JP2001102166A - 表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Abstract
(57)【要約】
【課題】 対向する基板をシール１１で接着してなる表
示装置において、基板間の剥離を防止する。 【解決手段】 表示領域は、スイッチング素子２を平坦
化絶縁膜２１で覆って平坦化し、その上に画素電極４が
配置されている。画素電極４上には、発光層５、対向電
極６が配置されている。平坦化絶縁膜２１は、表示領域
外部、シール１１下まで延在している。平坦化絶縁膜２
１は、緩衝層となってシール１１硬化時に生じるストレ
スを吸収し、基板１と保護筐体１０との剥離を防止す
る。
示装置において、基板間の剥離を防止する。 【解決手段】 表示領域は、スイッチング素子２を平坦
化絶縁膜２１で覆って平坦化し、その上に画素電極４が
配置されている。画素電極４上には、発光層５、対向電
極６が配置されている。平坦化絶縁膜２１は、表示領域
外部、シール１１下まで延在している。平坦化絶縁膜２
１は、緩衝層となってシール１１硬化時に生じるストレ
スを吸収し、基板１と保護筐体１０との剥離を防止す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、例えば
エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；以
下ＥＬと表記）素子のような発光層を有する表示装置に
関し、特に有機ＥＬ表示素子の封止構造に関するもので
ある。
エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；以
下ＥＬと表記）素子のような発光層を有する表示装置に
関し、特に有機ＥＬ表示素子の封止構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子を用いた表示装置
が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されて
いる。図２（ａ）は従来の有機ＥＬ表示装置を示す平面
図、図２（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。透明基板
１上に画素毎に選択駆動回路２が複数配置されている。
選択駆動回路２を覆って平坦化絶縁膜３が形成され、平
坦化絶縁膜３のそれぞれの選択駆動回路２に対応する領
域にコンタクトホールが形成され、選択駆動回路２に画
素電極４が接続されている。それらを覆って発光層５及
び対向電極６が配置されている。選択駆動回路２、画素
電極４、発光層５、対向電極６よりなる表示領域の周囲
には選択駆動回路２を制御したり、画素電極４に所定の
電圧を印加するためのドライバ回路７ａ、７ｂが配置さ
れている。ドライバ回路７は配線８によって端子９に接
続されている。それらの構造を覆ってアルミニウムなど
の金属からなる保護筐体１０が配置されている。保護筐
体１０は、透明基板１上に紫外線硬化樹脂よりなる接着
剤１１を用いて固着されている。保護筐体１０と透明基
板１との間の空間は、乾燥窒素が充填され、保護筐体１
０の内面には乾燥剤シート１２が設置されている。
が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されて
いる。図２（ａ）は従来の有機ＥＬ表示装置を示す平面
図、図２（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。透明基板
１上に画素毎に選択駆動回路２が複数配置されている。
選択駆動回路２を覆って平坦化絶縁膜３が形成され、平
坦化絶縁膜３のそれぞれの選択駆動回路２に対応する領
域にコンタクトホールが形成され、選択駆動回路２に画
素電極４が接続されている。それらを覆って発光層５及
び対向電極６が配置されている。選択駆動回路２、画素
電極４、発光層５、対向電極６よりなる表示領域の周囲
には選択駆動回路２を制御したり、画素電極４に所定の
電圧を印加するためのドライバ回路７ａ、７ｂが配置さ
れている。ドライバ回路７は配線８によって端子９に接
続されている。それらの構造を覆ってアルミニウムなど
の金属からなる保護筐体１０が配置されている。保護筐
体１０は、透明基板１上に紫外線硬化樹脂よりなる接着
剤１１を用いて固着されている。保護筐体１０と透明基
板１との間の空間は、乾燥窒素が充填され、保護筐体１
０の内面には乾燥剤シート１２が設置されている。
【０００３】選択駆動回路２は例えば薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）などからなる半導体
素子を複数有する。第１のＴＦＴはドライバ回路７ａの
出力に応じて導通、非導通を切り換える。ドライバ回路
７ａの出力によって選択駆動回路２の第１のＴＦＴが導
通となった画素電極４には、第２のＴＦＴを介してドラ
イバ回路７ｂの出力に応じた電圧が印加され、対向電極
６との間に電流が流れる。発光層５は、ここに電流を流
すことによって発光する構成であり、画素電極４と対向
電極６との間に流れる電流量に応じた強度で発光する。
発生した光は、断面図下方向に透明基板１を透過して視
認される。
（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）などからなる半導体
素子を複数有する。第１のＴＦＴはドライバ回路７ａの
出力に応じて導通、非導通を切り換える。ドライバ回路
７ａの出力によって選択駆動回路２の第１のＴＦＴが導
通となった画素電極４には、第２のＴＦＴを介してドラ
イバ回路７ｂの出力に応じた電圧が印加され、対向電極
６との間に電流が流れる。発光層５は、ここに電流を流
すことによって発光する構成であり、画素電極４と対向
電極６との間に流れる電流量に応じた強度で発光する。
発生した光は、断面図下方向に透明基板１を透過して視
認される。
【０００４】図３は１つの画素をより詳細に示した断面
図である。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶
縁性基板１上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなる
ゲート電極４１が配置されている。ゲート電極４１の上
には、ＳｉＯ２よりなるゲート絶縁膜４２、及びｐ−Ｓ
ｉ膜からなる能動層４３が順に積層されている。その能
動層４３には、ゲート電極４１上方のチャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側に、チャネル４３ｃ上の
ストッパ絶縁膜４４をマスクにしてイオンドーピングし
更にゲート電極４１の両側をレジストにてカバーしてイ
オンドーピングしてゲート電極４１の両側に低濃度領域
とその外側に高濃度領域のソース４３ｓ及びドレイン４
３ｄが設けられている。ゲート電極４１、ゲート絶縁膜
４２、能動層４３の構成はＴＦＴであって、選択駆動回
路の一部である。ＴＦＴはいわゆるＬＤＤ構造である。
図である。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶
縁性基板１上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなる
ゲート電極４１が配置されている。ゲート電極４１の上
には、ＳｉＯ２よりなるゲート絶縁膜４２、及びｐ−Ｓ
ｉ膜からなる能動層４３が順に積層されている。その能
動層４３には、ゲート電極４１上方のチャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側に、チャネル４３ｃ上の
ストッパ絶縁膜４４をマスクにしてイオンドーピングし
更にゲート電極４１の両側をレジストにてカバーしてイ
オンドーピングしてゲート電極４１の両側に低濃度領域
とその外側に高濃度領域のソース４３ｓ及びドレイン４
３ｄが設けられている。ゲート電極４１、ゲート絶縁膜
４２、能動層４３の構成はＴＦＴであって、選択駆動回
路の一部である。ＴＦＴはいわゆるＬＤＤ構造である。
【０００５】そして、ゲート絶縁膜４２、能動層４３及
びストッパ絶縁膜４４上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜４５が形
成され、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホ
ールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源線４６に接続さ
れている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜３を形成する。そして、その平坦
化絶縁膜３のソース４３ｓに対応した位置にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース
１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）
等から成る透明電極３が配置される。
びストッパ絶縁膜４４上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜４５が形
成され、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホ
ールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源線４６に接続さ
れている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜３を形成する。そして、その平坦
化絶縁膜３のソース４３ｓに対応した位置にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース
１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）
等から成る透明電極３が配置される。
【０００６】発光層５は、ＭＴＤＡＴＡ（4,4 -bis(3-m
ethylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホー
ル輸送層５ａ、ＴＰＤ（4,4 ,4 -tris(3-methylphenylp
henylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送
層５ｂ、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢ
ｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層５ｃ及びＢｅｂｑ2から成る電子輸
送層５ｄからなる発光素子層である。以上の構成は、例
えば特願平１１−２２１８３や、特願平１１−２２１８
４等に記載されている。
ethylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホー
ル輸送層５ａ、ＴＰＤ（4,4 ,4 -tris(3-methylphenylp
henylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送
層５ｂ、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢ
ｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層５ｃ及びＢｅｂｑ2から成る電子輸
送層５ｄからなる発光素子層である。以上の構成は、例
えば特願平１１−２２１８３や、特願平１１−２２１８
４等に記載されている。
【０００７】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。
【０００８】有機ＥＬ層は、例えば対向電極６にピンホ
ールなどの欠陥が生じていると、ここから侵入する水分
によって、対向電極６が酸化したり、発光層５と対向電
極６の間で剥離が生じるなどしてダークスポットが発生
し、表示品質が著しく劣化する。保護筐体１０は物理的
衝撃から表示領域やドライバ回路７を保護するととも
に、水分の侵入を防止する役割を担っている。このた
め、表示領域を覆うように皿状の形状をなしている。ま
た、侵入した水分の対策のために空間は乾燥窒素やヘリ
ウム等の不活性な気体が充填され、更に乾燥剤シート１
２が配置されている。更に乾燥剤シート１２を配置する
ために設置個所に更に段差が設けられている場合もあ
る。このような構成は例えば特開平９−１４８０６６に
開示されている。
ールなどの欠陥が生じていると、ここから侵入する水分
によって、対向電極６が酸化したり、発光層５と対向電
極６の間で剥離が生じるなどしてダークスポットが発生
し、表示品質が著しく劣化する。保護筐体１０は物理的
衝撃から表示領域やドライバ回路７を保護するととも
に、水分の侵入を防止する役割を担っている。このた
め、表示領域を覆うように皿状の形状をなしている。ま
た、侵入した水分の対策のために空間は乾燥窒素やヘリ
ウム等の不活性な気体が充填され、更に乾燥剤シート１
２が配置されている。更に乾燥剤シート１２を配置する
ために設置個所に更に段差が設けられている場合もあ
る。このような構成は例えば特開平９−１４８０６６に
開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
封止構造では、透明基板１上に直接、接着剤１１を塗布
し、保護筐体１０を接着するので、接着剤１１の硬化時
に、透明基板１と保護筐体１０との熱膨張率の違いによ
って、接着剤１１が剥離するという問題が生じている。
封止構造では、透明基板１上に直接、接着剤１１を塗布
し、保護筐体１０を接着するので、接着剤１１の硬化時
に、透明基板１と保護筐体１０との熱膨張率の違いによ
って、接着剤１１が剥離するという問題が生じている。
【００１０】また、接着剤１１は配線８が配置された領
域では、配線８上に塗布される。ところが、接着剤１１
の硬化時のストレスによって、配線８が断線するという
問題も生じている。
域では、配線８上に塗布される。ところが、接着剤１１
の硬化時のストレスによって、配線８が断線するという
問題も生じている。
【００１１】そこで本発明は、透明基板１と保護筐体１
０とに熱膨張率の差が存在していても、透明基板１と保
護筐体１０とが剥離しにくい構造、または、配線８が断
線しにくい構造を有するＥＬ表示装置を提供することを
目的とする。
０とに熱膨張率の差が存在していても、透明基板１と保
護筐体１０とが剥離しにくい構造、または、配線８が断
線しにくい構造を有するＥＬ表示装置を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされ、材質の異なる第１及び第２の基板
間に表示領域が配置された表示装置であって、第１及び
第２の基板間を接着するシールを有し、シールと、第１
もしくは／及び第２の基板との間に緩衝層を有する表示
装置である。
決するためになされ、材質の異なる第１及び第２の基板
間に表示領域が配置された表示装置であって、第１及び
第２の基板間を接着するシールを有し、シールと、第１
もしくは／及び第２の基板との間に緩衝層を有する表示
装置である。
【００１３】そして、その緩衝層は絶縁膜である。
【００１４】また、表示領域は、絶縁膜を含む複数の薄
膜が積層された構造であって、絶縁膜は、シールと第１
もしくは／及び第２の基板との間まで延在し、緩衝層と
なっている。
膜が積層された構造であって、絶縁膜は、シールと第１
もしくは／及び第２の基板との間まで延在し、緩衝層と
なっている。
【００１５】また、表示領域は、画素毎に設けられた選
択駆動回路と、選択駆動回路を覆って形成された平坦化
絶縁膜と、それぞれの選択駆動回路に対応して平坦化絶
縁膜上に設けられた画素電極と、を有し、緩衝層は平坦
化絶縁膜である。
択駆動回路と、選択駆動回路を覆って形成された平坦化
絶縁膜と、それぞれの選択駆動回路に対応して平坦化絶
縁膜上に設けられた画素電極と、を有し、緩衝層は平坦
化絶縁膜である。
【００１６】また、第１の基板は、透明絶縁基板であっ
て、第２の基板は、表示領域を覆って形成された保護筐
体である。
て、第２の基板は、表示領域を覆って形成された保護筐
体である。
【００１７】また、第１の基板は、ガラスもしくは樹脂
よりなり、第２の基板は、金属よりなる。
よりなり、第２の基板は、金属よりなる。
【００１８】そして、平坦化絶縁膜は、第１の基板とシ
ールとの間に延在している。
ールとの間に延在している。
【００１９】また、平坦化絶縁膜は、シール及び第１の
基板に比較して柔らかい材質よりなる。
基板に比較して柔らかい材質よりなる。
【００２０】更に、表示領域に配線を介して接続され、
表示装置の外部に露出する端子を更に有し、配線もしく
は端子とシールとの間には、緩衝層が配置されている。
表示装置の外部に露出する端子を更に有し、配線もしく
は端子とシールとの間には、緩衝層が配置されている。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明の第１の実施
形態にかかる有機ＥＬ表示装置の平面図、図１（ｂ）は
そのＡ−Ａ’断面図である。従来と同様の構造について
は同じ番号を付し、詳しい説明を省略する。透明基板１
上に画素毎に選択駆動回路２、画素電極４が配置され、
それらを覆って発光層５及び対向電極６が配置されてい
る。選択駆動回路２、画素電極４、発光層５、対向電極
６よりなる表示領域の周囲には選択駆動回路２を制御し
たり、画素電極４に所定の電圧を印加するためのドライ
バ回路７ａ、７ｂが配置されている。ドライバ回路７は
配線８によって端子９に接続されている。表示領域を覆
って保護筐体１０が配置されている。以上の構造は、従
来の表示装置と同様である。なお、本明細書において、
基板とは、保護筐体１０をも含むものである。
形態にかかる有機ＥＬ表示装置の平面図、図１（ｂ）は
そのＡ−Ａ’断面図である。従来と同様の構造について
は同じ番号を付し、詳しい説明を省略する。透明基板１
上に画素毎に選択駆動回路２、画素電極４が配置され、
それらを覆って発光層５及び対向電極６が配置されてい
る。選択駆動回路２、画素電極４、発光層５、対向電極
６よりなる表示領域の周囲には選択駆動回路２を制御し
たり、画素電極４に所定の電圧を印加するためのドライ
バ回路７ａ、７ｂが配置されている。ドライバ回路７は
配線８によって端子９に接続されている。表示領域を覆
って保護筐体１０が配置されている。以上の構造は、従
来の表示装置と同様である。なお、本明細書において、
基板とは、保護筐体１０をも含むものである。
【００２２】本実施形態の特徴とするところは、選択駆
動回路２を覆って形成された平坦化絶縁膜２１が表示領
域外にまで延在しており、シール１１と基板１との間に
平坦化絶縁膜２１が配置されている点である。
動回路２を覆って形成された平坦化絶縁膜２１が表示領
域外にまで延在しており、シール１１と基板１との間に
平坦化絶縁膜２１が配置されている点である。
【００２３】平坦化絶縁膜２１は、シール１１と基板１
の間に位置している。平坦化絶縁膜２１は、シール１１
や基板１に比較して柔らかいので、シール１１の硬化時
に基板１と保護筐体１０との間に熱膨張率の違いによっ
てシール１１にストレスがかかっても、平坦化絶縁膜２
１が緩衝層となってそのストレスを吸収するので、基板
１と保護筐体１０の剥離を防止することができる。
の間に位置している。平坦化絶縁膜２１は、シール１１
や基板１に比較して柔らかいので、シール１１の硬化時
に基板１と保護筐体１０との間に熱膨張率の違いによっ
てシール１１にストレスがかかっても、平坦化絶縁膜２
１が緩衝層となってそのストレスを吸収するので、基板
１と保護筐体１０の剥離を防止することができる。
【００２４】本発明の要旨とするところは、シール１１
と基板１との間にシール１１よりも柔らかい緩衝層を配
置する点であり、平坦化絶縁膜２１に限定されるもので
はない。シール１１よりも柔らかい材質であれば、いか
なる材質でも良い。ただし、配線８は、シール１１下を
交差して外部に露出した端子９に接続されるので、その
ような構成にする場合は、緩衝層は少なくとも絶縁膜で
ある必要がある。
と基板１との間にシール１１よりも柔らかい緩衝層を配
置する点であり、平坦化絶縁膜２１に限定されるもので
はない。シール１１よりも柔らかい材質であれば、いか
なる材質でも良い。ただし、配線８は、シール１１下を
交差して外部に露出した端子９に接続されるので、その
ような構成にする場合は、緩衝層は少なくとも絶縁膜で
ある必要がある。
【００２５】また、緩衝層は表示領域の積層構造に用い
た膜を延在させる以外に、別途形成してももちろんよ
い。しかし、表示領域は何層かの絶縁膜を有するので、
そのいずれか一層または複数の層をシール１１の領域ま
で延在させれば、製造工程を増やすことなく緩衝層を形
成することができ、効率的である。
た膜を延在させる以外に、別途形成してももちろんよ
い。しかし、表示領域は何層かの絶縁膜を有するので、
そのいずれか一層または複数の層をシール１１の領域ま
で延在させれば、製造工程を増やすことなく緩衝層を形
成することができ、効率的である。
【００２６】また、表示領域に形成されるいくつかの絶
縁膜のうち、平坦化絶縁膜２１は、下層に形成された構
造によって生じる凹凸を平坦化するという膜の役割上、
５００Å〜２０００Åのゲート絶縁膜４２や層間絶縁膜
４５に比較して、例えば１μｍ〜２μｍと厚く形成され
る。従って、平坦化絶縁膜２１は充分な厚さを有するの
で緩衝層として最適である。
縁膜のうち、平坦化絶縁膜２１は、下層に形成された構
造によって生じる凹凸を平坦化するという膜の役割上、
５００Å〜２０００Åのゲート絶縁膜４２や層間絶縁膜
４５に比較して、例えば１μｍ〜２μｍと厚く形成され
る。従って、平坦化絶縁膜２１は充分な厚さを有するの
で緩衝層として最適である。
【００２７】平坦化絶縁膜２１の材質としては、アクリ
ル系樹脂や、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポジ型
レジスト材料等が採用できる。ただし、表示装置は、大
判のマザーガラスに複数形成し、これを分断するため、
半導体チップに用いられる回転塗布材料、いわゆるSOG
膜と比較して、上記のアクリル系樹脂や、ポジ型レジス
ト材料等の方が好適である。また、平坦化絶縁膜２１の
材質としては水分透過量ができるだけ小さいものを選択
するとよい。発光層を有する有機ＥＬは、水分による劣
化が著しく、基板１と保護筐体１０によって形成された
空間内に水分が侵入すると、表示品位が劣化する。
ル系樹脂や、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポジ型
レジスト材料等が採用できる。ただし、表示装置は、大
判のマザーガラスに複数形成し、これを分断するため、
半導体チップに用いられる回転塗布材料、いわゆるSOG
膜と比較して、上記のアクリル系樹脂や、ポジ型レジス
ト材料等の方が好適である。また、平坦化絶縁膜２１の
材質としては水分透過量ができるだけ小さいものを選択
するとよい。発光層を有する有機ＥＬは、水分による劣
化が著しく、基板１と保護筐体１０によって形成された
空間内に水分が侵入すると、表示品位が劣化する。
【００２８】平坦化絶縁膜２１の膜厚は、厚い方がより
緩衝層としての機能を増すが、一方で、外部に露出する
面積が増大し、ここから侵入する水分の透過量が増大し
てしまうので、緩衝層として機能しうる範囲でできるだ
け薄く形成することが望ましい。
緩衝層としての機能を増すが、一方で、外部に露出する
面積が増大し、ここから侵入する水分の透過量が増大し
てしまうので、緩衝層として機能しうる範囲でできるだ
け薄く形成することが望ましい。
【００２９】上記の平坦化絶縁膜２１の材質は、いずれ
を用いても若干の水分が透過してしまう。そこで、シー
ル１１に乾燥剤の粉末を混入すると、平坦化絶縁膜２１
に透過する水分を吸着し、有機ＥＬの劣化を防止するこ
とができる。平坦化絶縁膜２１は、上述のように、１μ
ｍ〜２μｍであるのでシール１１に乾燥剤を練り混んで
おけば、平坦化絶縁膜２１に乾燥剤を練り混まなくて
も、平坦化絶縁膜２１中を水分が透過することを防止す
ることができる。乾燥剤は、接着剤１１を硬化させる前
に混入し、充分に練り合わせてから樹脂を硬化させる
と、接着剤１１中に均等に混入させることができる。乾
燥剤としては、化学吸着性の物質を用いる。化学吸着性
の乾燥剤の例としては、例えば酸化カルシウム、酸化バ
リウム等のアルカリ土類金属の酸化物、塩化カルシウム
等のアルカリ土類金属のハロゲン化物、五酸化リンなど
が挙げられる。シリカゲルのような物理吸着性の乾燥剤
は、高温になると吸着した水分を放出するため不適であ
る。
を用いても若干の水分が透過してしまう。そこで、シー
ル１１に乾燥剤の粉末を混入すると、平坦化絶縁膜２１
に透過する水分を吸着し、有機ＥＬの劣化を防止するこ
とができる。平坦化絶縁膜２１は、上述のように、１μ
ｍ〜２μｍであるのでシール１１に乾燥剤を練り混んで
おけば、平坦化絶縁膜２１に乾燥剤を練り混まなくて
も、平坦化絶縁膜２１中を水分が透過することを防止す
ることができる。乾燥剤は、接着剤１１を硬化させる前
に混入し、充分に練り合わせてから樹脂を硬化させる
と、接着剤１１中に均等に混入させることができる。乾
燥剤としては、化学吸着性の物質を用いる。化学吸着性
の乾燥剤の例としては、例えば酸化カルシウム、酸化バ
リウム等のアルカリ土類金属の酸化物、塩化カルシウム
等のアルカリ土類金属のハロゲン化物、五酸化リンなど
が挙げられる。シリカゲルのような物理吸着性の乾燥剤
は、高温になると吸着した水分を放出するため不適であ
る。
【００３０】なお、上記の説明は、ＴＦＴとしてゲート
電極が能動層よりも基板側にあるボトムゲート型ＴＦＴ
を例示したが、要は、複数の画素電極のうちの一つに選
択的に電圧印加できればどのような構成であっても良
く、例えば能動層がゲート電極よりも基板側にあるトッ
プゲート型ＴＦＴでももちろんよい。
電極が能動層よりも基板側にあるボトムゲート型ＴＦＴ
を例示したが、要は、複数の画素電極のうちの一つに選
択的に電圧印加できればどのような構成であっても良
く、例えば能動層がゲート電極よりも基板側にあるトッ
プゲート型ＴＦＴでももちろんよい。
【００３１】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
材質の異なる第１及び第２の基板間に表示領域が配置さ
れた表示装置であって、第１及び第２の基板間を接着す
るシールを有し、シールと、第１もしくは／及び第２の
基板との間に緩衝層を有するので、第１及び第２の基板
をシールによって接着する際の第１及び第２の基板の熱
膨張率の違い等によって生じるシール部のストレスを緩
衝層が吸収するので、第１及び第２の基板の剥離を防止
することができる。
材質の異なる第１及び第２の基板間に表示領域が配置さ
れた表示装置であって、第１及び第２の基板間を接着す
るシールを有し、シールと、第１もしくは／及び第２の
基板との間に緩衝層を有するので、第１及び第２の基板
をシールによって接着する際の第１及び第２の基板の熱
膨張率の違い等によって生じるシール部のストレスを緩
衝層が吸収するので、第１及び第２の基板の剥離を防止
することができる。
【００３２】また、表示領域は、絶縁膜を含む複数の薄
膜が積層された構造であって、この絶縁膜が緩衝層とな
っているので、緩衝層を新たに形成する必要がなく、表
示領域を形成する際に同時に形成することができる。従
って、製造工程を簡略化できる。
膜が積層された構造であって、この絶縁膜が緩衝層とな
っているので、緩衝層を新たに形成する必要がなく、表
示領域を形成する際に同時に形成することができる。従
って、製造工程を簡略化できる。
【００３３】また、緩衝層は平坦化絶縁膜であり、平坦
化絶縁膜は、ゲート絶縁膜や、層間絶縁膜に比較して、
膜厚が厚く、また材質もガラスやシールよりも柔らか
く、表示領域中に形成される絶縁膜の中では、もっとも
緩衝層に適している。
化絶縁膜は、ゲート絶縁膜や、層間絶縁膜に比較して、
膜厚が厚く、また材質もガラスやシールよりも柔らか
く、表示領域中に形成される絶縁膜の中では、もっとも
緩衝層に適している。
【００３４】更に、表示領域に配線を介して接続され、
表示装置の外部に露出する端子を更に有し、配線もしく
は端子とシールとの間には、緩衝層が配置されているの
で、シール硬化時のストレスによって配線が断線するこ
とが防止できる。
表示装置の外部に露出する端子を更に有し、配線もしく
は端子とシールとの間には、緩衝層が配置されているの
で、シール硬化時のストレスによって配線が断線するこ
とが防止できる。
【００３５】なお、上述した説明では、表示領域に電極
で発光層を挟持した有機ＥＬ表示装置を例示して説明し
たが、これに限定されるものではなく、蛍光表示装置
や、ＬＥＤ表示装置など、様々な表示装置に適用するこ
とができる。ただし、有機ＥＬ表示装置は、水分による
劣化が顕著であるので、基板間のわずかな剥離が無視で
きない問題であり、本願によって基板間の剥離を防止す
ることは、有機ＥＬ表示装置において、もっとも効果的
であると言える。
で発光層を挟持した有機ＥＬ表示装置を例示して説明し
たが、これに限定されるものではなく、蛍光表示装置
や、ＬＥＤ表示装置など、様々な表示装置に適用するこ
とができる。ただし、有機ＥＬ表示装置は、水分による
劣化が顕著であるので、基板間のわずかな剥離が無視で
きない問題であり、本願によって基板間の剥離を防止す
ることは、有機ＥＬ表示装置において、もっとも効果的
であると言える。
【図１】本発明の表示装置を示す平面図及びその断面図
である。
である。
【図２】従来の表示装置を示す平面図及びその断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明及び従来の表示装置を示す断面図であ
る。
る。
１ 基板、 ２ 選択駆動回路 ３、２１ 平坦化絶縁膜 ４ 画素電極 ５ 発光層 ６ 共通電極 １１ シール
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB13 AB15 AB18 BA06 BB01 CA01 CB01 CC05 DA01 DB03 EB00 FA02 5G435 AA07 AA13 AA14 AA17 BB05 CC09 EE02 EE09 GG43 HH18 HH20 KK02 KK05
Claims (10)
- 【請求項１】 材質の異なる第１及び第２の基板間に表
示領域が配置された表示装置であって、前記第１及び第
２の基板間を接着するシールを有し、前記シールと、前
記第１もしくは／及び第２の基板との間に緩衝層を有す
ることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記緩衝層は絶縁膜であることを特徴と
する請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記表示領域は、絶縁膜を含み前記絶縁
膜が、前記シールと前記第１もしくは／及び第２の基板
との間まで延在し、緩衝層となっていることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記表示領域は、画素毎に設けられた選
択駆動回路と、前記選択駆動回路を覆って形成された平
坦化絶縁膜と、それぞれの前記選択駆動回路に対応して
前記平坦化絶縁膜上に設けられた画素電極と、を有し、
前記緩衝層は前記平坦化絶縁膜であることを特徴とする
請求項２もしくは請求項３に記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記第１の基板は、可視光を透過する透
明絶縁基板であって、前記第２の基板は、前記表示領域
を覆って形成された保護筐体であることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記第１の基板は、ガラスもしくは樹脂
よりなり、前記第２の基板は、金属よりなることを特徴
とする請求項５に記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記平坦化絶縁膜は、前記第１の基板と
前記シールとの間に延在していることを特徴とする請求
項６に記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記平坦化絶縁膜は、前記シール及び前
記第１の基板に比較して柔らかい材質よりなることを特
徴とする請求項７に記載の表示装置。 - 【請求項９】 前記表示領域に配線を介して接続され、
前記表示装置の外部に露出する端子を更に有し、前記配
線もしくは端子と前記シールとの間には、前記緩衝層が
配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示
装置。 - 【請求項１０】 前記表示領域は、電極間に発光層を挟
持してなる有機エレクトロルミネッセンス素子を有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項
に記載の表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27708899A JP3423261B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 表示装置 |
| US09/670,679 US6590337B1 (en) | 1999-09-29 | 2000-09-27 | Sealing structure for display device |
| KR10-2000-0056898A KR100407445B1 (ko) | 1999-09-29 | 2000-09-28 | 표시 장치의 밀봉 구조 |
| TW089120172A TW463529B (en) | 1999-09-29 | 2000-09-29 | Display device and light emitting device |
| KR10-2003-0062516A KR100512510B1 (ko) | 1999-09-29 | 2003-09-08 | 표시 장치의 밀봉 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27708899A JP3423261B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102166A true JP2001102166A (ja) | 2001-04-13 |
| JP3423261B2 JP3423261B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=17578619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27708899A Ceased JP3423261B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6590337B1 (ja) |
| JP (1) | JP3423261B2 (ja) |
| KR (2) | KR100407445B1 (ja) |
| TW (1) | TW463529B (ja) |
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| CN109509402A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 昆山国显光电有限公司 | 一种柔性显示装置 |
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| KR100370921B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2003-02-05 | 주식회사 엘리아테크 | 이중 경화공정에 의한 유기 전계 발광 표시패널 및 그제조방법 |
| US7042024B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US6903377B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
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