WO2015109677A1 - 发光器件及其制作方法和显示面板 - Google Patents

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WO2015109677A1
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light emitting
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唐琛
谷敬霞
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京东方科技集团股份有限公司
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Definitions

  • the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to a light emitting device, a method for fabricating the same, and a display panel. Background technique
  • Quantum dots are quasi-zero-dimensional nano-semiconductor materials composed of a small number of atoms or atomic groups. Usually, the three-dimensional scale is 1-10 nm.
  • the quantum dots have unique photoluminescence and electroluminescence properties, and have low power consumption, high efficiency, and high response speed. Fast and light weight, with high academic value and good business prospects.
  • Quantum dots can be applied to organic light-emitting devices by using the luminescent properties of quantum dots.
  • quantum light is used to obtain white light in a light-emitting device, and is realized by a multilayer structure, that is, red light quantum dots, green light quantum dots, and blue light quantum dots are used.
  • a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer are respectively formed, and the three light-emitting layers are in the form of hierarchical accumulation to obtain white light.
  • An object of the present invention is to provide a light-emitting device and a method of fabricating the same, which simplifies the fabrication process of the light-emitting device and improves the performance of the light-emitting device.
  • An aspect of the present invention provides a light emitting device including a white light emitting layer, wherein the white light emitting layer includes a polyfluorene blue light material, and red light quantum dots and green light quantum dots doped in the poly germanium blue light material .
  • the white light emitting layer comprises a polyfluorene blue light material
  • the polyfluorene blue light material has high thermal stability and chemical stability, has high fluorescence quantum yield, and has high luminous efficiency
  • the white light emitting layer is doped with red light quantum dots and green light quantum dots in the polyfluorene blue light material
  • the white light emitting layer is a single film layer structure, which can be formed at one time, and does not need to separately prepare a red light emitting layer, a green light emitting layer and a blue light emitting layer. Therefore, the process is simplified, the structure is simple, and mass production is easy.
  • the doping ratio of the red light quantum dot, the green light quantum dot, and the polyfluorene blue light material is 0.5-0.8 : 1 : 1.1-1.4, to control the color gamut of white light within an acceptable range.
  • the doping ratio of the red light quantum dots, the green light quantum dots, and the polyfluorene blue light material is 0.6-0.7:1: 1.2-1.3 to increase the color gamut of white light.
  • the polyfluorene blue material is selected from one or more of the group consisting of: poly(9,9-dialkylfluorene), copolymer of bishexylfluorene and hydrazine, side
  • the chain contains dendritic biphenyl, tetraalkyl-substituted indenofluorene polymer, polythiophene thiophene alternating copolymer, octyl disubstituted anthracene and benzothiadiazole alternating copolymer, hydrazine and thiophene, vinyl dioxythiophene , 4.7-dithiophene-2, 1,3-benzothiadiazole or 4.7-dithiophene-2, 1,3-benzoselenadiazole binary and ternary random copolymer.
  • the red light quantum dots are II-VI compound compounds and the like.
  • the red light quantum dots are compound semiconductor materials formed from Group II elements Zn, Cd, Hg and VI elements S, Se, Te, and the like.
  • the red light quantum dots are ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe or HgTe.
  • the green light quantum dots are Group III-V elemental compounds.
  • the green light quantum dots are compounds formed from Group III B, Al, Ga, In and Group V N, P, As, Sb.
  • the green light quantum dots are BN, BP, BAs, BSb, A1N, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InAs, InP or InSb.
  • a display panel includes: a color filter substrate and an array substrate, wherein the array substrate is provided with a plurality of pixel units, each of the pixel units having a plurality of sub-pixel units displaying different colors,
  • the color filter is located between the white light emitting layer of the light emitting device and the color filter substrate.
  • the white light emitting layer of the light emitting device comprises a polyfluorene blue light material, and the polyfluorene blue light material has high thermal stability and chemical stability, and has high fluorescence quantum yield and high luminous efficiency.
  • the white light emitting layer is doped with the red light quantum dot and the green light quantum dot in the polyfluorene blue light material, and the white light emitting layer is a single film layer structure, which can be formed at one time, and does not need to separately prepare a red light emitting layer, a green light emitting layer and blue light emitting.
  • the layer is simplified, the structure is simple, and it is easy to mass-produce.
  • Another aspect of the present invention provides a method of fabricating a light emitting device, including: Forming an anode and a hole injection layer in sequence on the base substrate;
  • the white light emitting layer comprising a polyfluorene blue light material, and red light quantum dots and green light quantum dots doped in the polyfluorene blue light material;
  • An electron transport layer and a cathode are sequentially formed on the white light emitting layer.
  • the method for fabricating a light emitting device forms a white light emitting layer comprising a polyfluorene blue light material and doping red light quantum dots and blue light quantum dots in the polyfluorene blue light material, because the polyfluorene blue light material has high thermal stability sexual and chemical stability, and high fluorescence quantum yield, so the luminous efficiency is high, and the white light emitting layer has a single film structure, which can be formed at one time, without separately preparing a red light emitting layer, a green light emitting layer and blue
  • the luminescent layer is simplified, the structure is simple, and mass production is easy.
  • the forming a white light emitting layer on the hole injecting layer comprises: dispersing polyfluorene and its derivative, red light quantum dot and green light quantum dot in a common ratio in an organic solvent. Forming a polyfluorene blue light material doped with red light quantum dots and green light quantum dots;
  • a polyfluorene blue material doped with a red light quantum dot and a green light quantum dot is spin-coated on the hole injection layer to form a white light emitting layer.
  • the doping ratio of polyfluorene and its derivatives, red light quantum dots, and green light quantum dots is controlled to adjust the color gamut of the desired white light.
  • the polyfluorene and its derivatives, red light quantum dots, and green light quantum dots are co-dissolved in an organic solvent at a set ratio to form a polyfluorene blue light material doped with red light quantum dots and green light quantum dots, specifically including : Red light quantum dots, green light quantum dots, and polyfluorene and their derivatives are dissolved in an organic solvent at a doping ratio of 0.5 0.8 : 1 : 1.1 1.4 to form a polyfluorene doped with red quantum dots and green quantum dots.
  • Blue light material to control the color gamut of white light within the effective range.
  • the polyfluorene and its derivative, the red light quantum dot and the green light quantum dot are co-dissolved in an organic solvent at a set ratio to form a polyfluorene blue light material doped with a red light quantum dot and a green light quantum dot, and specifically include:
  • the red light quantum dots, the green light quantum dots, and the polyfluorene and its derivatives are dissolved in an organic solvent at a doping ratio of 0.6-0.7:1: 1.2-1.3 to form a poly-doped quantum dot and a green quantum dot. ⁇ Blue light material to enhance the color gamut of white light.
  • the organic solvent comprises toluene, chlorobenzene or chloroform to increase the yield of polyfluorene blue material doped with red light quantum dots and green light quantum dots.
  • DRAWINGS Ml is a schematic cross-sectional structure of a light emitting device provided by an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display panel according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart of a method for fabricating a light emitting device according to an embodiment of the present invention. detailed description
  • Polyfluorene homopolymer has a large band gap and is a blue light-emitting material. It has high thermal stability and chemical stability due to its rigid in-plane biphenyl unit. It has a high solid state. Fluorescence quantum yield, high luminous efficiency.
  • Embodiments of the present invention provide a light-emitting device of a quantum dot doped polyfluorene blue light emitting material, wherein the light emitting device includes a white light emitting layer 4, the white light emitting layer includes a poly germanium blue light material 401, and is doped in the poly germanium blue light material 401.
  • a light emitting device includes a base substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a white light emitting layer 4, an electron transport layer 5, and a cathode 6.
  • the base substrate 1 may be a substrate based on a transparent inorganic material such as a glass substrate or a quartz substrate, or may be a substrate of a transparent organic material, and the preparation process is simple and the technical threshold is low.
  • the anode 2 formed on the base substrate 1 is a transparent electrode, and Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Gallium Zinc Oxide (Indium Gallium) may be used.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • IZO Indium Zinc Oxide
  • Indium Gallium Zinc Oxide Indium Gallium
  • ITO Indium Tin Oxide
  • IGZO Indium Tin Oxide
  • IGZO Indium Zinc Oxide
  • the hole injecting layer 3 is formed between the anode 2 and the white light emitting layer 4 in the embodiment of the present invention, and a material such as PEDOT: PSS (poly 3,4-ethylenedioxythiophene: polystyrenesulfonic acid) can be used.
  • PEDOT poly 3,4-ethylenedioxythiophene: polystyrenesulfonic acid
  • the white light emitting layer 4 is a single layer structure, and the white light emitting layer 4 includes a polyfluorinated blue light material 401 having high luminous efficiency, and red light quantum dots 402 and green light quantum dots doped in the polyfluorene blue light material 401. 403.
  • the polyfluorene blue material 401 is a polyfluorene and a derivative thereof, including P17 poly(9,9-dialkylfluorene) (PDAFs), P18 (copolymer of bishexyl fluorene and hydrazine), P19 (side chain containing dendritic biphenyl), P21a (tetraalkyl substituted indenofluorene polymer), P23 (polyfluorene thiophene alternating copolymer), P24 ( An alternating copolymer of octyl disubstituted anthracene and benzothiadiazole), and anthracene with thiophene (Th;), ethylene dioxythiophene (EDT), 4.7-dithiophene-2, 1, 3-benzothiadiazole Binary and ternary random copolymers of (DBT), 4.7-dithiophene-2,1,3-benzoselenadiazole (BTSe).
  • the red light quantum dot 402 and the green light quantum dot 403 are II-VI element compound and III-V element compound.
  • the II-VI compound is a compound semiconductor material formed of Group II elements Zn, Cd, Hg and VI elements S, Se, Te.
  • the II-VI compound has the formula ACIDB Vi;), namely ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe and HgTe.
  • the III-V element compound is a compound formed by Group III B, Al, Ga, In and V group N, P, As, Sb, and the III-V compound is represented by ACin; >B (such as BN, BP, BAs, BSb, A1N, A1P, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, In As, InN, InP and InSb, and the like.
  • the electron transport layer 5 is formed on the white light-emitting layer 4, and a material such as Alq3 can be used.
  • the cathode 6 formed on the electron transport layer 5 in the embodiment of the present invention may be made of a material such as Ca/Al.
  • the white light emitting layer comprises a polyfluorene blue light material, and the polyfluorene blue light material has high thermal stability and chemical stability, and has high fluorescence quantum yield, high luminous efficiency, and
  • the polyfluorene blue material is doped with red light quantum dots and green light quantum dots, and the white light emitting layer has a single film layer structure, which can be formed into a film at one time, and does not need to separately prepare a red light emitting layer, a green light emitting layer and a blue light emitting layer, so the process is simplified.
  • the structure is simple and easy to mass produce.
  • the doping ratios of the red light quantum dot 402, the green light quantum dot 403, and the polyfluorene blue light material 401 are controllable by controlling the red light quantum dot 402 and the green light quantum.
  • the doping ratio of point 403 and polyfluorene blue material 401 is adjusted to adjust the color gamut of the desired white light.
  • the doping ratio of the red light quantum dot 402, the green light quantum dot 403, and the polyfluorene blue light material 401 is preferably 0.5 0.8 : 1: 1.1 to 1.4.
  • the doping ratio of the red light quantum dot 402, the green light quantum dot 403, and the polyfluorene blue light material 401 is 0.6 ⁇ 0.7:1: 1.2 ⁇ 1.3, to improve the color gamut of white light.
  • an embodiment of the present invention provides a display panel.
  • the display panel includes a color filter substrate 10 and an array substrate 20.
  • the array substrate 20 is provided with a plurality of pixel units (not shown). Each pixel unit has a plurality of sub-pixel units that display different colors.
  • a light emitting device is disposed at a position of the array substrate 20 corresponding to each sub-pixel unit. 30.
  • the light emitting device 30 is the light emitting device according to the above embodiment, comprising a substrate substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a white light emitting layer 4, an electron transport layer 5, and a cathode 6, wherein the white light emitting layer 4 includes a poly
  • the ⁇ blue light material 401, and the red light quantum dots 402 and the green light quantum dots 403 doped in the polyfluorene blue light material 401 are capable of emitting white light when excited.
  • a color filter 40 corresponding to each sub-pixel unit is disposed in the display panel, and the color filter 40 is located between the white light emitting layer 4 of the light emitting device 30 and the color filter substrate to achieve full color. display.
  • the color filter 40 is located on the side of the color filter substrate 10 facing the array substrate 20, and is not limited thereto, and may be located on the array substrate 20. One side of the color filter substrate 10.
  • the white light emitting layer of the light emitting device comprises a polyfluorene blue light material, and the polyfluorene blue light material has high thermal stability and chemical stability, and has high fluorescence quantum yield and high luminous efficiency.
  • the white light emitting layer is doped with the red light quantum dot and the green light quantum dot in the polyfluorene blue light material, and the white light emitting layer is a single film layer structure, which can be formed at one time, and does not need to separately prepare a red light emitting layer, a green light emitting layer and blue light emitting.
  • the display panel provided by the embodiment of the invention has the advantages of simple preparation process, good color rendering, high repeatability and low cost, and is combined with more mature color filter. The combination of light film technology enables full color display.
  • the embodiment of the invention further provides a method for fabricating a light emitting device. As shown in FIG. 3, the method includes:
  • the material of the base substrate may be a light-transmitting material such as glass or quartz, or an opaque material such as ceramic or semiconductor material, or a flexible material such as plastic.
  • the anode is formed on the substrate, for example, by depositing.
  • the anode may be made of an indium tin oxide (ITO) material as a transparent anode.
  • ITO indium tin oxide
  • a method such as spin coating, evaporation, or the like may be used to form on the ⁇ anode.
  • PEDOT PSS hole injection layer.
  • the polyfluorene and its derivative, the red light quantum dot and the green light quantum dot can be dissolved together in an organic solvent at a set ratio to form a polyfluorene blue light doped with a red light quantum dot and a green light quantum dot.
  • the polyfluorene blue material doped with red quantum dots and green quantum dots is spin-coated on the hole injection layer to form a red light-emitting material including a polyfluorene blue light material and doped in the polyfluorene blue light material. And a white light emitting layer of green light quantum dots.
  • the white light-emitting layer is formed on the hole injection layer, and the method of spin coating is not limited, and a method such as sputtering may be employed.
  • red light quantum dots, green light quantum dots, and polyfluorene and derivatives thereof are dissolved in an organic solvent at a doping ratio of 0.5 0.8 : 1 : 1.1 1.4 to form a doping.
  • a polyfluorene blue material having red light quantum dots and green light quantum dots to control the color gamut of white light within an effective range.
  • the red light quantum dot, the green light quantum dot, the polyfluorene and the derivative thereof are preferably dissolved in an organic solvent at a doping ratio of 0.6-0.7: 1 : 1.2-1.3 to form a doped red light quantum dot.
  • a green light quantum dot polyfluorene blue material to enhance the color gamut of white light.
  • organic solvent involved in the above embodiments may be toluene, chlorobenzene or chloroform, etc., preferably toluene, to improve the yield of the polyfluorene blue material doped with red light quantum dots and green light quantum dots.
  • S105 Forming an electron transport layer.
  • Alq3 may be evaporated onto the white light emitting layer by vapor deposition on the white light emitting layer to form an electron transporting layer.
  • a Ca/Al mixed electrode can be formed as a cathode by, for example, vapor deposition.
  • the method for fabricating a light emitting device forms a white light emitting layer comprising a polyfluorene blue light material and doping red light quantum dots and blue light quantum dots in the polyfluorene blue light material, because the polyfluorene blue light material has high thermal stability sexual and chemical stability, and high fluorescence quantum yield, so the luminous efficiency is high, and the white light emitting layer has a single film structure, which can be formed at one time, without separately preparing a red light emitting layer, a green light emitting layer and blue
  • the luminescent layer is simplified, the structure is simple, and mass production is easy.

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Abstract

一种发光器件及其制作方法和显示面板，以简化发光器件的制备工艺并提高发光器件的性能。发光器件包括白光发光层(4)，该白光发光层(4)包括聚芴蓝光材料(401)，以及掺杂在聚芴蓝光材料(401)中的红光量子点(402)和绿光量子点(403)。白光发光层(4)为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，并且聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，发光效率较高。

Description

发光器件及其制作方法和显示面板 技术领域
本发明涉及显示技术领域， 尤其涉及一种发光器件及其制作方法和显示面板。 背景技术
量子点是准零维纳米半导体材料， 由少量原子或原子团构成， 通常三维尺度在 1-10纳米， 量子点具有独特的光致发光和电致发光性能， 具有低功耗、 高效率、 响应 速度快和重量轻等优点， 具有较高的学术价值和良好的商业前景。
利用量子点的发光特性， 可以将量子点应用于有机发光器件中， 目前， 发光器件 中多利用量子点获得白光， 并通过多层结构实现， 即采用红光量子点、 绿光量子点和 蓝光量子点分别形成红色发光层、 绿色发光层和蓝色发光层， 这三种发光层采用层级 堆积的形式， 以获得白光。
上述采用多层结构获得白光的方式， 需要分别制作三层不同颜色的发光层并将三 层发光层采用层级堆积方式实现， 制备工艺复杂， 并且蓝光量子点的发光效率较低， 使得发光器件的性能也受到影响。 发明内容
本发明的目的是提供一种发光器件及其制作方法， 以简化发光器件的制备工艺并 提高发光器件的性能。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明一方面提供一种发光器件， 该发光器件包括白光发光层， 其中， 所述白光 发光层包括聚芴蓝光材料， 以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子 点。
本发明实施例提供的发光器件中， 白光发光层包括聚芴蓝光材料， 聚芴蓝光材料 具有较高的热稳定性和化学稳定性， 并具有较高的荧光量子产量， 发光效率较高， 并 且白光发光层在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点， 白光发光层为单膜层 结构， 可一次成膜， 不需要分别制备红色发光层、 绿色发光层和蓝色发光层， 因此工 艺简化， 结构简单， 易于量产。
在一个实施方案中， 所述红光量子点、 绿光量子点和聚芴蓝光材料的掺杂比例为 0.5-0.8 : 1 : 1.1-1.4, 以控制白光的色域在可接受的范围内。
在一个实施方案中， 所述红光量子点、 绿光量子点和聚芴蓝光材料的掺杂比例为 0.6-0.7: 1 : 1.2-1.3 , 以提高白光的色域。
在本发明的一个实施方案中， 聚芴蓝光材料选自由以下各项组成的组中的一个或 多个： 聚 (9,9-二烷基芴)、 双己基芴与蒽的共聚物、 侧链含枝状联苯、 四烷基取代的茚 并芴聚合物、 聚芴联噻吩交替共聚物、 辛基双取代芴与苯并噻二唑交替共聚物、 芴与 噻吩、 乙烯基二氧噻吩、 4.7-二噻吩 -2, 1,3-苯并噻二唑或 4.7-二噻吩 -2, 1,3-苯并硒二唑 的二元及三元无规共聚物。
在本发明的一个实施方案中， 红光量子点为 II一 VI族元素化合物等。
在本发明的一个实施方案中， 红光量子点为由 II族元素 Zn， Cd， Hg和 VI族元素 S， Se, Te等所形成的化合物半导体材料。
在本发明的一个实施方案中，红光量子点为 ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、 HgS、 HgSe或 HgTe等。
在本发明的一个实施方案中， 绿光量子点为 III一 V族元素化合物。
在本发明的一个实施方案中， 绿光量子点为由 III族的 B， Al， Ga， In和 V族的 N, P， As, Sb形成的化合物。
在本发明的一个实施方案中， 绿光量子点为 BN、 BP、 BAs、 BSb、 A1N、 A1P、 AlAs、 AlSb、 GaN、 GaP、 GaAs、 GaSb、 InAs、 、 InP或 InSb。
本发明另一方面， 提供一种显示面板， 包括： 彩膜基板和阵列基板， 所述阵列基 板上设置有若干个像素单元， 每个所述像素单元具有若干个显示不同颜色的亚像素单 元，
在各亚像素单元对应的阵列基板的位置处设置有上述的发光器件； 以及 对应于各所述亚像素单元的彩色滤光片；
所述彩色滤光片位于所述发光器件的白光发光层和所述彩膜基板之间。
本发明实施例提供的显示面板， 发光器件的白光发光层包括聚芴蓝光材料， 聚芴 蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性， 并具有较高的荧光量子产量， 发光效率 较高， 并且白光发光层在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点， 白光发光层 为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层， 因此工艺简化， 结构简单， 易于量产。
本发明再一方面提供一种发光器件的制作方法， 包括： 在衬底基板上依次形成阳极以及空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成白光发光层， 所述白光发光层包括聚芴蓝光材料， 以及 掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点；
在所述白光发光层上依次形成电子迁移层以及阴极。
本发明实施例提供的发光器件制作方法， 形成包括聚芴蓝光材料， 以及在聚芴蓝 光材料中掺杂红光量子点和蓝光量子点的白光发光层， 由于聚芴蓝光材料具有较高的 热稳定性和化学稳定性， 并具有较高的荧光量子产量， 故发光效率较高， 并且白光发 光层为单膜层结构， 可一次成膜， 不需要分别制备红色发光层、 绿色发光层和蓝色发 光层， 因此工艺简化， 结构简单， 易于量产。
在一个实施方案中， 所述在所述空穴注入层之上形成白光发光层， 具体包括： 将聚芴及其衍生物、 红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂， 形 成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料；
将掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 旋涂在所述空穴注入层上， 形成白光发光层。
通过上述制作方法， 通过对聚芴及其衍生物、 红光量子点和绿光量子点的掺杂比 例进行控制， 以调节所需的白光的色域。
在一个实施方案中， 将聚芴及其衍生物、 红光量子点和绿光量子点以设定比例共 同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 具体包括： 将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以 0.5 0.8 : 1 : 1.1 1.4的掺杂比例， 共同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 以将白光 的色域控制在有效范围内。
进一步的， 将聚芴及其衍生物、 红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有 机溶剂， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 具体包括：
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以 0.6~0.7: 1 : 1.2~1.3的掺杂比例， 共同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 以提高白 光的色域。
在一个实施方案中， 所述有机溶剂包括甲苯、 氯苯或三氯甲烷， 以提高掺杂有红 光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料的产率。 附图说明 m l为本发明实施例提供的发光器件剖面结构示意图；
图 2为本发明实施例提供的显示面板剖面结构示意图；
图 3为本发明实施例提供的发光器件制作方法流程图。 具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的 所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
聚芴均聚物具有较大的能带间隙， 为蓝光发光材料， 由于其结构中含有刚性的平 面内联苯单元， 具有较高的热稳定性和化学稳定性， 在固态时具有较高的荧光量子产 率， 发光效率较高。
本发明实施例提供一种量子点掺杂聚芴蓝光发光材料的发光器件， 该发光器件中 包括白光发光层 4， 该白光发光层包括聚芴蓝光材料 401， 以及掺杂在聚芴蓝光材料 401中的红光量子点 402和绿光量子点 403。
图 1所示为本发明实施例提供的发光器件剖面结构示意图。 如图 1所示， 本发明 实施例提供的发光器件包括衬底基板 1、 阳极 2 、 空穴注入层 3、 白光发光层 4、 电 子迁移层 5和阴极 6。
具体的， 本发明实施例中衬底基板 1可以是玻璃基板、 石英基板等基于透明无机 材料的基板， 也可以是透明有机材料的基板， 制备工艺较简单， 技术门槛较低。
本发明实施例中形成在衬底基板 1 上的阳极 2 为透明电极， 可采用氧化铟锡 (Indium Tin Oxide, ITO)、氧化铟锌（Indium Zinc Oxide, IZO)、氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO) 等材料中的一种或多种， 当然并不引以为限， 还可以是 其它材料制作的透明电极。
本发明实施例中空穴注入层 3形成在阳极 2和白光发光层 4之间， 并可采用诸如 PEDOT： PSS (聚 3， 4-乙烯二氧噻吩： 聚苯乙烯磺酸） 材料。
本发明实施例中白光发光层 4为单层结构， 该白光发光层 4包括发光效率较高的 聚芴蓝光材料 401， 以及掺杂在聚芴蓝光材料 401中的红光量子点 402和绿光量子点 403。
聚芴蓝光材料 401为聚芴及其衍生物， 包括 P17聚 （9， 9-二烷基芴） （PDAFs)、 P18 (双己基芴与蒽的共聚物）、 P19(侧链含枝状联苯)、 P21a (四烷基取代的茚并芴聚 合物)、 P23(聚芴联噻吩交替共聚物)、 P24(辛基双取代芴与苯并噻二唑交替共聚物)、 以及芴与噻吩 (Th；)、乙烯基二氧噻吩（EDT)、 4.7-二噻吩 -2， 1， 3-苯并噻二唑（DBT)、 4.7-二噻吩 -2， 1， 3-苯并硒二唑 （BTSe) 的二元及三元无规共聚物 。
红光量子点 402和绿光量子点 403为 II一 VI族元素化合物和 III—V族元素化合 物。 II— VI族化合物为由 II族元素 Zn， Cd， Hg和 VI族元素 S， Se， Te所形成的化合 物半导体材料。 II-VI族化合物的表示式为 ACIDB Vi;), 即 ZnS， ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe和 HgTe。 III—V族元素化合物由 III族的 B， Al， Ga， In 和 V族的 N， P， As, Sb形成的化合物， III-V族化合物的表示式为 ACin;>B( ， 如 BN, BP, BAs, BSb， A1N, A1P, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, In As, InN, InP和 InSb等。
本发明实施例中电子迁移层 5形成在白光发光层 4之上， 可采用诸如 Alq3等材 料。
本发明实施例中形成在电子迁移层 5之上的阴极 6， 可采用诸如 Ca/Al等材料。 本发明实施例提供的发光器件， 白光发光层包括聚芴蓝光材料， 聚芴蓝光材料具 有较高的热稳定性和化学稳定性， 并具有较高的荧光量子产量， 发光效率较高， 并在 聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点， 白光发光层为单膜层结构， 可一次成 膜， 不需要分别制备红色发光层、 绿色发光层和蓝色发光层， 因此工艺简化， 结构简 单， 易于量产。
在一个实施方案中， 本发明实施例中白光发光层 4中， 红光量子点 402、 绿光量 子点 403和聚芴蓝光材料 401的掺杂比例是可控的， 通过控制红光量子点 402、 绿光 量子点 403和聚芴蓝光材料 401的掺杂比例， 以调节所需的白光的色域。 本发明实施 例中优选红光量子点 402、绿光量子点 403和聚芴蓝光材料 401的掺杂比例为 0.5 0.8 : 1: 1.1~1.4。
进一步优选的， 本发明实施例中红光量子点 402、 绿光量子点 403和聚芴蓝光材 料 401的掺杂比例为 0.6~0.7: 1 : 1.2~1.3， 以提高白光的色域。
基于同一发明构思， 本发明实施例提供一种显示面板， 如图 2所示， 该显示面板 包括彩膜基板 10和阵列基板 20，阵列基板 20上设置有若干个像素单元（图中未标示）， 每个像素单元具有若干个显示不同颜色的亚像素单元。
本发明实施例中， 在各亚像素单元对应的阵列基板 20 的位置处设置有发光器件 30， 该发光器件 30为上述实施例涉及的发光器件， 包括衬底基板 1、 阳极 2 、 空穴 注入层 3、 白光发光层 4、 电子迁移层 5和阴极 6， 其中白光发光层 4包括聚芴蓝光材 料 401， 以及掺杂在聚芴蓝光材料 401中的红光量子点 402和绿光量子点 403， 在受 到激发时能够发出白光。
本发明实施例中， 显示面板中设置有对应于各亚像素单元的彩色滤光片 40， 该彩 色滤光片 40位于发光器件 30的白光发光层 4和彩膜基板之间， 以实现全彩显示。
需要说明的是， 本发明实施例图 2所示的显示面板中， 彩色滤光片 40位于彩膜 基板 10面向阵列基板 20的一侧， 并不引以为限， 还可以位于阵列基板 20面向彩膜 基板 10的一侧。
本发明实施例提供的显示面板， 发光器件的白光发光层包括聚芴蓝光材料， 聚芴 蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性， 并具有较高的荧光量子产量， 发光效率 较高， 并且白光发光层在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点， 白光发光层 为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层， 因此工艺简化， 结构简单， 易于量产， 故本发明实施例提供的显示面板具有制备工艺 简单、 显色性好、 重复性高和成本低等有限， 并且将其与较成熟的彩色滤光膜技术相 结合， 可实现全彩显示。
本发明实施例还提供一种发光器件的制作方法， 如图 3所示， 包括：
S101 : 提供一衬底基板。
具体的， 本发明实施例中衬底基板的材质可为透光材质例如玻璃或石英等， 也可 为不透光材质如陶瓷或半导体材质， 还可为可挠性材质如塑料等。
S102: 在衬底基板上形成阳极。
具体的， 本发明实施例中在衬底基板上形成阳极可采用例如沉积的方式形成， 本 发明实施例中阳极可优选采用氧化铟锡 （Indium Tin Oxide, ITO) 材料制作为 ΙΤΟ透 明阳极。
S103 : 形成空穴注入层。
具体的， 本发明实施例中可选用诸如旋涂、 蒸镀等方式， 在 ιτο 阳极之上形成
PEDOT： PSS空穴注入层。
S104: 在空穴注入层上形成白光发光层。
具体的， 本发明实施例中可将聚芴及其衍生物、 红光量子点和绿光量子点以设定 比例共同溶于有机溶剂中， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 然 后将该掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 旋涂在空穴注入层上， 形成 包括聚芴蓝光材料， 以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点的白 光发光层。
本发明实施例中在空穴注入层上形成白光发光层， 并不限定采用旋涂的方式， 还 可采用例如溅射等方式。
在一个实施方案中， 本发明实施例中可将红光量子点、 绿光量子点和聚芴及其衍 生物， 以 0.5 0.8 : 1 : 1.1 1.4的掺杂比例， 共同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红光量子点 和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 以将白光的色域控制在有效范围内。
本发明实施例中优选将红光量子点、 绿光量子点和聚芴及其衍生物， 以 0.6-0.7: 1 : 1.2-1.3的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子 点的聚芴蓝光材料， 以提高白光的色域。
进一步的，本发明实施例中上述涉及的有机溶剂可以为甲苯、氯苯或三氯甲烷等， 优选甲苯， 以提高掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料的产率。
S105: 形成电子迁移层。
具体的， 本发明实施例中可在白光发光层上采用蒸镀的方式， 将 Alq3 蒸镀到白 光发光层上， 形成电子迁移层。
S106: 形成阴极。
具体的， 本发明实施例中可在完成上述步骤的基础上， 采用例如蒸镀的方式， 形 成 Ca/Al混合电极， 作为阴极。
本发明实施例提供的发光器件制作方法， 形成包括聚芴蓝光材料， 以及在聚芴蓝 光材料中掺杂红光量子点和蓝光量子点的白光发光层， 由于聚芴蓝光材料具有较高的 热稳定性和化学稳定性， 并具有较高的荧光量子产量， 故发光效率较高， 并且白光发 光层为单膜层结构， 可一次成膜， 不需要分别制备红色发光层、 绿色发光层和蓝色发 光层， 因此工艺简化， 结构简单， 易于量产。
显然， 本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。 这样， 倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的 范围之内， 则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

权 利 要 求
1. 一种发光器件， 其特征在于， 包括白光发光层， 其中：
所述白光发光层包括聚芴蓝光材料， 以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子 点和绿光量子点。
2. 如权利要求 1所述的发光器件， 其特征在于， 所述红光量子点、 绿光量子点和 聚芴蓝光材料的掺杂比例为 0.5-0.8 : 1 : 1. 1.4。
3. 如权利要求 2所述的发光器件， 其特征在于， 所述红光量子点、 绿光量子点和 聚芴蓝光材料的掺杂比例为 0.6 0.7: 1： 1.2-1.3。
4. 如权利要求 1所述的发光器件， 其特征在于， 所述聚芴蓝光材料选自由以下各 项组成的组中的一个或多个： 聚 (9,9-二烷基芴)、 双己基芴与蒽的共聚物、 侧链含枝状 联苯、 四烷基取代的茚并芴聚合物、 聚芴联噻吩交替共聚物、 辛基双取代芴与苯并噻 二唑交替共聚物、 芴与噻吩、 乙烯基二氧噻吩、 4.7-二噻吩 -2,1,3-苯并噻二唑或 4.7-二 噻吩 -2, 1,3-苯并硒二唑的二元及三元无规共聚物。
5. 如权利要求 1所述的发光器件， 其中红光量子点为 II一 VI族元素化合物。
6. 如权利要求 5所述的发光器件， 其中红光量子点为由 II族元素 Zn， Cd， Hg 和 VI族元素 S， Se, Te所形成的化合物半导体材料。
7. 如权利要求 6所述的发光器件， 其中红光量子点为 ZnS、 ZnSe、 ZnTe、 CdS、 CdSe、 CdTe、 HgS、 HgSe或 HgTe。
8. 如权利要求 1所述的发光器件， 其中绿光量子点为 III一 V族元素化合物。
9. 如权利要求 8所述的发光器件， 其中绿光量子点为由 III族的 B， Al， Ga， In 和 V族的 N， P， As, Sb形成的化合物。
10. 如权利要求 9所述的发光器件，其中绿光量子点为 BN、 BP、 BAs、 BSb、 A1N、 A1P、 AlAs、 AlSb、 GaN、 GaP、 GaAs、 GaSb、 InAs、 InN InP或 InSb。
11. 一种显示面板， 包括： 彩膜基板和阵列基板， 所述阵列基板上设置有多个像 素单元， 每个所述像素单元具有多个显示不同颜色的亚像素单元， 其特征在于， 在各亚像素单元对应的阵列基板的位置处设置有包括权利要求 1-10 任一项所述 的发光器件； 以及
对应于各所述亚像素单元的彩色滤光片；
所述彩色滤光片位于所述发光器件的白光发光层和所述彩膜基板之间。
12. 一种发光器件的制作方法， 其特征在于， 包括：
在衬底基板上依次形成阳极以及空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成白光发光层， 所述白光发光层包括聚芴蓝光材料， 以及 掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点；
在所述白光发光层上依次形成电子迁移层以及阴极。
13. 如权利要求 12所述的方法， 其特征在于， 所述在所述空穴注入层之上形成白 光发光层， 具体包括：
将聚芴及其衍生物、 红光量子点和绿光量子点共同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红 光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料；
将掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料， 涂覆在所述空穴注入层上， 形成白光发光层。
14. 如权利要求 13所述的方法， 其特征在于，
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以 0.5 0.8 : 1 : 1.1 1.4的掺杂比例， 共同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料。
15. 如权利要求 13所述的方法， 其特征在于，
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以 0.6~0.7: 1 : 1.2~1.3的掺杂比例， 共同溶于有机溶剂， 形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料。
16. 如权利要求 13至 15任一项所述的方法， 其特征在于， 所述有机溶剂包括甲 苯、 氯苯或三氯甲烷。
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