CN104377318A - 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 - Google Patents
有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104377318A CN104377318A CN201410498485.1A CN201410498485A CN104377318A CN 104377318 A CN104377318 A CN 104377318A CN 201410498485 A CN201410498485 A CN 201410498485A CN 104377318 A CN104377318 A CN 104377318A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- organic electroluminescence
- electroluminescence device
- organic
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000010041 electrostatic spinning Methods 0.000 claims description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- -1 dimethyl imide Chemical class 0.000 claims description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 6
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 238000001523 electrospinning Methods 0.000 claims description 3
- PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N indeno[2,1-a]fluorene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C4=CC=C3C2=C1 PJULCNAVAGQLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 abstract 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000002866 fluorescence resonance energy transfer Methods 0.000 description 12
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机电致发光器件及其制备方法、包含该有机电致发光器件的显示基板和显示装置。本发明通过将量子点均匀分散于电致发光聚合物的纤维内部，可以有效防止量子点之间的团聚和自淬灭；利用电致发光聚合物与量子点之间的荧光共振能量转移作用，得到较高的量子产率，可以提高量子点的发光效率；量子点通过荧光共振能量转移效应实现发光，荧光共振能量转移效应是能量转移过程，对量子点无损伤，相对现有技术中的直接电荷注入方式，对量子点自身的损害更少，有利于提高其寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示产品制造技术领域，具体地，涉及一种有机电致发光器件及其制备方法、包含该有机电致发光器件的显示基板和显示装置。
背景技术
量子点发光二极管显示器是基于有机发光显示器的基础上发展起来的一种新型显示技术。不同的是，其电致发光结构包括量子点层。
现有的量子点发光二极管显示器的电致发光结构包括阳极，空穴注入层、空穴传输层、量子点层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。其中，电子由阴极经电子注入层，电子传输层、空穴阻挡层、注入到量子点层，空穴由阳极经空穴注入层，空穴传输层、注入到量子点层，电子和空穴在量子点层中复合发光。
与有机发光二极管显示器件相比，量子点电致发光具有发光峰窄、色彩饱和度高、色域宽等优点。
当前量子点发光二极管显示装置依然存在一些问题，例如：
1.量子点易团聚而发生自淬灭现象、光效低、寿命短等问题；
2.量子点在电荷注入方式产生的激子易于发生俄歇复合，导致量子点发生电离而发生破坏，使用寿命降低；
3.大量的电荷注入使得量子点本身的物化性质发生改变(如氧化、还原效应)。
发明内容
本发明针对现有量子点发光二极管显示装置存在上述问题，提供一种有机电致发光器件及其制备方法、有机电致发光显示基板，有机电致发光显示装置。
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件的制备方法，于，包括以下步骤：
将有机溶剂、电荷控制剂、电致发光聚合物、量子点混合获得静电纺丝溶液；
将上述静电纺丝溶液通过静电纺丝工艺，将量子点均匀分散于电致发光聚合物形成量子点有机电致发光膜。
优选的是，所述有机溶剂包括正己烷、环己烷、氯仿中的任意一种或多种。
优选的是，所述电荷控制剂包括二甲基亚酰胺。
优选的是，所述电致发光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚并芴、聚芴及其衍生物中的任意一种或多种。
优选的是，所述量子点包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlP、AlSb中任意一种或多种。
优选的是，所述量子点包括具有核壳结构的量子点。
优选的是，所述具有核壳结构的量子点包括CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS中任意一种或多种。
优选的是，在所述静电纺丝溶液中以质量百分比计包括电荷控制剂1-5％；电致发光聚合物10-30％；量子点物质1-5％和余量的有机溶剂。
优选的是，所述的静电纺丝工艺的中电纺电压为15-40kV，针管直径为3-5mm，静电纺丝溶液的注射速度为0.2-2.0mL/h，形成静电电场的两电极的间距为10-30cm。
本发明提供一种有机电致发光器件，包括用于发光的量子点有机电致发光膜，其中，量子点均匀分散于所述量子点有机电致发光膜中。
优选的是，所述的量子点有机电致发光膜中相邻量子点之间的平均距离为量子点平均粒径的3-10倍。
本发明的另一个目的是提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件是采用上述方法制备的。
优选的是，所述有机电致发光器件包括量子点有机电致发光膜，所述量子点有机电致发光膜中相邻量子点之间的平均距离为量子点平均粒径的3-10倍。
本发明的另一个目的是提供一种有机电致发光显示基板，所述的有机电致发光显示基板包括上述的有机电致发光器件。
本发明的另一个目的是提供一种有机电致发光显示装置，所述的有机电致发光显示装置包括上述的有机电致发光显示基板。
本发明的有益效果：本发明通过将量子点均匀分散于电致发光聚合物的纤维内部，可以有效防止量子点之间的团聚和自淬灭；利用电致发光聚合物与量子点之间的荧光共振能量转移作用，得到较高的量子产率，可以提高量子点的发光效率；量子点通过荧光共振能量转移效应实现发光，荧光共振能量转移效应是能量转移过程，对量子点无损伤，相对现有技术中的直接电荷注入方式，对量子点自身的损害更少，有利于提高其寿命。
附图说明
图1为本发明实施例1中有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例1中量子点有机电致发光膜的结构示意图；
其中的附图标记说明：
1.玻璃基板；2.阳极；3.空穴注入层；4.空穴传输层；5.量子点有机电致发光膜；51.量子点；52.有机电致发光聚合物；6.空穴阻挡层；7.电子传输层；8.电子注入层；9.阴极。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1
如图1所示，本实施例提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1.制备阳极、空穴注入层、空穴传输层
在玻璃基板1上采用现有技术的方法制备阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4，在此不再一一赘述。
2.制备静电纺丝溶液
将有机溶剂、电荷控制剂、电致发光聚合物、量子点51混合获得静电纺丝溶液。
具体地，按以下质量百分比计配制静电纺丝溶液，电荷控制剂1-5％；电致发光聚合物10-30％；量子点51物质1-5％和余量的有机溶剂。
将上述质量百分比的电荷控制剂、电致发光聚合物、量子点51加入有机溶剂中，在200-400rpm下搅拌2-4h，得到静电纺丝溶液。
其中，所述有机溶剂包括正己烷、环己烷、氯仿中的任意一种或多种。应当理解的是也可以是其它烃类或者卤化烃。
其中，所述电荷控制剂包括二甲基亚酰胺。应当理解的是也可以是其它酰胺类物质，用于使溶液带电，进而进行静电纺丝工艺。
其中，所述电致发光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚并芴、聚芴及其衍生物中的任意一种或多种。上述电致发光聚合物可以发蓝光，应当理解的是，其它类型的电致发光聚合物也是可行的，只要能在静电纺丝工艺中制作成网状纤维，并能将能量转移给量子点51即可。
其中，所述量子点51包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlP、AlSb中任意一种或多种。应当理解的是，量子点51可以是发红光的量子点51，红光量子点51的粒径范围为3.8-4.2nm；也可以是发绿光的量子点51，绿光量子点51粒径范围为2.8-3.2nm。
具体量子点51的结构可以为具有核壳结构的量子点51。具体地，具有核壳结构的量子点51包括CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS中任意一种或多种。
应当理解的是，有机发光聚合物的选择和量子点51的选择是相匹配的，需要将有机发光聚合物的能量转移给量子点51使量子点51或有机发光聚合物和量子点51配合能发出三原色的色光，完成显示功能；量子点51组分的质量可以依据具体应用的需要进行适当的选择。
3.进行静电纺丝
将上述静电纺丝溶液通过静电纺丝工艺在上述的空穴传输层4上，将量子点51均匀分散于电致发光聚合物形成量子点有机电致发光膜5。应当理解的是，静电纺丝工艺步骤和设备为现有技术范畴在此不再一一赘述。
具体地，静电纺丝工艺的按以下参数进行即可：电纺电压为15-40kV，针管直径为3-5mm，静电纺丝溶液的注射速度为0.2-2.0mL/h，形成静电电场的两电极间距为10-30cm。通过控制上述参数获得量子点有机电致发光膜5中相邻量子点51之间的平均距离为量子点51平均粒径的3-10倍。
4.制备空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极
继续在量子点有机电致发光膜5上采用现有技术的方法制备空穴阻挡层6、电子传输层7、电子注入层8、阴极9，在此不再一一赘述。
本实施例中的有机电致发光器件的制备方法，将量子点通过静电纺丝技术使有机溶剂迅速蒸发量子点被均匀的分散在纤维内部，可以有效防止量子点51之间的团聚和自淬灭，荧光强度大大增强；并且量子点被纤维保护，免受外界的湿气和氧气的影响，寿命也大大延长。利用电致发光聚合物与量子点51之间的荧光共振能量转移作用，得到较高的量子产率，可以提高量子点51的发光效率；量子点51通过荧光共振能量转移效应实现发光，荧光共振能量转移效应是能量转移过程，对量子点51无损伤，相对现有技术中的直接电荷注入方式，对量子点51自身的损害更少，有利于提高其寿命。
实施例2：
如图2所示，本实施例提供一种有机电致发光器件，包括用于发光的量子点有机电致发光膜5，其中，量子点51均匀分散于所述量子点有机电致发光膜5中。其中，量子点有机电致发光膜5中包括形成网状纤维的有机电致发光聚合物52。
本实施例中的有机电致发光器件是通过将量子点51均匀分散于电致发光聚合物的纤维内部，可以有效防止量子点51之间的团聚和自淬灭；利用电致发光聚合物与量子点51之间的荧光共振能量转移作用，得到较高的量子产率，可以提高量子点51的发光效率；量子点51通过荧光共振能量转移效应实现发光，荧光共振能量转移效应是能量转移过程，对量子点51无损伤，相对现有技术中的直接电荷注入方式，对量子点51自身的损害更少，有利于提高其寿命。
优选的，所述的量子点有机电致发光膜5其中，相邻量子点51之间的平均距离为量子点51平均粒径的3-10倍。这样能够使上述的效果得到提升。
实施例3
本实施例提供一种有机电致发光显示基板，该有机电致发光显示基板包括上述的有机电致发光器件。
实施例4
本实施例提供一种有机电致发光显示装置，该有机电致发光显示基板包括上述的有机电致发光显示基板。
有机电致发光器件是通过将量子点51均匀分散于电致发光聚合物的纤维内部，可以有效防止量子点51之间的团聚和自淬灭；利用电致发光聚合物与量子点51之间的荧光共振能量转移作用，得到较高的量子产率，可以提高量子点51的发光效率；量子点51通过荧光共振能量转移效应实现发光，荧光共振能量转移效应是能量转移过程，对量子点51无损伤，相对现有技术中的直接电荷注入方式，对量子点51自身的损害更少，有利于提高其寿命。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将有机溶剂、电荷控制剂、电致发光聚合物、量子点混合获得静电纺丝溶液；
将上述静电纺丝溶液通过静电纺丝工艺，将量子点均匀分散于电致发光聚合物形成量子点有机电致发光膜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括正己烷、环己烷、氯仿中的任意一种或多种。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电荷控制剂包括二甲基亚酰胺。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电致发光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚并芴、聚芴及其衍生物中的任意一种或多种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述量子点包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlP、AlSb中任意一种或多种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述量子点为具有核壳结构的量子点。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述具有核壳结构的量子点包括CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS中任意一种或多种。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述静电纺丝溶液中以质量百分比计包括：电荷控制剂1-5％；电致发光聚合物10-30％；量子点物质1-5％和余量的有机溶剂。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述的静电纺丝工艺的中电纺电压为15-40kV，针管直径为3-5mm，静电纺丝溶液的注射速度为0.2-2.0mL/h，形成静电电场的两电极的间距为10-30cm。
10.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件是采用如权利要求1-9任一项所述方法制备的。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括量子点有机电致发光膜，所述量子点有机电致发光膜中相邻量子点之间的平均距离为量子点平均粒径的3-10倍。
12.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，在所述量子点有机电致发光膜的一侧依次设有空穴传输层、空穴注入层、阳极；在所述量子点有机电致发光膜的另一侧依次设空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。
13.一种有机电致发光显示基板，其特征在于，所述的有机电致发光显示基板包括如权利要求10-12任一项所述有机电致发光器件。
14.一种有机电致发光显示装置，其特征在于，所述的有机电致发光显示装置包括如权利要求13所述的有机电致发光显示基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410498485.1A CN104377318A (zh) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 |
| PCT/CN2015/070611 WO2016045258A1 (zh) | 2014-09-25 | 2015-01-13 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 |
| US14/775,847 US9941482B2 (en) | 2014-09-25 | 2015-01-13 | Organic electroluminescent device, method of preparing same, display substrate, and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410498485.1A CN104377318A (zh) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104377318A true CN104377318A (zh) | 2015-02-25 |
Family
ID=52556085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410498485.1A Pending CN104377318A (zh) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9941482B2 (zh) |
| CN (1) | CN104377318A (zh) |
| WO (1) | WO2016045258A1 (zh) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104966781A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-10-07 | 青岛大学 | 一种钙钛矿纳米纤维膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN105552245A (zh) * | 2016-02-18 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
| CN106486571A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-03-08 | 武汉大学 | 一种高导热量子点薄膜的制备方法 |
| CN106997926A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种白光量子点电致发光器件 |
| CN106997890A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种基于量子点电致发光器件的彩色显示器件 |
| CN106997927A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种量子点电致发光器件 |
| WO2018035948A1 (zh) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 发光二极管装置、其制备方法和基于其的显示装置 |
| CN107910449A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-13 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN109390479A (zh) * | 2017-08-09 | 2019-02-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种基于复合发光层的qled器件及其制备方法 |
| CN110196511A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种量子点膜及其制作方法、背光模组、显示装置 |
| CN111129097A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111725409A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 白光发光二极管器件及其制作方法 |
| CN111886931A (zh) * | 2018-03-22 | 2020-11-03 | 夏普株式会社 | 显示设备及其制造方法 |
| CN114106814A (zh) * | 2021-11-23 | 2022-03-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点光致发光膜及其制备方法、显示装置 |
| CN114502688A (zh) * | 2019-08-05 | 2022-05-13 | 奈科斯多特股份公司 | 电致发光材料和电致发光装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103525406B (zh) * | 2013-10-21 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备 |
| CN103500803B (zh) * | 2013-10-21 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件 |
| CN104241553A (zh) * | 2014-10-13 | 2014-12-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的制备方法及其制得的oled器件 |
| CN104253247A (zh) * | 2014-10-13 | 2014-12-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的制备方法及其制得的oled器件 |
| CN105118930A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法及有机电致发光器件 |
| KR101752573B1 (ko) * | 2015-12-10 | 2017-06-30 | 성균관대학교산학협력단 | 지연형광-양자점 전계발광다이오드 |
| CN112236498A (zh) * | 2018-04-11 | 2021-01-15 | 纳米技术有限公司 | 用于荧光供体辅助oled装置的量子点构造 |
| CN109037463A (zh) * | 2018-07-21 | 2018-12-18 | 戚明海 | 一种具有荧光粒子的oled及其制造方法 |
| WO2020063592A1 (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管 |
| CN114424357B (zh) * | 2019-09-20 | 2024-07-26 | 夏普株式会社 | 显示设备及显示设备的制造方法 |
| CN113042030B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-04-08 | 中南大学 | 一种自然条件下降解废水中有机污染的柔性薄膜 |
| RO137484A0 (ro) | 2022-10-12 | 2023-05-30 | Institutul Naţional De Cercetare Dezvoltare Pentru Fizica Materialelor (Incdfm) | Dispozitiv organic multistrat tip diodă, pe substrat transparent şi flexibil bazat pe fibre polimerice electrofilate şi compuşi organometalici şi procedeu de fabricare al acestuia |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1743361A (zh) * | 2005-09-22 | 2006-03-08 | 复旦大学 | 一种无机半导体纳米晶与共轭聚合物杂化材料及其制备方法 |
| CN102483220A (zh) * | 2009-04-15 | 2012-05-30 | 研究三角协会 | 受激发光装置 |
| WO2013157494A1 (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009140381A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Research Triangle Institute | Porous and non-porous nanostructures and application thereof |
| CN103779509A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制作方法和显示面板 |
-
2014
- 2014-09-25 CN CN201410498485.1A patent/CN104377318A/zh active Pending
-
2015
- 2015-01-13 US US14/775,847 patent/US9941482B2/en active Active
- 2015-01-13 WO PCT/CN2015/070611 patent/WO2016045258A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1743361A (zh) * | 2005-09-22 | 2006-03-08 | 复旦大学 | 一种无机半导体纳米晶与共轭聚合物杂化材料及其制备方法 |
| CN102483220A (zh) * | 2009-04-15 | 2012-05-30 | 研究三角协会 | 受激发光装置 |
| WO2013157494A1 (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104966781B (zh) * | 2015-05-04 | 2018-04-17 | 青岛大学 | 一种钙钛矿纳米纤维膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN104966781A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-10-07 | 青岛大学 | 一种钙钛矿纳米纤维膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN106997890B (zh) * | 2016-01-26 | 2020-05-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种基于量子点电致发光器件的彩色显示器件 |
| CN106997927B (zh) * | 2016-01-26 | 2019-06-07 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种量子点电致发光器件 |
| CN106997926B (zh) * | 2016-01-26 | 2019-07-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种白光量子点电致发光器件 |
| CN106997890A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种基于量子点电致发光器件的彩色显示器件 |
| CN106997927A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种量子点电致发光器件 |
| CN106997926A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种白光量子点电致发光器件 |
| CN105552245A (zh) * | 2016-02-18 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
| WO2017140151A1 (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light-emitting device, manufacturing method, and display apparatus |
| CN105552245B (zh) * | 2016-02-18 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
| CN108389982B (zh) * | 2016-08-23 | 2020-03-27 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 发光二极管装置及显示装置 |
| CN108389982A (zh) * | 2016-08-23 | 2018-08-10 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 发光二极管装置及显示装置 |
| WO2018035948A1 (zh) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 发光二极管装置、其制备方法和基于其的显示装置 |
| CN106486571A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-03-08 | 武汉大学 | 一种高导热量子点薄膜的制备方法 |
| CN109390479A (zh) * | 2017-08-09 | 2019-02-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种基于复合发光层的qled器件及其制备方法 |
| CN107910449A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-13 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111886931A (zh) * | 2018-03-22 | 2020-11-03 | 夏普株式会社 | 显示设备及其制造方法 |
| CN111886931B (zh) * | 2018-03-22 | 2023-08-22 | 夏普株式会社 | 显示设备及其制造方法 |
| CN110196511A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种量子点膜及其制作方法、背光模组、显示装置 |
| CN110196511B (zh) * | 2019-05-24 | 2021-11-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种量子点膜及其制作方法、背光模组、显示装置 |
| CN114502688A (zh) * | 2019-08-05 | 2022-05-13 | 奈科斯多特股份公司 | 电致发光材料和电致发光装置 |
| WO2021134822A1 (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111129097A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111725409A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 白光发光二极管器件及其制作方法 |
| CN114106814A (zh) * | 2021-11-23 | 2022-03-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点光致发光膜及其制备方法、显示装置 |
| CN114106814B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点光致发光膜及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9941482B2 (en) | 2018-04-10 |
| US20160301024A1 (en) | 2016-10-13 |
| WO2016045258A1 (zh) | 2016-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104377318A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 | |
| KR101686104B1 (ko) | 양자점 발광 소자 | |
| KR101475520B1 (ko) | 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자 | |
| CN103500803A (zh) | 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件 | |
| CN106129263B (zh) | Oled显示器件及其制作方法 | |
| US20160240590A1 (en) | Oled pixel structure | |
| CN103525406B (zh) | 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备 | |
| WO2014208896A1 (en) | Vertical organic light-emitting transistor and organic led illumination apparatus having the same | |
| CN104409650A (zh) | 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置 | |
| CN106356463B (zh) | Qled显示装置的制作方法 | |
| CN107134533B (zh) | 电致发光器件、显示装置及照明装置 | |
| CN105449110B (zh) | 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法 | |
| CN104157671A (zh) | 一种电致发光显示面板、其制备方法及显示装置 | |
| CN106229418B (zh) | 一种电致发光显示器件及显示装置 | |
| KR102196085B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치와 이의 제조 방법 | |
| CN105261709A (zh) | 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法 | |
| CN106654068A (zh) | 一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 | |
| CN105514294A (zh) | 一种量子点电致发光器件及其空穴传输方法和显示装置 | |
| Xiao et al. | Effects of injection current on the modulation bandwidths of quantum-dot light-emitting diodes | |
| CN108155296A (zh) | 量子点发光器件及显示装置 | |
| CN104466032B (zh) | 一种oled器件制备方法 | |
| Balderas et al. | A photoluminescence study of electrospun fibers of conjugated poly [2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene] blended with poly (9-vinylcarbazole) | |
| JP2006127780A (ja) | 電界発光素子 | |
| CN108448004A (zh) | 一种显示面板及制作方法 | |
| KR20140093377A (ko) | 전계 발광 조성물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전계 발광 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150225 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |