CN101752405B - 有机发光设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光设备及其制造方法。所述有机发光设备包括：填充材料，在形成有有机发光单元的二极管基底和包封基底之间；有机保护层，设置在有机发光单元和填充材料之间而且包括至少一种热可沉积有机材料。

Description

有机发光设备及其制造方法
本申请要求于2008年12月17日在韩国知识产权局提交的第10-2008-0128612号韩国专利申请的权益，通过引用将该申请的全部内容包含于此。
技术领域
本实施例涉及一种有机发光设备和一种制造所述有机发光设备的方法，更具体地说，涉及这样一种有机发光设备以及一种制造该有机发光设备的方法，所述有机发光设备包括：填充材料，设置在形成有有机发光单元的二极管基底和包封基底之间；有机保护层，由至少一种热可沉积有机材料形成，并被设置在有机发光单元和填充材料之间。
背景技术
每个有机发光设备均包括至少一个有机发光二极管，该有机发光二极管是自发射二极管。每个有机发光二极管均包括一对电极和插入在电极之间的有机层，有机发光二极管重量轻、由相对少量的组件构成、容易制造、提供高质量的图像并具有宽的视角。此外，有机发光二极管提供高的色彩纯度，良好地实现运动画面，具有低的功率消耗，并且在低电压下运行。由于这些电特性，所以有机发光二极管适合用于便携式电子装置。因此，包括这些有机发光二极管的有机发光设备被应用于便携式、薄的平板显示设备。
有机发光二极管由于内部因素(如由形成电极的ITO产生的氧引起的发射层的劣化或由在发射层和界面之间的反应引起的劣化)而劣化。此外，有机发光二极管容易由于外部因素(如外部湿度、外部氧、外部紫外线)或制造条件而劣化。外部氧和湿度对有机发光二极管的寿命具有不利的影响。因此，当制造有机发光设备时，有机发光二极管的封装非常重要。本实施例克服上述问题，同时提供了另外的优点。
发明内容
本实施例提供一种有机发光设备及其制造方法，该有机发光设备包括：填充材料，设置在形成有有机发光单元的二极管基底和包封基底之间，其中，填充材料不损坏有机发光单元。
根据本实施例的一方面，提供了一种发光设备，该发光设备包括：二极管基底；有机发射单元，设置在二极管基底上并包括至少一个有机发光二极管，所述有机发光二极管包括一对电极和设置在所述电极之间的有机层；包封基底，设置在有机发射单元上方；密封剂，用密封剂将二极管基底附着到包封基底；填充材料，设置在二极管基底和包封基底之间；有机保护层，设置在有机发光单元和填充材料之间并包括至少一种热可沉积有机材料。
根据本实施例的另一方面，提供了一种有机发光设备的制造方法，其中，该方法包括：在二极管基底的一个表面上形成有机发光单元，该有机发光单元包括至少一个有机发光二极管，所述有机发光二极管包括一对电极和设置在所述电极之间的有机层；将至少一种热可沉积材料热沉积在有机发光单元上，从而形成有机保护层；制备包封基底；将填充材料和密封剂设置到至少一个二极管基底和包封基底，所述二极管基底上形成有有机发光单元和有机保护层；将二极管基底和包封基底结合。
附图说明
通过参照附图对示例性实施例进行详细地描述，本实施例的上述和其它特征和优点将会变得更加清楚，附图中：
图1和图2是根据实施例的有机发光设备的示意性剖视图；
图3A至图3D是用于顺序说明根据实施例的有机发光设备的制造方法的示图；
图4A和图4B分别是根据实施例的有机发光设备和传统的有机发光设备的发射照片。
具体实施方式
现在，将参照附图来详细描述示例性实施例。
图1是根据实施例的有机发光设备的示意性剖视图。
参照图1，有机发光设备包括：二极管基底100；有机发射单元200，设置在二极管基底100上；包封基底300，设置在有机发射单元200上方；密封剂410，用于将二极管基底100附着到包封基底300；填充材料430，置于二极管基底100和包封基底300之间；有机保护层450，置于有机发射单元200和填充材料430之间。
二极管基底100可由无机材料如主要由SiO2形成的透明的玻璃材料或绝缘的有机材料如透明的塑料材料形成。例如，绝缘的有机材料可从由聚醚砜(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyeleneterephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、三醋酸纤维素(cellulosetriacetate，TAC)和醋酸丙酸纤维素(celluloseacetatepropionate，CAP)组成的组中选择，但是不限于这些材料。
如果图1所示有机发光设备是底部发射型设备并且从有机发光单元200发出的光向二极管基底100传播，则二极管基底100可由透明材料形成。然而，如果图1所示有机发光设备是顶部发射型设备并且从有机发光单元200发出的光沿二极管基底100的相反方向传播，则在一些实施例中，二极管基底100可由其它材料形成。在后一种情况下，二极管基底100可由金属形成。如果二极管基底100由金属形成，则二极管基底100可以包括从由碳、铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金(alloy)(卢森堡，卢森堡市，安塞乐米塔尔(ArcelorMittal))、因柯力尔合金(alloy)(纽约，新哈特福德，特种金属公司)和科瓦合金(alloy)(宾夕法尼亚州，怀俄密西市，卡彭特技术公司(CarpenterTechnologyCorporation))组成的组中选择的至少一种材料。然而，二极管基底100也可由其它材料形成。例如，二极管基底100可由金属箔形成。
尽管并没有在图1中示出，但是可在二极管基底100上形成缓冲层(未示出)以使二极管基底100平坦化并防止杂质元素渗透。
有机发光单元200可包括至少一种有机发光二极管。有机发光二极管包括：一对电极，包括第一电极和第二电极；有机层，置于所述电极之间。
有机发光二极管的有机层可包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层、空穴阻挡层、电子传输层(ETL)和电子注入层组成的组中选择的至少一层。
第一电极可形成在二极管基底100上，并可为包含空穴注入电极的阳极。可通过沉积或溅射具有高功函数的材料形成第一电极。形成第一电极的材料可构成可透射电极或反射电极。所述材料可构成多种类型的电极。例如，如果所述材料构成可透射电极，则所述材料可以是ITO、IZO、ZnO或In2O3等。如果所述材料构成反射电极，则反射电极可包括：反射膜，由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等或它们的任意组合形成；膜，由ITO、IZO、ZnO或In2O3等形成并设置在反射膜上。
例如，可利用许多方法中的一种或多种(如真空沉积法、旋涂法、铸造法或LB(LangmuirBlodgett)法形成HIL。如果利用真空沉积法形成HIL，则根据所选择的用于制备目标层的化合物、目标层结构和热特性，沉积条件可不同，例如，沉积温度可从大约100℃至大约500℃适当地选择，真空度可从大约10-10托至大约l0-3托适当地选择，沉积速度可从大约至大约适当地选择。同时，如果利用旋涂法形成HIL，则根据所选择的用于制备目标层的化合物、目标层结构和热特性，涂覆条件可不同，例如，涂覆速度可从大约2000rpm至大约5000rpm，而且在涂覆之后除去所使用的溶剂的温度可从大约80℃至大约200℃。
HIL材料可以是任何已知的空穴注入材料，例如可以是酞菁化合物(如铜酞菁)、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(4，4′，4″-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine，m-MTDATA)、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(N，N′-di(1-naphthyl)-N，N′-diphenylbenzidine，NPB)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(polyaniline/dodecylbenzenesulfonicacid，Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)，PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(polyaniline/camphorsulfonicacid，Pani/CSA)或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)((polyaniline)/poly(4-styrenesulfonate)，PANI/PSS))，但不限于此。
在一些实施例中，HIL的厚度可以是从大约至大约在优选的实施例中，HIL的厚度可以是从大约至大约如果HIL的厚度小于大约则空穴注入特性会劣化。另一方面，如果HIL的厚度大于大约则有机发光装置的驱动电压可能增加。
可利用许多方法如真空沉积法、旋涂法、铸造法或LB法中的一种或多种形成HTL。就这一点而言，根据所选择的用于制备目标层的化合物、目标层结构和热特性，沉积条件和涂覆条件可不同，但是沉积条件和涂覆条件可以和上面参照HIL描述的条件类似。
HTL材料可以是任何已知的空穴传输材料，例如，可以是：咔唑衍生物，如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)或聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)；具有芳香缩合环(aromaticcondensationring)的胺衍生物，如N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺(N，N′-bis(3-methylphenyl)-N，N′-diphenyl-[1，1-biphenyl]-4，4′-diamine，TPD)或N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(N，N′-di(naphthalene-1-yl)-N，N′-diphenylbenzidine，α-NPD)；或三苯胺类材料(如4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(4，4′，4″-tris(N-carbazolyl)triphenylamine，TCTA))。除具有空穴传输能力之外，TCTA还可具有阻挡在发射层中产生的激子的扩散的能力。
在一些实施例中，HTL的厚度可以是从大约至大约在优选的实施例中，HTL的厚度可以是从大约至大约如果HTL的厚度小于大约则空穴传输特性会劣化。另一方面，如果HTL的厚度大于大约则有机发光装置的驱动电压可能增加。
可利用从多种已知的方法如真空沉积法、旋涂法、铸造法或LB法中选择方法形成发射层。就这一点而言，根据所选择的用于制备目标层的化合物、目标层结构和热特性，沉积条件和涂覆条件可不同，但是沉积条件和涂覆条件可以和上面参照HIL描述的条件类似。
发射层可以仅包括单一的发光材料。然而，在一些情况下，EML可包括基质和掺杂剂。
例如，基质可以是三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolate)aluminum，Alq3)、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯(4，4′-N，N′-dicarbazole-biphenyl，CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(poly(n-vinylcarbazole)，PVK)、9，10-二(萘-2-基)蒽(9，10-di(naphthalene-2-yl)anthracene，ADN)、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1，3，5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBI)、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9，10-di(naphth-2-yl)anthracene，TBADN)或E3，但不限于此。
同时，例如，红色掺杂剂可以是PtOEP、Ir(piq)3或Btp2Ir(acac)，但不限于此。
此外，例如，绿色掺杂剂可以是Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mpyp)3，但不限于此。
例如蓝色掺杂剂可以是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)、4，4′-二[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或2，5，8，11-四叔丁基苝(2，5，8，11-tetra-tert-butylperylene，TBP)，但不限于此。
发射层的厚度可以是从大约至大约优选地，从大约至大约如果发射层的厚度小于大约则发射层的发光特性会劣化。另一方面，如果发射层的厚度大于大约则有机发光装置的驱动电压可能增加。
在发射层上还可形成空穴阻挡层。空穴阻挡层阻挡三重态激子或空穴以防止其扩散到例如阴极中。可利用许多方法如真空沉积法、旋涂法、铸造法或LB法中的一种或多种形成空穴阻挡层。就这一点而言，根据所选择的用于制备目标层的化合物、目标层结构和热特性，沉积条件和涂覆条件可不同，但是沉积条件和涂覆条件可以和上面参照HIL描述的条件类似。
空穴阻挡材料可以是任何空穴阻挡材料。例如，空穴阻挡材料可以是噁二唑衍生物(oxadiazolederivative)、三唑衍生物(triazolederivative)或菲咯啉衍生物(phenanthrolinederivative)。
空穴阻挡层的厚度可以是从大约至大约优选地，从大约至大约如果HBL的厚度小于大约则空穴阻挡特性会劣化。另一方面，如果HBL大于大约则有机发光装置的驱动电压可能增加。
可利用许多方法如真空沉积法、旋涂法、铸造法或LB法中的一种或多种形成ETL。ETL可形成在发射层或空穴阻挡层上。就这一点而言，根据所选择的用于制备目标层的化合物、目标层结构和热特性，沉积条件和涂覆条件可不同，但是沉积条件和涂覆条件可以和上面参照HIL描述的条件类似。
ETL材料可以是任何电子传输材料。例如，ETL可以是三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、TAZ、TPQ1、TPQ2、4，7-联苯-1，10-菲咯啉(4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline，Bphen)、BCP、BeBq2或BAlq：
ETL的厚度可以是从大约至大约尤其是，从大约至大约如果ETL的厚度小于大约则电子传输特性会劣化。另一方面，如果ETL的厚度大于大约则有机发光装置的驱动电压可能增加。在这些电子传输材料中，BPhen除了具有电子传输能力之外，还具有空穴阻挡能力。
电子注入层可形成在ETL上。例如，电子注入层材料可以是任何电子注入材料，如LiF、NaCl、CsF、Li2O或BaO。根据所选择的用于制备目标层的化合物，形成电子注入层的沉积条件可不同，且沉积条件可以和上面参照HIL描述的条件类似。
电子注入层的厚度可以是从大约至大约例如，从大约至大约如果电子注入层的厚度在此范围之内，则可获得满意的电子注入特性而有机发光装置的驱动电压没有实质性的增加。
第二电极可作为阴极(电子注入电极)，可利用具有相对低的功函数的金属、具有相对低的功函数的合金、具有相对低的功函数的导电化合物及它们的任意混合物形成。用于制备第二电极的材料的例子可包括Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In和Mg-Ag。另外，对于顶部发射型发光二极管，第二电极可以是由ITO或IZO形成的可透射阴极。
包封基底300可设置在形成有有机发光单元200的二极管基底100上方。可通过利用密封剂410将包封基底300和二极管基底100结合。例如，包封基底300可以是玻璃基底、例如由丙烯酰基(acryl)形成的塑料基底或金属基底。
可通过利用密封剂410将二极管基底100和包封基底300相互结合起来。密封剂410可以是有机材料如可固化树脂或紫外(UV)可固化树脂，例如环氧树脂。可选地，密封剂410可以是无机材料，如密封玻璃料。
填充材料430可设置在二极管基底100和包封基底300之间。例如，填充材料430可填充二极管基底100和包封基底300之间的空间，并可防止氧和/或湿气渗透到有机发光单元200的内部中。填充材料430可以是任何填充材料。例如，填充材料430可以是：有机填充材料，如氨基甲酸乙酯基树脂(urethane-basedresin)、甲基丙烯酸酯基树脂(methacrylate-basedresin)、丙烯酰基树脂(acryl-basedresin)、聚异戊二烯、乙烯基树脂(vinyl-basedresin)、环氧基树脂(epoxy-basedresin)和纤维素基树脂(cellulose-basedresin))；基于金属和非金属如Si、Al、Ti或Zr或金属和非金属氧化物的无机填充材料；或有机/无机复合填充材料。
例如，氨基甲酸乙酯基树脂可以是聚氨酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)，但不限于此。例如，甲基丙烯酸酯基树脂可以是丙二醇甲基丙烯酸酯(propyleneglycolmethacrylate)或甲基丙烯酸四氢糠基酯(tetrahydrofurfurylmethacrylate)，但不限于此。例如，丙烯醛基树脂可以是丙烯酸丁酯(butylacrylate)或丙烯酸乙基己酯(ethylhexylacrylate)，但不限于此。例如，乙烯基树脂可以是乙烯基醋酸酯(vinylacetate)、N-乙烯基吡咯烷酮(N-vinylpyrrolidone)，但不限于此。例如，环氧基树脂可以是脂环族环氧化物(cycloaliphaticepoxide)，但不限于此。例如，纤维素基树脂可以是硝酸纤维素，但不限于此。
如果填充材料430是无机填充材料，则填充材料430可包括硅、铝、钛、锆、二氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化铝和它们的前驱体。例如，填充材料430可以是硅基凝胶(silicon-basedgel)，但不限于此。
此外，有机/无机复合填充材料可以是这种材料，在该材料中金属和非金属如硅、铝、钛或锆以共价键方式连接到有机部分。例如，有机/无机复合填充材料可包括从由环氧硅烷(epoxysilane)或其衍生物、乙烯基硅烷(vinylsilane)或其衍生物、氨基硅烷(aminesilane)或其衍生物、甲基丙烯酸酯硅烷(methacrylatesilane)，及它们的部分固化反应产物组成的组中选择的至少一种材料。环氧硅烷或其衍生物的例子包括3-缩水甘油丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)和其聚合物。乙烯基硅烷或其衍生物的例子包括乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilnae)和其聚合物。氨基硅烷(aminosilane)或其衍生物的例子包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷(3-Aminopropyltriethoxysilane)和其聚合物。甲基丙烯酸酯硅烷的例子包括3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基丙烯酸酯(3-(trimethoxysilyl)propylacrylate)和其聚合物。
可将上述的填充材料430置于二极管基底100和包封基底300之间。如果填充材料430是具有低蒸汽压的材料，则当制造和/或驱动有机发光设备时，从填充材料430中会发生脱气。由脱气产生的气体可损坏有机发光单元200。此外，在某些情况下，填充材料430自身可包括痕量的溶剂，而且在这种情况下，溶剂可接触有机发光单元200，即有机发光二极管的阴极，从而可损坏有机发光单元200。如果填充材料430自身与有机发光单元200起反应，则填充材料430也可损坏有机发光单元200。
为保护有机发光单元200不被填充材料430损坏，可将有机保护层450置于有机发光单元200和填充材料430之间。在此处，有机保护层450可由至少一种热可沉积有机材料形成。有机保护层450可通过在有机发光单元200上沉积至少一种热可沉积有机材料来形成。
在本说明书中，术语“热可沉积有机材料”指这样一种材料，该材料可通过热沉积形成层并且具有化学领域技术人员公知的至少一种有机部分。这种有机部分的例子包括烷基、烯基、炔基、烷氧基、环烷基、杂环烷基(heterocycloalkylgroup)、芳基、杂芳基和杂环基。
热可沉积有机材料可以是能够以从大约100℃至大约500℃的温度、在从大约10-10托至大约10-3托的真空度被蒸发的材料。例如，热可沉积有机材料可以是能够以从大约200℃至大约400℃的温度、在从大约10-8托至大约10-3托的真空度被蒸发的材料，但不限于此。根据实施例，热可沉积有机材料可以是能够以300℃的温度、在10-7托的真空度被蒸发的材料。
根据实施例，热可沉积有机材料的真空度和蒸发温度范围的至少一部分，与当通过热沉积形成包括在有机发光单元200中的至少一个有机发光二极管中的有机层时所使用的真空度和蒸发温度的范围，可相互重叠。从而，例如，热可沉积有机材料可从被用于制造有机发光二极管中的有机层的传统材料中选择。
根据实施例，热可沉积有机材料可包括从包括在有机发光单元200中的至少一个有机发光二极管中包括的有机层中所包括的多种材料中选择的材料。
例如，如果有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层包括HIL，则有机保护层450可包括HIL材料。
此外，如果有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层包括HTL，则有机保护层450可包括HTL材料。
此外，如果有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层包括发射层，则有机保护层450可包括发射层材料。
此外，如果有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层包括空穴阻挡层，则有机保护层450可包括空穴阻挡层材料。
此外，如果有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层包括ETL，则有机保护层450可包括ETL材料。
此外，如果有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层包括电子注入层，则有机保护层450可包括电子注入层材料。
另外，有机保护层450可包括热可沉积材料，虽然该热可沉积材料可不同于包括在有机发光单元200的至少一个有机发光二极管的有机层中的材料，但是该热可沉积材料可满足上述真空度和蒸发温度的范围并且可通过热沉积形成层。
在此，包括在有机保护层450中的热可沉积有机材料可以不是金属复合型材料。例如，包括在有机保护层450中的热可沉积有机材料可以不是金属复合型荧光掺杂剂和金属复合型电子传输材料(例如，Alq3)。不希望通过具体的理论来限制，而是很明显的，在金属复合物中的金属材料可与填充材料反应并且包括金属复合物的有机保护层可能不能实现保护功能。另外，在装料之后，可通过热工艺或UV工艺使填充材料硬化。然而，在这种情况下，与金属复合物反应的填充材料可不被硬化。此外，总的来说，填充材料的硬化引发剂在大多数情况下可以是金属催化剂，而且金属催化剂可与金属复合物中的其它金属反应，从而填充材料可不硬化。
根据实施例，有机保护层450可包括从由4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA、2T-NATA、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯(CBP)、9，10-二(萘-2-基)蒽(AND)、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、E3、三芴、4，4′-二[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、2，5，8，11-四叔丁基苝(TBP)、TAZ、TPQ1、TPQ2、4，7-联苯-1，10-菲咯啉(Bphen)、BCP及其混合物组成的组中选择的材料。然而，有机保护层也可包括其它材料。
有机保护层450的厚度可以是从大约至大约例如从大约至大约如果有机保护层450的厚度在此范围内，则有机保护层450可以是平的，并可有效地保护有机发光单元200不被填充材料430损坏。有机保护层450可具有多种结构。例如，有机保护层450可由一种热可沉积材料形成，有机保护层450可以是包括至少两种不同种类的热可沉积材料的单层，或可具有多层结构，该多层结构包括至少两层，所述至少两层包括至少两种不同种类的热可沉积材料。
因为填充材料430填充在二极管基底100和包封基底300之间，所以可使外部的氧和/或湿度对有机发光单元200造成的损坏最小化。
因为有机保护层450覆盖有机发光单元200，所以也可使填充材料对有机发光单元200造成的损坏最小化。
此外，图2是图1的有机发光设备中的一部分的示意性剖视图，示例性地示出有机发光单元200的详细结构。
参照图2，将多个薄膜晶体管220设置在二极管基底100上，并将多个有机发光二极管230设置在薄膜晶体管220上。每个有机发光二极管230中均包括：像素电极231，电连接到相应的薄膜晶体管220；相对电极235，设置在二极管基底100的整个表面上；有机层233，设置在像素电极231和相对电极235之间。
设置在二极管基底100上的每个薄膜晶体管220均包括栅电极221、源电极和漏电极223、半导体层227、栅极绝缘层213和层间绝缘层215。薄膜晶体管220的结构可不限于在图2中所示出的结构，可从多种薄膜晶体管中选择。例如，薄膜晶体管220可以是由有机材料形成半导体层227的有机薄膜晶体管，或由硅形成半导体层227的硅薄膜晶体管。如果必要的话，可在薄膜晶体管220和二极管基底100之间形成由氧化硅或氮化硅形成的缓冲层211。
有机发光二极管230可包括像素电极231、面对像素电极231的相对电极235和设置在像素电极231与相对电极235之间的有机层233。像素电极231可作为阳极，相对电极235可作为阴极。然而，在其它实施例中，像素电极231可作为阴极并且相对电极235可作为阳极。
像素限定层(PDL)219覆盖像素电极231的边缘部分，并可在像素电极231外部具有一定厚度。像素限定层219限定发射区域，并加宽像素电极231的边缘部分和相对电极235之间的间隔以防止电场被集中在像素电极231的边缘部分，从而防止在像素电极231和相对电极235之间短路。
有机层233可形成在像素电极231和相对电极235之间。有机层233的详细的说明已经进行了描述。
有机发光二极管230可以电连接到设置在其下方的薄膜晶体管220。在这种情况下，如果存在覆盖薄膜晶体管220的平坦化层217，则可将有机发光二极管230设置在平坦化层217上，并且可通过在平坦化层217中形成的接触孔将有机发光二极管230的像素电极231电连接到薄膜晶体管220。
同时，可通过包封基底300来密封有机发光二极管230。包封基底300可由上述的多种材料如玻璃或塑料材料形成。
同时，填充材料430可设置在有机发光二极管230和包封基底300之间，以填充有机发光二极管230和包封基底300之间的空间。
有机保护层450可设置在有机发光二极管230和填充材料430之间。有机保护层450保护有机发光二极管230不被填充材料430损坏，关于这个的详细说明已经进行了描述。
制造有机发光设备的方法包括：在二极管基底的一个表面上形成有机发光单元，该有机发光单元包括至少一个包括一对电极和设置在电极之间的有机层的有机发光二极管；将至少一种热可沉积材料热沉积在有机发射单元上，以形成有机保护层；制备包封基底；将填充材料和密封剂设置到至少一个二极管基底和包封基底，所述二极管基底上形成有有机发光单元和有机保护层，例如，可将填充材料和密封剂设置在至少一个二极管基底和包封基底之间；将二极管基底和包封基底结合。
图3A至图3D是用于顺序说明根据实施例的有机发光设备的制造方法的示图。
首先，如图3A所示，在二极管基底100上形成有机发光单元200。
然后，如图3B所示，在有机发光单元200上热沉积至少一种热可沉积有机材料，从而形成有机保护层450。热可沉积有机材料的详细说明已经进行了描述。
因为通过热沉积形成有机保护层450，所以，当形成有机保护层450时，可不损坏有机发光单元200而且工艺时间可缩短。
因为填充材料430必定损坏有机发光单元200，所以在有机发光单元200上形成保护层是必要的。然而，为了在有机发光单元200上形成由无机材料形成的无机保护层，采用伴随有强大能量的等离子体产生的化学气相沉积(CVD)法或溅射法。因此，当形成无机保护层时，可更加严重的损坏有机发光单元200。为了防止这种损坏，可通过调节CVD或溅射法的能量处于低的水平来形成无机保护层。然而，在这种情况下，在工艺中粘性时间(tacktime)必定增加从而会增加工艺成本。同时，如果通过用可固化材料(如丙烯酰基树脂)涂覆来形成有机保护层，则需要执行涂覆和热处理工艺以形成层。所以，这种方法也导致有机发光设备高昂的制造成本。
然而，当通过热沉积热可沉积材料来形成有机保护层450时，可解决上述问题，此外，用来形成用在有机发光单元200中包括的至少一个有机发光二极管中的有机层的材料可被用来形成有机保护层450，而且可重复利用用来形成有机层的沉积室。所以，可不损坏有机发光单元200而且可降低工艺成本。
接下来，如图3C所示，制备包封基底300并且在其上提供填充材料430和密封剂形成材料410′。
接下来，以将有机发光单元200设置于二极管基底100与包封基底300之间的方式来布置图3B中所示的二极管基底100和图3C中所示的包封基底300，从而通过利用密封剂410结合二极管基底100和包封基底300。所以，可包封有机发光单元200。在这里，可通过UV固化或热处理将密封剂形成材料410′转化为密封剂410，因此，将二极管基底100与包封基底300结合起来。
图4A示出根据实施例的有机发光设备的发射照片。以下面的方式制造所述有机发光设备。在作为二极管基底的玻璃基底上形成包括第一电极、有机层和第二电极的有机发光二极管；然后，以大约300℃在大约10-7托将NPB热沉积在有机发光二极管上，以覆盖有机发光二极管，从而形成具有厚度为的有机保护层。接下来，制备无碱基底作为包封基底，将作为填充材料的硅基凝胶和环氧树脂提供在包封基底上，结合二极管基底与包封基底并利用UV固化环氧树脂。
同时，图4B示出有机发光设备的发射照片，该有机发光设备除了未形成有机保护层之外，是用与上述制造有机发光设备的方式相同的方式制造的。
图4A和图4B是将有机发光设备在大约85℃的温度驱动大约24小时之后的发射照片。参照图4A和图4B，可以看出，在驱动之后，根据实施例的有机发光设备具有卓越的、均匀的且没有黑点的发射状态，所以其具有长的寿命。
上述的有机发光设备包括：在二极管基底和包封基底之间的填充材料，在该二极管基底上形成有有机发光单元；在有机发光单元和填充材料之间的有机保护层，该有机保护层包括至少一种热可沉积有机材料。因此，有机保护层可保护有机发光单元不被填充材料损坏，从而获得具有长的寿命的有机发光设备。此外，因为通过热沉积来形成有机保护层，所以用于形成有机发光单元的有机层的材料和设备可重复使用。从而，可降低有机发光设备的制造成本。
尽管参照本实施例的示例性实施例具体地示出并描述本实施例，但本领域普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本实施例的精神和范围的情况下，在这里可以在形式和细节上进行多种改变。

Claims (14)

1.一种有机发光设备，包括：
二极管基底；
有机发射单元，设置在二极管基底上并包括至少一个有机发光二极管，所述至少一个有机发光二极管包括一对电极和设置在所述电极之间的有机层；
包封基底，设置在有机发射单元上方；
密封剂，用密封剂将二极管基底附着到包封基底；
填充材料，设置在二极管基底和包封基底之间；
有机保护层，设置在有机发射单元和填充材料之间并包括至少一种热可沉积有机材料，
其中，热可沉积有机材料包括能够以从100℃至500℃的温度、在从10-10托至10-3托的真空度被蒸发的材料，
热可沉积有机材料不是金属复合型材料，
有机保护层通过在有机发光单元上热沉积热可沉积有机材料来形成，
热可沉积有机材料包括从有机发光二极管的有机层中所包括的多种材料中选择的一种材料。
2.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机发光二极管的有机层包括空穴注入层，有机保护层包括用于形成空穴注入层的材料。
3.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机发光二极管的有机层包括空穴传输层，有机保护层包括用于形成空穴传输层的材料。
4.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机发光二极管的有机层包括发射层，有机保护层包括用于形成发射层的材料。
5.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机发光二极管的有机层包括空穴阻挡层，有机保护层包括用于形成空穴阻挡层的材料。
6.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机发光二极管的有机层包括电子传输层，有机保护层包括用于形成电子传输层的材料。
7.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机发光二极管的有机层包括电子注入层，有机保护层包括用于形成电子注入层的材料。
8.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机保护层包括从由4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺、TDATA、2T-NATA、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯、9，10-二(萘-2-基)蒽、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、E3、三芴、4，4′-二[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、2，5，8，11-四叔丁基苝、TAZ、TPQ1、TPQ2、4，7-联苯-1，10-菲咯啉、BCP及其混合物组成的组中选择的至少一种材料。
9.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机保护层的厚度是从至
10.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，填充材料填充二极管基底和包封基底之间的空间。
11.如权利要求1所述的有机发光设备，其中，有机保护层覆盖有机发光单元，填充材料覆盖有机保护层。
12.一种有机发光设备的制造方法，该方法包括如下步骤：
在二极管基底的一个表面上形成有机发光单元，该有机发光单元包括至少一个有机发光二极管，所述有机发光二极管包括一对电极和设置在所述电极之间的有机层；
将至少一种热可沉积有机材料热沉积在有机发光单元上，从而形成有机保护层；
制备包封基底；
将填充材料和密封剂设置到至少一个二极管基底和封装基底，所述二极管基底上形成有有机发光单元和有机保护层；
将二极管基底和包封基底结合，
其中，将以从10-10托至10-3托的真空度、在从100℃至500℃的温度来沉积热可沉积有机材料，从而形成有机保护层，
热可沉积有机材料不是金属复合型材料，
热可沉积有机材料包括从有机发光二极管的有机层中所包括的多种材料中选择的一种材料。
13.如权利要求12所述的方法，其中，有机保护层包括从由4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺、TDATA、2T-NATA、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯、9，10-二(萘-2-基)蒽、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、E3、三芴、4，4′-二[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、2，5，8，11-四叔丁基苝、TAZ、TPQ1、TPQ2、4，7-联苯-1，10-菲咯啉、BCP及其混合物组成的组中选择的至少一种材料。
14.如权利要求12所述的方法，其中，有机保护层在从用于形成有机发光二极管的有机层的多种真空沉积室中选择的真空沉积室中形成。
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