KR100700850B1

KR100700850B1 - 발광표시장치 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100700850B1
Application number: KR1020050023198A
Authority: KR
Inventors: 이수미; 이관희
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-03-21
Filing date: 2005-03-21
Publication date: 2007-03-29
Also published as: CN1841762A; CN100461444C; JP2006269405A; KR20060101662A; US20060220016A1

Abstract

본 발명은 제1 절연막을 통해 수분 등의 이물질이 발광소자에 유입되는 것을 방지할 수 있는 발광표시장치 및 발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.

본 발광표시장치는 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터 상에 증착되는 제1절연막과, 상기 제1 절연막 상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자를 포함하며, 상기 제1 절연막에는 상기 발광소자에 의해 형성되는 화상표시영역외측을 따라 상기 제1 절연막에 걸쳐 상기 발광소자에 유입되는 이물질을 차단하는 차단부가 형성된다.

이에 따라, 발광표시장치로 유입되는 이물질이 발광소자에 접촉하는 것을 차단할 수 있으며, 이에 따라, 발광소자의 발광효율 및 발광수명을 높일 수 있을 뿐만 아니라 발광표시장치의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.

제1 절연막, 차단부, 무기절연막

Description

발광표시장치 및 그 제조방법{Light Emission Display and the Manufacturing Method Thereof}

도 1은 종래의 발광표시장치의 개략적인 평면도이다.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 측단면도이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광표시장치의 평면도이다.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 측단면도이다.

도 5는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선의 다른 실시예에 따른 측단면도이다.

도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 일실시예에 따른 발광표시장치의 부분 제조공정별 측단면도이다.

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 발광표시장치의 부분 제조공정별 측단면도이다.

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣

400, 500 : 발광표시장치 410, 510 : 기판

445, 545 : 제1 절연막 450, 550 : 발광소자

470, 570 : 차단부 580 : 무기절연막

581 : 연결부

본 발명은 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 발광표시장치의 제1 절연막을 통해 수분 및 산소 등의 이물질이 발광소자에 유입되는 것을 방지할 수 있는 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

이러한, 발광 표시장치는 액정 표시장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 음극선관과 같은 빠른 응답속도를 가지는 장점을 갖고 있다.

일반적인 평판표시장치 중에서 발광표시장치는 다른 평판표시장치보다 사용온도범위가 넓고 충격이나 진동에 강하여, 시야각이 넓고, 응답속도가 빠르기 때문에 깨끗한 동화상을 제공할 수 있다. 발광 표시장치는 재료 및 구조에 따라 무기물의 발광층을 포함하는 무기 발광 표시장치와 유기물의 발광층을 포함하는 유기 발광 표시장치로 대별된다. 유기발광표시장치는 전자와 정공이 반도체안에서 전자-정공쌍을 만들거나 캐리어 들이 좀 더 높은 에너지 형태로 여기된 후 다시 안정화상태로 떨어지는 과정을 통해 빛이 발생하는 현상을 이용한다.

이하에서는 도면을 참조하여 종래의 발광표시장치를 설명한다.

도 1은 종래의 발광표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 따른 측단면도이다. 도 1를 참조하면, 발광표시장치(100)는 기판(110)과, 미 도시된 발광소자를 포함하는 화상표시부(111)와, 기판(110) 일측에 형성된 다수의 패드를 가지는 패드부(112)와, 패드부(112) 형성 영역을 제외한 기판(110)의 가장자리를 따라 형성된 전원선(VDD)(115)과, 주사구동부(113) 및 데이터구동부(114)를 포함한다.

보다 구체적으로, 도 2를 참조하면, 발광표시장치(100)는 기판(110)상에 순차적으로 형성된 버퍼층(120), 반도체층(130,131,132), 게이트절연막(125), 게이트전극(140), 층간절연막(135), 소스전극 및 드레인 전극(141,142), 제1 절연막(145), 발광소자(150) 및 투과패널(155)을 포함한다.

우선, 산화막으로 이루어진 버퍼층(120)이 기판(110)상에 형성되며, 버퍼층(120)상에는 폴리실리콘막을 형성하고 패터닝하여 반도체층(130,131,132)을 형성한다. 반도체층(130,131,132)을 포함한 버퍼층(120)상에는 게이트절연막(135)이 형성되고, 게이트절연막(135)상에는 게이트금속층을 증착하고, 증착된 게이트 금속층을 패터닝함으로써 생성된 게이트전극(140)이 형성된다.

게이트전극(140)상에는 층간절연막(135)이 형성되고, 그 다음, 소스/드레인금속층의 증착 및 패터닝함으로써 생성된 소스전극 및 드레인전극(141,142)이 형성된다. 통상, 데이터선(미도시) 및 전원선(115)은 소스전극(141) 및 드레인전극 (142)과 동시에 형성된다. 소스전극(141), 드레인전극(142) 및 전원선(115)이 형성된 층간절연막(135)상에는 소스전극, 드레인 전극 및 전원선 등의 패턴에 따른 패턴굴곡현상을 없애기 위해 제1 절연막(145)이 형성되고, 제1 절연막(145) 상에는 일통상 R,G,B를 갖는 발광소자(150)가 형성된다. 이때, 발광소자(150)를 이루는 하부전극층(미도시)인 제1 절연막(145)상에 형성된 컨택홀(147)을 통해 트랜지스터와 전기적으로 접속한다.

또한, 발광소자(150)가 형성된 제1 절연막(145) 상부에는 발광소자(145)의 상부영역이 외부와 노출되지 않도록 발광소자(145)를 덮는 투과패널(155)이 마련된다. 투과패널(155)의 하부면, 즉, 발광소자(145)의 상부와 대향하는 면에는 투과성이 있는 흡습제(156)가 형성된다. 투과패널(155)과 제1 절연막(145)은 이들 중 적어도 어느 일측면의 둘레 방향을 따라 도포된 접착물질(160)에 의해 접착된다.

그러나, 이러한 종래의 발광표시장치에 있어서, 통상, 각 층의 패턴 굴곡에 따른 단차를 없애기 위해 형성된 제1 절연막은, 일반적으로, silicon 또는 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene : BCB), 아크릴, Polyimide 등을 이용하여 형성되는데, 이는 자체 특성상 상대적으로 접착력이 낮기 때문에, 제1 절연막 또는 투과패널의 어느 일측에 접착물질을 도포하고 접착시키는 경우 제1 절연막과 투과패널 사이의 접착력을 떨어뜨릴 수 있다는 단점이 있으며, 이에 따라, 고온 고습의 분위기에서 외부로부터 수분이나 산소가 발광표시장치 내부로 침투할 수 있다는 문제점을 갖는다.

더욱이, 종래의 발광표시장치에 있어서, 발광표시장치 내부로 수분이 침투하는 경우에는, 침투된 수분이 제1 절연막을 따라 발광소자에 직접 접촉할 수 있어, 화소축소 현상을 일으키고 발광소자의 발광효율을 저하시킬 뿐만 아니라 발광소자 자체의 수명을 단축시킬 수 있다.

따라서, 본 발명은 전술한 문제점들을 해소하기 위해 제안된 발명으로, 본 발명의 목적은, 외부로부터 수분을 포함한 이물질이 발광소자에 직접 접촉되지 않도록 제1 절연막상에 이물질 유입을 차단하는 차단부가 형성된 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 패턴의 단차를 줄이기 위해 형성된 제1 절연막과 발광소자의 상부에 형성된 투과패널의 접착력을 향상시키기 위해, 제1 절연막상에 무기절연막을 형성하는 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발광표시장치는 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터 상에 증착되는 제1절연막과, 상기 제1 절연막상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자를 포함하며, 상기 제1 절연막에는 상기 발광소자에 의해 형성되는 화상표시영역의 적어도 일측 외곽방향을 따라 상기 제1 절연막에 상기 발광소자에 유입되는 이물질을 차단하는 차단부가 형성된다.

바람직하게, 상기 발광소자 형성 전에 상기 제1 절연막상에 형성된 무기절연막을 더 포함한다. 상기 차단부는 상기 제1 절연막에 관통 형성된 슬롯형태의 관통공이며, 상기 관통공은 상기 제1 절연막 및 상기 무기절연막에 형성되며, 상기 관통공은 적어도 2㎛ 폭으로 형성된다. 상기 무기절연막은 SiNx, SiOx 중에서 선택된다.

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막 두께 만큼 형성되거나, 상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막 두께 보다 낮게 형성된다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발광표시장치는 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터 상부에 형성되는 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 상에 형성되는 무기절연막과, 상기 무기절연막 상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자를 포함하며, 상기 제1 절연막에는 상기 발광소자에 의해 형성되는 화상표시영역의 적어도 일측 외곽방향을 따라 상기 제1 절연막에 상기 발광소자에 유입되는 이물질을 차단하는 차단부가 형성된다.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 본 발광표시장치의 제조방법은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터 상에 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막에 컨택홀을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 적어도 하나이상의 부화소를 구비하는 화소영역의 적어도 일측의 외곽방향에 차단부를 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 상에 형성되며, 상기 컨택홀을 통해 상기 소스 또는 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.

바람직하게, 상기 화소전극을 형성하기 전에 상기 제1 절연막상에 무기절연막을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 차단부는 상기 컨택홀을 형성하는 단계와 동시에 형성되거나, 상기 차단부는 상기 컨택홀을 형성하는 단계와 별도로 형성된다.

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 도면들을 참조하여 본 발광표시장치 및 그 제조방법을 구체적으로 설명한다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 측단면도이며, 도 5는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 다른 일실시예의 측단면도이다. 설명의 중복을 피하기 위해, 발광표시장치를 구성하는 구성요소 중 동일한 구성요소는 동일한 참조 부호를 사용하였다.

도 3을 참조하면, 발광표시장치(400)는 기판(410)과, 기판(410) 상에 형성된 주사선과 데이터선의 교차영역에 형성되는 적어도 하나의 박막트랜지스터(미도시)에 의해 구동되는 적어도 하나이상의 부화소를 구비하는 화상표시부(411)와, 기판(410)의 일측에 형성된 다수의 패드를 가지는 패드부(412)와, 기판의 패드부(412)를 제외한 기판(412)의 가장자리를 따라 형성된 전원선(VDD)(415)과, 전원선(415)과 화상표시부(411) 사이에 형성된 주사구동부 (413) 및 화상표시부(411)와 패드부(412) 사이에 형성된 데이터 구동부(414)를 포함한다.

보다 구체적으로, 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 측단면도인 도 4와 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'선에 따른 다른 실시예의 측단면도인 도 5를 참조하면, 발광표시장치(400)는 기판(410)상에 형성된 버퍼층(420), 반도체층(430,431), 게이트절연막(425), 게이트전극(440), 층간절연막(435), 소스 및 드레인전극(441) 및 발광소자(450)를 포함한다.

버퍼층(420)은 기판(410) 상에 형성되며, 버퍼층(420) 상에는 반도체층(430,431)이 형성되며, 반도체층(430,431)을 포함한 기판(410)상에는 게이트절연막 (425)이 형성되고, 게이트절연막(425) 상에는 게이트전극(440)이 형성된다. 게이트전극(440) 양측의 반도체층(430,431)에는 소스 및 드레인영역(431)이 형성되며, 층간절연막(435)은 게이트절연막(425) 상의 기판 전면에 형성되며, 소스 및 드레인영역(431)을 노출시키는 제1 콘택홀(미도시)을 구비한다. 층간절연막(435) 상에는 소스 및 드레인영역(431)과 제1 콘택홀을 통해 콘택되는 소스 및 드레인전극(441)이 형성된다. 통상, 데이터선(미도시) 및 전원선(415)은 소스 및 드레인전극(441)과 동시에 형성된다.

한편, 제1 절연막(445)은 소스 및 드레인전극(441) 및 전원선(415)이 형성된 층간절연막(135) 상에 소스 및 드레인전극(441) 및 전원선(415) 등의 패턴에 따른 패턴굴곡현상을 없애기 위해 형성된다. 제1 절연막(445) 상에는 소스 및 드레인전극(441) 중의 어느 하나를 노출시키는 제2 콘택홀(447)이 형성된다. 발광소자(450)는 제1 절연막(445) 상에 형성되며, 통상, R,G,B를 갖는다. 이때, 발광소자(450)의 하나의 구성요소인 화소전극(미도시)은 제1 절연막(445) 상에 형성된 제2 컨택홀(447)을 통해 소스 및 드레인 전극(441)과 전기적으로 접속한다.

제1 절연막(445)에는 제1 절연막(445)을 통해 발광소자(450)에 이물질이 유입되는 것을 방지하기 위해, 박막트랜지스터에 의해 구동되는 적어도 하나 이상의 부화소를 구비하는 화상표시부(411), 즉, 발광소자(450)의 둘레방향을 따라 제1 절연막(445)에 차단부(470,471)가 형성되어 있다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 차단부(470,471)는 화상표시부(411), 주사구동부(413), 데이터구동부(414)의 둘레방향을 따라 전원선(415) 및 패드부(412)의 내 측을 따라 형성되어 있다. 도 4에 도시된 차단부(470)는 제1 절연막(445)의 증착 두께 만큼, 즉, 제1 절연막(445) 두께 전체에 걸쳐 식각공정 통해 형성되는 슬롯형태의 관통공으로, 제2 컨택홀(447)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있다. 그 형성 폭은 2㎛ 폭 이상이 바람직하며, 발광표시장치를 구성하는 다른 구성요소들의 배치 등을 고려하여 설계 공정에서 허용하는 한 식각폭이 넓을 수록 바람직하다. 한편, 도 5에 도시된 차단부(471)는 제1 절연막(445)의 증착 두께 보다 얇은 요홈 형태로 형성될 수 있다. 이때, 요홈형태의 차단부(471)는 별도의 마스크를 이용하거나 하프 톤공정을 이용하여 형성할 수 있다. 요홈 형태의 차단부(471) 역시 제2 컨택홀(447)과 동시에 형성되거나 별도로 형성될 수 있으며, 그 식각 폭은 2㎛폭 이상이 바람직하다.

발광소자(450)가 형성된 제1 절연막(445) 상부에는 발광소자(450)의 상부영역이 외부와 노출되지 않도록 발광소자(445)를 덮는 투과패널(455)이 마련된다. 투과패널(455)의 하부면, 즉, 발광소자(445)의 상부와 대향하는 면에는 투과성이 있는 흡습제(456)가 형성된다. 투과패널(455)과 제1 절연막(445)은 이들 중 적어도 어느 일측면의 둘레 방향을 따라 도포된 접착물질(sealant)(460)에 의해 접착된다.

도 3 내지 도 5에 도시된 구성에 의하여, 본 발광표시장치에서는 제1 절연막(445)을 통해 외부로부터 수분 등을 포함하는 이물질이 침투된다하더라도 차단부(470)를 따라 유도되기 때문에, 제1 절연막(445)을 통해 발광소자(450)에 직접 접촉하지 않는다. 더욱이, 제1 절연막(445)으로 유입되어 차단부(470)를 따라 유도 된 수분은 투과패널(455) 하부에 형성된 흡습제(446)에 의해 제거될 수 있다.

전술한 실시예에서는 제1 절연막(445)을 형성하고 발광소자(450)를 형성하기 전에 차단부(470) 형성하는 것이 개시되어 있으나. 제1 절연막(445) 상에 발광소자(450)를 형성한 후 차단부(470)를 형성할 수 있다. 또한, 전술한 실시예에서는 설명의 편의상 발광소자(450)와 투과패널(455)사이의 간격을 상대적으로 넓게 도시하였다.

우선, 도 6a를 참조하면, 발광표시장치(500)를 제조하기 위해서는 기판(510)을 마련하고, 기판(510)상에 버퍼층(520)과 반도체층(530,531)을 형성한다. 기판(510)은 통상 유리기판 또는 합성수지와 같은 절연기판으로 이루어지며, 반도체층(530,531)은 비정질 실리콘을 증착하고 패터닝함으로써 형성된다.

다음, 도 6b에 도시된 바와 같이, 게이트절연막(525)은 반도체층(530,531)을 포함한 버퍼층(520) 상에 형성되고, 게이트절연막(525)이 형성된 다음, 게이트절연막(525)상에는 게이트금속물질을 증착하고 패터닝함으로써 게이트전극(540)이 형성된다. 그 다음, n형 또는 p형 불순물을 반도체층으로 이온 주입함으로써, 반도체층에 소스/드레인영역(531)이 형성된다.

계속해서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 소스/드레인영역(531)이 형성된 기판(510)상에는 PECVD 등의 증착방법으로 층간절연막(535)이 형성되고, 후속공정에서 는 소스 및 드레인전극(541)을 연결하기 위한 제1 컨택홀(536)이 형성된다. 제1 컨택홀(536)은 층간절연막(535)을 식각함으로써 형성된다.

이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 층간절연막(535)상에 증착된 소스/드레인금속물질을 패터닝함으로써, 층간절연막(535) 상에 소스 및 드레인전극(541)이 형성된다. 소스 및 드레인전극(541)은 제1 컨택홀(536)을 통해 소스 및 드레인영역(531)과 각각 컨택된다.

다음으로, 도 6e에 도시된 바와 같이, 소스 및 드레인전극(541)이 형성된 층간절연막(535) 상에는 소스 및 드레인전극(541)의 패턴굴곡형상을 완화하기 위해 제1 절연막(545)이 형성된다. 제1 절연막(545)에는 후속공정을 통해 형성될 발광소자(550)를 구성하는 하나의 전극과 소스 또는 드레인전극(541)을 전기적으로 연결하기 위한 제2 컨택홀(547)이 형성된다. 또한, 제1 절연막(545) 상에는 무기절연막(580)이 형성된다. 제1 절연막(545)에는 발광소자(550)에 이물질이 유입되는 것을 방지하기 위해, 제1 절연막(545)의 증착 두께에 걸쳐 발광소자(550)의 둘레방향을 따라 차단부(570)가 형성된다. 이때, 제2 컨택홀(547)과 차단부(570)는 동시 또는 별도로 형성할 수 있다.

도 6f에 도시된 바와 같이, 무기절연막(580)에는 제1 절연막(545)에 형성된 차단부(570)에 대응하는 위치에 형성되어 차단부(570)와 연통되는 연결부(581)가 형성된다. 이들 차단부(570)와 연결부(581)는 제1 절연막(545)과 무기절연막(580)의 두께에 걸쳐 한번의 식각공정을 통해 관통된 슬롯형태의 관통공이다. 관통공(581)의 폭은 2㎛폭 이상이 바람직하며, 발광표시장치를 구성하는 다른 구성요소들 의 배치 등을 고려하여 설계 공정에서 허용하는 한 식각폭이 넓을수록 바람직하다. 본 실시예에서는 제1 절연막(545)과 무기절연막(580) 두께를 관통하는 관통공 형태의 차단부를 제조하는 공정이 개시되어 있으나, 차단부(570)를 요홈 형태로 제조할 수 있음은 물론이다. 요홈 형태로 차단부(570)를 형성하는 경우에는, 별도의 마스크 또는 하프 톤 공정을 이용할 수 있다.

이때. 제1 절연막(545)의 표면은 아크릴 수지, BCB 등의 열경화성수지로 이루어져 평탄하며, 절연막의 기능과 동시에 보호막의 기능을 동시에 수행할 수 있다. 여기서, 무기절연막(580)은 SiNx, SiOx 중에서 선택되며, 무기절연막(580)은 200Å 내지 500Å의 두께로 증착된다. 무기절연막(580) 이 형성된 다음에는, 제1 절연막(545)에 형성된 제2 컨택홀(547)과 전기적으로 접속되는 발광소자(550)가 형성된다.

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 발광표시장치의 부분 제조공정별 측단면도이다. 도 7a 내지 도 7c의 제조공정도에서는 설명의 편의상 도 6a 내지 도 6d와 동일한 제조공정을 나타내는 도면은 생략하고 그에 대응하는 설명 역시 생략한다. 또한, 도 6a 내지 도 6f에 개시된 구성요소와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용한다.

본 발명의 발광표시장치를 구성하는 박막트랜지스터의 형성공정은 도 6a 내지 도 6d를 참조한다. 도 7a를 참조하면, 박막트랜지스터는 기판상에 형성된 반도체층(530,531), 게이트절연막(525), 게이트전극(540), 층간절연막(535) 및 소스/ 드레인전극(541)을 포함한다.

도 7b를 참조하면, 박막트랜지스터가 형성된 기판(510)상에 제1 절연막(545)을 형성한 다음, 제1 절연막(545)을 통해 유입될 수 있는 이물질을 차단하는 차단부(570)를 형성한다. 차단부(570)는 식각공정을 통해 형성된 관통공이다. 그 다음 공정에서, 제1 절연막(545) 상에 무기절연막(580)을 형성하고, 제1 절연막(545)상에 형성된 무기절연막(580)에 제1 절연막(545)에 형성된 차단부(570)에 대응하는 위치에 연결부(581)를 형성한다. 연결부(581) 역시 식각공정을 통해 형성된 관통공이다. 차단부(570)와 연결부(581)를 연결하는 관통공은 컨택홀(547)과 동시에 형성되거나 별도로 형성될 수 있다. 무기절연막(580) 이 형성된 다음에는, 제1 절연막(545)에 형성된 제2 컨택홀(547)과 전기적으로 접속되는 화소전극(미도시)을 포함하는 발광소자(550)가 형성된다.

그 다음, 도 7c를 참조하면, 발광소자(550)가 형성되어 있는 무기절연막(580) 상에는 발광소자(550)의 상부를 둘러싸는 투과패널(555)이 형성된다. 투과패널(555)의 하부면, 즉, 발광소자(550)의 상부와 대향하는 면에는 발광소자(550)에서 발광된 빛을 투과하며 습기를 흡수할 수 있는 투명흡습제(556)가 형성된다. 투과패널(555)과 무기절연막(580)은 이들 중 적어도 어느 일측면의 둘레 방향을 따라 도포된 접착물질(560)에 의해 접착된다.

전술한 실시예들을 통해, 본 발광표시장치는 차단부가 형성된 제1 절연막만을 포함하거나, 제1 절연막과 무기절연막을 모두 포함하며 제1 절연막과 무기절연 막에 걸쳐 차단부가 형성되어 있는 것이 개시되어 있으나. 제1 절연막과 무기절연막 각각에 별도로 차단부를 형성하여 연통시킬 수 있다.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해여 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 제1 절연막상에 차단부를 형성함으로써, 외부로부터 수분을 포함한 이물질이 제1 절연막을 통해 발광소자에 직접 접촉되는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 발광소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명은, 패턴굴곡현상을 줄이기 위해 형성된 제1 절연막상에 무기절연막을 형성함으로써, 제1 절연막과 투과패널과의 접착력을 향상시켜 외부에서 이물질이 발표시장치로 유입되는 것을 차단할 수 있다.

Claims

기판상에 형성된 박막트랜지스터와,

상기 박막트랜지스터 상에 증착되는 제1절연막과,

상기 제1 절연막상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자

를 포함하며, 상기 제1 절연막에는 상기 발광소자에 의해 형성되는 화상표시영역의 적어도 일측 외곽 방향을 따라 상기 제1 절연막에 상기 발광소자에 유입되는 이물질을 차단하는 차단부가 형성되는 발광표시장치.
제1항에 있어서,

상기 발광소자 형성 전에 상기 제1 절연막 상에 형성된 무기절연막을 더 포함하는 발광표시장치.
제1항에 있어서,

상기 차단부는 상기 제1 절연막에 관통 형성된 슬롯형태의 관통공인 발광표시장치.
제3항에 있어서,

상기 관통공은 상기 제1 절연막 및 상기 무기절연막 두께에 걸쳐 형성되는 발광표시장치.
제4항에 있어서,

상기 관통공은 적어도 2㎛ 폭으로 형성되는 발광표시장치.
제3항에 있어서,

상기 무기절연막은 SiNx, SiOx 중에서 선택되는 발광표시장치.
제1항에 있어서,

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막 두께 만큼 형성된 발광표시장치.
제1항에 있어서,

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막 두께 보다 낮게 형성된 발광표시장치.
기판 상에 형성된 박막트랜지스터와,

상기 박막트랜지스터 상부에 형성되는 제1 절연막과,

상기 제1 절연막 상에 형성되는 무기절연막과,

상기 무기절연막 상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자

를 포함하며, 상기 제1 절연막에는 상기 발광소자에 의해 형성되는 화상표시영역의 적어도 일측 외곽방향을 따라 상기 제1 절연막에 상기 발광소자에 유입되는 이물질을 차단하는 차단부가 형성되는 발광표시장치.
제9항에 있어서,

상기 차단부는 상기 제1 절연막에 관통형성된 슬롯형태의 관통공인 발광표시장치.
제10항에 있어서,

상기 관통공이 상기 제1 절연막과 상기 무기절연막 두께에 걸쳐 형성되는 발광표시장치.
제9항에 있어서,

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막 두께 만큼 형성되는 발광표시장치.
제9항에 있어서,

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막 두께 보다 낮게 형성되는 발광표시장치.
기판을 준비하는 단계와,

상기 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 구비한 박막트랜지스터를 형성하는 단계와,

상기 박막트랜지스터 상에 제1 절연막을 형성하는 단계와,

상기 제1 절연막에 컨택홀을 형성하는 단계와,

상기 박막트랜지스터에 의해 구동되는 적어도 하나의 부화소를 구비하는 화소영역의 적어도 일측의 외곽방향에 차단부를 형성하는 단계와,

상기 제1 절연막 상에 형성되며, 상기 컨택홀을 통해 상기 소스 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계

를 포함하는 발광표시장치의 제조방법.
제14항에 있어서,

상기 화소전극을 형성하기 전에 상기 제1 절연막 상에 무기절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광표시장치의 제조방법.
제15항에 있어서,

상기 차단부는 상기 제1 절연막 및 상기 무기절연막에 형성되는 발광표시장치의 제조방법.
제16항에 있어서,

상기 차단부는 상기 제1 절연막 및 상기 무기절연막에 동시에 식각되는 발광표시장치의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 차단부는 상기 컨택홀을 형성하는 단계와 동시에 형성되는 발광표시장치의 제조방법.
제14항에 있어서,

상기 차단부는 상기 컨택홀을 형성하는 단계와 별도로 형성되는 발광표시장치의 제조방법.
제18항에 있어서,

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막의 두께 만큼 형성되는 발광표시장치의 제조방법.
제18항에 있어서,

상기 차단부의 높이는 상기 제1 절연막의 두께 보다 낮게 형성되는 발광표시장치의 제조방법.