KR102256308B1 - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

표시영역과 비표시영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제 2 전극; 상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치된 실링재; 상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치되며, 상기 실링재와 인접한 보강재; 및 상기 보강재에 인접하여 배치된 적어도 하나 이상의 스페이서;를 포함하는 표시장치를 제공한다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보강재를 균일하게 도포하기 위한 스페이서를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가 받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호를 변환함으로써 영상이 표시된다.
액정 표시 장치의 액정패널은 복수의 소자를 구비한 하부 기판과 컬러 필터를 구비한 상부 기판을 포함하며, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에는 상기 두 기판을 합착시키는 실링재가 개재된다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 사이에 두고 대향 배치된 한 쌍의 기판들을 실링재를 통해 합착 밀봉하여 만들어진다. 실링재는 기판의 가장자리를 따라 유기 발광 소자를 둘러싸도록 배치된다.
실링재는 취성을 갖는 실링 재료의 특성상 외부 충격을 받는 경우, 실링재와 기판의 접착면에 응력이 집중되고, 이로 인해 접착면의 일부에서 크랙(crack)이 발생하여 접착면을 따라 전체 기판으로 확산되는 문제점이 있다.
따라서, 이를 방지하기 위하여 실링재에 인접하게 보강재를 배치하여 외부에서 인가되는 충격을 분산시킨다. 단, 보강재의 도포 상태에 따라서 기구 강도 개선 효과가 낮을 수 있으므로 보강재를 균일하게 도포하는 것이 필요하다.
본 발명의 일 실시예에서는 보강재를 균일하게 도포하기 위한 스페이서를 포함하는 표시장치를 제안하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 표시영역과 비표시영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제 2 전극; 상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치된 실링재; 상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치되며, 상기 실링재와 인접한 보강재; 및 상기 보강재에 인접하여 배치된 적어도 하나 이상의 스페이서;를 포함하는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스페이서는 상기 보강재의 장변과 평행하게 배치된 복수개의 제1 스페이서; 및 상기 제1 스페이서와 직교하는 방향으로 상기 보강재 단변에 각각 인접하여 배치된 복수개의 제2 스페이서;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스페이서는 1 μm 내지 2 μm 의 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 스페이서는 상기 보강재의 장변에 인접하여 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 보강재는 상기 스페이서 사이에 배치된 돌출부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 스페이서는 서로 이격되어 배치될수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 스페이서는 0.4 μm 내지 0.6 μm 의 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 스페이서는 0.1 μm 내지 0.25 μm 의 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 기판상에 배치되며, 상기 제1 전극에 대응되어 개구부가 구비된 화소정의막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스페이서와 상기 화소정의막은 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스페이서는 상기 실링재와 동일한 높이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 실링재는 프릿(frit)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 보강재가 도포되는 면적을 증가시키고, 보강재의 균일성을 향상시키고, 표시장치의 기구 강도를 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 보강재 주입 공정에 의하여 생성된 기포를 나타낸 도면이다.
도 3은 제1 기판의 비표시영역의 일부를 확대하여 실링재 및 스페이서를 나타낸 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보강재 주입 공정을 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 표시장치를 A-A’선, B-B’선 및 C-C’선으로 절단한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 액정표시장치 일 수 있다. 이하에서는 표시장치가 유기발광 표시장치인 경우를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 보강재 주입 공정에 의하여 생성된 기포를 나타낸 도면이다. 도 3은 제1 기판의 비표시영역의 일부를 확대하여 실링재 및 스페이서를 나타낸 평면도이다. 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보강재 주입 공정을 나타내는 평면도이다. 도 5는 본 발명의 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 표시장치를 A-A’선, B-B’선 및 C-C’선으로 절단한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기발광 표시장치(10)는 표시 영역(PA)과 비표시 영역(NA)으로 구분된 제1 기판(110)를 포함한다. 제1기판(110)의 표시 영역(PA)에는 다수의 화소들이 형성되어 화상을 표시하고, 비표시 영역(NA)에는 하나 이상의 구동 회로가 형성된다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 기판(200)이 덮지 않는 제1 기판(110)의 영역(패드 영역, A10)에 구동 회로가 배치될 수 있다. 하지만, 본 발명의 일 실시예에서, 반드시 비표시 영역(NA)에 구동 회로가 형성되어야 하는 것은 아니며 생략될 수도 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 보강재(400) 내부에 기포가 생성되는 과정을 설명한다.
제1 기판(110)의 비표시영역에 실링재(300)가 배치된다. 실링재(300)의 강도를 개선하기 위해 보강재(400)가 도포된다. 예를 들면, 기존에 시린지(30)를 이용하여 보강재(400)를 도포한다. 일정한 주입 간격을 두고 보강재(400)를 주입하므로 도 2b에 도시된 D와 같이 빈 공간이 형성된다. 따라서, 상기 빈 공간을 통해 공기 등이 침투한다. 침투된 공기를 통해 보강재(400) 내부의 균일성이 낮아진다.
그 외에도, 보강재(400)를 도포할 경우, 제1 기판(110) 외부로 유출될 수도 있다.
이에 따라, 보강재(400)가 기판 외부로 유출되는 것을 방지하면서 보강재(400)의 도포 면적을 증가시킬 필요가 있다.
따라서, 본 발명에서 보강재를 균일하게 도포하고 기포 생성을 방지하기 위한 스페이서를 포함한 표시장치를 제안한다.
도 1 및 도 3을 참고하여 표시장치의 비표시 영역의 구조에 대해서 설명한다.
제1 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 실링재(300), 보강재(400) 및 스페이서(500)가 배치된다.
실링재(300)는 표시영역(PA)을 둘러쌀 수 있다. 보강재(400) 및 스페이서(500)는 표시영역(PA)의 상측, 좌측 및 우측을 둘러쌀 수 있다. 패드영역(A10)은 보강재(400) 및 스페이서(500)가 배치되지 않는다. 패드영역(A10)은 구동 회로 등이 배치되는 영역이기 때문이다.
실링재(300)는 실런트(sealant)일 수 있고, 프릿(frit)을 포함할 수 있다. 실링재(300)는 제1 기판(110)과 제2 기판(200)의 가장자리 사이에 배치된다. 즉, 실링재(300)는 제1 기판(110)의 표시 영역(PA)을 둘러싸도록 비표시 영역(NA)에 형성된다. 실링재(300)는 제1 기판(110)과 제2 기판(200)을 서로 합착 밀봉시킨다. 또한, 실링재(300)는 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 소재로 만들어질 수 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 실링재(300)과 제1 기판(110) 사이에 신호 또는 전원을 공급하기 위해 표시영역(PA)으로부터 비표시 영역(NA)으로 연장 형성된 다양한 도전 배선들이 절연 배치될 수 있다.
보강재(400)는 제1 기판(110)과 제2 기판(200)의 가장자리 사이에 배치된다. 즉, 보강재(400)는 실링재(300)의 상측, 좌측 및 우측을 둘러싸도록 비표시 영역(NA)에 형성된다. 보강재(400)는 실링재(300)를 지지하고, 기구 강도를 개선한다. 보강재(400)는 에폭시, 아크릴 및 우레탄 계열로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 보강재(400)는 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 소재로 만들어질 수 있다.
스페이서(500)는 보강재(400)가 형성될 영역을 정의하고, 보강재(400)가 유출되는 것을 방지한다. 스페이서(500)는 보강재(400)에 인접하여 배치된다.
스페이서(500)는 제1 스페이서(510) 및 제2 스페이서(520)를 포함한다. 하기에서 스페이서(500)는 도 3에 도시된 E 영역에 배치된 2 개의 제1 스페이서(510) 및 2 개의 제2 스페이서(520)를 의미한다. 따라서, 본 발명에서 스페이서(500)는 복수개가 배치된다. 스페이서(500)는 1μm 내지 2μm 의 폭을 가질 수 있다.
제1 스페이서(510)는 제1 기판(110)의 비표시영역(NA)에 형성되고, 보강재(400)의 장변과 평행하게 배치된다. 제1 스페이서(510)는 소정의 간격으로 서로 이격되어 배치된다. 제1 스페이서(510)는 보강재(400)의 장변과 인접하여 배치된다.
제2 스페이서(520)는 제1 스페이서(510)와 직교하는 방향으로 보강재(400) 사이에 배치된다. 1개 또는 2개 이상의 제2 스페이서(520)는 소정의 간격으로 서로 이격되어 배치된다. 제2 스페이서(520)는 보강재(400)의 단변과 인접하여 배치된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 제1 스페이서(510) 및 한 쌍의 제2 스페이서(520)가 하나의 그룹을 이룬다. 한 쌍의 제1 스페이서(510)는 보강재(400)와 평행하게 서로 이격되어 배치된 두 개의 제1 스페이서(510)를 의미한다. 한 쌍의 제2 스페이서(520)는 두 개의 제1 스페이서(510)와 직교하는 방향으로 배치된다. 즉, 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이 하나의 그룹은 E 영역에 포함된 두 개의 제1 스페이서(510) 및 두 개의 제2 스페이서(520)를 의미한다.
한 쌍의 제1 스페이서(510) 사이의 공간은 보강재 주입구(530) 역할을 한다. 즉, 보강재(400)는 보강재 주입구(530)를 통해 주입된다. 따라서, 하나의 그룹마다 보강재(400)가 각각 주입된다.
각각의 보강재 주입구(530)간의 간격은 1μm 내지 2 μm일 수 있다. 따라서, 제1 스페이서(510)는 0.4 μm 내지 0.6 μm의 길이를 가질 수 있다. 제2 스페이서(520)는 0.1 μm 내지 0.25 μm의 길이를 가질 수 있다. 상기 각각의 범위들은 일 실시예에 불과하고, 표시장치의 비표시영역의 폭에 따라 스페이서(500)의 길이가 다양하게 형성될 수 있다.
도 1을 참조하면, 스페이서(500)는 실링재(300)의 외각을 따라 기판의 상측, 우측 및 좌측에 복수개 배치된다. 한 쌍의 제1 스페이서(510)는 서로 이격되어 복수개 배치된다. 한 쌍의 제2 스페이서(520)는 서로 이격되어 복수개 배치된다. 한 쌍의 제2 스페이서(520)는 제1 스페이서(510) 사이에 배치된다.
스페이서(500)는 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다. 제1 기판(110)의 표시영역(PA)에 배치되는 화소정의막과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 표시영역(PA)에 배치되는 절연층, 기판 지지용 스페이서 등의 공정에서 노광량 등을 조절하여 스페이서(500)를 동시에 형성할 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 보강재가 주입되는 과정을 알 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 시린지(30) 등을 이용하여 보강재(400)가 주입된다. 보강재(400)는 보강재 주입구(530)를 통하여 E 영역의 하나의 그룹마다 주입된다. 주입된 보강재(400)는 제2 스페이서(520)와 실링재(300)간 일정거리 이격된 공간을 통해 서로 연결된다.
또한, 보강재는(400)는 하나의 그룹의 제 2 스페이서(520)과 다른 그룹의 제 2 스페이서(520)사이에 주입되어 돌출부를 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치는, 도 2b에 도시된 D 영역과 달리 보강재(400)사이의 빈 공간을 가지고 있지 않는다. 스페이서(500)는 보강재(400)를 도포하는 면적을 안정적으로 확보하고, 보강재(400)와 함께 표시장치의 기구 강도를 개선할 수 있다.
또한, 스페이서(500)는 실링재(300) 및 보강재(400)와 동일한 높이로 형성될 수 있다.
하기에서 도 5를 참조하여, 표시장치의 표시 영역의 구조에 대해서 설명한다.
제1기판(110)는 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1기판(110)가 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
제1기판(110) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일예로, 버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 버퍼층(120)은 제 1 기판(110)상에 반드시 배치될 필요는 없으며, 제1기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(120) 위에 반도체층(132)이 형성된다. 반도체층(132)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide)과 IZTO(Indium-Zinc-Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성된다. 예를 들어, 반도체층(132)가 다결정 규소막인 경우, 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(137) 및 드레인 영역(136)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
본 발명의 일 실시예에서는 박막 트랜지스터(20)로 P형 불순물을 사용한 PMOS 구조의 박막 트랜지스터가 사용되었으나 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 박막 트랜지스터(20)로 NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터도 모두 사용될 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터(20)는 다결정 박막 트랜지스터일수도 있고 비정질 규소막을 포함한 비정질 박막 트랜지스터 또는 산화물 반도체 박막 트랜지스터일수도 있다.
반도체층(132) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx), 및 산화 규소(SiO2) 중 하나 이상을 포함하여 형성된다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화 규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막으로 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 일 실시예에서, 게이트 절연막(140)이 전술한 구성에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선(미도시)이 형성된다. 게이트 배선은 게이트 라인(미도시), 제1 유지 전극(158) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 게이트 전극(155)은 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다. 게이트 전극(155)은 반도체층(132)을 형성하는 과정에서 반도체층(132)의 소스 영역(137)과 드레인 영역(136)에 불순물을 도핑할 때 채널 영역(135)에는 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(155)과 제1유지 전극(158)은 서로 동일한 층에 위치하며, 실질적으로 동일한 금속 물질로 형성된다. 이때, 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W) 중 하나 이상을 포함한다. 일례로, 게이트 전극(155) 및 제1유지전극(158)은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에는 게이트 전극(155)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성된다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 반도체층(132)의 소스 영역(137)을 드러내는 소스 접촉 구멍(167) 및 드레인 영역(136)을 드러내는 드레인 접촉 구멍(166)을 함께 갖는다. 층간 절연막(160)은, 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(177) 및 드레인 전극(176)을 포함하는 데이터 배선(미도시)이 형성된다. 데이터 배선은 데이터 라인(미도시), 공통 전원 라인(미도시), 제2 유지 전극(178) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 소스 전극(177) 및 드레인 전극(176)은 각각 접촉 구멍(166,167)들을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(137) 및 드레인 영역(136)과 연결된다.
이와 같이, 반도체층(132), 게이트 전극(155), 소스 전극(177) 및 드레인 전극(176)을 포함한 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 또한, 제1유지전극(158) 및 제2유지전극(178)을 포함한 축전 소자(80)도 형성된다. 이때, 층간 절연막(160)은 축전 소자(80)의 유전체가 된다.
박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선(미도시)을 덮는 평탄화막(180)이 형성된다. 평탄화막(180)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(70)의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(180)은 드레인 전극(176)의 일부를 노출시키는 제1 전극 접촉 구멍(186)을 갖는다.
평탄화막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
평탄화막(180) 상에 유기 발광 소자(70)의 제1 전극(710)이 형성된다. 여기서 제1 전극(710)은 애노드 전극을 말한다. 제1 전극(710)은 평탄화막(180)의 접촉 구멍(186)을 통해 드레인 전극(176)과 연결된다.
또한, 평탄화막(180) 위에는 제1 전극(710)을 드러내는 개구부를 갖는 화소 정의막(190)이 형성된다. 즉, 제1 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부 영역 내에서 제1 전극(710) 상에 유기 발광층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 상에는 제2 전극(730)이 형성된다.
이와 같이, 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 및 제2 전극(730)을 포함하는 유기 발광 소자(70)가 형성된다.
제1 전극(710)과 제2 전극(730) 중 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치(900)는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
투명한 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다. 반사형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 물질을 사용할 수 있다.
유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 이러한 유기 발광층(720)은 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 발광층, 전자 수송층(electrontransportiong layer, ETL), 그리고 전자 주입층(electron-injection layer, EIL)을 포함하는 다중막으로 형성된다. 즉, 정공 주입층은 양극인 제1 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
유기 발광 소자(70) 위로 제2기판(200)이 배치된다. 제2기판(200)은 제1기판(110)와 대향 배치되어 박막 트랜지스터(20) 및 유기 발광 소자(70)를 커버한다. 제2 기판(200)도, 제1 기판(110)과 마찬가지로, 유리, 석영 및 세라믹 등으로 만들어진 투명한 절연성 기판으로 형성될 수 있다. 또한, 제2기판(200)은 밀봉부재일 수 있고, 유기막과 무기막이 교대로 적층된 박막구조일 수 있다.
한편, 본 발명이 액정표시장치인 경우에, 제1 전극(710)은 접촉 구멍(186)을 통하여 드레인 전극(176)과 물리적?전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(176)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 제1 전극(710)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(도시하지 않음)의 제2 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 제1 전극(710)과 제2 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
이상에서 설명된 표시장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
10:유기발광표시장치 20:박막 트랜지스터
70:유기발광소자 80:축전 소자
110:제1기판 120:버퍼층
132:반도체층 132a:반도체막
135:채널영역 136:드레인영역
137:소스영역 140:게이트절연막
141:제1게이트절연막 142:제2게이트절연막
150:금속막 155:게이트전극
158:제1유지전극 160:층간절연막
166:드레인 접촉 구멍 167:소스 접촉 구멍
176:드레인전극 177:소스전극
178:제2유지전극,데이터배선
180:평탄화막 186:화소전극 접촉 구멍
190:화소정의막 195:화소정의막 개구부
200:제2기판 300:실링재
400:보강재 500:스페이서
510:제1 스페이서 520:제2 스페이서
530:보강재 주입구 710:화소전극
720:유기발광층 730:공통전극
30:시린지

Claims (19)

  1. 표시영역과 비표시영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;
    상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치된 실링재;
    상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치되며, 상기 실링재와 인접한 보강재; 및
    상기 보강재에 인접하여 배치된 적어도 하나 이상의 스페이서;를 포함하며,
    상기 보강재는 상기 스페이서 사이에 배치된 돌출부를 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서는
    상기 보강재의 장변과 평행하게 배치된 복수개의 제1 스페이서; 및
    상기 제1 스페이서와 직교하는 방향으로 상기 보강재 단변에 각각 인접하여 배치된 복수개의 제2 스페이서;를 포함하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스페이서는 1 μm 내지 2 μm 의 폭을 갖는 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 스페이서는 상기 보강재의 장변에 인접하여 배치된 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 실링재와 동일한 높이를 갖는 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 실링재는 상기 보강재와 접촉하는 표시장치.
  7. 표시영역과 비표시영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 제 2 전극;
    상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치된 실링재;
    상기 제1 기판의 비표시 영역과 상기 제2 기판 사이에 배치되며, 상기 실링재와 인접한 보강재; 및
    상기 보강재에 인접하여 배치된 적어도 하나 이상의 스페이서;를 포함하며,
    상기 스페이서는,
    상기 보강재의 장변과 평행하게 배치된 복수개의 제1 스페이서; 및
    상기 제1 스페이서와 직교하는 방향으로 상기 보강재 단변에 각각 인접하여 배치된 복수개의 제2 스페이서;를 포함하되, 상기 제2 스페이서는 서로 이격되어 배치된 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보강재는 상기 스페이서 사이에 배치된 돌출부를 포함하는 표시장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 스페이서는 0.4 μm 내지 0.6 μm 의 길이를 갖는 표시장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 스페이서는 0.1 μm 내지 0.25 μm 의 길이를 갖는 표시장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 기판상에 배치되며, 상기 제1 전극에 대응되어 개구부가 구비된 화소정의막을 더 포함하는 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 스페이서와 상기 화소정의막은 동일한 재료로 형성된 표시장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 실링재와 동일한 높이를 갖는 표시장치.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 실링재는 프릿(frit)인 표시장치.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 실링재는 상기 보강재와 접촉하는 표시장치.
  16. 표시영역과 비표시영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제1 기판의 비표시 영역에 배치되어 평면상으로 상기 표시영역을 둘러싸는 실링재;
    평면상으로 상기 실링재와 상기 제1 기판의 단부사이에 배치되는 스페이서; 및
    평면상으로 상기 실링재와 상기 스페이서 사이에 배치되는 보강재;를 포함하며,
    상기 보강재는 상기 스페이서 사이에 배치된 돌출부를 포함하는 표시장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 실링재와 동일한 높이를 갖는 표시장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 실링재는 상기 보강재와 접촉하는 표시장치.


  19. 삭제
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