CN106784385A - 有机发光二极管装置 - Google Patents

有机发光二极管装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106784385A
CN106784385A CN201710020882.1A CN201710020882A CN106784385A CN 106784385 A CN106784385 A CN 106784385A CN 201710020882 A CN201710020882 A CN 201710020882A CN 106784385 A CN106784385 A CN 106784385A
Authority
CN
China
Prior art keywords
barrier layer
oled device
oled
doping
organic polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710020882.1A
Other languages
English (en)
Inventor
谢再锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ACC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
AAC Technologies Holdings Nanjing Co Ltd
Original Assignee
ACC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ACC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd filed Critical ACC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority to CN201710020882.1A priority Critical patent/CN106784385A/zh
Publication of CN106784385A publication Critical patent/CN106784385A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种有机发光二极管装置。所述发光二极管装置包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。本发明提供的有机发光二极管装置，水氧阻隔能力优、厚度薄、且薄膜热应力低。

Description

有机发光二极管装置
【技术领域】
本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种有机发光二极管装置。
【背景技术】
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源。所述有机发光二极管装置主要包括基板、设于所述基板上的OLED单元及用于封装所述OLED单元的封装结构。所述封装结构的作用是用于阻隔水氧分子渗透，而防止所述OLED单元损坏。
OLED单元封装通常采用两种方式，一种是采用封装盖封装技术，另一种是采用薄膜封装技术。其中封装盖封装技术是通过在封装盖上进行点胶工艺，然后将该封装盖与导电基板进行精确对位和预贴合，形成盒板，再将盒板进行紫外光固化，形成固态薄膜。形成的有机发光二极管装置具有优良的水氧气体阻隔能力，WVTR<10E-6g/m2/天，但具有如下缺陷：厚度较厚，可达0.5-0.7mm，工艺较复杂，制备工艺所需的高温条件可能对OLED单元的阴极产生影响，且得到的有机发光二极管装置具有柔韧性差的特点，不可弯折。薄膜封装技术较封装盖封装技术具有轻薄、易弯折的特点，在OLED封装技术中得到越来越广泛的应用。
相关技术中，薄膜封装结构包括在基板上沉积第一层无机薄膜，在所述第一层无机薄膜形成的有机薄膜，在该有机薄膜外表面沉积第二层无机薄膜。其中无机薄膜是通过CVD成膜工艺形成，具体是由等离子电浆引发的化学气相反应，活性分子在基板上扩散和吸附形成岛状物从而形成连续薄膜，该工艺难免会产生针孔和间隙，从而降低其水汽阻隔能力。为了解决该缺陷，需要增加有机薄膜的厚度来增强水氧阻隔能力，因此，该工艺成型的封装结构厚度较厚，超过15μm。
另外，因无机薄膜成型的缺陷，会产生不可避免的晶体应力，进一步造成产品信赖性降低，阻碍更高级柔性OLED产品的发展应用
因此，有必要提供一种新的薄膜封装技术解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的是克服上述技术问题，提供一种水氧阻隔能力优、厚度薄、且薄膜热应力低的采用薄膜封装技术形成的有机发光二极管装置。
本发明的技术方案是：
一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。
优选的，所述封装结构还包括有机高分子层，所述掺杂阻隔层沉积于所述OLED单元外表面，所述有机高分子层形成于所述掺杂阻隔层外表面；或所述有机高分子层沉积于所述OLED单元外表面，所述掺杂阻隔层形成于所述有机高分子层外表面。
优选的，设定所述掺杂阻隔层的层数为X，所述有机高分子层的层数为Y，X与Y的关系如下：
X＝n，
Y＝n-1、n或n+1；其中n＝1，2，3……自然数；所述掺杂阻隔层与所述有机高分子层交替排列。
优选的，所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。
优选的，所述掺杂阻隔层由至少两种氮化物掺杂形成或至少两种氧化物掺杂形成或至少两种硫化物掺杂形成。
优选的，所述掺杂阻隔层由两种陶瓷氧化物掺杂形成，两种所述陶瓷氧化物的质量比为0.1：0.99-0.99:1。
优选的，所述陶瓷氧化物为MO，其中M选自IIA、IIA、IVA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IIB族元素或稀土元素。
优选的，所述掺杂阻隔层的厚度为1A-10μm。
优选的，所述掺杂阻隔层通过热蒸镀或磁控溅射方式沉积形成。
优选的，所述有机高分子层通过旋涂高分子材料后固化或压合形成。
与相关技术相比，本发明提供的有机发光二极管装置，具有如下有益效果：
一、所述有机发光二极管装置的封装结构包括至少一层掺杂阻隔层，当其中一种物质形成的薄膜出现固有缺陷后，另一种物质形成的薄膜能够弥补不良，从而改善封装结构的微观结构，实现减少膜结构中出现的针孔等现象。
二、所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成，不同晶格的材料掺杂将有利于降低材料间热特性的失配度，从而降低成型后的薄膜热应力。
三、所述掺杂阻隔层的渗透率满足公式：1/P＝1/PA+1/PB，其中P表示所述掺杂阻隔层的渗透率，PA、PB分别表示不同物质的形成的薄膜的渗透率，通过该公式可以看出，所述掺杂阻隔层的渗透率小于相关技术中单膜结构的无机薄膜渗透率。
【附图说明】
图1为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例一的结构示意图；
图2为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例二的结构示意图；
图3为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例三的结构示意图；
图4为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例四的结构示意图；
图5为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例五的结构示意图；
图6为本发明提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的一种结构示意图；
图7为本发明提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的另一种结构示意图。
【具体实施方式】
下面将结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
实施例一
请参阅图1，为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例一的结构示意图。所述有机发光二极管装置100包括基板11、设于所述基板11的OLED单元12及封装结构13，所述封装结构13与所述基板11连接，用于封装所述OLED单元12。
所述基板11为刚性衬底或柔性衬底，其中刚性衬底为玻璃、硅片或其它刚性材料；柔性衬底为塑料衬底、铝箔、超薄金属或超薄玻璃。
所述OLED单元12包括依次叠设的导电阳极、空穴传输部、发光层、电子传输部以及阴极，所述阴极与所述导电阳极电连接。
所述封装结构13为一层掺杂阻隔层131，所述掺杂阻隔层131沉积于所述OLED单元外表面，并与所述基板11粘结。
所述掺杂阻隔层131由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。所述掺杂阻隔层131通过真空热蒸镀或磁控溅射方式沉积，其厚度为1A-10μm。
请结合参阅图6，为本发明提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的一种结构示意图。图中，不同物质分别用不同的图案表示。所述掺杂阻隔层131由两种物质掺杂形成，其中一种物质均匀分散在另一种物质内，形成薄膜。优选的，掺杂形成所述掺杂阻隔层131的两种物质属于同类型物质，如同为氮化物、或同为氧化物、或同为硫化物。当然，两种物质也可以属于不同类型物质。
优选的，掺杂形成所述掺杂阻隔层131的两种物质为陶瓷氧化物MO，其中M选自IIA、IIA、IVA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IIB族元素或稀土元素。两种陶瓷氧化物的质量比为0.1:0.99-0.99:1，可以根据制备工艺中两种物质的输入功率控制其混合比例。
请结合参阅图7，为本发明提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的另一种结构示意图。图中，不同物质分别用不同的图案表示。所述掺杂阻隔层131由三种物质掺杂形成，同理，掺杂形成所述掺杂阻隔层131三种物质可以为同类型物质，也可以为不同类型物质。
实施例二
请参阅图2，为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例二的结构示意图。所述有机发光二极管装置200包括基板21、设于所述基板21的OLED单元22及封装结构23，所述封装结构23与所述基板21连接，用于封装所述OLED单元22。
所述基板21的结构和特性对实施例一中的基板11相同；所述OLED单元22的结构和位置关系于实施例一中的所述OLED单元12相同，在此不做赘述。
所述封装结构23包括掺杂阻隔层231和有机高分子层232。所述掺杂阻隔层231沉积于所述OLED单元22外表面，所述有机高分子层232沉积于所述掺杂阻隔层231外表面。
所述掺杂阻隔层231的结构与实施例一中的掺杂阻隔层131的结构相同，在此不做赘述。
所述有机高分子层232通过在所述掺杂阻隔层131外表面旋涂一层高分子材料后固化形成，固化方式为UV固化、热固化或红外固化；或通过将高分子材料热压合或真空压合形成。
实施例三
请参阅图3，为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例三的结构示意图。所述有机发光二极管装置300包括基板31、设于所述基板31的OLED单元32及封装结构33，所述封装结构33与所述基板31连接，用于封装所述OLED单元32。
所述基板31的结构和特性对实施例一中的基板11相同；所述OLED单元32的结构和位置关系于实施例一中的所述OLED单元12相同，在此不做赘述。
所述封装结构33包括掺杂阻隔层331和有机高分子层332。所述有机高分子层332沉积于所述OLED单元32外表面，所述掺杂阻隔层331沉积于所述有机高分子层332外表面。
所述掺杂阻隔层331的结构与实施例一中的掺杂阻隔层131的结构相同，在此不做赘述。
所述有机高分子层332的成型方式与实施例二相同。
实施例四
请参阅图4，为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例四的结构示意图。所述有机发光二极管装置400包括基板41、设于所述基板41的OLED单元42及封装结构43，所述封装结构43与所述基板41连接，用于封装所述OLED单元42。
所述基板41的结构和特性对实施例一中的基板11相同；所述OLED单元42的结构和位置关系于实施例一中的所述OLED单元12相同，在此不做赘述。
所述封装结构43包括依次层叠设置的第一掺杂阻隔层431、有机高分子层432和第二掺杂阻隔层433。所述第一掺杂阻隔层431沉积于所述OLED单元42外表面，所述有机高分子层432形成与所述第一掺杂阻隔层431和所述第二掺杂阻隔层433之间。
所述第一掺杂阻隔层431和所述第二掺杂阻隔层433的结构与实施例一中的掺杂阻隔层131的结构相同，在此不做赘述。
所述有机高分子层432的成型方式与实施例二相同。
实施例五
请参阅图5，为本发明提供的有机发光二极管装置的实施例五的结构示意图。所述有机发光二极管装置500包括基板51、设于所述基板51的OLED单元52及封装结构53，所述封装结构53与所述基板51连接，用于封装所述OLED单元52。
所述基板51的结构和特性对实施例一中的基板11相同；所述OLED单元42的结构和位置关系于实施例一中的所述OLED单元12相同，在此不做赘述。
所述封装结构53包括和第一有机高分子层532、第二有机高分子层533和形成于所述第一有机高分子层532、第二有机高分子层533之间的掺杂阻隔层531。所述第一有机高分子层532沉积于所述OLED单元52外表面。
所述掺杂阻隔层531的结构与实施例一中的掺杂阻隔层131的结构相同，在此不做赘述。
所述第一有机高分子层532和所述第二有机高分子层533的成型方式与实施例二相同。
除上述实施方式外，所述掺杂阻隔层和所述有机高分子层的数量可以变化，满足以下条件即可：
设定所述掺杂阻隔层的层数为X，所述有机高分子层的层数为Y，其中，X＝n，Y＝n-1、n或n+1；其中n＝1，2，3……自然数；所述掺杂阻隔层与所述有机高分子层交替排列。
与相关技术相比，本发明提供的有机发光二极管装置，具有如下有益效果：
一、所述有机发光二极管装置的封装结构包括至少一层掺杂阻隔层，当其中一种物质形成的薄膜出现固有缺陷后，另一种物质形成的薄膜能够弥补不良，从而改善封装结构的微观结构，实现减少膜结构中出现的针孔等现象。
二、所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成，不同晶格的材料掺杂将有利于降低材料间热特性的失配度，从而降低成型后的薄膜热应力。
三、所述掺杂阻隔层的渗透率满足公式：1/P＝1/PA+1/PB，其中P表示所述掺杂阻隔层的渗透率，PA、PB分别表示不同物质的形成的薄膜的渗透率，通过该公式可以看出，所述掺杂阻隔层的渗透率小于相关技术中单膜结构的无机薄膜渗透率。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述封装结构还包括有机高分子层，所述掺杂阻隔层沉积于所述OLED单元外表面，所述有机高分子层形成于所述掺杂阻隔层外表面；或所述有机高分子层沉积于所述OLED单元外表面，所述掺杂阻隔层形成于所述有机高分子层外表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，设定所述掺杂阻隔层的层数为X，所述有机高分子层的层数为Y，X与Y的关系如下：
X＝n，
Y＝n-1、n或n+1；其中n＝1，2，3……自然数；
所述掺杂阻隔层与所述有机高分子层交替排列。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由至少两种氮化物掺杂形成或至少两种氧化物掺杂形成或至少两种硫化物掺杂形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由两种陶瓷氧化物掺杂形成，两种所述陶瓷氧化物的质量比为0.1：0.99-0.99:1。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述陶瓷氧化物为MO，其中M选自IIA、IIA、IVA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IIB族元素或稀土元素。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层的厚度为1A-10μm。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层通过热蒸镀或磁控溅射方式沉积形成。
10.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机高分子层通过旋涂高分子材料后固化或压合形成。
CN201710020882.1A 2017-01-11 2017-01-11 有机发光二极管装置 Pending CN106784385A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710020882.1A CN106784385A (zh) 2017-01-11 2017-01-11 有机发光二极管装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710020882.1A CN106784385A (zh) 2017-01-11 2017-01-11 有机发光二极管装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106784385A true CN106784385A (zh) 2017-05-31

Family

ID=58947840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710020882.1A Pending CN106784385A (zh) 2017-01-11 2017-01-11 有机发光二极管装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106784385A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946476A (zh) * 2017-11-29 2018-04-20 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
CN1784094A (zh) * 2004-12-01 2006-06-07 中华映管股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制造方法
US20100272945A1 (en) * 2007-12-21 2010-10-28 Gsnanotech Co., Ltd. Multi layer for encapsulation comprising a planarizing organic thin layer and a conformal organic thin layer
US20140015401A1 (en) * 2012-07-10 2014-01-16 Samsung Display Co., Ltd. Flat display device and method of manufacturing the same
CN103594646A (zh) * 2012-08-15 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及制备方法
CN103730598A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR20140117220A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 제일모직주식회사 스피로비플루오렌계 화합물, 이의 공중합체, 이를 포함하는 광경화 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
CN104103767A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104103763A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法
CN104716270A (zh) * 2015-03-16 2015-06-17 上海和辉光电有限公司 一种薄膜封装结构和具有该结构的有机发光装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
CN1784094A (zh) * 2004-12-01 2006-06-07 中华映管股份有限公司 有机电致发光显示面板及其制造方法
US20100272945A1 (en) * 2007-12-21 2010-10-28 Gsnanotech Co., Ltd. Multi layer for encapsulation comprising a planarizing organic thin layer and a conformal organic thin layer
US20140015401A1 (en) * 2012-07-10 2014-01-16 Samsung Display Co., Ltd. Flat display device and method of manufacturing the same
CN103594646A (zh) * 2012-08-15 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及制备方法
CN103730598A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR20140117220A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 제일모직주식회사 스피로비플루오렌계 화합물, 이의 공중합체, 이를 포함하는 광경화 조성물 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
CN104103767A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104103763A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法
CN104716270A (zh) * 2015-03-16 2015-06-17 上海和辉光电有限公司 一种薄膜封装结构和具有该结构的有机发光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107946476A (zh) * 2017-11-29 2018-04-20 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Xiao et al. A flexible transparent gas barrier film employing the method of mixing ALD/MLD-grown Al 2 O 3 and alucone layers
CN106816549B (zh) 有机发光二极管装置及其制造方法
CN104137649B (zh) 有机电子元件和有机电子元件的制造方法
CN103269851B (zh) 气体阻隔性膜及电子器件
CN104659271B (zh) 一种有机发光二极管封装结构及封装方法、显示装置
CN104538557A (zh) 柔性oled显示器件及其制造方法
WO2017035866A1 (zh) 薄膜封装方法及有机发光装置
CN104903090B (zh) 气体阻隔性膜
CN106848092B (zh) 有机发光二极管装置及其制作方法
WO2015109677A1 (zh) 发光器件及其制作方法和显示面板
CN107359266A (zh) Oled复合阻隔膜，及使用该oled复合阻隔膜的显示器
CN106450026A (zh) Oled显示器及其制作方法
CN102437288A (zh) 有机电致发光器件的封装结构
CN111769206A (zh) 用于衬底和装置的薄膜渗透屏障系统和制造所述薄膜渗透屏障系统的方法
Kwon et al. Robust transparent and conductive gas diffusion multibarrier based on Mg-and Al-doped ZnO as indium tin oxide-free electrodes for organic electronics
CN112071998B (zh) 一种发光器件、显示装置
CN108075040A (zh) 柔性oled基材及其制备方法
CN105593013A (zh) 气体阻隔性膜的制造方法
Lin et al. Air-Stable flexible organic light-emitting diodes enabled by atomic layer deposition
CN110838547A (zh) 有机电子器件真空溅射混合光固化树脂封装工艺
CN104916789B (zh) 一种oled封装方法及oled器件
CN106876598A (zh) 有机发光二极管装置及其制作方法
Wang et al. A novel nucleation inducer for ultrathin au anodes in high efficiency and flexible organic optoelectronic devices
CN106784186A (zh) 一种lb量子点薄膜、发光二极管及制备方法
Qiu et al. Stable, efficient near-infrared light-emitting diodes enabled by α/δ phase modulation

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170531

RJ01 Rejection of invention patent application after publication