JP2001100641A

JP2001100641A - 表示装置

Info

Publication number: JP2001100641A
Application number: JP27709299A
Authority: JP
Inventors: Takao Yoshimura; 岳雄吉村; Hisao Uehara; 久夫上原
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-09-29
Filing date: 1999-09-29
Publication date: 2001-04-13

Abstract

(57)【要約】【課題】鉄製の壁面に着脱自在な表示装置を提供す
る。【解決手段】裏面に磁石を配置した表示装置である。
ＬＣＤ等の表示装置は、磁力によって表示が乱れるた
め、磁石を用いることはできない。本願は、表示装置と
してＥＬやＬＥＤなどの自発光素子を用いているため、
磁石を用いることができる。また、制御回路を一体的に
配置しているので、表示装置が薄型、軽量であるので、
磁石のような簡易な着脱手段を用いてもはがれ落ちるこ
とはない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、背面に磁石を設置
して例えば冷蔵庫などの鉄よりなる壁面に設置可能とす
る表示装置に関し、特に、エレクトロルミネッセンス
（Electro Luminescence；以下ＥＬと表記）素子を用い
た表示装置において背面に磁石を設置した表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】テレビやパソコンの画面を表示するため
のディスプレイは、設置場所を確保する必要がある。例
えばテレビを設置する場合、画面を所定の高さに設置す
るためには、何らかの台の上に設置するか、画面そのも
のにスタンドを取り付けるなどする必要がある。

【０００３】これに対し、液晶表示装置（Liquid Cryst
al Display；ＬＣＤ）で、壁面に取り付ける壁面配置型
のものが商品化されている。これは、図８に示すよう
に、表示装置２００の裏面にフック２０１を設け、壁面
２０２に設置した突起２０３に引っかけるようにして壁
面２０２に表示装置２００を取り付けるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】テレビを設置するため
の台や、スタンドなどは、設置に場所を必要とし、居住
空間を占有してしまう。

【０００５】また、上述したフック２０１を用いた壁面
配置型では、壁面２０２に突起２０３を配置するための
穴を開ける必要があり、マンションに居住している場合
などは、設置に困難を有する。また、壁面２０２に突起
２０３を設置する必要から、一旦設置した表示装置２０
０を異なる位置に移動させることは困難である。

【０００６】また、ＬＣＤは、構造上、液晶を封止する
ために２枚のガラス基板と、背面から光を照射するため
のバックライトなどを必要とするため、表示装置の自重
が大きく、吸盤などの簡易な設置手段では設置が困難で
あった。

【０００７】上記の課題に鑑み、設置方法が簡易であっ
て設置後の移動が容易な設置方法として、磁石を用いて
鉄製の壁面に設置することは、容易に考え得ることであ
る。しかし、壁面に配置するための手段として磁石を用
いると、磁石が発する磁力によってＬＣＤの画像が乱れ
てしまう。これは、電界によって液晶分子の配向方向を
制御して光の透過率を変化させるというＬＣＤの原理
上、根本的な解決は困難である。従って、磁石を用いて
壁面に設置するためには、磁力を遮断するためのシール
ドを更に設置する必要があり、表示装置の自重が更に増
加するという問題があった。従って、磁石を用いて例え
ば冷蔵庫の壁面などに設置するようなディスプレイは、
実用化が現実的ではないと考えられていた。

【０００８】そこで本発明は、磁石を用いて鉄製の壁面
に設置可能な表示装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされ、一対の電極を有し、電極間に流れ
る電流の大きさに応じて発光する表示素子を有し、前面
に映像を表示する表示装置であって、表示装置の裏面に
磁石を有する表示装置である。

【００１０】そして、その表示素子は対向配置された電
極間に発光層を挟持してなる有機エレクトロルミネッセ
ンス素子である。

【００１１】さらに、表示素子は、第１の基板上に画素
毎に形成された選択駆動回路と、選択駆動回路に対応し
て配置された画素電極と、画素電極を覆って形成された
発光層と、発光層上に形成された対向電極とを備える。

【００１２】また、第１の基板に対向して配置され、表
示を制御する制御回路を有する第２の基板と、第１の基
板と第２の基板の所定領域を電気的に接続する中継配線
とを更に有する。

【００１３】また、第１及び第２の基板を覆う筐体を更
に有し、磁石は、この筐体に設置されている。

【００１４】更に、第１及び第２の基板との間はシール
によって接着され、第１及び第２の基板とシールによっ
て隔離される空間内に表示素子が配置されている。

【００１５】また、第１及び第２の基板との間はシール
によって、接着され、第１及び第２の基板とシールによ
って隔離される空間内に表示素子が配置され、第２の基
板の第１の基板とは反対側の面に磁石が配置されてい
る。

【００１６】更に、第２の基板に形成される制御回路
は、第１の基板に面する側であって、第１及び第２の基
板とシールによって隔離される空間内に配置されてい
る。

【００１７】そして、磁石は、表示装置の背面のほぼ全
面を覆って形成されている。

【００１８】

【発明の実施の形態】まず、本発明の第１の実施形態に
かかるＥＬ表示装置について説明する。図１（ａ）は本
実施形態の有機ＥＬ表示装置の一部構成を示す平面図、
図１（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。第１の基板１
は、表示を行うための各種構成が配置され、第２の基板
５０には、表示を制御するための各種回路が配置されて
いる。第１の基板１と第２の基板５０との間は中継配線
６０によって接続されている。第１の基板１と第２の基
板５０とは、筐体６１によって覆われており、筐体６１
の第１の基板側には開口部６２が設けられ、第１の基板
が露出している。開口部６２の反対側の筐体６１上に磁
石６３が設置されている。

【００１９】次に透明な第１の基板１上の構成について
説明する。第１の基板上には画素毎に選択駆動回路２が
複数配置されている。それぞれの選択駆動回路２は、平
坦化絶縁膜３に覆われ、その上には選択駆動回路２毎に
画素電極４が配置され、それらを覆って発光層５及び対
向電極６が配置されている。選択駆動回路２、画素電極
４、発光層５、対向電極６よりなる表示領域の周囲には
選択駆動回路２を制御したり、画素電極４に所定の電圧
を印加するためのドライバ回路７ａ、７ｂが配置されて
いる。ドライバ回路７は配線８によって端子９に接続さ
れている。それらの構造を覆ってアルミニウムなどの金
属からなるキャップ１０が配置され、第１の基板１にシ
ール１１を用いて固着されている。キャップ１０と第１
の基板１との間の空間は、乾燥窒素が充填され、キャッ
プ１０の内面には乾燥剤シート１２が設置されている。

【００２０】選択駆動回路２は例えば薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）などからなる半導体
素子を複数有する。第１のＴＦＴはドライバ回路７ａの
出力に応じて導通、非導通を切り換える。ドライバ回路
７ａの出力によって選択駆動回路２の第１のＴＦＴが導
通となった画素電極４には、第２のＴＦＴを介してドラ
イバ回路７ｂの出力に応じた電圧が印加され、対向電極
６との間に電流が流れる。発光層５は、ここに電流を流
すことによって発光する構成であり、画素電極４と対向
電極６との間に流れる電流量に応じた強度で発光する。
発生した光は、断面図下方向に透明基板１を透過して視
認される。

【００２１】図２は１つの画素をより詳細に示した断面
図である。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶
縁性の第１の基板１上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属
からなるゲート電極４１が配置されている。ゲート電極
４１の上には、ＳｉＯ２よりなるゲート絶縁膜４２、及
びポリシリコン膜からなる能動層４３が順に積層されて
いる。その能動層４３には、ゲート電極４１上方のチャ
ネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、高濃度領
域のソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられてい
る。ソース４３ｓ及びドレイン４３ｄは、チャネル４３
ｃ上のストッパ絶縁膜４４をマスクにしてイオンドーピ
ングし更にゲート電極４１の両側をレジストにてカバー
してイオンドーピングしてゲート電極４１の両側に低濃
度領域と高濃度領域とを有するいわゆるＬＤＤ構造であ
る。ゲート電極４１、ゲート絶縁膜４２、能動層４３の
構成がＴＦＴであり、選択駆動回路２の一部である。

【００２２】そして、ゲート絶縁膜４２、能動層４３及
びストッパ絶縁膜４４上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ
膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜４５が形
成され、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホ
ールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源線４６が接続さ
れている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平
坦にする平坦化絶縁膜３を形成する。そして、その平坦
化絶縁膜３のソース４３ｓに対応した位置にコンタクト
ホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース
１３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）
等から成る画素電極４が配置される。

【００２３】発光層５は、ＭＴＤＡＴＡ（4,4 -bis(3-m
ethylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホー
ル輸送層５ａ、ＴＰＤ（4,4 ,4 -tris(3-methylphenylp
henylamino)t riphenylanine）からなる第２ホール輸送
層５ｂ、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢ
ｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層５ｃ及びＢｅｂｑ2から成る電子輸
送層５ｄからなる発光素子層である。

【００２４】画素電極４、発光層５、対向電極６を総称
して有機ＥＬ素子と呼ぶ場合がある。また有機ＥＬ素子
は、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された
電子とが発光層５ｃの内部で再結合し、発光層を形成す
る有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放
射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明
な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光
する。

【００２５】有機ＥＬ素子は、例えば対向電極６にピン
ホールなどの欠陥が生じていると、ここから侵入する水
分によって、対向電極６が酸化したり、発光層５と対抗
電極５の間で剥離が生じるなどしてダークスポットが発
生し、表示品質が著しく劣化する。キャップ１０は物理
的衝撃から表示領域やドライバ回路７を保護するととも
に、水分の侵入を防止する役割を担っている。

【００２６】次に、第２の基板５０について説明する。
第２の基板５０には、映像信号を受信するアンテナ、チ
ューナ、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変
換回路等の制御回路５１が配置されている。制御回路５
１は、アナログ信号として受信される映像信号を各画素
毎のデジタル信号に変換し、端子５２に出力する。アン
テナは、筐体６１内部に格納されていても良く、外部に
露出していても良い。また、アンテナを有する信号受信
器を別途設け、筐体６１にコネクタを設けて、ここに有
線で接続してもよい。

【００２７】本実施形態においては、第２の基板５０の
材質は例えば通常のプリント基板に用いられるガラスエ
ポキシ等の絶縁基板、アルミ等の導電性基板、セラミッ
ク基板など、どのようなものでも良い。

【００２８】図３は第２の基板５０に設けられた制御回
路５１を説明するブロック図である。制御回路５１は、
信号処理回路５５、デジタルアナログ変換（ＤＡ変換）
回路５６、タイミングコントローラ５７、電源回路５８
を有する。外部よりデジタルの映像信号が信号処理回路
５５に入力され、信号処理回路５５はガンマ補正、輝
度、コントラスト、色味などの補正を行って、有機ＥＬ
素子の電圧−輝度特性に応じた電圧信号を各色毎に出力
する。有機ＥＬ素子は、上述したように、画素電極４に
所定の電圧を印加し、発光層５がこの電圧に応じた強度
で発光する。信号処理回路５５は、映像信号をその電圧
−輝度特性に対応した電圧値に変換して電圧信号を生成
し、これを出力する。ＤＡ変換回路５６は信号処理回路
５５から出力されるデジタルの電圧信号をアナログ信号
に変換する回路である。このようにして生成された電圧
信号は、端子９、配線８を介してドライバ回路７ｂに入
力される。なお、入力される映像信号がアナログ信号で
ある場合は、ＤＡ変換回路５６は不要である。タイミン
グコントローラ５７は、映像信号に含まれる垂直同期信
号や、水平同期信号を抽出し、それらに同期して垂直同
期パルス、水平同期パルスを出力し、端子９、配線８を
介してドライバ回路７ａに出力する。ドライバ回路７ａ
は垂直同期パルスや水平同期パルスに応じて選択駆動回
路２のオン−オフを切り換え、電圧信号が所定の画素電
極４に印加されるように制御する。

【００２９】次に、第１の基板１と第２の基板５０とを
接続する中継配線６０について説明する。図４（ａ）は
中継配線６０としてフレキシブルリード６０ａを用いた
場合の斜視図である。フレキシブルリードは、複数の配
線を可撓性材料で封止してあるので、Ｒ、Ｇ、Ｂの電圧
信号の様に、複数の配線を接続する際に有効である。フ
レキシブルリード６０ａは曲率が小さいと断線する恐れ
がある。従って、フレキシブルリード６０ａを用いる場
合は、端子５２を第２の基板５０上の裏面、即ち第１の
基板１に面しない側の面に設けるとよい。もちろん、基
板間距離を確保すれば端子５２を第２の基板５０の表
面、即ち第１の基板に面する側に設けても良く、フレキ
シブルリード６０ａを用いれば、制御回路５１の設計に
自由度が増えるという利点がある。

【００３０】図４（ｂ）は、中継配線６０としてワイヤ
ボンディング６０ｂを用いた場合の斜視図である。ワイ
ヤボンディング６０ｂは、細いワイヤを端子９、端子５
２にハンダ付けする手法である。第１の基板１と第２の
基板５０は、図示したようにずらして配置することによ
って、ワイヤボンディング６０ｂの曲率が小さくなるこ
とを防止できる。ワイヤボンディング６０ｂはそのまま
では切断しやすいので、接続後、樹脂などの絶縁体でコ
ーティングする必要がある。このコーティングは、第１
の基板１と第２の基板５０の間、全面にわたって設ける
と、基板間の接着剤として用いることができる。ワイヤ
ボンディング６０ｂを用いる場合は、端子９と端子５２
は同じ側に向いている必要があり、必然的に、端子５２
を第２の基板５０の裏面に配置する必要がある。

【００３１】図４（ｃ）は、中継配線６０として導電ペ
ーストや異方性導電膜よりなる導通部６０ｃを基板間に
形成する場合の断面図である。端子９と端子５２を互い
に面する様に設置し、フォトリソグラフィなどの手法を
用いて導通部６０ｃを形成する。導通部６０ｃの中に、
導電フィラと呼ばれる球状導電体６０ｄを配置しても良
い。球状導電体６０ｄはミクロパールと呼ばれることも
あり、表面が金属コートされている。球状導電体６０ｄ
を用いることによって、基板間距離を均一にすることが
できる。ただし、第１の実施形態においては、表示領域
を覆ってキャップ１０等が形成されているため、基板間
距離は数ｍｍとなる。球状導電体を有するコンタクト
は、下記に詳述する第２の実施形態で用いれば、より好
適である。

【００３２】さて、本実施形態においては、上述したよ
うに、裏面に磁石６３が設けられているので、鉄製の壁
面に容易に着脱できる。例えば冷蔵庫の側面等に配置す
れば、床面積を一切占有することなくダイニングルーム
にテレビを設置することができる。ここで、本実施形態
は有機ＥＬ素子を用いて表示を行うという点がポイント
となる。ＬＣＤは、上述したように、磁力によって表示
が乱れてしまう。また、電子線を蛍光体に照射するＣＲ
Ｔ（Cathode Ray Tube）式の表示装置も、電子線が磁力
によって曲がってしまう。従って、ＬＣＤや、ＣＲＴを
用いた表示装置では、磁石によって設置することはでき
ない。これに対して、本実施形態は、ＥＬ表示装置であ
るので、磁力によって映像が乱れることはない。従っ
て、防磁処理のためのシールドなどを設置する必要な
く、表示装置裏面のほぼ全面に磁石６３を配置すること
ができる。同様の主旨から、ＬＥＤを用いた表示装置で
も磁石６３を設けることができる。

【００３３】なお、電源回路５８は、信号処理回路５
５、タイミングコントローラ５７、有機ＥＬ素子等に電
圧を供給する回路である。電源回路５８としては、電池
を内蔵していても良いし、筐体６１にコネクタを設け、
別途設置する電源を介して有線もしくは無線で供給して
も良く、筐体６１の開口部６２以外の領域に太陽電池な
どの発電素子を設置しても良い。

【００３４】図５は本発明の第２の実施形態を示す断面
図である。第１の実施形態と同様の構成に関しては同じ
番号を付し、説明を省略する。本実施形態の特徴とする
ところは、第１の基板にシール１１を用いて第２の基板
５０が接着されている点である。第１の実施形態のキャ
ップ１０は、発光層４を水分の侵入から防ぐために設け
られていた。本実施形態においては、これを第２の基板
５０の裏面を用いて代用したものである。従って、本実
施形態では、キャップ１０を省略できる分、表示装置を
薄型化でき、また、その製造コストを低く押さえること
ができる。

【００３５】ところで、本実施形態は、第２の基板５０
に水分の透過を防ぐという機能を持たせる必要があり、
第２の基板５０の材質は水分透過量の小さい材質を選択
する必要がある。上述したガラスエポキシ基板や、アル
ミ基板であれば水分透過量が少なく好適である。

【００３６】また、図６（ａ）に示すように、第２の基
板５０の両面に制御回路を配置する、いわゆるハイブリ
ッド基板を用いる場合、基板の表面と裏面とを接続する
スルーホールと呼ばれる貫通孔７１が形成される。スル
ーホール７１が形成されると、そこから水分が侵入し、
有機ＥＬ素子の寿命を短縮するので、スルーホール７１
は、フィルムレジスト７２を張り付ける等して、埋める
必要がある。更に、図６（ｂ）に示すように、第２の基
板５０を５０ａと５０ｂの二層構造として、制御回路を
５１ａ、５１ｂ、５１ｃの三層構造にすることがある。
その場合で、第２の基板５０の表面と裏面を接続するた
めに基板５０を貫通するスルーホール７１を形成してし
まうと、上述したように、水分透過の原因となってしま
う。従って、基板の表面と裏面を接続するためのスルー
ホールであっても、スルーホールを貫通させず、第１の
スルーホール７１ａで、制御回路５１ａと５１ｂを接続
し、異なる位置に形成された第２のスルーホール７１ｂ
で制御回路５１ｂと５１ｃとを接続することによって、
基板５０ａ及び５０ｂを貫通するスルーホールは形成し
ないようにすると良い。

【００３７】なお、第２の基板５０に上述のような多層
回路基板を用いることは、回路面積の縮小の観点ではメ
リットがある。ところが、基板５０の材質によっては、
スルーホールが貫通していなくても基板５０の材質中を
水分が透過する恐れもあるので、第１の基板１と第２の
基板５０との間には、乾燥剤シート１２を配置する方が
よい。

【００３８】ただし、第１の基板１と第２の基板５０と
の間を接着するシール１１に、粉末状の乾燥剤を混入し
ておけば、この乾燥剤シート１２は削減できる。乾燥剤
シート１２を削減すると、有機ＥＬ素子の厚さは、２μ
ｍ程度であるので、端子９と端子５２との接続は、上述
した導通部６０ｃ及び球状導電体６０ｄを採用すること
ができる。

【００３９】本実施形態も、第２の実施形態と同様に、
裏面に磁石６３が配置されている。本実施形態では、キ
ャップ１０が不要となり、表示装置の自重が更に小さく
なっているため、より磁力の弱い磁石を採用することが
できる。従って、磁石６３をより薄いものにすることが
でき、表示装置を更に薄型化できる。

【００４０】図７は本発明の第３の実施形態を示す断面
図である。本実施形態は、第２の実施形態の考えを更に
追求したものである。第１の実施形態と同様の構成に関
しては同じ番号を付し、説明を省略する。

【００４１】本実施形態の特徴とするところは、第１の
基板１と第２の基板５０とが筐体６１の働きを有し、筐
体６１を省略した点にある。第１の基板１の表示領域全
体が絶縁膜６４に覆われており、絶縁膜６４の端子９上
にコンタクトホールが設けられ、端子９は導通部６５を
介して端子５２に接続されている。

【００４２】図面では絶縁膜６４とコンタクト６５とを
別体で描いているが、これを一体とし、球状導電体６０
ｄをシール１１に混入して端子９上に配置し、圧着して
導通をとれば、もっとも薄型化することができる。

【００４３】本実施形態において、制御回路５１は第２
の基板５０の表面、即ち第１の基板に面している側の面
にのみ配置され、反対側の面には配置されていない。制
御回路５１には、上述したブロック図の機能を実現する
ために、ＬＳＩチップなどの半導体部品が設置され、そ
れらと基板５０上のプリント配線とを接続するためにワ
イヤボンディングや、ハンダ付けがされている。通常
は、それらを物理的衝撃から保護するために樹脂封止の
ような保護手段を講じる。これに対し、本実施形態で
は、第１の基板１と第２の基板５０との間に制御回路５
１が配置されているため、樹脂封止せずとも制御回路５
１は保護される。従って、制御回路５１の樹脂封止工程
が削減できる。また、樹脂封止の分、表示装置の薄膜
化、軽量化ができる。

【００４４】なお、制御回路５１の面積が大きい場合、
その一部を封止領域内に配置し、残りを封止領域外に配
置しても良い。

【００４５】制御回路５１を製造する工程において、そ
の表面に水分が付着し、完成後に付着した水分が有機Ｅ
Ｌ素子に付着する恐れがあるため、第１の基板１と第２
の基板５０との間には乾燥剤シート１２を配置する必要
がある。ただし、表示領域を覆う絶縁膜６４や、基板間
を接着するシール１１に粉末状の乾燥剤を混入しておけ
ば、この乾燥剤シート１２は削減できる。

【００４６】本実施形態においては、筐体６１が省略さ
れているので、更に軽量、薄型であり、磁石６３も更に
弱い磁力のもので構わない。

【００４７】なお、上記の説明は、ＴＦＴとしてゲート
電極が能動層よりも基板側にあるボトムゲート型ＴＦＴ
を例示したが、要は、複数の画素電極のうちの一つに選
択的に電圧印加できればどのような構成であっても良
く、例えば能動層がゲート電極よりも基板側にあるトッ
プゲート型ＴＦＴでももちろんよい。

【００４８】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、表示
装置の裏面に磁石を有するので、冷蔵庫の側面のような
鉄製の壁面に、設置による床の専有面積なしに、しかも
着脱自在に配置できる。

【００４９】そして、その表示素子は一対の電極を有
し、電極間に流れる電流の大きさに応じて発光する表示
素子、さらには、対向配置された電極間に発光層を挟持
してなる有機エレクトロルミネッセンス素子であるの
で、磁石によって生じる磁界によって表示が乱れること
がない。また、表示素子は自ら発光するため、ＬＣＤの
バックライトのような補助発光手段を不要とするため、
表示装置の自重が軽く、磁石で充分に設置できる。

【００５０】また、第１の基板に対向して配置され、表
示を制御する制御回路を有する第２の基板と、第１の基
板と第２の基板の所定領域を電気的に接続する中継配線
とを更に有するので、制御回路が表示領域の裏面に配置
され、壁面の設置面積を有効に利用できる。

【００５１】また、第１及び第２の基板を覆う筐体を更
に有し、磁石は、この筐体に設置されているため、充分
な強度を有するとともに外力によって中継配線が断線す
ることを防止できる。

【００５２】更に、第１及び第２の基板との間はシール
によって接着され、第１及び第２の基板とシールによっ
て隔離される空間内に表示素子が配置されているため、
表示素子に水分が付着することを防止するために別途キ
ャップ１０を設ける必要が内ので、表示装置をより薄型
化できる。

【００５３】また、第１及び第２の基板との間はシール
によって接着され、第１及び第２の基板とシールによっ
て隔離される空間内に表示素子が配置され、第２の基板
の第１の基板とは反対側の面に磁石が配置されているの
で、表示装置を更に薄型化できる。

【００５４】更に、第２の基板に形成される制御回路
は、第１の基板に面する側であって、第１及び第２の基
板とシールによって隔離される空間内に配置されている
ので、制御回路を外力による破壊から保護することがで
き、制御回路を樹脂でコートする等の保護手段を講じる
必要がなく、表示装置を簡略化、軽量化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す図である。

【図２】本発明の一部を拡大した断面図である。

【図３】本発明の平面図とその制御回路のブロック図で
ある。

【図４】本発明の第１の基板と第２の基板との接続方法
を示す図である。

【図５】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。

【図６】本発明の一部を拡大した断面図である。

【図７】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。

【図８】従来の壁面設置型表示装置を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１第１の基板２選択駆動回路４画素電極５発光層６対向電極７ドライバ回路８配線９端子５０第２の基板５１制御回路５２端子６０中継配線６３磁石

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極を有し、該電極間に流れる電
流の大きさに応じて発光する表示素子を有し、前面に映
像を表示する表示装置であって、前記表示装置の裏面に
磁石を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記表示素子は対向配置された電極間に
発光層を挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス素
子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】前記表示素子は、第１の基板上に画素毎
に形成された選択駆動回路と、前記選択駆動回路に対応
して配置された画素電極と、前記画素電極を覆って形成
された発光層と、前記発光層上に形成された対向電極と
を備えたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置
【請求項４】前記第１の基板に対向して配置され、表
示を制御する制御回路を有する第２の基板と、前記第１
の基板と前記第２の基板の所定領域を電気的に接続する
中継配線と、を更に有することを特徴とする請求項３に
記載の表示装置。
【請求項５】前記第１及び第２の基板を覆う筐体を更
に有し、前記磁石は、該筐体に設置されていることを特
徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】前記第１及び第２の基板との間はシール
によって、接着され、前記第１及び第２の基板とシール
によって隔離される空間内に前記表示素子が配置されて
いることを特徴とする請求項４もしくは請求項５に記載
の表示装置。
【請求項７】前記第１及び第２の基板との間はシール
によって、接着され、前記第１及び第２の基板とシール
によって隔離される空間内に前記表示素子が配置され、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記
磁石が配置されていることを特徴とする請求項４に記載
の表示装置。
【請求項８】前記第２の基板に形成される前記制御回
路は、前記第１の基板に面する側であって、前記第１及
び第２の基板とシールによって隔離される空間内に配置
されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装
置。
【請求項９】前記磁石は、表示装置の背面のほぼ全面
を覆って形成されていることを特徴とする請求項１乃至
請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。