CN104466032B - 一种oled器件制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED器件制备方法，包括：用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层；用OPEN MASK在所述空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，所述B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质；用FINEMASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层，所述G基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料；用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀R基色有机发光层，所述R基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料，且所述R基色有机发光层的厚度大于所述G基色有机发光层的厚度；依照常规技术，在所述B基色有机发光层、所述G基色有机发光层、所述R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。应用本发明技术方案，能够在调节三基色的腔长时，避免使用多张FINEMASK，提高OLED器件的良品率，并降低成本。

Description

一种OLED器件制备方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种OLED器件制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)具有自发光的特性，并由于快速响应、广视角、色彩丰富、高亮度、低功耗、耐高温等众多优点而被业界公认为继液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)之后的第三代显示技术。OLED是通过有机发光材料在电流的驱动下发光来实现显示，其原理是在阳极和阴极之间插入功能层，包括电荷电荷注入层、电荷传输层以及发光层，在电极之间施加适当的电压，器件就能发光。
OLED器件的像素排布一般为R、G、B三基色子像素并列称为一个像素。在器件的制备过程中，需要通过调节R、G、B三基色的微腔来获得高的色饱和度，通常R基色微腔腔长最大，G基色次之，B基色腔长最小。传统技术中，一般是通过调节空穴注入层或空穴传输层来调节微腔，即用FINE MASK(开口较小的蒸镀用掩膜板，30～50um)分别蒸镀对应于三基色的空穴注入层或空穴传输层，由于腔长不同，这里就需要3～6张FINE MASK来蒸镀。由于FINEMASK开口小，在与基板反复接触，会造成很多缺陷，降低OLED器件的良品率，此外FINE MASK制作和维护成本较高，大量使用会提高OLED器件的成本。
发明内容
基于此，有必要提供一种OLED器件制备方法，应用本发明技术方案，能够在调节三基色的腔长时，避免使用多张FINE MASK，提高OLED器件的良品率，并降低成本。
一种OLED器件制备方法，包括：
用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层；
用OPEN MASK在所述空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，所述B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质；
用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层，所述G基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料；
用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀R基色有机发光层，所述R基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料，且所述R基色有机发光层的厚度大于所述G基色有机发光层的厚度；
依照常规技术，在所述B基色有机发光层、所述G基色有机发光层、所述R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。
在一个实施例中，所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度为100～200nm。
在一个实施例中，所述B基色有机发光层的厚度为30～50nm，所述G基色有机发光层的厚度为30～50nm，所述R基色有机发光层的厚度为30～60nm，所述R基色有机发光层的厚度为所述G基色有机发光层的厚度厚10～30nm。
上述OLED器件制备方法，采用OPEN MASK蒸镀空穴注入层和空穴传输层以及B基色有机发光层，并在B基色有机发光层中掺杂空穴传输层材质，将B基色有机发光层作为G基色有机发光层和R基色有机发光层传输空穴的“空穴传输层”，只需采用FINE MASK蒸镀G基色有机发光层和R基色有机发光层，并掺杂EBL材质，保证电子和空穴分别只在G基色有机发光层和R基色有机发光层中相互作用，相比于传统技术中，用FINE MASK蒸镀不同厚度的空穴注入层、空穴传输层，减少了FINE MASK的张数，提高了OLED器件的良品率，并节约了成本。
一种OLED器件制备方法，包括：
用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层；
用OPEN MASK在所述空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，所述B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质；
用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域蒸镀电子阻挡EBL层；
用FINE MASK在所述电子阻挡EBL层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层；
用FINE MASK在所述电子阻挡EBL层上的剩余区域上蒸镀R基色有机发光层，且所述R基色有机发光层的厚度大于所述G基色有机发光层的厚度；
依照常规技术，在所述B基色有机发光层、所述G基色有机发光层、所述R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。
在一个实施例中，所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度为100～200nm。
在一个实施例中，所述B基色有机发光层的厚度为30～50nm，所述G基色有机发光层的厚度为30～50nm，所述R基色有机发光层的厚度为30～60nm，所述R基色有机发光层的厚度为所述G基色有机发光层的厚度厚10～30nm。
上述OLED器件制备方法，采用OPEN MASK蒸镀空穴注入层和空穴传输层以及B基色有机发光层，并在B基色有机发光层中掺杂空穴传输层材质，将B基色有机发光层作为G基色有机发光层和R基色有机发光层传输空穴的“空穴传输层”，只需采用FINE MASK蒸镀EBL层、G基色有机发光层和R基色有机发光层，保证电子和空穴分别只在G基色有机发光层和R基色有机发光层中相互作用，相比于传统技术中，用FINE MASK蒸镀不同厚度的空穴注入层、空穴传输层，减少了FINE MASK的张数，提高了OLED器件的良品率，并节约了成本。
附图说明
图1为一个实施例中的OLED器件制备方法的流程示意图；
图2为一个实施例中的OLED器件的部分结构示意图；
图3为一个实施例中的OLED器件制备方法的流程示意图；
图4为一个实施例中的OLED器件的部分结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1和图2，在一个实施例中提供了一种OLED器件制备方法，该方法包括：
步骤101，用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层。
具体的，OPEN MASK为蒸镀用掩膜，开口比较大。
在一个实施例中，如图2所示，在OLED阳极(图2中未示出)上蒸镀空穴注入层201(HIL，Hole Inject Layer)和空穴传输层202(HTL)。空穴注入层201和空穴传输层202的厚度为100～200nm。
步骤102，用OPEN MASK在空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质。
具体的，如图2，在全像素区域蒸镀B基色有机发光203，B基色有机发光层的厚度为30～50nm。并且B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质，在图2的A2和A3区域，B基色有机发光层可以分别作为G基色有机发光层和R基色有机发光层的“空穴传输层”。
步骤103，用FINE MASK在B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层，G基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料。
具体的，在图2中A2区域蒸镀G基色有机发光层，G基色有机发光层的厚度为30～50nm，且G基色有机发光层中掺杂EBL材料，防止电子越过G-EML与空穴在B-EML相互作用形成激子而发光，则图2中A1区域为B基色光区域，A2为G基色光区域。
步骤104，用FINE MASK在B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀R基色有机发光层，R基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料，且R基色有机发光层的厚度大于G基色有机发光层的厚度。
具体的，如图2，与G-EML相类似，在A3区域蒸镀R-EML，R基色有机发光层的厚度为30～60nm，R基色有机发光层的厚度为所述G基色有机发光层的厚度厚10～30nm，保证R基色腔长大于G基色腔长。
步骤105，依照常规技术，在B基色有机发光层、G基色有机发光层、R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。
具体的，在图2中，只示意性绘出电子传输层ETL。该步骤与现有技术相同，在此不再赘述。
上述实施例中的OLED器件制备方法，能够满足R基色腔长大于G基色腔长，B基色腔长最小，并且只是采用OPEN MASK蒸镀空穴注入层和空穴传输层以及B基色有机发光层，并在B基色有机发光层中掺杂空穴传输层材质，将B基色有机发光层作为G基色有机发光层和R基色有机发光层传输空穴的“空穴传输层”，只需采用FINE MASK蒸镀G基色有机发光层和R基色有机发光层，并掺杂EBL材质，保证电子和空穴分别只在G基色有机发光层和R基色有机发光层中相互作用，相比于传统技术中，用FINE MASK蒸镀不同厚度的空穴注入层、空穴传输层，减少了FINE MASK的张数，提高了OLED器件的良品率，并节约了成本。
参见图3和图4，在一个实施例中提供了一种OLED器件制备方法。该方法包括：
步骤301，用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层。
具体的，在一个实施例中，如图4所示，在OLED阳极(图4中未示出)上蒸镀空穴注入层401和空穴传输层402。空穴注入层401和空穴传输层402的厚度为100～200nm
步骤302，用OPEN MASK在空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质。
具体的，如图4，在全像素区域蒸镀B基色有机发光403，B基色有机发光层的厚度为30～50nm。并且B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质，在图4的B2和B3区域，B基色有机发光层可以分别作为G基色有机发光层和R基色有机发光层的“空穴传输层”。
步骤303，用FINE MASK在B基色有机发光层上的部分区域蒸镀电子阻挡EBL层。
具体的，如图4，EBL层404用于对B2和B3区域的电子进行阻挡。
步骤304，用FINE MASK在电子阻挡EBL层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层。
具体的，图4中G基色有机发光层的厚度为30～50nm。
步骤305，用FINE MASK在电子阻挡EBL层上的剩余区域上蒸镀R基色有机发光层，且R基色有机发光层的厚度大于G基色有机发光层的厚度。
具体的，如图4，R基色有机发光层的厚度为30～60nm，所述R基色有机发光层的厚度为所述G基色有机发光层的厚度厚10～30nm。
步骤306，依照常规技术，在B基色有机发光层、G基色有机发光层、R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。
上述OLED器件制备方法，不仅满足了R基色腔长大于G基色腔长，B基色腔长最小，并且采用OPEN MASK蒸镀空穴注入层和空穴传输层以及B基色有机发光层，并在B基色有机发光层中掺杂空穴传输层材质，将B基色有机发光层作为G基色有机发光层和R基色有机发光层传输空穴的“空穴传输层”，只需采用FINE MASK蒸镀EBL层、G基色有机发光层和R基色有机发光层，保证电子和空穴分别只在G基色有机发光层和R基色有机发光层中相互作用，相比于传统技术中，用FINE MASK蒸镀不同厚度的空穴注入层、空穴传输层，减少了FINEMASK的张数，提高了OLED器件的良品率，并节约了成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (3)

1.一种OLED器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：
用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层；
用OPEN MASK在所述空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，所述B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质，将B基色有机发光层作为G基色有机发光层和R基色有机发光层的空穴传输层；
用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层，所述G基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料；
用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀R基色有机发光层，所述R基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料，且所述R基色有机发光层的厚度大于所述G基色有机发光层的厚度；
依照常规技术，在所述B基色有机发光层、所述G基色有机发光层、所述R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度为100～200nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述B基色有机发光层的厚度为30～50nm，所述G基色有机发光层的厚度为30～50nm，所述R基色有机发光层的厚度为30～60nm，所述R基色有机发光层的厚度为所述G基色有机发光层的厚度厚10～30nm。
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