JP2001102168A

JP2001102168A - 表示装置

Info

Publication number: JP2001102168A
Application number: JP27709199A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Yokoyama; 良一横山; Hisao Uehara; 久夫上原; Takao Yoshimura; 岳雄吉村
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-09-29
Filing date: 1999-09-29
Publication date: 2001-04-13

Abstract

(57)【要約】【課題】薄型化した有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】表示装置が形成された第１の基板の裏面
に制御回路が形成された第２の基板を配置する。表示装
置は、第１の基板と第２の基板によって封止されてお
り、従来必要であったキャップ１０がない。従って、従
来よりも薄型、軽量化された表示装置が実現される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、１枚の基板上に表
示素子を形成し、この基板を透過して表示を視認する表
示装置に関し、特に、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence；以下ＥＬと表記）素子を用いた表示
装置において、より薄型化した表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子を用いた表示装置
が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されて
いる。図５（ａ）は本実施形態の有機ＥＬ表示装置の一
部構成を示す平面図、図５（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図
である。第１の基板１は、表示を行うための各種構成が
配置され、第２の基板５０には、表示を制御するための
各種回路が配置されている。第１の基板１と第２の基板
５０との間は中継配線６０によって接続されている。第
１の基板１と第２の基板５０とは、筐体６１によって覆
われており、筐体６１の第１の基板側には開口部６２が
設けられ、第１の基板が露出している。

【０００３】まず、第１の基板上の構成について説明す
る。透明基板１上に画素毎に選択駆動回路２が複数配置
されている。選択駆動回路２を覆って平坦化絶縁膜３が
形成され、平坦化絶縁膜３のそれぞれの選択駆動回路２
に対応する領域にコンタクトホールが形成され、選択駆
動回路２に画素電極４が接続されている。それらを覆っ
て発光層５及び対向電極６が配置されている。選択駆動
回路２、画素電極４、発光層５、対向電極６よりなる表
示領域の周囲には選択駆動回路２を制御したり、画素電
極４に所定の電圧を印加するためのドライバ回路７ａ、
７ｂが配置されている。ドライバ回路７は配線８によっ
て端子９に接続されている。それらの構造を覆ってアル
ミニウムなどの金属からなる保護筐体１０が配置されて
いる。保護筐体１０は、透明基板１上に紫外線硬化樹脂
よりなる接着剤１１を用いて固着されている。保護筐体
１０と透明基板１との間の空間は、乾燥窒素が充填さ
れ、保護筐体１０の内面には乾燥剤シート１２が設置さ
れている。

【０００４】選択駆動回路２は例えば薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）などからなる半導体
素子を複数有する。第１のＴＦＴはドライバ回路７ａの
出力に応じて導通、非導通を切り換える。ドライバ回路
７ａの出力によって選択駆動回路２の第１のＴＦＴが導
通となった画素電極４には、第２のＴＦＴを介してドラ
イバ回路７ｂの出力に応じた電圧が印加され、対向電極
６との間に電流が流れる。発光層５は、ここに電流を流
すことによって発光する構成であり、画素電極４と対向
電極６との間に流れる電流量に応じた強度で発光する。
発生した光は、断面図下方向に透明基板１を透過して視
認される。

【０００５】図６は１つの画素をより詳細に示した断面
図である。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶
縁性基板１上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなる
ゲート電極４１が配置されている。ゲート電極４１の上
には、ＳｉＯ２よりなるゲート絶縁膜４２、及びｐ−Ｓ
ｉ膜からなる能動層４３が順に積層されている。その能
動層４３には、ゲート電極４１上方のチャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側に、チャネル４３ｃ上の
ストッパ絶縁膜４４をマスクにしてイオンドーピングし
更にゲート電極４１の両側をレジストにてカバーしてイ
オンドーピングしてゲート電極４１の両側に低濃度領域
とその外側に高濃度領域のソース４３ｓ及びドレイン４
３ｄが設けられている。ゲート電極４１、ゲート絶縁膜
４２、能動層４３の構成がＴＦＴであり、選択駆動回路
２の一部である。薄膜トランジスタはいわゆるＬＤＤ構
造である。

【０００６】そして、ゲート絶縁膜４２、能動層４３及
びストッパ絶縁膜４４上の全面に、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層された層間絶縁膜４５が形
成され、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホ
ールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源線４６に接続さ
れている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜３を形成する。そして、その平坦
化絶縁膜３のソース４３ｓに対応した位置にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース
１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）
等から成る透明電極４が配置される。

【０００７】発光層５は、ＭＴＤＡＴＡ（4,4 -bis(3-m
ethylphenylphenylamino )biphenyl）から成る第１ホー
ル輸送層５ａ、ＴＰＤ（4,4 ,4 -tris(3-methylphenylp
henylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送
層５ｂ、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢ
ｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層５ｃ及びＢｅｂｑ2から成る電子輸
送層５ｄからなる発光素子層である。以上の構成は、例
えば特願平１１−２２１８３や、特願平１１−２２１８
４等に記載されている。

【０００８】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。

【０００９】有機ＥＬ層は、例えば対向電極６にピンホ
ールなどの欠陥が生じていると、ここから侵入する水分
によって、対向電極６が酸化したり、発光層５と対向電
極６の間で剥離が生じるなどしてダークスポットが発生
し、表示品質が著しく劣化する。保護筐体１０は物理的
衝撃から表示領域やドライバ回路７を保護するととも
に、水分の侵入を防止する役割を担っている。このた
め、表示領域を覆うように皿状の形状をなしている。ま
た、侵入した水分の対策のために空間は乾燥窒素やヘリ
ウム等の不活性な気体が充填され、更に乾燥剤シート１
２が配置されている。更に乾燥剤シート１２を配置する
ために設置個所に更に段差が設けられている場合もあ
る。このような構成は例えば特開平９−１４８０６６に
開示されている。

【００１０】次に、第２の基板上に配置された制御回路
５１について説明する。図７は、上述した有機ＥＬ表示
装置に映像を表示するための制御回路５１を接続したブ
ロック図である。制御回路５１は、信号処理回路５５、
デジタルアナログ変換（ＤＡ変換）回路５６、タイミン
グコントローラ５７、電源回路５８を有する。外部より
デジタルの映像信号が信号処理回路５５に入力され、信
号処理回路５５はガンマ補正、輝度、コントラスト、色
味などの補正を行って、有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性
に応じた電圧信号を各色毎に出力する。有機ＥＬ素子
は、上述したように、画素電極４に所定の電圧を印加
し、発光層５がこの電圧に応じた強度で発光する。信号
処理回路５５は、映像信号をその電圧−輝度特性に対応
した電圧値に変換して電圧信号を生成し、これを出力す
る。ＤＡ変換回路５６は信号処理回路５５から出力され
るデジタルの電圧信号をアナログ信号に変換する回路で
ある。このようにして生成された電圧信号は、端子９、
配線８を介してドライバ回路７ｂに入力される。なお、
入力される映像信号がアナログ信号である場合は、ＤＡ
変換回路５６は不要である。タイミングコントローラ５
７は、映像信号に含まれる垂直同期信号や、水平同期信
号を抽出し、それらに同期して垂直同期パルス、水平同
期パルスを出力し、端子９、配線８を介してドライバ回
路７ａに出力する。ドライバ回路７ａは垂直同期パルス
や水平同期パルスに応じて選択駆動回路２のオン−オフ
を切り換え、電圧信号が所定の画素電極４に印加される
ように制御する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表示装
置のさらなる薄型化が望まれている。

【００１２】そこで本発明は、更に薄型化した有機ＥＬ
表示装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされ、対向する第１の基板と第２の基板
間の周囲を封止し、第１の基板の封止領域内に、表示素
子が配置され、第２の基板上に、表示素子を制御する制
御回路が配置されている表示装置である。

【００１４】また、表示素子は、対向する電極間に発光
層を配置してなるエレクトロルミネッセンス素子であ
る。

【００１５】また、表示素子は、画素毎に配置された複
数の選択駆動回路と、選択駆動回路に接続された複数の
画素電極と、複数の画素電極に対向する対向電極と、を
有する。

【００１６】さらに、選択駆動回路は、ゲート電極と能
動層とを有し、ゲート電極に印加される電圧によって、
導通、非導通が切り替わる薄膜トランジスタを複数有す
る。

【００１７】さらに、第１の基板上には、選択駆動回路
の第１の薄膜トランジスタの導通、非導通を選択的に切
り換える第１のドライバ回路と、選択駆動回路の第２の
薄膜トランジスタを介して画素電極に電圧を印加する第
２のドライバ回路と、第１もしくは第２のドライバ回路
に配線を介して接続される複数の端子とが配置され、第
２の基板上には、制御回路に接続される複数の端子が配
置され、第１の基板の端子と第２の基板の端子とは、中
継配線を介して接続されている。

【００１８】さらに、第１の基板上には、選択駆動回路
の第１の薄膜トランジスタの導通、非導通を選択的に切
り換える第１のドライバ回路と、選択駆動回路の第２の
薄膜トランジスタを介して画素電極に電圧を印加する第
２のドライバ回路と、第１もしくは第２のドライバ回路
に配線を介して接続される複数の端子とが配置され、第
２の基板上には、制御回路に接続される複数の端子が配
置され、第１の基板の端子と第２の基板の端子とは、コ
ンタクトを介して接続されている。

【００１９】また、表示素子を覆って形成された絶縁膜
を更に有し、コンタクトは、絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールに形成されている。

【００２０】さらに、制御回路は、第２の基板の第１の
基板に面する側に配置され、且つ、その少なくとも一部
は、封止領域内に配置されている。

【００２１】

【発明の実施の形態】まず、本発明の第１の実施形態に
かかるＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形
態の有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。第１の基板
１は、表示を行うための各種構成が配置され、第２の基
板５０には、表示を制御するための各種回路が配置さ
れ、第１の基板１と第２の基板５０との間は中継配線６
０によって接続されている。従来の構成と同様の点に関
しては同一番号を付し、説明を省略する。

【００２２】本実施形態の特徴とするところは、第１の
基板にシール１１を用いて第２の基板５０が接着されて
いる点である。従来技術のキャップ１０は、発光層４を
水分の侵入から防ぐために設けられていた。本実施形態
においては、これを第２の基板５０の裏面を用いて代用
したものである。従って、本実施形態では、キャップ１
０を省略できる分、表示装置を薄型化でき、また、その
製造コストを低く押さえることができる。

【００２３】本実施形態においては、第２の基板５０の
材質は例えば通常のプリント基板に用いられるガラスエ
ポキシ等の絶縁基板、アルミ等の導電性基板、セラミッ
ク基板など、どのようなものでも良いが、第２の基板５
０に水分の透過を防ぐという機能を持たせる必要があ
り、第２の基板５０の材質は水分透過量の小さい材質を
選択する必要がある。上述したガラスエポキシ基板や、
アルミ基板であれば水分透過量が少なく、より好適であ
る。

【００２４】次に、第１の基板１と第２の基板５０とを
接続する中継配線６０について説明する。図２（ａ）は
中継配線６０としてフレキシブルリード６０ａを用いた
場合の斜視図である。フレキシブルリードは、複数の配
線を可撓性材料で封止してあるので、Ｒ、Ｇ、Ｂの電圧
信号の様に、複数の配線を接続する際に有効である。フ
レキシブルリード６０ａは曲率が小さいと断線する恐れ
がある。従って、フレキシブルリード６０ａを用いる場
合は、端子５２を第２の基板５０上の裏面、即ち第１の
基板１に面しない側の面に設けるとよい。もちろん、基
板間距離を確保すれば端子５２を第２の基板５０の表
面、即ち第１の基板に面する側に設けても良く、フレキ
シブルリード６０ａを用いれば、制御回路５１の設計に
自由度が増えるという利点がある。

【００２５】図２（ｂ）は、中継配線６０としてワイヤ
ボンディング６０ｂを用いた場合の斜視図である。ワイ
ヤボンディング６０ｂは、細いワイヤを端子９、端子５
２にハンダ付けする手法である。第１の基板１と第２の
基板５０は、図示したようにずらして配置することによ
って、ワイヤボンディング６０ｂの曲率が小さくなるこ
とを防止できる。ワイヤボンディング６０ｂはそのまま
では切断しやすいので、接続後、樹脂などの絶縁体でコ
ーティングする必要がある。このコーティングは、第１
の基板１と第２の基板５０の間、全面にわたって設ける
と、基板間の接着剤として用いることができる。ワイヤ
ボンディング６０ｂを用いる場合は、端子９と端子５２
は同じ側に向いている必要があり、必然的に、端子５２
を第２の基板５０の裏面に配置する必要がある。

【００２６】図２（ｃ）は、中継配線６０として導電ペ
ーストや異方性導電膜よりなる導通部６０ｃを基板間に
形成する場合の断面図である。端子９と端子５２を互い
に面する様に設置し、フォトリソグラフィなどの手法を
用いて導通部６０ｃを形成する。導通部６０ｃの中に、
導電フィラと呼ばれる球状導電体６０ｄを配置しても良
い。球状導電体６０ｄはミクロパールと呼ばれることも
あり、表面が金属コートされている。球状導電体６０ｄ
を用いることによって、基板間距離を均一にすることが
できる。

【００２７】さて、本実施形態においては、裏面に磁石
６３が設けられているので、鉄製の壁面に容易に着脱で
きる。例えば冷蔵庫の側面等に配置すれば、床面積を一
切占有することなくダイニングルームにテレビを設置す
ることができる。ここで、本実施形態は有機ＥＬ素子を
用いて表示を行うという点がポイントとなる。ＬＣＤ
は、上述したように、磁力によって表示が乱れてしま
う。また、電子線を蛍光体に照射するＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）式の表示装置も、電子線が磁力によって曲が
ってしまう。従って、ＬＣＤや、ＣＲＴを用いた表示装
置では、磁石によって設置することはできない。これに
対して、本実施形態は、ＥＬ表示装置であるので、磁力
によって映像が乱れることはない。従って、防磁処理の
ためのシールドなどを設置する必要なく、表示装置裏面
のほぼ全面に磁石６３を配置することができる。同様の
主旨から、ＬＥＤを用いた表示装置でも磁石６３を設け
ることができる。本実施形態は、キャップ１０がないの
で、表示装置の自重が軽く、磁石や吸盤のような簡易な
設置手段を用いても設置が可能である。

【００２８】なお、電源回路５８は、信号処理回路５
５、タイミングコントローラ５７、有機ＥＬ素子等に電
圧を供給する回路である。電源回路５８としては、電池
を内蔵していても良いし、筐体６１にコネクタを設け、
別途設置する電源を介して有線もしくは無線で供給して
も良く、筐体６１の開口部６２以外の領域に太陽電池な
どの発電素子を設置しても良い。

【００２９】また、図３（ａ）に示すように、第２の基
板５０の両面に制御回路を配置する、いわゆるハイブリ
ッド基板を用いる場合、基板の表面と裏面とを接続する
スルーホールと呼ばれる貫通孔７１が形成される。スル
ーホール７１が形成されると、そこから水分が侵入し、
有機ＥＬ素子の寿命を短縮するので、スルーホール７１
は、フィルムレジスト７２を張り付ける等して、埋める
必要がある。更に、図３（ｂ）に示すように、第２の基
板５０を５０ａと５０ｂの二層構造として、制御回路を
５１ａ、５１ｂ、５１ｃの三層構造にすることがある。
その場合で、第２の基板５０の表面と裏面を接続するた
めに基板５０を貫通するスルーホール７１を形成してし
まうと、上述したように、水分透過の原因となってしま
う。従って、基板の表面と裏面を接続するためのスルー
ホールであっても、スルーホールを貫通させず、第１の
スルーホール７１ａで、制御回路５１ａと５１ｂを接続
し、異なる位置に形成された第２のスルーホール７１ｂ
で制御回路５１ｂと５１ｃとを接続することによって、
基板５０ａ及び５０ｂを貫通するスルーホールは形成し
ないようにすると良い。

【００３０】図４は本発明の第２の実施形態を示す断面
図である。本実施形態は、第２の実施形態の考えを更に
追求したものである。第１の実施形態と同様の構成に関
しては同じ番号を付し、説明を省略する。

【００３１】本実施形態の特徴とするところは、第１の
基板１と第２の基板５０とが筐体６１の働きを有し、筐
体６１を省略した点にある。第１の基板１の表示領域全
体が絶縁膜６４に覆われており、絶縁膜６４の端子９上
にコンタクトホールが設けられ、端子９はコンタクト６
５を介して端子５２に接続されている。

【００３２】本実施形態において、制御回路５１は第２
の基板５０の表面、即ち第１の基板に面している側の面
にのみ配置され、反対側の面には配置されていない。制
御回路５１には、上述したブロック図の機能を実現する
ために、ＬＳＩチップなどの半導体部品が設置され、そ
れらと基板５０上のプリント配線とを接続するためにワ
イヤボンディングや、ハンダ付けがされている。通常
は、それらを物理的衝撃から保護するために樹脂封止の
ような保護手段を講じる。これに対し、本実施形態で
は、第１の基板１と第２の基板５０との間に制御回路５
１が配置されているため、樹脂封止せずとも制御回路５
１は保護される。従って、制御回路５１の樹脂封止工程
が削減できる。また、樹脂封止の分、表示装置の薄膜
化、軽量化ができる。

【００３３】なお、制御回路５１の面積が大きい場合、
その一部を封止領域内に配置し、残りを封止領域外に配
置しても良い。

【００３４】制御回路５１を製造する工程において、そ
の表面に水分が付着し、完成後に付着した水分が有機Ｅ
Ｌ素子に付着する恐れがあるため、第１の基板１と第２
の基板５０との間には乾燥剤シート１２を配置する必要
がある。ただし、表示領域を覆う絶縁膜６４や、基板間
を接着するシール１１に粉末状の乾燥剤を混入しておけ
ば、この乾燥剤シート１２は削減できる。

【００３５】なお、第２の基板５０に上述のような多層
回路基板を用いることは、回路面積の縮小の観点ではメ
リットがある。ところが、基板５０の材質によっては、
スルーホールが貫通していなくても基板５０の材質中を
水分が透過する恐れもあるので、第１の基板１と第２の
基板５０との間には、乾燥剤シート１２を配置する方が
よい。

【００３６】ただし、第１の基板１と第２の基板５０と
の間を接着するシール１１に、粉末状の乾燥剤を混入し
ておけば、この乾燥剤シート１２は削減できる。乾燥剤
シート１２を削減すると、有機ＥＬ素子の厚さは、２μ
ｍ程度であるので、端子９と端子５２との接続は、上述
した導通部６０ｃ及び球状導電体６０ｄを採用すること
ができる。図面では絶縁膜６４とコンタクト６５とを別
体で描いているが、これを一体とし、球状導電体６０ｄ
をシール１１に混入して端子９上に配置し、圧着して導
通をとれば、もっとも薄型化することができる。

【００３７】本実施形態も、第１の実施形態と同様に、
裏面に磁石６３が配置されている。本実施形態では、筐
体６１が省略されているので、表示装置の自重が更に小
さくなっているため、より磁力の弱い磁石を採用するこ
とができる。従って、磁石６３をより薄いものにするこ
とができ、表示装置を更に薄型化できる。

【００３８】なお、上記の説明は、薄膜トランジスタと
してゲート電極が能動層よりも基板側にあるボトムゲー
ト型ＴＦＴを例示したが、要は、複数の画素電極のうち
の一つに選択的に電圧印加できればどのような構成であ
っても良く、例えば能動層がゲート電極よりも基板側に
あるトップゲート型ＴＦＴでももちろんよい。

【００３９】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、第１
の基板の封止領域内に表示素子が配置され、第２の基板
上に表示素子を制御する制御回路が配置されているの
で、壁面の占有面積を有効に活用できる。

【００４０】また、制御回路が形成されている第２の基
板を用いて表示領域を封止しているので、キャップ１０
を省略でき、表示装置を薄型化、軽量化することができ
る。

【００４１】また、表示素子を覆って形成された絶縁膜
を更に有し、コンタクトが、絶縁膜に設けられたコンタ
クトホールに形成されているので、第１の基板と第２の
基板とを密着形成することができ、表示装置を更に薄型
化できる。

【００４２】また、表示素子を絶縁膜によって覆ってい
るので、表示素子に水分が付着することを防止でき、表
示素子の寿命を長く保つことができる。

【００４３】さらに、制御回路は、第２の基板の第１の
基板に面する側に配置され、且つ、封止領域内に配置さ
れているので、制御回路を覆って形成するコーティング
を形成する必要がなくなるため、表示装置を更に薄型
化、軽量化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。

【図２】本発明の第１の基板と第２の基板との接続方法
を示す図である。

【図３】本発明の一部を拡大した断面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。

【図５】従来の表示装置を示す図である。

【図６】本発明の一部を拡大した断面図である。

【図７】従来及び本発明の表示装置の平面図とその制御
回路のブロック図である。

【符号の説明】

１第１の基板２選択駆動回路４画素電極５発光層６対向電極７ドライバ回路８配線９端子５０第２の基板５１制御回路５２端子６０中継配線６３磁石

フロントページの続き (72)発明者吉村岳雄大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB13 AB18 BB01 BB02 BB05 BB07 DA00 DB03 EB00 FA02 5C094 AA37 AA38 AA43 AA44 BA03 BA27 DA02 DA07 DA09 DB05 HA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する第１の基板と第２の基板間の周
囲を封止し、前記第１の基板の封止領域内に、表示素子
が配置され、前記第２の基板上に、前記表示素子を制御
する制御回路が配置されていることを特徴とする表示装
置。
【請求項２】前記表示素子は、対向する電極間に発光
層を配置してなるエレクトロルミネッセンス素子である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】前記表示素子は、画素毎に配置された複
数の選択駆動回路と、前記選択駆動回路に対応して配置
された複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向す
る対向電極と、を有することを特徴とする請求項２に記
載の表示装置。
【請求項４】前記選択駆動回路は、ゲート電極と能動
層とを有し、前記ゲート電極に印加される電圧によっ
て、導通、非導通が切り替わる薄膜トランジスタを複数
有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】前記第１の基板上には、前記選択駆動回
路の第１の薄膜トランジスタの導通、非導通を選択的に
切り換える第１のドライバ回路と、前記選択駆動回路の
第２の薄膜トランジスタを介して前記画素電極に電圧を
印加する第２のドライバ回路と、前記第１もしくは第２
のドライバ回路に配線を介して接続される複数の端子と
が配置され、前記第２の基板上には、前記制御回路に接
続される複数の端子が配置され、前記第１の基板の端子
と前記第２の基板の端子とは、中継配線を介して接続さ
れていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】前記第１の基板上には、前記選択駆動回
路の第１の薄膜トランジスタの導通、非導通を選択的に
切り換える第１のドライバ回路と、前記選択駆動回路の
第２の薄膜トランジスタを介して前記画素電極に電圧を
印加する第２のドライバ回路と、前記第１もしくは第２
のドライバ回路に配線を介して接続される複数の端子と
が配置され、前記第２の基板上には、前記制御回路に接
続される複数の端子が配置され、前記第１の基板の端子
と前記第２の基板の端子とは、コンタクトを介して接続
されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装
置。
【請求項７】前記表示素子を覆って形成された絶縁膜
を更に有し、前記コンタクトは、前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールに形成されていることを特徴とする
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】前記制御回路は、前記第２の基板の前記
第１の基板に面する側に配置され、且つ、前記制御回路
の少なくとも一部は、前記封止領域内に配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項
に記載の表示装置。