KR100970397B1 - 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광부가 형성된 소자 기판과 봉지 기판 사이에 구비된 충전재 및 상기 유기 발광부와 상기 충전재 사이에 개재되며, 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질로 이루어진 유기 보호층을 구비한 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다.
Description
유기 발광 장치 및 이의 제조 방법으로서, 보다 구체적으로는, 유기 발광부가 형성된 소자 기판과 봉지 기판 사이에 구비된 충전재 및 상기 유기 발광부와 상기 충전재 사이에 개재되며, 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질로 이루어진 유기 보호층을 구비한 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다.
유기 발광 장치는 자발광형 소자인 유기 발광 소자를 적어도 하나 포함한다. 상기 유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 개재된 유기층을 구비하며, 경량이고, 부품이 간소하고, 제작공정이 간단한 구조를 갖고 있으며, 고화질에 광시야각을 확보할 수 있다. 또한, 고색순도 및 동영상을 완벽하게 구현할 수 있고, 저소비 전력, 저전압 구동으로 휴대용 전자기기에 적합한 전기적 특성을 갖고 있는 바, 이러한 유기 발광 소자를 구비한 유기 발광 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치 등으로 유용하게 사용될 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 전극으로 사용되는 ITO로부터의 산소에 의한 발광층의 열화, 발광층-계면 간의 반응에 의한 열화 등 내적 요인에 의한 열화가 있는 동시에 외부의 수분, 산소, 자외선 및 소자의 제작 조건 등 외적 요인에 의하여도 쉽게 열화될 수 있다. 특히 소자 외부의 산소와 수분은 유기 발광 소자의 수명에 치명적인 영향을 주므로 유기 발광 장치의 제작시 유기 발광 소자의 패키징이 매우 중요하다.
본 발명은, 유기 발광부가 형성된 소자 기판과 봉지 기판 사이에 충전재를 개재시키되, 상기 충전재에 의하여 유기 발광부가 손상되지 않는 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여,
소자 기판;
상기 소자 기판 상에 배치되며, 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 개재된 유기층을 포함한 유기 발광 소자를 하나 이상 포함한 유기 발광부;
상기 유기 발광부 상부에 배치되는 봉지 기판;
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 접합시키는 실런트;
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 구비된 충전재; 및
상기 유기 발광부와 상기 충전재 사이에 개재되며, 하나 이상의 열증착가능 한 유기 물질로 이루어진 유기 보호층;
을 구비한 유기 발광 장치가 제공된다.
또한, 소자 기판의 일면에 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 유기층을 구비한 유기 발광 소자를 하나 이상 포함한 유기 발광부를 형성하는 단계;
상기 유기 발광부 상부에 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질을 열증착시켜, 유기 보호층을 형성하는 단계;
봉지 기판을 준비하는 단계;
상기 유기 발광부와 상기 보호층이 구비된 소자 기판 및 상기 봉지 기판 중 하나 이상에 충전재 및 실런트를 제공하는 단계;
상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 접합시키는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
상술한 바와 같은 유기 발광 장치는, 유기 발광부가 구비된 소자 기판과 봉지 기판 사이에 충전재 및 상기 유기 발광부와 상기 충전재 사이에 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질로 이루어진 유기 보호층을 구비하는 바, 상기 유기 보호층에 의하여 상기 충전재에 의한 유기 발광부 손상이 방지될 수 있어, 장수명을 갖는 유기 발광 장치를 얻을 수 있다. 또한, 상기 유기 보호층은 열증착법에 의하여 형성될 수 있으므로, 유기 발광부의 유기층 형성시 사용한 물질 및 장비를 이용할 수 있어, 유기 발광 장치의 제조 비용이 절감될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 따르는 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1의 유기 발광 장치는 소자 기판(100), 상기 소자 기판 상에 배치된 유기 발광부(200), 상기 유기 발광부(200) 상부에 배치된 봉지 기판(300), 상기 소자 기판(100)과 상기 봉지 기판(300)을 접합시키는 실런트(410), 상기 소자 기판(100)과 상기 봉지 기판(300) 사이에 구비된 충전재(430) 및 상기 유기 발광부(200)와 상기 충전재(430) 사이에 개재된 유기 보호층(450)을 구비한다.
상기 소자 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 무기물로 이루어지거나, 투명한 플라스틱 재료의 절연성 유기물로 이루어질 수 있다. 상기 절연성 유기물은, 예를 들면, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1의 유기 발광 장치가 유기 발광부(200)로부터 방출된 광이 소자 기판(100) 방향으로 구현되는 배면 발광형 장치인 경우에 소자 기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나, 유기 발광부(200)로부터 방출된 광이 소자 기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형 장치인 경우에 소자 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 소자 기판(100)을 형성할 수 있다. 금속으로 소자 기판(100)을 형성할 경우 소자 기판(100)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(100)은 금속 포일로 형성할 수 있다.
비록 도 1에는 도시하지 않았으나, 소자 기판(100)의 상면에는 소자 기판(100)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수도 있다.
유기 발광부(200)는 하나 이상의 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 소자는 제1전극 및 제2전극을 포함한 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 개재된 유기층을 포함한다.
상기 유기 발광 소자의 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1전극은 소자 기판(100) 상부에 형성될 수 있으며, 정공 주입 전극인 애노드일 수 있다. 이 때, 상기 제1전극은 높은 일함수를 갖는 물질을 이용하여 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의하여 형성할 수 있다. 상기 제1전극을 이루는 물 질은 투과형 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투과형 전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 이용할 수 있고, 반사형 전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 조합 등으로 형성된 반사막과, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 구비할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
정공 주입층(HIL)은, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 진공증착법을 선택할 경우, 증착 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-10 내지 10-3torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec의 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 한편, 스핀코팅법을 선택할 경우, 코팅 조건은 목적 화합물, 목적하는 하는 층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도로는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
정공 주입층 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N´-디페닐벤지딘(N,N´-di(1-naphthyl)-N,N´-diphenylbenzidine)), TDATA, 2T-NATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 주입층의 두께는 약 10Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 10Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
상기 정공 수송층(HTL)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.
정공 수송층 물질은 공지된 정공 수송 재료를 이용하여 형성할 수 있는데, 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체, TCTA(4,4´,4˝-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4´,4˝-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)) 등과 같은 트리페닐아민계 물질과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다. 이 중, 예를 들면, TCTA의 경우, 정공 수송 역할 외에도, 발광층으로부터 엑시톤이 확산되는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.
상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다.상기 정공수송층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
상기 발광층은, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.
상기 발광층은, 단일 발광 재료로 이루어질 수 있으며, 호스트 및 도펀트를 포함할 수도 있다.
상기 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 공지된 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 공지된 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 공지된 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4´-비스[4-(디-p-톨일아미노)스타릴] 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌 (TBP) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 100Å 미만인 경우, 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
정공 저지층은 발광층의 삼중항 여기자 또는 정공이 캐소드 등으로 확산되는 현상을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 발광층 상부에 추가로 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.
상기 정공 저지 재료는 공지된 정공 저지 재료 중에서 임의로 선택될 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 사용할 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공 저지층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공 저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
상기 정공 수송층(ETL)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 발광층 또는 정공 저지층 상부에 형성될 수 있다. 이 때, 증착 조건 및 코팅 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 상술한 바와 같은 정공 주입층 형성을 위한 조건과 유사한 범위 내에서 선택된다.
상기 전자 수송층(ETL) 물질로는 공지된 전자 수송 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, TPQ1, TPQ2, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP, BeBq2, BAlq 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다:
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100Å 미만인 경우, 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다. 이 중, 예를 들면, BPhen은 정공 저지 특성도 동시에 갖는 물질이다.
상기 전자 수송층 상부에는, 전자 주입층이 형성되는데, 상기 전자 주입층 형성 재료로는 공지의 전자 주입 재료인 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등이 사용될 수 있으며, 상기 전자 주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 저하없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
제2전극은 캐소드(전자 주입 전극)일 수 있으며, 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.
유기 발광부(200)가 구비된 소자 기판(100) 상부에는 봉지 기판(300)이 배치되어 있다. 상기 봉지 기판(300)은 실런트(410)에 의하여 상기 소자 기판(100)과 합착되어 있다. 상기 봉지 기판(300) 역시 글라스재 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수 도 있다.
상기 소자 기판(100)과 봉지 기판(300)은 실런트(400)에 의해 합착된다. 상기 실런트(400)의 재료로는 열경화성 수지 또는 UV 경화성 수지(구체적으로, 에폭시 수지)와 같은 유기물 또는 실링 글래스 프릿(sealing glass frit) 등과 같은 무기물을 사용할 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 봉지 기판(300) 사이에는 충전재(430)가 구비되어 있다. 구체적으로, 상기 충전재(430)는 상기 소자 기판(100)과 봉지 기판(300) 사이의 공간을 채우도록 구비되어, 유기 발광부(200) 내부로 산소 및/또는 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 충전재(430)는 공지의 충전재 중에서 임의로 선택될 수 있는데, 예를 들면, 우레탄계 수지, 메타크릴레이트계 수지, 아크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지 및 셀룰로오스계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 유기 충전재이거나, 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 지르코늄 등과 같은 금속 및 금속 산화물에 기초한 무기 충전재이거나, 유/무기 복합 충전재일 수 있다.
상기 우레탄계 수지로는, 우레탄 아크릴레이트 등을 이용할 수 있고, 상기 메타크릴레이트계 수지로는 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트 등을 이용할 수 있고, 아크릴계 수지로는 부틸아크릴레이트, 에틸헥실아크릴레이트 등을 이용할 수 있고, 비닐계 수지로는 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈 등을 이용할 수 있고, 에폭시계 수지로는 예컨대 싸이클로알리파틱 에폭사이드 등을 이용할 수 있고, 셀룰로오즈계 수지로는 예컨대 셀룰로오즈나이트레이 트 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 충전재(430)가 무기 충전재일 경우, 이는 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 지르코늄, 티타니아, 실리콘 산화물, 지르코니아, 알루미나 및 이들의 프리서커로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다. 바람직하게, 상기 충전재(430)는 실리콘계 겔일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 유기/무기 복합 충전재로는, 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 지르코늄 등과 같은 금속 및 비금속과 유기 모이어티가 공유 결합으로 연결되어 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 유기/무기 복합 충전재는, 에폭시 실란 또는 그 유도체, 비닐 실란 또는 그 유도체, 아민실란 또는 그 유도체, 메타크릴레이트 실란 또는 이들의 부분 경화 반응 결과물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다. 에폭시 실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로서, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane) 또는 그 중합체를 들 수 있다. 비닐 실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로서는, 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilnae) 또는 그 중합체를 들 수 있다. 또한, 아민실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로는, 3-아미노프로필트리메톡시실란(3-Aminopropyltriethoxysilnae) 및 그 중합체를 들 수 있으며, 메타크릴레이트 실란 또는 그 유도체의 구체적인 예로는 3-트리(메톡시실릴)프로필 아크릴레이트{3-(Trimethoxysilyl)propyl acrylate} 및 그 중합체 등을 들 수 있다.
상술한 바와 같은 충전재(430)는 소자 기판(100)과 봉지 기판(300) 사이에 개재되는데, 충전재(430)로서 증기압이 낮은 물질을 선택할 경우, 유기 발광 장치 제작 및/또는 구동 중 충전재(430)의 아웃개싱이 일어날 수 있다. 이로 인해 발생한 가스는 유기 발광부(200)를 손상시킬 수 있다. 또한, 상기 충전재(430) 자체가 극미량이나마 용매를 포함할 수 있는데, 상기 용매 역시 유기 발광부(200)과 접촉(즉, 유기 발광 소자의 캐소드)하여 유기 발광부(200)를 손상시킬 수 있다. 한편, 상기 충전재(430) 자체가 유기 발광부(200)과 조금이나마 반응성이 있는 경우, 역시 충전재(430)에 의한 유기 발광부(200)의 손상이 가능하다.
이와 같은 충전재(430)에 의한 유기 발광부(200)의 손상을 방지하기 위하여, 상기 유기 발광부(200)와 상기 충전재(430) 사이에는 유기 보호층(450)이 개재된다. 여기서 상기 유기 보호층(450)은 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질로 이루어져 있다. 즉, 상기 유기 보호층(450)은 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질을 유기 발광부(200) 상부에 증착시켜 형성된 층일 수 있다.
본 명세서에 있어서, "열증착가능한 유기물질"이란 열증착법에 의하여 성막가능하며, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 복소환 고리기 등과 같이 화학 분야의 당업자에게 통상적으로 널리 알려져 있는 유기 모이어티를 하나 이상 갖는 물질을 가리킨다.
상기 열증착가능한 유기 물질은 10-10 torr 내지 10-3 torr의 진공도 및 100℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 승화가능한 물질일 수 있다. 예를 들면, 상기 열증착가능한 유기 물질은, 예를 들면, 10-8 torr 내지 10-3 torr의 진공도 및 200℃ 내지 400℃의 온도 범위에서 승화가능한 물질일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 열증착가능한 유기 물질은, 10-7 torr의 진공도에서 300℃ 조건에서 승화가능한 물질일 수 있다.
본 발명을 따르는 일 구현예에서, 상술한 바와 같은 열증착가능한 유기 물질의 진공도 및 승화 온도 범위 조건은 유기 발광부(200)에 포함된 하나 이상의 유기 발광 소자에 구비된 유기층을 열증착법으로 형성할 때 사용될 수 있는 진공도 및 승화 온도 범위 조건과 일부 이상 중복되는 것일 수 있다. 따라서, 예를 들면, 상기 열증착가능한 유기 물질은 통상적인 유기 발광 소자의 유기층에 사용될 수 있는 물질 중에서 선택될 수 있다.
본 발명을 따르는 다른 일 구현예에서, 상기 열증착가능한 유기 물질은, 상기 유기 발광부(200)에 포함된 하나 이상의 유기 발광 소자에 구비된 유기층에 포함된 복수의 물질 중 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층이 정공 주입층을 포함할 경우, 상기 유기 보호층은 상기 정공 주입층 물질을 포함할 수 이루어질 수 있다.
또한, 상기 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층이 정공 수송층을 포함할 경우, 상기 유기 보호층은 상기 정공 수송층 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층이 발광층을 포함할 경우, 상기 유기 보호층은 상기 발광층 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층이 정공 저지층을 포함할 경우, 상기 유기 보호층은 상기 정공 저지층 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층이 전자 수송층을 포함할 경우, 상기 유기 보호층은 상기 전자 수송층 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층이 전자 주입층을 포함할 경우, 상기 유기 보호층은 상기 전자 주입층 재료로 이루어질 수 있다.
이와는 별개로, 상기 유기 보호층(430)은, 유기 발광부(200)의 하나 이상의 유기 발광 소자의 유기층에 포함된 물질과는 상이하나, 상술한 바와 같은 진공도에서의 승화 온도 범위를 만족하여 열증착법으로 성막가능한 열증착성 물질을 포함할 수도 있다.
여기서, 금속 착물의 형태를 갖는 물질은, 상기 유기 보호층(430)에 포함된 열증착가능한 유기 물질에서 제외될 수 있다. 예를 들면, 금속 착물 형태의 인광 도펀트, 금속 착물 형태의 전자 수송 재료(예컨데, Alq3 등)은 상기 열증착가능한 유기 물질에서 제외될 수 있다. 이는, 상기 금속 착물 중의 금속 물질은 충전재 물질과 반응할 수 있어, 유기 보호층으로서의 역할을 못할 수 있기 때문이다. 뿐만 아니라, 충전재 물질은 충전 후 열공정 혹은 UV 공정을 걸쳐 경화가 이루어질 수 있는데, 금속 착물과 반응한 충전재 물질은 경화가 이루어지지 않을 수 있다. 또한 충전재 물질의 경화개시제는 대부분 금속 촉매로 이루어질 수 있데, 상기 금속 촉매는 금속 착물의 다른 금속과 반응을 할 수 있기 때문에, 충전재 물질의 경화를 방해할 수 있다.
본 발명을 따르는 일 구현예에서, 상기 유기 보호층은, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N´-디(1-나프틸)-N,N´-디페닐벤지딘(N,N´-di(1-naphthyl)-N,N´-diphenylbenzidine)), TDATA, 2T-NATA, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD), TCTA(4,4´,4˝-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4´,4˝-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4´-비스[4-(디-p-톨일아미노)스타릴] 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌 (TBP), TAZ, TPQ1, TPQ2, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)) 및 BCP로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 보호층(450)의 두께는 200Å 내지 1200Å, 바람직하게는, 400Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 범위를 만족할 경우, 평탄하면서도 충전재(430)에 의한 유기 발광부(200)의 손상을 효과적으로 방지할 수 있는 층을 얻을 수 있다.
상기 유기 보호층(430)은 1종의 열증착가능한 물질로 이루어져 있거나, 서로 다른 2 종 이상의 열증착가능한 물질이 혼합된 단일층일 수 있거나, 서로 다른 2 종 이상의 열증착가능한 물질로 이루어진 2 이상의 층으로 이루어진 다층 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 충전재(430)를 소자 기판(100)과 봉지 기판(300) 사이의 공간을 채우도록 구비함으로써, 외부 산소 및/또는 수분에 의한 유기 발광부(200)의 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 상기 유기 보호층(450)을 상기 유기 발광부(200)를 덮도록 형성함으로써, 충전재(430)에 의한 유기 발광부(200)의 손상을 최소화할 수 있다.
도 2는 도 1의 유기 발광 발광 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도로서, 유기 발광부(200)의 구체적인 구성을 예시적으로 도시하고 있다.
도 2를 참조하면, 소자 기판(100) 상에 복수개의 박막 트랜지스터(220)들이 구비되어 있고, 이 박막 트랜지스터(220)들 상부에는 복수개의 유기 발광 소자(230)가 구비되어 있다. 유기 발광 소자(230)는 박막 트랜지스터(220)에 전기적으로 연결된 화소전극(231)과, 소자 기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 대향전극(235)과, 화소전극(231)과 대향전극(235) 사이에 배치된 유기층(233)을 구비한다.
소자 기판(100) 상에는 게이트 전극(221), 소스 전극 및 드레인 전극(223), 반도체층(227), 게이트 절연막(213) 및 층간 절연막(215)을 구비한 박막 트랜지스터(220)가 구비되어 있다. 물론 박막 트랜지스터(220) 역시 도 2에 도시된 형태에 한정되지 않으며, 반도체층(227)이 유기물로 구비된 유기 박막 트랜지스터, 실리콘 으로 구비된 실리콘 박막 트랜지스터 등 다양한 박막 트랜지스터가 이용될 수 있다. 이 박막 트랜지스터(220)와 소자 기판(100) 사이에는 필요에 따라 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(211)이 더 구비될 수도 있다.
유기 발광 소자(230)는 상호 대향된 화소전극(231) 및 대향전극(235)과, 이들 전극 사이에 개재된 유기층(233)을 구비한다. 화소전극(231)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대항전극(235)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이 화소전극(231)과 대항전극(235)의 극성은 반대로 될 수도 있다.
한편, 화소 정의막(PDL: pixel defining layer, 219)이 화소전극(231)의 가장자리를 덮으며 화소전극(231) 외측으로 두께를 갖도록 구비된다. 이 화소 정의막(219)은 발광 영역을 정의해주는 역할 외에, 화소전극(231)의 가장자리와 대항전극(235) 사이의 간격을 넓혀 화소전극(231)의 가장자리 부분에서 전계가 집중되는 현상을 방지함으로써 화소전극(231)과 대항전극(235)의 단락을 방지하는 역할을 한다.
화소전극(231)과 대항전극(235) 사이에는, 유기층(233)이 구비되어 있다. 상기 유기층(233)에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
이러한 유기 발광 소자(230)는 그 하부의 박막 트랜지스터(220)에 전기적으로 연결되는데, 이때 박막 트랜지스터(220)를 덮는 평탄화막(217)이 구비될 경우, 유기 발광 소자(230)는 평탄화막(217) 상에 배치되며, 유기 발광 소자(230)의 화소전극(231)은 평탄화막(217)에 구비된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(220)에 전기 적으로 연결된다.
한편, 기판 상에 형성된 유기 발광 소자(230)는 봉지 기판(300)에 의해 밀봉된다. 봉지 기판(300)은 전술한 바와 같이 글라스 또는 플라스틱재 등의 다양한 재료로 형성될 수 있다.
한편, 유기 발광 소자(230)와 봉지 기판(300) 사이에는 충전재(430)가 구비되어, 유기 발광 소자(230)와 봉지 기판(300) 사이의 공간을 채움으로써, 박리나 셀 깨짐 현상을 방지한다.
유기 발광 소자(230)와 충전재(430) 사이에는 유기 보호층(450)이 구비되어 있다. 상기 유기 보호층(450)은 충전재(430)에 의한 유기 발광 소자(230)의 손상을 방지하는 역할을 하며, 이에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
상술한 바와 같은 유기 발광 장치의 제조 방법은, 소자 기판의 일면에 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 유기층을 구비한 유기 발광 소자를 하나 이상 포함한 유기 발광부를 형성하는 단계, 상기 유기 발광부 상부에 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질을 열증착시켜, 유기 보호층을 형성하는 단계, 봉지 기판을 준비하는 단계, 상기 유기 발광부와 상기 보호층이 구비된 소자 기판 및 상기 봉지 기판 중 하나 이상에 충전재 및 실런트를 제공하는 단계 및 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 접합시키는 단계를 포함할 수 있다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 소자 기판(100) 상부에 유기 발광부(200) 을 형성한다.
이후, 도 3b에 도시한 바와 같이, 유기 발광부(200) 상부에 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질을 열증착시켜, 유기 보호층(450)을 형성한다. 상기 열증착가능한 유기 물질에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다.
상기 유기 보호층(450)은 열증착법에 의하여 형성되므로, 유기 보호층(450) 형성시 유기 발광부(200)를 손상시키지 않고, 공정 시간 등이 절감될 수 있다.
충전재(430)에 의한 유기 발광부(200)의 손상은 필연적으로 발생할 수 밖에 없으므로, 유기 발광부(200) 상부의 보호층 형성은 필수적인 공정이다. 그러나, 유기 발광부(200) 상부에 무기물로 이루어진 무기 보호층을 형성하기 위하여는, 강한 에너지를 갖는 플라즈마 발생을 수반하는 화학 기상 증착법(CVD) 또는 스퍼터링법을 이용하여야 하므로, 이러한 무기 보호층 형성시 오히려 유기 발광부(200)의 손상이 수반될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 무기 보호층 형성시 CVD 또는 스퍼터링법의 에너지를 약하게 조절할 경우에는 공정상 택 타임(tack time)이 증가할 수 밖에 없어 공정 비용 상승의 원인이 될 수 있다. 한편, 유기 보호층을 아크릴계 수지 등과 같은 경화성 물질을 이용하여 코팅법으로 형성할 경우, 성막을 위한 코팅 및 열처리와 같은 공정들이 수반되어야 하므로, 이 역시 유기 발광 장치의 제조 비용 상승의 원인이 될 수 있다.
그러나, 유기 보호층(450)을 열증착가능한 물질을 이용한 열증착법으로 사용할 경우, 상술한 바와 같은 문제점이 해소될 수 있을 뿐만 아니라, 유기 보호층(450) 재료로서, 유기 발광부(200)에 포함된 하나 이상의 유기 발광 소자에 사용 된 유기층 물질을 사용하고 상기 유기층 형성시 사용한 증착 챔버를 그대로 이용할 수 있는 등, 공정 상의 이점도 추가로 얻을 수 있는 바, 유기 발광부(200) 손상 방지 및 공정 비용 절감 모두에서 큰 이점을 얻을 수 있다.
그 다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 봉지 기판(300)을 준비하여, 그 상부에 충전재(430) 및 실런트 형성용 물질(410´)을 제공한다.
이후, 도 3b에서 마련된 소자 기판(100)과 도 3c에서 마련된 봉지 기판(300)을 소자 기판(100)과 봉지 기판(300) 사이에 유기 발광부(200)이 배치되도록 배열하여, 실런트(410)에 의하여 소자 기판(100)과 봉지 기판(300)이 합착되도록 한다. 이로써, 유기 발광부(200)가 밀봉될 수 있다. 여기서, 실런트 형성용 물질(410 )이 UV 경화처리되거나 열처리됨으로써 실런트로 전환되면서, 소자 기판(100)과 봉지 기판(300)이 합착될 수 있다.
도 4a는, 본 발명을 따르는 유기 발광 장치의 일 실시예의 발광을 관찰한 사진이다. 상기 유기 발광 장치는, 유리 기판 상부에 제1전극, 유기층 및 제2전극을 구비한 유기 발광 소자를 형성한 다음, 상기 유기 발광 소자를 덮도록 10-7 torr, 300℃ 조건에서 NPB를 열증착시켜, 700Å 두께의 유기 보호층을 형성한 후, 봉지 기판으로서 무알카리 기판을 준비하여, 상기 봉지 기판 상부에 충전재로서 실리콘계 겔과 에폭시 수지를 제공하고, 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 합칙시킨 다음, 상기 에폭시 수지를 UV 경화시켜 제작된 것이다.
한편, 도 4b는 상기 유기 발광 장치의 제조 방법 중 유기 보호층을 형성하지 않았다는 점을 제외하고는, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법과 동일한 방법으로 제조한 유기 발광 장치의 발광을 관찰한 사진이다.
도 4a 및 도 4b의 발광 사진은 상술한 바와 같은 유기 발광 장치를 85℃ 조건 하에서 24시간 동안 구동시킨 후의 발광을 관찰한 것이다. 도 4a 및 도 4b에 따르면, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 장치는 구동 후에도 암점 등의 발생없이 우수한 발광 상태를 유지함을 알 수 있는 바, 장수명을 갖추고 있음을 알 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1 및 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 설명한 도면이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치 및 종래의 유기 발광 장치의 발광 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 소자 기판 200: 유기 발광부
300: 봉지 기판 410: 실런트
430: 충전재
Claims (17)
- 소자 기판;상기 소자 기판 상에 배치되며, 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 개재된 유기층을 포함한 유기 발광 소자를 하나 이상 포함한 유기 발광부;상기 유기 발광부 상부에 배치되는 봉지 기판;상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 접합시키는 실런트;상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이에 구비된 충전재; 및상기 유기 발광부와 상기 충전재 사이에 개재되며, 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질로 이루어진 유기 보호층;을 구비한 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 열증착가능한 유기 물질이 10-10 torr 내지 10-3 torr의 진공도 및 100℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 승화가능한 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 열증착가능한 유기 물질이 상기 유기 발광 소자의 유기층에 포함된 복 수의 물질 중 하나를 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층이 정공 주입층을 포함하고, 상기 유기 보호층이 상기 정공 주입층 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층이 정공 수송층을 포함하고, 상기 유기 보호층이 상기 정공 수송층 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층이 발광층을 포함하고, 상기 유기 보호층이 상기 발광층 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층이 정공 저지층을 포함하고, 상기 유기 보호층이 상기 정공 저지층 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층이 전자 수송층을 포함하고, 상기 유기 보호층 이 상기 전자 수송층 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층이 전자 주입층을 포함하고, 상기 유기 보호층이 상기 전자 주입층 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 보호층이, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N´-디(1-나프틸)-N,N´-디페닐벤지딘(N,N´-di(1-naphthyl)-N,N´-diphenylbenzidine)), TDATA, 2T-NATA, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD), TCTA(4,4´,4˝-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4´,4˝-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4´-비스[4-(디-p-톨일아미노)스타릴] 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌 (TBP), TAZ, TPQ1, TPQ2, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)) 및 BCP으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 보호층의 두께가 200Å 내지 1200Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 충전재는 상기 소자 기판과 상기 봉지 기판 사이의 공간을 채우도록 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 보호층은 상기 유기 발광부를 덮도록 구비되고, 상기 충전재는 상기 유기 보호층을 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 소자 기판의 일면에 한 쌍의 전극 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 유기층을 구비한 유기 발광 소자를 하나 이상 포함한 유기 발광부를 형성하는 단계;상기 유기 발광부 상부에 하나 이상의 열증착가능한 유기 물질을 열증착시켜, 유기 보호층을 형성하는 단계;봉지 기판을 준비하는 단계;상기 유기 발광부와 상기 보호층이 구비된 소자 기판 및 상기 봉지 기판 중 하나 이상에 충전재 및 실런트를 제공하는 단계; 및상기 소자 기판과 상기 봉지 기판을 접합시키는 단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 열증착가능한 물질을 10-10 torr 내지 10-3 torr의 진공도 및 100℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 증착시켜 유기 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 유기 보호층이,m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N´-디(1-나프틸)-N,N´-디페닐벤지딘(N,N´-di(1-naphthyl)-N,N´-diphenylbenzidine)), TDATA, 2T-NATA, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD), TCTA(4,4´,4˝-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4´,4˝-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4´-비스[4-(디-p-톨일아미노)스 타릴] 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌 (TBP), TAZ, TPQ1, TPQ2, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)) 및 BCP로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 유기 발광 소자의 유기층 형성을 위한 복수의 진공 증착 챔버 중 하나에서 상기 유기 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
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| US12/512,707 US8049245B2 (en) | 2008-12-17 | 2009-07-30 | Organic light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| CN200910259151.8A CN101752405B (zh) | 2008-12-17 | 2009-12-15 | 有机发光设备及其制造方法 |
| JP2009285687A JP5068804B2 (ja) | 2008-12-17 | 2009-12-16 | 有機発光装置及びその製造方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101253528B1 (ko) * | 2010-06-29 | 2013-04-11 | 차혁진 | 봉지막의 제조방법，이로부터 제조된 봉지막 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5513282B2 (ja) | 2010-06-29 | 2014-06-04 | 富士機工株式会社 | 電動テレスコステアリング装置 |
| CN102610703A (zh) * | 2011-01-20 | 2012-07-25 | 陈惠美 | 光电元件的封装方法 |
| WO2012140736A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
| WO2013008765A1 (en) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module |
| KR20130089039A (ko) * | 2012-02-01 | 2013-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스, 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP6142151B2 (ja) | 2012-07-31 | 2017-06-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| US8883527B2 (en) * | 2012-09-06 | 2014-11-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method for the same |
| US9859517B2 (en) | 2012-09-07 | 2018-01-02 | Nitto Denko Corporation | White organic light-emitting diode |
| KR102071330B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102142671B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2020-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR102139577B1 (ko) | 2013-10-24 | 2020-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN103682178B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管的封装方法及有机发光二极管器件 |
| KR102343142B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR20170029037A (ko) * | 2015-09-04 | 2017-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| CN106098741B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-10-29 | 深圳市景方盈科技有限公司 | 有机发光二极管显示装置及面板的制造方法 |
| CN106298850A (zh) * | 2016-08-04 | 2017-01-04 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示装置 |
| CN106158915B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-12-27 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示面板以及有机发光二极管显示装置 |
| CN106057859B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-06-18 | 江苏双双高新科技有限公司 | 有机发光二极管显示装置、面板的制作方法 |
| US10431770B2 (en) * | 2017-12-29 | 2019-10-01 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED panel with a ring shape resin encapsulation material |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040073695A (ko) * | 2003-02-14 | 2004-08-21 | 주식회사 엘리아테크 | 흡습제층을 포함하는 유기전계발광 표시패널 |
| JP2006228519A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2007042367A (ja) | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US6762735B2 (en) * | 2000-05-12 | 2004-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device and method of testing the same |
| US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| JP2005190703A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| US7342356B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
| KR100721562B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법 |
| JP2007123240A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP4736890B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-07-27 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008251292A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ発光装置 |
| JPWO2008132965A1 (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 |
| KR101022652B1 (ko) * | 2009-04-02 | 2011-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조방법 |
-
2008
- 2008-12-17 KR KR1020080128612A patent/KR100970397B1/ko active IP Right Grant
-
2009
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- 2009-12-15 CN CN200910259151.8A patent/CN101752405B/zh active Active
- 2009-12-16 EP EP09252798.5A patent/EP2202821B1/en active Active
- 2009-12-16 JP JP2009285687A patent/JP5068804B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040073695A (ko) * | 2003-02-14 | 2004-08-21 | 주식회사 엘리아테크 | 흡습제층을 포함하는 유기전계발광 표시패널 |
| JP2006228519A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2007042367A (ja) | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101253528B1 (ko) * | 2010-06-29 | 2013-04-11 | 차혁진 | 봉지막의 제조방법，이로부터 제조된 봉지막 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
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