CN109860404B - 白光有机发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种白光有机发光二极管及其制备方法，所述白光有机发光二极管包括：从下往上依次层叠设置的ITO玻璃基底、空穴传输层、纳米粒子层、白光发光层、电子传输层以及复合金属阴极层，所述纳米粒子层由二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球混合构成。相较于现有技术，本发明通过引入二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球，使得白光有机发光二极管的性能得到了有效提升，具有潜在的应用价值。

Description

白光有机发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种白光有机发光二极管及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体，具有超轻薄、低成本、低功耗、宽视角、全固化、自发光、驱动电压低(3～12V)及可实现柔软显示等诸多突出的性能，被誉为下一代的“梦幻显示器”。OLED器件属于载流子双注入型发光器件，在正向电压的驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到有机功能层，注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中结合产生激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光分子，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放出光能。

目前OLED的真空蒸镀工艺已经基本实现产业化，小尺寸OLED面板制成的智能手机已经上市。但是，设备的投资和维护费用高，在市场竞争中不具有成本优势，特别是想要在白光照明领域实现突破，简化工艺流程，降低制作成本，提高器件效率和延长灯具的使用寿命都是需要考虑和解决的问题。而基于溶液加工的制备工艺(比如旋涂、喷墨打印等等)恰好可以弥补以上真空蒸镀工艺的不足，因此这种制备工艺引起了越来越多研究者的关注。

“全溶液制备”技术被认为是OLED进一步降低成本和实现大面积显示和照明的有效途径，但是在溶液法制备OLED的过程中，由于存在互溶的问题，制备单层OLED器件时十分简单，而制备多层结构则相对困难，对器件中的载流子及激子的行为较难控制，导致性能较低。

局域表面等离子体(LSPR)技术，被广泛应用于有机电致发光器件的研究中用来提高器件的发光效率。金属纳米粒子具备独特的光学性质，当入射光与金属纳米粒子相互作用时，金属纳米粒子对入射光的吸收和散射都剧烈的增强，这种效应称为金属纳米粒子的局域表面等离子体共振，与纳米粒子的尺寸大小、形状、空间分布及粒子浓度等均有着紧密的联系。

有鉴于此，确有必要提供一种白光有机发光二极管来改进上述问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种白光有机发光二极管及其制备方法。利用二氧化硅包裹后的银钠米立方的等离子体共振效应，引起白光有机发光二极管中激子的辐射速率增强，促进激子发光；利用二氧化硅纳米球减弱空穴电流，促进电荷平衡，从而提高白光有机发光二极管的亮度和发光效率。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种白光有机发光二极管，包括：从下往上依次层叠设置的ITO玻璃基底、空穴传输层、纳米粒子层、白光发光层、电子传输层以及复合金属阴极层，所述纳米粒子层由二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球混合构成。

作为本发明进一步改进的技术方案，二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球组成的混合纳米粒子溶于乙醇，且所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方与二氧化硅纳米球的体积之比为1:0.5-1:3，所述混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述二氧化硅包裹后的银钠米立方的边长为30-50nm，二氧化硅包裹层的厚度为8-15nm，所述二氧化硅纳米球的直径为10-50nm。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述空穴传输层由适合溶液法制膜的空穴传输材料制成，所述空穴传输层的厚度为40-60nm。优选的，空穴传输材料为(3，4-乙烯二氧噻吩单体)：聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述白光发光层由主体材料和发光材料制成，所述发光材料为蓝、橙互补色发光材料或者红、绿、蓝三基色发光材料。优选的，主体材料具有较强的空穴传输性能，如：4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，2,6-双(3-(咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPy)，4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等，采用单一主体或者混合主体；发光材料中：蓝光材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)，橙光材料为双(4-(4-叔丁基苯)的噻吩并[3,2-c]吡啶N,C20)乙酰丙酮(PO-01)，红光材料为(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱(Ir(MDQ)2acac)，绿光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述白光发光层的厚度为60-80nm。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述电子传输层由适合蒸镀制膜法的电子传输材料制成，所述电子传输层的厚度为40-60nm。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述复合金属阴极层由功函数较低的金属材料制成，所述复合金属阴极层的厚度为80-130nm。

为了实现上述目的，本发明还采用如下技术方案：一种白光有机发光二极管的制备方法，适用于前述白光有机发光二极管，所述白光有机发光二极管的制备方法主要包括以下步骤：

步骤1：将ITO玻璃基底依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗，经氮气吹干后置于烘箱中烘干；

步骤2：在清洗干净的ITO玻璃基底上旋涂空穴传输层；

步骤3：将二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球组成的混合纳米粒子溶解于乙醇，所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方与二氧化硅纳米球的体积之比为1:0.5-1:3，混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％，旋涂制备纳米粒子层；

步骤4：将旋涂了空穴传输层和纳米粒子层的ITO玻璃基底放入氮气手套箱中，然后将提前配置好的发光层溶液旋涂在纳米粒子层上，并退火形成白光发光层；

步骤5：将步骤4中得到的样品放入真空蒸镀室，依次蒸镀形成电子传输层和复合金属阴极层。

作为本发明进一步改进的技术方案，旋涂制备纳米粒子层时旋涂的转速为2000rpm/s，旋涂时间为40-60s。

本发明的有益效果在于：本发明将纳米粒子层设计成由二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球混合构成，从而具有以下效果：

(1)采用银纳米立方形成等离子体共振，共振波长与蓝光匹配，共振强度较大，能有效提升蓝光的发光强度，改善白光的色度，同时也提升白光有机发光二极管的性能。

(2)使用二氧化硅包裹后的银纳米立方，一方面保护银纳米立方不易被氧化腐蚀，另一方面减弱了银纳米立方的陷阱效应对白光有机发光二极管的不利影响，同时保证了白光有机发光二极管的稳定性。

(3)二氧化硅包裹后的银纳米立方周围存在二氧化硅纳米球，这些二氧化硅纳米球能够降低空穴电流，促进载流子的平衡，提高白光有机发光二极管的性能。

(4)采用旋涂的方法来制备空穴传输层和纳米粒子层，更易与旋涂制备的白光发光层相结合，有利于改进白光有机发光二极管的性能。

(5)纳米粒子层位于空穴传输层和白光发光层之间，实现金属粒子与发光激子保持一定的优化距离，一方面可通过等离子体的耦合作用提高激子的复合速率，增强辐射发光的几率，提高发光效率，改善效率滚降；另一方面也可以抑制激子的淬灭。

(6)所制备的白光有机发光二极管中各膜层的厚度经过优化设计后，实现了好的电荷平衡和高的发光效率，使白光有机发光二极管具有较高的性能。

(7)二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球同时合成，方法简单，且两者的比例可以通过调整合成参数进行控制，制备方法简单，重复性高。

附图说明

图1为本发明白光有机发光二极管的结构示意图。

图2为实施例一中含有纳米粒子层的器件和未加纳米粒子层的参考器件的电流效率-亮度曲线(双发光材料)。

图3为实施例一中含有纳米粒子层的器件和未加纳米粒子层的参考器件的电流密度-电压曲线(双发光材料)。

图4为实施例二中含有纳米粒子层的器件和未加纳米粒子层的参考器件的电流效率-亮度曲线(三发光材料)。

图5为实施例二中含有纳米粒子层的器件和未加纳米粒子层的参考器件的电流密度-电压曲线(三发光材料)。

图6为实施例三中含有纳米粒子层的器件和未加纳米粒子层的参考器件的电流效率-亮度曲线(双发光材料)。

图7为实施例三中二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球的混合溶液的透射电子显微镜照片。

图8为实施例四中含有纳米粒子层的器件和未加纳米粒子层的参考器件的电流效率-亮度曲线(双发光材料)。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。

如图1所示，本发明提供了一种白光有机发光二极管，包括从下往上依次层叠设置的ITO玻璃基底1、空穴传输层2、纳米粒子层3、白光发光层4、电子传输层5以及复合金属阴极层6。所述ITO玻璃基底1为铟锡氧化物玻璃基底。所述纳米粒子层3由二氧化硅包裹后的银钠米立方31和二氧化硅纳米球32混合构成。

所述空穴传输层2由适合溶液法制膜的空穴传输材料制成，所述空穴传输层2的厚度为40-60nm。优选的，空穴传输材料为PEDOT：PSS，其中，材料PEDOT：PSS是一种高分子聚合物的水溶液，PEDOT是EDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。

所述纳米粒子层3由二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32组成的混合纳米粒子溶于乙醇溶液后旋涂制成，其中，所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方31与二氧化硅纳米球32的体积之比为1:0.5-1:3，优选为1:0.5、1:1、1:1.5、1:2、1:2.5、1:3；所述混合纳米粒子与乙醇溶液的体积百分比为1％-3％。所述二氧化硅包裹后的银钠米立方31的边长为30-50nm，二氧化硅包裹层的厚度为8-15nm，所述二氧化硅纳米球32的直径为10-50nm。

所述白光发光层4由主体材料和发光材料制成，所述发光材料为蓝、橙互补色发光材料或者红、绿、蓝三基色发光材料。优选的，主体材料具有较强的空穴传输性能，如：4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，2,6-双(3-(咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPy)，4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等，采用单一主体或者混合主体；发光材料中：蓝光材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)，橙光材料为双(4-(4-叔丁基苯)的噻吩并[3,2-c]吡啶N,C20)乙酰丙酮(PO-01)，红光材料为(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱(Ir(MDQ)2acac)，绿光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。所述白光发光层4的厚度为60-80nm。

所述电子传输层5由适合蒸镀制膜法的电子传输材料制成，如1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyPB)，4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BPhen)等，所述电子传输层5的厚度为40-60nm。

所述复合金属阴极层6由功函数较低的金属材料制成，优选为由氟化锂(LiF)和铝(Al)复合制成，所述复合金属阴极层6的厚度为80-130nm。

所述白光有机发光二极管的制备方法主要包括以下步骤：

步骤1：将ITO玻璃基底1依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗，经氮气吹干后置于烘箱中烘干；

步骤2：在清洗干净的ITO玻璃基底1上旋涂空穴传输层2，旋涂时采用的材料为PEDOT：PSS；

步骤3：将二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32组成的混合纳米粒子溶解于乙醇，所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方31与二氧化硅纳米球32的体积之比为1:0.5-1:3，混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％，以旋涂制备纳米粒子层3，且旋涂制备纳米粒子层3时旋涂的转速为2000rpm/s，旋涂时间为40-60s；

步骤4：将旋涂了空穴传输层2和纳米粒子层3的ITO玻璃基底1放入氮气手套箱中，然后将提前配置好的发光层溶液旋涂在纳米粒子层3上，并退火形成白光发光层4；

步骤5：将步骤4中得到的样品放入真空蒸镀室，依次蒸镀形成电子传输层5和复合金属阴极层6。

本发明的白光有机发光二极管的制备方法具有四种较佳实施例，以下说明书部分将对这四种实施例进行举例说明，但不应以此为限。

实施例一：

在本发明中，所述白光有机发光二极管采用的是溶液加工型白光有机发光二极管。制备所述溶液加工型白光有机发光二极管的方法包括如下步骤：

步骤1：将ITO玻璃基底1依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗10min，经氮气吹干后置于烘箱中烘干；

步骤2：旋涂空穴传输层2，旋涂时采用的材料为PEDOT：PSS，旋涂的转速为2500rpm/s，旋涂时间为60s，旋涂厚度为50nm；

步骤3：旋涂制备纳米粒子层3，将二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32组成的混合纳米粒子溶解在乙醇溶液中，其中，二氧化硅包裹后的银纳米立方31与二氧化硅纳米球32的体积之比约为1:3，混合纳米粒子与乙醇溶液的体积百分比为3％，旋涂的转速为2000rpm/s，旋涂时间为40s，二氧化硅包裹后的银纳米立方31的边长为40nm，二氧化硅包裹层的厚度为8nm，二氧化硅纳米球32的直径为20nm；

步骤4：将旋涂了空穴传输层2和纳米粒子层3的ITO玻璃基底1放入氮气手套箱中，然后将提前配置好的发光层溶液旋涂在纳米粒子层3上，并退火形成白光发光层4，旋涂的转速为1000rpm/s，旋涂时间为60s，白光发光层4的厚度为70nm；其中，发光层溶液采用双极性材料2,6-双(3-(咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPy)、空穴传输材料4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作双主体，掺杂质量比为10％的蓝光发光材料(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)和质量比为0.5％的橙光发光材料双(4-(4-叔丁基苯)的噻吩并[3,2-c]吡啶N,C20)乙酰丙酮(PO-01)制成；

步骤5：将步骤4中得到的样品放入真空蒸镀室，蒸镀形成电子传输层5，蒸镀时采用的材料为1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyPb)，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为45nm；

步骤6：蒸镀复合金属阴极层6，采用LiF和Al组成复合金属阴极层6，且LiF的蒸镀速率为0.05nm/s，厚度为1nm，Al的蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为100nm；

步骤7：通过Keithley2400电流源结合PR-655光谱仪测量白光有机发光二极管的电流-电压-亮度特性。

如图2所示，为实施例一中含有纳米粒子层3的白光有机发光二极管(简称为器件)和未加纳米粒子层3的参考器件的电流效率-亮度曲线。由图2可见，加入纳米粒子层3之后，器件的最高电流效率从30.42cd/A提高至53.9cd/A。

如图3所示，为实施例一中含有纳米粒子层3的器件和未加纳米粒子层3的参考器件的电流密度-电压曲线。由图3可见，加入所述纳米粒子层3之后，器件的电流降低。

实施例二：

本实施例中，白光有机发光二极管采用的也是溶液加工型白光有机发光二极管，且所述白光有机发光二极管的结构与实施例一的结构相同，在此不再赘述。

制备所述溶液加工型白光有机发光二极管的方法与实施例一基本相同，不同点主要在于：本实施例中，白光发光层4的发光材料为红、绿、蓝三基色发光材料。

具体来讲，发光层溶液采用双极性材料2,6-双(3-(咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPy)、空穴传输材料4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作双主体，掺杂一定比例的蓝光发光材料(FIrpic)、绿光发光材料三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(PPy)₃)及红光材料Ir(mphmq)₂(acac)制成。

如图4所示，为实施例二中含有纳米粒子层3的器件和未加纳米粒子层3的参考器件的电流效率-亮度曲线。由图4可见，加入纳米粒子层3之后，器件的最高电流效率有了提高。

如图5所示，为实施例二中含有纳米粒子层3的器件和未加纳米粒子层3的参考器件的电流密度-电压曲线。由图5可见，加入所述纳米粒子层3之后，器件的电流降低。

实施例三：

本实施例中，白光有机发光二极管采用的也是溶液加工型白光有机发光二极管，且所述白光有机发光二极管的结构与实施例一的结构相同，在此不再赘述。

制备所述溶液加工型白光有机发光二极管的方法与实施例一基本相同，不同点主要在于：本实施例中，所述纳米粒子层3中二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32组成的混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％，降低了混合纳米粒子的体积浓度。

如图6所示，为实施例三中含有纳米粒子层3的器件和未加纳米粒子层3的参考器件的电流效率-亮度曲线。由图6可见，加入纳米粒子层3之后，器件的最高电流效率有了提高，但是由于加入的混合纳米粒子的体积浓度较低，且混合纳米粒子对器件的作用较弱，所以加入混合纳米粒子后，器件性能的提升幅度较小。

如图7所示，为实施例三中二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32的混合溶液的透射电子显微镜照片。

实施例四：

本实施例中，白光有机发光二极管采用的也是溶液加工型白光有机发光二极管，且所述白光有机发光二极管的结构与实施例一的结构相同，在此不再赘述。

制备所述溶液加工型白光有机发光二极管的方法与实施例一基本相同，不同点主要在于：本实施例中，所述纳米粒子层3中二氧化硅包裹后的银纳米立方31与二氧化硅纳米球32的体积之比约为1:1，减少了二氧化硅纳米球32的数量。

如图8所示，为实施例四中含有纳米粒子层3的器件和未加纳米粒子层3的参考器件的电流效率-亮度曲线。由图8可见，加入纳米粒子层3之后，器件的最高电流效率有了提高。

综上所述，本发明将纳米粒子层3设计成由二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32混合构成，从而具有以下效果：

(1)采用银纳米立方形成等离子体共振，共振波长与蓝光匹配，共振强度较大，能有效提升蓝光的发光强度，改善白光的色度，同时也提升白光有机发光二极管的性能。

(2)使用二氧化硅包裹后的银纳米立方31，一方面保护银纳米立方不易被氧化腐蚀，另一方面减弱了银纳米立方的陷阱效应对白光有机发光二极管的不利影响，同时保证了白光有机发光二极管的稳定性。

(3)二氧化硅包裹后的银纳米立方31周围存在二氧化硅纳米球32，这些二氧化硅纳米球32能够降低空穴电流，促进载流子的平衡，提高白光有机发光二极管的性能。

(4)采用旋涂的方法来制备空穴传输层2和纳米粒子层3，更易与旋涂制备的白光发光层4相结合，有利于改进白光有机发光二极管的性能。

(5)纳米粒子层3位于空穴传输层2和白光发光层4之间，实现金属粒子与发光激子保持一定的优化距离，一方面可通过等离子体的耦合作用提高激子的复合速率，增强辐射发光的几率，提高发光效率，改善效率滚降；另一方面也可以抑制激子的淬灭。

(6)所制备的白光有机发光二极管中各膜层的厚度经过优化设计后，实现了好的电荷平衡和高的发光效率，使白光有机发光二极管具有较高的性能。

(7)二氧化硅包裹后的银纳米立方31和二氧化硅纳米球32同时合成，方法简单，且两者的比例可以通过调整合成参数进行控制，制备方法简单，重复性高。

以上实施例仅用于说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案，对本说明书的理解应该以所属技术领域的技术人员为基础，尽管本说明书参照上述的实施例对本发明已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，所属技术领域的技术人员仍然可以对本发明进行修改或者等同替换，而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进，均应涵盖在本发明的权利要求范围内。

Claims (10)

1.一种白光有机发光二极管，其特征在于，包括：从下往上依次层叠设置的ITO玻璃基底、空穴传输层、纳米粒子层、白光发光层、电子传输层以及复合金属阴极层，所述纳米粒子层由二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球混合构成。

2.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球组成的混合纳米粒子溶于乙醇，且所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方与二氧化硅纳米球的体积之比为1:0.5-1:3，所述混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％。

3.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述二氧化硅包裹后的银钠米立方的边长为30-50nm，二氧化硅包裹层的厚度为8-15nm，所述二氧化硅纳米球的直径为10-50nm。

4.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层由适合溶液法制膜的空穴传输材料制成，所述空穴传输层的厚度为40-60nm。

5.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述白光发光层由主体材料和发光材料制成，所述发光材料为蓝、橙互补色发光材料或者红、绿、蓝三基色发光材料。

6.如权利要求5所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述白光发光层的厚度为60-80nm。

7.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述电子传输层由适合蒸镀制膜法的电子传输材料制成，所述电子传输层的厚度为40-60nm。

8.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述复合金属阴极层由功函数较低的金属材料制成，所述复合金属阴极层的厚度为80-130nm。

9.一种白光有机发光二极管的制备方法，适用于权利要求1～8中任一项所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述白光有机发光二极管的制备方法主要包括以下步骤：

步骤1：将ITO玻璃基底依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗，经氮气吹干后置于烘箱中烘干；

步骤2：在清洗干净的ITO玻璃基底上旋涂空穴传输层；

步骤3：将二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球组成的混合纳米粒子溶解于乙醇，所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方与二氧化硅纳米球的体积之比为1:0.5-1:3，混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％，旋涂制备纳米粒子层；

步骤4：将旋涂了空穴传输层和纳米粒子层的ITO玻璃基底放入氮气手套箱中，然后将提前配置好的发光层溶液旋涂在纳米粒子层上，并退火形成白光发光层；

步骤5：将步骤4中得到的样品放入真空蒸镀室，依次蒸镀形成电子传输层和复合金属阴极层。

10.如权利要求9所述的白光有机发光二极管的制备方法，其特征在于：旋涂制备纳米粒子层时旋涂的转速为2000rpm/s，旋涂时间为40-60s。

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