TWI518408B - 平面顯示裝置及製造其的方法 - Google Patents
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Description
本揭技術具體實施例是有關於一種平面顯示裝置及製造其的方法，更詳細地說，是有關於一種具有經改良之顯示面板透光度的平面顯示裝置以及製造該平面顯示裝置的方法。
本申請案主張2009年12月1日向韓國智慧財產局申審之韓國專利申請案第10-2009-01178789號的優先權及權利，茲將該案內容整體按參考方式併入本案。
本申請案是有關於標題為「Flat Panel Display Device and Method of
Manufacturing the Same」(律師案號SMDSHN.157AUS)的美國專利申請案，該案係與本申請案同時申審，並且依其整體而按參考方式併入本案。
平面顯示裝置的種類包含利用液晶之電光性質的液晶顯示裝置以及利用有機發光二極體之自發射性質的有機發光顯示裝置。平面顯示裝置可區分為被動式矩陣類型和主動式矩陣類型。含有薄膜電晶體的主動式矩陣類型具備優良的解析度與視訊實作能力，同時相較於被動式矩陣類型更為廣泛地運用。
本發明之一特點為一種具有經改良之顯示面板透光度的平面顯示裝置以及製造該平面顯示裝置的方法。
本發明之另一特點為一種平面顯示裝置，其中含有：第一基板；主動層，構成於該第一基板之上，並且含有源極區域、汲極區域及通道區域；閘極絕緣層，構成於含有該主動層的第一基板上；閘極電極，構成於該閘極絕緣層之上並位於該通道區域的上方；第一層間絕緣薄膜，構成於含有該閘極電極的閘極絕緣層之上；源極電極及汲極電極，透過接觸孔洞分別地電性連接於該源極區域及該汲極區域內的主動層，而該接觸孔洞係經構成於該第一層間絕緣薄膜及該閘極絕緣薄膜之內；第二層間絕緣薄膜，經介置於該第一層間絕緣薄膜與該源極電極及該汲極電極之間；鈍化層，構成於含有該源極電極及該汲極電極的第一層間絕緣薄膜之上；以及像素電極，透過經構成於該鈍化層之內的穿透孔洞而連接於該源極電極或該汲極電極。
本發明之另一特點為一種製造平面顯示裝置的方法，其中包含：構成含有位於第一基板上之源極區域、汲極區域及通道區域的主動層；在含有該主動層的第一基板之上構成閘極絕緣層；在該閘極絕緣層之上於該通道區域的上方構成閘極電極；在含有該閘極電極的閘極絕緣層之上構成第一層間絕緣薄膜；在該第一層間絕緣薄膜之上構成第二層間絕緣薄膜，此者具有相較於該第一層間絕緣薄膜為更小的厚度；執行熱處理；藉由圖案化該第二層間絕緣薄膜、該第一層間絕緣薄膜及該閘極絕緣層以曝露該源極區域及該汲極區域內的主動層；在該第二層間絕緣薄膜之上構成欲予連接於該主動層內之源極區域及
汲極區域的源極電極及汲極電極；移除該曝露部分內的第二層間絕緣薄膜；在含有該源極電極及該汲極電極的第一層間絕緣薄膜之上構成鈍化層；藉由圖案化該鈍化層以曝露該源極電極或該汲極電極；以及在該鈍化層之上構成欲予連接於該源極電極或該汲極電極的像素電極。
層間絕緣薄膜係經構成於該等源極電極與汲極電極以及閘極電極之間，藉以將含有薄膜電晶體之平面顯示裝置內的信號干擾最小化。然而該層間絕緣薄膜會導致顯示面板的透光度劣化，原因是該者含有具備低透光度的氮化矽薄膜。
在一具體實施例裡，有可能藉由構成具有氧化矽薄膜及氮化矽薄膜之層間絕緣薄膜並且移除透光範圍內之氮化矽薄膜以改善顯示面板的透光度，而在構成源極電極和汲極電極的製程中無須使用特定遮罩。
此外，在本發明之一具體實施例裡，藉由令該氮化矽薄膜的厚度較該氧化矽薄膜者為小，該氮化矽薄膜並不會破裂，即使是在構成該層間絕緣薄膜後進行熱處理亦然。此外，該主動層的電性性質可藉由擴散該氮化矽薄膜內所含的氫質而獲得改善。
本發明之另一特點為一種平面顯示裝置，其中含有：第一基板；主動層，構成於該第一基板之上，其中該主動層含有源極區域、汲極區域及通道區域；閘極絕緣層，構成於該主動層之上；閘極電極，構成於該閘極絕緣層之上並位於該主動層的通道區域上方；第一層間絕緣薄膜，構成於該閘極絕緣層及該閘極電極之上；源極電極及汲極電極，透過接觸孔洞分別地電性連接於該主動層的源極區域及汲極區域，其中該接觸孔洞構成於該第一層間絕緣薄膜及該閘極絕緣層之內；第二層間絕緣薄膜，大致僅介置於i)該第一層間絕緣薄膜
與ii)該源極電極及該汲極電極之間；鈍化層，構成於該第一層間絕緣薄膜和該源極電極及該汲極電極之上；以及像素電極，透過經構成於該鈍化層之內的穿透孔洞而電性連接於該源極電極或該汲極電極。
前述裝置進一步包含：第二基板，設置以面朝該第一基板；共同電極，構成於該第二基板之上並位於該像素電極的上方；以及液晶層，介置於該第一基板與該第二基板之間。前述裝置進一步包含：像素定義層，構成於該鈍化層及該像素電極的第一部分之上；有機發光層，構成於該像素電極的第二部分及一部份的像素定義層之上，其中該像素電極的第一及第二部分並不彼此重疊；以及陰極，構成於該有機發光層及該像素定義層之上。
在前述裝置裡，該第二層間絕緣薄膜相較於該第一層間絕緣薄膜為更薄。在前述裝置裡，該第二層間絕緣薄膜的厚度為該第一層間絕緣薄膜之厚度的約60%至約80%。在前述裝置裡，該第一層間絕緣薄膜是由氧化矽所構成，並且其中該第二層間絕緣薄膜是由氮化矽所構成。在前述裝置裡，該主動層是由多晶矽所構成。在前述裝置裡，該像素電極是由透明導體材料所構成。
前述裝置進一步包含一緩衝層，此者係經構成於i)該第一基板與ii)該閘極絕緣層和該主動層之間。在前述裝置裡，該第二層間絕緣薄膜並非構成於該源極電極與該汲極電極之間。
本發明之另一特點為一種製造平面顯示裝置的方法，其中包含：在第一基板上構成主動層，其中該主動層含有源極區域、汲極區域及一通道區域；在該主動層之上構成閘極絕緣層；在該閘極絕緣層之上構成閘極電極而大致位於主動層之通道區域的正上方；在該閘極絕緣層及該閘極電極之上構成第一層間絕緣薄膜；在該第一層間絕緣薄膜之上構成第二層間絕緣薄膜，其中該
第二層間絕緣薄膜相較於該第一層間絕緣薄膜為更薄；在i)該等第一及第二層間絕緣薄膜、ii)該閘極電極、iii)該閘極絕緣層與iv)該主動層上執行熱處理；圖案化該等第一及第二層間絕緣薄膜和該閘極絕緣層，藉以曝露該主動層的源極區域及汲極區域；在該曝露部分之上構成源極電極及汲極電極，故而該等源極電極及汲極電極電性連接於該主動層；圖案化該第二層間絕緣薄膜，故而該第二層間絕緣薄膜的其餘部分大致僅構成於i)該第一層間絕緣薄膜及ii)該等源極電極及汲極電極之間；在該第一層間絕緣薄膜以及該源極電極和該汲極電極之上構成鈍化層；圖案化該鈍化層藉以曝露該源極電極或該汲極電極；以及在該鈍化層之上構成像素電極，藉以連接於該源極電極或該汲極電極。
前述方法進一步包含：在第二基板之上並且位於該像素電極的上方構成共同電極；設置該第一基板及該第二基板以面朝彼此；沿該第一基板及該第二基板的邊緣構成密封；以及將液晶注入於該第一基板與該第二基板之間的空間內。
前述方法進一步包含：在該鈍化層及該像素電極之上構成像素定義層；在發光區域內曝露該像素電極；在該像素電極的曝露部分之上構成有機發光層；以及在該有機發光層及該像素定義層之上構成陰極。在前述方法裡，該第二層間絕緣薄膜並非構成於該發光區域內。在前述方法裡，該第二層間絕緣薄膜之厚度為該第一層間絕緣薄膜之厚度的約60%至約80%。在前述方法裡，該第一層間絕緣薄膜是由氧化矽所構成，並且其中該第二層間絕緣薄膜是由氮化矽所構成。在前述方法裡，該曝露部分內的第二層間絕緣薄膜是藉由利用該源極電極及該汲極電極作為遮罩的乾式蝕刻處理所移除。
本發明之另一特點為一種平面顯示裝置，其中含有：基板，其中像素範圍及非像素範圍構成於該基板之內或之上，並且其中該像素範圍係經組態設定以發射光線；主動層，構成於該第一基板之上，其中源極區域、汲極區域及通道區域構成於該主動層之內；閘極絕緣層，構成於該主動層之上；閘極電極，構成於該閘極絕緣層之上並位於該主動層的通道區域上方；第一層間絕緣薄膜，構成於該閘極絕緣層及該閘極電極之上；源極電極及汲極電極，分別地電性連接於該主動層的源極區域及汲極區域；以及第二層間絕緣薄膜，構成於該第一層間絕緣薄膜之上，其中該第二層間絕緣薄膜並非顯著地構成於該像素範圍之內。
在前述裝置裡，該第二層間絕緣薄膜係僅經介置於i)該第一層間絕緣薄膜以及ii)該源極電極和該汲極電極之間。在前述裝置裡，該第二層間絕緣薄膜相較於該第一層間絕緣薄膜為更薄。
10‧‧‧下方基板
11‧‧‧緩衝層
12‧‧‧主動層
13‧‧‧閘極絕緣層
14‧‧‧閘極電極
15‧‧‧層間絕緣薄膜
15a‧‧‧第一層間絕緣薄膜
15b‧‧‧第二層間絕緣薄膜
15c‧‧‧接觸孔洞
16‧‧‧源極/汲極電極
17‧‧‧鈍化層
18‧‧‧像素電極
20‧‧‧上方基板
21‧‧‧共同電極
30‧‧‧液晶層
40‧‧‧下方基板
41‧‧‧緩衝層
42‧‧‧主動層
43‧‧‧閘極絕緣層
44‧‧‧閘極電極
45a‧‧‧第一層間絕緣薄膜
45b‧‧‧第二層間絕緣薄膜
46‧‧‧源極/汲極電極
47‧‧‧鈍化層
48‧‧‧像素電極
49‧‧‧像素定義層
50‧‧‧有機發光層
51‧‧‧陰極
60‧‧‧密封基板
100‧‧‧平面顯示裝置
200‧‧‧平面顯示裝置
圖1為一說明根據本發明具體實施例之平面顯示裝置的截面視圖。
圖2為一說明根據本發明具體實施例之平面顯示裝置的截面視圖。
圖3A至3G為說明製造一根據本發明具體實施例之平面顯示裝置的方法之截面視圖。
圖4及5為說明根據本發明具體實施例之平面顯示裝置的截面視圖。
主動式矩陣類型液晶顯示裝置(TFT-LCD)通常含有i)顯示面板，具有兩片基板而液晶設置其間，ii)背光單元，設置於該顯示面板的背側上並且用以作為光源，以及iii)驅動IC，驅動該顯示面板。由該背光所產生的光線會行旅進入該顯示面板，由回應於自該驅動IC所供應之信號而校準的液晶加以調變，然後發射至環境裡以供顯示字元或影像。
此外，主動式矩陣類型有機發光顯示裝置包含顯示面板，具備有機發光二極體；以及驅動IC，驅動該顯示面板。由該有機發光二極體所產生的光線可回應於由該驅動IC所供應的信號而被發射至外部以供顯示字元或影像。
在像是液晶顯示裝置以及有機發光顯示裝置的平面顯示裝置裡，顯示面板的光線穿透度可對於明亮度造成顯著的影響。
然主動式矩陣類型平面顯示器含有薄膜電晶體，其中像是氧化矽薄膜及氮化矽薄膜的絕緣層在製造程序裡係經疊置於該基板上的像素範圍(或發光區域)之內，光線則穿透於此。所以，透光度會因該等絕緣層而減少，因此導致明亮度降低。
在後文的詳細說明中，僅藉由敘述方式顯示並描述一部份的本發明示範性具體實施例。熟諳本項技藝之人士將能瞭解確能按各種方式對所述具體實施例加以修改，而全然不致悖離本發明精神或範疇。因此，該等圖式與說明應被視為示範性質而不具限制性質。並且，當一構件被稱為位於另一構件「之上」時，該者可為直接地位於該另一構件之上，或者是間接地位於該另一構件之上而其等間則介置有一或更多的中介構件。此外，當一構件被稱為「連接」
於另一構件時，該者可為直接地連接於該另一構件，或者是間接地連接於該另一構件，而其等間則介置有一或更多的中介構件。在後文中，類似編號係參指於相仿構件。
後文中將參照於隨附圖式俾詳細地說明本發明具體實施例。
圖1為說明根據本發明具體實施例之平面顯示裝置100的截面視圖。在一具體實施例裡，即如圖1所示者，該平面顯示裝置100為液晶顯示裝置。
現參照圖1，緩衝層11構成於下方基板10之上，並且提供薄膜電晶體之源極區域、汲極區域及通道區域的主動層12構成於該緩衝層11之上。閘極絕緣層13構成於該緩衝層11及該主動層12之上。閘極電極14構成於該閘極絕緣層13之上並位於該通道區域的上方。第一層間絕緣薄膜15a構成於該閘極絕緣層13及該閘極電極14之上。源極電極及汲極電極16係透過接觸孔洞電性連接於該源極區域及該汲極區域的主動層12，其中該等接觸孔洞構成於該第一層間絕緣薄膜15a之內。發光區域。在一具體實施例裡，第二層間絕緣薄膜15b僅構成於該第一層間絕緣薄膜15a以及該等源極電極和汲極電極16之間。在一具體實施例裡，該像素範圍內並未構成該第二層間絕緣薄膜15b。鈍化層17構成於該第一層間絕緣薄膜15a以及該等源極電極和汲極電極16之上。經由穿透孔洞而連接於該等源極電極和汲極電極16的像素電極18構成於該鈍化層17之上。
具有共同電極21的上方基板20設置在具有前述組態之下方基板10的上方，並且液晶層30設置於該下方基板10與該上方基板20之間。
在該液晶顯示裝置裡，由經設置在該下方基板10背側處之背光所產生的光線行旅進入該顯示面板100內，並由自驅動IC施加於該像素18和該共同
電極21之電壓而校準的液晶層30加以調變。然後，該經調變光線透過該上方基板20發射至外部以供顯示字元或影像。
圖2為說明根據本發明另一具體實施例之平面顯示裝置的截面視圖。在一具體實施例裡，即如圖2所示者，該平面顯示裝置200為有機發光顯示裝置。
現參照圖2，緩衝層41構成於下方基板40之上，並且提供薄膜電晶體之源極區域、汲極區域及通道區域的主動層42構成於該緩衝層41之上。閘極絕緣層43構成於該緩衝層41及該主動層42之上。閘極電極44構成於該閘極絕緣層43之上並位於該通道區域的上方。第一層間絕緣薄膜45a構成於該閘極絕緣層43及該閘極電極44之上。透過接觸孔洞電性連接於該源極區域及該汲極區域之主動層42的源極電極及汲極電極46構成於該第一層間絕緣薄膜45a之上。在一具體實施例裡，第二層間絕緣薄膜45b僅構成於該第一層間絕緣薄膜45a以及該等源極電極和汲極電極46之間。在一具體實施例裡，該像素範圍之內並未構成該第二層間絕緣薄膜45b。鈍化層47構成於該第一層間絕緣薄膜45a以及該等源極電極和汲極電極46之上。經由穿透孔洞而連接於該等源極電極或汲極電極46的像素電極48構成於該鈍化層47之上。
像素定義層49構成於該鈍化層47及該像素電極48之上，使得該像素電極48在發光區域內曝露並且有機發光層50構成於該所曝露像素電極48之上。陰極51構成於該像素定義層49及該有機發光層50之上。
密封基板60設置於具有前述組態的下方基板40之上，並且該下方基板40及該密封基板60是由密封劑所黏附。
在該有機發光顯示裝置裡，當將預定電壓施加於該像素電極48及該陰極51時，經由該像素電極48所注入的電洞以及經由該陰極51所注入的電子會在該有機發光層50裡重新合併。藉由此項程序所產生之能量差而從該有機發光層50發射出的光線會透過該下方基板40發射至外部以供顯示字元或影像。
圖3A至3G為說明製造一根據本發明具體實施例之平面顯示裝置的方法之截面視圖。
現參照圖3A，緩衝層11構成於基板10之上，並且提供薄膜電晶體之源極區域、汲極區域及通道區域的主動層12構成於該緩衝層11之上。閘極絕緣層13構成於該緩衝層11及該主動層12之上。閘極電極14構成於該閘極絕緣層13之上並位於該通道區域的上方。
可利用像是玻璃及塑膠的透明基板以作為該基板10。在一具體實施例裡，該主動層12是由即如多晶矽的半導體所構成，並且可視需要執行結晶及離子注入作業。
現參照圖3B，第一層間絕緣薄膜15構成於該閘極絕緣層13及該閘極電極14之上。在一具體實施例裡，該第一層間絕緣薄膜15含有第一層間絕緣薄膜15a及第二層間絕緣薄膜15b，該等係經疊置以防止該閘極電極與該等源極電極和汲極電極16之間的信號干擾。在一具體實施例裡，該第二層間絕緣薄膜15b構成為相較於該第一層間絕緣薄膜15a為更薄，例如經構成以具有該第一層間絕緣薄膜15a之厚度的約60%至約80%。該第一層間絕緣薄膜15a可為由具有約3000A之厚度的氧化矽薄膜(SiO)所構成，而該第二層間絕緣薄膜15b則可為由具有約2600A之厚度的氮化矽薄膜(SiN)所構成。
現參照圖3C，進行快速熱性退火處理以再結晶該主動層12。該氮化矽薄膜(SiN)15b內所含有的氫原子(H)會擴散進入該主動層12，並且藉由高溫熱處理以合併於矽質懸鍵從而移除該主動層12的缺陷。因此能夠改善像是表面抗阻、行動性以及散射程度的電性性質。
該氮化矽薄膜在當具有超過約4000A之厚度時可能會在高溫下因熱膨脹係數的差異而碎裂或變形，理由是該薄膜通常具有高硬度。然而，在一具體實施例裡，由於該氮化矽薄膜15b構成為相對較薄，因此在高溫熱處理下不致出現碎列或變形。所以可在構成該層間絕緣薄膜15之後進行熱處理，使得能夠即如前述般藉由氫(H)原子的擴散來改善電性性質。然若是在構成該層間絕緣薄膜15之前即先進行該項熱處理，則該閘極電極14可能會被氧化，並且難以期望能夠藉由氫(H)原子的擴散來改善電性性質。
現參照圖3D，接觸孔洞15c構成使得能夠藉由圖案化該第二層間絕緣薄膜15b、該第一層間絕緣薄膜15a以及該閘極絕緣層13曝露該源極區域及該汲極區域之內的主動層12。
現參照圖3E，經連接至該源極區域及該汲極區域內之主動層12的源極電極和汲極電極16是藉由金屬層構成於該第二層間絕緣薄膜15b之上而使得該接觸孔洞15c被填入，然後對該金屬層進行圖案化。該金屬層可為由鈦(Ti)或者鋁(Al)及鈦(Ti)的堆疊所構成，並且可為由含氯(Cl)氣體所圖案化。
現參照圖3F，該第二層間絕緣薄膜15b中既已藉由利用該等源極電極和汲極電極16作為遮罩之乾式蝕刻處理所曝露的部分會被移除。在此製程中，該氧化矽薄膜15a與該氮化矽薄膜15b間之蝕刻比值的差值很大，使得利用
氟質(SF6)氣體的乾式蝕刻處理能夠便利地移除含氯(Cl)殘餘物，而不致損傷到該氧化矽薄膜15a。
現參照圖3G，可藉由在該第一層間絕緣薄膜15a以及該等源極電極和汲極電極16之上構成鈍化層17，並且對該鈍化層17進行圖案化，如此可構成穿透孔洞以使得該等源極電極或汲極電極16曝露。經連接至該等源極電極或汲極電極16的像素電極18是藉由在該鈍化層17之上形成透明導體層，像是ITO及IZO，使得該穿透孔洞被填入，然後再對該導體層進行圖案化而構成。
現再度參照圖1，共同電極21構成於該上方基板20之上。該下方基板10和該上方基板20排置為面朝彼此，並且沿該下方基板10及該上方基板20的邊緣構成密封(未予圖示)。在此之後，可藉由將該液晶層30注入於該下方基板10及該上方基板20之間的空間內，藉此完成該液晶顯示裝置的顯示面板100。
此外，再度參照圖2，像素定義層49係經構成於該鈍化層47及該像素電極48之上，然後曝露該發光區域之內的像素電極48。有機發光層50構成於該所曝露像素電極48之上，並且陰極51構成於該像素定義層49及該有機發光層50之上。在此之後，可藉由在該下方基板40的上方設置密封基板60，並且藉由密封劑以黏附該下方基板40和該密封基板60，如此完成該有機發光顯示裝置的顯示面板200。
在一具體實施例裡，該等層間絕緣薄0面品質。
若並未移除該發光區域內的氮化矽薄膜15b，即如圖4所示(比較性範例)，則因該氮化矽薄膜15b在透光度上較該氧化矽薄膜15a低約7%，並且光線震盪提高，使得透光度降低。由於在圖4的比較性範例裡該氮化矽薄膜15b構成於該像素範圍之內，因此會造成透光度下降。同時，由於該氮化矽薄膜15b的厚
度比該氧化矽薄膜15a為高(例如約6000A相比於1500A)，所以會進一步導致透光度減少。
即如表1所示，從實際的透光度測量結果可觀察到，對於紅光像素而言，相較於圖4所示者，在圖1所示結構裡透光度可獲改善約8%。表1為顯示在圖1所示結構與圖4所示結構之間的實際的透光度測量結果的表格。
雖可藉由移除圖4所示結構中之發光區域L內的氧化矽薄膜15a及氮化矽薄膜15b以改善透光度，即如圖5所示者，然須耗費長時間以蝕刻該氮化
矽薄膜15b、該氧化矽薄膜15a和該閘極絕緣層13使得生產力劣化，同時可能無法達到前述的熱處理結果。
雖既已關聯於一些示範性具體實施例以說明本發明，然應瞭解本發明並不受限於前揭之具體實施例，而相反地欲為涵蓋經納入於後載申請專利範圍及其等同項目中所敘述之精神和範疇內的各種修改與等同排置。
10‧‧‧下方基板
11‧‧‧緩衝層
12‧‧‧主動層
13‧‧‧閘極絕緣層
14‧‧‧閘極電極
15a‧‧‧第一層間絕緣薄膜
15b‧‧‧第二層間絕緣薄膜
16‧‧‧源極/汲極電極
17‧‧‧鈍化層
18‧‧‧像素電極
20‧‧‧上方基板
21‧‧‧共同電極
30‧‧‧液晶層
100‧‧‧平面顯示裝置
Claims (18)
- 一種平面顯示裝置，其中含有：第一基板；主動層，構成於該第一基板之上，其中該主動層含有源極區域、汲極區域及通道區域；閘極絕緣層，構成於該主動層之上；閘極電極，構成於該閘極絕緣層之上並位於該主動層之通道區域的上方；第一層間絕緣薄膜，構成於該閘極絕緣層及該閘極電極之上；源極電極及汲極電極，透過接觸孔洞分別地電性連接於該主動層的源極區域及汲極區域，其中該接觸孔洞構成於該第一層間絕緣薄膜及該閘極絕緣層之內；第二層間絕緣薄膜，大致僅介置於i)該第一層間絕緣薄膜與ii)該源極電極及該汲極電極之間，其中該第二層間絕緣薄膜相較於該第一層間絕緣薄膜為更薄；鈍化層，構成於該第一層間絕緣薄膜和該源極電極及該汲極電極之上；以及像素電極，透過構成於該鈍化層之內的穿透孔洞而電性連接於該源極電極或該汲極電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，進一步包含：第二基板，設置以面朝該第一基板；共同電極，構成於該第二基板之上並位於該像素電極的上方；以及液晶層，介置於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，進一步包含：像素定義層，構成於該鈍化層及該像素電極的第一部分之上；有機發光層，構成於該像素電極的第二部分及一部份的像素定義層之上，其中該像素電極的第一及第二部分並不彼此重疊；以及陰極，構成於該有機發光層及該像素定義層之上。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，其中該第二層間 絕緣薄膜的厚度為該第一層間絕緣薄膜之厚度的約60%至約80%。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，其中該第一層間絕緣薄膜是由氧化矽所構成，並且其中該第二層間絕緣薄膜是由氮化矽所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，其中該主動層是由多晶矽所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，其中該像素電極是由透明導體材料所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，進一步包含緩衝層，構成於i)該第一基板與ii)該閘極絕緣層和該主動層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之平面顯示裝置，其中該第二層間絕緣薄膜並非構成於該源極電極與該汲極電極之間。
- 一種製造平面顯示裝置的方法，其中包含：在第一基板上構成主動層，其中該主動層含有源極區域、汲極區域及通道區域；在該主動層之上構成閘極絕緣層；在該閘極絕緣層之上構成閘極電極而大致位於主動層之通道區域的正上方；在該閘極絕緣層及該閘極電極之上構成第一層間絕緣薄膜；在該第一層間絕緣薄膜之上構成第二層間絕緣薄膜，其中該第二層間絕緣薄膜相較於該第一層間絕緣薄膜為更薄；在i)該等第一及第二層間絕緣薄膜、ii)該閘極電極、iii)該閘極絕緣層與iv)該主動層上執行熱處理；圖案化該等第一及第二層間絕緣薄膜和該閘極絕緣層，藉以曝露該主動層的源極區域及汲極區域；在該曝露部分之上構成源極電極及汲極電極，故而該等源極電極及汲極電 極電性連接於該主動層；圖案化該第二層間絕緣薄膜，故而該第二層間絕緣薄膜的其餘部分大致僅構成於i)該第一層間絕緣薄膜及ii)該等源極電極及汲極電極之間；在該第一層間絕緣薄膜以及該源極電極和該汲極電極之上構成鈍化層；圖案化該鈍化層藉以曝露該源極電極或該汲極電極；以及在該鈍化層之上構成像素電極，藉以連接於該源極電極或該汲極電極。
- 如申請專利範圍第10項所述之製造平面顯示裝置的方法，進一步包含：在第二基板之上並且位於該像素電極的上方構成共同電極；設置該第一基板及該第二基板以面朝彼此；沿該第一基板及該第二基板的邊緣構成密封；以及將液晶注入於該第一基板與該第二基板之間的空間內。
- 如申請專利範圍第10項所述之製造平面顯示裝置的方法，進一步包含：在該鈍化層及該像素電極之上構成像素定義層；在發光區域內曝露該像素電極；在該像素電極的曝露部分之上構成有機發光層；以及在該有機發光層及該像素定義層之上構成陰極。
- 如申請專利範圍第12項所述之製造平面顯示裝置的方法，其中該第二層間絕緣薄膜並非構成於該發光區域內。
- 如申請專利範圍第10項所述之製造平面顯示裝置的方法，其中該第二層間絕緣薄膜之厚度為該第一層間絕緣薄膜之厚度的約60%至約80%。
- 如申請專利範圍第10項所述之製造平面顯示裝置的方法，其中該第一層間絕緣薄膜是由氧化矽所構成，並且其中該第二層間絕緣薄膜是由氮化矽所構成。
- 如申請專利範圍第10項所述之製造平面顯示裝置的方法，其中該曝露部分內的第二層間絕緣薄膜是藉由利用該源極電極及該汲極電極作為遮罩的乾式蝕刻處理所移除。
- 一種平面顯示裝置，其中含有：基板，其中像素範圍及非像素範圍構成於該基板之內或之上，並且其中該像素範圍係經組態設定以發射光線；主動層，構成於該第一基板之上，其中源極區域、汲極區域及通道區域構成於該主動層之內；閘極絕緣層，構成於該主動層之上；閘極電極，構成於該閘極絕緣層之上並位於該主動層的通道區域上方；第一層間絕緣薄膜，構成於該閘極絕緣層及該閘極電極之上；源極電極及汲極電極，分別地電性連接於該主動層的源極區域及汲極區域；以及第二層間絕緣薄膜，構成於該第一層間絕緣薄膜之上，其中該第二層間絕緣薄膜並非顯著地構成於該像素範圍之內，其中該第二層間絕緣薄膜相較於該第一層間絕緣薄膜為更薄。
- 如申請專利範圍第17項所述之平面顯示裝置，其中該第二層間絕緣薄膜僅介置於i)該第一層間絕緣薄膜以及ii)該源極電極和該汲極電極之間。
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