JP4518747B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4518747B2 JP4518747B2 JP2003129658A JP2003129658A JP4518747B2 JP 4518747 B2 JP4518747 B2 JP 4518747B2 JP 2003129658 A JP2003129658 A JP 2003129658A JP 2003129658 A JP2003129658 A JP 2003129658A JP 4518747 B2 JP4518747 B2 JP 4518747B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- insulating film
- interlayer insulating
- region
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 72
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 82
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescent Display Device）に関し、特にデバイス基板上に複数の画素が配置されて画素領域が画定され、各画素は有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタとを含む有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、例えば、その有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】
図７はそのような有機ＥＬ表示装置の一部の平面図、図８はその断面図である。デバイスガラス基板１００上には、画素領域２００と、その周辺に駆動回路である、水平駆動回路２５０及び垂直駆動回路２６０が配置されている。垂直駆動回路２６０は、画素領域２００の各画素に画素選択信号であるゲート信号Ｇnを供給する。水平駆動回路２５０は、水平走査信号に基づき画素領域２００の各画素に表示信号Ｄmを供給する回路であり、それぞれシフトレジスタを用いて構成されている。
【０００４】
画素素領域２００は複数の画素がマトリクスに配置されている。図７では１つの画素ＧＳのみを示している。この画素ＧＳの構成を説明すると以下の通りである。ゲート信号Ｇnを供給するゲート信号線２０１と、表示信号Ｄmを供給するドレイン信号線２０２とが互いに交差している。それらの両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素子２０３及びこの有機ＥＬ素子２０３を駆動する駆動用ＴＦＴ２０４、画素ＧＳを選択するための画素選択用ＴＦＴ２０５が配置されている。
【０００５】
駆動用ＴＦＴ２０４のドレイン２０４ｄには、正電源電圧ＰＶｄｄが供給されている。また、駆動用ＴＦＴ２０４のソース２０４ｓは有機ＥＬ素子２０３のアノードに接続されている。また、画素選択用ＴＦＴ２０５のゲートにはゲート信号線２０１が接続され、このゲート信号線２０１からゲート信号Ｇnが供給される。また、画素選択用ＴＦＴ２０５のドレインにはドレイン信号線２０２が接続され、このドレイン信号線２０２から表示信号Ｄmが供給される。画素選択用ＴＦＴ２０５のソースは駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに接続されている。
【０００６】
また、有機ＥＬ素子２０３は、アノード、カソード、このアノードとカソードの間に形成された発光素子層から成る。カソードには負電源電圧ＣＶが供給されている。
【０００７】
また、駆動用ＴＦＴ２０４のゲートには保持容量２０６が接続されている。すなわち、保持容量２０６の一方の電極は駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに接続され、他方の電極は保持容量電極２０７に接続されている。保持容量２０６は表示信号Ｄmに応じた電荷を保持することにより、１フィールド期間、画素選択用ＴＦＴ２０５を通して駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに印加された表示信号Ｄmを保持するために設けられている。
【０００８】
上述した構成のＥＬ表示装置の動作を説明すると以下の通りである。ここで、駆動用ＴＦＴ２０４はＰチャネル型、画素選択用ＴＦＴ２０５はＮチャネル型とする。
【０００９】
ゲート信号Ｇnが一水平期間、ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ２０５がオンする。すると、ドレイン信号線２０２から表示信号Ｄmが画素選択用ＴＦＴ２０５を通して、駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに印加される。そして、そのゲートに供給された表示信号Ｄmに応じて、駆動用ＴＦＴ２０４のソースドレイン・コンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が駆動用ＴＦＴ２０４を通して、有機ＥＬ素子２０３に供給され、有機ＥＬ素子２０３が点灯する。
【００１０】
ところで、有機ＥＬ素子２０３は水分を吸収すると、その特性が劣化してしまう。そこで、図８に示すように、上述したデバイスガラス基板２００に、封止ガラス基板３００を、例えばエポキシ樹脂から成るシール樹脂３０１を用いて接着していた。さらに、封止ガラス基板３００のデバイスガラス基板１００に対向する側の表面には凹部３０２が形成され、この凹部３０２の底部には、乾燥剤層３０３が接着されていた。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１７５０２９号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図７及び図８に示すように、駆動用ＴＦＴ２０４の上層にこれを被覆する有機層間絶縁膜２０８が形成され、この有機層間絶縁膜２０８に設けられたコンタクトホールを介して、駆動用ＴＦＴ２０４のソース２０４ｓが有機ＥＬ素子２０３のアノードに接続されている。有機層間絶縁膜２０８は低応力、低誘電率で厚く形成でき、しかも低コストであり、層間絶縁膜として適した特性を有しているが、その反面、水分透過率（水分を透す割合）が高いという特性を有している。
【００１３】
このため、有機ＥＬ表示装置の外部からシール樹脂３０１を通過して浸入した水分の一部がこの有機層間絶縁膜２０８を通って画素領域２００に達し、有機ＥＬ素子２０３の特性を劣化させるという問題を生じていた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の有機ＥＬ表示装置では、デバイス基板上に複数の画素がマトリクスに配置されて成る画素領域が形成され、その画素領域の各画素には有機ＥＬ素子とこれを駆動するための駆動用トランジスタが設けられている。さらに、有機層間絶縁膜が駆動用トランジスタの上層であって、有機ＥＬ素子の下層に形成されている。そして、画素領域の周辺領域上に配置されたシール部材を介して、デバイス基板に封止基板が接着されており、有機層間絶縁膜は、シール部材と画素領域の間に設けられた分断領域により分断されている。
【００１５】
これにより、外部からの水分がシール樹脂を通って有機層間絶縁膜に浸入したとしても、その水分の浸入は上記分断領域で阻止され、さらに画素領域へ浸入することが防止される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部の平面図、図２はその断面図である。なお、図１、図２において、図７、図８と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１７】
有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂが駆動用ＴＦＴ２０４の上層に形成され、有機層間絶縁膜２１６Ｂに設けられたコンタクトホールを介して、駆動用ＴＦＴ２０４のドレインが有機ＥＬ素子２０３のアノードに接続されている。有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは例えばアクリル系樹脂から成る。
【００１８】
有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは、シール樹脂３０１と画素領域２００の間に設けられた分断領域Ｓによって分断されている。つまり、有機層間絶縁膜２１６Ｂは画素領域２００をカバーしており、有機層間絶縁膜２１６Ａは画素領域２００の周辺領域をカバーしており、デバイス基板１００の端まで延びている。分断領域Ｓには当然、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは存在しない。
【００１９】
また、画素領域２００の周辺には水平駆動回路２５０及び垂直駆動回路２６０が配置されているが、分断領域Ｓは、水平駆動回路２５０と画素領域２００の間、及び垂直駆動回路２６０と画素領域２００の間に配置されている。また、シール樹脂３０１は、デバイス基板１００と封止基板３００の間に挟まれているが、図１に示すように、シール樹脂３０１は水平駆動回路２５０及び垂直駆動回路２６０を含む領域に配置されている。
【００２０】
このように、本実施形態によれば、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは、シール樹脂３０１と画素領域２００の間に設けられた分断領域Ｓによって分断されているので、外部からの水分がシール樹脂３０１を通って、画素領域２００の周辺の有機層間絶縁膜２１６Ａに浸入したとしても、その水分の浸入は上記分断領域Ｓで阻止され、隣接する画素領域２００側の有機層間絶縁膜２１６Ｂには浸入しない。
【００２１】
また、図２に示されるように、シール樹脂３０１等を通ってデバイス基板１００と封止基板３００の間隙に入る水分は、乾燥剤層３０３によって吸収される。したがって、画素領域２００の有機ＥＬ素子２０３水分が浸入してその特性が劣化するという問題が解消される。
【００２２】
次に、画素領域２００及びその周辺領域の構造について、さらに詳しく説明する。図３は画素領域２００の１つの画素ＧＳの駆動用ＴＦＴ２０４とその周辺領域を示した部分断面図である。石英ガラス、無アルカリガラス等から成る透明絶縁性基板１００上に、駆動用ＴＦＴ２０４及び有機ＥＬ素子２０３が形成されている。駆動用ＴＦＴ２０４において、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層２１１、ＳｉＯ2膜及びＳｉＮ膜の順に積層されたゲート絶縁膜２１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極２１３が順に形成されており、その能動層２１１には、チャネルと、このチャネルの両側にソース２０４ｓ及びドレイン２０４ｄが設けられている。
【００２３】
そして、ゲート絶縁膜２１２及び能動層２１１上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された第１層間絶縁膜２１４が形成されている。また、ドレイン２０４ｄに対応して設けたコンタクトホールにアルミニウム等の金属を充填してドレイン電極２１５が形成されている。このドレイン電極２１５は駆動電源ＰＶｄｄに接続されている。一方、ソース２０４ｓに対応して設けたコンタクトホールにアルミニウム等の金属を充填してソース電極２１７が形成されている。
【００２４】
更に全面に、ＳｉＮ膜から成る保護膜２３０、第２層間絶縁膜である有機層間絶縁膜２１６Ｂが形成されている。そして、この有機層間絶縁膜２１６Ｂに、駆動用ＴＦＴ２０４のソース２０４ｓに対応した位置にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介してソース電極２１７とコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子２０３のアノード層２１８が有機層間絶縁膜２１６Ｂ上に形成されている。このアノード層２１８は各画素ＧＳごとに島状に分断して形成されている。
【００２５】
さらに、第３層間絶縁膜２１９がアノード層２１８の周辺に形成され、アノード層２１８上については、第３層間絶縁膜２１９が除去されている。有機ＥＬ素子２０３は、アノード層２１８、ホール輸送層２２０、発光層２２１、電子輸送層２２２、カソード層２２３が、この順番で積層形成されることで構成されている。
【００２６】
一方、周辺領域において、透明絶縁性基板１００上に画素領域２００のゲート絶縁膜２１２、第１層間絶縁膜２１４が延在しており、第１層間絶縁膜２１４上にドレイン信号線２０２が形成されている。ドレイン信号線２０２はアルミニウム又はアルミニウム合金で形成され、保護膜２３０によってカバーされている。
【００２７】
そして、ドレイン信号線２０２上にはこの保護膜２３０を介して、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂが形成されている。有機層間絶縁膜２１６Ｂは画素領域２００からこの周辺領域に連続しているが、有機層間絶縁膜２１６Ａと有機層間絶縁膜２１６Ｂの間は分断領域Ｓによって分断されている。そして、有機層間絶縁膜２１６Ａ上に、シール樹脂３０１の端が乗っている。この分断領域Ｓの分断幅は、シール樹脂３０１から浸入した水分が、有機層間絶縁膜２１６Ａを経由して、隣接する有機層間絶縁膜２１６Ｂへ浸入するのを阻止できるのに十分な幅、例えば５μｍ以上あればよい。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第１の実施形態では、シール樹脂３０１の端は、有機層間絶縁膜２１６Ａ上に位置しているが、図４に示すように、シール樹脂３０１の端は、有機層間絶縁膜２１６Ａと有機層間絶縁膜２１６Ｂとの分断領域Ｓの中に位置していてもよい。このような構造でも、シール樹脂３０１の端は画素領域２００側の有機層間絶縁膜２１６Ｂと所定の距離ｄ1だけ離間されるため、シール樹脂３０１に浸入した水分が有機層間絶縁膜２１６Ｂに浸入するのを防止することができる。
【００２９】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。第１及び第２の実施形態では、図４及び図５に示したように、ドレイン信号線２０２はアルミニウム等の単一の層で配線されているが、本実施形態では図６に示すように、ドレイン配線２０２は、アルミニウム等で形成された上層配線２０２Ａと、第１層間絶縁膜２１４を介した下層配線２０２Ｂとで構成している。
【００３０】
すなわち、下層配線２０２Ｂは、駆動用ＴＦＴ２０４のゲート電極２１３と同じ工程で形成され、同じ材質を有する配線であり、この下層配線２０２Ｂの両端部上の第１層間絶縁膜２１４にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介して上層配線２０２Ａが下層配線２０２Ｂの両端部に接続されている。そして、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂの分断領域Ｓは、下層配線２０２Ｂ上にある第１層間絶縁膜２１４上に配置され、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは、上層配線２０２Ａを被覆している。
【００３１】
これは第１及び第２の実施形態のように、ドレイン信号線２０２をアルミニウム等の単一の層で配線した場合には、分断領域Ｓでは、ドレイン信号線２０２が厚い有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂで被覆されないため、その後、アノード層２１８をエッチングして所定領域に残す際に、保護膜２３０もエッチングされることによって、下層のドレイン信号線２０２がダメージを受けるおそれがあるためである。そこで、本実施形態のように、分断領域Ｓでは上層配線２０２Ａを下層配線２０２Ｂにバイパスし、上層配線２０２Ａを有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂで被覆すれば、ドレイン信号線２０２がそのようなエッチングダメージを受けるおそれがなくなる。
【００３２】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。第３の実施形態では、シール樹脂３０１の端は、有機層間絶縁膜２１６Ａ上に位置しているが、図６に示すように、シール樹脂３０１の端は有機層間絶縁膜２１６Ａと有機層間絶縁膜２１６Ｂとの分断領域Ｓの中に位置していてもよい。このような構造でも、シール樹脂３０１の端は画素領域２００側の有機層間絶縁膜２１６Ｂと所定の距離ｄ２だけ離間されるため、シール樹脂３０１に浸入した水分が有機層間絶縁膜２１６Ｂに浸入するのを防止することができる。
【００３３】
なお、上記各実施形態において、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂを分断する分断領域Ｓを設けているが、本発明はそのような層間絶縁膜に限らず、他の用途の有機絶縁膜、例えば、保護膜や平坦化絶縁膜として用いる有機絶縁膜にも適用でき、同様の分断領域を設けることによって水分の浸入を防止することができる。
【００３４】
また、上記実施形態においては、シール樹脂３０１の下層のほぼ全面に有機層間絶縁膜２１６Ａが必ず配置されていたが、本発明は、そのような構成でなくても良い。上述したように、有機層間絶縁膜２１６Ａは、画素領域内のアノード層２１８をエッチングする際、ドレイン信号線２０２等の配線をエッチングのダメージから保護する働きがある。つまり、ドレイン信号線２０２等のアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成される配線がない領域には、有機層間絶縁膜２１６Ａを形成する必要はない。従って、そのような配線と同様にパターニングされていても良い。この場合、シール樹脂３０１の下層にパターニングされた有機層間絶縁膜２１６Ａが配置された状態になるが、有機層間絶縁膜２１６Ａもしくはシール樹脂３０１は一定の分断幅または所定の離間距離ｄ１が設けられる。
【００３５】
また、上記各実施形態においては、封止基板３００としてガラスを用いていたが、本発明はそのような材質に限らず、プラスチックでも不透明材料でも良い。ただし、シール樹脂との接着性が良いことが好ましい。
【００３６】
なお、上記各実施形態においてはボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例として説明したが、本発明はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用することができるものである。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、外部からの水分がシール樹脂を通って有機層間絶縁膜に浸入したとしても、その水分の浸入は有機層間絶縁膜の分断領域で阻止され、さらに画素領域へ浸入することが防止される。これにより、有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図７】従来例に係る有機ＥＬ表示装置の一部の平面図である。
【図８】従来例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１００ デバイス基板 ２００ 画素領域 ２０１ ゲート信号線
２０２ ドレイン信号線 ２０３ 有機ＥＬ素子 ２０４ 駆動用ＴＦＴ
２０５ 画素選択用ＴＦＴ ２０６ 保持容量 ２０７ 保持容量電極
２１１ 能動層 ２１２ ゲート絶縁膜 ２１３ ゲート電極
２１４ 第１層間絶縁膜 ２１５ ドレイン電極
２１６Ａ，２１６Ｂ 有機層間絶縁膜 ２１７ ソース電極
２１８ アノード層 ２１９ 第３層間絶縁膜
２２０ ホール輸送層 ２２１ 発光層 ２２２ 電子輸送層
２２３ カソード層 ２５０ 水平駆動回路 ２６０ 垂直駆動回路
３００ 封止基板 ３０１ シール樹脂 ３０２ 凹部
３０３ 乾燥剤層
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescent Display Device）に関し、特にデバイス基板上に複数の画素が配置されて画素領域が画定され、各画素は有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタとを含む有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、例えば、その有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】
図７はそのような有機ＥＬ表示装置の一部の平面図、図８はその断面図である。デバイスガラス基板１００上には、画素領域２００と、その周辺に駆動回路である、水平駆動回路２５０及び垂直駆動回路２６０が配置されている。垂直駆動回路２６０は、画素領域２００の各画素に画素選択信号であるゲート信号Ｇnを供給する。水平駆動回路２５０は、水平走査信号に基づき画素領域２００の各画素に表示信号Ｄmを供給する回路であり、それぞれシフトレジスタを用いて構成されている。
【０００４】
画素素領域２００は複数の画素がマトリクスに配置されている。図７では１つの画素ＧＳのみを示している。この画素ＧＳの構成を説明すると以下の通りである。ゲート信号Ｇnを供給するゲート信号線２０１と、表示信号Ｄmを供給するドレイン信号線２０２とが互いに交差している。それらの両信号線の交差点付近には、有機ＥＬ素子２０３及びこの有機ＥＬ素子２０３を駆動する駆動用ＴＦＴ２０４、画素ＧＳを選択するための画素選択用ＴＦＴ２０５が配置されている。
【０００５】
駆動用ＴＦＴ２０４のドレイン２０４ｄには、正電源電圧ＰＶｄｄが供給されている。また、駆動用ＴＦＴ２０４のソース２０４ｓは有機ＥＬ素子２０３のアノードに接続されている。また、画素選択用ＴＦＴ２０５のゲートにはゲート信号線２０１が接続され、このゲート信号線２０１からゲート信号Ｇnが供給される。また、画素選択用ＴＦＴ２０５のドレインにはドレイン信号線２０２が接続され、このドレイン信号線２０２から表示信号Ｄmが供給される。画素選択用ＴＦＴ２０５のソースは駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに接続されている。
【０００６】
また、有機ＥＬ素子２０３は、アノード、カソード、このアノードとカソードの間に形成された発光素子層から成る。カソードには負電源電圧ＣＶが供給されている。
【０００７】
また、駆動用ＴＦＴ２０４のゲートには保持容量２０６が接続されている。すなわち、保持容量２０６の一方の電極は駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに接続され、他方の電極は保持容量電極２０７に接続されている。保持容量２０６は表示信号Ｄmに応じた電荷を保持することにより、１フィールド期間、画素選択用ＴＦＴ２０５を通して駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに印加された表示信号Ｄmを保持するために設けられている。
【０００８】
上述した構成のＥＬ表示装置の動作を説明すると以下の通りである。ここで、駆動用ＴＦＴ２０４はＰチャネル型、画素選択用ＴＦＴ２０５はＮチャネル型とする。
【０００９】
ゲート信号Ｇnが一水平期間、ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ２０５がオンする。すると、ドレイン信号線２０２から表示信号Ｄmが画素選択用ＴＦＴ２０５を通して、駆動用ＴＦＴ２０４のゲートに印加される。そして、そのゲートに供給された表示信号Ｄmに応じて、駆動用ＴＦＴ２０４のソースドレイン・コンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が駆動用ＴＦＴ２０４を通して、有機ＥＬ素子２０３に供給され、有機ＥＬ素子２０３が点灯する。
【００１０】
ところで、有機ＥＬ素子２０３は水分を吸収すると、その特性が劣化してしまう。そこで、図８に示すように、上述したデバイスガラス基板２００に、封止ガラス基板３００を、例えばエポキシ樹脂から成るシール樹脂３０１を用いて接着していた。さらに、封止ガラス基板３００のデバイスガラス基板１００に対向する側の表面には凹部３０２が形成され、この凹部３０２の底部には、乾燥剤層３０３が接着されていた。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１７５０２９号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図７及び図８に示すように、駆動用ＴＦＴ２０４の上層にこれを被覆する有機層間絶縁膜２０８が形成され、この有機層間絶縁膜２０８に設けられたコンタクトホールを介して、駆動用ＴＦＴ２０４のソース２０４ｓが有機ＥＬ素子２０３のアノードに接続されている。有機層間絶縁膜２０８は低応力、低誘電率で厚く形成でき、しかも低コストであり、層間絶縁膜として適した特性を有しているが、その反面、水分透過率（水分を透す割合）が高いという特性を有している。
【００１３】
このため、有機ＥＬ表示装置の外部からシール樹脂３０１を通過して浸入した水分の一部がこの有機層間絶縁膜２０８を通って画素領域２００に達し、有機ＥＬ素子２０３の特性を劣化させるという問題を生じていた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の有機ＥＬ表示装置では、デバイス基板上に複数の画素がマトリクスに配置されて成る画素領域が形成され、その画素領域の各画素には有機ＥＬ素子とこれを駆動するための駆動用トランジスタが設けられている。さらに、有機層間絶縁膜が駆動用トランジスタの上層であって、有機ＥＬ素子の下層に形成されている。そして、画素領域の周辺領域上に配置されたシール部材を介して、デバイス基板に封止基板が接着されており、有機層間絶縁膜は、シール部材と画素領域の間に設けられた分断領域により分断されている。
【００１５】
これにより、外部からの水分がシール樹脂を通って有機層間絶縁膜に浸入したとしても、その水分の浸入は上記分断領域で阻止され、さらに画素領域へ浸入することが防止される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部の平面図、図２はその断面図である。なお、図１、図２において、図７、図８と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１７】
有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂが駆動用ＴＦＴ２０４の上層に形成され、有機層間絶縁膜２１６Ｂに設けられたコンタクトホールを介して、駆動用ＴＦＴ２０４のドレインが有機ＥＬ素子２０３のアノードに接続されている。有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは例えばアクリル系樹脂から成る。
【００１８】
有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは、シール樹脂３０１と画素領域２００の間に設けられた分断領域Ｓによって分断されている。つまり、有機層間絶縁膜２１６Ｂは画素領域２００をカバーしており、有機層間絶縁膜２１６Ａは画素領域２００の周辺領域をカバーしており、デバイス基板１００の端まで延びている。分断領域Ｓには当然、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは存在しない。
【００１９】
また、画素領域２００の周辺には水平駆動回路２５０及び垂直駆動回路２６０が配置されているが、分断領域Ｓは、水平駆動回路２５０と画素領域２００の間、及び垂直駆動回路２６０と画素領域２００の間に配置されている。また、シール樹脂３０１は、デバイス基板１００と封止基板３００の間に挟まれているが、図１に示すように、シール樹脂３０１は水平駆動回路２５０及び垂直駆動回路２６０を含む領域に配置されている。
【００２０】
このように、本実施形態によれば、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは、シール樹脂３０１と画素領域２００の間に設けられた分断領域Ｓによって分断されているので、外部からの水分がシール樹脂３０１を通って、画素領域２００の周辺の有機層間絶縁膜２１６Ａに浸入したとしても、その水分の浸入は上記分断領域Ｓで阻止され、隣接する画素領域２００側の有機層間絶縁膜２１６Ｂには浸入しない。
【００２１】
また、図２に示されるように、シール樹脂３０１等を通ってデバイス基板１００と封止基板３００の間隙に入る水分は、乾燥剤層３０３によって吸収される。したがって、画素領域２００の有機ＥＬ素子２０３水分が浸入してその特性が劣化するという問題が解消される。
【００２２】
次に、画素領域２００及びその周辺領域の構造について、さらに詳しく説明する。図３は画素領域２００の１つの画素ＧＳの駆動用ＴＦＴ２０４とその周辺領域を示した部分断面図である。石英ガラス、無アルカリガラス等から成る透明絶縁性基板１００上に、駆動用ＴＦＴ２０４及び有機ＥＬ素子２０３が形成されている。駆動用ＴＦＴ２０４において、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層２１１、ＳｉＯ2膜及びＳｉＮ膜の順に積層されたゲート絶縁膜２１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極２１３が順に形成されており、その能動層２１１には、チャネルと、このチャネルの両側にソース２０４ｓ及びドレイン２０４ｄが設けられている。
【００２３】
そして、ゲート絶縁膜２１２及び能動層２１１上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された第１層間絶縁膜２１４が形成されている。また、ドレイン２０４ｄに対応して設けたコンタクトホールにアルミニウム等の金属を充填してドレイン電極２１５が形成されている。このドレイン電極２１５は駆動電源ＰＶｄｄに接続されている。一方、ソース２０４ｓに対応して設けたコンタクトホールにアルミニウム等の金属を充填してソース電極２１７が形成されている。
【００２４】
更に全面に、ＳｉＮ膜から成る保護膜２３０、第２層間絶縁膜である有機層間絶縁膜２１６Ｂが形成されている。そして、この有機層間絶縁膜２１６Ｂに、駆動用ＴＦＴ２０４のソース２０４ｓに対応した位置にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介してソース電極２１７とコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子２０３のアノード層２１８が有機層間絶縁膜２１６Ｂ上に形成されている。このアノード層２１８は各画素ＧＳごとに島状に分断して形成されている。
【００２５】
さらに、第３層間絶縁膜２１９がアノード層２１８の周辺に形成され、アノード層２１８上については、第３層間絶縁膜２１９が除去されている。有機ＥＬ素子２０３は、アノード層２１８、ホール輸送層２２０、発光層２２１、電子輸送層２２２、カソード層２２３が、この順番で積層形成されることで構成されている。
【００２６】
一方、周辺領域において、透明絶縁性基板１００上に画素領域２００のゲート絶縁膜２１２、第１層間絶縁膜２１４が延在しており、第１層間絶縁膜２１４上にドレイン信号線２０２が形成されている。ドレイン信号線２０２はアルミニウム又はアルミニウム合金で形成され、保護膜２３０によってカバーされている。
【００２７】
そして、ドレイン信号線２０２上にはこの保護膜２３０を介して、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂが形成されている。有機層間絶縁膜２１６Ｂは画素領域２００からこの周辺領域に連続しているが、有機層間絶縁膜２１６Ａと有機層間絶縁膜２１６Ｂの間は分断領域Ｓによって分断されている。そして、有機層間絶縁膜２１６Ａ上に、シール樹脂３０１の端が乗っている。この分断領域Ｓの分断幅は、シール樹脂３０１から浸入した水分が、有機層間絶縁膜２１６Ａを経由して、隣接する有機層間絶縁膜２１６Ｂへ浸入するのを阻止できるのに十分な幅、例えば５μｍ以上あればよい。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第１の実施形態では、シール樹脂３０１の端は、有機層間絶縁膜２１６Ａ上に位置しているが、図４に示すように、シール樹脂３０１の端は、有機層間絶縁膜２１６Ａと有機層間絶縁膜２１６Ｂとの分断領域Ｓの中に位置していてもよい。このような構造でも、シール樹脂３０１の端は画素領域２００側の有機層間絶縁膜２１６Ｂと所定の距離ｄ1だけ離間されるため、シール樹脂３０１に浸入した水分が有機層間絶縁膜２１６Ｂに浸入するのを防止することができる。
【００２９】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。第１及び第２の実施形態では、図４及び図５に示したように、ドレイン信号線２０２はアルミニウム等の単一の層で配線されているが、本実施形態では図６に示すように、ドレイン配線２０２は、アルミニウム等で形成された上層配線２０２Ａと、第１層間絶縁膜２１４を介した下層配線２０２Ｂとで構成している。
【００３０】
すなわち、下層配線２０２Ｂは、駆動用ＴＦＴ２０４のゲート電極２１３と同じ工程で形成され、同じ材質を有する配線であり、この下層配線２０２Ｂの両端部上の第１層間絶縁膜２１４にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介して上層配線２０２Ａが下層配線２０２Ｂの両端部に接続されている。そして、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂの分断領域Ｓは、下層配線２０２Ｂ上にある第１層間絶縁膜２１４上に配置され、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂは、上層配線２０２Ａを被覆している。
【００３１】
これは第１及び第２の実施形態のように、ドレイン信号線２０２をアルミニウム等の単一の層で配線した場合には、分断領域Ｓでは、ドレイン信号線２０２が厚い有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂで被覆されないため、その後、アノード層２１８をエッチングして所定領域に残す際に、保護膜２３０もエッチングされることによって、下層のドレイン信号線２０２がダメージを受けるおそれがあるためである。そこで、本実施形態のように、分断領域Ｓでは上層配線２０２Ａを下層配線２０２Ｂにバイパスし、上層配線２０２Ａを有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂで被覆すれば、ドレイン信号線２０２がそのようなエッチングダメージを受けるおそれがなくなる。
【００３２】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。第３の実施形態では、シール樹脂３０１の端は、有機層間絶縁膜２１６Ａ上に位置しているが、図６に示すように、シール樹脂３０１の端は有機層間絶縁膜２１６Ａと有機層間絶縁膜２１６Ｂとの分断領域Ｓの中に位置していてもよい。このような構造でも、シール樹脂３０１の端は画素領域２００側の有機層間絶縁膜２１６Ｂと所定の距離ｄ２だけ離間されるため、シール樹脂３０１に浸入した水分が有機層間絶縁膜２１６Ｂに浸入するのを防止することができる。
【００３３】
なお、上記各実施形態において、有機層間絶縁膜２１６Ａ，２１６Ｂを分断する分断領域Ｓを設けているが、本発明はそのような層間絶縁膜に限らず、他の用途の有機絶縁膜、例えば、保護膜や平坦化絶縁膜として用いる有機絶縁膜にも適用でき、同様の分断領域を設けることによって水分の浸入を防止することができる。
【００３４】
また、上記実施形態においては、シール樹脂３０１の下層のほぼ全面に有機層間絶縁膜２１６Ａが必ず配置されていたが、本発明は、そのような構成でなくても良い。上述したように、有機層間絶縁膜２１６Ａは、画素領域内のアノード層２１８をエッチングする際、ドレイン信号線２０２等の配線をエッチングのダメージから保護する働きがある。つまり、ドレイン信号線２０２等のアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成される配線がない領域には、有機層間絶縁膜２１６Ａを形成する必要はない。従って、そのような配線と同様にパターニングされていても良い。この場合、シール樹脂３０１の下層にパターニングされた有機層間絶縁膜２１６Ａが配置された状態になるが、有機層間絶縁膜２１６Ａもしくはシール樹脂３０１は一定の分断幅または所定の離間距離ｄ１が設けられる。
【００３５】
また、上記各実施形態においては、封止基板３００としてガラスを用いていたが、本発明はそのような材質に限らず、プラスチックでも不透明材料でも良い。ただし、シール樹脂との接着性が良いことが好ましい。
【００３６】
なお、上記各実施形態においてはボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例として説明したが、本発明はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用することができるものである。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、外部からの水分がシール樹脂を通って有機層間絶縁膜に浸入したとしても、その水分の浸入は有機層間絶縁膜の分断領域で阻止され、さらに画素領域へ浸入することが防止される。これにより、有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素領域及びその周辺領域を示す断面図である。
【図７】従来例に係る有機ＥＬ表示装置の一部の平面図である。
【図８】従来例に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１００ デバイス基板 ２００ 画素領域 ２０１ ゲート信号線
２０２ ドレイン信号線 ２０３ 有機ＥＬ素子 ２０４ 駆動用ＴＦＴ
２０５ 画素選択用ＴＦＴ ２０６ 保持容量 ２０７ 保持容量電極
２１１ 能動層 ２１２ ゲート絶縁膜 ２１３ ゲート電極
２１４ 第１層間絶縁膜 ２１５ ドレイン電極
２１６Ａ，２１６Ｂ 有機層間絶縁膜 ２１７ ソース電極
２１８ アノード層 ２１９ 第３層間絶縁膜
２２０ ホール輸送層 ２２１ 発光層 ２２２ 電子輸送層
２２３ カソード層 ２５０ 水平駆動回路 ２６０ 垂直駆動回路
３００ 封止基板 ３０１ シール樹脂 ３０２ 凹部
３０３ 乾燥剤層
Claims (7)
- デバイス基板と、
前記デバイス基板上には複数の画素が配置されて画素領域が画定され、各画素は有機ＥＬ素子とこの有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用トランジスタとを含み、さらに、前記駆動用トランジスタの上層であって前記有機ＥＬ素子の下層に配置された有機層間絶縁膜と、
前記画素領域の周辺領域上に配置されたシール部材を介して前記デバイス基板に接着された封止基板と、を有し、
前記有機層間絶縁膜が分断領域により分断され、前記シール部材の端が前記分断領域の中に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記有機層間絶縁膜がアクリル系樹脂から成ることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記画素領域の周辺に水平駆動回路が配置され、前記有機層間絶縁膜の前記分断領域は前記水平駆動回路と前記画素領域の間に配置されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記画素領域の周辺に垂直駆動回路が配置され、前記有機層間絶縁膜の前記分断領域は前記垂直駆動回路と前記画素領域の間に配置されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記シール部材の下層に配置される前記有機層間絶縁膜は、前記有機層間絶縁膜の下層の配線に応じてパターニングされていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記水平駆動回路から前記画素領域に延在し、前記駆動用トランジスタに表示信号を供給するドレイン信号線を有し、前記ドレイン信号線は前記有機層間絶縁膜の前記分断領域を横断していることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記ドレイン信号線は、上層配線とこれに接続された下層配線とで構成され、前記分断領域の下に無機絶縁膜を介して前記下層配線が配置され、前記上層配線が前記有機層間絶縁膜によって覆われていること特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003129658A JP4518747B2 (ja) | 2003-05-08 | 2003-05-08 | 有機ｅｌ表示装置 |
| TW093105495A TWI229570B (en) | 2003-05-08 | 2004-03-03 | Organic electroluminescent display device |
| CNB2004100372960A CN100452419C (zh) | 2003-05-08 | 2004-04-30 | 有机电场发光显示装置 |
| US10/836,627 US7053549B2 (en) | 2003-05-08 | 2004-05-03 | Organic EL display device |
| KR1020040031251A KR100568630B1 (ko) | 2003-05-08 | 2004-05-04 | 유기 ｅｌ 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003129658A JP4518747B2 (ja) | 2003-05-08 | 2003-05-08 | 有機ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004335267A JP2004335267A (ja) | 2004-11-25 |
| JP4518747B2 true JP4518747B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=33505390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003129658A Expired - Lifetime JP4518747B2 (ja) | 2003-05-08 | 2003-05-08 | 有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7053549B2 (ja) |
| JP (1) | JP4518747B2 (ja) |
| KR (1) | KR100568630B1 (ja) |
| CN (1) | CN100452419C (ja) |
| TW (1) | TWI229570B (ja) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100551046B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-02-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 이엘 소자 |
| JP2007518237A (ja) * | 2004-01-08 | 2007-07-05 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 表示装置及びそれの製造方法 |
| US8212474B2 (en) * | 2004-01-08 | 2012-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device, and method of manufacturing the display device |
| JP2006054111A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP4570420B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-10-27 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
| KR100700850B1 (ko) * | 2005-03-21 | 2007-03-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100645533B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100683791B1 (ko) | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
| JP4599336B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2010-12-15 | キヤノン株式会社 | 表示装置及びカメラ |
| US8038495B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
| KR100673765B1 (ko) | 2006-01-20 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100635514B1 (ko) | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4456092B2 (ja) | 2006-01-24 | 2010-04-28 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US8164257B2 (en) | 2006-01-25 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| KR100688795B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100671641B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR100685853B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100671647B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| JP4633674B2 (ja) | 2006-01-26 | 2011-02-16 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| KR100671639B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR100688790B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR100732817B1 (ko) | 2006-03-29 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20070229648A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure device and image forming apparatus using the same |
| US7504616B2 (en) | 2006-04-10 | 2009-03-17 | Panasonic Corporation | Exposure device and image forming apparatus using the same |
| JP5207670B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| JP5007598B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2012-08-22 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| EP2003713A3 (en) | 2007-06-12 | 2011-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting apparatus |
| JP2009021213A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Canon Inc | 有機発光装置 |
| US7936122B2 (en) | 2007-12-14 | 2011-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL display apparatus |
| JP4458379B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4991634B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2012-08-01 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP5413373B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-02-12 | 旭硝子株式会社 | レーザ封着用ガラス材料、封着材料層付きガラス部材、および電子デバイスとその製造方法 |
| JP5424738B2 (ja) | 2009-06-23 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| US20150034929A1 (en) * | 2012-03-12 | 2015-02-05 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
| US9651835B2 (en) * | 2013-01-11 | 2017-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel |
| WO2014199673A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-18 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP6391917B2 (ja) | 2013-07-03 | 2018-09-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子表示装置及びその製造方法 |
| JP6133173B2 (ja) | 2013-08-29 | 2017-05-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TWI580014B (zh) * | 2013-09-20 | 2017-04-21 | Joled Inc | Display devices and electronic machines |
| US9666814B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-05-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| TWI533055B (zh) * | 2014-09-30 | 2016-05-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| JP6412791B2 (ja) | 2014-12-18 | 2018-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP6605919B2 (ja) | 2015-11-05 | 2019-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
| JP6606432B2 (ja) | 2016-01-06 | 2019-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN108701719A (zh) * | 2016-02-22 | 2018-10-23 | 夏普株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
| JP2019029303A (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| CN207705199U (zh) * | 2017-11-24 | 2018-08-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示器件 |
| JP2019125551A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| CN111244140B (zh) * | 2020-01-15 | 2023-04-25 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板制作方法及显示面板 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291406A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | ヒューズ回路 |
| JPH08220560A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス表示装置 |
| JP2001102166A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| JP2001297878A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2002006319A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置 |
| JP2002324662A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2002324666A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731260B2 (en) * | 1997-10-13 | 2004-05-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display device |
| JP2000173766A (ja) | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| TWI232595B (en) * | 1999-06-04 | 2005-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Electroluminescence display device and electronic device |
| CN2384314Y (zh) * | 1999-07-15 | 2000-06-21 | 张志林 | 有多层密封的有机薄膜电致发光元件 |
| JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP4925528B2 (ja) | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JP3757840B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2006-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップ実装基板、電気光学装置、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| KR100498849B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-07-04 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| TW200305119A (en) * | 2002-03-15 | 2003-10-16 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device and method for making the same |
-
2003
- 2003-05-08 JP JP2003129658A patent/JP4518747B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-03 TW TW093105495A patent/TWI229570B/zh active
- 2004-04-30 CN CNB2004100372960A patent/CN100452419C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-03 US US10/836,627 patent/US7053549B2/en active Active
- 2004-05-04 KR KR1020040031251A patent/KR100568630B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291406A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | ヒューズ回路 |
| JPH08220560A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス表示装置 |
| JP2001102166A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| JP2001297878A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2002006319A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置 |
| JP2002324666A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2002324662A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7053549B2 (en) | 2006-05-30 |
| JP2004335267A (ja) | 2004-11-25 |
| KR20040095660A (ko) | 2004-11-15 |
| TW200425774A (en) | 2004-11-16 |
| TWI229570B (en) | 2005-03-11 |
| US20050023964A1 (en) | 2005-02-03 |
| CN100452419C (zh) | 2009-01-14 |
| CN1551686A (zh) | 2004-12-01 |
| KR100568630B1 (ko) | 2006-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4518747B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR100517258B1 (ko) | 유기 ｅｌ 패널 | |
| US9312319B2 (en) | Organic light emitting diode device and method for fabricating the same | |
| TWI581423B (zh) | 有機發光二極體顯示面板及其製造方法 | |
| KR101978783B1 (ko) | 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101967600B1 (ko) | 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101781506B1 (ko) | 유기전계 발광소자용 기판 | |
| JP2015069854A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| KR20140055606A (ko) | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101980760B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR100612814B1 (ko) | 유기 ｅｌ 패널 | |
| JP2001100655A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| KR101956227B1 (ko) | 플렉서블 유기전계발광소자 | |
| KR20080084491A (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2004152563A (ja) | 表示装置 | |
| TW525403B (en) | Electroluminescence display device | |
| JP2008159600A (ja) | 有機ｅｌパネル | |
| JP2018106803A (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| CN110072309B (zh) | 发光装置 | |
| JP4664877B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 | |
| KR20100010252A (ko) | 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자 | |
| KR101573006B1 (ko) | 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20080062899A (ko) | 유기전계발광 표시소자 | |
| KR20190028613A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060425 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100201 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100401 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100420 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100518 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4518747 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |