JP2003347044A - 有機ｅｌパネル - Google Patents
有機ｅｌパネルInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子の上部空間に対する水分の侵入
を効果的に防止する。 【解決手段】 ＴＦＴのドレイン電極２２、ソース電極
２４を覆ってＳｉＮｘ等のシリコン系窒化膜やＴＥＯＳ
膜により形成される水分ブロッキング層２６を全面に形
成する。そして、周辺部において、この水分ブロッキン
グ層２６に対しシール材５２をによって封止ガラス５０
を接合する。水分ブロッキング層２６によって外部から
の水分の侵入を効果的に防止することができる。
を効果的に防止する。 【解決手段】 ＴＦＴのドレイン電極２２、ソース電極
２４を覆ってＳｉＮｘ等のシリコン系窒化膜やＴＥＯＳ
膜により形成される水分ブロッキング層２６を全面に形
成する。そして、周辺部において、この水分ブロッキン
グ層２６に対しシール材５２をによって封止ガラス５０
を接合する。水分ブロッキング層２６によって外部から
の水分の侵入を効果的に防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス配置さ
れた有機ＥＬ素子と、これら有機ＥＬ素子を駆動するた
めの複数の薄膜トランジスタが基板上に設けられ、この
基板の周辺部分に、有機ＥＬ素子が配置される画素エリ
アの上方を密閉する封止パネルを接合する有機ＥＬパネ
ルに関する。
れた有機ＥＬ素子と、これら有機ＥＬ素子を駆動するた
めの複数の薄膜トランジスタが基板上に設けられ、この
基板の周辺部分に、有機ＥＬ素子が配置される画素エリ
アの上方を密閉する封止パネルを接合する有機ＥＬパネ
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フラットディスプレイパネル
の１つとして、有機ＥＬディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ＥＬディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル（ＬＣＤ）とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
の１つとして、有機ＥＬディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ＥＬディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル（ＬＣＤ）とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
【０００３】この有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。また、この有機ＥＬ素子の駆動方法として
は、ＬＣＤと同様にパッシブ方式とアクティブ方式があ
るが、ＬＣＤと同様にアクティブマトリクス方式が好ま
しいとされている。すなわち、画素毎にスイッチ素子
（通常、スイッチング用と、駆動用の２つ）を設け、そ
のスイッチ素子を制御して、各画素の表示をコントロー
ルするアクティブマトリクス方式の方が、画素毎にスイ
ッチ素子を有しないパッシブ方式より高精細の画面を実
現でき好ましい。
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。また、この有機ＥＬ素子の駆動方法として
は、ＬＣＤと同様にパッシブ方式とアクティブ方式があ
るが、ＬＣＤと同様にアクティブマトリクス方式が好ま
しいとされている。すなわち、画素毎にスイッチ素子
（通常、スイッチング用と、駆動用の２つ）を設け、そ
のスイッチ素子を制御して、各画素の表示をコントロー
ルするアクティブマトリクス方式の方が、画素毎にスイ
ッチ素子を有しないパッシブ方式より高精細の画面を実
現でき好ましい。
【０００４】ここで、有機ＥＬ素子は、有機発光層に電
流を流すことによって、有機ＥＬ素子を発光させる。ま
た、この有機発光層に隣接して発光を助けるために、有
機材料からなる正孔輸送層や、電子輸送層を設ける場合
も多い。これら有機層は、水分により劣化しやすい。
流を流すことによって、有機ＥＬ素子を発光させる。ま
た、この有機発光層に隣接して発光を助けるために、有
機材料からなる正孔輸送層や、電子輸送層を設ける場合
も多い。これら有機層は、水分により劣化しやすい。
【０００５】そこで、有機ＥＬディスプレイにおいて
は、有機ＥＬ素子の上方を金属製の陰極で覆うととも
に、有機ＥＬ素子を配置する表示領域（画素の存在する
領域）の上方空間を気密の空間として、この空間に乾燥
剤を配置して、水分を除去している。
は、有機ＥＬ素子の上方を金属製の陰極で覆うととも
に、有機ＥＬ素子を配置する表示領域（画素の存在する
領域）の上方空間を気密の空間として、この空間に乾燥
剤を配置して、水分を除去している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、その寿命が
十分でない場合も多い。これについて、検討の結果、有
機ＥＬ素子の上部空間における乾燥が十分でない場合が
多いことが分かった。すなわち、外部からの水分の侵入
を十分効果的に防止できていないことが分かった。
来の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、その寿命が
十分でない場合も多い。これについて、検討の結果、有
機ＥＬ素子の上部空間における乾燥が十分でない場合が
多いことが分かった。すなわち、外部からの水分の侵入
を十分効果的に防止できていないことが分かった。
【０００７】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、有機ＥＬ素子の上部空間に対する水分の侵入を効
果的に防止できる有機ＥＬパネルを提供することを目的
とする。
あり、有機ＥＬ素子の上部空間に対する水分の侵入を効
果的に防止できる有機ＥＬパネルを提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、マトリクス配
置された有機ＥＬ素子と、これら有機ＥＬ素子を駆動す
るための複数の薄膜トランジスタが基板上に設けられ、
この基板の周辺部分に、有機ＥＬ素子が配置される画素
エリアの上方を密閉する封止パネルを接合する有機ＥＬ
パネルであって、前記基板の上面にシリコン系窒化膜ま
たはシリコン系酸化膜を形成し、このシリコン系窒化膜
またはシリコン系酸化膜をシール材によって封止パネル
に接着することで、基板と封止パネルとの封止を行うこ
とを特徴とする。
置された有機ＥＬ素子と、これら有機ＥＬ素子を駆動す
るための複数の薄膜トランジスタが基板上に設けられ、
この基板の周辺部分に、有機ＥＬ素子が配置される画素
エリアの上方を密閉する封止パネルを接合する有機ＥＬ
パネルであって、前記基板の上面にシリコン系窒化膜ま
たはシリコン系酸化膜を形成し、このシリコン系窒化膜
またはシリコン系酸化膜をシール材によって封止パネル
に接着することで、基板と封止パネルとの封止を行うこ
とを特徴とする。
【０００９】このように、本発明によれば、シリコン系
窒化膜またはシリコン系酸化膜を設け、これとシール材
によって有機ＥＬパネルの内部空間を外部から仕切っ
た。従来は、薄膜トランジスタ上に設けられる有機物質
からなる平坦化膜がシール材の下方に存在していたた
め、ここを介して外部から水分が侵入するおそれがあっ
たが、本発明によればシリコン系窒化膜によってこのよ
うな問題を確実に解決することができる。
窒化膜またはシリコン系酸化膜を設け、これとシール材
によって有機ＥＬパネルの内部空間を外部から仕切っ
た。従来は、薄膜トランジスタ上に設けられる有機物質
からなる平坦化膜がシール材の下方に存在していたた
め、ここを介して外部から水分が侵入するおそれがあっ
たが、本発明によればシリコン系窒化膜によってこのよ
うな問題を確実に解決することができる。
【００１０】また、前記有機ＥＬ素子は、基板上におけ
る前記薄膜トランジスタより上方に形成されており、前
記シリコン系窒化膜またはシリコン系酸化膜は前記薄膜
トランジスタの上方を覆って形成されていることが好適
である。
る前記薄膜トランジスタより上方に形成されており、前
記シリコン系窒化膜またはシリコン系酸化膜は前記薄膜
トランジスタの上方を覆って形成されていることが好適
である。
【００１１】また、前記シール材の下方に薄膜トランジ
スタのソースあるいはドレイン電極が存在する場合に
は、その上方を覆う電極保護層を設け、これをシール材
で覆うことが好適である。
スタのソースあるいはドレイン電極が存在する場合に
は、その上方を覆う電極保護層を設け、これをシール材
で覆うことが好適である。
【００１２】このように、緩衝材により薄膜トランジス
タを覆うことにより、薄膜トランジスタの電極によりシ
リコン系窒化膜またはシリコン系酸化膜に生じる段差の
悪影響を解消することができる。
タを覆うことにより、薄膜トランジスタの電極によりシ
リコン系窒化膜またはシリコン系酸化膜に生じる段差の
悪影響を解消することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面に基づいて説明する。
て、図面に基づいて説明する。
【００１４】図１は、一実施形態の要部を示す断面図で
ある。ガラス基板１０上には、ガラス基板１０からの不
純物の進入を防ぐためにＳｉＯ2、ＳｉＯＮｘの順に積
層された２層の絶縁層１２が全面に形成されている。こ
の絶縁膜１２上の要部には、薄膜トランジスタが多数形
成される。この図においては、電源ラインから有機ＥＬ
素子への電流を制御する薄膜トランジスタである第２Ｔ
ＦＴが示してある。なお、各画素には、データラインか
らの電圧を容量へ蓄積するのを制御する第１ＴＦＴも設
けられており、第２ＴＦＴは、容量に蓄積された電圧に
応じてオンされ電源ラインから有機ＥＬ素子へ流れる電
流を制御する。
ある。ガラス基板１０上には、ガラス基板１０からの不
純物の進入を防ぐためにＳｉＯ2、ＳｉＯＮｘの順に積
層された２層の絶縁層１２が全面に形成されている。こ
の絶縁膜１２上の要部には、薄膜トランジスタが多数形
成される。この図においては、電源ラインから有機ＥＬ
素子への電流を制御する薄膜トランジスタである第２Ｔ
ＦＴが示してある。なお、各画素には、データラインか
らの電圧を容量へ蓄積するのを制御する第１ＴＦＴも設
けられており、第２ＴＦＴは、容量に蓄積された電圧に
応じてオンされ電源ラインから有機ＥＬ素子へ流れる電
流を制御する。
【００１５】絶縁膜１２上には、ポリシリコンからなり
活性層を形成する半導体層１４が形成され、これを覆っ
てＳＩＯ2、ＳｉＮｘの順に積層された２層膜からなる
ゲート絶縁膜１６が形成されている。半導体層１４の中
間部分の上方には、ゲート絶縁膜１６を介しＭｏ等から
なるゲート電極１８が形成されており、これらを覆って
ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2の順に積層された２層の絶縁膜から
なる層間絶縁膜２０が形成されている。また、半導体層
１４の両端側には、層間絶縁膜２０およびゲート絶縁膜
１６にコンタクトホールを形成して例えばアルミのドレ
イン電極２２とソース電極２４が形成されている。
活性層を形成する半導体層１４が形成され、これを覆っ
てＳＩＯ2、ＳｉＮｘの順に積層された２層膜からなる
ゲート絶縁膜１６が形成されている。半導体層１４の中
間部分の上方には、ゲート絶縁膜１６を介しＭｏ等から
なるゲート電極１８が形成されており、これらを覆って
ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2の順に積層された２層の絶縁膜から
なる層間絶縁膜２０が形成されている。また、半導体層
１４の両端側には、層間絶縁膜２０およびゲート絶縁膜
１６にコンタクトホールを形成して例えばアルミのドレ
イン電極２２とソース電極２４が形成されている。
【００１６】そして、層間絶縁膜２０およびドレイン電
極２２、ソース電極２４を覆って、ＳｉＮｘまたはＴＥ
ＯＳ膜からなる水分ブロッキング層２６が全面に形成さ
れている。
極２２、ソース電極２４を覆って、ＳｉＮｘまたはＴＥ
ＯＳ膜からなる水分ブロッキング層２６が全面に形成さ
れている。
【００１７】また、この水分ブロッキング層２６の上に
は、アクリル樹脂などの有機材料からなる第１平坦化膜
２８が形成され、その上に画素毎の有機ＥＬ素子の陽極
としてＩＴＯなどの透明電極３０が形成されている。
は、アクリル樹脂などの有機材料からなる第１平坦化膜
２８が形成され、その上に画素毎の有機ＥＬ素子の陽極
としてＩＴＯなどの透明電極３０が形成されている。
【００１８】この透明電極３０は、その一部がソース電
極２４上に至り、ここに設けられたソース電極の上端を
露出するコンタクトホールの内面にも形成される。これ
によって、ソース電極２４と透明電極３０が直接接続さ
れている。
極２４上に至り、ここに設けられたソース電極の上端を
露出するコンタクトホールの内面にも形成される。これ
によって、ソース電極２４と透明電極３０が直接接続さ
れている。
【００１９】透明電極３０の発光領域以外の画素領域の
周辺部は第１平坦化膜２８と同様の有機物質からなる第
２平坦化膜３２でカバーされる。
周辺部は第１平坦化膜２８と同様の有機物質からなる第
２平坦化膜３２でカバーされる。
【００２０】そして、第２平坦化膜３２及び透明電極３
０の上には正孔輸送層３４が全面に形成される。ここ
で、第２平坦化膜３２は発光領域において開口されてい
るため、正孔輸送層３４は発光領域において陽極である
透明電極３０と直接接触する。また、この正孔輸送層３
４の上には、発光領域より若干大きめで画素毎に分割さ
れた発光層３６、電子輸送層３８がこの順番で積層さ
れ、その上にアルミなどの陰極４０が形成されている。
０の上には正孔輸送層３４が全面に形成される。ここ
で、第２平坦化膜３２は発光領域において開口されてい
るため、正孔輸送層３４は発光領域において陽極である
透明電極３０と直接接触する。また、この正孔輸送層３
４の上には、発光領域より若干大きめで画素毎に分割さ
れた発光層３６、電子輸送層３８がこの順番で積層さ
れ、その上にアルミなどの陰極４０が形成されている。
【００２１】従って、第２ＴＦＴがオンすると、ソース
電極２４を介し電流が有機ＥＬ素子の透明電極３０に供
給され、透明電極３０、陰極４０間に電流が流れ、有機
ＥＬ素子が電流に応じて発光する。
電極２４を介し電流が有機ＥＬ素子の透明電極３０に供
給され、透明電極３０、陰極４０間に電流が流れ、有機
ＥＬ素子が電流に応じて発光する。
【００２２】そして、本実施形態では、絶縁膜１２、ゲ
ート絶縁膜１６、層間絶縁膜２０、および水分ブロッキ
ング層２６は、ガラス基板１０上の周辺まで至るように
全面に形成されているが、第１平坦化膜２８、第２平坦
化膜３２、正孔輸送層３４、および陰極４０は周辺に至
る前に終端している。すなわち、図に示すように、ガラ
ス基板１０に対し、封止ガラス５０を接合するシール材
５２は、ガラス基板１０上の水分ブロッキング層２６に
接合されている。
ート絶縁膜１６、層間絶縁膜２０、および水分ブロッキ
ング層２６は、ガラス基板１０上の周辺まで至るように
全面に形成されているが、第１平坦化膜２８、第２平坦
化膜３２、正孔輸送層３４、および陰極４０は周辺に至
る前に終端している。すなわち、図に示すように、ガラ
ス基板１０に対し、封止ガラス５０を接合するシール材
５２は、ガラス基板１０上の水分ブロッキング層２６に
接合されている。
【００２３】シール材５２には、エポキシ樹脂などのＵ
Ｖ硬化樹脂が用いられ、これが水分ブロッキング層２６
に直接接着される。この水分ブロッキング層２６は、Ｓ
ｉＮｘ等シリコン系窒化膜で形成されており、外部から
の水分を内側へ伝達しない。これによって、封止ガラス
５０の内部空間に外部からの水分が侵入してくるのを効
果的に防止することができる。
Ｖ硬化樹脂が用いられ、これが水分ブロッキング層２６
に直接接着される。この水分ブロッキング層２６は、Ｓ
ｉＮｘ等シリコン系窒化膜で形成されており、外部から
の水分を内側へ伝達しない。これによって、封止ガラス
５０の内部空間に外部からの水分が侵入してくるのを効
果的に防止することができる。
【００２４】従来の構成では、第１、第２平坦化膜２
８、３２もガラス基板１０上でシール材５２の下方にま
で形成されていた。これら第１、第２平坦化膜２８、３
２は、アクリル樹脂など有機物質で形成されており、こ
れらは吸湿性がＳｉＮｘなどに比べ大きく、従って水分
をパネル内部に導入しやすかった。本実施形態では、防
水性の高いＳｉＮｘ等のシリコン系窒化膜により内部の
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆い、これにより有機Ｅ
Ｌ素子の存在する空間を、基本的にこの水分ブロッキン
グ膜２６、シール材５２、封止ガラス５０で囲い、この
有機ＥＬ素子へ水分が至るのを効果的に防止している。
８、３２もガラス基板１０上でシール材５２の下方にま
で形成されていた。これら第１、第２平坦化膜２８、３
２は、アクリル樹脂など有機物質で形成されており、こ
れらは吸湿性がＳｉＮｘなどに比べ大きく、従って水分
をパネル内部に導入しやすかった。本実施形態では、防
水性の高いＳｉＮｘ等のシリコン系窒化膜により内部の
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆い、これにより有機Ｅ
Ｌ素子の存在する空間を、基本的にこの水分ブロッキン
グ膜２６、シール材５２、封止ガラス５０で囲い、この
有機ＥＬ素子へ水分が至るのを効果的に防止している。
【００２５】図２は、他の実施形態の構成を示してい
る。この実施形態では、シール材５２の内部に第１平坦
化膜２８の一部を存在させている。すなわち、シール材
５２が配置されるガラス基板１０の周辺部分には、ドラ
イバ回路が配置される場合が多く、このドライバ回路も
多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含んでいる。この
ドライブ用の薄膜トランジスタは、通常画素毎に設けら
れる第１、第２ＴＦＴと同一工程でガラス基板１０上に
形成される。従って、シール材５２の下方には、薄膜ト
ランジスタが存在する場合が多く、その場合には薄膜ト
ランジスタの電極６０は、層間絶縁膜２０上に突出して
おり、これを覆う水分ブロッキング層２６にも段差が生
じる。水分ブロッキング層２６を十分厚く形成すれば問
題ないが、実用上はそれほど厚くすることはできず、電
極６０の形状に応じた段差が生じ、この段差部において
電極６０を十分カバーできない場合も生じる。
る。この実施形態では、シール材５２の内部に第１平坦
化膜２８の一部を存在させている。すなわち、シール材
５２が配置されるガラス基板１０の周辺部分には、ドラ
イバ回路が配置される場合が多く、このドライバ回路も
多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含んでいる。この
ドライブ用の薄膜トランジスタは、通常画素毎に設けら
れる第１、第２ＴＦＴと同一工程でガラス基板１０上に
形成される。従って、シール材５２の下方には、薄膜ト
ランジスタが存在する場合が多く、その場合には薄膜ト
ランジスタの電極６０は、層間絶縁膜２０上に突出して
おり、これを覆う水分ブロッキング層２６にも段差が生
じる。水分ブロッキング層２６を十分厚く形成すれば問
題ないが、実用上はそれほど厚くすることはできず、電
極６０の形状に応じた段差が生じ、この段差部において
電極６０を十分カバーできない場合も生じる。
【００２６】そこで、本実施形態では、水分ブロッキン
グ層２６の段差を覆うように、電極６０の空間について
第１平坦化膜２８の一部を電極保護層として形成する。
これによって水分ブロッキング層２６の段差部を第１平
坦化膜２８によって覆うことができ、電極６０により生
じる水分ブロッキング層２６の構造欠陥を補償すること
ができる。
グ層２６の段差を覆うように、電極６０の空間について
第１平坦化膜２８の一部を電極保護層として形成する。
これによって水分ブロッキング層２６の段差部を第１平
坦化膜２８によって覆うことができ、電極６０により生
じる水分ブロッキング層２６の構造欠陥を補償すること
ができる。
【００２７】また、図３は、さらに他の実施形態の構成
を示している。この構成では、水分ブロッキング層２６
の電極６０による段差部を覆うために透明電極３０の一
部を電極保護層として残している。すなわち、透明電極
３０を形成する場合に、電極３０の周囲上方の水分ブロ
ッキング層２６を覆う部分を形成する。これによって
も、電極６０により生じる水分ブロッキング層２６の構
造欠陥を補償することができる。
を示している。この構成では、水分ブロッキング層２６
の電極６０による段差部を覆うために透明電極３０の一
部を電極保護層として残している。すなわち、透明電極
３０を形成する場合に、電極３０の周囲上方の水分ブロ
ッキング層２６を覆う部分を形成する。これによって
も、電極６０により生じる水分ブロッキング層２６の構
造欠陥を補償することができる。
【００２８】
【発明の効果】このように、本発明によれば、シリコン
系窒化膜またはシリコン系酸化膜を設け、これとシール
材によって有機ＥＬパネルの内部空間を外部から仕切っ
た。従来は、薄膜トランジスタ上に設けられる有機物質
からなる平坦化膜がシール材の下方に存在していたた
め、ここを介して外部から水分が侵入するおそれがあっ
たが、本発明によればシリコン系窒化膜またはシリコン
系酸化膜によってこのような問題を確実に解決すること
ができる。
系窒化膜またはシリコン系酸化膜を設け、これとシール
材によって有機ＥＬパネルの内部空間を外部から仕切っ
た。従来は、薄膜トランジスタ上に設けられる有機物質
からなる平坦化膜がシール材の下方に存在していたた
め、ここを介して外部から水分が侵入するおそれがあっ
たが、本発明によればシリコン系窒化膜またはシリコン
系酸化膜によってこのような問題を確実に解決すること
ができる。
【００２９】このように、緩衝材により薄膜トランジス
タを覆うことにより、薄膜トランジスタの電極によりシ
リコン系窒化膜またはシリコン系酸化膜に生じる段差の
悪影響を解消することができる。
タを覆うことにより、薄膜トランジスタの電極によりシ
リコン系窒化膜またはシリコン系酸化膜に生じる段差の
悪影響を解消することができる。
【図１】 実施形態の構成を示す要部の断面図である。
【図２】 他の実施形態のシール材部分の断面図であ
る。
る。
【図３】 さらに、他の実施形態のシール材部分の断面
図である。
図である。
２６ 水分ブロッキング層、５２ シール材。
フロントページの続き
(72)発明者 市川 伸治
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB13 BB01 DB03 EA01 FA02
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス配置された有機ＥＬ素子と、
これら有機ＥＬ素子を駆動するための複数の薄膜トラン
ジスタが基板上に設けられ、この基板の周辺部分に、有
機ＥＬ素子が配置される画素エリアの上方を密閉する封
止パネルを接合する有機ＥＬパネルであって、 前記基板の上面にシリコン系窒化膜またはシリコン系酸
化膜を形成し、このシリコン系窒化膜またはシリコン系
酸化膜をシール材によって封止パネルに接着すること
で、基板と封止パネルとの封止を行うことを特徴とする
有機ＥＬパネル。 - 【請求項２】 請求項１に記載の有機ＥＬパネルにおい
て、 前記有機ＥＬ素子は、基板上における前記薄膜トランジ
スタより上方に形成されており、前記シリコン系窒化膜
またはシリコン系酸化膜は前記薄膜トランジスタの上方
を覆って形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネ
ル。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の有機ＥＬパネ
ルにおいて、 前記シール材の下方に薄膜トランジスタのソースあるい
はドレイン電極が存在する場合には、その上方を覆う電
極保護層を設け、これをシール材で覆うことを特徴とす
る有機ＥＬパネル。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP2003347044A true JP2003347044A (ja) | 2003-12-05 |
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ID=29773637
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|---|---|---|---|
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| TW (1) | TWI233578B (ja) |
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-
2003
- 2003-05-12 TW TW092112811A patent/TWI233578B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-29 US US10/448,990 patent/US7049744B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-29 KR KR1020030034280A patent/KR100612814B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-30 CN CNA031380506A patent/CN1472992A/zh active Pending
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