JP5653730B2 - 平板表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11,41 バッファ層
12,42 活性層
13,43 ゲート絶縁層
14,44 ゲート電極
16,46 ソース及びドレイン電極
17,47 保護層
18,48 画素電極
20 上基板
21 共通電極
30 液晶層
49 画素定義膜
50 有機発光層
51 カソード電極
60 封止基板
100,200 表示パネル
15a,45a 第1層間絶縁膜
15b,45b 第2層間絶縁膜
Claims (15)
- 第1基板と、
前記第1基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む活性層と、
前記活性層を含む前記第1基板上に形成されたゲート絶縁層と、
前記チャネル領域上の前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース領域及びドレイン領域の活性層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第1層間絶縁膜と前記ソース電極及びドレイン電極との間に介在し、前記第1層間絶縁膜よりも薄い第2層間絶縁膜と、
前記ソース電極及びドレイン電極を含む前記第1層間絶縁膜上に形成された保護層と、
前記保護層に形成されたビアホールを介して前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続された画素電極とを備えることを特徴とする平板表示装置。 - 前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、
前記第2基板上に形成された共通電極と、
前記第1基板と前記第2基板との間に介在する液晶層とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記画素電極を含む前記保護層上に形成され、発光領域の前記画素電極が露出するようにパターニングされた画素定義膜と、
露出した前記画素電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成されたカソード電極とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記第2層間絶縁膜の厚さは、前記第1層間絶縁膜の60%〜85%であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記第1層間絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記第2層間絶縁膜がシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記活性層は、ポリシリコンで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記画素電極は、透明導電層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 第1基板上に、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む活性層を形成するステップと、
前記活性層を含む前記第1基板上にゲート絶縁層を形成するステップと、
前記チャネル領域上の前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極を含む前記ゲート絶縁層上に第1層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第1層間絶縁膜上に前記第1層間絶縁膜よりも薄い第2層間絶縁膜を形成するステップと、
熱処理するステップと、
前記第2層間絶縁膜、前記第1層間絶縁膜、及び前記ゲート絶縁層をパターニングして、前記ソース領域及びドレイン領域の活性層を露出させるステップと、
前記第2層間絶縁膜上に、前記ソース領域及びドレイン領域の活性層に接続されるようにソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、
露出した部分の前記第2層間絶縁膜を除去するステップと、
前記ソース電極及びドレイン電極を含む前記第1層間絶縁膜上に保護層を形成するステップと、
前記保護層をパターニングして、前記ソース電極または前記ドレイン電極を露出させるステップと、
前記保護層上に、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続されるように画素電極を形成するステップとを含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。 - 第2基板上に共通電極を形成するステップと、
前記第1基板と前記第2基板とを対向するように配置し、前記第1基板及び前記第2基板の縁に沿ってシール材を形成するステップと、
前記第1基板と前記第2基板との間の空間に液晶層を注入するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。 - 前記画素電極を含む前記保護層上に画素定義膜を形成した後、発光領域の前記画素電極を露出させるステップと、
露出した前記画素電極上に有機発光層を形成するステップと、
前記有機発光層上にカソード電極を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。 - 前記活性層は、ポリシリコンで形成することを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記第2層間絶縁膜は、前記第1層間絶縁膜の60%〜85%の厚さに形成することを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記第1層間絶縁膜がシリコン酸化膜で形成され、前記第2層間絶縁膜がシリコン窒化膜で形成されることを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記露出した部分の第2層間絶縁膜は、前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして用いたドライエッチングにより除去されることを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記画素電極は、透明導電層で形成されることを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置の製造方法。
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