上
1.第1發光層之形成
(1)第1發光層塗佈步驟
首先，準備於轉印第1發光層(此處為紅色發光層14R)時使用之橡皮布60，並於該橡皮布60上塗佈形成含有紅色發光材料之溶液D1r。具體而言，如圖7(A)、(B)所示，將溶液D1r滴下至橡皮布60上，例如藉由旋轉塗佈法或狹縫式塗佈法等直接塗佈法，遍及橡皮布60上之整個面而塗佈。藉此，如圖7(C)所示，於橡皮布60上，形成含有紅色發光材料之溶液D1r之層。
(2)印刷圖案形成步驟
其次，於橡皮布60上形成紅色發光層14R之印刷圖案層(印刷圖案層14g1)。具體而言，首先，如圖8(A)所示，將具有與紅像素區域2G1對應之凹部之凹版61與橡皮布60之溶液D1r之層相向，如圖8(B)所示，將橡皮布60上之溶液D1r之層壓在凹版61上。其後，如圖8(C)所示，藉由將橡皮布60自凹版61剝離，而使溶液D1r之層中之不需要的部分(D1r')轉印至凹版61之凸部側，而自橡皮布60上除去。藉此，於橡皮布60上，形成與紅像素區域對應之紅色發光層14R之印刷圖案14r1。再者，圖中以線狀圖案表示，但若與TFT像素陣列相矛盾，則圖案之形狀不限於線狀。
(3)轉印步驟
繼而，將橡皮布60上之紅色發光層14R之印刷圖案層14R1轉印至驅動基板10側。具體而言，首先，如圖9(A)所示，將已形成電洞注入層13B及電洞傳輸層13A之驅動基板10(為方面起見，以下稱作驅動基板10a)與橡皮布60相向地配置。其後，將驅動基板10a與印刷圖案14r1對準，如圖9(B)所示，例如使用轉印輥等而將橡皮布60之印刷圖案層14r1之形成面壓在驅動基板10a上。其次，藉由將橡皮布60自驅動基板10a剝離，而於驅動基板10a上形成紅色發光層14R之圖案(圖9(C))。
2.第2發光層之形成
繼而，準備於轉印第2發光層(此處為綠色發光層14G)時使用之橡皮布62，並於該橡皮布62上塗佈形成含有綠色發光材料之溶液D1g。具體而言，如圖10(A)、(B)所示，將溶液D1g滴下至橡皮布62上，例如藉由旋轉塗佈法或狹縫式塗佈法等直接塗佈法，遍及橡皮布62上之整個面而形成。藉此，如圖10(C)所示，於橡皮布62上形成含有綠色發光材料之溶液D1g之層。
(2)印刷圖案之形成步驟及(3)轉印步驟
其次，並未特別圖示，但與上述綠色發光層14R之情形同樣地，使用特定之凹版而於橡皮布62上形成綠色發光層之印刷圖案層後，轉印至驅動基板10側。藉此，於驅動基板10a上形成綠色發光層14G。
其次，如圖6E所示，例如藉由真空蒸鍍法將藍色發光層14B遍及基板整個面而形成。再者，藍色發光層14B於此處係作為有機EL元件2R、2G、2B上之共通層而設置，但並不限於此，如圖11所示之顯示裝置2，亦可與紅色發光層14R及綠色發光層14G同樣地藉由反轉印刷而形成。
繼而，如圖6F所示，例如藉由真空蒸鍍法而於藍色發光層14B上形成電子傳輸層15A及電子注入層15B。其後，如圖6G所示，例如藉由真空蒸鍍法、CVD法或濺鍍法而於電子注入層15B上形成第2電極16。藉此，於驅動基板10上形成有機EL元件2R、2G、2B。
最後，以覆蓋驅動基板10上之有機EL元件2R、2G、2B之方式形成保護層18後，經由接著層19而貼合密封基板20，藉此完成圖1所示之顯示裝置1。
[作用、效果]
於本實施形態之顯示裝置1中，對於各像素自掃描線驅動電路130經由寫入電晶體Tr2之閘極電極而供給掃描信號，並且圖像信號自信號線驅動電路120經由寫入電晶體Tr2而保持於保持電容Cs。藉此，驅動電流Id注入至有機EL元件2，電洞與電子再結合而引起發光。例如於上表面發光型之情形時，該光透射第2電極16及密封基板20而自顯示裝置1之上方取出。
此種顯示裝置中，於製造製程中，如上所述，於藉由隔板而劃分之發光區域中，例如於藉由使用橡皮布之反轉印刷法而形成發光層(紅色發光層14R及綠色發光層14G)之情形時，有氣體藉由隔板與被印刷面之階差而進入被印刷面與形成於橡皮布上之印刷圖案之間，而無 法正常轉印印刷圖案，或形成氣泡之虞。
對此，於本實施形態中，將被印刷面(例如第1電極11)與隔板12之階差設為1μm以下。藉此，形成有印刷圖案之橡皮布於轉印步驟中例如依序自隔板12A側之上表面接觸至側面，自作為被印刷面之第1電極11接觸至隔板12b之側面、上表面。即，由於開口部12A之空氣(印刷圖案與第1電極11之間之空氣)自被印刷面與橡皮布之按壓方向慢慢地被除去，因此空氣向被印刷面與印刷圖案之間之進入(氣泡之殘留)得以抑制。具體而言，於印刷圖案上產生皺褶、由於進入之空氣分散而引起之印刷圖案撕裂、或印刷圖案無法轉印於第1電極上等轉印不良之產生得以抑制。藉此，可正常地轉印印刷圖案，從而可提供顯示良好的發光特性之顯示裝置。
其次，對上述實施形態之變化例進行說明。以下，對於與上述實施形態同樣之構成元件附上同一元件符號，並適當省略該說明。
<2.變化例>
圖12係表示變化例1之顯示裝置3之剖面構成之圖。於上述實施形態等中，作為藉由使用橡皮布之反轉印刷而形成圖案之發光層，例如可列舉紅色發光層14R及綠色發光層14G，但亦可使用其他顏色之發光層。例如，如本變化例中，遍及有機EL元件2R、2G之2個像素而形成黃色發光層34Y，亦可為覆蓋該黃色發光層34Y而形成有藍色發光層34B之構成。於該情形時，有機EL元件2R、2G中，由於藉由黃色與藍色之混色而形成白色光，因此於密封基板20側設置彩色濾光片層(未圖示)，使用該彩色濾光片層而分別取出紅光及綠光。彩色濾光片層係與有機EL元件2R、2G、2B之各者相對向地具有紅色濾光片、綠色濾光片、藍色濾光片。紅色濾光片、綠色濾光片、藍色濾光片分別選擇性地使紅光、綠光、藍光透過。
<3.應用例>
包含上述實施形態及變化例1中說明之有機EL元件2R、2G、2B的顯示裝置1~3係搭載於例如如下所示之進行圖像(或影像)顯示的所有領域之電子機器中。
圖13表示智慧型手機之外觀。該智慧型手機例如包含顯示部110(顯示裝置1)及非顯示部(殼體)120、以及操作部130。操作部130可如(A)所示設置於非顯示部120之前面，亦可如(B)所示設置於上表面。
圖14表示電視裝置之外觀構成。該電視裝置例如包括包含前面板210及濾光玻璃220之影像顯示畫面部200(顯示裝置1)。
圖15表示數位靜態相機之外觀構成，且(A)及(B)分別表示前面及後面。該數位靜態相機例如包含閃光燈用之發光部310、顯示部320(顯示裝置1)、選單開關330、以及快門按鈕340。
圖16表示筆記型個人電腦之外觀構成。該個人電腦例如包含本體410、文字等輸入操作用之鍵盤420、以及顯示圖像之顯示部430(顯示裝置1)。
圖17表示視訊攝影機之外觀構成。該視訊攝影機例如包含本體部510、設置於該本體部510之前方側面之被攝體攝影用之透鏡520、攝影時之啟動/停止開關530、以及顯示部540(顯示裝置1)。
圖18表示行動電話機之外觀構成。(A)及(B)分別表示已打開行動電話機狀態之正面及側面。(C)~(G)分別表示已閉合行動電話機狀態之正面、左側面、右側面、上表面及下表面。例如，該行動電話機係上側殼體610與下側殼體620藉由連結部(鉸鏈部)630而連結者，其包含顯示器640(顯示裝置1)、副顯示器650、圖片燈660、以及相機670。
<4.實施例>
其次，對本技術之實施例進行說明。
(實驗例1)
首先，以圖1所示之顯示裝置1為模型，以間距寬度分別成為17μm、21μm、30μm、60μm之方式而於基板上形成隔板12。再者，若基板為被印刷基板(被印刷面)，且可支持玻璃或塑膠等，則材料無限制。又，隔板12之高度以分別成為0μm、0.4μm、0.5μm、0.7μm、0.8μm、1.0μm、1.2μm、1.5μm、2.0μm之方式而形成，且各隔板12之高度為上述實施形態中隔板12與被印刷面(例如第1電極11)之階差(1)。繼而，對於藉由隔板12而劃分之區域使用橡皮布進行反轉印刷，並調查轉印不良之有無，將該結果表示於表1中。此處，橡皮布中作為支持基板而使用PET基材或玻璃基材(各自之厚度為100μm~750μm)，並於印刷圖案之形成面使用矽橡膠。再者，該矽橡膠之表面能量達到20mN/m以下。又，各間距寬度下之解像度分別為500ppi、400ppi、300ppi、150ppi。
由表1可知，於間距寬度為21μm以上60μm以下之範圍中，當階差(h)為1.5以上之情形時產生轉印不良，且若階差(h)為1.2μm則於印刷圖案之一部分中觀察到不良部位。又，於將間距寬度設為17μm之 情形時，若階差(h)為1.2μm則完全產生轉印不良。鑒於以上情況，可知：藉由將於間距寬度為17μm以上60μm以下時側壁之高度(h1)與被印刷面之高度(h2)之差設為1.0μm以下而可進行正常的印刷圖案之轉印。再者，矽橡皮布之支持基材之厚度並未特別地限定，此處使用厚度100μm~750μm之PET基材及玻璃基材，但並不限於此，例如該厚度亦可為50μm以上1mm以下。又，矽橡膠之厚度亦未特別地限定，例如亦可為10μm以上1mm以下。
以上，列舉實施形態及變化例而說明本揭示，但本揭示並不限於上述實施形態等，且可有各種變形。例如，於上述實施形態等中，最初作為藉由反轉印刷法而形成之第1發光層係形成紅色發光層，其次作為藉由反轉印刷法而形成之第2發光層係形成綠色發光層，但各色之發光層之形成步驟亦可相反。
又，作為本揭示之電荷傳輸性材料，可根據發光層之形成順序或各像素中之元件特性，而選擇合適的電洞傳輸性材料或電子傳輸性材料。
進而，於上述實施形態中，對於橡皮布及被印刷基板(驅動基板10)分別以平行平板為例(平行平板-平行平板)進行說明，但並不限於此，橡皮布或被印刷基板中之任一者亦可為輥狀(輥-平行平板，平行平板-輥)或兩者亦可為輥狀(輥-輥)。又，藉由隔板12而劃分之像素之形狀並未特別地限定，例如可為4邊長度相等之正方形，亦可為長方形。進而，於印刷時橡皮布之按壓方向並未特別地限定，可為各像素之長軸方向，亦可為短軸方向。
又進而，於上述實施形態等中說明之各層之材料及厚度、或成膜方法及成膜條件等並無限定，可使用其他之材料及厚度，或亦可使用其他之成膜方法及成膜條件。進而，於上述實施形態等中說明之各層不一定必需全部設置，可適當省略。又，亦可追加除上述實施形態 等中說明之層以外之層。例如，於藍色EL元件2B之電荷傳輸層17與藍色發光層14B之間，亦可追加1層或複數層如於日本專利特開2011-233855號公報中記載之共通電洞傳輸層之使用具有電洞傳輸能之材料的層。藉由追加此種層，提高藍色有機EL元件2B之發光效率及壽命特性。
再者，本技術可採用如下之構成。
(1)一種有機電場發光裝置，其包含：複數個發光元件，其以10μm以上60μm以下之間距寬度配置，並且自基板側依序積層有第1電極、至少包含發光層之有機層及第2電極，且上述有機層之至少一層藉由有版印刷法而形成；以及隔板，其設置於相鄰之上述複數個發光元件之間；且自基板起之上述隔板之高度與藉由上述有版印刷法而形成之被印刷面之高度之差為0μm以上1μm以下。
(2)如上述(1)之有機電場發光裝置，其中上述隔板之側面與上述第1電極所成之角度為90°。
(3)如上述(1)或(2)之有機電場發光裝置，其中上述隔板之側面與上述第1電極所成之角度未達90°。
(4)如上述(3)之有機電場發光裝置，其中上述隔板之側面與上述第1電極所成之角度為20°以上。
(5)如上述(1)至(4)中任一項之有機電場發光裝置，其中上述隔板之高度較上述第1電極更高。
(6)如上述(1)至(5)中任一項之有機電場發光裝置，其中上述第1電極之周緣部係藉由上述隔板而覆蓋。
(7)如上述(1)至(6)中任一項之有機電場發光裝置，其包含紅像素、綠像素及藍像素，且分別於上述紅像素中形成紅色發光層，於上述綠像素中形成綠色發光層，於上述藍像素中形成藍色發光層。
(8)如上述(7)之有機電場發光裝置，其中上述藍像素係延伸至上 述紅色發光層上及上述綠色發光層上之區域為止而形成。
(9)如上述(1)至(8)之有機電場發光裝置，其包含紅像素、綠像素及藍像素，且於上述紅像素及上述綠像素中設置有黃色發光層，於上述藍像素中設置有藍色發光層。
(10)如上述(1)至(9)中任一項之有機電場發光裝置，其中上述有機層中，除上述發光層以外，至少包含1層之電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層。
(11)一種有機電場發光裝置之製造方法，其包括：按10μm以上60μm以下之間距寬度形成複數個第1電極；於上述複數個第1電極之間形成隔板；藉由有版印刷法於上述第1電極上形成至少包含發光層之有機層之至少一層；以及於上述有機層上形成第2電極；且將上述隔板之高度與藉由上述有版印刷法而形成之被印刷面之高度之差設為0μm以上1μm以下。
(12)如上述(11)之有機電場發光裝置之製造方法，其中形成上述紅色發光層及綠色發光層後，自上述紅色發光層上及綠色發光層上之區域至藍像素區域而形成藍色發光層。
(13)如上述(11)或(12)之有機電場發光裝置之製造方法，其中分別於紅像素區域及綠像素區域中形成作為第1發光層之黃色發光層，於藍像素區域中形成作為第2發光層之藍色發光層。
(14)如上述(11)至(13)中任一項之有機電場發光裝置之製造方法，其中藉由有版印刷法而形成上述發光層。
(15)如上述(11)至(14)之有機電場發光裝置之製造方法，其中藉由逆向平版印刷法而形成上述發光層。
(16)一種電子機器，其包含有機電場發光裝置，且上述有機電場發光裝置包含：複數個發光元件，其以10μm以上60μm以下之間距寬度配置，並且自基板側依序積層有第1電極、至少含有發光層之有機 層及第2電極，且上述有機層之至少一層藉由有版印刷法而形成；以及隔板，其設置於相鄰之上述複數個發光元件之間；且自基板起之上述隔板之高度與藉由上述有版印刷法而形成之被印刷面之高度之差為0μm以上1μm以下。
本申請案係以於2012年6月1日向日本特許廳申請之日本專利申請編號2012-126420號為基礎而主張優先權者，且以參照之形式將該申請之全部內容援用於本申請案中。
只要為業者，則可根據設計上之要件或其他因素而想到各種修正、組合、次組合、及變更，但可理解其等屬於隨附之申請專利範圍或其等價物之範圍內。
1‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧有機EL元件
2B‧‧‧有機EL元件
2G‧‧‧有機EL元件
2R‧‧‧有機EL元件
10‧‧‧驅動基板
11‧‧‧第1電極
12‧‧‧隔板
13A‧‧‧電洞注入層
13B‧‧‧電洞傳輸層
14‧‧‧發光層
14B‧‧‧藍色發光層
14G‧‧‧綠色發光層
14R‧‧‧紅色發光層
15A‧‧‧電子傳輸層
15B‧‧‧電子注入層
16‧‧‧第2電極
18‧‧‧保護層
19‧‧‧接著層
20‧‧‧密封基板
LB、LG、LR‧‧‧3色之光

Claims (16)

  1. 一種有機電場發光裝置，其包含：複數個發光元件，其以10μm以上60μm以下之間距寬度配置，並且自基板側依序積層有第1電極、至少包含發光層之有機層及第2電極，且上述有機層之至少一層係藉由有版印刷法而形成；及隔板，其設置於相鄰之上述複數個發光元件之間；且自基板起之上述隔板之高度與藉由上述有版印刷法形成之被印刷面之高度之差為0μm以上1μm以下。
  2. 如請求項1之有機電場發光裝置，其中上述隔板之側面與上述第1電極所成的角度為90°。
  3. 如請求項1之有機電場發光裝置，其中上述隔板之側面與上述第1電極所成的角度未達90°。
  4. 如請求項3之有機電場發光裝置，其中上述隔板之側面與上述第1電極所成的角度為20°以上。
  5. 如請求項1之有機電場發光裝置，其中上述隔板之高度較上述第1電極更高。
  6. 如請求項1之有機電場發光裝置，其中上述第1電極之周緣部由上述隔板覆蓋。
  7. 如請求項1之有機電場發光裝置，其包含紅像素、綠像素及藍像素，且分別於上述紅像素中形成有紅色發光層，於上述綠像素中形成有綠色發光層，於上述藍像素中形成有藍色發光層。
  8. 如請求項7之有機電場發光裝置，其中上述藍像素係延伸至上述紅色發光層上及上述綠色發光層上之區域而形成。
  9. 如請求項1之有機電場發光裝置，其包含紅像素、綠像素及藍像素，且於上述紅像素及上述綠像素中設置有黃色發光層，於上述藍像素中設置有藍色發光層。
  10. 如請求項1之有機電場發光裝置，其中上述有機層中除上述發光層以外，至少包含1層之電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層。
  11. 一種有機電場發光裝置之製造方法，其包括：以10μm以上60μm以下之間距寬度形成複數個第1電極；於上述複數個第1電極之間形成隔板；藉由有版印刷法而於上述第1電極上形成至少包含發光層之有機層之至少一層；於上述有機層上形成第2電極；及將上述隔板之高度與藉由上述有版印刷法形成之被印刷面之高度之差設為0μm以上1μm以下。
  12. 如請求項11之有機電場發光裝置之製造方法，其中於形成上述紅色發光層及綠色發光層後，自上述紅色發光層上及綠色發光層上之區域遍及藍像素區域而形成藍色發光層。
  13. 如請求項11之有機電場發光裝置之製造方法，其中分別於紅像素區域及綠像素區域中形成作為第1發光層之黃色發光層，於藍像素區域中形成作為第2發光層之藍色發光層。
  14. 如請求項11之有機電場發光裝置之製造方法，其中藉由有版印刷法而形成上述發光層。
  15. 如請求項11之有機電場發光裝置之製造方法，其中藉由逆向平版印刷法而形成上述發光層。
  16. 一種電子機器，其包含有機電場發光裝置，且上述有機電場發光裝置包含：複數個發光元件，其以10μm以上60μm以下之間距寬度配置，並且自基板側依序積層有第1電極、至少含有發光層之有機層及第2電極，且上述有機層之至少一層係藉由有版印刷法而形成；及隔板，其設置於相鄰之上述複數個發光元件之間；且自基板起之上述隔板之高度與藉由上述有版印刷法形成之被印刷面之高度之差為0μm以上1μm以下。
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