TWI580028B - 顯示單元及電子設備 - Google Patents

顯示單元及電子設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI580028B
TWI580028B TW102126350A TW102126350A TWI580028B TW I580028 B TWI580028 B TW I580028B TW 102126350 A TW102126350 A TW 102126350A TW 102126350 A TW102126350 A TW 102126350A TW I580028 B TWI580028 B TW I580028B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
film
display unit
substrate
light
Prior art date
Application number
TW102126350A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201405804A (zh
Inventor
齊藤高壽
和泉健一
寺口晉一
中平忠克
橫關彌樹博
西正太
古立學
Original Assignee
杰奧萊德股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 杰奧萊德股份有限公司 filed Critical 杰奧萊德股份有限公司
Publication of TW201405804A publication Critical patent/TW201405804A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI580028B publication Critical patent/TWI580028B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

顯示單元及電子設備
本技術係關於一種具有包含一有機層之一自發光型發光元件之顯示單元且亦係關於一種具有此一顯示單元之電子設備。
藉由使用有機材料之有機EL現象發光之有機電致發光(EL)元件包含其中一有機電洞傳輸層及一有機發光層層壓在一陽極與一陰極之間之一有機層。有機EL元件作為能夠透過低電壓DC驅動達成高强度光發射之發光元件已受到關注。但是，舉例而言，在使用此有機EL元件之顯示單元(有機EL顯示單元)中，歸因於水分吸收而發生有機EL元件中之有機層劣化，從而導致有機EL元件中光發射強度之降低或光發射之不穩定性。因此，此類型之顯示單元具有諸如隨時間之低穩定性及短壽命之缺點。
因此，舉例而言，日本未審查專利申請公開案第2002-93576號已提議一種有機EL顯示單元，其中在基板之元件形成表面側(在該側上形成有機EL元件及其他電路)上提供用於密封之目的之覆蓋材料且藉由密封劑密封基板與覆蓋材料之間之邊緣區段。JP2002-93576A亦已提議一種組態，其中密封劑之外部覆蓋有充當防止水蒸氣及類似物進入之保護膜之硬碳膜。此組態可完全屏蔽形成在基板上之有機EL元件使之免受外部之擾且防止諸如水及氧氣(其等加速由有機EL元件之氧化引起之劣化)之物質進入。
此外，亦已提議一種完全固體類型之有機EL顯示單元，其中用一黏著劑將用於密封之目的之一覆蓋材料黏著至一基板之一元件形成表面側(在該側上形成一有機EL元件及其他電路)，該黏著劑插置於該覆蓋材料與該元件形成表面側之間。
此外，亦已提議一種有機EL顯示單元，其中將有機絕緣膜分為其內區域側及外區域側之一分離溝槽形成在圍繞一顯示區域之位置處(即，在顯示區域之外邊緣側上)。舉例而言，參見日本未審查專利申請公開案第2006-54111號及第2008-283222號。提供此分離溝槽防止存在於有機絕緣膜中之外區域側上之水藉由通過此有機絕緣膜之內部而進入內區域側(即，顯示區域側)。因此，可抑制由水(其留在顯示單元中)通過有機絕緣膜導致之有機層(有機EL元件)之劣化。
引用清單
專利文獻
PTL1：日本未審查專利申請公開案第2002-93576號
PTL2：日本未審查專利申請公開案第2006-54111號
PTL3：日本未審查專利申請公開案第2008-283222號
同時，近年來，有機EL顯示單元已安裝在携帶式資訊終端機(諸如所謂的平板個人電腦(PC)及智慧型電話(多功能攜帶式電話))上。對於此類型之携帶式資訊終端機，鑒於携帶性而難以增大主體之大小。但是，從保全使用者之可見度及可操作性的角度看，有效螢幕區域需儘可能大。因此，期望提供一種所謂之窄邊框，即，儘可能减小由除携帶式資訊終端機之主體中之有效螢幕區域外之周邊區域占據之區域。
但是，在如由上述日本未審查專利申請公開案第2006-54111號及第2008-283222號提議之結構之一結構中，在使用區域遮罩以形成有 機層或類似物之膜之情況(諸如使用白色有機EL元件之情況)中難以提供窄邊框。換言之，實際上，考慮到區域遮罩之未對準(遮罩未對準區域)及膜之環繞(錐形區域)，必須在距離顯示區域足够遠之位置處形成上述分離溝槽。因此，必須保全寬邊框(即，必須增大顯示區域與周邊區域之間之距離)，使得難以提供細邊框。此外，由於必須增大顯示區域與周邊區域之間之距離，故包含在此區域(分離溝槽之內部區域)中之有機絕緣層中之水進入有機層，藉此使有機層劣化。
可期望提供一種具有高穩定性及一較大有效螢幕區域同時抑制由水引起之一發光元件之劣化之顯示單元及一種具有此一顯示單元之電子設備。
根據本技術之一實施例之一顯示單元包含：一第一基板及一第二基板，其等經安置以彼此面對；一第一有機絕緣層，其設置在該第一基板上；複數個發光元件，其等排列在一顯示區域中，其中該顯示區域設置在該第一有機絕緣層上且面對該第二基板；及一第一防潮膜，其覆蓋一周邊區域中之第一有機絕緣層，其中該周邊區域設置在該第一基板上且圍繞該顯示區域。
根據本技術之一實施例之一電子設備具有一顯示單元。該顯示單元包含：一第一基板及一第二基板，其等經安置以彼此面對；一第一有機絕緣層，其設置在該第一基板上；複數個發光元件，其等排列在一顯示區域中，其中該顯示區域設置在該第一有機絕緣層上且面對該第二基板；及一第一防潮膜，其覆蓋一周邊區域中之第一有機絕緣層，其中該周邊區域設置在該第一基板上且圍繞該顯示區域。
在根據本技術之上述實施例之顯示單元及電子設備中，周邊區域中之第一有機絕緣層覆蓋有第一防潮膜。因此，充分屏蔽該第一有機絕緣層使之免受含水之外部空氣之擾。
根據本技術之上述實施例中之顯示單元及電子設備，由於提供 第一防潮膜，故可有效防止水從周邊區域進入至顯示區域中同時提供一簡單組態。因此，防止發光元件之劣化，此允許實現高穩定性同時亦達成窄邊框。
應瞭解上文一般描述及下文詳細描述係例示性的且旨在提供本技術之進一步說明。
1‧‧‧有機電致發光(EL)顯示單元/顯示單元
1A‧‧‧顯示單元
1B‧‧‧有機電致發光(EL)顯示單元
1C1‧‧‧有機電致發光(EL)顯示單元
1C2‧‧‧有機電致發光(EL)顯示單元
1C3‧‧‧顯示單元
1D‧‧‧顯示單元
1E‧‧‧顯示單元
1F1‧‧‧顯示單元
1F2‧‧‧顯示單元
1G‧‧‧顯示單元
1H1‧‧‧顯示單元
1H2‧‧‧顯示單元
1J‧‧‧顯示單元
1K‧‧‧顯示單元
1L‧‧‧顯示單元
1M‧‧‧顯示單元
10B‧‧‧有機發光元件/子像素
10G‧‧‧子像素
10R‧‧‧子像素
10W‧‧‧有機電致發光(EL)元件
11‧‧‧底座
12‧‧‧發光元件形成層
13‧‧‧第一電極層
14‧‧‧有機層
14A‧‧‧電洞注入層
14B‧‧‧電洞傳輸層
14C‧‧‧發光層
14D‧‧‧電子傳輸層
16‧‧‧第二電極層
17‧‧‧防潮膜
18‧‧‧填充層
19‧‧‧密封基板
19S‧‧‧反向表面
20‧‧‧發光區段
23‧‧‧密封區段
24‧‧‧孔隙界定絕緣膜
25‧‧‧防潮膜
26‧‧‧防潮膜
27‧‧‧分離溝槽
27A‧‧‧分離溝槽
27B‧‧‧分離溝槽
28‧‧‧金屬層/金屬膜
31‧‧‧連接佈線
32‧‧‧游標
33‧‧‧黑色基質
34‧‧‧防潮膜
35‧‧‧防潮膜
37‧‧‧玻璃層/防潮膜
110A‧‧‧顯示區域
110B‧‧‧周邊區域
111‧‧‧基板
112‧‧‧像素驅動電路形成層
120‧‧‧信號線驅動電路
120A‧‧‧信號線
124‧‧‧接觸區段
130‧‧‧掃描線驅動電路
130A‧‧‧掃描線
140‧‧‧像素驅動電路
210‧‧‧區域
211G‧‧‧金屬層
212‧‧‧閘極絕緣膜
213‧‧‧通道層
213R‧‧‧通道區域
214‧‧‧絕緣通道保護膜/通道保護膜
215D‧‧‧汲極電極
215S‧‧‧源極電極
216D‧‧‧金屬層
216S‧‧‧金屬層
217‧‧‧保護膜/鈍化膜
218‧‧‧平坦化膜
220‧‧‧可撓性印刷電路(FPC)
221G‧‧‧金屬層
223‧‧‧通道層
223R‧‧‧通道區域
224‧‧‧絕緣通道保護膜
225D‧‧‧汲極電極
225S‧‧‧源極電極
226D‧‧‧金屬層
226S‧‧‧金屬層
291‧‧‧第一層
292‧‧‧第二層
293‧‧‧第三層
300‧‧‧影像顯示螢幕區段
310‧‧‧前面板
320‧‧‧濾光玻璃
351‧‧‧樹脂層
352‧‧‧無機層
410‧‧‧閃光發射區段
420‧‧‧顯示區段
430‧‧‧選單開關
440‧‧‧快門釋放裝置
510‧‧‧主體區段
520‧‧‧鍵盤
530‧‧‧顯示區段
610‧‧‧主體區段
620‧‧‧透鏡
630‧‧‧開始/停止開關
640‧‧‧顯示區段
710‧‧‧上外殼
720‧‧‧下外殼
730‧‧‧耦合區段
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧閃光燈
770‧‧‧相機
810‧‧‧顯示區段
820‧‧‧非顯示區段
830‧‧‧操作區段
Cs‧‧‧電容器/保持電容器
GND‧‧‧第二電源線
Id‧‧‧驅動電流
Tr1‧‧‧驅動電晶體
Tr2‧‧‧寫入電晶體
Vcc‧‧‧第一電源線
圖1係繪示根據本技術之一實施例之顯示單元之組態之圖。
圖2係繪示圖1中描繪之像素驅動電路之實例之圖。
圖3係繪示圖1中描繪之顯示區域之組態之平面圖。
圖4係繪示圖1中描繪之顯示區域之組態之橫截面圖。
圖5係繪示圖1中描繪之顯示區域之組態之另一橫截面圖。
圖6係繪示圖4及圖5中描繪之有機層之放大橫截面圖。
圖7係繪示根據一第一修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖8係繪示根據一第二修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖9A係繪示根據一第三修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖9B係繪示根據一第四修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖9C係繪示根據一第五修改例之顯示單元之主要部分組態之放大橫截面圖。
圖10係繪示根據一第六修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖11係繪示包含根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元之模組之示意組態之平面圖。
圖12係根據顯示單元之第一應用實例之電視接收器之外觀之透視圖。
圖13A係根據顯示單元之第二應用實例之數位相機之外觀之第一透視圖。
圖13B係根據顯示單元之第二應用實例之數位相機之外觀之第二透視圖。
圖14係根據顯示單元之第三應用實例之膝上型電腦之外觀之透視圖。
圖15係根據顯示單元之第四應用實例之攝影機之外觀之透視圖。
圖16A係繪示根據顯示單元之第五應用實例之携帶式電話之外觀(即，處於閉合狀態之携帶式電話之正視圖、左側視圖、右側視圖、俯視圖及仰視圖)之圖。
圖16B係繪示根據顯示單元之第五應用實例之攜帶式電話之外觀(即，處於敞開狀態之攜帶式電話之正視圖及側視圖)之圖。
圖17A係使用顯示單元之根據第六應用實例之平板型PC之外觀之第一透視圖。
圖17B係使用顯示單元之根據第六應用實例之平板型PC之外觀之第二透視圖。
圖18係繪示根據一第七修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖19A係繪示根據一第八修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖19B係繪示根據一第九修改例之顯示單元之主要部分組態之放大橫截面圖。
圖20係繪示根據一第十修改例之顯示單元之主要部分組態之橫 截面圖。
圖21A係繪示根據一第十一修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖21B係繪示根據一第十二修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖22A係繪示根據一第十三修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖22B係繪示根據第十三修改例之顯示單元之主要部分組態之另一橫截面圖。
圖23係用於描述製造圖22A及圖22B中描繪之顯示單元之方法之透視圖。
圖24A係繪示根據一第十四修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖24B係繪示根據第十四修改例之顯示單元之主要部分組態之另一橫截面圖。
圖25係繪示根據一第十五修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
圖26係用於描述製造圖25中描繪之顯示單元之方法之透視圖。
圖27係繪示根據一第十六修改例之顯示單元之主要部分組態之橫截面圖。
將參考附圖詳細描述本揭示內容之實施例及應用實例。應注意將按下列順序提供描述。
1.實施例(圖1至圖10)：顯示單元
2.顯示單元之應用實例(圖11至圖17B)：電子設備
[實施例]
[有機EL顯示單元之總體組態實例]
圖1繪示根據本技術之實施例之有機EL顯示單元1(下文中簡稱作顯示單元1)之總體組態實例。顯示單元1可用作有機EL電視接收器且具有基板111上之顯示區域110A。在此顯示區域110A中，複數個子像素10R、10G及10B配置成矩陣。子像素10R顯示紅色，子像素10G顯示綠色且子像素10B顯示藍色。此處，在Y方向上將顯示相同色彩之子像素配置成一線，且在X方向上依序重複此線。因此，在X方向上對準之三個子像素之各組合形成一像元(像素)。此外，在顯示區域110A周圍(即，在其外邊緣側或外邊界側上)之周邊區域110B中，提供充當影像顯示器之驅動器之信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130(隨後將描述之周邊電路12B)。
信號線驅動電路120根據供應自信號供應源(未繪示)之照度資訊將影像信號之信號電壓供應給透過信號線120A選擇之像素。
掃描線驅動電路130包含與輸入時脈脈衝同步依序執行啟動脈衝之移位(轉移)之一移位暫存器及類似物。當將影像信號寫入至像素之各者時，掃描線驅動電路130逐列掃描像素並依序供應掃描信號至各掃描線130A。
在顯示區域110A內，提供一像素驅動電路140。圖2繪示此像素驅動電路140之實例(即，子像素10R、10G及10B之像素電路之實例)。像素驅動電路140係形成在隨後描述之一第一電極層13(隨後描述之像素驅動電路形成層112)下方之一主動驅動電路。此像素驅動電路140包含一驅動電晶體Tr1、一寫入電晶體Tr2及設置在驅動電晶體Tr1與寫入電晶體Tr2之間之一電容器(保持電容器)Cs。像素驅動電路140進一步包含在一第一電源線(Vcc)與一第二電源線(GND)之間串聯連接至驅動電晶體Tr1之一白色有機EL元件10W(下文中簡稱作EL元件10W)。換言之，子像素10R、10G及10B之各者具有此EL元件10W。 驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2各使用典型薄膜電晶體(TFT)組態且可各組態為具有但不限於(舉例而言)反轉交錯結構(所謂底部閘極型)或交錯結構(頂部閘極型)。
在像素驅動電路140中，在行方向上配置複數個信號線120A且在列方向上配置複數個掃描線130A。信號線120A之各者與掃描線130A之各者之間之交叉點對應於子像素10R、10G及10B之任一者。將信號線120A之各者連接至信號線驅動電路120且透過信號線120A將影像信號從此信號線驅動電路120供應至寫入電晶體Tr2之源極電極。將掃描線130A之各者連接至掃描線驅動電路130且透過掃描線130A將掃描信號從此掃描線驅動電路130依序供應至寫入電晶體Tr2之閘極電極。
[顯示單元之平面組態實例]
圖3繪示在XY平面中擴展之顯示區域110A之組態實例。此處，示意地繪示當從上方觀看時包含顯示區域110A及圍繞顯示區域110A之周邊區域110B之平面組態。此顯示區域110A處於其中移除一第二電極層16、一填充層18及一密封基板19(皆隨後描述)之狀態中。如圖3中所示，在顯示區域110A中，在X方向及Y方向上配置複數個EL元件10W，即整體上配置成矩陣。更具體言之，EL元件10W包含各自發光區段20且針對子像素10R、10G及10B之各者安置一EL元件10W。發光區段20彼此分離且由一孔隙界定絕緣膜24界定。
在圖3中，由圍繞發光區段20之虛線指示之矩形表示其中形成有機層14之區域。此外，由圍繞其中形成有機層14之區域之虛線指示之矩形表示其中形成第一電極層13之區域。第一電極層13之一部分具有一接觸區段124，舉例而言，該接觸區段124可建立與驅動電晶體Tr1之源極電極之傳導。應注意，視需要設定配置在X方向及Y方向之各者上之子像素之數目，而不限於圖3中所繪示之數目。此外，可藉由進一步提供舉例而言可顯示黃色及白色之子像素而將四個或更多個 EL元件10W包含在一像素中。
[顯示單元1之橫截面組態]
圖4繪示接近顯示區域110A與周邊區域110B之間之邊界之一部分之一XZ區段之示意組態，XZ區段係沿著圖3中描繪之線IV-IV取得。此外，圖5係圖3中所繪示之顯示區域110A沿著線V-V取得之橫截面圖。此外，圖6繪示圖4及圖5中所繪示之有機層14之橫截面之放大部分。
本實施例之顯示單元1可為頂部表面光發射型(所謂的頂部發射型)，其中藉由使用上述EL元件10W及隨後描述之彩色濾光片從頂部表面(面對基板111之密封基板19)發射R(紅色)、G(綠色)及B(藍色)之任一者之彩色光。如圖4中所繪示，在顯示區域110A中，包含EL元件10W之一發光元件形成層12形成在其中像素驅動電路形成層112設置在基板111上之一底座11上。在EL元件10W上，依序提供防潮膜17、填充層18及密封基板19。藉由沿著密封基板19之反向表面19S上之周緣區段提供之一密封區段23分隔顯示區域110A及周邊區域110B，反向表面19S面對基板111。在EL元件10W中，充當陽極電極之第一電極層13、包含一發光層14C(隨後描述)之有機層14及充當陰極電極之第二電極層16依序層壓在一平坦化膜218上，該平坦化膜218係像素驅動電路形成層112之最上層。藉由孔隙界定絕緣膜24針對EL元件10W之各者將有機層14及第一電極層13分離。應注意，可使用(舉例而言)具有極佳圖案精度之有機材料(諸如聚醯亞胺、丙烯酸及矽氧烷)組態平坦化膜218及孔隙界定絕緣膜24兩者。同時，將第二電極層16提供為為所有EL元件10W所共有之層。應注意，在圖4中省略像素驅動電路形成層112中包含驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2之詳細組態之圖解。
在底座11中，將包含像素驅動電路140之像素驅動電路形成層112 設置在基板111上。基板111係其中EL元件10W形成為陣列之一支撐件且諸如由(舉例而言)石英、玻璃、金屬箔或樹脂製成之膜或薄片之材料可用於基板111。在石英、玻璃、金屬箔或樹脂中，石英及玻璃係較佳的。在將樹脂用作材料之情況中，實例可包含由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)表示之甲基丙烯酸樹脂、聚酯(諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)及聚萘二甲酸丁二酯(PBN))及聚碳酸酯樹脂。但是，在此情況中，可需要抑制滲透性及透氣性之層壓結構及表面處理。在基板111之一表面上，將充當驅動電晶體Tr1之閘極電極之金屬層211G、充當寫入電晶體Tr2之閘極電極之金屬層221G(圖5)及信號線120A(圖5)提供為一第一階層之金屬層。金屬層211G及221G以及信號線120A覆蓋有可由氮化矽、氧化矽或類似物製成之一閘極絕緣膜212。
在閘極絕緣膜212上之區域(對應於金屬層211G及221G之區域)中，分別提供可由半導體膜(其由非晶矽或類似物形成)製成之通道層213及223。在通道層213及223上，分別提供絕緣通道保護膜214及224以佔據通道區域213R及223R(其等係通道層213及223之中心區域)。在通道保護膜214之兩側上提供汲極電極215D及源極電極215S且亦在通道保護膜224之兩側上提供汲極電極225D及源極電極225S。汲極電極215D及225D以及源極電極215S及225S可由n型半導體膜(諸如n型非晶矽)製成。汲極電極215D與源極電極215S藉由通道保護膜214彼此分離且汲極電極225D與源極電極225S亦藉由通道保護膜224彼此分離。汲極電極215D及源極電極215S之端面用插置於該汲極電極215D與該源極電極215S之間之通道區域213R彼此分開且汲極電極225D及源極電極225S之端面亦用插置於該汲極電極225D與該源極電極225S之間之通道區域223R彼此分開。此外，作為第二階層之金屬層，提供充當汲極佈線之金屬層216D及226D及充當源極佈線之金屬層216S及 226S以分別覆蓋汲極電極215D及225D以及源極電極215S及225S。舉例而言，金屬層216D及226D以及金屬層216S及226S各可具有其中依序層壓鈦(Ti)層、鋁(Al)層及鈦層之一結構。除金屬層216D及226D以及金屬層216S及226S外，亦提供掃描線130A(未繪示)作為第二階層之金屬層。金屬層216S可連接至用於與外部元件(諸如周邊區域110B中之FPC)之連接之連接佈線31(圖4)。
像素驅動電路140可完全覆蓋有一保護膜(鈍化膜)217，該保護膜217可由舉例而言低透水性之無機材料(諸如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiNxOy)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlxOy))製成。在保護膜217上，提供具有絕緣性質之平坦化膜218。較佳地，平坦化膜218可具有極高表面光滑度。此外，在平坦化膜218及保護膜217之一部分區域中提供微小的接觸區段124(圖4)。接觸區段124填充有第一電極層13，使得建立與形成驅動電晶體Tr1之源極電極之金屬層216S之傳導。
第一電極層13(其係形成在平坦化膜218上之下電極)亦用作一反射層且較佳可使用具有最高可能反射比之材料組態以增大發光效率。因此，可使用舉例而言高反射比材料(諸如鋁(Al)及鋁釹合金(AlNd))組態第一電極層13。舉例而言，第一電極層13可為其在層壓方向上之厚度(下文中簡稱作厚度)係大約10nm或更大及1,000nm或更小之層。第一電極層13之材料不限於上述材料且可為金屬元素(諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)及銀(Ag))之單質或合金。此外，第一電極層13可具有包含金屬膜及透明導電膜之一層壓結構。金屬膜可由上述金屬元素之單質或合金製成且透明導電膜可由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(InZnO)、氧化鋅(ZnO)及鋁(Al)之化合物或類似物製成。
提供孔隙界定絕緣膜24以填充EL元件10W中之第一電極層13及 有機層14與下一EL元件10W中之第一電極層13及有機層14之間之間隙，即發光區段20之間之間隙。孔隙界定絕緣膜24亦稱作隔板，其保全第一電極層13與第二電極層16之間之絕緣且精確地界定EL元件10W之發光區段20之輪廓。換言之，光發射區域係由孔隙界定絕緣膜24界定。孔隙界定絕緣膜24進一步具有在隨後描述之一製造程序中執行噴墨塗佈或噴嘴塗佈時充當隔般之一功能。應注意，雖然有機層14及/或第二電極層16不僅可設置在孔隙上而且可設置在孔隙界定絕緣膜24上，但是光發射僅發生在對應於孔隙界定絕緣膜24之孔隙之發光區段20中。
有機層14可無縫地形成於由孔隙界定絕緣膜24所界定之發光區段20的整個表面上方。舉例而言，如圖6中所繪示，有機層14可具有其中從第一電極層13側依序層壓電洞注入層14A、電洞傳輸層14B、發光層14C及電子傳輸層14D之組態。但是，可視需要提供除發光層14C外之層。
提供電洞注入層14A以增大發光層14C之電洞注入效率且亦充當用於防止洩漏之緩衝層。舉例而言，電洞注入層14A可能以具有大約5nm至大約100nm之厚度較佳，且以大約8nm至大約50nm之厚度更佳。考慮到與電極之關係或鄰近層之材料，可視需要選擇電洞注入層14A之材料。電洞注入層14A之材料之實例可包含聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基乙烯、聚伸吩基乙烯、聚喹啉、聚喹喔啉以及其等之衍生物、導電聚合物(諸如在主鏈或側鏈中包含芳香胺結構之聚合物)、金屬酞菁(諸如銅酞菁)及碳。在用於電洞注入層14A之材料係聚合物材料的情况中，其重量平均分子量(Mw)可在大約10,000至大約300,000之範圍中，且特定言之可能以在大約5,000至大約200,000之範圍中較佳。此外，可使用大約2,000至大約10,000 Mw之寡聚物，但當Mw小於5,000時，電洞注入層可能在形成電洞傳輸層及後續層時溶 解。當Mw超過300,000時，可能因材料凝膠而難以形成膜。用作電洞注入層14A之材料之典型導電聚合物之實例可包含聚苯胺、苯胺寡聚物及諸如聚(3,4-乙二氧基噻吩)(PEDOT)之聚二氧噻吩。其他實例可包含可自位於德國戈斯拉爾之H.C.Starck GmbH以名稱「Nafion」(商標)購得之聚合物、以產品名稱「Liquion」(商標)以溶解形式購得之聚合物、可自位於日本東京之Nissan Chemical Industries,Ltd.購得之「EL source」(商標)及自位於日本東京之Soken Chemical & Engineering,Co.,Ltd.以名稱「Verazol」(商標)購得之導電聚合物。
提供電洞傳輸層14B以增大發光層14C之電洞傳輸效率。取決於元件之整體組態，電洞傳輸層14B可具有舉例而言較佳大約10nm至大約200nm且更佳大約15nm至大約150nm之厚度。可將可溶於有機溶劑之發光材料用作電洞傳輸層14B之聚合物材料。此發光材料之實例可包含聚乙烯哢唑、聚芴、聚苯胺、聚矽烷以及其等之衍生物、在主鏈或側鏈中具有芳香胺之聚矽氧烷衍生物、聚噻吩以及其等之衍生物及聚吡咯。當用於電洞傳輸層14B之材料係聚合物材料時，其重量平均分子量(Mw)較佳可為大約50,000至大約300,000且更佳可為大約100,000至大約200,000。當Mw小於50,000時，聚合物材料之低分子成分在形成發光層14C時滴落，從而引起電洞注入層14A及電洞傳輸層14B中之點且因此可能降低有機EL元件之初始效能或元件可能劣化。另一方面，當Mw超過300,000時，可因材料凝膠而難以形成膜。應注意，重量平均分子量(Mw)係藉由使用四氫呋喃作為溶劑透過凝膠滲透層析法(GPC)基於聚苯乙烯轉換判定重量平均分子量而獲得之值。
當藉由施加電場引起電子電洞重組時，發光層14C產生光。取決於元件之整體組態，發光層14C可具有舉例而言較佳大約10nm至大約200nm且更佳大約15nm至大約150nm之厚度。可使用其中將低分子材料添加至聚合物(發光)材料之混合材料組態發光層14C。較佳 地，低分子材料可為單體或藉由組合大約兩個至十個單位之此單體而形成之寡聚物且可具有50,000或更小之重量平均分子量。應注意，此不必排除具有超出上述範圍之重量平均分子量之低分子材料。可藉由舉例而言塗佈法(諸如噴墨塗佈)形成發光層14C。可藉由使用其中聚合物材料或低分子材料之至少一者溶解在有機溶劑(諸如甲苯、二甲苯、苯甲醚、環己酮、均三甲苯(1,3,5-三甲基苯)、假枯烯(1,2,4-三甲基苯)、氫苯并呋喃、1,2,3,4-四甲基苯、四氫化萘、苯環己烷、1-甲基萘、對茴香醇、二甲基萘、3-甲基聯苯、4-甲基聯苯、3-異丙基聯苯及單異丙基萘)中之一混合物形成發光層14C。舉例而言，藉此可使用以下各者作為發光層14C之聚合物材料：以聚芴為主之聚合物衍生物、(聚)對伸苯基伸乙烯基衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯哢唑衍生物、聚噻吩衍生物、以苝為主之顏料、以香豆素為主之顏料、以若丹明為主之顏料或摻雜有有機EL材料之此等聚合物之任意者。此摻雜材料之實例可包含紅螢烯、苝、9,10-二苯蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅及香豆素6。
此外，較佳地，可將低分子材料添加至發光層14C之聚合物材料。添加至發光層14C之低分子材料可為除由高分子量聚合物之分子製成之化合物或因低分子化合物之相同連鎖反應或類似連鎖反應之重複而產生之縮合產物外之材料，即，其分子量實質上單一之材料。此外，藉由加熱之分子之間之新化學鍵未發生，且材料以單分子形式存在。較佳地，此一低分子材料可具有50,000或更小之重量平均分子量(Mw)。此係因為與高於50,000 Mw之材料相比，其分子量小的材料在某種程度上具有各種特性且易於調整諸如電洞或電子遷移率、能帶隙及溶劑中之可溶性之因數。此外，較佳地，對於所添加之低分子材料之數量，聚合物材料與用於發光層14C之低分子材料之混合比可為大約10：1或更大且其重量比可為大約1：2或更小。此情況之一些原因如 下。當聚合物材料與低分子材料之混合比低於10：1時，藉由添加低分子材料產生之效應為低。另一方面，當此混合比高於1：2時，難以獲得充當發光材料之聚合物材料之特性。此一低分子材料之可用實例可包含汽油、苯乙烯胺、三苯基胺、卟啉、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、四氰基喹諾二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪以及其等之衍生物及共軛雜環系統中之單體或寡聚物，諸如以聚矽烷為主之化合物、以乙烯基哢唑為主之化合物、以噻吩為主之化合物及以苯胺為主之化合物。更特定實例可包括(但不限於)α-萘基苯基苯二胺、卟啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜聯伸三苯、7,7,8,8-四氰基喹諾二甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹諾二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基4,4,4-叁(3-甲基苯基苯胺基)三苯基胺、N,N,N',N'-肆(對-甲苯基)對苯二胺、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二胺基聯苯、N-苯基哢唑、4-二-對-甲苯基胺基二苯乙烯、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(噻吩伸乙烯基)及聚(2,2'-噻吩基吡咯)。應注意，添加至發光層14C之低分子材料可能並非只有一種，且可混合及使用兩種或更多種。
可使用具有高發光效率之材料作為發光層14C之發光客體材料，材料之實例可包含低分子發光材料及有機發光材料，諸如磷光染料及金屬錯合物。此處，針對藍色之發光客體材料可為其光發射之波長範圍具有在大約400nm至大約490nm之範圍中之峰值之化合物。可使用有機物質(諸如，萘衍生物、蒽衍生物、稠四苯衍生物、苯乙烯胺衍生物及雙(吖嗪基)甲烷硼錯合物)作為此一化合物。在其等之間，較佳地，化合物可選自萘胺衍生物、蒽胺衍生物、屈胺衍生物、芘胺衍生物、苯乙烯胺衍生物及雙(吖嗪基)甲烷硼錯合物。
提供電子傳輸層14D以增大發光層14C之電子傳輸效率。電子傳輸層14D之材料之實例可包含喹啉、苝、啡啉、聯苯乙烯、吡嗪、三 唑、噁唑、芙、噁二唑、芴酮及其等之衍生物以及金屬錯合物。特定實例可包含叁(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq3)、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆素、C60、吖啶、芪、1,10-啡啉及其等之衍生物以及金屬錯合物。
可在電子傳輸層14D與第二電極層16之間提供可由LiF、Li2O或類似物製成之電子注入層(未繪示)。此電子注入層係用於增大電子注入效率且可設置在電子傳輸層14D之整個表面上方。舉例而言，可將氧化鋰(Li2O)(其係鋰(Li)之氧化物)、碳酸銫(Cs2CO3)(其係銫(Cs)之複合氧化物)及此等氧化物及複合氧化物之混合物用作此電子注入層之材料。電子注入層不限於以上列舉之材料。舉例而言，可使用鹼土金屬(諸如鈣(Ca)及鋇(Ba))、鹼金屬(諸如鋰及銫)及具有小功函數之金屬(諸如銦(In)及鎂(Mg))。此外，此等金屬之氧化物、複合氧化物、氟化物及類似物可用作單質。此外，此等金屬、氧化物、複合氧化物及氟化物之混合物或合金可用於增大穩定性。
應注意，有機層14可進一步包含與發光層14C接觸之另一電洞傳輸層。可藉由氣相沈積形成此另一電洞傳輸層且因此較佳使用低分子材料，特定言之單體。此係因為聚合分子(諸如聚合物及寡聚物)可能在氣相沈積期間分解。應注意，用於此另一電洞傳輸層之低分子材料可為分子量不同之兩種或更多種材料之混合物。可將類似於用於發光層14C之上述低分子材料之一材料用作用於此另一電洞傳輸層之低分子材料。因此，同樣地，實例可包含(但不限於)汽油、苯乙烯胺、三苯基胺、卟啉、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、四氰基喹諾二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪以及其等之衍生物及共軛雜環系統中之單體或寡聚物，諸如以聚矽烷為主之化合物、以乙烯基哢唑為主之化合物、以噻吩為主之化合物及以苯胺為主之化合物。更特定實例可包括(但不限於)α-萘基苯 基苯二胺、卟啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜聯伸三苯、7,7,8,8-四氰基喹諾二甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹諾二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基4,4,4-叁(3-甲基苯基苯胺基)三苯基胺、N,N,N',N'-肆(對-甲苯基)對苯二胺、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二胺基聯苯、N-苯基哢唑、4-二-對-甲苯基胺基二苯乙烯、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(噻吩伸乙烯基)及聚(2,2'-噻吩基吡咯)。
第二電極層16係針對EL元件10W之兩者或更多者或全部提供且經安置以面對EL元件10W之各者中之第一電極層13之一共同電極。第二電極層16經形成不僅覆蓋有機層14而且覆蓋孔隙界定絕緣膜24且可具有舉例而言大約2nm或更大及大約15nm或更小之厚度。第二電極層16係使用對發光層中所產生之光具有半透明性之導電材料組態之一透明電極。因此，較佳地，材料可(為舉例而言)ITO、含銦、鋅(Zn)及氧之化合物(例如，IZO)、ZnO(氧化鋅)及類似物。此外，第二電極層16可為舉例而言使用金屬元素(諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)及鈉(Na))之單質或合金組態之一半透反射膜。適當實例可包含鎂及銀之合金(MgAg合金)及鋁(Al)及鋰(Li)之合金(AlLi合金)。在使用Mg-Ag合金之情况中，較佳地，膜中Mg：Ag比可落在大約20：1至大約1：1之範圍中。此外，第二電極層16可為含有有機發光材料(諸如喹啉鋁錯合物、苯乙烯胺衍生物及酞菁衍生物)之混合層。在此情況中，可進一步提供具有光學透明性之層(諸如由MgAg製成之層)作為一第三層。
舉例而言，覆蓋EL元件10W之防潮膜17可由具有低吸濕性之無機材料(諸如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiNxOy)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlxOy))製成。或者，可使用諸如鋁之金屬材料。藉由提供防潮膜17，屏蔽EL元件10W使之免受外部空氣之擾且防止水從外部環境進入至EL元件10W內部。防潮膜17幾乎均勻地形成以不僅覆蓋第二電極層16而且覆蓋孔隙界定絕緣膜24及平坦化膜218(隨後描 述)。換言之，防潮膜17可從顯示區域110A至周邊區域110B連續地覆蓋EL元件10W、孔隙界定絕緣膜24及平坦化膜218。但是，防潮膜17至少覆蓋周邊區域110B中之孔隙界定絕緣膜24及平坦化膜218係足夠。此係因為，由於使用具有如上所述之高吸濕性之有機材料組態孔隙界定絕緣膜24及平坦化膜218兩者，故必須防止水透過此等膜進入EL元件10W內部。應注意，當孔隙界定絕緣膜24未存在於周邊區域110B中時，防潮膜17覆蓋平坦化膜218係足夠。此外，防潮膜17可具有單層結構，但在增大厚度時可具有多層結構。此係為了減小防潮膜17中之內部應力。
填充層18可為幾乎均勻形成在防潮膜17上之一透明樹脂層且用作一接合層。舉例而言，此填充層18可由環氧樹脂、丙烯酸樹脂或類似物製成且較佳可由熱固性樹脂、UV可固化樹脂或類似物製成。填充層18密封在底座11與密封基板19之間。
密封區段23設置在密封基板19之一邊緣區段處且經形成如同圍繞顯示區域110A之環。密封區段23係經提供以從外部密封基板111與密封基板19之間之各層之構件。舉例而言，此密封區段23亦可由諸如環氧樹脂及丙烯酸樹脂之非導電材料製成。但是，密封區段23可由導電接合材料形成。在此情況中，允許密封區段23用作防止填充層18流出以及緩解第二電極層16之電壓降之輔助佈線。
密封基板19與填充層18及密封區段23協作密封EL元件10W。可使用諸如對從紅色像素10R、綠色像素10G及藍色像素10B發射之各彩色光具有高透射性之透明玻璃之材料組態密封基板19。舉例而言，可在此密封基板19之一表面(該表面位於基板111側上)上提供彩色濾光片(未繪示)及BM層(光屏蔽膜)。彩色濾光片可包含紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片。因此，從紅色像素10R、綠色像素10G及藍色像素10B之各者中之EL元件10W發射之白光穿過上述各色彩之彩色濾 光片，使得紅光、綠光及藍光從該等濾光片離開。此外，密封基板19藉由吸收在紅色像素10R、綠色像素10G及藍色像素10B內以及在該等像素之間之佈線中反射之外部光而改良對比度。此外，在顯示區域110A與周邊區域110B之間之一區域中之反向表面19S中，可提供一游標32及一黑色基質33。游標32係用於在接合密封基板19時對準。黑色基質33阻擋不必要的光。紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片之各者可經塑形如同(舉例而言)矩形且可無縫地形成。紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片之各者可使用與一顏料混合之樹脂組態且因此藉由選擇在所要紅色、綠色或藍色波長區域中之光學透射比為高而在其他波長區域中之光學透射比為低之顏料進行調整。此外，在彩色濾光片中具有高透射比之波長範圍與需要從共振器結構提取之光之光譜之峰值波長λ彼此一致。因此，在從密封基板19進入之外部光中，僅具有等於需要經提取之光之光譜之峰值波長λ之波長之光穿過彩色濾光片且防止具有其他波長之外部光進入EL元件10W。
舉例而言，可使用與黑色著色劑混合且具有一或多個光學密度之一黑色樹脂膜或使用薄膜干涉之薄膜濾光片組態光屏蔽膜。使用黑色樹脂膜允許以低成本容易形成且因此可係較佳的。薄膜濾光片可為舉例而言其中由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物製成之薄膜層壓為一或多個層且藉由利用薄膜干涉使光衰减之濾光片。具體言之，可使用其中交替層壓鉻及氧化鉻(III)(Cr2O3)之濾光片作為薄膜濾光片。
舉例而言，可如下般製造顯示單元1。下文將參考圖4至圖6描述製造根據本實施例之顯示單元之一方法。
首先，在由上述材料製成之基板111上，形成包含驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2之像素驅動電路140。具體言之，首先，舉例而言，藉由濺鍍在基板111上形成一金屬膜。接下來，藉由透過使用(舉例而言)光微影法、乾式蝕刻或濕式蝕刻圖案化金屬膜而在基板111上形成 金屬層211G及221G以及信號線120A之一部分。隨後，用閘極絕緣膜212覆蓋整個表面。此外，在閘極絕緣膜212上使通道層、通道保護膜、汲極電極以及源極電極及金屬層216D及226D以及金屬層216S及226S依序形成為預定形狀。此處，在形成金屬層216D及226D以及金屬層216S及226S時，信號線120A及掃描線130A之一部分一起各形成為一第二金屬層。在此程序中，預先形成連接金屬層221G及掃描線130A之一連接區段、連接金屬層226D及信號線120A之一連接區段及連接金屬層226S及金屬層211G之一連接區段。隨後，提供保護膜217以覆蓋整體，此完成像素驅動電路140。在此程序中，藉由乾式蝕刻或類似方法在保護膜217中金屬層216S上之一預定位置處形成孔隙。
在形成像素驅動電路140後，藉由旋塗或類似方法將可含有(舉例而言)聚醯亞胺作為主要成分之光敏樹脂塗覆在整個表面上方。接下來，藉由使光敏樹脂經受光微影而形成具有接觸區段124之平坦化膜218。具體言之，藉由(舉例而言)使用在預定位置處具有孔之遮罩之選擇性曝光及顯影形成與設置在保護膜217中之孔隙連通之接觸區段124。然後，可視需要使平坦化膜218經受加熱。藉此獲得像素驅動電路形成層112。
此外，形成由上述預定材料製成之第一電極層13。具體言之，在藉由(舉例而言)濺鍍於整個表面上方形成由上述材料製成之一金屬膜後，藉由使用一預定遮罩在此層壓膜上形成預定形狀之一光阻圖案(未繪示)。此外，使用光阻圖案作為遮罩而選擇性地蝕刻金屬膜。在此程序中，形成第一電極層13以覆蓋平坦化膜218之表面並填充接觸區段124。
接下來，形成孔隙界定絕緣膜24以填充彼此相鄰之第一電極層13之間之間隙。具體言之，可藉由(舉例而言)CVD(化學氣相沈積)在(舉例而言)第一電極層13及平坦化膜218上形成諸如SiO2之一無機絕緣 材料膜。接著，使用光微影技術及蝕刻技術圖案化此膜使得形成一下孔隙界定絕緣膜。在下孔隙界定絕緣膜之一預定位置處(具體言之，在圍繞像素之光發射區域之一位置處)形成由上述光敏樹脂製成之一上孔隙界定絕緣膜。因此，形成包含上孔隙界定絕緣膜及下孔隙界定絕緣膜之孔隙界定絕緣膜24。
在形成孔隙界定絕緣膜24後，使底座11之表面經受氧氣電漿處理，該表面係處在形成第一電極層13及孔隙界定絕緣膜24之一側上使得移除附著至該表面之污染物(諸如有機物)以改良可濕性。具體言之，可將底座11加熱至一預定溫度(例如，大約70℃至大約80℃)且接著，執行在大氣壓下將氧氣用作反應氣體之電漿處理(即，O2電漿處理)。
在電漿處理後，執行一疏水處理(疏液處理)以减小(特定言之)上孔隙界定絕緣膜之頂部表面及側表面上之可濕性。具體言之，此可執行如下。首先，執行在大氣壓下將四氟甲烷用作反應氣體之電漿處理(CF4電漿處理)。隨後，藉由冷卻底座11而引起上孔隙界定絕緣膜之頂部表面及側表面疏液，已針對電漿處理將底座11加熱至環境溫度，使得其可濕性减小。應注意，在此CF4電漿處理中，第一電極層13之暴露表面及下孔隙界定絕緣膜亦可在某種程度上受影響。但是，在CF4電漿處理中，諸如ITO(其係第一電極層13之材料)及SiO2(其係下孔隙界定絕緣膜之材料)之材料對氟具有低親和力且因此實際上維持藉由氧氣電漿處理改良之可濕性。
接下來，可藉由(舉例而言)氣相沈積依序層壓由預定材料製成且具有上述厚度之電洞注入層14A、電洞傳輸層14B、發光層14C及電子傳輸層14D而形成有機層14。此等層經形成以在由上孔隙界定絕緣膜圍繞之一區域中完全覆蓋第一電極層13之一暴露部分。此外，第二電極層16形成在整個表面上方以面對第一電極層13，使得有機層14插置 於第二電極層16與第一電極層13之間。隨後，將第二電極層16圖案化為預定形狀使得獲得EL元件10W。
除氣相沈積外，亦可使用諸如旋塗或液滴排放法之塗佈法形成電洞注入層14A。在此情况中，特定言之，考慮到必須在由上孔隙界定絕緣膜圍繞之區域中選擇性地配置用於形成電洞注入層14A之材料，較佳可使用噴墨法(其係液滴排放法)或噴嘴塗佈。
隨後，可使用其中膜形成粒子之能量小至不影響底層之程度之一膜形成法(諸如氣相沈積及CVD)形成由上述材料製成之防潮膜17。舉例而言，當形成由非晶氮化矽製成之防潮膜17時，藉由CVD形成防潮膜17使之具有大約2μm至大約3μm之膜厚度。在此程序中，較佳地，為了防止照度歸因於有機層14之劣化而下降，可將膜形成溫度設定為室溫且可在最小化膜之應力之條件下形成膜以防止防潮膜17剝離。此外，較佳地，可在不暴露於大氣的情況下，在相同膜形成設備中循序形成電子傳輸層14D、電子注入層14E、第二電極層16及防潮膜17。此防止歸因於大氣水之有機層14之劣化。
最後，在防潮膜17上提供填充層18且將填充層18接合至密封基板19，使得密封區段23插置於填充層18與密封基板19之間。此完成顯示單元1。
[顯示單元1之功能及效應]
在此顯示單元1中，透過寫入電晶體Tr2之閘極電極將一掃描信號從掃描線驅動電路130供應至各像素，且透過寫入電晶體Tr2將供應自信號線驅動電路120之一影像信號保持在電容器Cs處。換言之，根據由電容器Cs保存之此信號控制驅動電晶體Tr1接通/關斷且藉此將一驅動電流Id注入至EL元件10W中使得電子-電洞重組發生，此導致光之發射。由於顯示單元1可為頂部表面光發射型(頂部發射型)，故此光在穿過第二電極層16、防潮膜17、填充層18、各色彩之彩色濾光片 (未繪示)及密封基板19時輸出。因此，在顯示單元1中執行影像顯示(彩色影像顯示)。
舉例而言，在典型有機EL顯示單元中，有機EL元件中之有機層因水分吸收而劣化，從而導致有機EL元件中之光發射强度之降低或光發射之不穩定性。因此，已指出諸如隨時間之低穩定性及短壽命之缺點。
相比之下，在本實施例中，周邊區域110B中之平坦化膜218覆蓋有防潮膜17。因此，充分屏蔽充當EL元件10W之底層之平坦化膜218使之免受含水之外部空氣之擾。因此，可有效防止水從周邊區域110B進入至顯示區域110A中同時提供一簡單組態。因此，抑制歸因於水之發光元件之劣化，進而達成高操作可靠性。此外，不同於日本未審查專利申請公開案第2006-54111號及第2008-283222號之各者中提議之結構，亦可達成窄邊框，此係因為無需增大顯示區域與周邊區域之間之距離。
[修改例]
現將描述上述實施例之修改例(第一修改例1至第六修改例6)。應注意，與上述實施例之元件相同之元件具有與上述實施例之元件符號相同之元件符號且將視需要省略其描述。
[修改例1]
圖7繪示根據修改例1之顯示單元1A之橫截面組態。在本修改例中，在保護膜217與平坦化膜218之間提供一防潮膜25且在平坦化膜218與孔隙界定絕緣膜24之間提供一防潮膜26。本修改例另外在組態方面類似於上述實施例。如同防潮膜17，防潮膜25及26兩者由具有低吸濕性之一無機材料製成且分別從平坦化膜218之邊緣及孔隙界定絕緣膜24之邊緣朝向顯示區域110A延伸。除防潮膜17外，亦提供防潮膜25及26可靠地防止水從外部環境進入至EL元件10W中。此係因為可 可靠地阻擋原本可能在穿過保護膜217與平坦化膜218之間之邊界或平坦化膜218與孔隙界定絕緣膜24之間之邊界後到達EL元件10W之水。
[修改例2至4]
圖8、圖9A及圖9B分別繪示根據修改例2至4之有機EL顯示單元(下文中簡稱作顯示單元)1B、1C1及1C2之橫截面組態。此外，圖9C繪示根據修改例5之顯示單元1C3之主要部分之放大橫截面組態。修改例2至5之各者在對應於密封區段23之一區域中具有一分離溝槽27，且另外具有類似於上述實施例之組態之一組態。分離溝槽27以類似於密封區段23之方式，在XY平面上如圍繞顯示區域110A之環般延伸。分離溝槽27使設置在顯示區域110A中之孔隙界定絕緣膜24及平坦化膜218與設置在周邊區域110B中之孔隙界定絕緣膜24及平坦化膜218分離。分離溝槽27之底部到達保護膜217。分離溝槽27填充有防潮膜17(在顯示單元1C3中，填充有防潮膜29)。特定言之，在顯示單元1B中(修改例2)，防潮膜17直接覆蓋分離溝槽27之內部表面。在顯示單元1C1、1C2及1C3之各者中(修改例3至5)，進一步提供一金屬膜28以覆蓋分離溝槽27之內部表面及底部表面。應注意，如由圖9B中所繪示之顯示單元1C2所例證，此金屬膜28可(舉例而言)由與第二電極層16之材料相同的材料製成，且與第二電極層16一體地提供。或者，如分別由圖9A及圖9C中所繪示之顯示單元1C1及1C3所例證，當金屬膜28獨立於第二電極層16形成時，可選擇不同於第二電極層16之材料之一材料。又或者，如由顯示單元1C3所例證，可將三層結構中之防潮膜29提供為獨立於覆蓋顯示區域110A中之孔隙界定絕緣膜24及第二電極層16之防潮膜17的膜。此防潮膜29填充分離溝槽27內部，且覆蓋周邊區域110B中之保護膜217及平坦化膜218。在防潮膜29中，將第一層291至第三層293依序層壓在保護膜217及平坦化膜218上。第一層291及第三層293可為(舉例而言)由氮化矽(SiNx)或類似物製成之氮化 物膜，且第二層292可為(舉例而言)由氧化矽(SiOx)或類似物製成之氧化物膜。此外，在顯示單元1B、1C1、1C2及1C3之各者中，可提供複數個分離溝槽27。
在顯示單元1B、1C1及1C2之各者中，除防潮膜17外亦提供分離溝槽27且因此更可靠地防止水從外部環境進入至EL元件10W中。此係因為藉由顯示區域110A及周邊區域110B斷開形成水之行進路徑之保護膜217及平坦化膜218。
[修改例6]
圖10繪示根據修改例6之顯示單元1D之橫截面組態。本修改例之顯示單元1D具有代替防潮膜17之一防潮膜34且另外在組態方面類似於上述實施例。防潮膜34從基板111之一端面連續提供至密封基板19之一端面且密封包含插置在基板111與密封基板19之間之EL元件10W之一區域。防潮膜34可由(舉例而言)類似於防潮膜17之無機材料之一無機材料製成。
在顯示單元1D中，由於提供防潮膜34，故可靠防止水從外部環境進入至EL元件10W中。此係因為周邊區域110B中之平坦化膜218及孔隙界定絕緣膜24覆蓋有防潮膜34且經充分屏蔽而免受含水之外部空氣之擾。此外，當防潮膜34由導電無機材料形成時，允許防潮膜34用作信號線。此一導電材料可為(舉例而言)金屬元素(諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鋁(Al)、釹(Nd)及鉬(Mo))之單質或合金。可將Ag-Pd-Cu合金或Al-Nd合金用作此一合金。Ag-Pd-Cu合金可含有作為主要成分之銀及大約0.3重量%至大約1重量%之鈀(Pd)以及大約0.3重量%至大約1重量%之銅。在此情況中，連接佈線31(諸如建立至外部之連接之FPC)之一端可嵌入在防潮膜34中。應注意，可將防潮膜34及密封區段23提供為一共同元件。
[應用實例]
下文將描述根據上述實施例及修改例之顯示單元之應用實例(即，顯示單元1及1A至1D)。根據上述實施例及修改例之各者之顯示單元可應用於所有領域中之電子設備，該等電子設備將外部輸入之影像信號或內部產生之影像信號顯示為靜止或移動影像。舉例而言，電子設備可包含電視接收器、數位相機、膝上型電腦、携帶式終端機(諸如携帶式電話)、攝影機及類似物。
(模組)
根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元可(舉例而言)作為圖11中所繪示之模組併入諸如隨後所述之第一應用實例1至第六應用實例6之不同種電子設備之任意者中。舉例而言，可藉由在基板111之一側處提供從密封基板19暴露之一區域210等而形成此模組。在此暴露區域210中，藉由延伸信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之佈線而形成一外部連接端子(未繪示)。外部連接端子可具有用於輸入及輸出信號之一可撓性印刷電路(FPC)220。
(應用實例1)
圖12繪示根據上述實施例及修改例之任意者之應用顯示單元之電視接收器之外觀。此電視接收器可具有舉例而言包含一前面板310及一濾光玻璃320之一影像顯示螢幕區段300。使用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元組態影像顯示螢幕區段330。
(應用實例2)
圖13A及圖13B各繪示應用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元之數位相機之外觀。舉例而言，此數位相機可包含一閃光發射區段410、一顯示區段420、一選單開關430及一快門釋放裝置440。使用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元組態顯示區段420。
(應用實例3)
圖14繪示應用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元之膝上型電腦之外觀。舉例而言，此膝上型電腦可包含一主體區段510、經提供以鍵入字元及類似物之一鍵盤520及顯示影像之一顯示區段530。使用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元組態顯示區段530。
(應用實例4)
圖15繪示應用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元之攝影機之外觀。舉例而言，此攝影機可包含一主體區段610、安置在此主體區段610之正面上以拍攝主體之影像之一透鏡620及用於拍攝之一開始/停止開關630及一顯示區段640。使用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元組態顯示區段640。
(應用實例5)
圖16A及圖16B各繪示應用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元之携帶式電話之外觀。此携帶式電話可為舉例而言其中藉由一耦合區段(鉸鏈區段)730連接一上外殼710及一下外殼720且可包含一顯示器740、一子顯示器750、一閃光燈760及一相機770。使用根據上述實施例及修改例之任意者之顯示單元組態顯示器740或子顯示器750。
(應用實例6)
圖17A及圖17B各繪示所謂的平板個人電腦(PC)之外觀組態。此舉例而言，平板PC可包含一顯示區段810、一非顯示區段820(諸如支撐顯示區段810之外殼)及一操作區段830(諸如電力開關)。應注意，操作區段830可設置在非顯示區段820之正面上(如圖17A中所繪示)或非顯示區段820之頂部表面上(圖17B中所繪示)。顯示區段810係具有除影像顯示功能(觸控面板)以外之位置輸入功能(指向功能)之觸控螢 幕。
[其他修改例]
本技術已參考例示性實施例及一些修改例描述，但不限於此且可不同地修改。舉例而言，在上述實施例、修改例及應用實例中，藉由用防潮膜17及/或29覆蓋周邊區域110B中之平坦化膜218及類似物而防止水進入至EL元件10W中，但本揭示內容不限於此。舉例而言，如由圖18中所繪示之顯示單元1E所例證，分離溝槽27可設置在對應於密封區段23之一區域中以代替防潮膜17，密封區段23可由金屬材料形成且分離溝槽27可填充有密封區段23之一部分(第七修改例)。舉例而言，可使用金屬元素(諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鋁(Al)、釹(Nd)及鉬(Mo))之單質或合金作為塗覆至密封區段23之金屬材料。具體言之，可使用Ag-Pd-Cu合金或Al-Nd合金。Ag-Pd-Cu合金可含有作為主要成分之銀及大約0.3重量%至大約1重量%之鈀(Pd)以及大約0.3重量%至大約1重量%之銅。或者，可將杜梅線(dumet wire)(使用鎳鐵合金線作為芯之銅線(即，覆蓋有銅之鎳鐵合金線))塗覆至密封區段23。
在顯示單元1E中，由於提供填充有由金屬材料製成之密封區段23之一部分之分離溝槽27，故更可靠地防止水從外部環境進入至EL元件10W中。此外，亦允許將密封區段23用作佈線。，舉例而言，可使用遮罩透過真空氣相沈積、濺鍍、離子電鍍或電鍍形成密封區段23。此外，當使用杜梅線時，可藉由用燃燒器或類似物施加熱而焊接杜梅線形成密封區段23。應注意，在形成密封區段23時，前導佈線(諸如建立至外部之連接之FPC)之一端(未繪示)可嵌入在密封區段23中。
此外，在本技術中，舉例而言，如由圖19A中所繪示之顯示單元1F1所例證，分離溝槽27可設置在對應於密封區段23之一區域中，分 離溝槽27之內表面可覆蓋有一金屬層28且分離溝槽27可填充有防潮膜17(第八修改例)。或者，如由圖19B中所繪示之顯示單元1F2所例證，可獨立於防潮膜17提供具有三層結構且填充分離溝槽27之內部之防潮膜29。在防潮膜29中，依序層壓第一層291至第三層293。舉例而言，第一層291及第三層293兩者可為由氮化矽(SiNx)或類似物製成之氮化物膜且第二層292可為由氧化矽(SiOx)或類似物製成之氧化物膜(第九修改例)。又或者，如由圖20中所繪示之顯示單元1G所例證，兩個分離溝槽27A及27B可經提供且填充有金屬層28(第十實施例)。
在本技術中，舉例而言，如由圖21A中所繪示之顯示單元1H1所例證，可在顯示區域110A中之孔隙界定絕緣膜24與有機層14之間提供防潮膜17(第十一修改例)。此使得可防止EL元件10W歸因於顯示區域110A中之孔隙界定絕緣膜24中所含之水而劣化。此外，如由圖21B中所繪示之顯示單元1H2所例證，亦可在平坦化膜218與孔隙界定絕緣膜24之間提供防潮膜26(第十二修改例)。應注意，為了形成顯示單元1H1及1H2之各者，在形成孔隙界定絕緣膜24後，可藉由CVD、微影法及蝕刻形成具有抗濕性質及絕緣性質之一預定材料(例如，SiN)以覆蓋孔隙界定絕緣膜24。隨後，舉例而言，可藉由氣相沈積形成有機層14且接著形成第二電極層16以獲得顯示單元1H1及1H2之各者。
此外，在本技術中，舉例而言，如由圖22A及圖22B中所繪示之顯示單元1J所例證(第十三修改例)，可提供由具有高抗濕性之絕緣樹脂製成之一防潮膜35代替防潮膜17。在顯示單元1J中，防潮膜35從基板111之端面連續延伸至密封基板19之端面且密封包含插置在基板111與密封基板19之間之EL元件10W之一區域。舉例而言，如圖23中所繪示，一預定樹脂沿著密封基板19之一外邊緣塗覆且隨後經硬化以形成防潮膜35使得獲得顯示單元1J。此外，舉例而言，如由圖24及圖24B中所繪示之顯示單元1K所例證(第十四修改例)，可藉由形成一樹脂層 351且接著藉由憑藉濺鍍或類似方法在樹脂層351上沈積一無機材料形成無機層352而提供兩層結構之防潮膜35。應注意，可藉由直接沈積無機材料或金屬材料而不形成樹脂層來形成防潮膜35。具有低吸濕性之無機材料(諸如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiNxOy)、碳化矽(SiCx)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlxOy))可適合於此無機材料。同時，金屬元素(諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋁(Al)、釹(Nd)及鉬(Mo))之單質或合金可適合於金屬材料。具體言之，舉例而言，Ag-Pd-Cu合金、Al-Nd合金及杜梅線(使用鎳鐵合金線作為芯之銅線(即，覆蓋有銅之鎳鐵合金線))及類似物可係適合的。Ag-Pd-Cu合金可含有作為主要成分之銀及大約0.3重量%至大約1重量%之鈀(Pd)以及大約0.3重量%至大約1重量%之銅。又此外，舉例而言，如由圖25中所繪示之顯示單元1L所例證(第十五實施例)，可藉由一玻璃層37密封包含基板111與密封基板19之間之EL元件10W之一區域。可如下般獲得顯示單元1L。在沿著基板111之一外邊緣塗覆燒結玻璃後，舉例而言，如圖26所繪示，藉由憑藉用雷射照射燒結玻璃形成由一玻璃層製成之一防潮膜37而焊接基板111與密封基板19。此外，舉例而言，如由圖27中所繪示之顯示單元1M所例證(第十六修改例)，防潮膜35及37之各者可在將基板111及密封基板19之各自端面處理為凹面形狀之後形成。
此外，在本技術中，可在對應於密封區段23之區域中提供分離溝槽27以代替防潮膜17，且分離溝槽27之內表面可覆蓋有金屬層28及三層結構之一防潮膜。三層結構之防潮膜可為其中(舉例而言)由氧化矽(SiOx)或類似物製成之氧化物膜可插置在由氮化矽(SiNx)或類似物製成之一對氮化物膜之間或插置在由碳化矽(SiCx)或類似物製成之一對碳化物膜之間之膜。或者，三層結構之防潮膜可為其中由氮化矽 (SiNx)或類似物製成之氮化物膜或由碳化矽(SiCx)或類似物製成之碳化物膜可插置在由氧化矽(SiOx)或類似物製成之一對氧化物膜之間之膜。又或者，三層結構之防潮膜可為其中(舉例而言)由氧化矽(SiOx)或類似物製成之氧化物膜可插置在由氮化矽(SiNx)或類似物製成之一對氮化物膜之間之膜。應注意，使三層結構之防潮膜延伸至周邊區域110B及用防潮膜34覆蓋平坦化膜218改良抗濕性質，其因此係較佳的。
此外，在上述實施例中，已將其中所有有機發光元件發射白光且透過單獨提供之彩色濾光片提取各彩色光之情况視作實例，但本技術不限於此。舉例而言，可藉由憑藉使用預定材料對有機層14指派不同色彩而提供分別發射紅光、綠光及藍光之有機發光元件。
或者，顯示單元可具有其中藉由使用分別發射黃光及藍光之有機發光元件10Y及10B以及紅色、綠色、藍色及黃色之彩色濾光片輸出紅光、綠色光、藍光及黃光之組態。又或者，顯示單元可具有其中藉由使用分別發射黃光及藍光之有機發光元件10Y及10B以及紅色、綠色及藍色之彩色濾光片輸出紅光、綠色光及藍光之組態。
此外，本技術不限於例示性實施例、修改例及應用實例中之上述層之各者之材料、層壓順序、膜形成法或類似物。舉例而言，雖然已在實施例中描述將第一電極層13提供為陽極且將第二電極層16提供為陰極之情況，但是可將第一電極層13提供為陰極且可將第二電極層16提供為陽極。應注意，較佳地，當將第一電極層13用作陰極時，可使用具有高電洞注入性質之材料組態第一電極層13。但是，可藉由提供適當電洞注入層而將歸因於表面上存在氧化物膜或小功函數而阻礙電洞注入之材料(諸如鋁合金)用於第一電極層13。此外，雖然已參考發光區段20之特定組態描述例示性實施例、修改例及應用實例，但是可進一步提供其他層。舉例而言，可在第一電極層13與有機層14之間 提供可由氧化鉻(III)(Cr2O3)、ITO(銦錫氧化物：銦(In)及錫(Sn)之氧化物混合膜)或類似物製成之一電洞注入薄膜層。
此外，本技術涵蓋本文所述及併入本文之多種實施例之一些或所有實施例之任意可行組合。
從本揭示內容之上述例示性實施例，可達成至少下列組態。
(1)一種顯示單元，其包含：一第一基板及一第二基板，其等經安置以彼此面對；一第一有機絕緣層，其設置在該第一基板上；複數個發光元件，其等排列在一顯示區域中，其中該顯示區域設置在該第一有機絕緣層上且面對該第二基板；及一第一防潮膜，其覆蓋一周邊區域中之該第一有機絕緣層，該周邊區域設置在該第一基板上且圍繞該顯示區域。
(2)根據(1)之顯示單元，其進一步包括設置在該第一有機絕緣層上之一第二有機絕緣層，該第二有機絕緣層使該等發光元件彼此分離且界定該等發光元件之光發射區域，其中該第一防潮膜覆蓋該周邊區域中之該第二有機絕緣層。
(3)根據(2)之顯示單元，其中該第一防潮膜覆蓋該顯示區域中之該第二有機絕緣層。
(4)根據(1)至(3)中任一項之顯示單元，其中該第一防潮膜從該顯示區域至該周邊區域連續地覆蓋該第一有機絕緣層。
(5)根據(1)至(4)中任一項之顯示單元，其進一步包含設置在該第一有機絕緣層與該第二有機絕緣層之間之一第二防潮膜。
(6)根據(1)至(5)中任一項之顯示單元，其進一步包含：一無機絕緣層，其設置在該第一基板與該第一有機絕緣層之間；及一第三防潮膜，其設置在該無機絕緣層與該第一有機絕緣層之 間。
(7)根據(1)至(6)中任一項之顯示單元，其中該第一防潮膜包含由SiNx表示之氮化矽及一金屬材料之一者。
(8)根據(1)至(7)中任一項之顯示單元，其進一步包含使設置在該顯示區域中之該第一有機絕緣層與設置在該周邊區域中之該第一有機絕緣層分離之一分離溝槽。
(9)根據(8)之顯示單元，其中該第一防潮膜覆蓋該分離溝槽之一內表面。
(10)根據(8)之顯示單元，其進一步包含覆蓋該分離溝槽之一內表面之一金屬材料層。
(11)根據(1)至(10)中任一項之顯示單元，其進一步包含沿著該第二基板之一反向表面上之一周緣區段提供且分隔該顯示區域與該周邊區域之一密封區段，該反向表面面對該第一基板。
(12)根據(11)之顯示單元，其中該密封區段包含一導電材料。
(13)根據(1)至(12)中任一項之顯示單元，其中該第一防潮膜從該第一基板之一端面提供至該第二基板之一端面且密封設置在該第一基板與該第二基板之間之一區域。
(14)根據(13)之顯示單元，其中該第一防潮膜包含一金屬材料及一無機絕緣材料之一者。
(15)一種具有一顯示單元之電子設備，該顯示單元包含：一第一基板及一第二基板，其等經安置以彼此面對；一第一有機絕緣層，其設置在該第一基板上；複數個發光元件，其等排列在一顯示區域中，該顯示區域設置在該第一有機絕緣層上且面對該第二基板；及一第一防潮膜，其覆蓋一周邊區域中之該第一有機絕緣層，該周邊區域設置在該第一基板上且圍繞該顯示區域。
(16)一種顯示區域，其包括：一第一基板；一發光元件，其在該第一基板上；一電致發光元件，其在該發光元件中；一平坦化膜，其在該電致發光元件上，及一第一防潮膜，其至少位於該電致發光元件之一周邊處。
(17)根據(16)之顯示區域，其進一步包括介於一保護膜與該平坦化膜之間之一第二防潮膜。
(18)根據(17)之顯示區域，其進一步包括介於該平坦化膜與一保護膜之間之一第三防潮膜。
(19)根據(16)之顯示區域，其進一步包括一密封區段中之一分離溝槽。
(20)根據(19)之顯示區域，其中該分離溝槽填充有該第一防潮膜。
(21)根據(19)之顯示區域，其中用一金屬膜為該分離溝槽之內表面加襯裡。
(22)一種顯示區域，其包括：一基板；一發光元件，其在該基板上；一電致發光層，其在該發光元件中；一密封基板，其在該發光層上方；一密封區段，其在該密封基板與該基板之間；及一第一分離溝槽，其在該密封區段中。
(23)根據(22)之顯示區域，其中該第一分離溝槽填充有該密封區段之至少一部分。
(24)根據(22)之顯示區域，其中用一金屬膜為該第一分離溝槽之 內表面加襯裡。
(25)根據(23)之顯示區域，其進一步包括該密封區段中之一第二分離溝槽。
(26)根據(25)之顯示區域，其中用一金屬膜為該第二分離溝槽之內表面加襯裡。
(27)根據(22)之顯示區域，其中一防潮膜從該密封基板之一端面延伸至該密封基板之一端面。
(28)根據(27)之顯示區域，其中該防潮膜包括具有高抗濕性之一絕緣樹脂。
(29)根據(27)之顯示區域，其中該防潮膜包括一樹脂層及一無機層。
(30)根據(27)之顯示區域，其中該防潮膜係一玻璃層。
(31)一種顯示區域，其包括：一第一基板；一第二基板，其在該第一基板上方；一發光元件，其介於該第一基板與該第二基板之間；一電致發光元件，其在該發光元件中；一平坦化膜，其在該電致發光元件上；及一防潮膜，其從該第二基板之一端延伸至該第一基板之一端。
(32)根據(31)之顯示區域，其中該防潮膜包括一樹脂層及一無機層。
(33)根據(31)之顯示區域，其中該防潮膜係一玻璃層。
(34)一種顯示單元，其包括：一顯示區域；一周邊區域，其在該顯示區域之一周邊處；及一第一防潮膜，其至少位於該周邊區域之一周邊處， 其中，該顯示區域包括(i)一像素電路層；(ii)一第一絕緣層，其在該像素電路層上；及(iii)一發光元件，其在該第一絕緣層上，及該第一防潮膜之至少一部分覆蓋該第一絕緣層之至少一部分。
(35)根據(34)之顯示單元，其進一步包括該第一絕緣層上之一第二絕緣層，該第二絕緣膜勾勒一光發射區域。
(36)根據(34)之顯示單元，其中該第一防潮膜從該顯示區域至該周邊區域覆蓋該第一絕緣層。
(37)根據(34)之顯示單元，其進一步包括該第一絕緣層與該第二絕緣層之間之一第二防潮膜。
本揭示內容含有與2012年7月31日向日本專利局申請之日本優先權專利申請案JP 2012-170618及2012年8月8日向日本專利局申請之日本優先權專利申請案JP 2012-176507中所揭示者相關之標的，該等案之各者之完整內容以引用的方式併入本文中。
熟習此項技術者應瞭解取决於設計要求及其他因素可發生各種修改例、組合、子組合及變更，只要該等修改例、組合、子組合及變更係在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內。
1‧‧‧有機電致發光(EL)顯示單元/顯示單元
10W‧‧‧有機電致發光(EL)元件
11‧‧‧底座
12‧‧‧發光元件形成層
13‧‧‧第一電極層
14‧‧‧有機層
16‧‧‧第二電極層
17‧‧‧防潮膜
18‧‧‧填充層
19‧‧‧密封基板
19S‧‧‧反向表面
20‧‧‧發光區段
23‧‧‧密封區段
24‧‧‧孔隙界定絕緣膜
31‧‧‧連接佈線
32‧‧‧游標
33‧‧‧黑色基質
110A‧‧‧顯示區域
110B‧‧‧周邊區域
111‧‧‧基板
112‧‧‧像素驅動電路形成層
124‧‧‧接觸區段
211G‧‧‧金屬層
212‧‧‧閘極絕緣膜
216S‧‧‧金屬層
217‧‧‧保護膜/鈍化膜
218‧‧‧平坦化膜

Claims (9)

  1. 一種顯示單元，其包括：基板；複數個發光元件，其等配列在上述基板上的顯示區域，且各自包含發光層；第一無機層，其位於上述基板與上述發光層之間的階層(level layer)；第二無機層，其覆蓋上述複數個發光元件；第三無機層，其位於上述第一無機層與上述第二無機層之間之階層；第一有機層，其於上述基板上之圍繞上述顯示區域的周邊區域中，位於上述第二無機層與上述第三無機層之間的階層；及第二有機層，其於上述周邊區域中，位於上述第一無機層與上述第三無機層之間的階層；且於上述周邊區域中，以覆蓋上述第一有機層之外緣的方式，上述第二無機層與上述第一無機層或上述第三無機層相接，以覆蓋上述第二有機層之外緣的方式，上述第一無機層與上述第二無機層或上述第三無機層相接。
  2. 如請求項1之顯示單元，其中自上述第一有機層之外緣至上述顯示區域之外緣的第一距離與自上述第二有機層之外緣至上述顯示區域之外緣的第二距離為不同。
  3. 如請求項1或2之顯示單元，其中上述第一無機層係絕緣膜。
  4. 如請求項1或2之顯示單元，其中上述第一無機層係金屬膜。
  5. 如請求項1或2之顯示單元，其中上述第二無機層係絕緣膜或金屬膜。
  6. 如請求項1或2之顯示單元，其中上述第三無機層係絕緣膜。
  7. 如請求項1或2之顯示單元，其於上述基板上，包含上述第一無機層及閘極絕緣膜。
  8. 如請求項1或2之顯示單元，其中上述第一無機層係防潮膜。
  9. 一種電子設備，其包含顯示單元，其中上述顯示單元包括：基板；複數個發光元件，其等配列在上述基板上的顯示區域，且各自包含發光層；第一無機層，其位於上述基板與上述發光層之間的階層；第二無機層，其覆蓋上述複數個發光元件；第三無機層，其位於上述第一無機層與上述第二無機層之間的階層；第一有機層，其於上述基板上之圍繞上述顯示區域的周邊區域中，位於上述第二無機層與上述第三無機層之間的階層；及第二有機層，其於上述周邊區域中，位於上述第一無機層與上述第三無機層之間的階層；且於上述周邊區域中，以覆蓋上述第一有機層之外緣的方式，上述第二無機層與上述第一無機層或上述第三無機層相接，以覆蓋上述第二有機層之外緣的方式，上述第一無機層與上述第二無機層或上述第三無機層相接。
TW102126350A 2012-07-31 2013-07-23 顯示單元及電子設備 TWI580028B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012170618 2012-07-31
JP2012176507A JP6142151B2 (ja) 2012-07-31 2012-08-08 表示装置および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201405804A TW201405804A (zh) 2014-02-01
TWI580028B true TWI580028B (zh) 2017-04-21

Family

ID=49083716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102126350A TWI580028B (zh) 2012-07-31 2013-07-23 顯示單元及電子設備

Country Status (7)

Country Link
US (5) US9865839B2 (zh)
EP (3) EP2880700B1 (zh)
JP (1) JP6142151B2 (zh)
KR (4) KR102383375B1 (zh)
CN (2) CN108899338B (zh)
TW (1) TWI580028B (zh)
WO (1) WO2014020899A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI729862B (zh) * 2020-06-22 2021-06-01 友達光電股份有限公司 有機發光面板及其製作方法

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102184673B1 (ko) * 2013-08-14 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP6169439B2 (ja) * 2013-08-21 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US9978986B2 (en) 2014-03-13 2018-05-22 Pioneer Corporation Light emitting apparatus
JP6722980B2 (ja) * 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
WO2015190096A1 (ja) * 2014-06-12 2015-12-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル
KR102377341B1 (ko) * 2014-06-23 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6175644B2 (ja) * 2014-08-19 2017-08-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
CN113540130A (zh) * 2014-10-28 2021-10-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
CN104481477B (zh) * 2014-11-12 2017-12-19 中国石油化工股份有限公司 高温油藏化学驱密闭配聚装置
JP6674764B2 (ja) * 2014-12-01 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルの作製方法
JP6595317B2 (ja) * 2014-12-01 2019-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6484786B2 (ja) * 2014-12-03 2019-03-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器
WO2016088394A1 (ja) 2014-12-04 2016-06-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US9766763B2 (en) 2014-12-26 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, light-emitting panel, display panel, and sensor panel
TWI552334B (zh) * 2015-03-25 2016-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板之畫素結構
US10204535B2 (en) 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6585498B2 (ja) * 2015-12-25 2019-10-02 京セラ株式会社 発光装置
JP6606432B2 (ja) 2016-01-06 2019-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US10034346B2 (en) 2016-04-27 2018-07-24 Lumileds Llc Dim to warm controller for LEDs
CN107644937B (zh) * 2016-07-22 2021-06-15 元太科技工业股份有限公司 电子组件封装体
TWI607595B (zh) * 2016-07-22 2017-12-01 元太科技工業股份有限公司 電子元件封裝體
JP6706999B2 (ja) * 2016-08-30 2020-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102383745B1 (ko) 2016-11-11 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2018120122A (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び基板間導通構造
WO2018173465A1 (ja) 2017-03-21 2018-09-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器
CN109301079B (zh) 2017-07-24 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板
CN109411619B (zh) 2017-08-17 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
TWI634468B (zh) * 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
CN107689345B (zh) * 2017-10-09 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft基板及其制作方法与oled面板及其制作方法
JP6935915B2 (ja) * 2017-10-27 2021-09-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 電子デバイス
KR102430794B1 (ko) * 2017-11-30 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6868904B2 (ja) 2018-01-11 2021-05-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP2018063960A (ja) * 2018-01-29 2018-04-19 パイオニア株式会社 発光装置
CN108364988A (zh) * 2018-02-27 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制作方法、显示装置
CN111971729A (zh) 2018-03-28 2020-11-20 夏普株式会社 显示装置
US20190326368A1 (en) * 2018-04-23 2019-10-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Oled component, method for manufacturing the same and oled display
CN108550711A (zh) * 2018-04-23 2018-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制造方法、oled显示器
CN108649057B (zh) * 2018-05-14 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
US20220020958A1 (en) * 2019-02-27 2022-01-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN110349975A (zh) * 2019-07-03 2019-10-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110890474B (zh) * 2019-11-27 2022-04-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
JP7465652B2 (ja) * 2019-12-05 2024-04-11 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 自発光表示パネルおよびその製造方法
JP2022060477A (ja) * 2020-10-01 2022-04-14 パイオニア株式会社 発光装置
JP2021005570A (ja) * 2020-10-01 2021-01-14 パイオニア株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1419297A (zh) * 2001-11-09 2003-05-21 株式会社半导体能源研究所 发光设备及其制造方法
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
CN1578546A (zh) * 2003-06-27 2005-02-09 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制作方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
US6646287B1 (en) * 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
JP4583568B2 (ja) 2000-09-19 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP4101529B2 (ja) * 2001-02-22 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US6992439B2 (en) * 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US20030012214A1 (en) 2001-07-09 2003-01-16 Nortel Networks Limited Hybrid time switch as a rotator tandem
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6765351B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
JP2003257657A (ja) 2001-12-28 2003-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、および製造装置
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP4156861B2 (ja) * 2002-05-07 2008-09-24 ローム株式会社 有機ｅｌ表示装置、および携帯型端末機
TWI263339B (en) * 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2003347044A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌパネル
AU2003289212A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, manufacturing apparatus, film-forming method, and cleaning method
CN1729719B (zh) * 2002-12-19 2010-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置和显示装置的制作方法
JP4520226B2 (ja) * 2003-06-27 2010-08-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の作製方法
JP4316960B2 (ja) * 2003-08-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP2005108678A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Optrex Corp 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
JP4785339B2 (ja) * 2003-10-24 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2005317476A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2006054111A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Sony Corp 表示装置
JP5017851B2 (ja) 2005-12-05 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP5046521B2 (ja) * 2006-01-18 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR101443188B1 (ko) * 2007-03-21 2014-09-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광장치의 제조방법 및 유기발광장치
JP5119865B2 (ja) 2007-11-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP4458379B2 (ja) * 2007-12-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
US7936122B2 (en) 2007-12-14 2011-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus
KR101308200B1 (ko) * 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP5251358B2 (ja) 2008-08-25 2013-07-31 ソニー株式会社 表示装置
KR100970397B1 (ko) 2008-12-17 2010-07-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
CN102511082B (zh) * 2009-09-16 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5500978B2 (ja) * 2009-12-25 2014-05-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ装置
KR101155904B1 (ko) 2010-01-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2011108020A1 (ja) 2010-03-01 2011-09-09 パナソニック株式会社 有機ｅｌ装置およびその製造方法
TWI525818B (zh) * 2010-11-30 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
JP5652245B2 (ja) 2011-02-22 2015-01-14 コニカミノルタ株式会社 Ｘ線撮影システム
JP5731232B2 (ja) 2011-02-25 2015-06-10 株式会社イシダ 印刷装置および電子秤
KR101519916B1 (ko) * 2011-04-07 2015-05-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
TWI469194B (zh) * 2012-05-16 2015-01-11 Au Optronics Corp 有機電致發光裝置之畫素結構

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1419297A (zh) * 2001-11-09 2003-05-21 株式会社半导体能源研究所 发光设备及其制造方法
CN1578546A (zh) * 2003-06-27 2005-02-09 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制作方法
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI729862B (zh) * 2020-06-22 2021-06-01 友達光電股份有限公司 有機發光面板及其製作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201405804A (zh) 2014-02-01
US11069878B2 (en) 2021-07-20
US20150207100A1 (en) 2015-07-23
US9865839B2 (en) 2018-01-09
US11800741B2 (en) 2023-10-24
EP2880700A2 (en) 2015-06-10
EP3872887B1 (en) 2024-03-20
US20190221772A1 (en) 2019-07-18
KR101933266B1 (ko) 2018-12-28
US20200013988A1 (en) 2020-01-09
EP3872887C0 (en) 2024-03-20
EP4369897A2 (en) 2024-05-15
CN104471736A (zh) 2015-03-25
EP2880700B1 (en) 2021-10-20
US20210343985A1 (en) 2021-11-04
WO2014020899A3 (en) 2014-04-17
WO2014020899A2 (en) 2014-02-06
CN108899338B (zh) 2019-12-06
KR20190000364A (ko) 2019-01-02
US20180083223A1 (en) 2018-03-22
KR20210134440A (ko) 2021-11-09
KR20150040270A (ko) 2015-04-14
JP2014044793A (ja) 2014-03-13
KR102167506B1 (ko) 2020-10-19
KR20200118914A (ko) 2020-10-16
KR102383375B1 (ko) 2022-04-08
US10476031B2 (en) 2019-11-12
KR102326089B1 (ko) 2021-11-15
CN108899338A (zh) 2018-11-27
JP6142151B2 (ja) 2017-06-07
US10305065B2 (en) 2019-05-28
CN104471736B (zh) 2018-06-29
EP3872887A1 (en) 2021-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI580028B (zh) 顯示單元及電子設備
JP7208679B2 (ja) 表示装置および電子機器
US8872200B2 (en) Display device and electronic apparatus
TW201301604A (zh) 顯示元件，顯示裝置，以及電子設備
TWI580014B (zh) Display devices and electronic machines
JP2012048906A (ja) 有機ｅｌ表示装置および電子機器
CN104247074A (zh) 有机电致发光单元及其制造方法和电子装置
US20240023366A1 (en) Display unit with moisture proof film outside of seal section and electronic apparatus with said display unit