JP4663799B2 - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents
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Description
更に、前記第1の駆動電圧は、前記第2の駆動電圧よりも高くてもよい。
本発明の表示部を有するアクティブマトリクス型表示装置の一形態を、図1を用いて説明する。
図1(B)では、ゲート信号線駆動回路を代表してTFT414を、画素領域を代表して画素TFT413を、ソース信号線駆動回路及びロジック回路を代表してTFT415を図示した。
として、液晶表示部を用いたものを示したが、電界が生じると発光する有機化合物層を、陽極及び陰極で挟んだ構造を有する素子(例えばOLED素子)を、画素ごとに発光素子として用いた発光表示部であってもよい。
を利用するものとが含まれる。
ガラス基板上にTFTを形成する場合には、主に、活性層としてアモルファスシリコンを用いる場合と、ポリシリコンを用いる場合とがある。ロジック回路の動作速度の観点からは、TFTの電界効果移動度が高いことが好ましく、アモルファスTFTよりもポリシリコンTFTでロジック回路を形成することが好ましい。一方、用途上、ロジック回路の高速動作が必要とならない場合には、簡単なプロセスかつ低コストで形成されるアモルファスTFTを用いることが好ましい。
本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、画素とロジック回路とを別の基板に作製するために、画素基板と対向基板のそれぞれに対して、最適なTFT構造や回路仕様を採用することができる。本実施の形態では、対向基板上のロジック回路と画素基板上のロジック回路とで、TFT構造や回路の駆動電圧が異なる形態について説明する。
例えば、ロジック回路では3V〜5Vの電源が必要であるのに対して、液晶表示部では16V程度、EL表示部では12V程度が必要となる。
本明細書ではCMOS回路で構成される駆動回路部と、スイッチング用TFT及び駆動用TFTを有する画素領域(画素部)とが同一基板(画素基板)上に形成された場合の基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。そして本実施の形態では、アクティブマトリクス基板の作製工程及びアクティブマトリクス基板を備える液晶表示装置の作製工程について図5、図6を用いて説明する。
本実施の形態ではバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等のガラスからなる基板5000を用いた。
本実施の形態では、窒化酸化珪素膜5001aを50nmの厚さに形成した。次いで下地膜5001の2層目として、プラズマCVD法を用いて、SiH4及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜5001bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに形成する。本実施の形態では、酸化窒化珪素膜5001bを100nmの厚さに形成した。
こうして、W膜を選択的にエッチングして、第2の形状の導電層5015〜5019を形成した。このとき、第1の導電層5015a〜5018aは、ほとんどエッチングされない。
また、アクリル膜と酸化窒化珪素膜の積層構造を用いても良い。
本実施の形態では、本発明のアクティブマトリクス型表示装置が有するTFTの半導体からなる活性層を作製する上で、半導体膜を結晶化する手法の例を示す。
、しきい値電圧、S値及び電界効果移動度のバラツキを低減することも可能となり、電気的特性は著しく向上する。
本実施の形態では、本発明のアクティブマトリクス型表示装置が有するTFTの半導体からなる活性層を作製する上で、半導体膜を結晶化する手法において、実施の形態5とは異なる例を示す。
本実施の形態では、実施の形態5に示した手法によって結晶化した半導体膜を用いてTFTを作製した例について、図11を用いて説明し、更にそれらTFTの電気的特性について、図12を用いて説明する。
(図11(G))
本実施の形態では、実施の形態7とは異なる方法で半導体膜の結晶化を行い、前記半導体膜を用いてTFTを作製した例について、図13を用いて説明し、それらTFTの電気的特性について図14〜図16を用いて説明する。
図17は対向基板1705上にロジック回路を形成したアクティブマトリクス型表示装置の一例を示したものである。
1706を示す。そして、インターフェース回路を介して外部装置から受け取ったデータは、画像処理回路で画像データの処理を行う。デジタル信号の処理はDSP1706が行う。画像処理回路1700は制御信号あるいは画像データを作成する際のデータの一時的な格納場所であるワークメモリ1701との間で、随時データの読み書きを行う。さらに、画像処理回路1700はフレームメモリ1704に二次元的にアクセスし、ディスプレイに表示すべき画像データを書き込む。フレームメモリ1704に書き込まれた画像データは、ゲート信号線駆動回路1702及びソース信号線駆動回路1703により画素に表示される。
図18は対向基板1805上にロジック回路を形成したアクティブマトリクス型表示装置の一例を示したものである。
図19は対向基板1904上に第1のゲート信号線駆動回路1901、第2のゲート信号線駆動回路1903及び、第1のソース信号線駆動回路1900、第2のソース信号線駆動回路1902が、基板の4辺に沿うように形成された、アクティブマトリクス型表示装置の一例を示したものである。本実施の形態では、第1のゲート信号線駆動回路及び第1のソース信号線駆動回路で背景画の表示を行い、第2のゲート信号線駆動回路及び第2のソース信号線駆動回路で背景画の表示とは独立にテキストモードの表示を行う。
図20は、本発明の表示装置を利用した携帯ゲーム機の表示部において、対向基板2008上に形成されたロジック回路のブロック図を示したものである。
本発明を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図21に示す。
また、今回は車載用オーディオ装置を例に上げたが、携帯型もしくは家庭用オーディオ装置に用いてもよい。
本実施の形態では、画素基板上に画素部、ソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を一体形成し、対向基板にロジック回路を設ける場合を説明する。
には、画素基板500と対向基板505とを接着し、固定するためのシール剤509が設けられている。なお、シール剤509は画素基板と対向基板との間隔(ギャップ)を保持するためのスペーサを兼ねている。もちろんギャップを保持するために、適宜柱状スペーサや球状スペーサを設けても構わない。また、シール剤509を画素部の一部と駆動回路との一部とを覆うように設けてもよく、駆動回路上に設けてもよい。但しこのような場合、画素部や駆動回路に対するシール剤等による接着時の応力を考慮して配置する必要がある。
更に、印刷法により形成された配線上に、電気パッドと接続される接続部を除き絶縁膜を印刷してもよい。このとき、配線の間隔は電気パッドの間隔と一致することが望ましい。またプリント基板と同様に配線を引き回し、他の半導体素子を実装させることも可能である。
このように外枠に配線を設けることは、各電気パッドをワイヤボンディング法により接続するよりも簡単であり、更に接続不良を低減することができる。図23に示す接続法以外としては、プリント基板の要領で開口部と電気パッドを接続したり、ソケットの要領で接続したりすればよい。
Claims (6)
- 絶縁表面を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向する絶縁表面を有する第2の基板と、
前記第1の基板及び前記第2の基板がはめ込まれた外枠と、を有し、
前記第1の基板には、駆動回路、及び画素領域が設けられ、
前記第2の基板には、ロジック回路が設けられ、
前記外枠には、溝、及び前記溝に形成された配線が設けられ、
前記外枠の溝に形成された配線を介して前記駆動回路の電極パッドと前記ロジック回路の電極パッドとが電気的に接続され、
前記画素領域と、前記ロジック回路が設けられる領域とは重なることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 絶縁表面上に第1のTFTを有する第1の基板と、
第2のTFTを有し、前記第1の基板に対向する絶縁表面を有する第2の基板と、
前記第1の基板及び前記第2の基板がはめ込まれた外枠と、を有し、
前記第1の基板には、駆動回路、及び前記第1のTFTを有する画素領域が設けられ、
前記第2の基板には、前記第2のTFTを有するロジック回路が設けられ、
前記外枠には、溝、及び前記溝に形成された配線が設けられ、
前記外枠の溝に形成された配線を介して前記駆動回路の電極パッドと前記ロジック回路の電極パッドとが電気的に接続され、
前記画素領域と、前記ロジック回路が設けられる領域とは重なることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 請求項2において、前記第1のTFTの駆動電圧は、前記第2のTFTの駆動電圧よりも高いことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項1乃至3において、前記第1の基板と前記第2の基板との間には、液晶素子又は発光素子が設けられることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記第1の基板はプラスチック基板、ガラス基板及び石英基板のいずれか一つであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記第2の基板はプラスチック基板、ガラス基板及び石英基板のいずれか一つであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
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Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6956234B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Passive matrix display device |
KR101032337B1 (ko) | 2002-12-13 | 2011-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
JP4554152B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2010-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体チップの作製方法 |
KR100904523B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2009-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터 |
JP4101643B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US20040125272A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-01 | Chung David B. | Flat panel display with polymer memory provided thereon |
US7436050B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
JP3972825B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
JP2004247373A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP4526771B2 (ja) | 2003-03-14 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7238963B2 (en) * | 2003-04-28 | 2007-07-03 | Tpo Displays Corp. | Self-aligned LDD thin-film transistor and method of fabricating the same |
US20050074914A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Semiconductor device and method of fabrication the same |
US7178126B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-02-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of protecting a semiconductor integrated circuit from plasma damage |
KR100685239B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2007-02-22 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 트랜지스터어레이 및 그 제조방법 및 화상처리장치 |
US7265299B2 (en) * | 2004-03-04 | 2007-09-04 | Au Optronics Corporation | Method for reducing voltage drop across metal lines of electroluminescence display devices |
US7208401B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-04-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for forming a thin film |
US7223641B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television |
JP4628040B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体素子を備えた表示装置の製造方法 |
KR100580640B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 다결정 실리콘 필름의 제조방법 및 이를 이용한 적층형트랜지스터의 제조방법 |
TWI268122B (en) * | 2005-01-25 | 2006-12-01 | Au Optronics Corp | Semiconductor structure having multilayer of polysilicon and display panel applied with the same |
CN100372119C (zh) * | 2005-02-23 | 2008-02-27 | 友达光电股份有限公司 | 具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板 |
TWI300672B (en) * | 2006-01-27 | 2008-09-01 | Au Optronics Corp | System integrated organic light-emitting display |
JP4672623B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2011-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査方法及び装置 |
TW200826055A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-16 | Gigno Technology Co Ltd | Display apparatus and manufacturing method thereof |
TWI349823B (en) * | 2006-12-15 | 2011-10-01 | Prime View Int Co Ltd | Electronic-ink display panel and the forming method thereof |
US9177500B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-11-03 | Global Oled Technology Llc | Display with secure decryption of image signals |
JP6034048B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、電子機器 |
KR101987094B1 (ko) | 2012-06-15 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101989001B1 (ko) | 2012-09-07 | 2019-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN103178006B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-09-23 | 上海和辉光电有限公司 | 调整低温多晶硅晶体管阀值电压的方法 |
CN103268029B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示模组及显示器 |
JP6518890B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-05-29 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
WO2018020332A1 (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10468470B2 (en) | 2017-02-27 | 2019-11-05 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED display module and method of forming the same |
US10453872B1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-10-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologiy Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
KR20210091390A (ko) * | 2020-01-13 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61188125U (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-22 | ||
JPH05242718A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Toshiba Electric Appliance Co Ltd | 照明器具 |
JPH06273790A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Optrex Corp | 複層液晶表示素子 |
JPH10268337A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
JP2000292805A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001060067A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2001083535A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
JP2001102168A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2001291666A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4952031A (en) * | 1987-06-19 | 1990-08-28 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Liquid crystal display device |
JP3029489B2 (ja) * | 1991-07-25 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
US5923962A (en) | 1993-10-29 | 1999-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JP3431041B2 (ja) | 1993-11-12 | 2003-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW264575B (ja) | 1993-10-29 | 1995-12-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US5644415A (en) * | 1993-12-20 | 1997-07-01 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having wide field angle |
US5627364A (en) * | 1994-10-11 | 1997-05-06 | Tdk Corporation | Linear array image sensor with thin-film light emission element light source |
TW295652B (ja) * | 1994-10-24 | 1997-01-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
EP0803077B1 (en) * | 1995-11-13 | 2004-12-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Picture display device |
TW379360B (en) | 1997-03-03 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP3032801B2 (ja) | 1997-03-03 | 2000-04-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JPH11143379A (ja) | 1997-09-03 | 1999-05-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置補正システムおよび半導体表示装置の補正方法 |
JP2000267140A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
US6281552B1 (en) | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
US6256080B1 (en) * | 1999-06-23 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Self-aligned structures for improved wide viewing angle for liquid crystal displays |
JP2001125085A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学パネルおよびその製造方法、ならびに、電気光学装置および電子機器 |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2001242477A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
US6613620B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
SG136795A1 (en) * | 2000-09-14 | 2007-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR100435124B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2004-06-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
US6956234B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Passive matrix display device |
TW544944B (en) * | 2002-04-16 | 2003-08-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel element structure of sunlight-readable display |
US6630907B1 (en) | 2002-07-03 | 2003-10-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Broadband telemetry antenna having an integrated filter |
KR100720422B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2007-05-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법 |
-
2002
- 2002-11-29 US US10/305,980 patent/US6911675B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-13 US US11/150,286 patent/US7524689B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-01 JP JP2009088808A patent/JP4663799B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61188125U (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-22 | ||
JPH05242718A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Toshiba Electric Appliance Co Ltd | 照明器具 |
JPH06273790A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Optrex Corp | 複層液晶表示素子 |
JPH10268337A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
JP2000292805A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001060067A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2001083535A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
JP2001102168A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2001291666A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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