WO2016023274A1 - 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents
有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2016023274A1 WO2016023274A1 PCT/CN2014/089675 CN2014089675W WO2016023274A1 WO 2016023274 A1 WO2016023274 A1 WO 2016023274A1 CN 2014089675 W CN2014089675 W CN 2014089675W WO 2016023274 A1 WO2016023274 A1 WO 2016023274A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- layer
- organic light
- hole
- display device
- anode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 7
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100070120 Xenopus laevis has-rs gene Proteins 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种有机发光显示器件及其制备方法、显示装置。该有机发光显示器件包括阳极（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（5）、有机发光层（6）、电子注入层（7）、电子传输层（8）和阴极（9），阳极（2）与空穴注入层（3）之间或空穴注入层（3）与空穴传输层（5）之间设有空穴缓冲层（4），以限制过多的空穴注入到有机发光层（6）。通过在阳极（2）与空穴注入层（3）之间或空穴注入层（3）与空穴传输层（5）之间加入聚合物作为空穴缓冲层（4），可以有效地限制过多的空穴注入到有机发光层（6），实现有机发光层（6）内电子和空穴的平衡注入。因此，在提高有机发光器件的效率、亮度等性能的同时，还可以有效地降低有机发光器件的工作电压，进而降低有机发光器件的功耗。
Description
本发明属于显示技术领域，尤其是一种有机发光显示器件(OLED)及其制备方法、显示装置。
随着多媒体技术的发展以及信息化程度的不断提高，人们对于平板显示装置性能的要求越来越高。与液晶显示器相比，有机电致发光显示器具有自主发光，低电压直流驱动，全固化，视角宽，颜色丰富等一系列的优点，同时，有机电致发光显示器不需要背光源，视角大，功耗低，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，但其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光显示器有着更为广阔的应用前景。
有机电致发光器件(OLED)是在有机材料中将电能转化为光能的显示装置，常规的OLED结构包括顺序叠置的阳极，发光材料层和阴极。其发光原理是从阳极和阴极注入的空穴和电子在发光材料层中复合产生激子从而实现发光。
OLED器件的内量子效率主要取决于载流子的注入，传输和复合效率，同时也受到载流子注入平衡的重要影响。对于大部分具有空穴注入层的OLED器件来说，空穴相对于电子拥有更小的注入势垒，从而引起多余的累积到发光层，使得空穴和电子在OLED中形成激子的速率降低，从而导致OLED显示器件的发光效率和亮度降低。
为了解决上述问题，获得高性能的发光器件，现有技术普遍是在阴极一侧加入空穴阻挡层以增加对载流子和激子的限制，提高激子复合几率和器件性能。但是由于电子在空穴阻挡层中的迁移率很低，空穴阻挡层会在提高性能的同时也显著提高了器件的工作电压，导致OLED器件的功耗增加。
发明内容
为了保证载流子的复合平衡，提升OLED器件的发光效率等性能，本发明提供了一种有机发光显示器件及其制备方法、显示装置，其通过在阳极与空穴注入层之间或空穴注入层与空穴传输层之间加入聚合物PEO作为空穴缓冲层，可以有效地限制过多的空穴注入到发光层，以实现有机发光层内电子和空穴的平衡注入，从而提高有机发光显示器件的发光效率和亮度等性能。
根据本发明的一方面，提出一种有机发光显示器件，该有机发光显示器件包括阳极2、空穴注入层3、空穴传输层5、有机发光层6、电子注入层7、电子传输层8和阴极9，所述阳极2与空穴注入层3之间或所述空穴注入层3与空穴传输层5之间设有空穴缓冲层4，以限制过多的空穴注入到所述有机发光层6。
根据本发明的另一方面，还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的有机发光显示器件。
根据本发明的再一方面，还提出一种有机发光显示器件的制备方法，该方法包括以下步骤：
在基板1上形成阳极2；
在阳极2上形成空穴注入层3；
在空穴注入层3上形成空穴传输层5；
在所述阳极2与空穴注入层3之间或所述空穴注入层3与空穴传输层5之间形成空穴缓冲层4，以限制过多的空穴注入到有机发光层6；
在空穴传输层5上依次形成有机发光层6、电子注入层7、电子传输层8和阴极9。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：由于PEO有着良好的绝缘性能和匹配的能级，当将其用作空穴缓冲层时，空穴主要通过隧穿注入。通过在阳极与空穴注入层之间或空穴注入层与空穴传输层之间加入聚合物PEO作为空穴缓冲层，可以有效地限制过多的空穴注入到发光层，实现有机发光层内电子和空穴的平衡注入，从而提升有机发光器件的整体性能(例如，有机发光器件的发光效率、亮度等性能)；另外，通过在阳极侧加入PEO空穴缓冲层避免了传统技术中阴极侧的空穴阻挡层
电子注入受到限制的缺陷，从而可以有效降低OLED器件的工作电压，进而降低OLED器件的功耗。
图1是根据本发明一实施例的有机发光显示器件的结构示意图；
图2是根据本发明一实施例的有机发光显示器件的制备方法流程图。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
根据本发明的一方面，提供一种有机发光显示器件，如图1所示，所述有机发光显示器件包括阳极2、空穴注入层3、空穴传输层5、有机发光层6、电子注入层7、电子传输层8和阴极9，所述阳极2与空穴注入层3之间或所述空穴注入层3与空穴传输层5之间设有空穴缓冲层4，其中：
所述空穴缓冲层4由聚合物制成，由于聚合物有着良好的绝缘性能和匹配的能级，当将其用作空穴缓冲层时，空穴主要通过隧穿注入。通过在阳极2与空穴注入层3之间或空穴注入层3与空穴传输层5之间加入聚合物作为空穴缓冲层4，可以有效地限制过多的空穴注入到所述有机发光层6，实现有机发光层6内电子和空穴的平衡注入，从而提高有机发光显示器件的发光效率和亮度等性能，同时有效降低有机发光显示器件的工作电压；
优选地，所述聚合物为聚氧化乙烯(PEO)，分子式为：H-(-OCH2CH2-)n-OH。其中n为-OCH2CH2-重复单元的数量。根据本发明的某些优选实施方案，所述聚氧化乙烯的重均分子量为150000-250000，优选为180000-220000，并且更优选为190000-210000。所述聚氧化乙烯的可商购来源包括由美国DOW陶氏化学公司或日本住友化学公司生产的聚氧化乙烯树脂，其重均分子量为200000。
在本发明一实施例中，以涂覆等工艺形成PEO薄膜，得到空穴缓冲层4，其中，PEO薄膜优选通过PEO水溶液旋涂制备得到。
优选地，所述空穴缓冲层4的厚度为0.1-1nm，0.2-0.7nm，并且更优选0.4-0.5nm。
其中，所述阳极2由具有高功函数与可透光性的材料制成，优选为具有4.5eV-5.3eV的高功函数、性质稳定且透光的氧化铟锡(ITO)透明导电膜。
在本发明一实施例中，ITO阳极通过磁控溅射方法形成。
可选地，所述ITO透明导电膜的Rs＜20Ω/□。
所述阳极2的厚度为50-100nm。
其中，所述空穴传输层5由有机材料制成，比如PEDOT：PSS，PEDOT：PSS由PEDOT和PSS两种物质构成，PEDOT为EDOT(3，4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物，PSS为聚苯乙烯磺酸盐，其中，PEDOT：PSS薄膜的厚度为20-60nm。
优选地，所述有机发光层6由8-羟基喹啉铝(A1Q3)制成。
可选地，所述有机发光层6的厚度为50-150nm。
其中，所述电子注入层7由有机金属错和物或无机物制成，比如氟化锂(LiF)。
可选地，所述电子注入层7的厚度为0.1-1.2nm。
其中，所述电子传输层8由与制作空穴传输层5不同的有机材料制成，比如荧光染料化合物。
所述电子传输层8的厚度为1-10nm。
其中，所述阴极9由导电材料制成，优选地，所述导电材料为具有低功函数的金属材料，比如铝、银、钙、铟、锂、镁等，或者具有低功函数的复合金属材料，比如镁银等。
可选地，所述阴极9的厚度为50-150nm。
其中，所述有机发光显示器件还包括基板1，所述阳极2形成在所述基板1上。
可选地，所述基板1的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及
硅片等材料，优选为玻璃。
根据本发明的另一方面，还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的有机发光显示器件。
据本发明的再一方面，还提出一种有机发光显示器件的制备方法，该方法包括以下步骤：
在基板1上形成阳极2；
可选地，所述基板1的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片等材料，优选为玻璃。
其中，所述阳极2由具有高功函数与可透光性的材料制成，优选为具有4.5eV-5.3eV的高功函数、性质稳定且透光的氧化铟锡(ITO)透明导电膜。
在本发明一实施例中，ITO阳极通过磁控溅射方法形成。
可选地，所述ITO透明导电膜的Rs＜20Ω/□。
在阳极2上形成空穴注入层3；
在空穴注入层3上形成空穴传输层5；
其中，所述空穴传输层5由有机材料制成，比如PEDOT：PSS，PEDOT：PSS由PEDOT和PSS两种物质构成，PEDOT为EDOT(3，4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物，PSS为聚苯乙烯磺酸盐，其中，PEDOT：PSS薄膜的厚度为20-60nm。
在所述阳极2与空穴注入层3之间或所述空穴注入层3与空穴传输层5之间形成空穴缓冲层4；
其中，所述空穴缓冲层4由聚合物制成，由于聚合物有着良好的绝缘性能和匹配的能级，用作空穴缓冲层时，空穴主要通过隧穿注入，通过在阳极2和空穴传输层5中加入聚合物作为空穴缓冲层4，可以有效地限制过多的空穴注入到有机发光层6，实现有机发光层6内电子和空穴的平衡注入，从而提高有机发光显示器件的发光效率和亮度等性能，同时有效降低有机发光显示器件的工作电压；
优选地，所述聚合物为聚氧化乙烯(PEO)，分子式为：H-(-OCH2CH2-)n-OH。其中n为-OCH2CH2-重复单元的数量。根据本发
明的某些优选实施方案，所述聚氧化乙烯的重均分子量为150000-250000，优选为180000-220000，并且更优选为190000-210000。所述聚氧化乙烯的可商购来源包括由美国DOW陶氏化学公司或日本住友化学公司生产的聚氧化乙烯树脂，其重均分子量为200000。
在本发明一实施例中，以涂覆等工艺形成PEO薄膜，得到空穴缓冲层4，其中，PEO薄膜优选通过PEO水溶液旋涂制备得到。
优选地，所述空穴缓冲层4的厚度为0.1-1nm，优选0.2-0.7nm，并且更优选0.4-0.5nm。
在空穴传输层5上依次形成有机发光层6、电子注入层7、电子传输层8和阴极9。
可选地，所述有机发光层6的厚度为50-150nm。
其中，所述电子注入层7由有机金属错和物或无机物制成，比如氟化锂(LiF)。
可选地，所述电子注入层7的厚度为0.1-1.2nm。
其中，所述电子传输层8由与制作空穴传输层5不同的有机材料制成，比如荧光染料化合物。
其中，所述阴极9由导电材料制成，优选地，所述导电材料为具有低功函数的金属材料，比如铝、银、钙、铟、锂、镁等，或者具有低功函数的复合金属材料，比如镁银等。
可选地，所述阴极9的厚度为50-150nm。
在本发明一实施例中，以涂覆等工艺形成PEDOT：PSS薄膜，得到空穴传输层45；所述有机发光层6由8-羟基喹啉铝(A1Q3)真空蒸镀形成；所述电子注入层7由氟化锂(LiF)真空蒸镀形成；所述阴极9由铝(A1)真空蒸镀形成。
所述方法还包括清洗基板衬底，并进行紫外处理的步骤。
在根据本发明的实施方案所进行的试验中，在同样的条件下，具有空穴缓冲层的器件的发光效率为5.5-5.8cd/A，开启电压为4.1-4.3v，亮度为2500-3000cd/m2，而没有该层的标准器件的发光效率为3.1-3.3cd/A，开启电压为6.3-6.8v，亮度为1500-2000cd/m2。由此可知，通过在阳极
与空穴注入层之间或空穴注入层与空穴传输层之间引入空穴缓冲层，能够达到在提高有机发光器件的发光效率、亮度等性能的同时有效降低OLED器件的工作电压的目的。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
- 一种有机发光显示器件，该有机发光显示器件包括阳极(2)、空穴注入层(3)、空穴传输层(5)、有机发光层(6)、电子注入层(7)、电子传输层(8)和阴极(9)，其特征在于，所述阳极(2)与空穴注入层(3)之间或所述空穴注入层(3)与空穴传输层(5)之间设有空穴缓冲层(4)，以限制过多的空穴注入到所述有机发光层(6)。
- 根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述空穴缓冲层(4)由聚合物制成。
- 根据权利要求2所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述聚合物为聚氧化乙烯。
- 根据权利要求3所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述聚氧化乙烯的重均分子量为150000至250000。
- 根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述空穴缓冲层(4)的厚度为0.1-1nm。
- 根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机发光显示器件还包括基板(1)，所述阳极(2)形成在所述基板(1)上。
- 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-6任一项所述的有机发光显示器件。
- 一种有机发光显示器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在基板(1)上形成阳极(2)；在阳极(2)上形成空穴注入层(3)；在空穴注入层(3)上形成空穴传输层(5)；在所述阳极(2)与空穴注入层(3)之间或所述空穴注入层(3)与空穴传输层(5)之间形成空穴缓冲层(4)，以限制过多的空穴注入到有机发光层(6)；在空穴传输层(5)上依次形成有机发光层(6)、电子注入层(7)、 电子传输层(8)和阴极(9)。
- 根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴缓冲层(4)由聚合物制成。
- 根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物为聚氧化乙烯。
- 根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述聚氧化乙烯的重均分子量为150000至250000。
- 根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴缓冲层(4)的厚度为0.1-1nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/771,671 US20160365528A1 (en) | 2014-08-14 | 2014-10-28 | Organic light-emitting display device, production method thereof and display apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410398412.5 | 2014-08-14 | ||
| CN201410398412.5A CN104167497A (zh) | 2014-08-14 | 2014-08-14 | 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2016023274A1 true WO2016023274A1 (zh) | 2016-02-18 |
Family
ID=51911232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2014/089675 WO2016023274A1 (zh) | 2014-08-14 | 2014-10-28 | 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160365528A1 (zh) |
| CN (1) | CN104167497A (zh) |
| WO (1) | WO2016023274A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105374937A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-03-02 | 浙江大学 | 一种钙钛矿mis结构电致发光器件及其制备方法 |
| CN106653805A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种避免混色的有机发光显示器件及其制造方法 |
| KR102423030B1 (ko) * | 2017-06-05 | 2022-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN110048004B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN113130813A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6611096B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
| CN1957040A (zh) * | 2004-05-21 | 2007-05-02 | 昭和电工株式会社 | 导电组合物及其应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186155A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置および電子機器 |
| KR100833768B1 (ko) * | 2007-01-15 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 화소 장치 및 그 제조 방법 |
| CN101562231B (zh) * | 2009-05-08 | 2011-08-24 | 北京大学 | 基于强关联电子体系的有机太阳能电池及其制备方法 |
| CN101877386A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-11-03 | 北京大学 | 基于介观光学结构的万向太阳能电池 |
| CN101916831B (zh) * | 2010-06-30 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法 |
-
2014
- 2014-08-14 CN CN201410398412.5A patent/CN104167497A/zh active Pending
- 2014-10-28 US US14/771,671 patent/US20160365528A1/en not_active Abandoned
- 2014-10-28 WO PCT/CN2014/089675 patent/WO2016023274A1/zh active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6611096B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
| CN1957040A (zh) * | 2004-05-21 | 2007-05-02 | 昭和电工株式会社 | 导电组合物及其应用 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| GUO, TZUNG-FANG ET AL.: "High-performance polymer light-emitting diodes utilizing modified A1 cathode", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 87, no. 1, 30 June 2005 (2005-06-30), pages 013504, XP012075535, DOI: doi:10.1063/1.1984101 * |
| ZHAO, YAN ET AL.: "Small molecular phosphorescent organic light-emitting diodes using a spin-coated hole blocking layer", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 100, no. 8, 23 February 2012 (2012-02-23), pages 083304-1 - 083304-2, XP012157169, ISSN: 0003-6951, DOI: doi:10.1063/1.3688300 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160365528A1 (en) | 2016-12-15 |
| CN104167497A (zh) | 2014-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10784457B2 (en) | Fabricating method of QLED device and QLED device | |
| US10658606B2 (en) | Quantum dot light emitting device, method of manufacturing the same, and quantum dot light emitting display device | |
| CN106129263B (zh) | Oled显示器件及其制作方法 | |
| CN105261707A (zh) | 一种新型量子点发光器件 | |
| WO2016023274A1 (zh) | 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 | |
| US10446798B2 (en) | Top-emitting WOLED display device | |
| US20170047553A1 (en) | Organic light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
| US10566565B2 (en) | Organic light emitting device and method of fabricating the same, and display device | |
| Dubey et al. | Simple-structured efficient white organic light emitting diode via solution process | |
| WO2014187084A1 (zh) | 一种有机电致发光器件及显示装置 | |
| US20140084255A1 (en) | Organic Light-Emitting Diode Using Bandgap Matching Dye as Co-Host | |
| CN103872254A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| Li et al. | Approaching the theoretical efficiency limit of quantum-dot light-emitting diodes via synergistic optimization | |
| CN109860404B (zh) | 白光有机发光二极管及其制备方法 | |
| CN105762294A (zh) | 利用铱配合物的白光有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN100561769C (zh) | 一种具有空穴传输调控特性的有机电致发光器件 | |
| CN105047828B (zh) | 一种有机电致发光显示装置 | |
| TWI711685B (zh) | 有機發光二極體及其製備方法 | |
| WO2012137400A1 (ja) | 有機薄膜及びこれを発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN105789462A (zh) | 掺杂cbp的蓝色有机电致发光器件及其制备方法 | |
| JP2007214517A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び組成物 | |
| Zhou et al. | High‐Performance Tandem Quantum‐Dot Light‐Emitting Diodes Based on Bulk‐Heterojunction‐Like Charge‐Generation Layers | |
| KR101589362B1 (ko) | 종형 3극성 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20210159467A1 (en) | Method of manufacturing light-emitting device | |
| WO2024000654A1 (zh) | 一种oled器件及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14771671 Country of ref document: US |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 14899699 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 32PN | Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established |
Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 27/06/2017) |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 14899699 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |