JP2005285395A - 配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板10上に配置された複数の画素領域と、画素領域毎に配置されたTFTと、画素領域毎にITOで形成され、TFTのソース電極26に電気的に接続された陽極40と、陽極40上に形成された有機EL層42と、有機EL層42上に形成され、有機EL層からの光を透過させる陰極44とを備えた有機EL素子と、全体が陽極40に覆われて配置され、有機EL層42からの光を反射する反射板50とを有するように構成する。
【選択図】図1
Description
また、本発明の目的は、狭額縁化やパネルサイズの大型化が可能な配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置を提供することにある。
また、本発明によれば、狭額縁化やパネルサイズの大型化が可能な表示装置を実現できる。
本発明の第1の実施の形態による表示装置について図1を用いて説明する。図1は、本実施の形態による表示装置としてトップ・エミッション構造の有機EL表示装置の画素の断面構成を示している。図1に示すように、絶縁性を有するガラス基板10上の全面には、例えば膜厚200nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)からなる下地絶縁層30が形成されている。下地絶縁層30は、ガラス基板10からの不純物の拡散を防止するために設けられている。下地絶縁層30上には、例えば膜厚50nmのp−Si層からなる所定形状の半導体層31が形成されている。半導体層31上の基板全面には、例えば膜厚100nmのSiO2膜からなる絶縁膜32が形成されている。絶縁膜32上には、例えば膜厚400nmのMo層からなるゲート電極22が形成されている。ゲート電極22は、ゲート電極22と同一の形成材料で同時に形成されたゲートバスラインに接続されている。半導体層31のうちゲート電極22直下の領域はチャネル領域31aになっている。また、半導体層31のうちチャネル領域31aの両側の領域は、所定の不純物が注入されたドレイン領域31b及びソース領域31cになっている。ドレイン領域31b及びソース領域31cには、導電型がn型のn−chTFTではリン等のn型不純物が注入され、導電型がp型のp−chTFTではボロン等のp型不純物が注入されている。また、リーク電流による表示不良を低減するため、チャネル領域31aとドレイン領域31b及びソース領域31cとの間に低濃度不純物注入領域(LDD(Lightly Doped Drain)領域)を設けたLDD構造にすることも多い。
また、Al系金属からなる反射板50とITOからなる陽極40とが直接接触しているが、陽極40は反射板50全体を覆うように配置されているため両金属の接触界面が現像液等に触れることはなく、電蝕は生じない。
次に、本発明の第2の実施の形態による配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置について図2及び図3を用いて説明する。図2は、本実施の形態による表示装置用基板として、透過型液晶表示装置用基板の画素の構成及び配線構造を示している。図3(a)は図2のA−A線で切断した液晶表示装置の断面構成を示し、図3(b)は図2のB−B線で切断した液晶表示装置の断面構成を示している。図2及び図3(a)、(b)に示すように、液晶表示装置は、TFT基板2と、ガラス基板11上にカラーフィルタ層60や共通電極62が形成された対向基板4と、両基板2、4間に封止された液晶6とを有している。
次に、本発明の第3の実施の形態による配線構造及びそれを備えた表示装置用基板について図4及び図5を用いて説明する。図4は、本実施の形態による表示装置用基板の周辺回路における端子部近傍の配線構造を示している。図5は、図4のC−C線で切断した表示装置用基板の断面構成を示している。図4及び図5に示すように、TFT基板2上には、図4の上下方向に延びる4本の配線71、72、73、74が左から順に並列配置されている。配線71、73、74は、表示領域のドレインバスライン14(図4及び図5では図示せず)等と同一の形成材料(例えばTi、Al、Tiの積層)で形成されている。配線72は、ゲートバスライン12(図4及び図5では図示せず)等と同一の形成材料(例えばMo)で形成されている。
また本実施の形態では、ITO層77をパターニングする際に、ITO層77とAl系金属層76との接触界面が現像液やエッチング液に触れることがないため、電蝕の発生を防止できる。
例えば、上記実施の形態では、p−Siを動作半導体層に用いたトップゲート型TFTを備えた表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、a−Siを動作半導体層に用いた逆スタガ型TFTを備えた表示装置にも適用できる。
(付記1)
基板上に配置された複数の画素領域と、
前記画素領域毎に配置された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に透明導電材料で形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された陽極と、前記陽極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層からの光を透過させる陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
全体が前記陽極に覆われて配置され、前記有機エレクトロルミネッセンス層からの光を反射する反射板と
を有することを特徴とする表示装置。
(付記2)
付記1記載の表示装置において、
前記陽極は、前記反射板を介さずに前記ソース電極に電気的に接続されていること
を特徴とする表示装置。
(付記3)
付記1又は2に記載の表示装置において、
前記陽極は、前記反射板より大きくパターニングされていること
を特徴とする表示装置。
(付記4)
付記1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置において、
前記反射板は、Al又はAlを主成分とする合金で形成された光反射面を有していること
を特徴とする表示装置。
(付記5)
第1の配線と、前記第1の配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第1層と前記第1層上に形成された第2層とを備えた第2の配線とを有する配線構造であって、
前記第1層は、前記第2層の形成材料より低抵抗の材料で形成されて前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第2層は、前記第1層の全体を覆って形成されていること
を特徴とする配線構造。
(付記6)
付記5記載の配線構造において、
前記第1層は、少なくとも一部がAl又はAlを主成分とする合金で形成されていること
を特徴とする配線構造。
(付記7)
付記5又は6に記載の配線構造において、
前記第1層は、前記第1の配線に直接接続されていること
を特徴とする配線構造。
(付記8)
付記5乃至7のいずれか1項に記載の配線構造において、
前記第2層は、前記第1層より大きくパターニングされていること
を特徴とする配線構造。
(付記9)
付記5乃至8のいずれか1項に記載の配線構造において、
前記第2層は、前記絶縁膜の他の開口部を介して前記第1の配線に直接接続されていること
を特徴とする配線構造。
(付記10)
複数のバスラインを備えた表示装置用基板であって、
前記バスラインの少なくとも一部は、付記5乃至9のいずれか1項に記載の配線構造を構成していること
を特徴とする表示装置用基板。
(付記11)
周辺回路を備えた表示装置用基板であって、
前記周辺回路の配線の少なくとも一部は、付記5乃至9のいずれか1項に記載の配線構造を構成していること
を特徴とする表示装置用基板。
(付記12)
付記10又は11に記載の表示装置用基板において、
外部との接続に用いられる端子部をさらに有し、
前記端子部は、少なくとも上層部が前記第2層と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする表示装置用基板。
(付記13)
少なくとも1枚の基板を備えた表示装置であって、
前記基板として、付記10乃至12のいずれか1項に記載の表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする表示装置。
4 対向基板
6 液晶
10、11 ガラス基板
12 ゲートバスライン
14 ドレインバスライン
16 画素電極
22 ゲート電極
24 ドレイン電極
25、27、38、56、57、81、82、83 コンタクトホール
26 ソース電極
30 下地絶縁層
31 半導体層
31a チャネル領域
31b ドレイン領域
31c ソース領域
32 絶縁膜
34、36 層間絶縁膜
40 陽極
42 有機EL層
44 陰極
46 透明電極
50 反射板
52、71、72、73、74、75 配線
53、76 Al系金属層
54、77 ITO層
55 中間電極
60 カラーフィルタ層
62 共通電極
78 下部電極
79 上部電極
80 端子部
Claims (8)
- 基板上に配置された複数の画素領域と、
前記画素領域毎に配置された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に透明導電材料で形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された陽極と、前記陽極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、前記有機エレクトロルミネッセンス層からの光を透過させる陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
全体が前記陽極に覆われて配置され、前記有機エレクトロルミネッセンス層からの光を反射する反射板と
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記陽極は、前記反射板を介さずに前記ソース電極に電気的に接続されていること
を特徴とする表示装置。 - 請求項1又は2に記載の表示装置において、
前記反射板は、Al又はAlを主成分とする合金で形成された光反射面を有していること
を特徴とする表示装置。 - 第1の配線と、前記第1の配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第1層と前記第1層上に形成された第2層とを備えた第2の配線とを有する配線構造であって、
前記第1層は、前記第2層の形成材料より低抵抗の材料で形成されて前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第2層は、前記第1層の全体を覆って形成されていること
を特徴とする配線構造。 - 請求項4記載の配線構造において、
前記第1層は、少なくとも一部がAl又はAlを主成分とする合金で形成されていること
を特徴とする配線構造。 - 複数のバスラインを備えた表示装置用基板であって、
前記バスラインの少なくとも一部は、請求項4又は5に記載の配線構造を構成していること
を特徴とする表示装置用基板。 - 周辺回路を備えた表示装置用基板であって、
前記周辺回路の配線の少なくとも一部は、請求項4又は5に記載の配線構造を構成していること
を特徴とする表示装置用基板。 - 少なくとも1枚の基板を備えた表示装置であって、
前記基板として、請求項6又は7に記載の表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする表示装置。
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