CN109346500B - 一种有机电致发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光装置，在红光子像素单元中，发光层主体材料的HOMO能级与第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh1；在蓝光子像素单元中，发光层主体材料的HOMO能级与第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh2；ΔEh1≥ΔEh2；和/或，在红光子像素单元中，发光层主体材料的LUMO能级与第二载流子功能层的LUMO能级的能级差为ΔEe1；在蓝光子像素单元中，发光层主体材料的LUMO能级与第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe2；ΔEe1≥ΔEe2。通过提高ΔEh1和/或ΔEe1，提高红光子像素单元的启亮电压，减小不同子像素单元的发光效率差，有效改善装置色偏。

Description

一种有机电致发光装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光装置。
背景技术
有机电致发光显示器(英文全称Organic Light Emitting Display，简称OLED)是主动发光显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、高对比度、广视角、低功耗等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
图1示出了像素并置法全彩显示装置中RGB三色子像素的电压-亮度曲线图，由图可知，在现有的OLED显示器件中，RGB三色子像素的启亮电压是不一致的，具体为，蓝光子像素的起亮电压大于绿光子像素的起亮电压大于红光像素的起亮电压。实际应用时，点亮蓝光子像素时，虽然电压主要跨在蓝色子像素上，但是由于公共的空穴注入层的导电性能较佳，因此部分电压会通过公共的空穴注入层施加到绿光子像素和/或红光子像素中，由于红光子像素和绿光子像素的起亮电压均小于蓝光子像素的起亮电压，因此红光子像素和/或绿光子像素易被同时点亮，即在低灰阶情况下，红光子像素和/或绿光子像素发光亮度不能严格按照要求达到低亮度显示效果，而出现低灰阶色偏(偏红或偏绿)现象。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题是现有技术中，OLED显示装置在低亮度显示时易出现色偏。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供了一种有机电致发光装置，包括阵列分布的若干像素单元，所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元，各所述子像素单元包括堆叠设置的阳极层、载流子功能层、发光层和阴极层；
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阳极层一侧的表面上的第一载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh1；在所述蓝光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh2；所述ΔEh1≥所述ΔEh2；
和/或，
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阴极层一侧的表面上的第二载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差为ΔEe1；在所述蓝光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe2；所述ΔEe1≥所述ΔEe2。
优选地，上述的有机电致发光装置，所述ΔEh1≥0.3eV。
优选地，上述的有机电致发光装置，所述ΔEe1≥0.3eV。
优选地，上述的有机电致发光装置，所述ΔEh2≤0.3eV，和/或所述ΔEe2≤0.3eV。
优选地，上述的有机电致发光装置，在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3；
和/或，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe2；所述ΔEe1≥ΔEe3。
进一步优选地，上述的有机电致发光装置，所述ΔEh3≤0.3eV，和/或所述ΔEe3≤0.3eV。
优选地，上述的有机电致发光装置，所述第一载流子功能层选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任一种，所述第二载流子功能层选自空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一种。
进一步优选地，上述的有机电致发光装置，所述红光子像素单元中，所述第一载流子功能层为电子阻挡层，所述第二载流子功能层为空穴阻挡层。
优选地，上述的有机电致发光装置，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阳极层之间的第三载流子功能层；和/或，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阴极层的第四载流子功能层。
优选地，上述的有机电致发光装置，所述红光子像素单元的起亮电压与所述蓝光子像素单元的起亮电压差值不大于0.5eV。
本发明技术方案，具有如下优点：
1、本发明提供的有机电致发光装置，包括阵列分布的若干像素单元，所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元，各所述子像素单元包括堆叠设置的阳极层、载流子功能层、发光层和阴极层；
第一载流子功能层设置在各自所在的子像素单元中发光层朝向阳极层一侧的表面上，具有空穴注入、空穴传输或电子阻挡性能，阳极产生的空穴经第一载流子功能层传输，注入到发光层。本发明提供的有机电致发光器件中，通过提高红光子像素单元中发光层主体材料的HOMO能级与第一载流子功能层的HOMO能级的能级差(ΔEh1)，使ΔEh1≥蓝光子像素单元中发光层主体材料的HOMO能级与第一载流子功能层的HOMO能级的能级差(ΔEh2)。红光子像素单元中，空穴由第一载流子功能层向发光层注入的势垒增加，提高了红光子像素单元中空穴向发光层注入的难度，红光子像素单元的启亮电压增加。在单独点亮蓝光子像素单元时，蓝光子像素单元区域内的空穴在传输到红光子像素单元内后，空穴向发光层注入的比例大大减少，从而有效减轻了在单独点亮蓝光时红光易被开启的问题；通过增加红光子像素单元中的ΔEh1，提高空穴向发光层的注入势垒，减小蓝光子像素单元和红光子像素单元的发光效率差，进一步改善低灰阶色偏，使器件的色稳定性得到提高。
第二载流子功能层设置在各自所在的子像素单元中发光层朝向阳极层一侧的表面上，具有电子注入、电子传输或空穴阻挡性能，阴极产生的电子经第二载流子功能层传输，注入到发光层。本发明提供的有机电致发光器件中，通过提高红光子像素单元中发光层的LUMO能级与位于所述发光层表面的所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差(ΔEe1)，使ΔEe1≥蓝光子像素单元中发光层的LUMO能级与第二载流子功能层的LUMO能级的能级差(ΔEe1)。红光子像素单元中，电子由第二载流子功能层向发光层注入的势垒增加，提高了红光子像素单元中电子向发光层注入的难度，红光子像素单元的启亮电压增加。在单独点亮蓝光子像素单元时，蓝光子像素单元区域内的电子在传输到红光子像素单元内后，电子向发光层注入的比例大大减少，从而有效减轻了在单独点亮蓝光时红光易被开启的问题，改善装置的色偏问题，使装置的色稳定性得到提高。通过增加红光子像素单元中的ΔEe1，提高电子向发光层的注入势垒，减小了蓝光子像素单元和红光子像素单元的发光效率差，进一步改善低灰阶色偏，使器件的色稳定性得到提高。
2、本发明提供的有机电致发光装置，所述ΔEh1≥0.3eV。将红光子像素单元中的ΔEh1提高到≥0.3eV，使得红光子像素单元的起亮电压提升0.5eV以上，增加了由蓝光子像素单元迁移来的空穴向红光子像素单元发光层注入的难度，解决了在单独点亮蓝光时由于红光被点亮产生的色偏问题。
3、本发明提供的有机电致发光装置，所述ΔEe1≥0.3eV。将红光子像素单元中的ΔEe1提高到≥0.3eV，使得红光子像素单元的启亮电压提升0.5eV以上，有效增加了由蓝光子像素单元迁移来的电子向红光子像素单元发光层注入的难度，解决了在单独点亮蓝光时由于红光被点亮产生的色偏问题。
4、本发明提供的有机电致发光装置，所述ΔEh2≤0.3eV，所述ΔEe2≤0.3eV。进一步减小蓝光和红光子像素单元的发光效率差，改善低灰阶下由于蓝光发光效率低导致的低灰阶色偏，提高器件的色稳定性。
5、本发明提供的有机电致发光装置，在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3；和/或，在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥ΔEe3。
绿光相对红光的波长短，能量高，绿光子像素单元的启亮电压高于红光子像素单元，在点亮绿光时，绿光子像素单元中的空穴和电子向红光子像素单元迁移后，易在红光子像素单元的发光层中复合，使红光被同时点亮。通过设置绿光子像素单元中的ΔEh3和ΔEe3，使ΔEh3≤ΔEh1；和/或，ΔEe3≤ΔEe1，从而增加由绿光子像素单元中迁移而来的空穴和/或电子向红光发光层中注入的难度，减少由绿光子像素单元中迁移的空穴和/或电子向红光子像素单元的发光层中注入的比例，从而避免点亮绿光时，红光被同时点亮。
6、本发明提供的有机电致发光装置，红光子像素单元中的第一载流子功能层为电子阻挡层，发光层的HOMO能级与电子阻挡层的HOMO能级的能级差为ΔEh1，通过设置电子阻挡层材料和发光层主体材料，提高红光子像素单元中的ΔEh1，实现ΔEh1≥0.3eV。
7、本发明提供的有机电致发光装置，红光子像素单元中的第二载流子功能层为空穴阻挡层，所述发光层的LUMO能级与所述空穴阻挡层的LUMO能级的能级差为ΔEe1。通过设置空穴阻挡层材料和发光层主体材料，提高红光子像素单元中的ΔEe1，实现ΔEe1≥0.3eV。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为像素并置法全彩显示装置中RGB三色子像素的电压-亮度曲线图；
图2a为本发明实施例提供的有机电致发光装置的一种结构示意图；
图2b为本发明实施例提供的有机电致发光装置的一种结构示意图；
图2c为本发明实施例提供的有机电致发光装置的一种结构示意图；
图3为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图；
图5为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图；
图6为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图；
图7为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图；
附图标记说明：
1R-红光子像素单元，1G-绿光子像素单元，1B-蓝光子像素单元，11-阳极，12-载流子功能层，13-发光层，14-阴极，121-第一载流子功能层，122-第二载流子功能层，123-第三载流子功能层，124-第四载流子功能层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
本发明实施例提供了一种有机电致发光装置，包括阵列排布的若干像素单元，各像素单元中均包括红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G和蓝光子像素单元1B，不同发光颜色的子像素单元中均包括堆叠设置的阳极层11、至少一层载流子功能层12、发光层13和阴极层14。所述至少一层载流子功能层12可以是设置在发光层13朝向阳极层11一侧的表面上的第一载流子功能层121，也可以是设置在发光层13朝向阴极层11一侧的表面上的第二载流子功能层122。
作为本实施例的第一个实施方式，如图2a所示，在各子像素单元中的发光层13朝向阳极层11一侧的表面上设置第一载流子功能层121，具体地为空穴注入层、空穴传输层或者电子阻挡层。有机电致发光装置工作时，在一定的驱动电压下，空穴越过势垒向第一载流子功能层121注入，然后经第一载流子功能层121传输注入到发光层13内，电子由阴极14向发光层13内注入，电子与空穴复合后，各子像素单元对应发出红光、绿光或蓝光。
作为本实施例的第二个并列实施方式，如图2b所示，在各子像素单元中的发光层13朝向阴极层14一侧的表面上设置第二载流子功能层122，具体地为电子注入层、电子传输层或者空穴阻挡层。在驱动电压作用下，电子经第二载流子功能层122传输至发光层13中，然后与阳极11注入到发光层中的空穴复合后，各子像素单元对应发出红光、绿光或蓝光。
作为本实施例的第三个并列实施方式，如图2c所示，在各子像素单元中的发光层朝向阳极11一侧的表面上和朝向阴极14一侧的表面上，分别设置第一载流子功能层121和第二载流子功能层122。电子经第二载流子功能层122注入到发光层13内，空穴经第一载流子功能层121注入到发光层13内，两者复合发光。
需要说明的是，传统在制备该有机电致发光装置时，为了降低成本，各个子像素单元中载流子功能层12一般是共用大开口通用掩膜版(common mask)制备，即各个子像素单元中的载流子功能层12与相邻子像素单元中的载流子功能层12是连续结构。当需要点亮蓝光子像素单元1B时，对其施加一定的驱动电压时，使电子和空穴分别向公共的载流子功能层12内注入，由于载流子功能层12一般具有较好的载流子迁移率，电子和空穴在向发光层注入的同时会向相邻的红光子像素单元1R传输，由于红光子像素单元1R的启亮电压较低，电子和空穴进入红光子像素单元1R的发光层中，使其被同时点亮，产生“红光关不断”的问题。另一方面，红光、绿光、蓝光的波长渐短，能量渐高。因此，红光子像素单元1R的启亮电压低于绿光子像素单元1G和蓝光子像素单元1B，在低电压单独点亮蓝光子像素单元1B时，红光子像素单元1R容易被同时点亮；而同时点亮蓝光子像素单元1B和红光子像素单元1R时，蓝光子像素单元1B的发光效率明显低于红光子像素单元1R，产生低灰阶色偏问题。
针对上述问题，在本实施例的第一个实施方式中，红光子像素单元1R的发光层13主体材料的HOMO能级与第一载流子功能层121的HOMO能级的能级差为ΔEh1，蓝光子像素单元1B的发光层13主体材料的HOMO能级与第一载流子功能层121的HOMO能级的能级差为ΔEh2，ΔEh1≥ΔEh2，增大红光子像素单元1R中空穴由第一载流子功能层121向发光层13的注入势垒，使单独点亮蓝光时，由蓝光子像素单元1B迁移到红光子像素单元1R的空穴向红光子像素单元1R的发光层13注入的难度增加，增加了红光子像素单元1R的启亮电压，解决蓝光子像素单元1B单独点亮时，红光子像素单元1R容易被同时点亮的问题。同时，减小了红光子像素单元1R和蓝光子像素单元1B的发光效率差，进一步改善低灰阶色偏，器件的色稳定性得到提高。
优选地，ΔEh1≥0.3eV，红光子像素单元1R的启亮电压增加0.5eV以上，解决了有机电致发光装置在点亮蓝光时红光易被同时点亮、以及器件不同子像素单元之间发光效率偏差大的问题，装置的低灰阶色偏问题被明显改善。进一步优选地，ΔEh2≤0.3eV，进一步减小红光子像素单元1R与蓝光子像素单元1B的发光效率差，提高装置色稳定性。
在本实施例的第二个实施方式中，红光子像素单元1R的发光层13主体材料的LUMO能级与第二载流子功能层122的LUMO能级的能级差为ΔEe1，蓝光子像素单元1B的发光层13主体材料的LUMO能级与第二载流子功能层121的LUMO能级的能级差为ΔEe2，ΔEe1≥ΔEe2，增大红光子像素单元1R中电子由第二载流子功能层122向发光层13的注入势垒，使单独点亮蓝光时，由蓝光子像素单元1B迁移到红光子像素单元1R的电子向红光子像素单元1R的发光层13注入的难度增加，增加了红光子像素单元1R的启亮电压，解决蓝光子像素单元1B单独点亮时，红光子像素单元1R容易被同时点亮的问题。同时，减小了红光子像素单元1R和蓝光子像素单元1B的发光效率差，进一步改善低灰阶色偏，器件的色稳定性得到提高。
优选地，ΔEe1≥0.3eV，红光子像素单元1R的启亮电压增加0.5eV以上，解决了有机电致发光装置在点亮蓝光时红光易被同时点亮、以及器件不同子像素单元之间发光效率偏差大的问题，装置的低灰阶色偏问题被明显改善。进一步优选地，ΔEe2≤0.3eV，进一步减小了红光子像素单元1R与蓝光子像素单元1B的发光效率差，提高装置色稳定性。
在本实施例的第三个实施方式中，有机电致发光装置的像素单元中的ΔEh1≥ΔEh2，且ΔEe1≥ΔEe2。同时增加红光子像素单元1R中电子和空穴由载流子功能层向发光层注入的势垒，减少由蓝光子像素单元1B迁移到红光子像素单元1R的电子、空穴向红光子像素单元1R发光层13中的注入，进一步提高装置的色稳定性，改善装置色偏。
作为第一种可选实施方式，绿光子像素单元1G中，发光层13主体材料的HOMO能级和第一载流子功能层121的HOMO能级的能级差ΔEh3，≤ΔEh1，使单独点亮绿光时，由绿光子像素单元1G迁移到红光子像素单元1R的空穴向红光子像素单元1R发光层13注入的难度增加，解决绿光子像素单元1G单独点亮时，红光子像素单元1R容易被同时点亮的问题。同时，减小了红光子像素单元1R和绿光子像素单元1G的发光效率差，进一步改善低灰阶色偏，器件的色稳定性得到提高。优选地，ΔEh3≤0.3eV，进一步减小了红光子像素单元1R与绿光子像素单元1G的发光效率差，均衡启亮电压。
作为第二种可选实施方式，绿光子像素单元1G中，发光层13主体材料的LUMO能级和第二载流子功能层122的LUMO能级的能级差ΔEe3，≤ΔEe1，使单独点亮绿光时，由绿光子像素单元1G迁移到红光子像素单元1R的电子向红光子像素单元1R的发光层13注入的难度增加，解决绿光子像素单元1G单独点亮时，红光子像素单元1R容易被同时点亮的问题。同时，减小了红光子像素单元1R和绿光子像素单元1G的发光效率差，进一步改善低灰阶色偏，器件的色稳定性得到提高。优选地，ΔEe3≤0.3eV，进一步减小红光子像素单元1R与绿光子像素单元1G的发光效率差，均衡启亮电压。
作为第三种可选实施方式，绿光子像素单元1G中，发光层13主体材料的HOMO能级和第一载流子功能层121的HOMO能级的能级差ΔEh3≤ΔEh1；发光层13主体材料的LUMO能级和第二载流子功能层122的LUMO能级的能级差ΔEe3≤ΔEe1。通过增加绿光子像素单元1G迁移到红光子像素单元1R的电子和空穴向红光子像素单元1R的发光层13注入的难度，解决绿光子像素单元1G单独点亮时，红光子像素单元1R容易被同时点亮的问题，改善装置的色偏问题。优选地，ΔEe3≤0.3eV，ΔEh3≤0.3eV，进一步减小红光子像素单元1R与绿光子像素单元1G的发光效率差，均衡启亮电压。
作为第四种可选实施方式，第一载流子功能层121是电子阻挡层，通过选择红光子像素单元1R中电子阻挡层和发光层13中主体材料的类型，以及蓝光子像素单元1B中电子阻挡层和发光层13中主体材料的类型，使红光子像素单元1R的ΔEh1≥蓝光子像素单元1B的ΔEh2。优选地，ΔEh1≥0.3eV，ΔEh2≤0.3eV。优选地，通过选择绿光子像素单元1G中电子阻挡层和发光层13中主体材料的类型，使ΔEh3≤0.3eV。改善有机电致发光装置中点亮蓝光或绿光时，红光容易被同时点亮的问题。作为本实施方式的变形实施方式，第一载流子功能层121还可以是空穴传输层或者空穴注入层，只要使ΔEh1≥ΔEh2，均能实现改善有机电致发光装置色偏的问题。
作为第五种可选实施方式，第二载流子功能层122是空穴阻挡层，通过选择红光子像素单元1R中空穴阻挡层和发光层13中主体材料的类型，以及蓝光子像素单元1B中空穴阻挡层和发光层13中主体材料的类型，使红光子像素单元1R的ΔEe1≥蓝光子像素单元1B的ΔEe2。优选地，ΔEe1≥0.3eV，ΔEe2≤0.3eV。优选地，通过选择绿光子像素单元1G中空穴阻挡层和发光层13中主体材料的类型，使ΔEe3≤0.3eV。改善有机电致发光装置中点亮蓝光或绿光时，红光容易被同时点亮的问题。作为本实施方式的变形实施方式，第二载流子功能层122还可以是电子传输层或者电子注入层，只要使ΔEe1≥ΔEe2，均能实现改善有机电致发光装置色偏的问题。
作为第六种可选的实施方式，如图3所示，在各子像素单元的阳极11与发光层13之间还设置有第三载流子功能层123。第三载流子功能层123具体地为电子阻挡层、空穴传输层和空穴注入层中任意的一种或几种。第三载流子功能层123位于阳极11与第一载流子功能层121之间，例如，第一载流子功能层121为电子阻挡层时，第三载流子功能层123为空穴注入层、空穴传输层，或者是由空穴注入层和空穴传输层形成的叠层结构。第一载流子功能层121为空穴传输层时，第三载流子功能层123为空穴注入层。通过设置第三载流子功能层123，能够提高空穴由阳极11向发光层13注入的效率。
作为第六种可选实施方式的第一种变形，各子像素单元的阳极11与发光层13之间可以不设置第一载流子功能层121，在任一子像素单元中的阳极11与发光层13之间设置上述的第三载流子功能层123，第三载流子功能层123具体地为电子阻挡层、空穴传输层和空穴注入层中任意的一种或几种。此时，通过在各子像素单元中发光层13朝向阴极14一侧的表面上设置第二载流子功能层122，且使ΔEe1≥ΔEe2，以增加红光子像素单元1R中电子向发光层13中的注入难度，提高红光启亮电压，改善装置色偏。
作为第六种可选实施方式的第二种变形，第三载流子功能层123可以设置在红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G、和蓝光子像素单元1B中的至少一种子像素单元中，例如：如图4所示，红光子像素单元1R中，发光层13和阳极11之间依次设置电子阻挡层作为第一载流子功能层121，空穴传输层作为第三载流子功能层123。绿光子像素单元1G中，发光层13和阳极11之间依次设置电子阻挡层作为第一载流子功能层121，空穴传输层作为第三载流子功能层123。蓝光子像素单元1B中，发光层13和阳极11之间仅设置电子阻挡层作为第一载流子功能层121。
作为第七种可选的实施方式，如图5所示，在各子像素单元的阴极14与发光层13之间还设置有第四载流子功能层124。第四载流子功能层124具体地为空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中任意的一种或几种。第四载流子功能层124位于阴极14与第二载流子功能层122之间，例如，第二载流子功能层122为空穴阻挡层时，第四载流子功能层124为电子注入层、电子传输层，或者是由电子注入层和电子传输层形成的叠层结构。第二载流子功能层122为电子传输层时，第四载流子功能层124为电子注入层。通过设置第四载流子功能层124，能够提高电子由阴极141向发光层13注入的效率。
作为第七种可选实施方式的第一种变形，各子像素单元的阴极14与发光层13之间可以不设置第二载流子功能层122，在任一子像素单元中的阴极14与发光层13之间设置上述的第四载流子功能层124，第四载流子功能层124具体地为空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中任意的一种或几种。此时，通过在各子像素单元中发光层13朝向阳极11一侧的表面上设置第一载流子功能层121，且使ΔEh1≥ΔEh2，以增加红光子像素单元1R中空穴向发光层13中的注入难度，提高红光启亮电压，改善装置色偏。
作为第七种可选实施方式的第二种变形，第四载流子功能层124可以设置在红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G、和蓝光子像素单元1B中的至少一种子像素单元中，例如：如图6所示，红光子像素单元1R中，发光层13和阴极14之间依次设置空穴阻挡层作为第二载流子功能层122，电子传输层作为第四载流子功能层124。绿光子像素单元1G中，发光层13和阴极14之间依次设置空穴阻挡层作为第二载流子功能层122，电子传输层作为第四载流子功能层124。蓝光子像素单元1B中，发光层13和阴极14之间仅设置空穴阻挡层作为第二载流子功能层122。
作为第八种可选的实施方式，如图7所示，在各子像素单元的发光层13与第一载流子功能层121之间设置有第三载流子功能层123，同时，在各子像素单元的发光层13与第二载流子功能层122之间设置有第四载流子功能层124，以同时提高电子和空穴由阴极14和阳极11向发光层13注入的效率。
作为第八种可选实施方式的变形实施方式，第三载流子功能层123可以设置在红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G、和蓝光子像素单元1B中的至少一种子像素单元中，第四载流子功能层124可以设置在红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G、和蓝光子像素单元1B中的至少一种子像素单元中。
实施例1
本实施例提供一种有机电致发光装置的具体示例，包括阵列分布的若干像素单元，其像素单元中包括红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G和蓝光子像素单元1B。
红光子像素单元1R包括堆叠设置的阳极11、第三载流子功能层123(空穴传输层)、第一载流子功能层121(电子阻挡层)、发光层13、第三载流子功能层123(空穴阻挡层)、第四载流子功能层124(电子传输层)、阴极14；绿光子像素单元1G包括堆叠设置的阳极11、第三载流子功能层123(空穴传输层)、第一载流子功能层121(电子阻挡层)、发光层13、第三载流子功能层123(空穴阻挡层)、第四载流子功能层124(电子传输层)、阴极14；蓝光子像素单元1B包括堆叠设置的阳极11、第一载流子功能层121(电子阻挡层)、发光层13、第三载流子功能层123(空穴阻挡层)、阴极14。
其中，红光子像素单元1R中，ΔEh1为0.40eV，ΔEe1为0.39eV；蓝光子像素单元1B中，ΔEh2为0.17eV，ΔEe2为0.14eV；绿光子像素单元1G中，ΔEh3为0.27eV，ΔEe3为0.28eV。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15n m)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/TCTA:Ir(ppy)3(8％,30nm)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/MADN:DSA-Ph(5％,30nm)/TmPyPb(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％，15nm)/NPB(60nm)。
实施例2
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
红光子像素单元1R中，ΔEe1为0.39eV，ΔEh1为0.13eV。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/α-NPD(20nm)/TCTA(200n m)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NP B(60nm)。
实施例3
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
红光子像素单元1R中，ΔEe1为0.01eV，ΔEh1为0.40eV。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/TmPyPb(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％，15nm)/NPB(60nm)。
实施例4
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
红光子像素单元1R中，ΔEe1为0.39eV，ΔEh1为0.33eV；
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/NBP(200nm)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
实施例5
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
蓝光子像素单元1B中，ΔEe2为0.01eV，ΔEh2为0.17eV；
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/MADN:DSA-Ph(5％,30nm)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
实施例6
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
绿光子像素单元1G中，ΔEh3为0.27eV，ΔEe3为0.40eV。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/TCTA:Ir(ppy)3(8％,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
实施例7
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例2中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
蓝光子像素单元1B中，不设置第三载流子功能层123；
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/MAD N:DSA-Ph(5％,30nm)/TmPyPb(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60n m)。
实施例8
本实施例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
红光子像素单元1R中，不设置第四载流子功能层124；
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/α-NPD(20nm)/TCTA(200nm)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
对比例1
本对比例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
红光子像素单元1R中，ΔEe1为0.01eV，ΔEh1为0.13eV；
蓝光子像素单元1B中，ΔEe2为0.50eV，ΔEh2为0.17eV；
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/α-NPD(20nm)/TCTA(200n m)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/TmPyPb(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/MADN:DSA-Ph(5％,30nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
对比例2
本对比例提供了一种有机电致发光装置，其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同，唯一的区别在于：
红光子像素单元1R中，ΔEe1为0.01eV，ΔEh1为0.13eV；
蓝光子像素单元1B中，ΔEe2为0.10eV，ΔEh2为0.17eV；
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/α-NPD(20nm)/TCTA(200n m)/CzPPQCz:Ir(piq)3(3％,30nm)/TmPyPb(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为：ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HATCN(5nm)/m-MTDATA(20nm)/α-NPD(200nm)/MADN:DSA-Ph(5％,30nm)/TmPyPb(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20％,15nm)/NPB(60nm)。
检测例
对上述实施例1-实施例8和对比例1-对比例2进行测试，并对测试结果进行比对，如下表所示：
Figure BDA0001776850790000211
Figure BDA0001776850790000221
由上述测试数据可知，通过设置有机电致发光装置中ΔEe1≥ΔEe2或ΔEh1≥ΔEh2，红光子像素单元1R中电子或空穴向发光层的注入势垒增加，从而有效提高红光子像素单元1R的启亮电压，避免在点亮蓝光子像素单元1B，红光子像素单元1R被同时启亮，使单独点亮蓝光子像素单元1B的色坐标不发生漂移，改善装置色偏，提高装置色稳定性。同时，减小红光子像素单元1R与蓝光子像素单元1B之间的发光效率差，进而进一步改善装置的低灰阶色偏问题。在同时设置ΔEe1≥ΔEe2且ΔEh1≥ΔEh2时，能够进一步增加红光子像素单元1R的启亮电压。再此基础上，设置ΔEh3和ΔEh3，减小红光子像素单元1R与绿光子像素单元1B之间的发光效率差，均衡启亮电压，避免点亮绿光时，红光被启亮，使绿光子像素单元1G的色坐标不发生漂移，改善装置色偏，提高装置色稳定性。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (46)

1.一种有机电致发光装置，其特征在于，包括阵列分布的若干像素单元，所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元，各所述子像素单元包括堆叠设置的阳极层、载流子功能层、发光层和阴极层；
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阳极层一侧的表面上的第一载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh1；在所述蓝光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh2；所述ΔEh1≥所述ΔEh2。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh1≥0.3eV。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh2≤0.3eV。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh3≤0.3eV。
6.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阴极层一侧的表面上的第二载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差为ΔEe1；在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥所述ΔEe3。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe3≤0.3eV。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe1≥0.3eV。
9.根据权利要求3所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3；
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阴极层一侧的表面上的第二载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差为ΔEe1；在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥所述ΔEe3。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh3≤0.3eV，所述ΔEe1≥0.3eV，所述ΔEe3≤0.3eV。
11.根据权利要求1-10任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一载流子功能层选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任一种。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元中，所述第一载流子功能层为电子阻挡层。
13.根据权利要求6-10任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第二载流子功能层选自空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一种。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元中，所述第一载流子功能层为电子阻挡层，所述第二载流子功能层为空穴阻挡层。
15.根据权利要求1-10任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阳极层之间的第三载流子功能层；和/或，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阴极层的第四载流子功能层。
16.根据权利要求1-10任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元的起亮电压与所述蓝光子像素单元的起亮电压差值不大于0.5eV。
17.一种有机电致发光装置，其特征在于，包括阵列分布的若干像素单元，所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元，各所述子像素单元包括堆叠设置的阳极层、载流子功能层、发光层和阴极层；
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阴极层一侧的表面上的第二载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差为ΔEe1；在所述蓝光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe2；所述ΔEe1≥所述ΔEe2。
18.根据权利要求17所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe1≥0.3eV。
19.根据权利要求18所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe2≤0.3eV。
20.根据权利要求19所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥所述ΔEe3。
21.根据权利要求20所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe3≤0.3eV。
22.根据权利要求19所述的有机电致发光装置，其特征在于，
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阳极层一侧的表面上的第一载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh1；在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3。
23.根据权利要求22所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh3≤0.3eV。
24.根据权利要求23所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh1≥0.3eV。
25.根据权利要求19所述的有机电致发光装置，其特征在于，
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阳极层一侧的表面上的第一载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh1；在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3；
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥所述ΔEe3。
26.根据权利要求25所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh1≥0.3eV，所述ΔEh3≤0.3eV，所述ΔEe3≤0.3eV。
27.根据权利要求17-26任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第二载流子功能层选自空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一种。
28.根据权利要求27所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元中，所述第二载流子功能层为空穴阻挡层。
29.根据权利要求22-26任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一载流子功能层选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任一种。
30.根据权利要求29所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元中，所述第一载流子功能层为电子阻挡层，所述第二载流子功能层为空穴阻挡层。
31.根据权利要求17-26任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阳极层之间的第三载流子功能层；和/或，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阴极层的第四载流子功能层。
32.根据权利要求17-26任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元的起亮电压与所述蓝光子像素单元的起亮电压差值不大于0.5eV。
33.一种有机电致发光装置，其特征在于，包括阵列分布的若干像素单元，所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元，各所述子像素单元包括堆叠设置的阳极层、载流子功能层、发光层和阴极层；
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阳极层一侧的表面上的第一载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh1；在所述蓝光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh2；所述ΔEh1≥所述ΔEh2；
各所述子像素单元中的所述载流子功能层包括设置在各自所在的子像素单元中的所述发光层朝向所述阴极层一侧的表面上的第二载流子功能层；在所述红光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差为ΔEe1；在所述蓝光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe2；所述ΔEe1≥所述ΔEe2。
34.根据权利要求33所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh1≥0.3eV。
35.根据权利要求34所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe1≥0.3eV。
36.根据权利要求35所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh2≤0.3eV，所述ΔEe2≤0.3eV。
37.根据权利要求36所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3。
38.根据权利要求37所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh3≤0.3eV。
39.根据权利要求36所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥所述ΔEe3。
40.根据权利要求39所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEe3≤0.3eV。
41.根据权利要求36所述的有机电致发光装置，其特征在于，
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的HOMO能级与所述第一载流子功能层的HOMO能级的能级差为ΔEh3；所述ΔEh1≥所述ΔEh3；
在所述绿光子像素单元中，所述发光层主体材料的LUMO能级与所述第二载流子功能层的LUMO能级的能级差ΔEe3；所述ΔEe1≥所述ΔEe3。
42.根据权利要求41所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述ΔEh3≤0.3eV，所述ΔEe3≤0.3eV。
43.根据权利要求33-42任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一载流子功能层选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任一种，所述第二载流子功能层选自空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的任一种。
44.根据权利要求43所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元中，所述第一载流子功能层为电子阻挡层，所述第二载流子功能层为空穴阻挡层。
45.根据权利要求33-42任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阳极层之间的第三载流子功能层；和/或，任一所述子像素单元中，所述载流子功能层还包括设置在所述发光层与所述阴极层的第四载流子功能层。
46.根据权利要求33-42任一项所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述红光子像素单元的起亮电压与所述蓝光子像素单元的起亮电压差值不大于0.5eV。
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