TWI648299B - 聚合物化合物及具有包括該聚合物化合物之薄膜封裝結構的有機發光顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種具有由式1代表之重複單元的聚合物化合物及一種包含該聚合物化合物之有機發光顯示裝置。

其中R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、p、a、b、及c係與本說明書之實施方式部分中所述相同。

Description

聚合物化合物及具有包括該聚合物化合物之薄膜封裝結構的有機發光顯示裝置 【優先權聲明】

本申請案參考於韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)中於2014年4月18日提交且按期指派序列號為10-2014-0046933及2015年4月14日提交且按期指派序列號為10-2015-0052632之在先提出申請之申請案「聚合物化合物及具有含該聚合物化合物之薄膜封裝結構的有機發光顯示裝置(POLYMER COMPOUND AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE HAVING THIN-FILM ENCAPSULATION STRUCTURE INCLUDING THE POLYMER COMPOUND)」，該申請案之全部內容併入本說明書中且主張自該申請案之所有權利。

本發明係關於一種聚合物化合物及一種具有包括該聚合物化合物之薄膜封裝結構之有機發光顯示裝置，且特定而言，係關於一種具有薄膜封裝結構之有機發光顯示裝置，該薄膜封裝結構包含無機層及包含該聚合物化合物之有機層。

用於有機發光顯示裝置之封裝技術包含基材黏合技術，其中 封裝基材結合至包含有機發光顯示裝置之基材；及薄膜封裝技術，其中封裝膜係形成為薄膜之形式而不使用封裝基材。該封裝基材與該包含有機發光顯示裝置之基材的黏合可使用無機玻璃料及有機黏合劑來執行。該薄膜封裝技術可使用在面板上由(例如)AlO_x、SiN_x、SiO_x、或SiON形成之無機膜。

用於薄膜封裝之無機膜薄且高度緻密，且由於此等特性，該 無機膜具有抵抗濕氣及氧之障壁特性。然而，該無機膜易碎，且因此當向其施加應力時顯示差的機械特性。特定而言，在有機發光顯示裝置之製造製程中，將許多粒子置於基材上且當將無機膜置於此等粒子上時，其高度地受應力影響。因此，無機膜之障壁特性可降低。

作為回應，在無機膜與粒子之間引入有機膜以使粒子之不均 勻表面平坦化並降低施加至該無機膜之應力。本文中，該有機膜可由基於丙烯酸酯或基於環氧之材料形成。

在基於丙烯酸酯之材料的情形中，丙烯酸酯骨架以各種方式 經羰基衍生物取代且聚合物可容易地藉由自由基聚合而形成。因此，廣泛使用基於丙烯酸酯之材料。然而，由於基於丙烯酸酯之材料具有脂肪族結構，因此其具有低物理及化學穩定性，且因此其結構可易於分解。

在基於環氧之材料的情形中，各芳香族基團經環氧基團取 代。然而，該基於環氧之材料具有龐大結構及低膜形成效率。因此，當該基於環氧之材料形成為膜時，難以控制該膜之厚度。而且，在反應期間，該基於環氧之材料劇烈地反應且難以控制聚合速率。

本發明之一或多個實例性實施例可包含一種聚合物化合物及一種具有含該聚合物化合物之薄膜封裝結構的有機發光顯示裝置，該薄膜封裝結構具有容易的膜形成控制及/或當在製程期間向其施加應力時顯示物理及化學穩定性。

其他態樣將部分地闡釋於下文說明中，且部分地將根據本說明而顯而易見，或可藉由實踐所呈現之實施例而獲悉。

根據本發明之一或多個實例性實施例，可提供一種具有由式1代表之重複單元之聚合物化合物：

其中R₁可為直鏈、具支鏈或環狀C₁-C₁₂烷基，R₂、R₃及R₄可 各自獨立為氫原子、或直鏈或具支鏈C₁-C₆烷基，R₅及R₆可各自獨立為氫原子或直鏈或具支鏈C₁-C₂₀烷基且可彼此連接以形成環，R₇可為氫原子或直鏈、具支鏈或環狀C₁-C₁₂烷基或C₆-C₁₂芳基，R₈可為氫原子或甲基，p可為0至12之整數，且a、b及c可為莫耳比，且可滿足條件a+b+c=1，其中0.5a0.9，0.05b0.2，且0.05c0.3。

根據本發明之一或多個實例性實施例，該等聚合物化合物中 之二或更多者可經交聯，以共用R₁及R₇中之任一者或每一者。

根據本發明之一或多個實例性實施例，該等聚合物化合物中 之三或更多者可經交聯，以共用為具支鏈烷基之R₇。此處，自該等經交聯之聚合物化合物之中，二或更多個聚合物化合物可額外經交聯，以共用R₁。

根據本發明之一或多個實例性實施例，一種有機發光顯示裝 置可包含一基材；一有機發光裝置，位於該基材上；及一封裝層，位於該有機發光裝置上，該封裝層包含交替堆疊之一無機層及一有機層，其中該有機層可包含該聚合物化合物。

100‧‧‧有機發光顯示裝置

101‧‧‧基材

110‧‧‧有機發光裝置

111‧‧‧第一電極

113‧‧‧有機發射層

115‧‧‧第二電極

120‧‧‧封裝層

121‧‧‧無機層

122‧‧‧有機層

在藉由結合附圖參照以下詳細說明而將更佳地理解本發明時，將易於獲得對本發明及其許多伴隨優點之更完全瞭解，其中相似的參考符號指示相同或類似組件，其中：第1圖係根據本發明一實施例之一有機發光顯示裝置之示意性剖視圖；第2圖係根據本發明一實施例，根據比較實例製造之一有機發光顯示裝置在驅動240小時後之光學顯微影像；以及第3圖係根據本發明一實施例，根據實例製造之一有機發光顯示裝置在驅動240小時後之光學顯微影像。

現在將參照附圖在下文更全面地闡述實例性實施例；然而，該等實施例可實施為不同形式且不應視為僅限於本文所闡釋之實施例。相 反，提供該等實施例係為了使本揭示內容透徹且完整，並將向熟悉此項技術者全面傳達實例性實施方案。在圖式中，為清晰起見可誇大層及區域之尺寸。在整個說明書中，相似的參考編號指示相似的元件。

根據本發明之一實施例的一聚合物化合物可包含由式1代表之重複單元：

該由式1代表之重複單元可包含A1部分(moiety)、B1部分、及C1部分，且由於包含該等部分，因此可形成降冰片烯(norbornene)及丙烯酸酯之混合聚合物。

在以上式1中，R₁可為直鏈、具支鏈或環狀C₁-C₁₂烷基；R₂、R₃及R₄可各自獨立為氫原子、或直鏈或具支鏈C₁-C₆烷基；R₅及R₆可各自獨立為氫原子、或直鏈或具支鏈C₁-C₂₀烷基且可彼此連接以形成環；R₇可為氫原子或直鏈、具支鏈或環狀C₁-C₁₂烷基或C₆-C₁₂芳基；且R₈可為氫原子或甲基；p可為0至12之整數；且a、b及c可為莫耳比且可滿足條件a+b+c=1，其中0.5a0.9，0.05b0.2，且0.05c0.3。

在一些實施例中，R₁可為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、 己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、甲基-丙基、甲基-丁基、二甲基-丙基、二甲基-丁基、甲基-戊基、二甲基-戊基、三甲基-丁基、甲基-己基、四甲基-丁基、二甲基-己基、乙基-己基、甲基-庚基、三甲基-戊基、三甲基-己基、乙基甲基-己基、二甲基-庚基、乙基-庚基、乙基二甲基-己基、四甲基-己基、二乙基甲基-戊基、乙基三甲基-戊基、二甲基-辛基、三甲基-庚基、乙基-辛基、三甲基-辛基、乙基甲基-辛基、甲基-癸基、丙基-辛基、丙基-壬基、異丙基-壬基、乙基-癸基、甲基-十一烷基、二甲基-癸基、二甲基-丙基-庚基、四甲基-辛基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、或降冰片烯基(norbornanyl)。

在一些實施例中，R₂、R₃及R₄可各自獨立為氫原子、甲基、 乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲基-丙基、甲基-丁基、二甲基-丙基、乙基-丙基、二甲基-丁基、乙基-丁基、或甲基-戊基。

在一些實施例中，R₅及R₆可各自獨立為氫原子、甲基、乙基、 丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、甲基-丙基、甲基-丁基、二甲基-丙基、二甲基-丁基、甲基-戊基、二甲基-戊基、三甲基-丁基、甲基-己基、四甲基-丁基、二甲基-己基、乙基-己基、甲基-庚基、三甲基-戊基、三甲基-己基、乙基甲基-己基、二甲基-庚基、乙基-庚基、乙基二甲基-己基、四甲基-己基、二乙基甲基-戊基、乙基三甲基-戊基、二甲基-辛基、三甲基-庚基、或乙基-辛基。

在一些實施例中，R₇可為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、 己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、甲基-丙基、甲基-丁基、二甲基-丙基、二甲基-丁基、甲基-戊基、二甲基-戊基、三甲基-丁基、甲基-己基、四甲基-丁基、二甲基-己基、乙基-己基、甲基-庚基、三甲基- 戊基、三甲基-己基、乙基甲基-己基、二甲基-庚基、乙基-庚基、乙基二甲基-己基、四甲基-己基、二乙基甲基-戊基、乙基三甲基-戊基、二甲基-辛基、三甲基-庚基、乙基-辛基、三甲基-辛基、乙基甲基-辛基、甲基-癸基、丙基-辛基、丙基-壬基、異丙基-壬基、乙基-癸基、甲基-十一烷基、二甲基-癸基、二甲基-丙基-庚基、四甲基-辛基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、降冰片烯基、苯基、萘基、茚基、或聯苯基；或苯基、萘基、茚基、或聯苯基，每一者經鹵素基團、C₁-C₄烷基、C₁-C₄烷氧基、或諸如此類取代。

在一些實施例中，該等聚合物化合物中之二或更多者可經交 聯，以共用R₁及R₇中之任一者或每一者。舉例而言，R₁之兩個末端可各自鏈接至羧酸酯基團，該羧酸酯基團連接至二個聚合物之降冰片烯以在該二個聚合物之間形成交聯鍵。在一些實施例中，獨立地或額外地關於R₁，R₇之兩個末端可各自鏈接至二個聚合物之骨架的羧酸酯基團以在該二個聚合物之間形成交聯鍵。舉例而言，二個聚合物可藉助連接至降冰片烯之羧酸酯基團共用十二烷基以形成交聯鍵。在一些實施例中，二個聚合物藉助其骨架之羧酸酯基團共用十二烷基以形成交聯鍵。該交聯鍵可存在於二個聚合物之間或複數個聚合物之中，以產生網絡結構。

在一些實施例中，該等聚合物化合物中之三或更多者可經交 聯，以共用為具支鏈烷基之R₇。舉例而言，三個聚合物可藉助其骨架之羧酸酯基團連接至12-十二烷基-二十四烷基之三個末端以形成交聯鍵。該交聯鍵可存在於三個聚合物之間或複數個聚合物之中，以產生網絡結構。在一些實施例中，自藉助R₇交聯之聚合物化合物中，二或更多個聚合物化合物可額外經交聯，以共用R₁。

由於包含交聯鍵，聚合物可具有剛性結構，且因此可能夠形 成一具有增加之化學耐性的有機層。

在一些實施例中，該聚合物化合物之重量平均分子量可處於約1,000至約100,000之範圍內。

由於包含脂肪族環狀聚合物結構，包含由式1代表之重複單元的聚合物化合物可具有較脂肪族聚合物高之在製程期間抵抗電漿或化學材料之物理及化學穩定性。

詳細地，聚合物化合物之重複單元可由下式2代表：

式2中之R₁及R₇係與式1中結合R₁及R₇所闡述者相同。

在一些實施例中，具有由式2代表之重複單元的該等聚合物化合物中之二或更多者可經交聯，以共用R₁及R₇中之任一者或每一者，如上所述。

在一些實施例中，具有由式2代表之重複單元的該等聚合物化合物中之三或更多者可經交聯，以共用為具支鏈烷基之R₇。就此而言，自藉助R₇交聯之該等聚合物化合物之中，二或更多個聚合物化合物可額外經交聯，以共用R₁。

在一些實施例中，具有由式2代表之重複單元的聚合物化合 物可具有約1,000至約100,000之重量平均分子量。

舉例而言，該聚合物化合物可具有由式3代表之重複單元：

式3之重複單元可具有A13部分、B13部分、及C13部分，且由於包含該等部分，可形成降冰片烯與丙烯酸酯之混合聚合物。

式3中之複數個I可各自獨立為1至9之整數。

在一些實施例中，該聚合物化合物可具有由式4代表之重複單元：<式4>

式4之重複單元可具有A2部分、B2部分、及C2部分，且因此可形成降冰片烯與丙烯酸酯之混合聚合物。而且，在該A2部分與該C2部分中交聯鍵之存在下，該聚合物化合物之密度及剛度可增加，且因此藉由使用該聚合物化合物形成之有機層的化學耐性可增加。

式4中之複數個m可各自獨立為1至12之整數，且複數個a可各自獨立具不同的值、複數個b可各自獨立具不同的值、及複數個c可各自獨立具不同的值。

在一些實施例中，該聚合物化合物可全部或部分地具有由式5代表之重複單元：<式5>

式5之重複單元可具有A3部分、B3部分、及C3部分，且由於包含該等部分，可形成降冰片烯與丙烯酸酯之混合聚合物。

在一些實施例中，在該A3部分與該C3部分中交聯鍵之存在下，該聚合物化合物之密度及剛度可增加，且因此藉由使用該聚合物化合物形成之有機層的化學耐性可增加。

在式5中，複數個n可各自獨立為1至12之整數，且複數個a可各自獨立具不同的值、複數個b可各自獨立具不同的值、及複數個c可各自獨立具不同的值。

式3至式5中之a、b、及c可與式1中所述相同，且複數個a、b、及c可各自獨立具不同的值。

第1圖係根據本發明之一實施例一有機發光顯示裝置100的示意性剖視圖。

參見第1圖，一有機發光裝置110可形成於一基材101上，且一封裝層120可形成於有機發光裝置110上。

有機發光裝置110可包含一第一電極111及一第二電極115，及一形成於第一電極111與第二電極115之間的有機發射層113。

在一封裝層120中，有機層122及無機層121可交替堆疊。就此而言，封裝層120之最下層(亦即，封裝層120之一接觸一有機發光裝置110之層)及封裝層120之最上層(亦即，封裝層120之最外層)係無機層121。

一有機層122可包含由式1代表之聚合物化合物。有機層122可減輕一施加至一無機層121之應力且可使無機層121平坦化。有機層122之厚度可根據無機層121之特性及生產力、及裝置特性來確定。舉例而言，有機層122之厚度可處於約1微米至約10微米之一範圍內。

在下文中，將闡述一種根據本發明之一實施例製造一有機發光顯示裝置之方法。

首先，提供一基材101。基材101可為玻璃基材、塑膠基材、或由各種材料(例如矽或金屬)形成之基材。

可形成一緩衝層(未顯示)於基材101上。該緩衝層防止來自基材101之雜質元素或離子擴散至設置於基材101上方之有機發光裝置110的薄膜電晶體及防止濕氣滲透。而且，該緩衝層可使表面平坦化。

在一些實施例中，可形成一薄膜電晶體(未顯示)於基材101上，作為驅動有機發光裝置110之一電路。

可形成有機發光裝置110於基材101上。有機發光裝置110可 電性連接至該薄膜電晶體。有機發光裝置110可包含一第一電極111及一第二電極115，及一形成於第一電極111與第二電極115之間的有機發射層113。

第一電極111可為陽極，且在此情形中，可使用具有高功函 數且允許平穩地提供電洞之材料來形成第一電極111。第一電極111可為透射電極或反射電極。

第一電極111可藉由使用例如氧化銦錫(indium tin oxide； ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZnO)、Al摻雜之氧化鋅(AZO)、氧化銦(In₂O₃)、或氧化錫(SnO₂)來形成。

在一些實施例中，第一電極111可藉由使用以下形成為反射 電極：鎂(Mg)、銀(Ag)、鋁(Al)、鋁：鋰(Al：Li)、鈣(Ca)、銀：氧化銦錫(Ag：ITO)、或鎂：銦(Mg：In)或鎂：銀(Mg：Ag)。

第一電極111可具有單層結構或多層結構。第一電極111可藉 由沉積或濺鍍形成。

有機發射層113可包含至少一發射層(emissive layer； EML)，且可額外包含選自電洞注入層(hole injection layer；HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、電子傳輸層(electron transport layer；ETL)、及電子注入層(electron injection layer；EIL)中之至少一層。

可使用低分子量材料或聚合物形成有機發射層113，且可藉 由使用各種方法來形成，例如真空沉積法、旋轉塗佈法、澆鑄法、或朗謬-布洛傑(Langmuir-Blodgett，LB)法。

該HIL可藉由使用例如以下材料來形成：酞菁化合物 (phthalocyanine compound)例如銅酞菁、N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-間 -甲苯基-胺基)-苯基]-聯苯-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4'4"-三(N,N-二苯基胺基)三苯胺(TDATA)、4,4',4"-三{N-(2-萘基)-N-苯基胺基}-三苯胺(2T-NATA)、聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)、或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)，但其他材料可代替地用來形成該HIL。

該HTL可藉由使用咔唑衍生物(例如，N-苯基咔唑及聚乙烯 基咔唑)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)、或基於三苯胺之材料(例如，4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))形成，但其他材料可代替地用來形成該HTL。

該ETL可藉由使用以下形成：Alq₃、2,9-二甲基-4,7-二苯基 -1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-第三丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、雙(2-甲基-8-喹啉醇根合-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-醇根合)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-biphenyl-4-olato)aluminum，BAlq)、雙(苯並喹啉-10-醇根合)鈹(Bebq₂)、或9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)，但其他材料可代替地用來形成該ETL。

該EIL可藉由使用LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq、或 諸如此類形成。

該EML可包含主體材料及摻雜劑材料。

該主體材料之實例可為三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、4,4'-雙(N- 咔唑基)-1,1'-聯苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、雙芪類(distyrylarylene，DSA)、9,9-二乙基-2-(9,9-二乙基-2-(9,9-二乙基-9H-茀-2-基)-9H-茀-7-基)-9H-茀(E3)、及4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯(CDBP)，但不限於該等。

該摻雜劑材料之實例可為八乙基卟啉Pt(II)(PtOEP)、三(2- 苯基異喹啉)銥(Ir(piq)₃)、雙(2-(2'-苯並噻吩基)-吡啶根基-N,C3')(乙醚丙酮酸)銥(Btp₂Ir(acac))、三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)₃)、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮酸)銥(III)(Ir(ppy)₂(acac))、三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)銥(Ir(mppy)₃)、10-(2-苯並噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H,11H-[1]苯並吡喃並[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮(C545T)、雙[3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基](吡啶甲酸)銥(III)(F₂Irpic)、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、4,4'-雙(2,2'-二苯乙烯-1-基)聯苯(DPVBi)、4,4'-雙[4-(二苯基胺基)苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)、及2,5,8,11-四-第三丁基苝(TBPe)，但不限於該等。

第二電極115可為陰極，且在此情形中，第二電極115可藉由 使用金屬、合金、導電化合物、或該等中之二或更多者之混合物來製備，其每一者具有低功函數。

第二電極115可為，例如，透明電極或反射電極。

當第二電極115係透明電極時，第二電極115可包含使用鋰 (Li)、鈣(Ca)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)、LiF-Al、LiF-Ca、或其混合物形成之薄膜及在其上使用透明導電材料(例如 ITO、IZO、ZnO或In₂O₃)形成之輔助電極。

在一些實施例中，當第二電極115係反射電極時，舉例而言， 第二電極115可藉由使用鋰(Li)、鈣(Ca)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)、LiF-Al、LiF-Ca、或其混合物形成。第二電極115可藉由使用濺鍍或真空沉積形成。

封裝層120可形成於有機發光裝置110上。

無機層121可藉由使用(例如)以下形成：氧化矽、氮化矽、 氧氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、氧化鉿、氮化鉿、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈰、氮化鈰、氧化錫、氮化錫、或氧化鎂。

無機層121的最佳厚度可在考慮生產力或裝置特性之情形下 決定。舉例而言，無機層121可具有約500奈米至約10微米之厚度。無機層121可藉由化學氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、濺鍍、原子層沉積(ALD)、或熱蒸發來形成。

有機層122可形成於無機層121上。有機層122可藉由使用具 有式1至5中之一者代表之重複單元的聚合物化合物形成。由具有式1至5之重複單元的聚合物化合物形成之有機層122可藉由(例如)相應單體之混合、急驟蒸發、或UV固化誘導之自由基聚合來形成。然而，可使用其他方法來形成有機層122。可將單體之混合物塗佈於基材上並聚合以藉由急驟蒸發及UV固化形成聚合物有機層。

有機層122之厚度可在考慮無機層121之特性、生產力、及裝 置特性之情形下決定。舉例而言，有機層122之厚度可在約1微米至約10微 米之範圍內。

具有由式1代表之重複單元的聚合物化合物亦可用於薄膜封 裝除有機發光裝置膜以外之其他電子裝置。在一些實施例中，具有由式1代表之重複單元的聚合物化合物可用於平坦化電子裝置之金屬層及製造電子裝置期間生成之粒子。

合成方法

具有由式1代表之重複單元之聚合物化合物的合成

具有式1之重複單元的聚合物化合物可藉由以下反應流程1 中所圖解說明之單體的自由基聚合來形成。參照以下反應流程1，紫外(UV)線輻照包括單體A1'、單體B1'、及單體C1'(分別對應於式1中之A1部分、B1部分、及C1部分)及起始劑之混合物以形成自由基，且所形成之自由基連續地引起自由基聚合，以合成具有由式1代表之重複單元的聚合物化合物。就此而言，A1'、B1'及C1'之莫耳比可考慮式1中之a、b、及c之比率來控制。該起始劑可選自適用於該自由基聚合之起始劑。

在反應流程1中，R₁至R₇可與式1中結合R₁及R₇所闡述者相 同。

具有由式3代表之重複單元之聚合物化合物的合成

對應於式3中之A13的單體A13'可根據反應流程2來合成：

對應於式3中之C13的單體C13'可根據反應流程3來合成：

具有式3之重複單元的聚合物化合物係以與用於合成具有式1之重複單元的聚合物化合物相同之方式合成，唯A13'及C13'分別用於代替A1'及C1'，且在反應流程1中使用其中R₅及R₆各自為氫之B1'。關於反應流程2及反應流程3，當R₁為-(CH₂)_l-CH₃時，A13'及C13'分別對應於式3中之A13及C13。就此而言，A13'、B1'、及C13'之莫耳比可視式3中之a、b、及c之比率來決定。

具有由式4代表之重複單元之聚合物化合物的合成

對應於式4中之A2的單體A2'可根據反應流程4來合成：

對應於式4中之C2的單體C2'可根據反應流程5來合成：

具有式4之重複單元的聚合物化合物係以與用於合成具有式1之重複單元的聚合物化合物相同之方式合成，唯A2'及C2'分別用於代替A1'及C1'，且在反應流程1中使用其中R5及R6各自為氫之B1'。就此而言，A2'、B1'、及C2'之莫耳比可視式4中之a、b、及c之比率來決定。

反應流程4及反應流程5中之m可為1至12之整數。

具有由式5代表之重複單元之聚合物化合物的合成

對應於式5中之C3的單體C3'可根據反應流程6來合成：

具有式5之重複單元的聚合物化合物係以與用於合成具有式 1之重複單元的聚合物化合物相同之方式合成，唯A2'及C3'分別用於代替A1'及C1'，且在反應流程1中使用其中R₅及R₆各自為氫之B1'。就此而言，A2'、B1'、及C3'之莫耳比可視式5中之a、b、及c之比率來決定。反應流程6中之n可為1至12之整數。

實例

藉由使用異丙醇及純水將康寧公司(Corning,Inc.)製造之 15歐姆/平方公分(Ω/cm²)(1,200埃(Å))ITO玻璃基材超音波處理，各持續5分鐘，且然後藉由暴露於紫外線及臭氧達30分鐘，以在基材上形成陽極。在該ITO玻璃基材上形成具有包括電洞傳輸層、發射層、電子傳輸層、及陰極之堆疊結構的有機發光裝置。將氧化鋁真空沉積於該有機發光裝置上以形成厚度為10,000埃之無機層。將包括單體A2'(m=12)、單體C3'(n=12)、單體B1'(R₅及R₆各自為氫)、及起始劑之混合物藉由急驟蒸發沉積於該無機層並UV固化該等單體以形成有機層，該有機層之厚度為20,000Å且係由具有式5之重複單元的聚合物化合物(重量平均分子量(Mw)為7,000)形成。就此而言，混合物中之單體A2'：單體B1'：單體C3'之莫耳比為7：2：1。

將氮化矽真空沉積於該有機層上以形成厚度為10,000埃之 無機層，以形成有機發光顯示裝置。

比較實例

有機發光顯示裝置係以與實例中相同之方式製造，唯該有機層係藉由使用聚丙烯酸酯代替具有式5之重複單元的聚合物化合物而形成。

測試

將根據該實例及該比較實例製造之有機發光顯示裝置在 85℃之溫度下在90%之濕度中驅動並每48小時監測黑斑之形成。第2圖及第3圖係分別根據該實例及該比較實例製造之有機發光顯示裝置在驅動240小時後之光學顯微影像。如第2圖中所示，驅動240小時之後，在根據比較實例製造之有機發光顯示裝置上出現複數個黑斑。然而，如第3圖中所示，甚至在驅動240小時之後，在根據實例製造之有機發光顯示裝置上未出現黑斑。

先前技術之有機層中所用之丙烯酸酯可在形成無機層期間 被電漿損壞。舉例而言，如以下流程中所圖解說明，可發生熱分解，生成氣體，此隨時間造成漸進性(progressive)黑斑，如第2圖中所示。

然而，在具有式5之重複單元的聚合物化合物之情形中，由 於降冰片烯結構之環狀結構及/或交聯鍵，製程期間之熱分解可受到抑制，且因此可阻止漸進性黑斑之形成，如第3圖中所示。

根據本發明之實施例的有機發光顯示裝置可具有薄膜封裝 結構，其具有易於控制之膜形成特性、抵抗在製程期間施加至其的物理及化學影響之穩定性、及抵抗濕氣及外部氣體之經改良障壁特性。

應瞭解，該等實例性實施例應僅以闡述性意義而非出於限制 目的考慮。各實例性實施例內之特徵或態樣之描述通常應視為適用於其他實例性實施例中之其他類似特徵或態樣。

儘管已參照圖闡述本發明之一或多個實例性實施例，但熟悉 此項技術者應理解，本發明可在不背離由以下申請專利範圍界定之本發明精神及範疇之情形下對形式及細節做出各種改變。

Claims (20)

1. 一種聚合物化合物，其具有由式1代表之重複單元： 其中在式1中，R₁係直鏈、具支鏈或環狀C₁-C₁₂烷基，R₂、R₃、及R₄係各自獨立為氫原子或直鏈或具支鏈C₁-C₆烷基，R₅及R₆係各自獨立為氫原子或直鏈或具支鏈C₁-C₂₀烷基，R₇係氫原子或直鏈、具支鏈或環狀C₁-C₁₂烷基或C₆-C₁₂芳基，R₈係氫原子或甲基，且p係自0至12之整數，且a、b及c各自係莫耳比，且滿足條件a+b+c=1，其中0.5a0.9，0.05b0.2，且0.05c0.3。
2. 如請求項1所述之聚合物化合物，其中該等聚合物化合物中之二或更多者係經交聯，以共用R₁及R₇中之任一者或每一者。
3. 如請求項1所述之聚合物化合物，其中該等聚合物化合物中之三或更多者係經交聯，以共用為具支鏈烷基之R₇。
4. 如請求項3所述之聚合物化合物，其中 自該等經交聯之聚合物化合物之中，二或更多個聚合物化合物係經額外交聯，以共用R₁。
5. 如請求項1所述之聚合物化合物，其中該聚合物化合物具有約1,000至約100,000之重量平均分子量。
6. 如請求項1所述之聚合物化合物，其中該重複單元係由式2代表： 其中R₁及R₇係各自獨立為直鏈或具支鏈C₁-C₁₂烷基。
7. 如請求項6所述之聚合物化合物，其中該等聚合物化合物中之二或更多者係經交聯，以共用R₁及R₇中之任一者或每一者。
8. 如請求項6所述之聚合物化合物，其中該等聚合物化合物中之三或更多者係經交聯，以共用為具支鏈烷基之R₇。
9. 如請求項8所述之聚合物化合物，其中自該等經交聯之聚合物化合物之中，二或更多個聚合物化合物係經額外交聯，以共用R₁。
10. 如請求項6所述之聚合物化合物，其中 該聚合物化合物具有約1,000至約100,000之重量平均分子量。
11. 如請求項1所述之聚合物化合物，其中該重複單元係由式3代表： 其中複數個I係各自獨立為1至9之整數。
12. 如請求項2所述之聚合物化合物，其中該重複單元係由式4代表： 其中，複數個m係各自獨立為1至12之整數。
13. 如請求項4所述之聚合物化合物，其中 該重複單元係部分地或全部由式5代表： 其中複數個n係各自獨立為1至12之整數。
14. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基材；一有機發光裝置，位於該基材上；及一封裝層，位於該有機發光裝置上，該封裝層包含交替堆疊之一無機層及一有機層，其中該有機層包含如請求項1所述之聚合物化合物。
15. 如請求項14所述之有機發光顯示裝置，其中該封裝層包含一最下層及一最上層，其各自為一無機層。
16. 如請求項14所述之有機發光顯示裝置，其中該無機層具有約500奈米至約10微米之厚度。
17. 如請求項14所述之有機發光顯示裝置，其中該有機層具有約1微米至約10微米之厚度。
18. 如請求項14所述之有機發光顯示裝置，其中該無機層包含至少一選自以下者：氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、氧化鉿、氮化鉿、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈰、氮化鈰、氧化錫、氮化錫、及氧化鎂。
19. 如請求項14所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光裝置包含第一電極、第二電極、及一有機發射層位於該第一電極與該第二電極之間。
20. 如請求項19所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光裝置進一步包含至少一選自以下之層：電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、及電子傳輸層，其中該至少一層係位於該第一電極與該第二電極之間。