CN108963109A - 一种有机电致发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机电致发光装置,包括若干发光颜色的子像素单元,子像素单元中均包括堆叠设置的第一电极层、载流子功能层、发光层以及第二电极层;载流子功能层中至少包括载流子注入层,至少一种发光颜色的子像素单元中的载流子注入层由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层的方向堆叠形成,具有平面型分子结构的化合物沿平行于发光层的方向交错排布。载流子功能层中的载流子沿分子堆叠方向迁移,由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层的方向堆叠、并在平行于发光层的方向上交错排布形成的载流子注入层,有效减少了载流子的横向迁移,改善在点亮单一子像素单元时由于载流子迁移产生的相邻子像素单元被点亮的问题,改善低灰阶色偏。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机电致发光装置。
背景技术
有机电致发光显示器(英文全称Organic Light Emitting Display,简称OLED)是主动发光显示装置,由于其具有制备工艺简单、成本低、高对比度、广视角、低功耗等优点,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示,易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,有望成为下一代主流平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
图1示出了现有全彩显示装置中RGB三色子像素的电压-亮度曲线图。由图可知,在现有的OLED显示器件中,RGB三色子像素的启亮电压是不一致的。具体为,蓝光子像素的起亮电压大于绿光子像素的起亮电压大于红光像素的起亮电压。实际应用时,点亮蓝光子像素时,虽然电压主要跨在蓝色子像素上,但是由于公共的空穴注入层的导电性能较佳,因此部分电压会通过公共的空穴注入层施加到绿光子像素和/或红光子像素中,由于红光子像素和绿光子像素的起亮电压均小于蓝光子像素的起亮电压,因此红光子像素和/或绿光子像素易被同时点亮。即,在低灰阶情况下,红光子像素和/或绿光子像素发光亮度不能严格按照要求达到低亮度显示效果,而出现低灰阶色偏(偏红)现象。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题是现有技术中,OLED显示装置在低亮度显示时易出现色偏。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
本发明提供了一种有机电致发光装置,包括若干发光颜色的子像素单元,所述子像素单元包括堆叠设置的第一电极层、载流子功能层、发光层以及第二电极层;
所述子像素单元中的所述载流子功能层中至少包括载流子注入层;至少一种发光颜色的子像素单元中的载流子注入层由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层的方向堆叠形成,所述具有平面型分子结构的化合物沿平行于发光层的方向交错排布。
优选地,上述的有机电致发光装置,所述具有平面型分子结构的化合物为含有芳香环的化合物。
优选地,上述的有机电致发光装置,所述具有平面型分子结构的化合物的堆叠为π-π堆叠。
进一步优选地,上述的有机电致发光装置,所述π-π堆叠为面对面堆叠。
优选地,上述的有机电致发光装置,所述载流子注入层为空穴注入层。
进一步优选地,上述的有机电致发光装置,所述空穴注入层中的具有平面型分子结构的化合物选自下述任一的化合物:
酞菁铜,铁酞菁,并五苯,芘,蒽。
优选地,上述的有机电致发光装置,任一所述子像素单元中的载流子功能层中还包括载流子传输层和/或载流子阻挡层。
进一步优选地,上述的有机电致发光装置,所述载流子传输层包括电子传输层和/或空穴传输层。
优选地,上述的有机电致发光装置,所述载流子阻挡层包括电子阻挡层和/或空穴阻挡层。
优选地,上述的有机电致发光装置,所述子像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元。
现有技术中的有机电致发光装置,在单独点亮蓝光子像素单元时,通过施加一定的驱动电压,阴极产生的电子和阳极产生的空穴经载流子功能层传输后注入到发光层中。由于载流子功能层中的注入层具有较高的载流子迁移率,蓝光子像素单元中的空穴和电子容易在进入到注入层中后,容易发生横向迁移,流向相邻的绿光、红光子像素单元中,由于红光、绿光子像素单元低的启亮电压相对低,电子和空穴在红光、绿光子像素单元的发光层内复合,导致红光、绿光子像素单元被同时点亮,产生“关不断”的现象。
本发明技术方案,具有如下优点:
1、本发明提供的有机电致发光装置,包括若干发光颜色的子像素单元,所述子像素单元包括堆叠设置的第一电极层、载流子功能层、发光层以及第二电极层;所述子像素单元中的所述载流子功能层中至少包括载流子注入层;至少一种发光颜色的子像素单元中的载流子注入层由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层的方向堆叠形成,所述具有平面型分子结构的化合物沿平行于发光层的方向交错排布。
当载流子由阳极或阴极注入到载流子功能层内后,会沿载流子功能层中分子堆叠的方向进行迁移。与现有技术中采用球状分子或棒状分子形成的载流子功能层相比(图2),由于球状分子或棒状分子能够在任意方向上进行堆叠,导致载流子注入层中载流子的迁移同时发生在与发光层平行和垂直的方向上,载流子功能层的各向导电性相当,易产生载流子的横向迁移,导致有机电致发光装置中不同子像素单元之间的横向导通。同时,由于注入层的载流子迁移率明显高于传输层和阻挡层,使上述的横向导通主要通过载流子注入层发生。
本发明中的有机电致发光装置,载流子注入层中的具有平面型分子结构的化合物在平行于发光层的方向上交错排布,两个具有平面型分子结构的化合物之间具有一定的间隔;具有平面型分子结构的化合物在垂直于发光层的方向上堆叠(图3)。在采用上述具有平面型分子结构的化合物形成的载流子注入层中,载流子沿着分子堆叠的方向进行迁移,使载流子注入层在垂直于发光层的方向上具有较好的载流子传输性能,而在平行于发光层的方向上,由于缺少有效分子的堆叠,载流子无法在该方向上进行有效的传输,从而有效减少了载流子注入层中载流子的横向迁移,增加了载流子在垂直于发光层方向上向发光层中的注入。在点亮该子像素单元时,载流子注入层中载流子沿垂直于发光层的方向注入到发光中,大大减少了向相邻的子像素单元中横向迁移的载流子,避免点亮相邻的子像素单元,解决了有机电致发光装置的“关不断”问题。或者,在点亮其他的子像素单元时,其他子像素单元中产生的载流子在传输到该子像素单元的载流子注入层时,受该子像素单元注入层横向导电弱的限制,不会进入该子像素单元内传输并进入发光层复合,避免该子像素单元被同时点亮,改善装置的低灰阶色偏问题。
另外,载流子功能层中至少包括载流子注入层,也即,可根据实际需要将子像素单元中的载流子传输层、载流子阻挡层等设置为由上述的具有平面型分子结构的化合物沿垂直于所述发光层的方向堆叠形成,进一步减少在其他不同的载流子功能层中的横向迁移,进一步改善装置的低灰阶色偏问题,提高装置的色稳定性。
2、本发明提供的有机电致发光装置,具有平面型分子结构的化合物为含有芳香环的化合物,由于芳香环中,多电子与缺电子系统之间会有电荷的转移,而形成环与环互相堆叠的效应,具体地为,芳香环与芳香环之间具有π电子的作用力,使其在平面成膜时,两个具有芳香环的化合物在竖直方向上形成π-π堆叠,形成竖向(垂直于发光层方向)堆叠,而水平(平行于发光层方向)交错的排布方式,使载流子沿分子堆叠方向迁移,减少其横向迁移。
3、本发明提供的有机电致发光装置,具有平面型分子结构的化合物的堆叠为π-π堆叠,利用π电子的交互作用使载流子沿π-π堆叠的方向进行迁移,通过平面分子的π-π作用最小程度上减少载流子的横向延伸。
π-π堆叠为面对面堆叠,相邻的具有平面型分子结构的化合物直接面-面相对在垂直于发光层的方向上进行堆叠延伸,而不发生横向堆叠,有利于进一步减少具有平面型分子结构的化合物在于发光层平行方向上的重叠,减少载流子的横向迁移。
4、本发明提供的有机电致发光装置,载流子注入层为空穴注入层,由于目前的包含RGB子像素单元的有机电致发光装置中,主要是由于空穴注入层的横向导电,产生“关不断”问题,通过至少减小空穴注入层的横向导电性,有效减轻不同子像素单元间的横向导通。
5、本发明提供的有机电致发光装置,具有平面型分子结构的化合物选自酞菁铜、铁酞菁、并五苯、芘和蒽中任一的化合物,各化合物结构如下所示:
采用上述的具有平面型分子结构的化合物作为载流子注入层材料时,分子中的芳香环结构使其容易沿水平面(平行于发光层的方向)铺展,同时由于芳香环之间形成π-π键,使具有平面型分子结构的化合物在垂直于发光层的方向上进行堆叠,而在平行于发光层的方向上呈交错排布,减少载流子注入层中载流子的横向迁移,增强载流子在垂直于发光层方向上向发光层中的注入。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为像素并置法全彩显示装置中RGB三色子像素的电压-亮度曲线图;
图2为本发明实施例提供的球状分子在载流子功能层中堆叠的示意图;
图3为本发明实施例提供的具有平面型分子结构的化合物在载流子功能层中堆叠的示意图;
图4为本发明实施例提供的有机电致发光装置的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图;
图6为本发明实施例提供的有机电致发光装置的另一种结构示意图;
附图标记说明:
1R-红光子像素单元,1G-绿光子像素单元,1B-蓝光子像素单元,11-第一电极,12-载流子注入层,13-发光层,14-第二电极。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本发明可以以许多不同的形式实施,而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是彻底和完整的,并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员,本发明将仅由权利要求来限定。在附图中,为了清晰起见,会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是,当元件例如层被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时,该元件可以直接设置在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时,不存在中间元件。
本发明实施例提供了一种有机电致发光装置,包括若干发光颜色的子像素单元,各子像素单元中均包括堆叠设置的第一电极11层、载流子功能层、发光层13以及第二电极14层。其中,第一电极11为阳极,第二电极14为阴极;或者第一电极11为阴极,第二电极14为阳极。有机电致发光二极管工作时,通过施加一定的驱动电压,使第一电极11和第二电子产生的载流子,经过载流子功能层的传输,注入到发光层13中复合发光。各子像素单元中的载流子功能层至少包括载流子注入层12,具体地可以是空穴注入层或电子注入层。
需要说明的是,传统在制备该有机电致发光装置时,为了降低成本,各个子像素单元中载流子功能层一般是共用大开口通用掩膜版(common mask)制备,即各个子像素单元中的载流子功能层与相邻子像素单元中的载流子功能层是连续结构。当需要点亮蓝光子像素单元时,对其施加一定的驱动电压时,使电子和空穴分别向公共的载流子功能层内注入,由于载流子功能层中载流子的横向迁移,电子和空穴在向蓝光发光层13注入的同时会向隔壁的红光子像素单元以及绿光子像素单元中传输。而红光、绿光、蓝光的波长渐短,能量渐高,红光、绿光和蓝光的启亮电压依次递加,载流子在绿光、红光子像素单元的发光层13中复合发光,导致绿光、红光也被点亮,产生横向导通。另外,由于绿光子像素单元的启亮电压高于红光子像素单元,在点亮绿光时,红光也可能被同时点亮,产生色偏。由于载流子功能层中,载流子传输层的载流子迁移率较高,而载流子传输层和阻挡层的载流子迁移率低,上述的横向导通主要由于载流子注入层12中的横向迁移产生。
针对上述问题,本实施例中设置至少一种发光颜色的子像素单元中的载流子功能层由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于所述发光层13的方向堆叠形成,具有平面型分子结构的化合物在平行于发光层13的方向上交错排布,载流子功能层中至少包括载流子注入层12。载流子功能层中的分子堆叠影响载流子功能层的传输性质,载流子主要沿分子堆叠的方向进行迁移。如图2所示,在现有以球状分子或棒状分子形成的载流子功能层中,球状分子或棒状分子可以沿任意方向进行堆叠,使载流子可以沿任意方向迁移,载流子功能层在与发光层13平行和垂直方向上的导电性相当。在载流子注入层12中,由于其迁移率远高于其他的载流子功能层,使载流子横向迁移至相邻的子像素单元的区域内。本实施例中,至少一种子像素单元的载流子注入层12由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠形成,如图3所示,具有平面型分子结构的化合物在形成载流子注入层12时在平行于发光层13的方向上交错排布,并且在垂直于发光层13的方向上进行堆叠,使载流子注入层12中在垂直于发光层13的方向上形成载流子传输的路径;而在平行于发光层13的方向上,由于缺少分子的堆叠,载流子缺少有效的传输路径,从而大大减弱了载流子在与发光层13平行方向上的迁移,在点亮设置有该子像素单元的发光层13时,载流子注入层12中的载流子无法横向迁移到相邻的其他子像素单元中,避免相邻的子像素单元被点亮;而在点亮其他子像素单元时,由于其他子像素单元的载流子无法在该子像素单元的注入层中进行有效的横向迁移,避免了该子像素单元被点亮,从而有效解决了装置“关不断”的问题,改善装置的低灰阶色偏,提高了装置的色稳定性,减少色坐标漂移。
例如,有机电致发光装置中包括蓝光子像素单元、绿光子像素单元和红光子像素单元。三种发光颜色的载流子注入层12均由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠形成,载流子沿具有平面型分子结构的化合物堆叠的方向进行传输,在各子像素单元的载流子注入层12均仅在垂直于发光层13的方向上传输载流子,而在平行于发光层13方向上的传输性较差,减少载流子横向迁移,避免在点亮蓝光子像素单元时,产生绿光、红光被同时点亮;或者点亮绿光子像素单元时,红光被点亮,改善装置色偏,使装置的色稳定性明显提升。
优选地,具有平面型分子结构的化合物是含有芳香环的化合物,在形成载流子注入层12时,由于芳香环中,多电子与缺电子系统之间会有电荷的转移,而形成环与环互相堆叠的效应,使含有芳香环的化合物在平行于发光层13的方向上交错排布,并在垂直于发光层13的方向上进行堆叠,使载流子注入层12仅在垂直于发光层13的方向上具有较高的载流子传输性能,减少其横向迁移。
优选地,具有平面型分子结构的化合物的堆叠为π-π堆叠,芳香环与芳香环之间具有π电子的作用力,使其在平面成膜时,两个具有芳香环的化合物在竖直方向上形成π-π堆叠,形成竖向堆叠,水平交错的排布方式。芳香环在沿π堆叠的方向上具有强的导电性,载流子利用π电子的交互作用进行高效迁移。优选地,π-π堆叠为面对面堆叠,芳香环在沿垂直于发光层13的方面上直接面对面相互作用,进一步减少了载流子注入层12中在平行于发光层13方向上的分子堆叠,减少载流子注入层12中的横向载流子迁移,避免不同发光颜色的子像素单元之间的横向导通。
作为替换的实施方式,可以仅将有机电致发光装置的一种子像素单元的载流子注入层12设置为由具有平面型分子结构的化合物垂直于发光层13方向堆叠形成,该子像素单元具体的为蓝光子像素单元、绿光子像素单元或红光子像素单元。其中,在蓝光子像素单元的载流子注入层12中设置沿垂直发光层13堆叠的具有平面型分子结构的化合物,可以减少在点亮蓝光子像素单元时,向红光和绿光区域内传输的载流子,避免红光或绿光被同时点亮。将绿光子像素单元或红光子像素单元的载流子注入层12设置为该具有平面型分子结构的化合物时,能够减少来自蓝光子像素单元中的载流子在绿光、红光子像素单元中的传输,避免红光或绿光关不断的现象。
作为进一步替换的实施方式,还可以将有机电致发光装置的两种子像素单元的载流子注入层12设置为由具有平面型分子结构的化合物垂直于发光层13方向堆叠形成,具体地可以是绿光/红光子像素单元,红光/蓝光子像素单元,或者蓝光/绿光子像素单元。
作为第一种可选地实施方式,如图4所示,在各子像素单元的第一电极11和发光层13之间设置载流子注入层12,第一电极11具体地为阳极,第二电极14具体地为阴极,设置在第一电极11和发光层13之间的载流子注入层12为空穴注入层,空穴注入层采用沿垂直于发光层13方向堆叠的具有平面型分子结构的化合物形成。由于目前有机电致发光装置中的“关不断”问题,主要是由于空穴注入层的横向导电产生,通过在空穴注入层中设置竖向堆叠的具有平面型分子结构的化合物,能够有效减少空穴在不同子像素单元之间的横向迁移,改善装置“关不断”的问题,解决装置的低灰阶色偏。
优选地,空穴注入层中具有平面型分子结构的化合物可以选择下述任一的化合物:酞菁铜,铁酞菁,并五苯,芘,蒽。
作为第一种实施方式的变形,第一电极11还可以是阴极,第二电极14为阳极,设置在第一电极11和发光层13之间的载流子注入层12为电子注入层,电子注入层采用沿垂直于发光层13方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错的具有平面型分子结构的化合物形成。由于在不同的载流子功能层中,载流子注入层12的迁移率相对最高,导致横向导电。通过在电子注入层中设置竖向堆叠的具有平面型分子结构的化合物,能够有效减少电子在不同子像素单元之间的横向迁移,改善装置“关不断”的问题。
作为第二种可选地实施方式,如图5所示,在各子像素单元的第二电极14和发光层13之间设置载流子注入层12,第二电极14具体地为阳极,第一电极11具体地为阴极,设置在第二电极14和发光层13之间的载流子注入层12为空穴注入层,空穴注入层采用沿垂直于发光层13方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错的具有平面型分子结构的化合物形成,使空穴注入层中空穴的横向迁移有效减少,改善装置“关不断”的问题。
作为第二种实施方式的变形,第一电极11还可以是阳极,第二电极14为阴极,设置在在第二电极14和发光层13之间的载流子注入层12为电子注入层,电子注入层采用沿垂直于发光层13方向堆叠、并在平行于发光层12的方向上交错排布的具有平面型分子结构的化合物形成,使电子注入层中电子的横向迁移有效减少,改善装置“关不断”的问题。
作为第三种可选地实施方式,如图6所示,载流子注入层12还可以同时设置在发光层13朝向第一电极11和第二电极14的两侧,至少一侧的载流子注入层12采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成,通过减少载流子在载流子注入层12中的横向迁移,改善装置“关不断”的问题。
作为第四种可选地实施方式,载流子功能层中还包括载流子传输层,载流子传输层采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成。载流子传输层设置在发光层13朝向第一电极11和第二电极14的至少一个上,载流子传输层具体地可以是空穴传输层或者电子传输层,通过增加由具有平面型分子结构的化合物竖向堆叠的载流子传输层,进一步减少在不同子像素单元之间的载流子的横向迁移,改善装置“关不断”的问题,改善装置的低灰阶色偏,提高器件的色稳定性。
作为第四种实施方式的变形,载流子传输层不设置为沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错的具有平面型分子结构的化合物形成,仅利用载流子注入层12中对载流子横向迁移的抑制效果,同样地能够解决装置“关不断”的问题。或者,仅将发光层13朝向第一电极11或第二电极14的一个上的载流子传输层采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠形成,同样能够实现本发明的目的。
作为第四种实施方式的变形,载流子传输层可以仅设置在红光、绿光和蓝光子像素单元中的一种子像素单元内,或者在两种子像素单元中设置载流子传输层,或者在三种子像素单元中均设置载流子传输层。
作为第五种可选地实施方式,载流子功能层中还包括载流子阻挡层,载流子阻挡层采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成。载流子阻挡层设置在发光层13朝向第一电极11和第二电极14的至少一个上,载流子阻挡层具体地可以是空穴阻挡层或者电子阻挡层,通过增加由具有平面型分子结构的化合物竖向堆叠的载流子阻挡层,进一步减少在不同子像素单元之间的载流子的横向迁移,改善装置“关不断”的问题,提高器件的色稳定性。
作为第五种实施方式的变形,载流子阻挡层不设置为沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错的具有平面型分子结构的化合物形成,仅利用载流子注入层12中对载流子横向迁移的抑制效果,同样地能够解决装置“关不断”的问题。或者,仅将发光层13朝向第一电极11或第二电极14的一个上的载流子阻挡层采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠形成,同样能够实现本发明的目的。
作为第五种实施方式的变形,载流子阻挡层可以仅设置在红光、绿光和蓝光子像素单元中的一种子像素单元内,或者在两种子像素单元中设置载流子阻挡层,或者在三种子像素单元中均设置载流子阻挡层。
作为第六种可选地实施方式,载流子功能层中还可以同时包括载流子传输层和载流子阻挡层,载流子传输层和载流子阻挡层均采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成。载流子传输层和载流子阻挡层分别设置在发光层13朝向第一电极11和第二电极14的至少一个上,载流子传输层具体地为空穴传输层或者电子传输层,载流子阻挡层具体地为空穴阻挡层或者电子阻挡层,通过增加由具有平面型分子结构的化合物竖向堆叠的载流子阻挡层和载流子传输层,进一步减少在不同子像素单元之间的载流子的横向迁移,改善装置“关不断”的问题,提高器件的色稳定性。
作为第六种实施方式的变形,载流子传输层和载流子阻挡层不设置为沿垂直于发光层13的方向堆叠的具有平面型分子结构的化合物、并在平行于发光层13的方向上交错形成,仅利用载流子注入层12中对载流子横向迁移的抑制效果,同样地能够解决装置“关不断”的问题。或者,仅将载流子传输层和载流子阻挡层中的一种设置为由竖向堆叠的具有平面型分子结构的化合物形成,同样能够实现本发明的目的。
作为第六种实施方式的变形,载流子传输层和载流子阻挡层可以仅设置在红光、绿光和蓝光子像素单元中的一种子像素单元内,或者在两种子像素单元中设置载流子传输层和载流子阻挡层,或者在三种子像素单元中均设置载流子传输层和载流子阻挡层。
实施例1
本实施例提供一种有机电致发光装置的具体示例,包括阵列分布的若干像素单元,其像素单元中包括红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G和蓝光子像素单元1B。
红光子像素单元1R包括依次堆叠设置的阳极、空穴注入层、发光层13、电子注入层和阴极,绿光子像素单元1G包括依次堆叠设置的阳极、空穴注入层、发光层13、电子注入层和阴极,蓝光子像素单元1B包括依次堆叠设置的阳极、空穴注入层、发光层13、电子注入层和阴极。
其中,各子像素单元的空穴注入层均采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成,具有平面型分子结构的化合物具体的为:6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)并五苯,(简称:TIPS-Pentacene)。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/TIPS-Pentacene(10nm)/TPD(200nm)/CBP:Ir(piq)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/TIPS-Pentacene(10nm)/TPD(160nm)/CBP:Ir(ppy)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/TIPS-Pentacene(10nm)/TPD(120nm)/CBP:Firpic(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
实施例2
本实施例提供了一种有机电致发光装置,其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同,唯一的区别在于:
红光子像素单元1R和绿光子像素单元1G的空穴注入层采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成,具有平面型分子结构的化合物具体的为(TIPS-Pentacene)。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/TIPS-Pentacene(10nm)/TPD(200nm)/CBP:Ir(piq)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/TIPS-Pentacene(10nm)/TPD(160nm)/CBP:Ir(ppy)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/HAT-CN(10nm)/TPD(120nm)/CBP:Firpic(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
实施例3
本实施例提供了一种有机电致发光装置,其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同,唯一的区别在于:
各子像素单元中的具有平面型分子结构的化合物具体的为:铁酞菁,(简称:FePc)。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/FePc(10nm)/TPD(200nm)/CBP:Ir(piq)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/FePc(10nm)/TPD(160nm)/CBP:Ir(ppy)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/FePc(10nm)/TPD(120nm)/CBP:Firpic(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
实施例4
本实施例提供一种有机电致发光装置的具体示例,包括阵列分布的若干像素单元,其像素单元中包括红光子像素单元1R、绿光子像素单元1G和蓝光子像素单元1B。
红光子像素单元1R包括依次堆叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层13、电子传输层、电子注入层和阴极,绿光子像素单元1G包括依次堆叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层13、电子传输层、电子注入层和阴极,蓝光子像素单元1B包括依次堆叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层13、电子传输层、电子注入层和阴极。
其中,各子像素单元的空穴注入层均采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成,具有平面型分子结构的化合物具体的为:酞菁铜,(简称:CuPc);各子像素单元的空穴传输层均采用具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层13的方向堆叠、并在平行于发光层13的方向上交错形成,具有平面型分子结构的化合物具体的为:并五苯,(简称:Pentacene)
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/CuPc(10nm)/Pentacene(200nm)/CBP:Ir(piq)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/CuPc(10nm)/Pentacene(160nm)/CBP:Ir(pp y)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/CuPc(10nm)/Pentacene(120nm)/CBP:Firpic(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
实施例5
本实施例提供了一种有机电致发光装置,其与实施例4中记载的有机电致发光装置基本相同,唯一的区别在于:
平面型空穴传输层仅设置在红光子像素单元1R。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/CuPc(10nm)/Pentacene(200nm)/CBP:Ir(piq)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/CuPc(10nm)/TPD(160nm)/CBP:Ir(ppy)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/CuPc(10nm)/TPD(120nm)/CBP:Firpic(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
对比例1
本实施例提供了一种有机电致发光装置,其与实施例1中记载的有机电致发光装置基本相同,唯一的区别在于:
各子像素单元的空穴注入层均采用棒状分子形成,具体地为:α-六噻吩,(简称:α-6T)。
本实施例中红光子像素单元1R的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/α-6T(10nm)/TPD(200nm)/CBP:Ir(piq)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中绿光子像素单元1G的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/α-6T(10nm)/TPD(160nm)/CBP:Ir(ppy)3(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
本实施例中蓝光子像素单元1B的器件结构为:ITO(10nm)/Ag(100nm)/ITO(10nm)/α-6T(10nm)/TPD(120nm)/CBP:Firpic(3%,30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(20%,15nm)/NPB(60nm)。
检测例
对上述实施例1-5和对比例1进行测试,并对测试结果进行比对,如下表所示:
由上表数据可知,通过设置空穴注入层由平面型分子沿垂直于发光层方向上π-π堆叠形成,载流子沿分子堆叠方向迁移,有利于载流子向发光层中的注入;而在水平方向上,由于缺少有效的分子堆叠,载流子的横向迁移弱,横向导通受到抑制,串扰量化值大大减小。通过抑制载流子的横向迁移,低灰阶下偏红问题明显改善,装置的色稳定性提高。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种有机电致发光装置,其特征在于,包括若干发光颜色的子像素单元,所述子像素单元包括堆叠设置的第一电极层、载流子功能层、发光层以及第二电极层;
所述子像素单元中的所述载流子功能层中至少包括载流子注入层;至少一种发光颜色的子像素单元中的载流子注入层由具有平面型分子结构的化合物沿垂直于发光层的方向堆叠形成,所述具有平面型分子结构的化合物沿平行于发光层的方向交错排布。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述具有平面型分子结构的化合物为含有芳香环的化合物。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述具有平面型分子结构的化合物的堆叠为π-π堆叠。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述π-π堆叠为面对面堆叠。
5.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述载流子注入层为空穴注入层。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述空穴注入层中的具有平面型分子结构的化合物选自下述任一的化合物:
酞菁铜,铁酞菁,并五苯,芘,蒽。
7.根据权利要求1-6任一项所述的有机电致发光装置,其特征在于,任一所述子像素单元中的载流子功能层中还包括载流子传输层和/或载流子阻挡层。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述载流子传输层包括电子传输层和/或空穴传输层。
9.根据权利要求7或8所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述载流子阻挡层包括电子阻挡层和/或空穴阻挡层。
10.根据权利要求1-9任一项所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述子像素单元包括红光子像素单元、绿光子像素单元和蓝光子像素单元。
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