CN111490070A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板。所述显示面板包括由若干像素单元组成的像素单元阵列；所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元以及第二蓝光子像素单元；其中，所述红光子像素单元、绿光子像素单元和第一蓝光子像素单元为量子点发光单元；所述第二蓝光子像素单元为有机材料发光单元。该显示面板能够克服蓝光OLED色纯度差、色域窄，以及蓝光QLED寿命短、稳定差的缺陷，实现高色域、高稳定性的光输出。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及显示面板。
背景技术
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。目前，已经进入市场的OLED产品是采用真空蒸镀工艺制备的，其需要高精密掩膜，且制备工艺复杂、设备成本高导致产品成本居高不下。量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。在平板显示领域，QLED由于其发光光谱的半峰宽较窄，一般小于30nm，因此光色纯度高，且波长易于调节，用其制作的显示器，色域能够超过100％(基于NTSC1953标准)，这是OLED显示器无法实现的。
目前，由于蓝光QLED的寿命偏低，具商业应用还有一定距离，所以现在的折中方案是采用蓝光OLED结合红绿QLED，以期获得高色域以及稳定性较好的显示面板，但蓝光OLED的色域范围距蓝光QLED仍有一段距离，因此，要获得较高色域覆盖范围，且稳定性佳的显示面板仍有待进一步的研究。
发明内容
基于此，有必要提供一种显示面板。该显示面板能够实现高色域、高稳定性、长寿命的光输出。
一种显示面板，包括由若干像素单元组成的像素单元阵列；所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元以及第二蓝光子像素单元；
其中，所述红光子像素单元、绿光子像素单元和第一蓝光子像素单元为量子点发光单元；所述第二蓝光子像素单元为有机材料发光单元。
在其中一个实施例中，所述红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元、第二蓝光子像素单元分别独立的包括光发射层，且还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的一层或多层。
在其中一个实施例中，所述红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元中的光发射层的材料分别独立的选自如下量子点材料中的一种或多种：II-V族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、II-V族化合物的核壳结构、III-V族化合物的核壳结构和IV-VI族化合物的核壳结构。
在其中一个实施例中，所述第一蓝光子像素单元中的光发射层的材料分别独立的选自如下量子点材料中的一种或多种：CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、GaAs、InP、PbS/ZnS和PbSe/ZnS。
在其中一个实施例中，所述第二蓝光子像素单元中的光发射层的材料选自蓝色荧光材料、蓝色磷光材料和蓝色延迟态荧光材料中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第二蓝光子像素单元中的光发射层的材料选自FIrpic、Fir6、SimCP、FIrtaz、FIrN4、FCNIrPic、TZ-SBA、Cz-TRZ4、DMTDAc、MFAc-PPM、SiMCP2、TBPe、TPXZPO、ACRSA、Cz-VPN、CPC、CZ-PS、CC2BP、BCC-TPTA和DCzTrz中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第一蓝光子像素单元中的光发射层的材料分别独立的选自如下量子点材料中的一种或多种：CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS；所述第二蓝光子像素单元中的光发射层的材料选自FIrpic、FIrN4、TZ-SBA、SiMCP2、TPXZPO、CZ-PS和BCC-TPTA中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的HOMO能级与所述光发射层的HOMO能级之间的势垒差为0-0.5eV，空穴迁移率为1×10-5-9×10-3cm2/Vs。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的LOMO能级与所述光发射层的LOMO能级之间的势垒差为0-0.5eV，电子迁移率为1×10-5-9×10-3cm2/Vs。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬和MoS2中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚乙烯咔唑、聚乙烯咔唑衍生物、聚硅烷、聚硅烷衍生物、侧链或主链具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、咔唑类化合物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、多芳胺、多芳胺衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、2,5-亚噻吩基亚乙烯基(poly(2,5thienylene vinylene)和2,5-亚噻吩基亚乙烯基(poly(2,5thienylene vinylene)衍生物中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的材料选自苯并咪唑类化合物、噁唑类化合物、金属螯合物、喹啉类化合物、ZnO、ZnMgO和TiO2中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩和氧化钼中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚乙烯咔唑(PVK)、咔唑类化合物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自PVK、CBP、poly-TPD和TFB中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的材料选自苯并咪唑类化合物、噁唑类化合物、喹啉类化合物、ZnO和ZnMgO中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的材料选自TPBI、PBD、ZnO和ZnMgO中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明通过采用均为量子点发光单元(QLED，均为无机材料)的红光子像素单元(R)、绿光子像素单元(G)、第一蓝光子像素单元(B1)结合有机材料发光单元(OLED)的第二蓝光子像素单元(B)组成RGBB1的像素单元，相比于RGB的色域范围，增加了RBB1的色域面积，可以大幅提高显示器件的色域覆盖率。同时，在这种像素单元结构中，当显示色域处于RGB范围内时，B1子像素不会进行发光显示，从而大幅减小了B1子像素的使用频率，避免B1子像素因寿命相对较差而又频繁使用造成整个显示面板稳定性较差。由此，本发明的显示面板具有高色域、高稳定性、长寿命的光输出特性。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示器件(四色像素单元的显示面板)的结构示意图；
图2为本发明一实施例的显示器件的色域范围示意图；
图3为三色像素单元的显示器件的结构示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的显示面板作进一步详细的说明。
本发明实施例提供一种显示面板，其结构如图1所示，包括依次层叠于基板100之上的像素电极200、像素单元阵列300、顶电极400和封装盖板500，以及用于侧面封装的胶框600。
其中，像素单元阵列300由若干像素单元组成；所述像素单元包括均为量子点发光单元(QLED，均为无机材料)的红光子像素单元(R)、绿光子像素单元(G)、第一蓝光子像素单元(B1)，以及为有机材料发光单元(OLED)的第二蓝光子像素单元(B)。
像素单元阵列300通过红光子像素单元(R)、绿光子像素单元(G)、第一蓝光子像素单元(B1)，以及第二蓝光子像素单元(B)结合形成RGBB1像素单元，相比于RGB的色域范围，像素单元阵列300增加了RBB1的色域面积，可以大幅提高显示面板的色域覆盖率。同时，在这种像素单元中，当显示色域处于RGB范围内时，B1不会进行发光显示，从而大幅减小了B1的使用频率，避免B1因寿命相对较差，而又频繁使用造成整个显示面板稳定性较差的不良影响。
红光子像素单元(R)、绿光子像素单元(G)、第一蓝光子像素单元(B1)以及第二蓝光子像素单元(B)的排布关系不作限制，可以排列成一行或呈两行两列排布。
具体如图2所示，具有RGBB1四色像素单元的显示面板(图1)，能显示的色域为RGBB1四个颜色的CIE坐标点围成的四边形的面积，所有CIE坐标位于该四边形内的颜色都能显示，该四边形又由RGB组成的三角形和RBB1组成的三角形组成，当显示RGB三角形内的颜色时，B1子像素就可以不用发光(这个可以通过面板后续的驱动算法进行设置，即设置显示的颜色位于RGB三角形内时，由RGB三个子像素进行配色形成所需颜色)。同时从图2中可以看出，通过B1子像素的增加，相对于原来的RGB三色像素单元的显示面板(图3)，其色域增加了RBB1的面积。进一步地，通过采用合适的B1和B子像素的光发射材料，可使RBB1区域的面积相对于RGB的面积小，由此实际显示图像时，B1子像素的工作时间较短，保证显示面板的稳定性。
红光子像素单元(R)、绿光子像素单元(G)、第一蓝光子像素单元(B1)和第二蓝光子像素单元(B)可分别独立的包括光发射层，且还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的一层或多层，当还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的多层时，各层的层叠方式包括但不限于：
(1)当包括所述空穴注入层、空穴传输层和电子传输层时，按照空穴注入层、空穴传输层、光发射层和电子传输层依次层叠；
(2)当包括所述空穴传输层和电子传输层时，按照空穴传输层、光发射层和电子传输层依次层叠；
(3)当包括所述空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层时，按照空穴注入层、空穴传输层、光发射层、电子注入层和电子传输层依次层叠；
(4)当包括所述空穴传输层、电子注入层和电子传输层时，按照空穴传输层、光发射层、电子注入层和电子传输层依次层叠；
(5)当包括所述空穴传输层和电子传输层时，按照空穴传输层、光发射层和电子传输层依次层叠。
上述的各功能层中，空穴注入层是common layer，QLED和OLED均适用；空穴传输层需要跟光发射层的能级相匹配，就算是OLED中的RGB三色子像素的空穴传输层可能也不一样，具体的原则是空穴传输层的HOMO能级需要与光发射层的HOMO能级匹配，它们之间的势垒差越小越好，同时也要兼顾空穴迁移率，使整个器件内的电子和空穴处于平衡状态，空穴传输层的HOMO能级与光发射层的HOMO能级之间的势垒差可控制为0-0.5eV，空穴迁移率可控制为1×10-5-9×10-3cm2/Vs，具体的参数需要与具体的光发射层材料的参数匹配，材料选择的原则都是一样；电子传输层与空穴传输层一致，需要与光发射层相匹配，且电子传输层的LUMO与光发射层的LUMO接近，以减小它们之间的势垒差，同时兼顾电子迁移率，保持器件内部的载流子平衡，电子传输层的HOMO能级与光发射层的HOMO能级之间的势垒差可控制为0-0.5eV，电子迁移率可控制为1×10-5-9×10-3cm2/Vs。总体来说，能级匹配，减小注入势垒，降低启亮电压；载流子平衡，减小无效复合，提高器件效率。
具体地，所述空穴注入层的材料包括但不限于为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬或MoS2中的一种或多种。空穴注入层为common layer，OLED和QLED可以使用相同的空穴注入层。
在一些实施例中，所述空穴注入层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩和氧化钼中的一种或多种。
所述空穴传输层的材料为具有较深HOMO能级以及较高空穴迁移率的有机分子，包括但不限于为聚乙烯咔唑(PVK)或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、咔唑类化合物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、多芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或(2,5-亚噻吩基亚乙烯基(poly(2,5thienylenevinylene))或其衍生物。
在一些实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚乙烯咔唑(PVK)、咔唑类化合物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一种或多种。在一实施例中，所述咔唑类化合物选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)。在另一实施例中，所述聚苯胺衍生物选自N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)联苯-4,4'-二胺(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)中的一种或两种。
所述空穴传输层可以作为common layer，即OLED和QLED使用相同的空穴传输材料，优选的空穴传输材料针对QLED选取具有较深HOMO能级的有机材料，如PVK、CBP、poly-TPD、TFB等。
所述光发射层中，OLED蓝光光发射层(即第二蓝光子像素单元(B)的光发射层)可以是一种小分子薄膜，也可以是两种或两种以上有机小分子共混薄膜，可由蓝色荧光材料、蓝色磷光材料或蓝色延迟态荧光材料制备得到。其中，蓝色荧光材料包括但不限于二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物；蓝色磷光材料包括但不限于FIrpic、Fir6、SimCP、FIrtaz、FIrN4、FCNIrPic；蓝色延迟态荧光材料包括但不限于TZ-SBA、Cz-TRZ4、DMTDAc、MFAc-PPM、SiMCP2、TBPe、TPXZPO、ACRSA、Cz-VPN、CPC、CZ-PS、CC2BP、BCC-TPTA、DCzTr。
在一些优选的实施例中，OLED蓝光光发射层的材料选自FIrpic、FIrN4、TZ-SBA、SiMCP2、TPXZPO、CZ-PS和BCC-TPTA中的一种或多种。
所述光发射层中，QLED光发射层(即红光子像素单元(R)、绿光子像素单元(G)或第一蓝光子像素单元(B1))由量子点材料通过制备得到。量子点材料为II-V族化合物及其核壳结构，或III-V族化合物及其核壳结构，或IV-VI族化合物及其核壳结构。例如，II-V族化合物及其核壳结构包括CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS等。III-V族化合物及其核壳结构，或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构包括GaAs、InP、PbS/ZnS和PbSe/ZnS等。
在一些优选的实施例中，QLED蓝光光发射层的材料选自如下量子点材料中的一种或多种：CdS/ZnS、CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS。
所述电子传输层为具有较浅LUMO能级以及较高电子迁移率的有机分子，如苯并咪唑类化合物、噁唑类化合物、金属螯合物、喹啉类化合物，或无机半导体材料，如ZnO、TiO2、ZnMgO，其中OLED优选采用噁唑类化合物、金属螯合物、喹啉类化合物；QLED优选采用ZnO、TiO2、ZnMgO。
在一些实施例中，所述电子传输层的材料选自苯并咪唑类化合物、噁唑类化合物、喹啉类化合物、ZnO、ZnMgO和TiO2中的一种或多种。在一些实施例中，所述苯并咪唑类化合物选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，所述噁唑类化合物选自2-苯基-5-(4-二苯基)-1,3,4恶唑(PBD)。
在一些实施例中，所述电子传输层的材料选自TPBI、PBD、ZnO和ZnMgO中的一种或多种。
另外，该显示面板中：
基板100上具有驱动TFT阵列，包括但不限于刚性玻璃基板或柔性PI基板；
像素电极200的材料为导电金属氧化物、石墨烯、碳纳米管、导电金属和导电聚合物中的一种或多种；
顶电极400的材料为金属Al、Ag、Au、Ca、Ba、Mg或所述金属的氧化物中的一种或多种；
胶框600、封装盖板500为本领域常用封装结构，该显示面板结构也不限于盖板封装，也包括本领域其他常规封装工艺，如薄膜封装等。
上述显示面板的制作方法包括如下步骤：
S1、提供基板100，基板100上具有像素驱动电路阵列；
S2、在基板100上设置像素电极200；
S3、采用喷墨打印、或转印等湿法工艺制作像素单元阵列300中除电子注入层以外的各功能层；
S4、采用蒸镀工艺沉积电子注入层以及顶电极；
S5、对整个显示面板进行封装。
以下为具体实施例。
实施例1
本实施例一种显示面板，其结构包括依次层叠于基板之上的像素电极、像素单元阵列、顶电极和封装盖板，以及用于侧面封装的胶框。
所述像素电极的材料为ITO；所述顶电极的材料为Ag。
所述像素单元阵列由红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元以及第二蓝光子像素单元组成，各子像素单元分别包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、光发射层和电子传输层。
其中，红光子像素单元中，空穴注入层的材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、空穴传输层的材料为TFB、光发射层的材料为CdSe/ZnS、电子传输层的材料为ZnO。
绿光子像素单元中，空穴注入层的材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、空穴传输层的材料为TFB、光发射层的材料为CdSe/ZnS、电子传输层的材料为ZnO。
第一蓝光子像素单元中，空穴注入层的材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、空穴传输层的材料为TFB、光发射层的材料为CdSe/ZnS、电子传输层的材料为ZnO。
第二蓝光子像素单元中，空穴注入层的材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、空穴传输层的材料为TFB、光发射层的材料为FIrpic、电子传输层的材料为TPBI。
实施例2
本实施例一种显示面板，其结构包括依次层叠于基板之上的像素电极、像素单元阵列、顶电极和封装盖板，以及用于侧面封装的胶框。
所述像素电极的材料为ITO/Ag/ITO；所述顶电极的材料为IZO。
所述像素单元阵列由红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元以及第二蓝光子像素单元组成，各子像素单元分别包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、光发射层和电子传输层。
其中，红光子像素单元中，空穴注入层的材料为掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、空穴传输层的材料为TFB、光发射层的材料为CdSe/ZnS、电子传输层的材料为ZnMgO。
绿光子像素单元中，空穴注入层的材料为掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、空穴传输层的材料为TFB、光发射层的材料为CdS/ZnS、电子传输层的材料为ZnMgO。
第一蓝光子像素单元中，空穴注入层的材料为掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、空穴传输层的材料为PVK、光发射层的材料为CdS/ZnS、电子传输层的材料为ZnMgO。
第二蓝光子像素单元中，空穴注入层的材料为掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、空穴传输层的材料为PVK、光发射层的材料为FIrN4、电子传输层的材料为PBD。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括由若干像素单元组成的像素单元阵列；所述像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元以及第二蓝光子像素单元；
其中，所述红光子像素单元、绿光子像素单元和第一蓝光子像素单元为量子点发光单元；所述第二蓝光子像素单元为有机材料发光单元。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元、第二蓝光子像素单元分别独立的包括光发射层，且还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的一层或多层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述红光子像素单元、绿光子像素单元、第一蓝光子像素单元中的光发射层的材料分别独立的选自如下量子点材料中的一种或多种：II-V族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、II-V族化合物的核壳结构、III-V族化合物的核壳结构和IV-VI族化合物的核壳结构；
及/或，所述第二蓝光子像素单元中的光发射层的材料选自蓝色荧光材料、蓝色磷光材料和蓝色延迟态荧光材料中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一蓝光子像素单元中的光发射层的材料分别独立的选自如下量子点材料中的一种或多种：CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、GaAs、InP、PbS/ZnS和PbSe/ZnS。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二蓝光子像素单元中的光发射层的材料选自FIrpic、Fir6、SimCP、FIrtaz、FIrN4、FCNIrPic、TZ-SBA、Cz-TRZ4、DMTDAc、MFAc-PPM、SiMCP2、TBPe、TPXZPO、ACRSA、Cz-VPN、CPC、CZ-PS、CC2BP、BCC-TPTA和DCzTrz中的一种或多种。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一蓝光子像素单元中的光发射层的材料分别独立的选自如下量子点材料中的一种或多种：CdS/ZnS、CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS；所述第二蓝光子像素单元中的光发射层的材料选自FIrpic、FIrN4、TZ-SBA、SiMCP2、TPXZPO、CZ-PS和BCC-TPTA中的一种或多种。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述空穴传输层的HOMO能级与所述光发射层的HOMO能级之间的势垒差为0-0.5eV，空穴迁移率为1×10-5-9×10-3cm2/Vs。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电子传输层的LOMO能级与所述光发射层的LOMO能级之间的势垒差为0-0.5eV，电子迁移率为1×10-5-9×10-3cm2/Vs。
9.根据权利要求2-8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬和MoS2中的一种或多种；
及/或，所述空穴传输层的材料选自聚乙烯咔唑、聚乙烯咔唑衍生物、聚硅烷、聚硅烷衍生物、侧链或主链具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、咔唑类化合物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、多芳胺、多芳胺衍生物、聚吡咯、聚吡咯衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、2,5-亚噻吩基亚乙烯基和2,5-亚噻吩基亚乙烯基衍生物中的一种或多种；
及/或，所述电子传输层的材料选自苯并咪唑类化合物、噁唑类化合物、金属螯合物、喹啉类化合物、ZnO、ZnMgO和TiO2中的一种或多种。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩和氧化钼中的一种或多种；
及/或，所述空穴传输层的材料选自聚乙烯咔唑、咔唑类化合物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩和聚噻吩衍生物中的一种或多种；
及/或，所述电子传输层的材料选自苯并咪唑类化合物、噁唑类化合物、喹啉类化合物、ZnO和ZnMgO中的一种或多种。
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