JP2003264063A - 表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイス基板と封止基板とをシール樹脂を介
して貼り合わせて成る表示装置に関し、封止基板に塗布
される乾燥剤の経路を長くすることで、総表面積を増大
させ、吸湿効果を向上させる。 【解決手段】 本発明の表示装置は、デバイス基板２０
０と封止基板３００とを貼り合わせて成るものにおい
て、前記封止基板３００に複数の屈折部または複数の屈
曲部３０１を有する形状となるように乾燥剤３０３が塗
布された状態で、前記デバイス基板２００と封止基板３
００とが貼り合わされていることを特徴とするものであ
る。
して貼り合わせて成る表示装置に関し、封止基板に塗布
される乾燥剤の経路を長くすることで、総表面積を増大
させ、吸湿効果を向上させる。 【解決手段】 本発明の表示装置は、デバイス基板２０
０と封止基板３００とを貼り合わせて成るものにおい
て、前記封止基板３００に複数の屈折部または複数の屈
曲部３０１を有する形状となるように乾燥剤３０３が塗
布された状態で、前記デバイス基板２００と封止基板３
００とが貼り合わされていることを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自発光素子を備え
た表示装置に関するものであり、特にエレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えた表示装置に
関する。
た表示装置に関するものであり、特にエレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えた表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thi
n Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thi
n Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】上記ＥＬ表示装置は、例えば、透明なガラ
ス基板（以下、絶縁性基板）上にＴＦＴ及び有機ＥＬ素
子が順に積層形成されている。
ス基板（以下、絶縁性基板）上にＴＦＴ及び有機ＥＬ素
子が順に積層形成されている。
【０００４】この絶縁性基板上にゲート電極が形成さ
れ、その上にゲート絶縁膜及びｐ−Ｓｉ膜から成る能動
層が順に形成されている。
れ、その上にゲート絶縁膜及びｐ−Ｓｉ膜から成る能動
層が順に形成されている。
【０００５】その能動層には、ゲート電極上方のチャネ
ルと、このチャネルを介してゲート電極の両側にソース
・ドレイン領域が設けられている。
ルと、このチャネルを介してゲート電極の両側にソース
・ドレイン領域が設けられている。
【０００６】そして、前記ゲート絶縁膜、能動層上の全
面に層間絶縁膜が形成され、前記ドレイン領域に対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を塗布してド
レイン電極が形成されている。
面に層間絶縁膜が形成され、前記ドレイン領域に対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を塗布してド
レイン電極が形成されている。
【０００７】更に、全面に、例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜が形成され、当該平坦化絶
縁膜のソース領域に対応した位置にコンタクトホールが
形成され、このコンタクトホールを介してソース領域と
コンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成るソ
ース電極を兼ねた、ＥＬ素子の陽極が平坦化絶縁膜上に
形成されている。
面を平坦にする平坦化絶縁膜が形成され、当該平坦化絶
縁膜のソース領域に対応した位置にコンタクトホールが
形成され、このコンタクトホールを介してソース領域と
コンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成るソ
ース電極を兼ねた、ＥＬ素子の陽極が平坦化絶縁膜上に
形成されている。
【０００８】そして、このＩＴＯから成る陽極上にホー
ル輸送層が形成され、当該ホール輸送層上にＥＬ素子が
形成され、当該ＥＬ素子を被覆するように電子輸送層が
形成され、その上に陰極が積層形成されている。
ル輸送層が形成され、当該ホール輸送層上にＥＬ素子が
形成され、当該ＥＬ素子を被覆するように電子輸送層が
形成され、その上に陰極が積層形成されている。
【０００９】ここで、上記ＥＬ素子が形成された基板
を、以下デバイス基板２００と称して説明を続ける。
を、以下デバイス基板２００と称して説明を続ける。
【００１０】図７は、従来のＥＬ表示装置の封止状態を
説明するための図であり、先ず、図７に示すように前記
デバイス基板２００とガラス基板から成る封止基板３０
０とをディスペンサー装置等を用いて塗布される、例え
ばエポキシ樹脂等のシール樹脂４００を介して貼り合わ
せ、加熱硬化することで、デバイス基板２００と封止基
板３００とを貼り合わせていた。
説明するための図であり、先ず、図７に示すように前記
デバイス基板２００とガラス基板から成る封止基板３０
０とをディスペンサー装置等を用いて塗布される、例え
ばエポキシ樹脂等のシール樹脂４００を介して貼り合わ
せ、加熱硬化することで、デバイス基板２００と封止基
板３００とを貼り合わせていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このとき、封止基板側
に乾燥剤を塗布することで、外部からの水分等を吸湿し
て、ＥＬ素子の動作不良が起きないように対応してい
る。
に乾燥剤を塗布することで、外部からの水分等を吸湿し
て、ＥＬ素子の動作不良が起きないように対応してい
る。
【００１２】乾燥剤の吸湿能力は、当該乾燥剤の重量と
総表面積に関係している。そのため従来では、乾燥剤の
吸湿量を増大させるために重量を増加させていた。この
ように従来では、重量を重視して総表面積に関係する形
状に関してはあまり考慮されていなかった。そのため、
効率的な吸湿作用が行えていなかった。
総表面積に関係している。そのため従来では、乾燥剤の
吸湿量を増大させるために重量を増加させていた。この
ように従来では、重量を重視して総表面積に関係する形
状に関してはあまり考慮されていなかった。そのため、
効率的な吸湿作用が行えていなかった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題に鑑み
本発明の表示装置は、デバイス基板と封止基板とを貼り
合わせて成るものにおいて、前記封止基板に複数の屈折
部または複数の屈曲部を有する形状となるように乾燥剤
が塗布された状態で、前記デバイス基板と封止基板とが
貼り合わされていることを特徴とするものである。
本発明の表示装置は、デバイス基板と封止基板とを貼り
合わせて成るものにおいて、前記封止基板に複数の屈折
部または複数の屈曲部を有する形状となるように乾燥剤
が塗布された状態で、前記デバイス基板と封止基板とが
貼り合わされていることを特徴とするものである。
【００１４】また、前記封止基板に塗布された乾燥剤
が、前記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、螺
旋形状を成していることを特徴とするものである。
が、前記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、螺
旋形状を成していることを特徴とするものである。
【００１５】更に、前記封止基板に塗布された乾燥剤
が、前記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、つ
づら折り形状を成していることを特徴とするものであ
る。
が、前記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、つ
づら折り形状を成していることを特徴とするものであ
る。
【００１６】また、前記封止基板に塗布された乾燥剤
が、前記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、渦
巻き形状を成していることを特徴とするものである。
が、前記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、渦
巻き形状を成していることを特徴とするものである。
【００１７】更に、前記複数の屈折部または複数の屈曲
部を有する形状となるように塗布された乾燥剤の側壁面
が、封止基板上面から露出するように形成されているこ
とを特徴とするものである。
部を有する形状となるように塗布された乾燥剤の側壁面
が、封止基板上面から露出するように形成されているこ
とを特徴とするものである。
【００１８】そして、前記デバイス基板が、ＥＬ表示装
置を構成していることを徴とするものである。
置を構成していることを徴とするものである。
【００１９】係る構成により、複数の屈折部または複数
の屈曲部を有する形状となるように乾燥剤を塗布するこ
とで、前記封止基板上に塗布される乾燥剤の経路が長く
なる。従って、封止基板に塗布される乾燥剤の量が従来
と同じであっても、当該封止基板上に塗布される乾燥剤
の経路が長くなることで、乾燥剤の上面と側壁面からな
る乾燥剤の総表面積が増大するため、外部から侵入する
水分等の吸湿作用が向上し、デバイス基板を構成するＥ
Ｌ素子に対する防湿効率が向上する。
の屈曲部を有する形状となるように乾燥剤を塗布するこ
とで、前記封止基板上に塗布される乾燥剤の経路が長く
なる。従って、封止基板に塗布される乾燥剤の量が従来
と同じであっても、当該封止基板上に塗布される乾燥剤
の経路が長くなることで、乾燥剤の上面と側壁面からな
る乾燥剤の総表面積が増大するため、外部から侵入する
水分等の吸湿作用が向上し、デバイス基板を構成するＥ
Ｌ素子に対する防湿効率が向上する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の表示装置を有機ＥＬ表示
装置に応用した場合について、以下に説明する。
装置に応用した場合について、以下に説明する。
【００２１】図２に本発明が適用される有機ＥＬ表示装
置の表示画素付近を示す平面図を示し、図３（ａ）に図
２中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図
２中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
置の表示画素付近を示す平面図を示し、図３（ａ）に図
２中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図
２中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２２】図２及び図３に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１０が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１０が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
【００２３】この表示画素１１０には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
【００２４】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００２５】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【００２６】図３に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板または導電性を有す
る基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及
び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板
１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる
場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなど
の絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極
がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるト
ップゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板または導電性を有す
る基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及
び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板
１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる
場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなど
の絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極
がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるト
ップゲート構造である。
【００２７】先ず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００２８】図３（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１上に、非晶質シ
リコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ
法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して
溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。そ
の上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体を
ゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１上に、非晶質シ
リコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ
法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して
溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。そ
の上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体を
ゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
【００２９】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を塗布したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を塗布したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
【００３０】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。図３（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶
化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形
成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレ
イン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１
２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及
びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を塗布して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
第２のＴＦＴ４０について説明する。図３（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶
化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形
成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレ
イン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１
２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及
びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を塗布して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
【００３１】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
【００３２】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁性基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁性基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００３３】以下、従来技術の説明の項目で用いた符号
を転用して説明すると、前記ＥＬ素子６０が形成された
デバイス基板２００を封止基板３００とシール樹脂４０
０とを用いて、当該ＥＬ素子６０を樹脂封止すること
で、ＥＬ表示装置が完成する。
を転用して説明すると、前記ＥＬ素子６０が形成された
デバイス基板２００を封止基板３００とシール樹脂４０
０とを用いて、当該ＥＬ素子６０を樹脂封止すること
で、ＥＬ表示装置が完成する。
【００３４】ここで、本発明の特徴は、前記デバイス基
板２００と封止基板３００とを貼り合わせて成る表示装
置において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように前記封止
基板３００上に複数の屈折部または複数の屈曲部３０１
を有する形状となるように乾燥剤３０３が塗布されてい
ることである。そして、当該乾燥剤３０３が、複数の屈
折部または複数の屈曲部３０１によって螺旋形状を成す
が如く塗布された状態で、前記デバイス基板２００と封
止基板３００とが貼り合わされていることを特徴とする
ものである。尚、図１（Ａ）では、前記封止基板３００
に設けた溝３０２内に乾燥剤３０３を塗布しており、図
１（Ｂ）では、前記封止基板３００上に直接、乾燥剤３
０３を塗布している。
板２００と封止基板３００とを貼り合わせて成る表示装
置において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように前記封止
基板３００上に複数の屈折部または複数の屈曲部３０１
を有する形状となるように乾燥剤３０３が塗布されてい
ることである。そして、当該乾燥剤３０３が、複数の屈
折部または複数の屈曲部３０１によって螺旋形状を成す
が如く塗布された状態で、前記デバイス基板２００と封
止基板３００とが貼り合わされていることを特徴とする
ものである。尚、図１（Ａ）では、前記封止基板３００
に設けた溝３０２内に乾燥剤３０３を塗布しており、図
１（Ｂ）では、前記封止基板３００上に直接、乾燥剤３
０３を塗布している。
【００３５】また、図４（Ａ）は図１（Ａ）中のＣ１−
Ｃ１線に沿った断面図を示し、図４（Ｂ）は図１（Ｂ）
中のＣ２−Ｃ２線に沿った断面図を示している。尚、前
記溝３０２内に乾燥剤３０３を塗布する際には、溝３０
２内が乾燥剤３０３により完全に埋設されないように塗
布することで、溝３０２と乾燥剤３０３との隙間から乾
燥剤３０３の側壁面が露出するようにしている。これに
より、図４（Ｂ）に示す封止基板３００上に直接、乾燥
剤３０３を塗布するものと同様に、従来に比して乾燥剤
３０３の総表面積を増大させることができる。
Ｃ１線に沿った断面図を示し、図４（Ｂ）は図１（Ｂ）
中のＣ２−Ｃ２線に沿った断面図を示している。尚、前
記溝３０２内に乾燥剤３０３を塗布する際には、溝３０
２内が乾燥剤３０３により完全に埋設されないように塗
布することで、溝３０２と乾燥剤３０３との隙間から乾
燥剤３０３の側壁面が露出するようにしている。これに
より、図４（Ｂ）に示す封止基板３００上に直接、乾燥
剤３０３を塗布するものと同様に、従来に比して乾燥剤
３０３の総表面積を増大させることができる。
【００３６】係る構成により、本発明の表示装置は、屈
折部または屈曲部３０１を有するように封止基板３００
に形成した溝３０２内に塗布される乾燥剤３０３の量
が、あるいは封止基板３００上に直接、塗布される乾燥
剤３０３の量が、例えば従来と同じであっても乾燥剤３
０３の塗布された経路が長くなることで、当該乾燥剤３
０３の上面と側壁面からなる総表面積が増大するため、
外部から侵入する水分等の吸湿作用が向上し、デバイス
基板２００を構成するＥＬ素子６０に対する防湿効率を
向上させることができる。
折部または屈曲部３０１を有するように封止基板３００
に形成した溝３０２内に塗布される乾燥剤３０３の量
が、あるいは封止基板３００上に直接、塗布される乾燥
剤３０３の量が、例えば従来と同じであっても乾燥剤３
０３の塗布された経路が長くなることで、当該乾燥剤３
０３の上面と側壁面からなる総表面積が増大するため、
外部から侵入する水分等の吸湿作用が向上し、デバイス
基板２００を構成するＥＬ素子６０に対する防湿効率を
向上させることができる。
【００３７】尚、前記複数の屈折部または複数の屈曲部
３０１としては、図１に示すようにコーナー部で直角に
屈折するものに限らず、図示しないが、コーナー部で所
定のＲ（半径）を有するように屈曲するものであっても
構わない。
３０１としては、図１に示すようにコーナー部で直角に
屈折するものに限らず、図示しないが、コーナー部で所
定のＲ（半径）を有するように屈曲するものであっても
構わない。
【００３８】更に、本実施形態では乾燥剤３０３とし
て、例えば、粉末状の酸化カリウムや酸化バリウム等を
用い、これらを溶剤を用いて樹脂に溶かした状態にして
前記溝３０１内に、あるいは封止基板３００上に塗布
し、加熱処理することで硬化させている。
て、例えば、粉末状の酸化カリウムや酸化バリウム等を
用い、これらを溶剤を用いて樹脂に溶かした状態にして
前記溝３０１内に、あるいは封止基板３００上に塗布
し、加熱処理することで硬化させている。
【００３９】以下、本発明の他の実施形態について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００４０】図５は第２の実施形態を示すもので、前記
封止基板３００に複数の屈折部または複数の屈曲部３１
１を有する形状となるように乾燥剤３１３が塗布され、
つづら折り形状を成した状態を示している。
封止基板３００に複数の屈折部または複数の屈曲部３１
１を有する形状となるように乾燥剤３１３が塗布され、
つづら折り形状を成した状態を示している。
【００４１】尚、図５（Ａ）では、前記封止基板３００
に設けた溝３１２内に乾燥剤３１３を塗布しており、図
５（Ｂ）では、前記封止基板３００上に直接、乾燥剤３
１３を塗布している。この場合も、溝３１２内が乾燥剤
３１３により完全に埋設されないように塗布している。
に設けた溝３１２内に乾燥剤３１３を塗布しており、図
５（Ｂ）では、前記封止基板３００上に直接、乾燥剤３
１３を塗布している。この場合も、溝３１２内が乾燥剤
３１３により完全に埋設されないように塗布している。
【００４２】本実施形態においても、前記屈折部または
屈曲部３１１を有する形状となるように乾燥剤３１３を
塗布することで、当該乾燥剤３１３が塗布される経路が
長くなり、乾燥剤３１３の量が従来と同じであっても乾
燥剤３１３の上面と側壁面からなる総表面積が増大する
ため、防湿効率が向上する。従って、ＥＬ素子６０の動
作不良の発生を回避可能にしている。
屈曲部３１１を有する形状となるように乾燥剤３１３を
塗布することで、当該乾燥剤３１３が塗布される経路が
長くなり、乾燥剤３１３の量が従来と同じであっても乾
燥剤３１３の上面と側壁面からなる総表面積が増大する
ため、防湿効率が向上する。従って、ＥＬ素子６０の動
作不良の発生を回避可能にしている。
【００４３】尚、前記複数の屈折部または複数の屈曲部
３１１としては、図５に示すようにコーナー部で直角に
屈折するものに限らず、図示しないが、コーナー部で所
定のＲ（半径）を有するように屈曲するものであっても
構わない。
３１１としては、図５に示すようにコーナー部で直角に
屈折するものに限らず、図示しないが、コーナー部で所
定のＲ（半径）を有するように屈曲するものであっても
構わない。
【００４４】次に、図６は第３の実施形態を示すもの
で、前記封止基板３００に渦巻き形状を成すが如く乾燥
剤３２３が塗布されている。
で、前記封止基板３００に渦巻き形状を成すが如く乾燥
剤３２３が塗布されている。
【００４５】尚、図６（Ａ）では、前記封止基板３００
に設けた溝３２２内に乾燥剤３２３を塗布しており、図
６（Ｂ）では、前記封止基板３００上に直接、乾燥剤３
２３を塗布している。この場合も、溝３１２内が乾燥剤
３１３により完全に埋設されないように塗布している。
に設けた溝３２２内に乾燥剤３２３を塗布しており、図
６（Ｂ）では、前記封止基板３００上に直接、乾燥剤３
２３を塗布している。この場合も、溝３１２内が乾燥剤
３１３により完全に埋設されないように塗布している。
【００４６】本実施形態においても、前記乾燥剤３２３
を塗布する際に、当該乾燥剤３２３が渦巻き形状となる
ように塗布することで、乾燥剤３２３の塗布される経路
が長くなり、乾燥剤３２３の量が従来と同じであっても
乾燥剤３２３の上面と側壁面からなる総表面積が増大す
るため、防湿効率が向上する。従って、ＥＬ素子６０の
動作不良の発生を回避可能にしている。
を塗布する際に、当該乾燥剤３２３が渦巻き形状となる
ように塗布することで、乾燥剤３２３の塗布される経路
が長くなり、乾燥剤３２３の量が従来と同じであっても
乾燥剤３２３の上面と側壁面からなる総表面積が増大す
るため、防湿効率が向上する。従って、ＥＬ素子６０の
動作不良の発生を回避可能にしている。
【００４７】尚、上述した各実施形態では、封止基板３
００に溝３０２，３１２，３２２を設け、当該溝３０
２，３１２，３２２内に乾燥剤３０３，３１３，３２３
を塗布する方式と、封止基板３００上に直接、乾燥剤３
０３，３１３，３２３を塗布する方式を紹介したが、溝
内に乾燥剤を塗布する方式では、当該封止基板３００と
前記デバイス基板２００との貼り合わせ時における乾燥
剤の膜厚に起因する段差が発生しない。更に言えば、乾
燥剤が塗布される封止基板３００の上面に凹部を形成
し、その上面凹部に図１（Ｂ）、図５（Ｂ）及び図６
（Ｂ）に示す各種形状となるように乾燥剤３０３，３１
３，３２３を塗布することでも、当該封止基板３００と
前記デバイス基板２００との貼り合わせ時における乾燥
剤の膜厚に起因する段差の発生を回避できる。
００に溝３０２，３１２，３２２を設け、当該溝３０
２，３１２，３２２内に乾燥剤３０３，３１３，３２３
を塗布する方式と、封止基板３００上に直接、乾燥剤３
０３，３１３，３２３を塗布する方式を紹介したが、溝
内に乾燥剤を塗布する方式では、当該封止基板３００と
前記デバイス基板２００との貼り合わせ時における乾燥
剤の膜厚に起因する段差が発生しない。更に言えば、乾
燥剤が塗布される封止基板３００の上面に凹部を形成
し、その上面凹部に図１（Ｂ）、図５（Ｂ）及び図６
（Ｂ）に示す各種形状となるように乾燥剤３０３，３１
３，３２３を塗布することでも、当該封止基板３００と
前記デバイス基板２００との貼り合わせ時における乾燥
剤の膜厚に起因する段差の発生を回避できる。
【００４８】更に言えば、本発明は乾燥剤を塗布する形
状を工夫することで当該乾燥剤の総表面積を増大させる
ものであれば良く、上記各実施形態の構成以外にも種々
の変更が可能であり、例えば細かく点状に乾燥剤を塗布
するものであっても良く、更には適当な文字を書くよう
形で乾燥剤を塗布するものであっても構わない。
状を工夫することで当該乾燥剤の総表面積を増大させる
ものであれば良く、上記各実施形態の構成以外にも種々
の変更が可能であり、例えば細かく点状に乾燥剤を塗布
するものであっても良く、更には適当な文字を書くよう
形で乾燥剤を塗布するものであっても構わない。
【００４９】更に、上記実施形態では、ＥＬ表示装置に
本発明を適用した例を紹介したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、液晶表示装置等の各種表示装置に
適用可能なものである。
本発明を適用した例を紹介したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、液晶表示装置等の各種表示装置に
適用可能なものである。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、デバイス基板と封止基
板とを貼り合わせて成る表示装置において、当該表示装
置内の乾燥剤の量が、例えば従来と同じであっても、封
止基板上に塗布される乾燥剤の経路が長くなることで、
従来に比して乾燥剤の上面と側壁面からなる乾燥剤の総
表面積が増大するため、外部から侵入する水分等の吸湿
作用が向上し、デバイス基板を構成するＥＬ素子に対す
る防湿効率を向上させることができる。
板とを貼り合わせて成る表示装置において、当該表示装
置内の乾燥剤の量が、例えば従来と同じであっても、封
止基板上に塗布される乾燥剤の経路が長くなることで、
従来に比して乾燥剤の上面と側壁面からなる乾燥剤の総
表面積が増大するため、外部から侵入する水分等の吸湿
作用が向上し、デバイス基板を構成するＥＬ素子に対す
る防湿効率を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の乾燥剤配置構造を説
明する平面図である。
明する平面図である。
【図２】本発明が適用されるＥＬ表示装置の平面図であ
る。
る。
【図３】本発明が適用されるＥＬ表示装置の断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第１の実施形態の乾燥剤配置構造を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の乾燥剤配置構造を説
明する平面図である。
明する平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態の乾燥剤配置構造を説
明する平面図である。
明する平面図である。
【図７】従来のデバイス基板と封止基板との貼り合わせ
構造について説明するための図である。
構造について説明するための図である。
２００ デバイス基板
３００ 封止基板
３０１ 屈折部または屈曲部
３０３ 乾燥剤
Claims (6)
- 【請求項１】 デバイス基板と封止基板とを貼り合わせ
て成る表示装置において、 前記封止基板に複数の屈折部または複数の屈曲部を有す
る形状となるように乾燥剤が塗布された状態で、前記デ
バイス基板と封止基板とが貼り合わされていることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記封止基板に塗布された乾燥剤が、前
記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、螺旋形状
を成していることを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。 - 【請求項３】 前記封止基板に塗布された乾燥剤が、前
記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、つづら折
り形状を成していることを特徴とする請求項１に記載の
表示装置。 - 【請求項４】 前記封止基板に塗布された乾燥剤が、前
記複数の屈折部または複数の屈曲部によって、渦巻き形
状を成していることを特徴とする請求項１に記載の表示
装置。 - 【請求項５】 前記複数の屈折部または複数の屈曲部を
有する形状となるように塗布された乾燥剤の側壁面が、
封止基板上面から露出するように形成されていることを
特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の表
示装置。 - 【請求項６】 前記デバイス基板が、ＥＬ表示装置を構
成していることを特徴とする請求項１から請求項５のい
ずれかに記載の表示装置。
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|---|---|---|---|
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| CNB031192300A CN1276686C (zh) | 2002-03-08 | 2003-03-06 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
| KR1020030014253A KR100582132B1 (ko) | 2002-03-08 | 2003-03-07 | 표시 장치 |
| US10/383,886 US6967438B2 (en) | 2002-03-08 | 2003-03-10 | Display device with desiccant coating |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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ID=28034863
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP4090253B2 (ja) |
| KR (1) | KR100582132B1 (ja) |
| CN (1) | CN1276686C (ja) |
| TW (1) | TW594616B (ja) |
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| JP2009037881A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2020021559A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
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| TWI255153B (en) * | 2003-10-20 | 2006-05-11 | Hitachi Displays Ltd | Organic EL display device |
| US7315047B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| DE102004024676A1 (de) * | 2004-05-18 | 2005-12-15 | Süd-Chemie AG | Filmförmige sorbenshaltige Zusammensetzungen |
| JP2005340020A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| US20060001041A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Lightronik Technology Inc. | Organic light emitting device |
| JP4837471B2 (ja) | 2006-02-20 | 2011-12-14 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP5650388B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2015-01-07 | 三菱電機株式会社 | 有機ｅｌパネル、パネル接合型発光装置、有機ｅｌパネルの製造方法 |
| KR101876540B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2018-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
| CN104916786B (zh) * | 2014-03-13 | 2017-02-15 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 薄膜封装器件 |
| CN104979373A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示用基板及显示装置 |
| US11655966B2 (en) * | 2019-01-14 | 2023-05-23 | Musco Corporation | Apparatus, method, and system for reducing moisture in LED lighting fixtures |
Family Cites Families (10)
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