KR101964151B1 - 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

평판 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

평판 표시 장치 및 이의 제조 방법{Flat display device and method for preparing the same}
평판 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이에 개재된 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드 등을 포함할 수 있다. 상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하는데, 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 이와 같은 유기 발광 소자를 포함한 유기 발광 장치(organic light emitting device)는, 구동 트랜지스터 또는 스위칭 트랜지터 등을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 산소 및/또는 수분에 의하여 열화될 수 있으므로, 고품질의 유기 발광 장치를 구현하기 위하여, 유기 발광 소자에 대한 효과적인 밀봉 수단이 요구된다.
발광 소자에 대한 산소 및/또는 수분 침투가 방지되어 장수명을 제공할 수 있는 밀봉 수단을 구비한 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 형성된 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 덮는 봉지층;을 포함하고, 상기 봉지층은, 유기막(organic film), 무산소(oxygen-free) 버퍼층 및 무기막(inorganic film)이 차례로 적층된 봉지 단위(sealing unit)를 적어도 하나 포함한, 평판 표시 장치가 제공된다.
상기 봉지층은, 상기 봉지 단위를 1개 내지 10개 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 제1전극, 상기 제1전극에 대향된 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 유기층을 포함한 유기 발광 소자일 수 있다.
상기 유기막은 아크릴레이트계 물질, 메타크릴레이트계 물질, 비닐계 물질, 에폭시계 물질, 우레탄계 물질, 셀롤로오즈계 물질 및 실란계 물질 중 적어도 하나의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 무산소 버퍼층은 하기 화학식 1로 표시되는 무산소-물질을 포함할 수 있다:
<화학식 1>
(Ar1)-(R1)p
상기 화학식 1 중,
Ar1은 구성 원자로서 산소를 포함하지 않은 모노시클릭(nomocyclic) 코어 또는 폴리시클릭(polycyclic) 코어이고;
R1는 수소, 할로겐 원자, C1-C60알킬기, C6-C60아릴기 또는 -Si(R10)(R11)(R12)이고, 상기 R10 내지 R12는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기 또는 C6-C60아릴기이고;
p는 1 내지 10의 정수이다.
상기 무기막은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물 및 금속 산화질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 봉지층은, 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 더 포함할 수 있다.
상기 봉지층은 2 이상의 유기막과 2 이상의 무기막을 더 포함하고, 상기 2 이상의 유기막과 상기 2 이상의 무기막은 서로 교번 적층되어 있을 수 있다.
상기 봉지층은, 상기 봉지 단위의 하부에 형성된 하부 무기막을 더 포함할 수 있다.
상기 평판 표시 장치는, 상기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에 캡핑층 및 보호층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 기판 상에 발광 소자를 형성하는 단계; 및 상기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 봉지층 형성 단계는, 유기막, 무산소 버퍼층 및 무기막이 차례로 적층된 봉지 단위를 적어도 하나 형성하는 공정을 포함하는, 평판 표시 장치의 제조 방법가 제공된다.
상기 무기막은 산소 가스 또는 산소 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링법(reactive sputtering) 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 평판 표시 장치의 밀봉층은 발광 소자(예를 들면, 유기 발광 소자)에 대한 수분 및/또는 산소의 침투를 실질적으로 방지할 수 있으므로, 상기 밀봉층을 구비한 평판 표시 장치는 장수명을 가질 수 있다.
도 1은 상기 평판 표시 장치의 일 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 상기 평판 표시 장치의 다른 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 상기 평판 표시 장치의 또 다른 구현예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 구현예들을 설명하면 하기와 같다.
도 1의 평판 표시 장치(1)는 기판(10), 상기 기판(10) 상에 형성된 발광 소자(20), 및 상기 발광 소자(20)를 덮는 봉지층(100)을 포함한다.
상기 소자 기판(10)은 통상적인 평판 표시 장치에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 무기물로 이루어지거나, 투명한 플라스틱 재료의 절연성 유기물로 이루어질 수 있다. 상기 절연성 유기물은, 예를 들면, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(10) 상에는 발광 소자(20)가 형성되어 있는데, 상기 발광 소자(20)는, 제1전극(21), 유기층(23) 및 제2전극(25)을 포함한 유기 발광 소자이다.
상기 제1전극(21)은 기판(10) 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(21)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(21)은 반사형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(13)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(21)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(13)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(21) 상부로는 유기층(23)이 구비되어 있다.
상기 유기층(23)은 발광층 및 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층, 전자 저지층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기층(23)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층이 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다.
먼저, 정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(21) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 주입 물질로는 공지된 정공 주입 물질을 사용할 수 있는데, 공지된 정공 주입 물질로는, 예를 들면, N,N′-디페닐-N,N′-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4′-디아민(N,N′-diphenyl-N,N′-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4′-diamine: DNTPD), 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112012055151813-pat00001
Figure 112012055151813-pat00002
Figure 112012055151813-pat00003
다음으로 상기 정공 주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층(HTL)을 형성할 수 있다.
정공 수송 물질로는 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012055151813-pat00004
Figure 112012055151813-pat00005
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 호스트로서, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012055151813-pat00006
ADN
Figure 112012055151813-pat00007
한편, 청색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012055151813-pat00008
Figure 112012055151813-pat00009
Figure 112012055151813-pat00010
Figure 112012055151813-pat00011
Figure 112012055151813-pat00012
Figure 112012055151813-pat00013
DPAVBi
Figure 112012055151813-pat00014
TBPe
에를 들어, 적색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012055151813-pat00015
Figure 112012055151813-pat00016
Figure 112012055151813-pat00017
Figure 112012055151813-pat00018
에를 들어, 녹색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012055151813-pat00019
Figure 112012055151813-pat00020
다음으로 발광층 상부에 전자 수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자 수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 상기 전자 수송층 재료로는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 공지의 전자 수송 물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자 수송 물질의 예로는, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), ADN, 화합물 201, 화합물 202 등과 같은 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012055151813-pat00021
Figure 112012055151813-pat00022
<화합물 201> <화합물 202>
Figure 112012055151813-pat00023
Figure 112012055151813-pat00024
Figure 112012055151813-pat00025
BCP
또는, 상기 전자 수송층은 공지의 전자 수송성 유기 화합물 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 화합물은 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체의 비제한적인 예로는, 리튬 퀴놀레이트(LiQ) 또는 하기 화합물 203 등을 들 수 있다:
<화합물 203>
Figure 112012055151813-pat00026
또한 전자 수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
상기 전자 주입층 형성 재료로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 유기층(23) 상부로는 제2전극(25)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(25)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
도 1의 평판 표시 장치(1)는 발광 소자(20)을 덮는 봉지층(100)을 포함한다. 상기 봉지층(100)은 외부 환경의 수분 및/또는 산소가 발광 소자(20)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이로써, 상기 평판 표시 장치(1)는 장수명을 가질 수 있다.
상기 봉지층(100)은 제1봉지 단위(100A)를 포함한다. 상기 제1봉지 단위(100A)는 제1유기막(111), 제1무산소 버퍼층(115) 및 제1무기막(113)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
본 명세서 중 "(서로 다른 2 이상의 층이) 차례로 적층된다"란 표현은, 서로 다른 2 이상의 층의 수직 배열 순서를 나타낸 것이다. 여기서, 상기 서로 다른 2 이상의 층의 적층 방법은 한정되지 않으며, 서로 다른 2 이상의 층은 공지된 모든 방법을 사용하여 적층될 수 있다. 한편, 서로 다른 2 이상의 층들 사이에는 다른 층이 개재될 수도 있다.
상기 제1유기막(111)은 제1유기막(111) 하부 구조를 평탄화시키고, 봉지층(100)에 플렉서블 특성을 제공하는 역할을 할 수 있다. 상기 제1유기막(111)은 유기물을 포함할 수 있다.
본 명세서 중 상기 유기물이란, "탄소-수소 단일 결합"을 적어도 하나 포함한 물질을 가리킨다.
상기 제1유기막(111)은 봉지층 재료로서 공지된 유기물 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1유기막(111)은 광 및/또는 열에 의하여 경화될 수 있는 경화성(curable) 물질의 경화물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1유기막(111)은 아크릴레이트계 물질, 메타크릴레이트계 물질, 비닐계 물질, 에폭시계 물질, 우레탄계 물질, 셀롤로오즈계 물질 및 실란계 물질 중 적어도 하나의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 아크릴레이트계 물질의 예로서, 부틸아크릴레이트, 에틸헥실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 등을 들 수 있고, 상기 메타크릴레이트계 물질의 예로서, 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트 등을 들 수 있고, 상기 비닐계 물질의 예로서 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있고, 상기 에폭시계 물질의 예로서, 싸이클로알리파틱 에폭사이드, 에폭시 아크릴레이트, 비닐 에폭시, 에폭시 실리케이트 등을 들 수 있고, 상기 우레탄계 물질의 예로서, 우레탄 아크릴레이트 등을 들 수 있고, 상기 셀룰로오즈계 물질의 예로서, 셀룰로오즈나이트레이트 등을 들 수 있고, 상기 실란계 물질의 예로서, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane), 비닐트리에톡시실란, 비닐 실란, 아미노프로필트리메톡시실란, 메타크릴레이트 실란, 페닐 실란, 3-트리(메톡시실릴)프로필 아크릴레이트 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1유기막(111)은 말단기로서, 카르복실산기, 아크릴레이트기 등과 같이 산소를 포함한 말단기를 포함한 유기물을 포함할 수 있다.
상기 제1유기막(111)의 두께는 100nm 내지 10000nm, 예를 들면 500nm 내지 10000nm, 구체적으로, 1000nm 내지 5000nm일 수 있다. 상기 제1유기막(111)의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 제1유기막(111) 하부는 효과적으로 평탄화될 수 있다.
상기 제1유기막(111) 상에는 제1무산소 버퍼층(115)이 형성되어 있다.
상기 제1무산소 버퍼층(115)에는 산소가 비존재한다. 예를 들어, 상기 제1 무산소 버퍼층(115)은 무산소-물질로 이루어진다. 상기 제1무산소 버퍼층(115)는 1종의 무산소-물질로 이루어지거나, 2종 이상의 서로 상이한 무산소-물질로 이루어질 수 있다.
상기 무산소-물질은 상기 발광 소자(20)의 유기층(23)에 사용될 수 있는 공지된 정공 주입층 재료, 정공 수송층 재료 발광층 재료(예를 들면 발광층 재료 중 호스트), 전자 수송층 재료 중에서 선택될 수 있다. 또는 상기 발광 소자(20)와 봉지층(100) 사이에 개재될 수 있는 후술할 캡핑층 재료일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1무산소 버퍼층(115)은 하기 화학식 1로 표시되는 무산소-물질을 포함할 수 있다:
<화학식 1>
(Ar1)-(R1)p
상기 화학식 1 중, Ar1은 구성 원자로서 산소를 포함하지 않은 모노시클릭(nomocyclic) 코어 또는 폴리시클릭(polycyclic) 코어일 수 있다.
예를 들어, 상기 Ar1은 벤젠(benzene), 펜탈렌(pentalene), 인덴(indene), 나프탈렌(naphthalene), 아줄렌(azulene), 헵탈렌(heptalene), 비페닐렌(biphenylene), 인다센(indacene), 아세나프탈렌(acenaphthalene), 플루오렌(fluorene), 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 안트라센(anthracene), 플루오란텐(fluoranthene), 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타센(pentacene), 펜타펜(pentaphene), 헥사센(hexacene), 파릴렌(parylene), 인단(indan), 아세나프텐(acenaphthene), 콜란트렌(cholanthrene), 펜타펜(pentaphene), 테트라페닐렌(tetraphenylene), 루비센(rubicene), 코로넨(coronene), 또는 오발렌(ovalene)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, R1는 수소, 할로겐 원자, C1-C60알킬기, C6-C60아릴기 또는 -Si(R10)(R11)(R12)이고, 상기 R10 내지 R12는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기 또는 C6-C60아릴기일 수 있다. 예를 들어, 상기 R1은 수소, -F, -Cl, C1-C10알킬기, 페닐기, 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프탈레닐기(naphthalenyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 비페닐레닐기(biphenylenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프탈레닐기(acenaphthalenyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타세닐기(pentacenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 또는 -Si(R10)(R11)(R12)이고, 상기 R10 내지 R12는 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, 페닐기, 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프탈레닐기(naphthalenyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 비페닐레닐기(biphenylenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프탈레닐기(acenaphthalenyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타세닐기(pentacenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 또는 헥사세닐기(hexacenyl)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중 p는 1 내지 10의 정수이다. 상기 p는 R1의 개수를 나타낸 것이다. p가 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 제1무산소 버퍼층(115)은 하기 화합물 1 내지 10 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112012055151813-pat00027
Figure 112012055151813-pat00028
상기 제1무산소 버퍼층(115)의 두께는 10nm 내지 5000nm, 예를 들면, 50nm 내지 1000nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1무산소 버퍼층(115)의 두께가 상술한 바를 만족할 경우, 제1무기막(113) 형성시 제1유기막(111)의 손상이 실질적으로 방지되면서, 플렉서블 특성을 갖는 봉지층(100)을 구현할 수 있다.
상기 제1무산소 버퍼층(115) 상에는 제1무기막(113)이 형성되어 있다.
상기 제1무기막(113)은 외부 환경의 수분 및/또는 산소가 발광 소자(20)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 제1무기막(113)은 봉지층 재료로서 사용되는 공지의 무기물 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기막(113)은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물 및 금속 산화질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기막(113)은 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화물 및 알루미늄 산화질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또 다른 예로서, 상기 제1무기막(113)은 SiO2, SiC, SiN, SiON, In2O3, TiO2 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1무기막(113)의 두께는 10nm 내지 5000nm, 예를 들면, 50nm 내지 1000nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1무기막(113)의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 봉지층(100)은 우수한 밀봉 특성을 제공할 수 있다.
상기 제1무기막(113)은 스퍼터링, 반응성 스퍼터링(reactive sputtering), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 증발(evaporation), 전자 사이클로트론-공명 플라즈마 강화 화학 기장 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착 등을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기막(113)은 산소 가스 또는 산소 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링법(reactive sputtering) 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1무산소 버퍼층(115)은 제1무기막(113) 형성시 그 하부의 제1유기막(111)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 제1무기막(113)은 상술한 바와 같은 무기물을 포함하는 바, 이의 형성시 상대적으로 고에너지를 필요로 하는 성막법, 예를 들면 플라즈마를 이용한 CVD를 이용할 수 있다.
예를 들어, 산소 플라즈마를 이용한 CVD를 이용하여 제1무기막(113)을 형성할 경우, 상기 산소 플라즈마에 의하여 발생한 산소 이온, 산소 라디칼, 자외선 등에 의하여 그 하부의 제1유기막(111)에 포함된 유기물이 손상(예를 들면, 제1유기막(111)에 포함된 유기물이 분해됨)될 수 있다. 여기서, 제1유기막(111)이 카르복실기, 아크릴레이트 등과 같은 산소를 포함한 말단기를 갖는 유기물을 포함할 경우, 손상된 제1유기막(111)에서는 산소(O2) 및/또는 수분(H2O)이 발생할 수 있고, 상기 제1유기막(111)에서 생성된 산소 및/또는 수분은 발광 소자(20)까지로 확산되어 발광 소자(20) 열화(예를 들면, 평판 표시 장치(1)의 보관 및/또는 구동시 암점 발생 등)의 원인이 될 수 있다.
그러나, 상기 제1유기막(111) 상부의 제1무산소 버퍼층(115)에 의하여, 제1무기막(113) 형성시 사용한 산소 플라즈마에 의하여 발생한 산소 이온, 산소 라디칼, 자외선 등이 제1유기막(111)에 도달하는 것이 방지될 수 있다. 뿐만 아니라, 제1무산소 버퍼층(115)은 산소를 포함하지 않기 때문에, 제1무기막(113) 형성시 사용한 산소 플라즈마에 의하여 발생한 산소 이온, 산소 라디칼, 자외선 등에 의하여 제1무산소 버퍼층(115)이 손상되더라도, 산소(O2) 및/또는 수분(H2O)의 생성이 방지될 수 있다.
따라서, 제1유기막(111), 제1무산소 버퍼층(115) 및 제1무기막(113)을 포함한 제1밀봉 단위(100A)를 포함한 봉지층(100)은 발광 소자(20)에 대한 우수한 밀봉 특성을 제공할 수 있어, 도 1의 평판 표시 장치(1)은 장수명을 가질 수 있다.
상기 봉지층(100)은 상술한 바와 같은 제1밀봉 단위(100A) 외에, 2개의 유기막(121, 131)과 2개의 무기막(123, 133)을 더 포함하는데, 상기 2개의 유기막(121, 131)과 2개의 무기막(123, 133)은 서로 교번 적층되어 있다. 상기 제2개의 유기막(121, 131)과 2개의 무기막(123, 133)은 상기 제1밀봉 단위(100A) 상부에 적층되어 있다.
상기 2개의 유기막(121, 131)과 2개의 무기막(123, 133)이 서로 교번 적층됨으로써, 봉지층(100)은 보다 효과적으로 산소 및/또는 수분이 발광 소자(20)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 봉지층(100)은 상술한 바와 같은 제1밀봉 단위(100A)외에, 상기 제1밀봉 단위 하부에 형성된 하부 무기막(103)을 더 포함한다.
따라서, 상기 봉지층(100)은, 하부 무기막(103), 제1유기막(111), 제1무산소 버퍼층(115), 제1무기막(113), 제2유기막(121), 제2무기막(123), 제3유기막(131) 및 제4무기막(133)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
본 명세서 중 "2 이상의 유기막과 2 이상의 무기막이 서로 교번 적층되어 있다"란 무기막과 다른 무기막이 서로 이웃하게 적층되지 않고 유기막과 다른 유기막이 서로 이웃하게 적층되지 않아, "유기막/무기막/유기막…무기막/유기막/무기막"과 같이, 유기막과 무기막이 교대로 적층되어 있는 구조를 가리킨다. 상기 유기막과 무기막 사이에는 다른 층이 개재될 수 있다.
상기 제2유기막(121) 및 제3유기막(131)에 대한 상세한 설명은 상기 제1유기막(111)에 대한 설명을 참조하고, 상기 제2무기막(123), 제3무기막(133) 및 하부 무기막(103)에 대한 상세한 설명은 상기 제1무기막(113)에 대한 설명을 참조한다.
상기 제1유기막(111), 제2유기막(121) 및 제3유기막(131)은 서로 동일한 유기물을 포함하거나, 서로 동일한 두께를 가질 수 있다. 또는 상기 제1유기막(111), 제2유기막(121) 및 제3유기막(131)은 서로 상이한 유기물을 포함하거나, 서로 상이한 두께를 가질 수 있다.
상기 제1무기막(113), 제2무기막(123), 제3무기막(133) 및 하부 무기막(103)은 서로 동일한 무기물을 포함하거나, 서로 동일한 두께를 가질 수 있다. 또는 상기 제1무기막(113), 제2무기막(123), 제3무기막(133) 및 하부 무기막(103)은 서로 상이한 무기물을 포함하거나, 서로 상이한 두께를 가질 수 있다.
상기 봉지층(100)의 두께는 1000nm 내지 80000nm, 예를 들면 1560nm 내지 60000nm, 구체적으로, 3300nm 내지 21000nm일 수 있다. 상기 봉지층(100)의 두께가 상술한 바와 같은 두께를 가질 경우, 상기 봉지층(100)은 수분 및/또는 산소가 발광 소자(20)로 침투되는 것을 효과적으로 방지하면서 플렉서블 특성을 가질 수 있다.
도 1에는 미도시되어 있으나, 상기 발광 소자(20)와 상기 봉지층(100) 사이에는 캡핑층 및 보호층 중 적어도 하나가 추가로 개재될 수 있다.
상기 캡핑층은 상기 발광 소자(20)로부터 방출된 광의 보강 간섭을 유도하여, 광취출 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있다. 상기 캡핑층은, 상대적으로 고굴절율 재료로 형성될 수 있는데, 예를 들면, 상기 캡핑층은 Alq3 등과 같은 유기 금속 착체, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 보호층은 상기 봉지층(100) 형성시 발생할 수 있는 발광 소자(20)의 손상을 방지하는 역할을 한다. 예를 들어, 상기 보호층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도 1의 평판 표시 장치의 제조 방법을 설명하면 하기와 같다.
먼저, 기판(10) 상에 발광 소자(20)를 형성한다. 상기 발광 소자(20)이 제1전극(21), 유기층(23) 및 제2전극(25)을 포함한 유기 발광 소자일 경우, 상기 발광 소자(20) 중 제1전극(21) 및 제2전극(25)의 형성 방법은 상술한 바를 참조한다.
상기 유기층(23)에 포함된 층(예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층, 전자 수송층, 전자 주입층 등)은, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 공지된 다양한 방법 중에서 임의로 선택된 방법에 따라 형성될 수 있다. 이 때, 진공증착법을 선택할 경우, 증착 조건은 목적 화합물, 목적으로 하는 층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 100 내지 500℃의 증착 온도 범위, 10-10 내지 10-3torr의 진공도 범위, 0.01 내지 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서 선택될 수 있다. 한편, 스핀코팅법을 선택할 경우, 코팅 조건은 목적 화합물, 목적하는 하는 층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도 범위, 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도(코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도) 범위 내에서 선택될 수 있다.
이어서, 스퍼터링, 반응성 스퍼터링(reactive sputtering), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 증발(evaporation), 전자 사이클로트론-공명 플라즈마 강화 화학 기장 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착 등을 이용하여 발광 소자(20)을 덮도록 하부 무기막(103)을 형성한다. 상기 하부 무기막(103)의 두께 및 재료는 상술한 바를 참조한다.
이어서, 상기 하부 무기막(103) 상부에 상기 제1유기막(111) 형성용 물질을 제공하고, 이를 경화시켜 제1유기막(111)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1유기막(111)이 경화성 물질의 경화물을 포함할 경우, 상기 하부 무기막(103) 상부에 경화성 물질, 용매 및 광개시제의 혼합물을 제공한 후, 이를 열 및/또는 광에 의하여 경화시킴으로써, 경화성 물질의 경화물을 포함한 제1유기막(111)을 형성할 수 있다. 상기 제1유기막(111) 형성용 물질을 상기 하부 무기막(103) 상부에 제공하는 방법은, 플래쉬 증발법(Flash evaporation), 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 등과 같은 공지의 방법을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 경화 방법으로는 자외선 경화, 적외선 경화, 레이저 경화 등의 공지의 방법을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1유기막(111)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
이어서, 상기 제1유기막(111) 상부에 제1무산소 버퍼층(115)을 형성한다. 상기 제1무산소 버퍼층(115) 형성 방법은 사용되는 재료에 따라 상이할 것이나, 증착법, 스핀 코팅법 등의 공지된 방법을 이용할 수 있다. 상기 제1무산소 버퍼층(115)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
그 다음, 상기 제1무산소 버퍼층(115) 상부에 제1무기막(113)을 형성한다. 상기 제1무기막(113)은 스퍼터링, 반응성 스퍼터링(reactive sputtering), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 증발(evaporation), 전자 사이클로트론-공명 플라즈마 강화 화학 기장 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착 등을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1무기막(113)은 산소 가스 또는 산소 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링법(reactive sputtering) 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1무기막(113)의 재료 및 두께는 상술한 바를 참조한다.
상술한 바와 같은 상대적으로 고에너지 성막법을 이용하여 제1무기막(113)을 형성하더라도, 그 하부에 제1무산소 버퍼층(115)가 형성되어 있으므로, 제1유기막(113)은 손상(예를 들면 제1유기막(113)에 포함된 유기물의 분해 등)이 방지될 수 있다. 또한, 제1무기막(113) 성막시 사용된 고에너지에 상기 제1무산소 버퍼층(115)가 노출되어 손상되더라도, 상기 제1무산소 버퍼층(115)은 산소를 포함하지 않으므로, 제1무산소 버퍼층(115)으로부터 산소(O2) 및/또는 수분(H2O)가 생성되지 않는다.
이어서, 제2유기막(121), 제2무기막(123), 제3유기막(131) 및 제3무기막(133)을 차례로 형성함으로써, 봉지층(100)을 완성한다. 상기 제2유기막(121) 및 제3유기막(131)의 형성 방법은 제1유기막(111)의 형성 방법을 참조하고, 제2무기막(123) 및 제3무기막(133)의 형성 방법은 제1무기막(113)의 형성 방법을 참조한다.
상기 봉지층(100)은 1개의 봉지 단위인 제1봉지 단위(100A)를 포함하므로, 봉지층(100) 형성시 산소 및/또는 수분의 생성이 방지될 뿐만 아니라, 외부 환경으로부터의 산소 및/또는 수분이 발광 소자(20)에 도달하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1에는 미도시하였으나, 발광 소자(20)와 봉지층(100) 사이에 캡핑층 및 보호층 중 적어도 하나를 형성할 경우, 봉지층(100) 형성 전에 발광 소자(20) 상에 캡핑층 및 보호층 중 적어도 하나를 형성한다.
도 2의 평판 표시 장치(2)는 기판(30), 상기 기판(30) 상에 형성된 발광 소자(40), 및 상기 발광 소자(40)를 덮는 봉지층(200)을 포함한다. 상기 발광 소자(40)는 제1전극(41), 유기층(43) 및 제2전극(45)을 포함한 유기 발광 소자일 수 있다. 상기 기판(30) 및 발광 소자(40)에 대한 설명은 상기 도 1의 기판(10) 및 발광 소자(20)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(200)은 제1봉지 단위(200A) 및 제2봉지 단위(200B)를 포함한다. 상기 제1봉지 단위(200A)는 제1유기막(211), 제1무산소 버퍼층(215) 및 제1무기막(213)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 제2봉지 단위(200B)는 제2유기막(221), 제2무산소 버퍼층(225) 및 제2무기막(223)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 제1봉지 단위(200A) 및 제2봉지 단위(200B)에 대한 상세한 설명은 상기 도 1의 제1봉지 단위(100A)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(200)은 상기 제1봉지 단위(200A) 및 제2봉지 단위(200B) 외에 1개의 유기막(231) 및 1개의 무기막(233)을 더 포함한다. 또한, 상기 봉지층(200)은 상기 제1봉지 단위(200A) 하부에 형성된 하부 무기막(203)을 더 포함한다.
따라서, 상기 봉지층(200)은, 하부 무기막(203), 제1유기막(211), 제1무산소 버퍼층(215), 제1무기막(213), 제2유기막(221), 제2무산소 버퍼층(225), 제2무기막(223), 제3유기막(231) 및 제3무기막(233)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 제3유기막(231)에 대한 설명은 상기 도 1의 제1유기막(111)에 대한 설명을 참조하고, 상기 제3무기막(233) 및 하부 무기막(203)에 대한 설명은 상기 도 1의 제1무기막(113)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(200)은 2개의 봉지 단위인 제1봉지 단위(200A) 및 제2봉지 단위(200B)를 포함하므로, 봉지층(200) 형성시 산소 및/또는 수분의 생성이 방지될 뿐만 아니라, 외부 환경으로부터의 산소 및/또는 수분이 발광 소자(40)에 도달하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 3의 평판 표시 장치(3)는 기판(50), 상기 기판(50) 상에 형성된 발광 소자(60), 및 상기 발광 소자(60)를 덮는 봉지층(300)을 포함한다. 상기 발광 소자(60)는 제1전극(61), 유기층(63) 및 제2전극(65)을 포함한 유기 발광 소자일 수 있다. 상기 기판(50) 및 발광 소자(60)에 대한 설명은 상기 도 1의 기판(10) 및 발광 소자(20)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(300)은 제1봉지 단위(300A), 제2봉지 단위(300B) 및 제3봉지 단위(300C)를 포함한다. 상기 제1봉지 단위(300A)는 제1유기막(311), 제1무산소 버퍼층(315) 및 제1무기막(313)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 제2봉지 단위(300B)는 제2유기막(321), 제2무산소 버퍼층(325) 및 제2무기막(323)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 제3봉지 단위(300C)는 제3유기막(331), 제3무산소 버퍼층(335) 및 제3무기막(333)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 제1봉지 단위(300A) 및 제2봉지 단위(300B) 및 제3봉지 단위(300C)에 대한 상세한 설명은 상기 도 1의 제1봉지 단위(100A)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(300)은 상기 제1봉지 단위(300A), 제2봉지 단위(300B) 및 제3봉지 단위(300C) 외에, 상기 제1봉지 단위(300A) 하부에 형성된 하부 무기막(303)을 더 포함한다.
따라서, 상기 봉지층(300)은, 하부 무기막(303), 제1유기막(311), 제1무산소 버퍼층(315), 제1무기막(313), 제2유기막(321), 제2무산소 버퍼층(325), 제2무기막(323), 제3유기막(331), 제3무산소 버퍼층(335) 및 제3무기막(333)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 하부 무기막(303)에 대한 설명은 상기 도 1의 제1무기막(113)에 대한 설명을 참조한다.
상기 봉지층(300)은 3개의 봉지 단위인 제1봉지 단위(300A), 제2봉지 단위(300B) 및 제3봉지 단위(300C)를 포함하므로, 봉지층(300) 형성시 산소 및/또는 수분의 생성이 방지될 뿐만 아니라, 외부 환경으로부터의 산소 및/또는 수분이 발광 소자(60)에 도달하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 평판 표시 장치는 도 1(1개의 봉지 단위를 포함함), 도 2(2개의 봉지 단외를 포함하마) 및 도 3(3개의 봉지 단위를 포함함)을 참조하여, 설명하였으나, 상기 평판 표시 장치에 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 평판 표시 장치의 봉지층은 4 이상의 봉지 단위를 포함할 수 있다. 또한, 상기 평판 표시 장치의 봉지층이 2 이상의 봉지 단위를 포함할 경우, 2 이상의 봉지 단위 사이에 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막이 개재될 수 있다. 예를 들어, 도 2 중 제3유기막(231) 및 제3무기막(233)은 제1발광 단위(200A)와 제2발광 단위(200B) 사이에 개재될 수도 있다. 또한, 도 1 내지 3 중 하부 무기막(103, 203, 303)은 생략될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
1, 2, 3: 평판 표시 장치
10, 30, 50: 기판
20, 40, 60: 발광 소자
100, 200, 300: 봉지층
100A, 200A, 300A: 제1봉지 단위
200B, 300B: 제2봉지 단위
300C: 제3봉지 단위
103, 203, 303: 하부 무기막
111, 211, 311: 제1유기막
115, 215, 315: 제1무산소 버퍼층
113, 213, 313: 제1무기막
121, 221, 321: 제2유기막
225, 325: 제2무산소 버퍼층
123, 223, 323: 제2무기막
131, 231, 331: 제3유기막
335: 제3무산소 버퍼층
133, 233, 333: 제3무기막

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 발광 소자; 및
    상기 발광 소자를 덮는 봉지층;
    을 포함하고,
    상기 봉지층은, 유기막(organic film), 무산소(oxygen-free) 버퍼층 및 무기막(inorganic film)이 차례로 적층된 봉지 단위(sealing unit)를 적어도 하나 포함하고,
    상기 무산소 버퍼층은 1종 이상의 무산소-물질로 이루어진 단일층이고,
    상기 무기막과 상기 무산소 버퍼층은 직접 접촉하고,
    상기 유기막은 아크릴레이트계 물질, 메타크릴레이트계 물질, 비닐계 물질, 에폭시계 물질, 우레탄계 물질, 셀롤로오즈계 물질 및 실란계 물질 중 적어도 하나의 경화물을 포함한 단일층인, 평판 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층이 상기 봉지 단위를 1개 내지 10개 포함한, 평판 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자가 제1전극, 상기 제1전극에 대향된 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 유기층을 포함한 유기 발광 소자인, 평판 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 무산소 버퍼층이 하기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 무산소-물질로 이루어진, 평판 표시 장치:
    <화학식 1>
    (Ar1)-(R1)p
    상기 화학식 1 중,
    Ar1은 구성 원자로서 산소를 포함하지 않은 모노시클릭(nomocyclic) 코어 또는 폴리시클릭(polycyclic) 코어이고;
    R1는 수소, 할로겐 원자, C1-C60알킬기, C6-C60아릴기 또는 -Si(R10)(R11)(R12)이고, 상기 R10 내지 R12는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기 또는 C6-C60아릴기이고;
    p는 1 내지 10의 정수이다.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 Ar1이 벤젠(benzene), 펜탈렌(pentalene), 인덴(indene), 나프탈렌(naphthalene), 아줄렌(azulene), 헵탈렌(heptalene), 비페닐렌(biphenylene), 인다센(indacene), 아세나프탈렌(acenaphthalene), 플루오렌(fluorene), 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 안트라센(anthracene), 플루오란텐(fluoranthene), 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타센(pentacene), 펜타펜(pentaphene), 헥사센(hexacene), 파릴렌(parylene), 인단(indan), 아세나프텐(acenaphthene), 콜란트렌(cholanthrene), 펜타펜(pentaphene), 테트라페닐렌(tetraphenylene), 루비센(rubicene), 코로넨(coronene), 또는 오발렌(ovalene)인, 평판 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 R1는 수소, -F, -Cl, C1-C10알킬기, 페닐기, 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프탈레닐기(naphthalenyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 비페닐레닐기(biphenylenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프탈레닐기(acenaphthalenyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타세닐기(pentacenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 또는 -Si(R10)(R11)(R12)이고,
    상기 R10 내지 R12는 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, 페닐기, 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프탈레닐기(naphthalenyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 비페닐레닐기(biphenylenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프탈레닐기(acenaphthalenyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타세닐기(pentacenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 또는 헥사세닐기(hexacenyl)인, 평판 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 무산소 버퍼층이 하기 화합물 1 내지 10 중 적어도 하나로 이루어진, 평판 표시 장치:
    Figure 112018057270701-pat00029

    Figure 112018057270701-pat00030
  9. 제1항에 있어서,
    상기 무기막이 금속, 금속 질화물, 금속 산화물 및 금속 산화질화물 중 적어도 하나를 포함한, 평판 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층이, 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 더 포함한, 평판 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층이 2 이상의 유기막과 2 이상의 무기막을 더 포함하고, 상기 2 이상의 유기막과 상기 2 이상의 무기막은 서로 교번 적층되어 있는, 평판 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층이, 상기 봉지 단위의 하부에 형성된 하부 무기막을 더 포함한, 평판 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에 캡핑층 및 보호층 중 적어도 하나를 더 포함한, 평판 표시 장치.
  14. 기판 상에 발광 소자를 형성하는 단계; 및
    상기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 봉지층 형성 단계는, 유기막, 무산소 버퍼층 및 무기막이 차례로 적층된 봉지 단위를 적어도 하나 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 무산소 버퍼층은 1종 이상의 무산소-물질로 이루어진 단일층이고,
    상기 무기막과 상기 무산소 버퍼층은 직접 접촉하고,
    상기 유기막은 아크릴레이트계 물질, 메타크릴레이트계 물질, 비닐계 물질, 에폭시계 물질, 우레탄계 물질, 셀롤로오즈계 물질 및 실란계 물질 중 적어도 하나의 경화물을 포함한 단일층인, 평판 표시 장치의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 제14항에 있어서,
    상기 무산소 버퍼층이 하기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 무산소-물질로 이루어진, 평판 표시 장치의 제조 방법:
    <화학식 1>
    (Ar1)-(R1)p
    상기 화학식 1 중,
    Ar1은 구성 원자로서 산소를 포함하지 않은 모노시클릭(nomocyclic) 코어 또는 폴리시클릭(polycyclic) 코어이고;
    R1는 수소, 할로겐 원자, C1-C60알킬기, C6-C60아릴기 또는 -Si(R10)(R11)(R12)이고, 상기 R10 내지 R12는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기 또는 C6-C60아릴기이고;
    p는 1 내지 10의 정수이다.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 무산소 버퍼층이 하기 화합물 1 내지 10 중 적어도 하나로 이루어진, 평판 표시 장치의 제조 방법:
    Figure 112018057270701-pat00031

    Figure 112018057270701-pat00032
  18. 제14항에 있어서,
    상기 무기막이 금속, 금속 질화물, 금속 산화물 및 금속 산화질화물 중 적어도 하나를 포함한, 평판 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 무기막을 산소 가스 또는 산소 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링법(reactive sputtering) 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 형성하는, 평판 표시 장치의 제조 방법.
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