JP2003332045A - エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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-
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- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬパネルの輪郭を鮮明に成し、表示のコ
ントラストを向上させる。 【解決手段】有機ＥＬ素子１２０を含む画素領域３００
と有機ＥＬ素子１２０を駆動するための駆動信号を供給
する水平駆動回路３０１、垂直駆動回路３０２とを有す
るデバイスガラス基板２００と、このデバイスガラス基
板２００と封止ガラス基板１００とをシール樹脂１０１
を用いて貼り合わせ、封止ガラス基板１００側に、水平
駆動回路３０１、垂直駆動回路３０２への光の入射を遮
るための遮光層１０４を設ける。
ントラストを向上させる。 【解決手段】有機ＥＬ素子１２０を含む画素領域３００
と有機ＥＬ素子１２０を駆動するための駆動信号を供給
する水平駆動回路３０１、垂直駆動回路３０２とを有す
るデバイスガラス基板２００と、このデバイスガラス基
板２００と封止ガラス基板１００とをシール樹脂１０１
を用いて貼り合わせ、封止ガラス基板１００側に、水平
駆動回路３０１、垂直駆動回路３０２への光の入射を遮
るための遮光層１０４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置及びその製造方法に関し、特にエレク
トロルミネッセンス表示装置の表示品位を向上させる技
術に関する。
ッセンス表示装置及びその製造方法に関し、特にエレク
トロルミネッセンス表示装置の表示品位を向上させる技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
【０００３】図６は有機ＥＬパネルの構造を示す概略図
である。デバイスガラス基板１上に、画素領域と周辺駆
動回路領域が形成されている。画素領域は複数の画素か
ら成り、各画素は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子駆動
用ＴＦＴａや画素選択用ＴＦＴ（不図示）を含んでい
る。例えば、有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴａはポリシリコ
ン層から成る能動層を有している。有機ＥＬ素子駆動用
ＴＦＴａの下層には絶縁膜２を介してクロムから成る遮
光層３が配置されている。
である。デバイスガラス基板１上に、画素領域と周辺駆
動回路領域が形成されている。画素領域は複数の画素か
ら成り、各画素は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子駆動
用ＴＦＴａや画素選択用ＴＦＴ（不図示）を含んでい
る。例えば、有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴａはポリシリコ
ン層から成る能動層を有している。有機ＥＬ素子駆動用
ＴＦＴａの下層には絶縁膜２を介してクロムから成る遮
光層３が配置されている。
【０００４】この遮光層３は、有機ＥＬ素子駆動用ＴＦ
Ｔａの能動層の直下を避けるように形成されている。そ
の理由は以下の通りである。有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ
ａの能動層は、アモリファスシリコンをエキシマレーザ
ー照射により加熱して結晶化させる。この時、有機ＥＬ
素子駆動用ＴＦＴａの能動層の直下にクロムから成る遮
光層３があると、熱伝導率が高くなってしまう。する
と、その能動層の結晶粒径の制御が困難になり、その結
果ＴＦＴａの特性が劣化するためである。
Ｔａの能動層の直下を避けるように形成されている。そ
の理由は以下の通りである。有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ
ａの能動層は、アモリファスシリコンをエキシマレーザ
ー照射により加熱して結晶化させる。この時、有機ＥＬ
素子駆動用ＴＦＴａの能動層の直下にクロムから成る遮
光層３があると、熱伝導率が高くなってしまう。する
と、その能動層の結晶粒径の制御が困難になり、その結
果ＴＦＴａの特性が劣化するためである。
【０００５】一方、画素領域の周辺に配置される周辺駆
動回路は多数のＴＦＴｂによって形成される。上記と同
様の理由から、ＴＦＴｂの下層にはクロムから成る遮光
層３が形成されていなかった。
動回路は多数のＴＦＴｂによって形成される。上記と同
様の理由から、ＴＦＴｂの下層にはクロムから成る遮光
層３が形成されていなかった。
【０００６】そして、デバイスガラス基板１は、エポキ
シ樹脂等から成るシール樹脂４を介して封止ガラス基板
５と貼り合わされていた。
シ樹脂等から成るシール樹脂４を介して封止ガラス基板
５と貼り合わされていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、周辺駆
動回路については、遮光層３が形成されていなかったた
めに、封止ガラス基板５側から入射した光が、デバイス
ガラス基板１側に透過してしまう。そのため、有機ＥＬ
パネルの輪郭がぼやけてしまい、表示のコントラストが
低下するという問題があった。
動回路については、遮光層３が形成されていなかったた
めに、封止ガラス基板５側から入射した光が、デバイス
ガラス基板１側に透過してしまう。そのため、有機ＥＬ
パネルの輪郭がぼやけてしまい、表示のコントラストが
低下するという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、エレク
トロルミネッセンス素子を含む画素領域と該エレクトロ
ルミネッセンス素子を駆動するための駆動信号を供給す
る周辺駆動回路領域とを有する第１の基板と、前記第１
の基板と貼り合わされた第２の基板と、前記第２の基板
側に、前記周辺駆動回路領域への光の入射を遮るための
遮光層と、を具備することを特徴とするものである。
トロルミネッセンス素子を含む画素領域と該エレクトロ
ルミネッセンス素子を駆動するための駆動信号を供給す
る周辺駆動回路領域とを有する第１の基板と、前記第１
の基板と貼り合わされた第２の基板と、前記第２の基板
側に、前記周辺駆動回路領域への光の入射を遮るための
遮光層と、を具備することを特徴とするものである。
【０００９】かかる構成によれば、第２の基板側に、周
辺駆動回路領域への光の入射を遮るための遮光層を設け
たので、有機ＥＬパネルの輪郭がぼやけてしまい、表示
のコントラストが低下するという問題を解決できる。し
かも、周辺駆動回路を構成するＴＦＴの下層に遮光層を
形成する必要がないので、ＴＦＴの能動層の結晶粒径を
均一に制御することが可能になる。
辺駆動回路領域への光の入射を遮るための遮光層を設け
たので、有機ＥＬパネルの輪郭がぼやけてしまい、表示
のコントラストが低下するという問題を解決できる。し
かも、周辺駆動回路を構成するＴＦＴの下層に遮光層を
形成する必要がないので、ＴＦＴの能動層の結晶粒径を
均一に制御することが可能になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。まず、本発明が適
用されるデバイスガラス基板２００の構成について、図
１及び図２を参照しながら説明する。
図面を参照しながら詳細に説明する。まず、本発明が適
用されるデバイスガラス基板２００の構成について、図
１及び図２を参照しながら説明する。
【００１１】図１に示すように、デバイスガラス基板２
００上には、画素領域３００と、その周辺駆動回路とし
て、水平駆動回路３０１及び垂直駆動回路３０２が配置
されている。垂直駆動回路３０２は、画素領域３００の
各画素にゲート信号Ｇn（水平走査信号）を供給する。
水平駆動回路３０１は、水平走査信号に基づき、画素領
域３００の各画素にドレイン信号（ビデオ信号Ｄm）を
供給する。
００上には、画素領域３００と、その周辺駆動回路とし
て、水平駆動回路３０１及び垂直駆動回路３０２が配置
されている。垂直駆動回路３０２は、画素領域３００の
各画素にゲート信号Ｇn（水平走査信号）を供給する。
水平駆動回路３０１は、水平走査信号に基づき、画素領
域３００の各画素にドレイン信号（ビデオ信号Ｄm）を
供給する。
【００１２】図２は、画素領域３００を構成する一画素
の等価回路図を示す。ゲート信号Ｇnを供給するゲート
信号線５０と、ドレイン信号、すなわち、ビデオ信号Ｄ
mを供給するドレイン信号線６０とが互いに交差してい
る。
の等価回路図を示す。ゲート信号Ｇnを供給するゲート
信号線５０と、ドレイン信号、すなわち、ビデオ信号Ｄ
mを供給するドレイン信号線６０とが互いに交差してい
る。
【００１３】それらの両信号線の交差点付近には、有機
ＥＬ素子１２０及びこの有機ＥＬ素子１２０を駆動する
ＴＦＴ１０６、画素を選択するためのＴＦＴ１１０が配
置されている。
ＥＬ素子１２０及びこの有機ＥＬ素子１２０を駆動する
ＴＦＴ１０６、画素を選択するためのＴＦＴ１１０が配
置されている。
【００１４】有機ＥＬ素子駆動用のＴＦＴ１０６のドレ
イン１０６ｄには、正電源電圧ＰＶｄｄが供給されてい
る。また、ソース１０６ｓは有機ＥＬ素子１２０のアノ
ード１２１に接続されている。
イン１０６ｄには、正電源電圧ＰＶｄｄが供給されてい
る。また、ソース１０６ｓは有機ＥＬ素子１２０のアノ
ード１２１に接続されている。
【００１５】また、画素選択用のＴＦＴ１１０のゲート
１１０ｇにはゲート信号線５０が接続されることにより
ゲート信号Ｇnが供給され、ドレイン１１０ｄにはドレ
イン信号線６０が接続されることにより、ビデオ信号Ｄ
mが供給される。ＴＦＴ１１０のソース１１０ｓは上記
ＴＦＴ１０６のゲート１０６ｇに接続されている。ここ
で、ゲート信号Ｇnは不図示の垂直駆動回路３０２から
出力される。ビデオ信号Ｄmは不図示の水平駆動回路３
０１から出力される。
１１０ｇにはゲート信号線５０が接続されることにより
ゲート信号Ｇnが供給され、ドレイン１１０ｄにはドレ
イン信号線６０が接続されることにより、ビデオ信号Ｄ
mが供給される。ＴＦＴ１１０のソース１１０ｓは上記
ＴＦＴ１０６のゲート１０６ｇに接続されている。ここ
で、ゲート信号Ｇnは不図示の垂直駆動回路３０２から
出力される。ビデオ信号Ｄmは不図示の水平駆動回路３
０１から出力される。
【００１６】また、有機ＥＬ素子１２０は、アノード１
２１、カソード１２２、このアノード１２１とカソード
１２２の間に形成された発光素子層１２３から成る。カ
ソード１２２には負電源電圧ＣＶが供給されている。
２１、カソード１２２、このアノード１２１とカソード
１２２の間に形成された発光素子層１２３から成る。カ
ソード１２２には負電源電圧ＣＶが供給されている。
【００１７】また、ＴＦＴ１０６のゲート１０６ｇには
保持容量１３０が接続されている。すなわち、保持容量
１３０の一方の電極はゲート１０６ｇに接続され、他方
の電極は保持容量電極１３１に接続されている。保持容
量１３０はビデオ信号Ｄmに応じた電荷を保持すること
により、１フィールド期間、表示画素のビデオ信号を保
持するために設けられている。
保持容量１３０が接続されている。すなわち、保持容量
１３０の一方の電極はゲート１０６ｇに接続され、他方
の電極は保持容量電極１３１に接続されている。保持容
量１３０はビデオ信号Ｄmに応じた電荷を保持すること
により、１フィールド期間、表示画素のビデオ信号を保
持するために設けられている。
【００１８】上述した構成のＥＬ表示装置の動作を説明
すると以下の通りである。ゲート信号Ｇnが一水平期
間、ハイレベルになると、ＴＦＴ１１０がオンする。す
ると、ドレイン信号線６０からビデオ信号ＤmがＴＦＴ
１１０を通して、ＴＦＴ１０６のゲート１０６ｇに印加
される。そして、ゲート１０６ｇに供給されたビデオ信
号Ｄmに応じて、ＴＦＴ１０６のコンダクタンスが変化
し、それに応じた駆動電流がＴＦＴ１０６を通して、有
機ＥＬ素子１２０に供給され、有機ＥＬ素子１２０が点
灯する。
すると以下の通りである。ゲート信号Ｇnが一水平期
間、ハイレベルになると、ＴＦＴ１１０がオンする。す
ると、ドレイン信号線６０からビデオ信号ＤmがＴＦＴ
１１０を通して、ＴＦＴ１０６のゲート１０６ｇに印加
される。そして、ゲート１０６ｇに供給されたビデオ信
号Ｄmに応じて、ＴＦＴ１０６のコンダクタンスが変化
し、それに応じた駆動電流がＴＦＴ１０６を通して、有
機ＥＬ素子１２０に供給され、有機ＥＬ素子１２０が点
灯する。
【００１９】次に、図３を参照しながら、上述した構成
のデバイスガラス基板２００と、封止ガラス基板１００
とを貼り合わせて成る有機ＥＬパネルの構造について説
明する。図３は、図１のＡ−Ａ線に対応した断面図であ
る。
のデバイスガラス基板２００と、封止ガラス基板１００
とを貼り合わせて成る有機ＥＬパネルの構造について説
明する。図３は、図１のＡ−Ａ線に対応した断面図であ
る。
【００２０】デバイスガラス基板２００と、封止ガラス
基板１００とはそれらの周辺部が、接着作用を有する樹
脂材料、例えばエポキシ樹脂から成るシール樹脂１０１
を用いて貼り合わされ、外部からの水分の浸入を防止し
ている。デバイスガラス基板２００、封止ガラス基板１
００の厚さはそれぞれ０．７ｍｍ程度である。
基板１００とはそれらの周辺部が、接着作用を有する樹
脂材料、例えばエポキシ樹脂から成るシール樹脂１０１
を用いて貼り合わされ、外部からの水分の浸入を防止し
ている。デバイスガラス基板２００、封止ガラス基板１
００の厚さはそれぞれ０．７ｍｍ程度である。
【００２１】デバイスガラス基板２００の画素領域３０
０には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。
各画素は、有機ＥＬ素子１２０と、有機ＥＬ素子駆動用
ＴＦＴａや画素選択用ＴＦＴ（不図示）を含んでいる。
例えば、有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴａはポリシリコン層
から成る能動層を有している。有機ＥＬ素子駆動用ＴＦ
Ｔａの下層には絶縁膜２１０を介してクロムから成る遮
光層２０１が配置されている。この遮光層２０１は、有
機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴａの能動層の直下を避けるよう
に形成されている。その理由は前述した通りである。
０には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。
各画素は、有機ＥＬ素子１２０と、有機ＥＬ素子駆動用
ＴＦＴａや画素選択用ＴＦＴ（不図示）を含んでいる。
例えば、有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴａはポリシリコン層
から成る能動層を有している。有機ＥＬ素子駆動用ＴＦ
Ｔａの下層には絶縁膜２１０を介してクロムから成る遮
光層２０１が配置されている。この遮光層２０１は、有
機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴａの能動層の直下を避けるよう
に形成されている。その理由は前述した通りである。
【００２２】封止ガラス基板１００のデバイスガラス基
板２００に対向する側の表面には、エッチングにより凹
部（以下、ポケット領域１０２という）が形成されてい
る。ポケット領域１０２の深さは例えば０．１ｍｍ〜
０．３ｍｍが適当であり、ポケット領域１０２の底部に
は、乾燥剤層１０３が収納されている。乾燥剤層１０３
は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム
等、及び接着剤とを樹脂に溶かした状態にして、ポケッ
ト領域１０２の底部に塗布し、さらにＵＶ照射や加熱処
理により硬化させている。ポケット領域１０２を形成し
ている理由は、乾燥剤層１０３と有機ＥＬ素子１２０と
の間隔を保ち、接触による素子破壊を防ぐためである。
板２００に対向する側の表面には、エッチングにより凹
部（以下、ポケット領域１０２という）が形成されてい
る。ポケット領域１０２の深さは例えば０．１ｍｍ〜
０．３ｍｍが適当であり、ポケット領域１０２の底部に
は、乾燥剤層１０３が収納されている。乾燥剤層１０３
は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム
等、及び接着剤とを樹脂に溶かした状態にして、ポケッ
ト領域１０２の底部に塗布し、さらにＵＶ照射や加熱処
理により硬化させている。ポケット領域１０２を形成し
ている理由は、乾燥剤層１０３と有機ＥＬ素子１２０と
の間隔を保ち、接触による素子破壊を防ぐためである。
【００２３】そして、ポケット領域１０２の周辺の凸部
には、酸化クロム及びクロムの積層構造の遮光層１０４
が形成されている。この遮光層１０４は、垂直駆動回路
３０２上を被う位置に配置されている。また、図３では
図示されていないが、水平駆動回路３０１上にも同様の
遮光層１０４が延在している。
には、酸化クロム及びクロムの積層構造の遮光層１０４
が形成されている。この遮光層１０４は、垂直駆動回路
３０２上を被う位置に配置されている。また、図３では
図示されていないが、水平駆動回路３０１上にも同様の
遮光層１０４が延在している。
【００２４】上述した構成によれば、垂直駆動回路３０
２上及び水平駆動回路３０１上に、遮光層１０４が配置
されているので、封止ガラス基板１００側から入射した
光を遮ることができる。これにより、有機ＥＬパネルの
輪郭がくっきりと鮮明になり、表示のコントラストを向
上することができる。
２上及び水平駆動回路３０１上に、遮光層１０４が配置
されているので、封止ガラス基板１００側から入射した
光を遮ることができる。これにより、有機ＥＬパネルの
輪郭がくっきりと鮮明になり、表示のコントラストを向
上することができる。
【００２５】なお、遮光層１０４はポケット領域１０２
の周辺の凸部に形成されているが、これに限られず、ポ
ケット領域１０２がない場合には、垂直駆動回路３０２
上及び水平駆動回路３０１上に、遮光層１０４が配置さ
れるように形成されていればよい。また、遮光層１０４
は、封止ガラス基板１００側ではなく、デバイスガラス
基板２００の表面に形成されていてもよい。
の周辺の凸部に形成されているが、これに限られず、ポ
ケット領域１０２がない場合には、垂直駆動回路３０２
上及び水平駆動回路３０１上に、遮光層１０４が配置さ
れるように形成されていればよい。また、遮光層１０４
は、封止ガラス基板１００側ではなく、デバイスガラス
基板２００の表面に形成されていてもよい。
【００２６】図４に、画素領域３００と周辺駆動回路領
域（例えば、垂直駆動回路３０２の領域）の部分断面図
を示す。画素領域においては、有機ＥＬ素子１２０及び
駆動用ＴＦＴａを示し、周辺駆動回路ＴＦＴｂを示して
いる。画素領域において、石英ガラス、無アルカリガラ
ス等から成る石英ガラス、あるいは無アルカリガラス等
からなる絶縁性基板２０２上に、絶縁膜２１０を介し
て、駆動用ＴＦＴａが形成されている。駆動用ＴＦＴａ
において、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射し
て多結晶化してなる能動層２１１、ゲート絶縁膜２１
２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電
極２１３が順に形成されており、その能動層２１１に
は、チャネルと、このチャネルの両側にソース２１１ｓ
及びドレイン２１１ｄが設けられている。
域（例えば、垂直駆動回路３０２の領域）の部分断面図
を示す。画素領域においては、有機ＥＬ素子１２０及び
駆動用ＴＦＴａを示し、周辺駆動回路ＴＦＴｂを示して
いる。画素領域において、石英ガラス、無アルカリガラ
ス等から成る石英ガラス、あるいは無アルカリガラス等
からなる絶縁性基板２０２上に、絶縁膜２１０を介し
て、駆動用ＴＦＴａが形成されている。駆動用ＴＦＴａ
において、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射し
て多結晶化してなる能動層２１１、ゲート絶縁膜２１
２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電
極２１３が順に形成されており、その能動層２１１に
は、チャネルと、このチャネルの両側にソース２１１ｓ
及びドレイン２１１ｄが設けられている。
【００２７】また、駆動用ＴＦＴａの下層の絶縁性基板
２０２上には、遮光層２０１が形成されている。遮光層
２０１は、能動層２１１の直下を除く領域に形成されて
いる。
２０２上には、遮光層２０１が形成されている。遮光層
２０１は、能動層２１１の直下を除く領域に形成されて
いる。
【００２８】そしてゲート絶縁膜２１２及び能動層２１
１上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ、膜及びＳｉＯ2膜の
順に積層された層間絶縁膜２１４が形成されている。ま
たドレイン２１１ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源ＰＶｄｄに接続され
た駆動用の電源線２１５（ドレイン電極）が配置されて
いる。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する第１平坦化絶縁膜２１６を備えている。そして、そ
の平坦化絶縁膜２１６のソース２１１ｓに対応した位置
にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを
介してソース電極２１７とコンタクトしたＩＴＯから成
る透明電極、即ち有機ＥＬ素子１２０のアノード層２１
８を第１平坦化絶縁膜２１６上に設けている。このアノ
ード層２１８は各画素部ごとに島状に分離形成されてい
る。
１上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ、膜及びＳｉＯ2膜の
順に積層された層間絶縁膜２１４が形成されている。ま
たドレイン２１１ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源ＰＶｄｄに接続され
た駆動用の電源線２１５（ドレイン電極）が配置されて
いる。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦に
する第１平坦化絶縁膜２１６を備えている。そして、そ
の平坦化絶縁膜２１６のソース２１１ｓに対応した位置
にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを
介してソース電極２１７とコンタクトしたＩＴＯから成
る透明電極、即ち有機ＥＬ素子１２０のアノード層２１
８を第１平坦化絶縁膜２１６上に設けている。このアノ
ード層２１８は各画素部ごとに島状に分離形成されてい
る。
【００２９】さらに第２平坦化絶縁膜２１９がアノード
層２１８の周辺に形成され、アノード層２１８上につい
ては、第２平坦化絶縁膜２１９が除去されている。有機
ＥＬ素子は、アノード層２１８、ホール輸送層２２０、
発光層２２１、電子輸送層２２２、カソード層２２３
が、この順番で積層形成されている。
層２１８の周辺に形成され、アノード層２１８上につい
ては、第２平坦化絶縁膜２１９が除去されている。有機
ＥＬ素子は、アノード層２１８、ホール輸送層２２０、
発光層２２１、電子輸送層２２２、カソード層２２３
が、この順番で積層形成されている。
【００３０】一方、周辺駆動回路領域において、ＴＦＴ
ｂが形成されている。ＴＦＴｂの構造は、画素領域のＴ
ＦＴａと同じ構造であるが、その下層には遮光層２０１
は設けられていない。遮光層１０４は、上述したよう
に、封止ガラス基板１００側に設けられている。
ｂが形成されている。ＴＦＴｂの構造は、画素領域のＴ
ＦＴａと同じ構造であるが、その下層には遮光層２０１
は設けられていない。遮光層１０４は、上述したよう
に、封止ガラス基板１００側に設けられている。
【００３１】次に、そのような遮光層１０４を備えた封
止ガラス基板１００の製造方法について、図５を参照し
ながら説明する。
止ガラス基板１００の製造方法について、図５を参照し
ながら説明する。
【００３２】まず、図５（Ａ）に示すように、封止ガラ
ス基板１００上に酸化クロム層及びクロム層１０４ａを
スパッタ法により形成する。次に、図５（Ｂ）に示すよ
うに、酸化クロム層及びクロム層１０４ａ上にホトレジ
スト１０５を形成する。ホトレジスト１０５は、周辺駆
動回路に対応する位置に形成される。
ス基板１００上に酸化クロム層及びクロム層１０４ａを
スパッタ法により形成する。次に、図５（Ｂ）に示すよ
うに、酸化クロム層及びクロム層１０４ａ上にホトレジ
スト１０５を形成する。ホトレジスト１０５は、周辺駆
動回路に対応する位置に形成される。
【００３３】次に、図５（Ｃ）に示すように、ホトレジ
スト１０５をマスクとして酸化クロム層及びクロム層１
０４ａをエッチング除去する。すると、ホトレジスト１
０５の下層には遮光層１０４が残存する。
スト１０５をマスクとして酸化クロム層及びクロム層１
０４ａをエッチング除去する。すると、ホトレジスト１
０５の下層には遮光層１０４が残存する。
【００３４】そして、図５（Ｄ）に示すように、ホトレ
ジスト１０５及び遮光層１０４をマスクとして、封止ガ
ラス基板１００の表面をフッ酸（ＨＦ）を用いてエッチ
ングする。エッチング時間は例えば、２時間であり、そ
のエッチング量は０．３ｍｍ程度である。ここで、遮光
層１０４は、ホトレジスト１０５と共にエッチングのマ
スクとして機能する。これにより、ポケット領域１０２
が形成される。
ジスト１０５及び遮光層１０４をマスクとして、封止ガ
ラス基板１００の表面をフッ酸（ＨＦ）を用いてエッチ
ングする。エッチング時間は例えば、２時間であり、そ
のエッチング量は０．３ｍｍ程度である。ここで、遮光
層１０４は、ホトレジスト１０５と共にエッチングのマ
スクとして機能する。これにより、ポケット領域１０２
が形成される。
【００３５】その後、図５（Ｅ）に示すように、ホトレ
ジスト１０５を除去する。遮光層１０４は除去せずに、
そのまま残存させる。そして、図５（Ｆ）に示すよう
に、ポケット領域１０２の底部に、乾燥剤層１０３を形
成する。そして、このように加工された封止ガラス基板
１００は、シール樹脂１０１を用いてデバイスガラス基
板２００と貼り合わされる。これにより、図３に示した
有機ＥＬパネルが完成する。
ジスト１０５を除去する。遮光層１０４は除去せずに、
そのまま残存させる。そして、図５（Ｆ）に示すよう
に、ポケット領域１０２の底部に、乾燥剤層１０３を形
成する。そして、このように加工された封止ガラス基板
１００は、シール樹脂１０１を用いてデバイスガラス基
板２００と貼り合わされる。これにより、図３に示した
有機ＥＬパネルが完成する。
【００３６】上述の製造方法によれば、ポケット領域１
０２を形成する際に用いた酸化クロム層及びクロム層を
遮光層１０４として利用しているので、ポケット領域１
０２を備えた有機ＥＬパネルにおいては、特別に遮光層
を形成する工程を設ける必要がなく、製造工程を簡略化
することができる。
０２を形成する際に用いた酸化クロム層及びクロム層を
遮光層１０４として利用しているので、ポケット領域１
０２を備えた有機ＥＬパネルにおいては、特別に遮光層
を形成する工程を設ける必要がなく、製造工程を簡略化
することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、デバイスガラス基板２
００に、周辺駆動回路領域への光の入射を遮るための遮
光層１０４を設けたので、有機ＥＬパネルの輪郭が鮮明
になり、表示のコントラストが向上するという効果を奏
する。
００に、周辺駆動回路領域への光の入射を遮るための遮
光層１０４を設けたので、有機ＥＬパネルの輪郭が鮮明
になり、表示のコントラストが向上するという効果を奏
する。
【００３８】しかも、周辺駆動回路を構成するＴＦＴｂ
の下層には、遮光層を形成する必要がないので、ＴＦＴ
ｂの能動層の結晶粒径を均一に制御することが可能にな
る。
の下層には、遮光層を形成する必要がないので、ＴＦＴ
ｂの能動層の結晶粒径を均一に制御することが可能にな
る。
【図１】本発明の実施形態に係るデバイスガラス基板２
００の構成を示す平面図である。
００の構成を示す平面図である。
【図２】図１における画素領域３００を構成する一画素
の等価回路図を示す。
の等価回路図を示す。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬパネルの構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】画素領域３００と周辺駆動回路領域（例えば、
垂直駆動回路３０２の領域）の部分断面図断面図であ
る。
垂直駆動回路３０２の領域）の部分断面図断面図であ
る。
【図５】封止ガラス基板１００の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図６】従来例の有機ＥＬパネルの構造を示す概略図で
ある。
ある。
１ デバイスガラス基板， ２ 絶縁膜， ３ 遮光
層， ４ シール樹脂，５ 封止ガラス基板， ５０
ゲート信号線， ６０ ドレイン信号線，１００ 封止
ガラス基板， １０１ シール樹脂， １０２ ポケッ
ト領域，１０３ 乾燥剤層， １０４ 遮光層， １０
５ ホトレジスト，１０６ ＴＦＴ， １１０ ＴＦ
Ｔ， １２０ 有機ＥＬ素子，１２１ アノード， １
２２ カソード， １２３ 発光素子層，１３０ 保持
容量， １３１ 保持容量電極， ２００ デバイスガ
ラス基板，２０１ 遮光層， ２０２ 絶縁性基板，
２１０ 絶縁膜，２１１ 能動層， ２１２ ゲート絶
縁膜， ２１３ ゲート電極，２１４ 層間絶縁膜，
２１５ 電源線， ２１６ 第１平坦化絶縁膜，２１７
ソース電極， ２１８ アノード層， ２１９ 第２
平坦化絶縁膜，２２０ ホール輸送層， ２２１ 発光
層， ２２２ 電子輸送層，２２３ カソード層， ３
００ 画素領域， ３０１ 水平駆動回路，３０２ 垂
直駆動回路
層， ４ シール樹脂，５ 封止ガラス基板， ５０
ゲート信号線， ６０ ドレイン信号線，１００ 封止
ガラス基板， １０１ シール樹脂， １０２ ポケッ
ト領域，１０３ 乾燥剤層， １０４ 遮光層， １０
５ ホトレジスト，１０６ ＴＦＴ， １１０ ＴＦ
Ｔ， １２０ 有機ＥＬ素子，１２１ アノード， １
２２ カソード， １２３ 発光素子層，１３０ 保持
容量， １３１ 保持容量電極， ２００ デバイスガ
ラス基板，２０１ 遮光層， ２０２ 絶縁性基板，
２１０ 絶縁膜，２１１ 能動層， ２１２ ゲート絶
縁膜， ２１３ ゲート電極，２１４ 層間絶縁膜，
２１５ 電源線， ２１６ 第１平坦化絶縁膜，２１７
ソース電極， ２１８ アノード層， ２１９ 第２
平坦化絶縁膜，２２０ ホール輸送層， ２２１ 発光
層， ２２２ 電子輸送層，２２３ カソード層， ３
００ 画素領域， ３０１ 水平駆動回路，３０２ 垂
直駆動回路
Claims (6)
- 【請求項１】 エレクトロルミネッセンス素子を含む画
素領域と該エレクトロルミネッセンス素子を駆動するた
めの駆動信号を供給する周辺駆動回路領域とを有する第
１の基板と、 前記第１の基板と貼り合わされた第２の基板と、 前記第２の基板側に、前記周辺駆動回路領域への光の入
射を遮るための遮光層と、を具備することを特徴とする
エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 前記第２の基板の表面に形成され、乾燥
剤を収納するポケット領域と、を具備し、前記遮光層は
前記ポケット領域の周辺領域に形成されていることを特
徴とすることを特徴とする請求項１記載のエレクトロル
ミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光層は、酸化クロム層上にクロム
層を積層して成ることを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項４】 前記第１の基板及び第２の基板はガラス
基板であることを特徴とする請求項１、２、３のいずれ
かに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項５】 エレクトロルミネッセンス素子を含む画
素領域と該エレクトロルミネッセンス素子を駆動するた
めの駆動信号を供給する周辺駆動回路領域とを有する第
１の基板と、 前記第１の基板と貼り合わされた第２の基板と、を具備
するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であ
って、 前記第２の基板上に遮光材料層を形成する工程と、 前記第２の基板の周辺領域の前記遮光材料層上にホトレ
ジスト層を形成する工程と、 前記ホトレジスト層をマスクとして前記遮光材料層をエ
ッチング除去し、前記ホトレジスト層の下に遮光層を残
す工程と、 前記ホトレジスト層及び遮光層をマスクとして前記第２
の基板をエッチングしてポケット領域と形成する工程
と、 前記ホトレジスト層を除去する工程と、 前記ポケット領域に乾燥剤層を形成する工程と、更に、
この第２の基板と前記第１の基板とをシール樹脂を用い
て貼り合わせる工程とを具備し、前記遮光層により前記
周辺駆動回路領域への光の入射を遮るようにしたことを
特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記遮光材料層は酸化クロム層上にクロ
ム層を積層して成ることを特徴とする請求項５記載のエ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002134354A JP2003332045A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| TW092109561A TWI232067B (en) | 2002-05-09 | 2003-04-24 | Electroluminescence display device and method for making the same |
| US10/430,383 US20040012549A1 (en) | 2002-05-09 | 2003-05-07 | Electroluminescent display device and manufacturing method of the same |
| KR10-2003-0028796A KR100506113B1 (ko) | 2002-05-09 | 2003-05-07 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CNB03123450XA CN1311714C (zh) | 2002-05-09 | 2003-05-08 | 电致发光显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002134354A JP2003332045A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332045A true JP2003332045A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29697027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002134354A Pending JP2003332045A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040012549A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003332045A (ja) |
| KR (1) | KR100506113B1 (ja) |
| CN (1) | CN1311714C (ja) |
| TW (1) | TWI232067B (ja) |
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| JP2010056025A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Casio Comput Co Ltd | 発光パネル及び発光パネルの製造方法 |
| JP2011007909A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、および当該カラーフィルタを備えた有機ｅｌ表示装置 |
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| JP2006238328A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Sony Corp | 会議システム及び会議端末装置並びに携帯端末装置 |
| TWI299635B (en) * | 2005-12-09 | 2008-08-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent display |
| KR100671643B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100688789B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101407584B1 (ko) | 2008-06-10 | 2014-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101073215B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2011-10-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치 |
| KR101097340B1 (ko) | 2010-03-08 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
| KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN106873238A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种对向基板、显示面板、显示装置及制作方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3343645B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2002-11-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP2189839A1 (en) * | 1997-10-31 | 2010-05-26 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical apparatus and electronic device |
| GB9803764D0 (en) * | 1998-02-23 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| JP2000003783A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP3141860B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP3423261B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| TW521226B (en) * | 2000-03-27 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| JP4678933B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2011-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
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-
2002
- 2002-05-09 JP JP2002134354A patent/JP2003332045A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-24 TW TW092109561A patent/TWI232067B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-07 KR KR10-2003-0028796A patent/KR100506113B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-05-07 US US10/430,383 patent/US20040012549A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-08 CN CNB03123450XA patent/CN1311714C/zh not_active Expired - Fee Related
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