KR100890957B1 - 표시장치 및 표시장치의 제작 방법 - Google Patents

표시장치 및 표시장치의 제작 방법 Download PDF

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

표시장치의 특성을 열화시키는 원인인, 봉지영역으로 침입하는 수분이나 산소의 양을 감소시킨 신뢰성의 높은 표시장치와, 그 제작 방법을 제공하기 위해서, 본 발명은 봉지막을 가지는 것에 의하여, 표시장치의 유기재료를 포함한 층간절연막은 표시장치(패널)외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 흡습성이 있는 유기재료를 포함하는 절연막 등을 통과하여 표시장치내로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 그러므로 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 슈링크 등 여러가지 열화를 방지 할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
표시장치, 발광소자, 유기발광, 유기수지, 봉지막

Description

표시장치 및 표시장치의 제작 방법{DISPLAY UNIT AND METHOD OF FABRICATING DISPLAY UNIT}
본 발명은, 전극간에 발광 재료를 삽입한 소자(이하, 발광소자라고 한다)를 가지는 표시장치(이하, 표시장치라고 한다) 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 특히, EL(전계 발광 : Electro luminescence)을 얻을 수 있는 발광성 재료(이하, EL 재료라고 한다)를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
최근, 발광 재료의 EL현상을 이용한 발광소자(이하, EL소자라고 한다)를 이용한 표시장치(EL표시장치)의 개발이 진행되고 있다. EL 표시장치는 발광소자자체에 발광 능력이 있기 때문에, 액정 모니터와 같은 백라이트가 불필요하며, 또한 시야각이 넓고, 콘트라스트가 높다는 등의 이점을 구비하고 있다.
EL 소자는, 한 쌍의 전극간에 유기 화합물층을 삽입하여 전압을 인가함으로써, 음극으로부터 주입된 전자 및 양극으로부터 주입된 정공이 유기 화합물층중의 발광중심에서 재결합해서 분자여기자를 형성하고, 그 분자여기자가 기저상태에 돌아갈 때에 에너지를 방출하여 발광한다고 말해지고 있다. 여기상태에는 일중항(singlet)여기와 삼중항(triplet)여기가 알려져 있으며, 발광은 어느 쪽의 여기 상태를 경유해도 가능하다고 여겨지고 있다.
또, EL소자로 이용할 수 있는 발광성 재료에는 무기발광 재료와 유기발광 재료가 있지만, 구동전압이 낮은 유기발광 재료가 주목받아 왔다.
그러나 EL소자에 유기재료를 이용하는 유기EL소자는 일정기간 구동하면 발광 휘도, 발광의 균일성 등의 발광 특성이 초기에 비해서 현저하게 열화되는 문제가 있다. 이 신뢰성의 저하는 실용화의 용도가 한정되어지게 되는 요인이다.
신뢰성을 악화시키는 요인의 하나로서, 외부로부터 유기EL소자로 침입하는 수분이나 산소 등을 들 수 있다.
EL 소자를 이용한 EL표시장치(패널)에 있어서는, 내부에 침입하는 수분은 심각한 신뢰성 저하를 불러와, 다크 스폿(dark spot)이나 쉬링크(shrink), 발광표시장치 주변부에서의 휘도 열화를 야기한다. 다크 스폿은 발광 휘도가 부분적으로 저하(발광하지 않게 되는 것도 포함한다)되는 현상이며, 상부전극에 구멍이 생겼을 경우 등에서 발생한다. 또한 쉬링크라는 것은, 화소의 끝(엣지)에서 휘도가 열화되는 현상이다.
상기와 같은 EL소자의 열화를 방지하는 구조를 가지는 표시장치의 개발이 행하여지고 있다. EL소자를 기밀성용기에 수납하고, EL소자를 밀폐 공간에 가두어 외부 공기로부터 차단하고, 또한 그 밀폐 공간에 EL소자로부터 격리하여 건조제를 설치하는 방법이 있다(예를 들면 특허문헌1 참조).
(특허문헌1)
특개평9-148066호 공보
또한 EL소자가 형성된 절연체 위에 씰재(seal agent)를 형성하고, 씰재를 이용하여 커버재 및 씰재로 둘러싸여진 밀폐 공간을 수지 등으로 이루어지는 충전재로 충전하여, 외부로부터 차단하는 방법도 있다 (예를 들면 특허문헌2참조).
(특허문헌2)
특개평13-203076호 공보
발명의 개시
(발명이 이루고자 하는 기술적 과제)
상기 특허문헌에서는, EL소자가 형성된 절연체 위에 씰재를 형성하고, 씰재를 이용하여 커버재 및 씰재로 둘러싸여진 밀폐 공간을 형성하고 있다. 이 봉지공정은 불활성가스 분위기하에서 행하므로, 물이나 산소는 처음부터 표시장치 내부에 많이 존재할 수 없으며, 봉지 직후는 표시장치 내부에는 미량의 물이나 산소밖에 존재하지 않는다.
즉, 다크스폿 등 열화의 원인이 되는 수분은 주로 봉지후에 표시장치 내부로 침입한다. 또한 절연체와 커버재는 금속이나 유리일 경우가 많으므로, 물이나 산소는 주로 씰재로부터 침입한다.
도1에, 특허문헌2에 기재의 EL표시장치의 평면도를 나타낸다. 점선으로 표시된 401은 소스측 구동회로, 402는 게이트측 구동회로, 403은 화소부, 409는 FPC(Flexible Print Circuit)이다. 또한 404는 커버재, 405는 제1 씰재, 406은 제2 씰재이다. 도1과 같은 종래의 EL표시장치의 단면도를 도27에서 나타낸다(제2 씰재406은 도시되지 않음). 도27에 나타나 있는 바와 같이, 봉지영역의 영역A에서 씰재에 의하여 EL소자를 내부에 봉입하고 있다.
상기 특허문헌1 및 특허문헌2는, 이와 같이 도27의 봉지영역의 영역A에 있어서, 씰재에 의하여 EL소자와 외부의 수분과를 차단하고 있다.
특허문헌1과 같이 EL소자를 기밀성용기에 수납하는 구조일 경우, 용기의 크기만큼, EL표시장치가 대형화해 버린다. 또한, 건조제(건조제가 들어간 보호층)가 직접 EL소자에 적층되는 것에 의하여 발생하는 악영향을 막기 위해, 건조제를 EL소자와 격리해서 배치하므로, 기밀성용기는 보다 대형화된다. 그러나 EL표시장치는 대형화되지만, 발광 부분의 크기는 변하지 않는다. 이렇게 해서는, 모처럼의 EL표시장치의 백라이트가 불필요하다는 박형(slim)화의 이점이 살려지지 않는다. 또한, 특허문헌1의 구조에서는, 기밀성용기내부에서 건조제에 의하여 수분을 흡착하므로, 기밀성용기 내부에 침입한 수분이 EL소자에 접촉하여, EL소자의 열화를 초래할 우려가 있다.
특허문헌2에서는, EL소자는 수지 등의 충전재에 의하여, 외부의 수분과 차단되어 있지만, 역시 씰재를 도27의 영역A에 도포하여, 밀폐 공간을 제작하고 있기 때문에, EL표시장치의 대형화는 피할 수 없다.
상기와 같이, 발광하는 화소부 이외의 표시장치면적(도27에 있어서 영역A)이 넓고, 발광하지 않는 부분이 증가해버려, 같은 면적의 발광 부분을 얻기 위해서는 표시장치도 대형화하지 않으면 안 된다.
이 문제를 해결하기 위해서, 씰재를, 층간막이나 보호막 등의 절연층 위에 도포하는 방법이 있다. 이러한 EL표시장치를 도17에서 나타내고 있고, 단부(end part)인 봉지 영역의 끝(엣지)부분을 확대한 것을 도2에 나타내고 있다. 도2에 있어서, 21은 기판, 22은 대향기판, 23은 게이트 절연막, 24, 25는 층간막, 26은 배선, 27은 씰재이다.
도2와 같이 봉지영역에서는, 기판21상의 게이트 절연막23, 층간막24, 25과 배선26이 적층되어, 그 절연층(적층막) 위에 씰재27이 도포되어 있다. 이 구조라면, 발광하지 않는 도27에 있어서의 영역A를 작게 하는 것이 가능하다. 덧붙이면 도 2는 일례이며, TFT기판측에 적층되어 있는 막의 재료나 적층의 순서는 이 예에 한정되지 않는다. 여기에서는 예로서 유리 기판위에 하지막(base film), 게이트 절연막, 보호막이나 층간막, 제일 위에 배선이 적층되어 있는 구조로 되어 있다.
그러나 도2와 같이 봉지를 위한 씰재가 적층된 막 위에 있는 경우, 적층되어 있는 모든 막이 패널 외부의 대기와 직접 접하게 된다. 이 때문에, 패널 외부의 물이나 산소는 적층되어 있는 막을 통과하여 표시장치내로 침입한다. 또한 층간막으로써 아크릴 등과 같은 투습성의 높은 재료를 이용하는 경우, 침입하는 물이나 산소는 보다 더 증가한다.
이 층간막의 아크릴이나 아크릴의 상하 계면으로부터 수분이나 산소가 침입하고, 콘택 홀에서 소스, 드레인 전극의 성막성(成膜性)의 악화로 인해 발생하는 단선부분 등을 경유하여, EL소자와 직접 접하고 있는 층간막까지 침입한다. 그리고 EL표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 야기한다.
따라서, 본 발명은, EL표시장치를 대형화하지 않고, EL소자의 특성을 열화시키는 원인인 침입하는 수분이나 산소를 차단하여, 신뢰성이 높은 EL표시장치와, 그 제작 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
(발명이 해결하기 위한 수단)
본 발명의 목적은, 표시장치의 단부의 봉지영역에 있어서, 상기 표시장치를 구성하고 있는 막에 의하여 표시장치 내부와 외부를 차단하고, 표시장치 외부의 물이나 산소 등의 오염물질의 침입을 막는 것이다. 또 본 명세서에 있어서, 표시장치의 내부와 외부를 차단하고, 발광소자를 오염물질로부터 보호하는 보호막을 '봉지막'이라고 기재한다.
본 발명의 표시장치는, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치로서, 상기 표시부는 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성되며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 형성되어 외주를 둘러싸고, 상기 절연층 위에 형성된 씰재에 의하여 고착되며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고, 상기 씰재의 외측에 위치하는 상기 절연층의 외단부(outer end part)는 봉지막에 의하여 피복되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시장치는, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치로서, 상기 표시부는 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성되며, 상기 한 쌍의 기판은 상기표시부의 외측에 형성되어 외주를 둘러싸고, 상기 절연층 위에 형성된 씰재에 의하여 고착되며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고, 상기 절연층은 개구부를 갖고, 상기 개구부는 봉지막에 의하여 피복되며, 상기 씰재는 상기 봉지막에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 표시장치는, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치로서, 상기 표시부는 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성되며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 형성되어 외주를 둘러싸고, 상기 절연층 위에 형성된 씰재에 의하여 고착되며, 상기 절연층의 적어도 한 층은, 유기수지재료로 형성되고, 상기 절연층은 개구부를 갖고, 상기 개구부는 봉지막에 의하여 피복되며, 상기 씰재의 외측에 위치하는 상기 절연층의 외단부는, 상기 봉지막에 의하여 피복되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 표시장치는, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치로서, 상기 표시부는 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성되며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 형성되어 외주를 둘러싸고, 상기 절연층 위에 형성된 씰재에 의하여 고착되며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고, 상기 절연층은 복수의 개구부를 갖고, 상기 복수의 개구부는 봉지막에 의하여 피복되며, 상기 씰재는 상기 봉지막에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 표시장치는, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치로서, 상기 표시부는 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성되며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 형성되어 외주를 둘러싸고, 상기 절연층 위에 형성된 씰재에 의하여 고착되며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고, 상기 절연층은 복수의 개구부를 갖고, 상기 복수의 개구부는 봉지막에 의하여 피복되며, 상기 씰재의 외측에 위치하는 상기 절연층의 외단부는 상기 봉지막에 의하여 피복되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 있어서, 상기 절연층은 복수의 개구부를 설치하여 봉지막으로 덮여 있어도 좋으며, 표시장치 내부에 있어서 어느 부분에 개구부를 설치해도 좋다. 화소 영역과 주변구동회로영역의 사이에서 봉지되어 있어도 좋고, 봉지 영역에서 봉지되어 있어도 좋다. 그러나, 상기 씰재의 외측에 위치하는 상기 절연층의 외단부는, 봉지막으로 피복되어 있을 필요가 있다. 따라서, 개구부가 씰재보다 외측에 위치했을 경우, 도4과 같이 상기 외단부는 개구부이어도 좋다.
상기 구성에 있어서, 상기 봉지막은 도전성 박막, 절연성 박막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로부터 이루어지는 막을 이용하여도 좋다. 도전성 박막으로서는 Al, Ti , Mo, W 혹은 Si의 원소로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 이루어지는 막을 이용하여도 좋다. 절연성 박막으로서는 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로부터 이루어지는 막을 이용하여도 좋다.
상기 구성에 있어서, 상기 유기수지재료는 아크릴, 폴리아미드 또는 폴리이미드로부터 선택된 일종 또는 복수종으로부터 이루어지는 막을 이용하는 것이 가능하다. 또한 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로 형성하여도 좋다. 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머를 대표예로서 들 수 있고, 상세하게는, 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되고 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기 또는 방향족 탄화수소 중 적어도 일종을 가지는 재료이다.
본 발명의 표시장치의 제작 방법은, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열해서 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작 방법으로서, 상기 표시부를 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성하며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 외주를 둘러싸서 형성하고, 상기 절연층 위에 형성한 씰재에 의하여 고착하며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성하고, 상기 씰재의 외측에 형성하는 상기 절연층의 외단부를, 봉지막에 의하여 피복한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시장치의 제작 방법은, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열해서 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작 방법으로서, 상기 표시부를 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성하며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 외주를 둘러싸서 형성하고, 상기 절연층 위에 형성한 씰재에 의하여 고착하며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성하며, 상기 절연층에 개구부를 형성하고, 상기 개구부를 봉지막에 의하여 피복하며, 상기 씰재 를 상기 봉지막에 접하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시장치의 제작 방법은, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열해서 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작 방법으로서, 상기 표시부를 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성하며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 외주를 둘러싸서 형성하고, 상기 절연층 위에 형성한 씰재에 의하여 고착하며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성하고, 상기 절연층에 개구부를 형성하고, 상기 개구부를 봉지막에 의하여 피복하며, 상기 씰재의 외측에 형성하는 상기 절연층의 외단부를, 봉지막에 의하여 피복하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 표시장치의 제작 방법은, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열해서 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작 방법으로서, 상기 표시부를 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성하며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 외주를 둘러싸서 형성하고, 상기 절연층 위에 형성한 씰재에 의하여 고착하며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성하고, 상기 절연층에 복수의 개구부를 형성하고, 상기 복수의 개구부를 각각 봉지막에 의하여 피복하며, 상기 씰재를 상기 봉지막에 접하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시장치의 제작 방법은, 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열해서 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작 방법으로서, 상기 표시부를 일방의 기판에 형성된 절연층 위에 형성하며, 상기 한 쌍의 기판은 상기 표시부의 외측에 외주를 둘러싸서 형성하고, 상기 절연층 위에 형성한 씰재에 의하여 고착하며, 상기 절연층의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성하며, 상기 절연층에 복수의 개구부를 형성하고, 상기 복수의 개구부를 각각 봉지막에 의하여 피복하며, 상기 씰재의 외측에 형성하는 상기 절연층의 외단부를, 봉지막에 의하여 피복하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 있어서, 상기 절연층은 복수 개구부를 설치해서 봉지막으로 덮어 있어도 좋고, 표시장치내부에 있어서, 어느 부분에 개구부를 설치해도 좋다. 화소영역과 주변구동회로영역의 사이에서 봉지되어 있어도 좋고, 봉지 영역에서 봉지되어 있어도 좋다. 그러나 상기 씰재의 외측에 위치하는 상기 절연층의 외단부는, 봉지막으로 피복되어 있을 필요가 있다. 따라서 개구부가 씰재보다 외측에 위치했을 경우, 도4과 같이 상기외단부는 개구부이어도 좋다.
상기 구성에 있어서, 상기 봉지막은 도전성 박막, 절연성 박막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 형성해도 좋다. 도전성 박막으로서는 Al, Ti, Mo , W 혹은 Si의 원소로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 형성해도 좋다. 절연성 박막으로서는 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 형성해도 좋다.
상기 구성에 있어서, 상기 유기수지재료는 아크릴, 폴리아미드 또는 폴리이미드로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 형성할 수도 있다. 또한 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로 형성해도 좋다. 실리콘과산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머를 대표예로서 들 수 있고, 상세하게는, 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되며 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기, 또는 방향족 탄화수소 중 적어도 일종을 가지는 재료이다.
본 발명과 같이 봉지막을 가짐으로써, 표시장치의 유기수지재료를 포함한 절연층은 표시장치(패널)외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 흡습성이 있는 것 같은 유기재료를 포함하는 절연막 등을 통과하여도 표시장치내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 물과 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있고, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 표시장치를 구성하고 있는 막을 봉지막(보호막)으로서 이용함으로써, 공정 수를 늘리지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있다.
(발명의 효과)
본 발명의 구성을 채용하는 것에 의하여, 이하에 기재한 바와 같은 효과를 얻을 수 있다.
봉지막(보호막)을 가짐으로써, 표시장치의 유기수지재료를 포함하는 절연층은 표시장치(패널)외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 흡습성이 있는 것과 같은 유기재료를 포함하는 절연막 등을 통해서 표시장치내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명은 표시장치를 구성하고 있는 막과 같은 재료의 막을 동시에 형성하여, 봉지막으로서 이용함으로써, 공정수를 늘리지 않고 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있다. 이상과 같이 해서 제작되는 표시장치는 표시장치단부의 봉지 영역에 있어서, 오염물질을 차단하는 구조를 가짐으로써, 상기 표시장치의 동작특성이나 신뢰성을 충분히 확보할 수 있다. 그리고 본 발명의 표시장치를 이용한 전자기기도 높은 신뢰성을 가질 수 있다.
도1은, 종래의 표시장치의 평면도이다.
도2은, 종래의 구성을 나타낸 도면이다.
도3은, 본 발명의 구성을 나타낸 도면이다.
도4은, 본 발명의 구성을 나타낸 도면이다.
도5은, 본 발명의 구성을 나타낸 도면이다.
도6은, 액티브 매트릭스 기판의 제작 공정을 나타낸 단면도이다.
도7은, 액티브 매트릭스 기판의 제작 공정을 나타낸 단면도이다.
도8은, 액티브 매트릭스 기판의 제작 공정을 나타낸 단면도이다.
도9은, 액티브 매트릭스 기판의 단면도이다.
도10은, 본 발명의 표시장치의 단면도이다.
도11은, 본 발명의 표시장치의 단면도이다.
도12은, 표시장치의 예를 나타내는 도면이다.
도13은, 표시장치의 예를 나타내는 도면이다.
도14은, 표시장치의 예를 나타내는 도면이다.
도15는, 종래의 표시장치의 신뢰성평가의 결과를 나타내는 도면이다.
도16은, 본 발명의 표시장치의 신뢰성평가의 결과를 나타내는 도면이다.
도17은, 종래의 EL표시장치의 단면도이다.
도18은, 본 발명의 표시장치의 단면도이다.
도19은, 종래의 표시장치의 평면도이다.
도20은, 본 발명의 표시장치의 단면도이다.
도21은, 본 발명의 표시장치의 단면도이다.
도22은, 본 발명의 표시장치의 평면도이다.
도23은, 본 발명의 표시장치의 신뢰성 평가의 결과를 도시한 도면이다.
도24은, 본 발명의 표시장치의 신뢰성 평가의 결과를 도시한 도면이다.
도25은, 본 발명의 표시장치의 신뢰성 평가의 결과를 도시한 도면이다.
도26은, 본 발명의 표시장치를 도시한 도면이다.
도27은, 종래의 EL표시장치의 단면도이다.
(실시의 형태1)
본 발명의 실시예를, 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
표시장치의 봉지 영역에서는, TFT기판상의 게이트 절연막과 층간막과 배선이 적층되어, 절연층으로 되어 있다. 도3에 있어서, 31은 기판, 32은 대향기판, 33은 절연막, 34, 35는 층간막, 36은 보호막인 봉지막, 37는 씰재이다. 덧붙이면 도3의 적층예는 일례이며, TFT기판측에 적층되어 있는 막의 재료나 적층의 순서는 이 예에 한정되지 않는다. 여기에서는 예로서 유리기판 위에 하지막 (도시하지 않음), 게이트 절연막, 보호막이나 층간막, 제일 위에 봉지막이 적층되어 있는 구조로 되어 있다.
상술한 바와 같이, 발광하지 않는 화소부 이외의 표시장치면적을 줄이기 위해서, 씰재는 상기 적층된 절연층 위에 도포되며, 절연층을 포함하는 기판과 대향기판이 접착(고착)되어 있다. 본 실시예에서는, 도3에서 나타나 있는 바와 같이 제일 위에 적층된 봉지막은 배선과 같은 재료의 막으로 배선과 동시에 형성되며, 그것에 의하여 전에 적층된 하지막 (도시하지 않음), 절연막, 층간막, 보호막 등을 덮는 구조로 되어 있다.
이 봉지막에 의하여, 층간막 등의 막은 표시장치외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 층간막 등이나, 막과 막의 간극을 통하여 표시장치내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있고, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 표시장치를 구성하고 있는 막과 같은 재료의 막을 봉지막으로 이용함으로써, 공정 수를 늘리지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있다.
물이나 산소 등을 차단하는 봉지막은, 보호막으로서 기능하므로, 이 봉지막은 치밀한 구조의 것이 바람직하다.
또한 봉지막은 도전성 박막, 절연성 박막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 이루어지는 막을 이용하여도 좋다. 도전성 박막으로서는 Al, Ti, Mo, W 혹은 Si의 원소로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 이루어지는 합금막 등의 막을 이용해도 좋다. 절연성 박막으로서는 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로부터 이루어지는 막을 이용할 수 있다.
또 절연층에 이용하는 유기수지재료는, 아크릴, 폴리아미드 또는 폴리이미드 등을 이용할 수 있고, 재료에 한정되지 않는다. 또한 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료를 이용하여도 좋다. 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머가 대표예로 들 수 있으며, 상세하게는 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되고 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기, 또는 방향족탄화수소 중 적어도 한 종을 가지는 재료이다.
또한 도5와 같이, 봉지막을 일층 뿐만 아니라, 2층 이상 설치해도 좋다. 이 때, 도전성이 있는 막으로 덮을 때는, 표시장치내부에서의 쇼트 등을 피하기 위하여, 도5의 (B)와 같이, 표시장치내부영역과는 단절하고, 봉지영역만으로 적층할 필요가 있다. 이렇게 표시장치단부를 적층해서 차단하면, 봉지막 단층보다도 더 오염물질의 차단 효과가 높아진다.
또한, 도3의 측면도에서 나타나 있는 바와 같이 봉지막으로 덮을 때, 덮여지는 하층의 막의 형상은, 경사면이 곡률반경이 연속적으로 변화되는 형상(완만한 모 양)이면, 상층의 박막이 절단되지 않게 형성되기 때문에 바람직하다. 하층의 막의 경사면은 하층의 막표면이 완만하지 않을 경우, 하층막의 표면상에서 봉지막의 막층이 얇아지게 되어, 파괴되어 버린다. 파괴된 막으로는 오염물질을 충분하게 차단할 수 없으므로, 본 발명의 효과가 감소해버린다. 또한 덮여지는 하층막의 표면의 평탄성이 좋은 쪽이, 더욱더 형성되는 봉지막의 커버리지가 좋고, 본 발명의 효과는 보다 더 향상된다. 따라서 하층막으로서 감광성 재료를 이용하여 습식 에칭을 행하면, 막표면의 거칠함이 적고, 평탄성이 좋아지기 때문에 바람직하다.
이상과 같이, 발광하지 않는 화소부 이외의 표시장치면적을 늘리는 것 없이, 열화의 원인이 되는 오염물질을 차단한 신뢰성이 높은 표시장치를 얻는 것이 가능하다.
(실시의 형태 2)
본 발명의 실시예를, 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
표시장치의 봉지 영역에서는, TFT기판상의 절연막이나 층간막이나 배선이 적층되어, 절연층을 이루고 있다. 도4에 있어서, 41은 기판, 42은 대향기판, 43 은 절연막, 44, 45은 층간막, 46은 보호막인 봉지막, 47은 씰재다. 덧붙이면, 도4의 적층예는 일례이며, TFT기판측에 적층되어있는 막의 재료나 적층의 순서는 이 예에 한정되지 않는다. 여기에서는 예로서 유리기판위에 하지막 (도시되지 않음), 절연막, 보호막이나 층간막, 제일 위에 봉지막이 적층되어 있는 구조로 되어 있다.
상술한 바와 같이, 화소부이외의 패널 면적을 줄이기 위해서, 씰재는 상기 적층된 절연층 위에 도포되어, 절연층을 포함하는 기판과 대향기판과 접착되어 있다. 본 실시예에서는, 도4에서 나타나 있는 바와 같이 적층된 하지막(도시되지 않음), 절연막, 층간막, 보호막 등에 개구부를 설치하고, 그 개구부에 봉지막이 적층된 막을 덮는 것 같이 형성된 구조로 되어 있다. 이 봉지막은 배선과 같은 재료로 동시에 형성된다.
이 봉지막에 의하여, 봉지막보다 아래의 유기수지재료등을 포함하는 절연층은 표시장치내에서 내측의 영역과 외측의 영역으로 분리된다. 표시장치 내측의 영역의 그것들의 막은 표시장치외부의 대기와 직접 접하지 않는다. 이 때문에, 분리된 표시장치내의 외측의 절연층이 대기에 노출되어, 층간막이나 막과 막의 간극으로부터 표시장치외부의 물이나 산소가, 외측의 영역의 층간막 등이나 막과 막의 사이를 통과하여 패널 내로 침입했어도, 봉지막에 의하여 차단되어 표시장치 내부에 침입할 수 없다. 따라서 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있고, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 표시장치를 구성하고 있는 막과 같은 재료로 동시에 봉지막을 형성하므로, 공정 수를 늘리지 않고, 제작하는 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
물이나 산소 등을 차단하는 봉지막은 보호막으로서 기능하므로, 이 봉지막은 치밀한 구조의 것이 바람직하다.
또한 봉지막은 도전성 박막, 절연성 박막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로 이루어지는 막을 이용하여도 좋다. 도전성 박막으로서는 Al, Ti, Mo, W 혹은 Si의 원소로부터 선택된 일종 또는 복수종으로부터 이루어지는 합금막 등의 막을 이용해도 좋다. 절연성 박막으로서는 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유탄소막으로부터 선택된 일종 또는 복수종으로부터 이루어지는 막을 이용하는 것이 가능하다.
또한 절연층에 이용하는 유기수지재료는, 아크릴, 폴리아미드 또는 폴리이미드 등을 이용할 수 있고, 재료에 한정되지 않는다. 또한 실리콘과 산소와의결합으로 골격구조가 형성된 재료로 형성해도 좋다. 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머를 대표예로서 들 수 있고, 상세하게는, 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되고 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기, 또는 방향족 탄화수소 중 적어도 한 종을 가지는 재료이다.
또한 패널 내부에서 봉지막으로 단절하고, 또한, 실시예1과 같이 패널단부를 봉지막이 덮는 구조로 하여도 좋다. 다층막은 여러 번 절단되어 있어도 좋고, 표시장치내부에 있어서, 어느 부분에서 단절되어 있어도 좋다. 즉, 화소영역과 주변구동회로영역의 사이에서 단절되어 있어도 좋고, 봉지 영역에서 단절되어 있어도 좋다.
절연층은 복수의 개구부를 설치해서 봉지막으로 덮어도 좋고, 표시장치 내부에 있어서, 어느 부분에 개구부를 설치해도 좋다. 화소영역과 주변구동회로영역의 사이에 봉지되어 있어도 좋고, 봉지영역에 봉지되어 있어도 좋다. 그러나, 상기 씰재의 외측에 위치하는 상기 절연층의 외단부는, 봉지막으로 피복되어 있을 필요가 있다. 따라서, 개구부가 씰재보다 외측에 위치했을 경우, 도4와 같이 상기 외단부는 개구부이여도 좋다.
또한 본 실시예의 도4에서는 개구부를 유리 기판에 도달하도록 형성하고 있지만, 본 발명의 구조는 이것에 한정되지 않는다. 즉, 흡습성이 있는 것과 같은 유기재료를 포함하는 절연막을 봉지막으로 덮을 수 있으면 좋으므로, 질화 실리콘막 등 봉지막으로서 이용하는 것이 가능한 막에 도달할 때까지 개구부를 형성하고, 봉지막으로 덮어도 좋다.
또한 도 5와 같이, 봉지막을 일층뿐만 아니라, 2층 이상 설치해도 좋다. 도5(A)에 있어서, 501은 기판, 502는 대향기판, 503은 절연막,504 , 505는 층간막, 506, 508은 보호막인 봉지막, 507은 씰재이다. 그때, 도전성이 있는 막으로 덮을 때는, 표시장치 내부에서의 쇼트 등을 피하기 위해서, 도 5의 (B)와 같이, 표시장치내부영역과는 단절하고, 봉지영역만으로 적층할 필요가 있다. 도 5(B)에 있어서, 511은 기판, 512는 대향 기판, 513은 절연막, 514, 515는 층간막, 516, 518은 보호막인 봉지막, 517은 씰재이다. 이와 같이, 표시장치내부에서의 절단 횟수를 증가시키거나, 단부를 덮는 구조와 조합되거나, 표시장치단부를 적층하거나 해서 차단하면, 봉지막 단층보다 더욱더 오염물질의 차단 효과가 상승한다.
본실시의 형태는 실시예1과 자유롭게 조합할 수 있다.
이상과 같이, 발광하지 않는 화소부이외의 표시장치면적을 늘리는 것 없이, 열화의 원인이 되는 물이나 산소 등의 오염물질을 차단한 신뢰성이 높은 표시장치를 얻을 수 있는다.
(실시예)
[실시예1]
본 실시예에서는 액티브 매트릭스 기판의 제작방법에 대하여 도6∼도9를 이용하여 설명한다. 액티브 매트릭스 기판은 복수의 TFT를 가지고 있지만, 각각 n채널형 TFT 및 p채널형 TFT와를 가지는 구동 회로부와 화소부를 가질 경우에 대해서 설명한다.
절연 표면을 가지는 기판200 위에 하지막 300으로서, 플라즈마 CVD법에 의하여 질화 산화 실리콘막 10∼200nm(바람직하게는 50∼100nm)을 형성하고, 산화 질화 수소화 실리콘막을 50∼200nm(바람직하게는 100∼150nm)적층한다. 본 실시예에서는 플라즈마 CVD법에 의하여 질화 산화 실리콘막을 50nm, 질화수소화실리콘막을 100nm형성하고, 기판200으로서는 유리기판, 석영기판이나 실리콘기판, 금속기판 또는 스테인레스 기판의 표면에 절연막을 형성한 것을 이용하여도 좋다. 또한 본 실시예의 처리온도에 견딜 수 있는 내열성이 가지는 플라스틱 기판을 이용하여도 좋고, 가요성 기판을 이용해도 좋다. 또한 하지막으로서 2층구조를 이용하여도 좋고, 상기 하지(절연)막의 단층막 또는 2층이상 적층시킨 구조를 이용하여도 좋다.
다음에, 하지막상에 반도체막301을 형성한다(도6(A)). 반도체막은 25∼200nm (바람직하게는 30∼150nm)의 두께에서 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 또는 플라즈마CVD법등)에 의하여 성막하면 좋다. 반도체막의 재료에 한정은 없지만, 바람직하게는 실리콘 또는 실리콘게르마늄(SiGe)합금 등으로 형성하면 좋다. 이 비정질 실리콘막에 결정화를 조장하는 금속원소를 이용한 열결정화법 및 레이저 결정화법 을 행한다.
본 실시예에서는 반도체막으로서, 플라마CVD법에 의하여 비정질실리콘막을 54nm형성했다. 금속원소로서 니켈을 이용하고, 용액도포법에 의하여 비정질실리콘막 위로 도입한다. 비정질실리콘막에의 금속원소의 유입의 방식으로서는, 당해 금속원소를 비정질실리콘막의 표면 또는 그 내부에 존재시킬 수 있는 수법이면 특별하게 한정할 것은 없고, 예를 들면 스퍼터링법, CVD법, 플라스마처리법(플라즈마CVD 법도 포함한다), 흡착법, 금속염의 용액을 도포하는 방법을 이용할 수 있다. 이 중 용액을 이용한 방법은 간편해서, 금속원소의 농도조정이 용이하다는 점에서 유용하다. 또한 이때 비정질반도체막의 표면의 흡습성을 개선하고, 비정질 실리콘막의 표면전체에 수용액을 널리 퍼지게 하기 위해서, 산소 분위기중에서의 자외선(UV광)의 조사, 열산화법, 히드록시 라디칼을 포함하는 오존수 또는 과산화수소에 의한 처리 등에 의하여, 산화막을 성막하는 것이 바람직하다.
그 후 500∼550℃에서 8∼20시간 걸쳐서 열처리를 행하고, 비정질실리콘막을 결정화한다. 본 실시예에서는 금속원소로서 니켈을 이용하고, 용액도포법에 의하여 금속함유층 302을 형성하여 비정질실리콘막 301위로 도입한 후, 550℃에서 4시간의 열처리를 행해서 제1의 결정성 실리콘막 303을 얻었다 (도6(B) (C)).
다음에 제1의 결정성 실리콘막 303에 레이저광을 조사해서 결정화를 조장하여, 제2의 결정성 실리콘막 304을 얻는다. 레이저 결정화법은, 레이저광을 반도체막에 조사한다. 이용하는 레이저는, 연속발진의 고체레이저 또는 기체 레이저 또는 금속레이저가 바람직하다. 또한, 상기 고체레이저로서는 연속발진의 YAG레이저, YVO4레이저, YLF레이저, YAlO3레이저, 유리레이저, 루비레이저, 알렉산드라이트 레이저, Ti:사파이어레이저 등이 있고, 상기 기체레이저로서는 연속발진의 Ar레이저, Kr레이저, CO2레이저등이 있으며, 상기 금속레이저로서는 연속발진의 헬륨카드뮴레이저, 구리증기 레이저, 금증기 레이저를 들 수 있다. 또한 연속 발광의 엑시머 레이저도 적용할 수 있다. 상기 레이저빔은 비선형광학소자에 의하여 고조파로 변환되어져 있어도 좋다. 상기 비선형광학소자에 이용되어지는 결정은, 예를 들면 LBO이나 BBO이나 KDP, KTP이나 KB5, CLBO라고 불리는 것을 쓰면 변환효율이라는 점에서 뛰어나다. 이것들의 비선형광학소자를 레이저의 공진기 속으로 넣으므로써, 변환효율을 대폭 상승시킬 수 있다. 상기 고조파의 레이저에는, 일반적으로 Nd, Yb, Cr 등이 도핑되어 있어, 이것이 여기(excitation)해 레이저가 발진한다. 도펀트(dopant)의 종류는 실시자가 적절히 선택하면 좋다. 상기 반도체막으로서는, 비정질반도체막이나 미결정 반도체막, 결정성 반도체막 등이 있어, 비정질 실리콘 게르마늄막, 비정질 실리콘 카바이드막 등의 비정질 구조를 가지는 화합물 반도체막을 적용해도 좋다.
이와 같이 하여 얻을 수 있은 결정성 반도체막304을 포토리소그래픽법을이용한 패터닝처리에 의하여, 반도체층305∼308을 형성한다.
또한 반도체층305∼308을 형성한 후, TFT의 경계치를 제어하기 위하여 미량의 불순물원소(붕소 또는 인)의 도핑을 행하여도 좋다.
다음으로, 반도체층305∼308을 덮는 게이트 절연막309을 형성한다. 게이트 절연막309은 플라즈마CVD법 또는 스퍼터링법을 이용하고, 두께를 40 ∼150nm으로서 실리콘을 포함하는 절연막으로 형성한다. 본 실시예에서는, 플라즈마CVD법에 의하여 115nm의 두께에서 산화 질화 실리콘막을 형성하였다. 물론, 게이트 절연막은 산화질화실리콘막에 한정되는 것은 아니며, 다른 절연막을 단층 또는 적층구조로서 이용해도 좋다.
다음으로, 게이트 절연막상에 막두께20∼100nm의 제1 도전막과, 막두께100 ∼400nm의 제2 도전막을 적층하여 형성한다. 제1 도전막 및 제2 도전막은 Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu로부터 선택된 원소 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금재료 혹은 화합물재료로 형성하면 좋다. 또한 제1 도전막 및 제2 도전막으로서 인 등의 불순물원소를 도핑한 다결정 실리콘막으로 대표되는 반도체막이나, AgPdCu합금을 이용해도 좋다. 또한 2층 구조에 한정되지 않고, 예를 들면 막두께 50nm의 텅스텐막, 막두께 500nm의 알루미늄과 실리콘의 합금(Al-Si)막, 막두께 30nm의 질화티타늄막을 순차적으로 적층한 3층 구조로 하여도 좋다. 또한 3층 구조로 할 경우, 제1 도전막의 텅스텐 대신에 질화텅스텐을 이용하여도 좋고, 제2 도전막의 알루미늄과 실리콘의 합금(Al-Si)막 대신에 알루미늄과 티타늄의 합금막(Al-Ti)을 이용하여도 좋고, 제3 도전막의 질화티타늄막 대신에 티타늄막을 이용하여도 좋다. 또한 단층 구조이여도 좋다. 또한, 본 실시예에서는, 게이트 절연막 309상에 막두께 30nm의 질화탄탈막 310, 막두께 370nm의 텅스텐막 311을 순차적으로 적층하여 형성하였다(도7(A)).
다음으로 포토리소그래픽법을 이용하여 레지스트로 이루어지는 마스크312∼316을 형성하고, 전극 및 배선을 형성하기 위한 제1 에칭처리를 행한다. ICP (Inductively Coupled Plasma : 유도 결합형 플라즈마)에칭법를 이용하고, 에칭 조건(코일형의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극온도 등)을 적절히 조절함으로써, 제1 도전막 및 제2 도전막을 원하는 테이퍼 형상으로 에칭할 수 있다. 또한, 에칭용 가스로서는, Cl2, BCl3, SiCl4 혹은 CCl4등을 대표로 하는 염소계 가스, CF4, SF6 혹은 NF3 등을 대표로 하는 불소계 가스 또는 O2를 적절히 이용할 수 있다.
제1 에칭처리에 의하여 제1 도전층과 제2 도전층으로 이루어지는 제1 형상의 도전층 317∼321(제1의 도전층 317a∼321a와 제2의 도전층 317b∼321b)을 형성하였다(도7(B)).
다음에, 레지스트로 이루어지는 마스크를 제거하지 않고 제2 에칭처리를 행한다. 여기에서는, W막을 선택적으로 에칭한다. 이 때, 제2의 에칭처리에 의하여 제2 도전층322b∼326b를 형성한다. 한편, 제1 도전층 322a∼326a는, 거의 에칭되지 않고, 제2 형상의 도전층 322∼326을 형성한다.
그리고 레지스트로 이루어지는 마스크를 제거하지 않고 제1 도핑처리를 행하여, 반도체층에 n형을 부여하는 불순물원소를 저농도로 첨가한다. 도핑처리는 이온도핑법, 또는 이온주입법으로 행하면 좋다. n형을 부여하는 불순물원소로서 15족에 속하는 원소, 전형적으로는 인(P) 또는 비소(As)을 이용하지만, 여기에서는 인(P)을 이용한다. 이 경우, 도전층 322∼326이 n형을 부여하는 불순물원소에 대한 마스크가 되고, 자기정합적으로 불순물영역 327∼330이 형성된다. 불순물영역 327∼330 에는 1×1018∼1×1020/cm3의 농도범위에서 n형을 부여하는 불순물원소를 첨가한다(도7(C)).
레지스트로 이루어지는 마스크를 제거한 후, 새롭게 레지스트로부터 되는 마스크 331a ∼331c을 형성해서 제1의 도핑 처리보다도 높은 가속 전압에서 제2 도핑처리를 행한다. 도핑처리는 제2 도전층 323b, 326b을 불순물원소에 대한 마스크로서 이용하고, 제1 도전층의 테이퍼부의 하방의 반도체층에 불순물원소가 첨가되도록 도핑한다. 계속해서, 제2 도핑처리에 의하여 가속 전압을 하강시켜서 제3 도핑처리를 행하는 것에 의하여 도8(A)의 상태를 얻는다. 제2 도핑처리 및 제3 도핑처리에 의하여, 제1 도전층과 겹치는 저농도 불순물영역 335, 341에는 1×1018∼5×1019/cm3의 농도범위에서 n형을 부여하는 불순물원소가 첨가된다. 고농도 불순물영역 334, 337, 340에는 1×1019∼5×1021cm3의 농도범위에서 n형을 부여하는 불순물원소를 첨가한다.
물론, 적당한 가속 전압으로 하는 것으로써, 제2 도핑처리 및 제3 도핑처리는 1회의 도핑처리에서, 저농도 불순물영역 및 고농도 불순물영역을 형성하는 것도 가능하다.
다음으로, 레지스트로 이루어지는 마스크를 제거한 후, 새롭게 레지스트로 구성된 마스크 342a, 342b를 형성해서 제4 도핑처리를 행한다. 이 제4 도핑처리에 의하여, p채널형 TFT의 활성층이 되는 반도체층에 상기 일도전형과는 반대의 도전형을 부여하는 불순물원소가 첨가된 불순물영역 343, 344, 347, 348을 형성한다. 제1 및 제2 도전층 322, 326을 불순물원소에 대한 마스크로서 이용하고, p형을 부여하는 불순물원소를 첨가하여 자기정합적으로 불순물영역을 형성한다. 본 실시예에서는, 불순물영역 343 , 344, 347, 348은 디보란(B2H6)을 이용한 이온도핑법으로 형성한다(도8(B)). 이 제4 도핑처리시에는, n채널형 TFT를 형성하는 반도체층은 레지스트로 이루어지는 마스크 342a, 342b으로 덮어져 있다. 제1 내지 제3 도핑처리에 의하여, 불순물영역 332, 340, 341에는 각각 다른 농도로 인이 첨가되어 있지만, 상기 어떤 영역에서도 p형을 부여하는 불순물원소의 농도를 1×1019∼5×1021atoms/cm3이 되도록 도핑처리함으로써, p채널형 TFT의 소스영역 및 드레인영역으로서 기능하기 때문에 어떠한 문제도 발생하지 않는다.
이상까지의 공정에서, 각각의 반도체층에 불순물영역이 형성된다.
다음으로, 레지스트로 이루어진 마스크 342a, 342b를 제거해서 제1 층간절연막 349를 형성한다. 이 제1 층간절연막 349로서는, 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법을 이용하고, 두께를 100∼200nm로서 실리콘을 포함하는 절연막으로 형성한다(도 8(C)). 본 실시예에서는, 플라즈마 CVD법에 의하여 막 두께 150nm의 산화질화실리콘막을 형성한다. 물론, 제1 층간절연막 349는 산화질화실리콘막에 한정되는 것은 아니며, 다른 실리콘을 포함하는 절연막을 단층 또는 적층구조로서 이용해도 좋다.
다음으로, 불순물원소를 활성화하기 위해서 가열처리, 강한 광의 조사, 또는 레이저광의 조사를 행한다. 또한 활성화와 동시에 게이트 절연막에서의 플라즈마 데미지와, 게이트 절연막과 반도체층과의 계면에서의 플라즈마 데미지를 회복할 수 있다.
제1의 층간절연막 349위에 무기절연막재료 또는 유기절연물재료로 구성된 제2 층간절연막 350을 형성한다. 본 실시예에서는, 막두께 1.6㎛의 아크릴수지막을 형성하지만, 점도가 10∼1000cp, 바람직하게는 40∼200cp의 것을 이용한다. 또한 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료를 이용하여도 좋다. 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머를 대표예로서 들 수 있고, 상세하게는 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되고 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기, 또는 방향족탄화수소 중 적어도 한 종을 가지는 재료이다. 이 후, 제2 층간절연막 350위에 질화절연막(대표적으로는, 질화실리콘막 또는 질화 산화실리콘막 또는 질소함유탄소막(CN))으로 이루어지는 패시베이션(passivation)막 351을 형성한다.
다음으로 금속막을 형성하고, 금속막을 에칭해서 각 불순물영역과 각각 전기적으로 접속하는 소스전극 및 드레인전극, 각배선(도시되지 않음)를 형성한다. 금속막은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 혹은 실리콘(Si)의 원소로 이루어지는 막 또는 이것들의 원소를 이용한 합금막을 이용하면 좋다. 또 본 실시예에서는, 티타늄막/티타늄/알루미늄합금막/티타늄막(Ti/Al-Si/Ti)을 각각 100/350/100nm로 적층한 후, 원하는 형상으로 패터닝 및 에칭을 하여 소스전극, 드레인전극 352 및 각배선(도시하지 않음)을 형성한다. 따라서 주변회로부 1에 p채널형 TFT 11, n채널형 TFT 12, 화소부2에 n채널형 TFT 13, p채널형 TFT 14이 형성된다.
이 배선을 형성할 때, 본 발명에 의거하여 봉지 영역이 되는 기판단부에서, 배선과 같은 재료의 막이 봉지막이 되고, 하층의 막을 덮도록 형성해도 좋다. 발광소자가 외부의 대기에 접하지 않으면 좋으므로, 단부의 봉지의 방법은 실시의 형태1 또는 2, 또는 그것들을 조합해서 이용하면 좋다.
이 봉지막에 의하여, 층간막등의 절연층은 표시장치외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 절연층이나, 막과 막의 간극을 통하여 표시장치내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 표시장치를 구성하고 있는 막과 동일한 재료의 막을 봉지막으로서 이용함으로써, 공정수를 늘리지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있다.
그 후에 전극(EL표시장치의 경우에는 양극 또는 음극이 되고, 액정표시장치의 경우에는 화소전극이 된다)을 형성한다. 전극에는, 인듐주석산화물과 산화실리콘으로 이루어지는 ITSO, ITO, SnO2등의 투명도전막을 이용하거나, 반사형의 액정표시장치의 경우에는 Al 등의 금속막을 이용할 수 있다. 또한 본 실시예에서는, ITO를 성막하고, 원하는 형상으로 에칭함으로써 전극353을 형성한다(도9).
이상과 같은 공정에 의하여, TFT를 구비한 액티브 매트릭스 기판이 완성된다.
또한, 본 발명은, 본 실시예에서 나타낸 톱(top) 게이트형(플래너형) TFT의 제작 방법에 한하지 않고, 바톰(buttom) 게이트형(역스태거형), 혹은 채널영역의 상하에 게이트 절연막을 사이에 두고 배치된 2극 게이트전극을 가지는, 듀얼 게이트형이나 그 밖의 구조에 있어서도 적용할 수 있다.
[실시예2]
본 실시예에서는, 실시예1에서 나타낸 액티브 매트릭스 기판을 제작할 때의 TFT의 제작 방법을 이용하여, 표시장치를 제작한 예에 관하여 설명한다. 본 명세서에 있어서, 표시장치로는, 기판상에 형성된 발광소자를 해당 기판과 커버재의 사이에 봉입한 표시용 패널 및 해당표시용 패널에 TFT를 구비한 표시용 모듈을 총칭하는 것이다. 또한, 발광소자는, 전기장을 가함으로써 발생하는 루미니센스(Electro Luminescence)를 얻을 수 있는 유기화합물을 포함하는 층(발광층)과 양극층과, 음극층을 가진다. 또한 유기화합물에 있어서의 루미니센스에는, 일중항(singlet) 여기상태로부터 기저상태에 돌아갈 때의 발광(형광)과 삼중항(triplet) 여기상태로부터 기저상태에 돌아갈 때의 발광(인광)이 있다. 본 발명에 이용하는 것이 할 수 있는 EL재료는, 일중항 여기 혹은 삼중항 여기, 혹은 양자의 여기를 경유하여 발광하는 모든 발광성 재료를 포함한다.
덧붙이면, 본 명세서중에서는, 발광소자에 있어서 양극과 음극 사이에서 형성된 모든 층을 '유기발광층'이라고 정의한다. 유기발광층에는 구체적으로, 발광층, 정공주입층, 전자주입층, 정공수송층, 전자수송층 등이 포함된다. 기본적으로 발광소자는, 양극층, 발광층, 음극층이 순차적으로 적층된 구조를 가지고 있으며, 이 구조에 더하여 양극층, 정공주입층, 발광층, 음극층 또는, 양극층, 정공주입층, 발광층, 전자수송층, 음극층 등 순차적으로 적층한 구조를 가지고 있는 것도 있다.
도11은 본 실시예의 표시장치의 단면도다. 도11에 있어서, 주변회로부 6001에 p채널형 TFT 6003, n채널형 TFT 6004, 화소부 6002에 n채널형 TFT 6005, p채널형 TFT 6006이 형성되어 있으며, 봉지영역 6000에서 봉지되어 있다. 덧붙이면, 본 실시예에서는 채널형성영역이 두개 형성되는 더블 게이트 구조라고 하고 있지만, 채널형성영역이 하나 형성되는 싱글 게이트 구조 혹은 3개가 형성되는 트리플 게이트 구조이여도 좋다.
기판 700 위에 설치된 구동회로는 도9의 CMOS회로를 이용하여 형성된다. 따라서, 구조의 설명은 n채널형 TFT 11과 p채널형 TFT 12의 설명을 참조하면 좋다. 덧붙이면, 본 실시예에서는 싱글 게이트구조로 되어 있지만, 더블 게이트구조 혹은 트리플 게이트구조이여도 좋다.
덧붙이면, 711은 투명도전막으로 이루어지는 화소전극(발광소자의 양극)이다. 투명도전막으로서는, 산화인듐과 산화주석과의 화합물, 산화인듐과 산화아연과의 화합물, 산화아연, 산화주석 또는 산화인듐을 이용할 수 있다. 또한 상기 투명도전막에 갈륨을 첨가한 것을 이용하여도 좋다. 화소전극 711은, 상기 배선을 형성하기 전에 평탄한 층간절연막상에 형성하여도 좋다. 수지로 이루어지는 평탄화막을 이용하여 TFT에 의한 단차를 평탄화하는 것은 유효하다. 후에 형성되는 발광층은 매우 얇기 때문, 단차가 존재함으로써 발광 불량을 일으킬 경우가 있다. 따라서, 발광층을 가능한한 평탄면에 형성할 수 있도록 화소전극을 형성하기 전에 평탄화해 두는 것이 바람직하다.
배선 701을 형성한 후, 도11에 나타낸 것처럼 뱅크 712을 형성한다. 뱅크 712는 100∼400nm의 실리콘을 포함하는 절연막 혹은 유기수지막을 패터닝해서 형성하면 좋다. 또한 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료를 이용하여도 좋다. 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머를 대표예로서 들 수 있고, 상세하게는 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되고 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기, 또는 방향족탄화수소 중 적어도 한 종을 가지는 재료이다.
덧붙이면, 뱅크 712는 절연막이기 때문에, 성막시에 있어서의 소자의 정전파괴에는 주의가 필요하다. 본 실시예에서는 뱅크 712의 재료가 되는 절연막중에 카본입자나 금속입자를 첨가해서 저항률을 하강시키고, 정전기의 발생을 억제한다. 이 때, 저항률은 1×106∼1×1012㎛(바람직하게는 1×108∼1×1010㎛)이 되도록 카본입자나 금속입자의 첨가량을 조절하면 좋다.
화소전극 711 위에는 발광층 713이 형성된다. 또한, 도11에서는 1화소밖에 도시하지 않았지만, 본 실시예에서는 R(빨강), G(녹색), B(파랑)의 각 색에 대응한 발광층을 나누어 만들고 있다. 또한 본 실시예에서는 증착법에 의하여 저분자계 유기발광재료를 형성하고 있다. 구체적으로는, 정공주입층으로서 20nm두께의 동프탈로시아닌(CuPc)막을 설치하고, 그 위에 발광층으로서 70nm두께의 트리스-8-퀴노리노라토알루미늄착체(Alq3)막을 설치한 적층구조로 하고 있다. Alq3에 퀴나크리돈 (quinacridon), 페릴렌(perylene) 혹은 DCMl이라고 불리는 형광색소를 첨가함으로써 발광색을 제어할 수 있다.
단지, 이상의 예는 발광층으로서 이용할 수 있는 유기발광재료의 일례로서, 이것에 한정할 필요는 전혀 없다. 발광층, 전하수송층 또는 전하주입층을 자유롭게 조합하여 발광층(발광 및 그것을 위하여 캐리어가 이동하도록 하기위한 층)을 형성하면 좋다. 예를 들면, 본 실시예에서는 저분자계 유기발광재료를 발광층으로서 이용하는 예를 개시하였지만, 중분자계 유기발광재료나 고분자계 유기발광재료를 이용하여도 좋다. 덧붙이면, 본 명세서중에 있어서, 승화성을 갖지 않는, 즉 분자수가 20이하거나 연결된 분자의 길이가 10㎛이하의 유기발광재료를 중분자계 유기발광재료라고 한다. 또한 고분자계 유기발광재료를 이용하는 예로서, 정공주입층으로서 20nm의 폴리티오펜(PEDOT)막을 스핀도포법에 의하여 설치하고, 그 위에 발광층으로서 100nm정도의 파라페닐렌비닐렌(PPV)막을 설치한 적층구조로서도 좋다.
덧붙이면, PPV의 π공역계 고분자를 이용하면, 적색으로부터 청색까지 발광 파장을 선택할 수 있다. 또한 전하수송층이나 전하주입층으로서 탄화실리콘 등의 무기재료를 이용하는 것도 가능하다. 이것들의 유기발광 재료나 무기재료는 공지의 재료를 이용할 수 있다.
다음으로 발광층 713 위에는 도전막으로 이루어지는 음극 714이 설치된다. 본실시예의 경우, 도전막으로서 알루미늄과 리튬과의 합금막을 이용한다. 물론, 공지의 MgAg막(마그네슘과 은의 합금막)을 이용하여도 좋다. 음극재료로서는, 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소로 이루어지는 도전막 또는 그것들의 원소를 첨가한 도전막을 이용하면 좋다.
이 음극 714까지 형성된 시점에서 발광소자 715가 완성된다. 덧붙이면, 여기에서 말하는 발광소자 715는, 화소전극(양극) 711, 발광층 713 및 음극 714으로 형성된 다이오드를 가리킨다.
발광소자 715를 완전하게 덮도록 하여 패시베이션막을 설치하는 것는 유효하다(도시되지 않음). 패시베이션막으로서는, 탄소막, 질화실리콘막, 질소함유 탄소막(CN) 혹은 질화산화실리콘막을 포함하는 절연막으로 구성되어, 해당 절연막을 단층 혹은 조합한 적층으로 이용한다.
이 때, 커버리지가 좋은 막을 패시베이션막으로서 이용하는 것이 바람직하며, 탄소막, 특히 DLC막을 이용하는 것은 유효하다. DLC막은 실온부터 100℃ 이하의 온도범위에서 성막이 가능하기 때문에, 내열성이 낮은 발광층 713의 상방에도 용이하게 성막할 수 있다. 또한 DLC막은 산소에 대한 블로킹 효과가 높고, 발광층 713의 산화를 억제하는 것이 가능하다. 그 때문에 이 후에 계속되는 봉지공정을 행하는 사이에 발광층 713이 산화하는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 패시베이션막(도시되지 않음)위에 씰재 717을 설치하고, 커버재 720을 접합시킨다. 씰재 717로서는 자외선경화 수지를 이용하면 좋고, 내부에 흡습효과를 가지는 물질 혹은 산화방지효과를 가지는 물질을 설치하는 것은 유효하다. 또한 본 실시예에 있어서 커버재 720은 유리기판이나 석영기판이나 플라스틱기판(플라스틱필름도 포함한다)이나 가요성 기판의 양면에 탄소막(바람직하게는 DLC막)을 형성한 것을 이용한다. 탄소막 이외에도 알루미늄막(AlON, AlN, AlO등), SiN등을 이용할 수 있다.
이렇게 해서 도11에 나타나 있는 바와 같은 구조의 표시장치가 완성된다. 덧붙이면, 뱅크 712를 형성한 후, 패시베이션막(도시되지 않음)을 형성할 때까지의 공정을 멀티 챔버 방식(또는 인라인 방식)의 성막장치를 이용하여, 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 처리 하는 것은 유효하다. 또한 더욱더 발전시켜서 커버재 720을 접합하는 공정마저도 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 처리하는 것도 가능하다.
또한, 게이트 전극에 절연막을 사이에 두고, 중첩되는 불순물영역을 설치함으로써 핫캐리어(hot carrier)효과에 기인하는 열화에 강한 n채널형 TFT를 형성하는 것도 가능하다. 이로 인해 신뢰성이 높은 표시장치를 실현할 수 있다.
또한 본실시예에서는 화소부와 구동회로의 구성만을 개시하고 있지만, 본 실시예의 제조공정에 따르면, 그 밖에도 신호분할 회로, D/A컨버터, OP앰프(Operation Amplifier), 감마(γ)보정회로 등의 논리회로를 동일한 절연체상에 형성할 수 있으며, 게다가 메모리나 마이크로프로세서도 형성할 수 있다.
본 실시예에서는, 배선을 형성할 때, 본 발명에 의거하여 봉지영역이 되는 기판단부에서, 배선과 같은 재료를 이용한 봉지막 718을 형성한다. 봉지막은 보다 하층의 막을 덮도록(피막하도록) 형성한다. 절연층, 특히 흡습성이 있는 유기재료를 포함하는 절연막이 외부의 대기에 접하지 않으면 좋으므로, 단부의 피막, 차단의 방법은 실시예1 또는 실시예2, 또는 그것들을 조합해서 이용하면 좋으며, 도11의 구조에 한정되지 않는다. 따라서 배선보다 상층에 적층하는 화소전극, 뱅크, 패 시베이션막, 음극 등으로 패널 단부를 덮어도 좋고, 2층 이상으로 덮어도 그것이 어느 막의 조합이어도 좋다.
또한, 도4에 나타나 있는 바와 같이 개구부에 봉지막을 형성하고, 하층의 막을 표시장치내에서 내측의 영역과 외측의 영역으로 분리하고, 오염물질의 침입을 막는 구조라도 좋다. 배선과 동시에, 같은 재료로 형성되는 봉지막에 의하여 표시장치 단부의 절연층이 노출된 부분을 덮고, 또한 절연층에 형성된 개구부를 같은 봉지막으로 덮은 구조를 도20에 나타낸다. 도20에 있어서, 9000은 봉지영역, 9001은 주변회로부, 9002은 화소부, 9003, 9006은 p채널형 TFT, 9004, 9005은 n채널형 TFT, 2000은 기판, 2001은 배선, 2011, 2014는 전극(양극 또는 음극), 2012는 뱅크, 2013은 발광층, 2015은 발광소자, 2018은 개구부, 2019는 개구부 2018과 측단부를 덮는 봉지막(보호막), 2017은 씰재이다. 도전성이 있는 막으로 덮을 때는, 표시장치내부에서의 쇼트 등을 피하기 위해서, 도 5의(B)와 같이, 표시장치 내부영역과는 단절하고, 봉지영역만으로 적층할 필요가 있다. 또한 도 4에서 나타나 있는 바와 같이 봉지막을 적층구조로 하여 차단하면, 봉지막 단층보다 더욱더 오염물질의 차단 효과가 상승한다. 도 21에 봉지막으로서 배선과 같은 재료의 막과, ITO와 같은 재료의 막의 적층구조를 이용한 예를 나타낸다. 도21에 있어서, 9500은 봉지영역, 9501은 주변회로부, 9502은 화소부, 9503, 9506은 p채널형 TFT, 9504, 9505는 n채널형 TFT, 2100은 기판, 2101은 배선, 2111, 2114는 전극(양극 또는 음극), 2112는 뱅크, 2113은 발광층, 2115는 발광소자, 2118은 개구부, 2119a, 2119b는 개구부 2118과 측단부를 덮는 봉지막(보호막), 2117은 씰재이다.
또한 표시장치를 구성하고 있는 막을, 어떤 막을 어떻게 조합하여 봉지막으로서 이용하더라도, 공정수를 늘리지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있다. 그러나 봉지막으로서 가장 외측에 형성되어, 외부의 수분이나 산소 등을 포함한 외부 공기에 노출되는 봉지막은, 수분이나 산소 등을 차단할 수 있는 치밀한 막일 필요가 있다. 또한 도20, 도21에 있어서는 씰재는 봉지막의 일부에 형성되어 있지만, 봉지막 전부를 덮도록 형성하여도 좋다.
종래의 구조를 가지는 표시장치와 본 실시예를 이용한 구조를 가지는 표시장치와의 신뢰성평가를 행하였다. 또, 봉지막에는 배선으로 같은 재료의 막을 이용하여, 실시 형태 1의 구조로 하였다. 신뢰성의 평가는 온도 65℃, 습도 95%에서 190시간 보존하고, 발광 휘도의 변화를 조사했다.
도15는 종래의 구조를 가지는 표시장치에서, 도16는 본 실시예를 이용한 구조의 표시장치에서, 각각 전술한 조건으로 보존한 후 190시간 후의 발광의 모양을 나타낸다. 도15 및 도16의 사진은, 각각 발광하고 있는 화소영역내의 9개소의 발광의 모양이다.
도15로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래의 구조를 가지는 표시장치에서는, 표시장치 단부로부터 중심부를 향하여, 비발광의 영역이 퍼져 있다. 이것은 전술한 바와 같이 쉬링크라고 불리는 열화이며, 물이나 산소라는 오염물질이 표시장치내부에 침입했기 때문이다. 이것과 비교하여, 도 16에서는 그러한 열화가 거의 보이지 않는다. 이것은 본 발명에 의하여, 물이나 산소 등의 오염물질이 차단되어, 표시장치 내부에 침입할 수 없었던 것을 의미한다.
본 실시예의 구조를 가지는 표시장치에 있어서는, 이 봉지막에 의해, 층간막 등의 막은 표시장치외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 층간막 등이나, 막과 막의 간극을 통하여 표시장치내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 물이나 산소 등이 야기하고 있는 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있었다. 또한 본 발명은 표시장치를 구성하고 있는 막과 같은 재료의 막을 봉지막으로 이용함으로써, 공정 수가 늘지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있었다.
이상과 같이 해서 제작되는 표시장치는 표시장치 단부의 봉지영역에 있어서, 오염물질을 차단하는 구조를 가지고 있기 때문에, 상기 표시장치의 동작 특성이나 신뢰성은 충분한 것이 될 수 있다. 그리고 이러한 표시장치는 각종전자기기의 표시부로서 이용할 수 있다.
[실시예3]
본 실시예에서는, 실시예2로 제작한 표시장치에 있어서, 봉지막의 구조가 다른 예를 도10을 이용하여 설명한다. 따라서 실시예2와 같은 구조의 부분은, 실시예2의 방법으로 제작하면 좋다.
본 실시예에서도 실시예2와 마찬가지로 실시예1에서 나타낸 액티브 매트릭스 기판을 제작할 때의 TFT의 제작방법을 이용하여, 표시장치를 제작한다.
도10은, 본 실시예의 표시장치의 단면도이다. 도10에 있어서, 5000은 봉지 영역, 5001은 주변회로부, 5002은 화소부, 5003, 5006은 p채널형 TFT, 5004, 5005은 n채널형 TFT, 1000은 기판, 1001은 배선, 1011, 1014은 전극(양극 또는 음극), 1012은 뱅크(격벽), 1013은 발광층, 1015은 발광소자, 1018은 개구부, 1019은 개구부 1018과 측단부를 덮는 봉지막(보호막), 1017은 씰재다.
본 실시예에 있어서, 전극 1011은 투명도전막으로 이루어진다. 투명도전막으로서는, 산화인듐과 산화주석과의 화합물, 산화인듐과 산화아연과의 화합물, 산화아연, 산화주석 또는 산화인듐을 이용할 수 있다. 또한 상기 투명도전막에 갈륨을 첨가한 것을 이용하여도 좋다.
도10과 같이, 전극 1011을 형성할 때, 소스전극, 드레인전극 위에 전극 1011과 같은 재료의 막을 봉지막으로서 형성해도 좋다. 소스전극, 드레인전극 아래의 층간절연막에는, 비감광성 아크릴이나 감광성 아크릴, 무기재료를 이용할 수 있다. 비감광성 아크릴이나 무기재료로 구성된 층간막에 콘택(contact)을 개구할 때에, 드라이 에칭을 이용할 필요가 있다. 드라이 에칭에 의한 에칭에 의하여 에칭 단면에 요철이 생기고, 소스전극, 드레인 전극의 성막성을 저하시킬 가능성이 있다. 도 10과 같이 소스 전극, 드레인 전극에 봉지막을 형성함으로써, 소스전극, 드레인 전극의 성막성의 불량으로부터 발생할 가능성이 있는 단선부분(막의 구멍) 등으로부터, 침입하는 수분이나 산소를 차단 할 수 있다. 따라서 EL표시장치의 수분이나 산소에 의한 열화를 막을 수 있다.
발광층 1013 위에는 도전막으로 이루어지는 전극 1014이 설치된다. 본 실시예의 경우, 도전막으로서 알루미늄과 리튬의 합금막을 이용한다. 물론, 공지의 MgAg막(마그네슘과 은의 합금막)을 이용하여도 좋다. 음극 재료로서는, 주기율표의 1족 혹은 2족에 속하는 원소로 이루어지는 도전막 또는 그 원소들을 첨가한 도전막을 이용하면 좋다.
본 실시예에서는, 발광층 1013 위에 설정되는 음극을 형성할 때에, 전극 1014과 같은 재료로 봉지막 1019을 형성한다. 기판까지 도달하는 개구부 1018을 형성하고, 봉지막 1019이 그 개구부를 덮도록 형성한다. 음극과 봉지막의 기능을 겸비한 도전막을 주변회로의 외측까지 연속해서 성막하고, 내부의 EL소자나 TFT를 보호함으로써, 씰재나 외부 공기에 노출되어 있는 아크릴 등의 층간막을 통하여 수분이나 산소가 침입했어도, 본 발명의 봉지막에 의하여 그것들을 차단 할 수 있다. 따라서 EL표시장치가 수분이나 산소에 의하여 열화되는 것을 막을 수 있다. 또한 전극 1014과 봉지막 1019은 연결되어도 좋고, 마스크 등을 이용하여 이격하여 형성하여도 좋다.
본 실시예에서는 음극과 같은 재료의 막을 봉지막에 이용했지만, 음극(제2전극) 위에 패시베이션막을 형성하고, 패시베이션막과 같은 공정, 같은 재료로 봉지막을 형성하여도 좋다.
본 실시예는, 실시형태1, 2 또는 실시예1, 2을 조합하여도 좋고, 또한 그것들을 복수 조합해서 이용해도 좋다.
[실시예4]
본 실시예에서는, 실시예 2 또는 실시예 3으로 제작한 표시장치에 있어서, 화소전극과 소스, 드레인 전극의 접속 구성, 봉지막의 구조가 다른 예를, 도 18을 이용하여 설명한다. 도 18에 있어서, 8000은 봉지영역, 8001은 주변회로부, 8002는 화소부, 8003, 8006은 p채널형 TFT, 8004, 8005는 n채널형 TFT, 1100은 기판, 1101은 배선, 1111, 1114는 전극(양극 또는 음극), 1112는 평탄화층, 1113은 발광층, 1115는 발광소자, 1116은 뱅크, 1118은 개구부, 1119는 개구부 1118과 측단부를 덮는 봉지막(보호막), 1117은 씰재이다.
도18에 나타나 있는 바와 같이 소스 전극 및 드레인 전극인 배선 1101위에 평탄화층 1112를 설치하고, 그 평탄화층 1112위에 전극 1111을 설치하고 있다. 이때, 평탄화층 1112는 무기절연막이어도 좋고, 유기절연막이어도 좋다. 평탄화층을 이용하면, 보다 더 평탄성의 향상에 유효하다. 평탄화층 1112에는, 비감광성 아크릴이나 감광성 아크릴, 무기재료 등을 이용할 수 있다. 또한 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료를 이용하여도 좋다. 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 형성된 재료로서는, 실록산계 폴리머를 대표예로서 들 수 있고, 상세하게는, 실리콘과 산소와의 결합으로 골격구조가 구성되고 치환기에 적어도 수소를 포함하는 재료, 또는 치환기에 불소, 알킬기, 또는 방향족 탄화수소 중 적어도 한 종을 갖는 재료이다.
평탄화막을 이용하여 TFT에 의한 단차를 평탄화하는 것은 유효하다. 후에 형성되는 발광층은 매우 얇기 때문에, 단차가 존재함으로써 발광 불량을 일으킬 경우가 있다. 따라서 발광층을 가능한 한 평탄면에 형성하도록 전극(화소전극)을 형성하기 전에 평탄화해 두는 것이 바람직하다.
발광층 1113 위에는 도전막으로 이루어지는 전극 1114가 설치된다. 본 실시예의 경우, 도전막으로서 알루미늄과 리튬과의 합금막을 이용한다. 물론, 공지의 MgAg막(마그네슘과 은의 합금막)을 이용해도 좋다. 음극 재료로서는, 주기율표의 1족 혹은 2족에 속하는 원소로 이루어지는 도전막 또는 그 원소들을 첨가한 도전 막을 이용하면 좋다.
본 실시예에서는, 발광층 1113 위에 설치되는 전극 1114을 형성할 때에, 전극 1114과 같은 재료로 봉지막 1119를 형성한다. 기판까지 도달하는 개구부 1118을 형성하고, 봉지막 1119이 그 개구부를 덮도록 형성한다. 음극과 봉지막의 기능을 겸비한 도전막을 주변회로의 외측까지 연속해서 성막하고, 내부의 EL소자나 TFT를 보호함으로써, 씰재나 외부 공기에 노출되어 있는 아크릴 등의 층간막을 통하여 수분이나 산소가 침입하여도, 본 발명의 봉지막에 의하여 그것들을 차단할 수 있다. 따라서 EL표시장치의 수분이나 산소에 의한 열화를 막을 수 있다. 또한 전극 1114과 봉지막 1119는 연결되어도 좋고, 마스크 등을 이용하여 분리하여 형성하여도 좋다.
본 실시예에서는 음극과 같은 재료의 막을 봉지막으로 이용했지만, 음극(제2전극)위에 패시베이션막을 형성하고, 패시베이션과 같은 공정, 같은 재료로 봉지막을 형성해도 좋다.
또한 이 평탄화층은, 주변회로 등의 평탄화가 필요 없는 곳에서는, 흡습성이 있는 아크릴 등을 재료로 이용할 경우, 수분의 통로가 되어 버릴 가능성이 있으므로, 제거해 버리는 것도 유효하다. 그러나, 제거할 때의 드라이 에칭 등에 의한 플라즈마 등이 막에게 주는 데미지를 막기 위해서, 평탄화층을 제거하지 않을 경우, 상기 전극, 패시베이션막과 같은 재료의 봉지막을 이용하여 실시예 1과 같이, 절연층 외단부를 피복하면 좋다.
본 실시예에서는, EL표시장치의 경우에 대해서 봉지 구조를 적용했지만, 실시예1이나 본 실시예의 평탄화막을 이용한 구조를 가지는 액정표시장치에도 본 발명의 봉지구조는 적용할 수 있다. 이 경우는, 본 발명의 봉지구조를 이용하여, 발광소자가 아니라 액정을 표시부로 이용하는 표시장치를 제작하면 좋다.
본 실시예는, 실시형태1 또는 2, 실시예1, 2, 3과 조합하여도 좋고, 또한 그것들을 복수 조합해서 이용해도 좋다.
[실시예5]
본 발명을 적용하여, 여러가지 표시장치(액티브 매트릭스형 표시장치)를 제작 할 수 있다. 즉, 그 표시장치들을 표시부에 조합해 넣은 전자기기에 본 발명을 적용할 수 있다. 그와 같은 전자기기로서는, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 프로젝터, 헤드마운트 디스플레이(고글형 디스플레이), 카네비게이션, 카스테레오, 퍼스널 컴퓨터, 휴대정보단말(모바일 컴퓨터, 휴대전화 또는 전자서적 등) 등을 들 수 있다. 그것들의 예를 도12, 도13 및 도14에 나타낸다.
도12(A)는 퍼스널 컴퓨터이며, 본체 3001, 화상입력부 3002, 표시부 3003, 키보드 3004 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3003에 적용함으로써 본 발명의 퍼스널 컴퓨터가 완성된다.
도12(B)는 비디오 카메라이며, 본체 3101, 표시부 3102, 음성입력부3103, 조작 스위치 3104, 배터리 3105, 수상부(image receiving unit) 3106 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3102에 적용함으로써 본 발명의 비디오 카메라가 완성된다.
도12(C)는 모바일 컴퓨터이며, 본체 3201, 카메라부 3202, 수상부 3203, 조작 스위치 3204, 표시부 3205등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3205에 적용함으로써 본 발명의 모바일 컴퓨터가 완성된다.
도12(D)는 고글형 디스플레이이며, 본체 3301, 표시부 3302, 암(arm)부 3303등을 포함한다. 표시부 3302는 기판으로서 가요성 기판을 이용하고 있으며, 표시부 3302를 만곡시켜서 고글형 디스플레이를 제작하고 있다. 또한 경량이며 얇은 고글형 디스플레이를 실현하고 있다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3302에 적용함으로써 본 발명의 고글형 디스플레이가 완성된다.
도12(E)은 프로그램을 기록한 기록 매체(이하, 기록 매체라고 부른다)를 이용하는 플레이어이며, 본체 3401, 표시부 3402, 스피커부 3403 , 기록 매체 3404, 조작 스위치 3405 등을 포함한다. 덧붙이면, 이 플레이어는 기록 매체로서 DVD(Digital Versatile Disc), CD 등을 이용하여, 음악감상이나 영화감상, 게임, 인터넷을 행하는 것이 가능하다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3402에 적용함으로써 본 발명의 기록 매체가 완성된다.
도12(F)은 디지털 카메라이며, 본체 3501, 표시부 3502, 접안부 3503, 조작 스위치 3504, 수상부(도시하지 않음) 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3502에 적용함으로써 본 발명의 디지털 카메라가 완성된다.
도13(A)은 프론트(front)형 프로젝터이며, 투사장치 3601, 스크린 3602 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 투사 장치 3601의 일부를 구성하는 액정표시장치 3808나 그 밖의 구동회로에 적용함으로써 본 발명의 프론트형 프로젝터가 완성된다.
도13(B)은 리어(rear)형 프로젝터이며, 본체 3701, 투사장치 3702, 미러 3703, 스크린 3704 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 투사장치 3702의 일부를 구성하는 액정표시장치 3808나 그 외의 구동회로에 적용함으로써 본 발명의 리어형 프로젝터가 완성된다.
덧붙이면 도13(C)은, 도13(A) 및 도13(B)에 있어서의 투사장치3601, 3702 구조의 일예를 나타낸 그림이다. 투사장치 3601, 3702는, 광원광학계 3801, 미러 3802, 3804∼3806, 다이크로익(dichroic) 미러 3803, 프리즘 3807, 액정표시장치 3808, 위상차판 3809, 투사 광학계3810로 구성된다. 투사광학계 3810는, 투사렌즈를 포함하는 광학계로 구성된다. 본 실시예는 3판식의 예를 나타내고 있으나, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 단판식이여도 좋다. 또한 도13(C)에 있어서 화살표로 나타낸 광로에 실시자가 적절히 광학 렌즈나, 편광기능을 가지는 필름이나, 위상차를 조절하기 위한 필름, IR필름 등의 광학계를 설치해도 좋다.
또한 도13(D)은, 도13(C)에 있어서의 광원광학계 3801의 구조의 일예를 개시한 그림이다. 본 실시예에서는, 광원 광학계 3801은, 리플렉터 3811, 광원 3812, 렌즈어레이 3813, 3814, 편광변환소자 3815, 집광렌즈 3816로 구성된다. 덧붙이면, 도 13(D)에 나타낸 광원 광학계는 일례이며 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 광원 광학계에 실시자가 적절히 광학렌즈나, 편광기능을 가지는 필름이나, 위상차를 조절하는 필름, IR필름 등의 광학계를 설치해도 좋다.
단, 도13에 나타낸 프로젝터에서는, 투과형의 전기광학장치를 이용했을 경우를 나타내고 있어, 반사형의 전기광학장치 및 표시장치에서의 적용예는 도시하지 않고 있다.
도14(A)은 휴대전화이며, 본체 3901, 음성출력부 3902, 음성입력부 3903, 표시부 3904, 조작 스위치 3905, 안테나 3906 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 3904에 적용함으로써 본 발명의 휴대전화가 완성된다.
도14(B)은 휴대서적(전자서적)이며, 본체 4001, 표시부 4002 , 4003, 기억매체 4004, 조작 스위치 4005, 안테나 4006 등을 포함한다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치는 표시부 4002, 4003에 적용함으로써 본 발명의 휴대 서적이 완성된다.
도14(C)은 디스플레이이며, 본체 4101, 지지대 4102, 표시부 4103 등을 포함한다. 표시부 4103은 가요성 기판을 이용하여 제작되어 있어, 경량이며 얇은 디스플레이를 실현할 수 있다. 또한 표시부 4103을 만곡시키는 것도 가능하다. 본 발명에 의하여 제작되는 표시장치를 표시부 4103에 적용함으로써 본 발명의 디스플레이가 완성된다.
이상과 같이, 본 발명의 적용 범위는 지극히 넓어, 다양한 분야의 전자기기에 적용하는 것이 가능하다.
[실시예6]
본실시예에서는, 실시예2 또는 실시예3으로 제작한 표시장치에 있어서, 봉지막의 구조가 다른 예를 도20, 도21을 이용하여 설명한다.
도20에 있어서, 2000은 기판, 2001은 배선, 2011은 전극(양극 또는 음극), 2013은 발광층, 2014은 전극(양극 또는 음극), 2115은 발광소자, 2017은 씰재다. 도20에서는 배선 2001과 같은 공정, 같은 재료로 봉지막 2019을 형성한다. 봉지영역에 기판 2000까지 도달하는 개구부 2018을 형성하고, 봉지막 2019에 의하여 개구부 2018을 덮고, 또한 표시장치단부의 절연층이 노출되어 있는 부분을 덮은 구조이다.
도21에 있어서, 2100은 기판, 2101은 배선, 2111은 전극(양극 또는 음극), 2013은 발광층, 2114은 전극(양극 또는 음극), 2115은 발광소자, 2117은 씰재이다. 도21에서는, 배선2101과 같은 재료로 형성되는 봉지막 2119a와, 화소전극 2111과 같은 재료로 형성되는 봉지막 2119b을 이용한다. 봉지막 2119a, 2119b은 각각 배선 2101, 화소전극 2111과 같은 공정으로 동시에 형성하는 것이 가능하다. 봉지영역에 기판 2100까지 달하는 개구부 2118을 형성하고, 봉지막 2119a, 2119b에 의하여 개구부 2118을 덮고, 또한, 표시장치 단부의 절연층이 노출되어 있는 부분을 덮고 있다.
본 실시예에서는, 봉지 영역의 개구부2118을 기판에 도달할 때까지 형성하지만, 치밀한 하지막까지 도달할 때까지 형성하여도 좋다. 수분의 통로가 되는 친수 성의 막에 개구부를 형성하면 좋으므로, 개구부의 형성 깊이는 적절히 설정하면 좋다. 본 실시예는 본발명의 일례이며, 본 발명은 본 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명에 의하여, 씰재나 외부 공기에 노출되어 있는 아크릴 등의 층간막이나 평탄화층 2012을 통하여 수분이나 산소가 침입하여도, 봉지막에 의하여 수분이나 산소가 차단되므로, 표시장치내부의 EL소자나 TFT를 보호할 수 있다. 따라서 EL표시장치의 수분이나 산소에 의한 열화를 방지하는 것이 가능하다. 또한 도21과 같이 봉지막을 복수 적층하면, 수분 등의 오염물질를 차단하는 능력이 보다 더 향상한다.
본 발명의 표시장치를 제작하여, 신뢰성의 평가를 행하였다. 신뢰성의 평가는 온도 65℃, 습도 95%에서 약 500시간 보존하고, 발광 휘도의 변화를 조사하였다. 도23에는 본 실시예 도20의 구조를 가지는 표시장치를, 도24에는 도21의 구조를 가지는 표시장치를, 각각 전술한 조건으로 보존한 후 500시간 후의 발광의 모양을 나타낸다. 도 23, 도 24의 사진은, 각각 발광하고 있는 화소영역내의 9개소의 발광의 모양이다.
도23의 봉지막에 의하여 EL소자나 TFT를 보호한 것에서는 오른쪽 위, 왼쪽 아래의 모퉁이부터 겨우 휘도열화가 시작되고 있지만, 심한 열화는 보여지지 않는다. 또한, 도24의 봉지막을 적층구조로 한 것에서는 그러한 열화가 거의 보여지지 않았다. 이것은, 봉지막에 의하여 개구부와 단부를 덮음으로써 수분은 다중으로 차단되고, 또한 표시장치 내부에 침입할 수 없었다는 것을 의미한다. 게다가 봉지막을 복수 적층함으로써 차단 능력은 향상되고, 표시장치의 열화를 막을 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 표시장치에서는 봉지막에 의하여, 층간막 등의 막은 표시장치 외부의 대기와 직접 접하지 않게 된다. 이 때문에, 표시장치외부의 물이나 산소가, 층간막 등이나, 막과 막의 간극을 통하여 표시장치 내에 침입하는 것을 방지할 수 있었다. 또한 봉지막에 의하여, 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치의 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다. 또한 본 발명은 표시장치를 구성하고 있는 막과 같은 재료의 막을 봉지막으로 하여 이용함으로써, 공정수를 늘리지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제작할 수 있었다.
[실시예7]
본 실시예에서는, 표시장치의 단부를 끌어 회전시키고 있는 배선의 배치가 다른 표시장치를 도 1, 도 19, 도 22 및 도 25를 이용하여 나타낸다.
도1에 있어서, 411부분에서, 화소부의 배선은, FPC(Flexible Print Circuit)에 접속된다. 411부분의 확대도를 도19에 나타낸다. 도19는 종래의 배선의 배치이며, 1901은 음극, 1902은 제1 양극, 1903은 제2 양극, 1904은 제3 양극이다. 종래의 배치에서는, 가장 외주의 배선인 음극1901이, 가장 내부에는 FPC의 접속부분이 있다. 이 때문에, 가장 외주의 배선으로, 완전하게 표시장치의 단부를 덮을 수 없다. 따라서, 그 간극으로부터 수분 등이 침입하므로, 표시장치의 열화를 전부 막을 수 없다.
본 발명의 표시장치의 배선의 배치를 도22에 나타낸다. FPC와의 접속이 가장장치의 외측에 존재하는 제1 양극 1902를 가장 외측에 배치하고, 음극 1901을 내측에 배치한다. 따라서 가장 외주의 배선이, FPC의 접속부분 이외의 간극 없이 완전하게 표시장치단부를 덮는 것이 가능해 지고, 수분을 충분히 차단할 수 있다.
또한, 배선의 배치는, 가장 외측둘레의 배선이 가장 외측으로 다른 FPC 등의 배선에 접속하고 있으면 좋으며, 배선의 종류나 극성, 수 등은 적절하게 설정하면 좋다.
도22의 배선의 배치에서, 도20의 구조를 가지는 표시장치를 제작하여 신뢰성의 평가를 행하였다. 신뢰성의 평가는 온도 65℃, 습도 95%에서 약 570시간 보존하고, 발광 휘도의 변화를 조사하였다. 도25에는 도20과 도22의 구조를 가지는 표시장치를, 전술한 조건으로 보존한 후 500시간 후의 발광의 모양을 나타낸다.
도 25에 나타나 있는 바와 같이 좌측의 상하에 매우 적게 쉬링크라고 보여지는 휘도 열화가 발생하고 있지만, 대부분은 열화되지 않고 있다. 또한 도23의, 배선의 배치가 도 19인 종래의 것과 비교하면, 열화의 정도가 약간 가볍다. 따라서 본 발명에 의하여, 표시장치의 열화를 방지하는 효과가 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 구조에 의하여, 물이나 산소 등이 야기하고 있었던 표시장치 내부의 오염, 전기 특성의 열화, 다크스폿이나 쉬링크 등 여러 가지 열화를 방지할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
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Claims (76)

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  2. 한 쌍의 기판과,
    상기 기판의 어느 한쪽 면에 형성된 하지막과,
    상기 하지막 위에 형성된 절연막과,
    상기 절연막 위에 형성된 표시부와,
    상기 표시부 내에 형성된 발광소자와,
    상기 표시부 위에 형성된 봉지막과,
    상기 표시부의 외측에 형성되어 상기 표시부의 외주를 둘러싸는 씰재를 구비하고,
    상기 한 쌍의 기판은 상기 씰재에 의하여 서로 고착되며,
    상기 절연막의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고,
    상기 절연막은 상기 봉지막으로 피복되는 개구부를 가지며,
    상기 하지막은 상기 개구부 내의 상기 봉지막과 접촉하고 있고,
    상기 씰재는 상기 봉지막에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 삭제
  4. 한 쌍의 기판과,
    상기 기판의 어느 한쪽 면에 형성된 하지막과,
    상기 하지막 위에 형성된 절연막과,
    상기 절연막 위에 형성된 표시부와,
    상기 표시부 내에 형성된 발광소자와,
    상기 표시부 위에 형성된 봉지막과,
    상기 표시부의 외측에 형성되어 상기 표시부의 외주를 둘러싸는 씰재를 구비하고,
    상기 한 쌍의 기판은 상기 씰재에 의하여 서로 고착되며,
    상기 절연막의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고,
    상기 절연막은 상기 봉지막으로 피복되는 복수의 개구부를 가지며,
    상기 하지막은 상기 복수의 개구부 내의 상기 봉지막과 접촉하고 있고,
    상기 씰재는, 상기 봉지막에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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  12. 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작방법으로서,
    상기 기판의 어느 한쪽 면에 하지막을 형성하는 단계와,
    상기 하지막 위에 절연막을 형성하는 단계와,
    상기 절연막 위에 상기 표시부를 형성하는 단계와,
    상기 표시부내에 상기 발광소자를 형성하는 단계와,
    상기 절연막에 개구부를 형성하는 단계와,
    상기 표시부 및 상기 절연막 위에 봉지막을 형성하는 단계와,
    상기 표시부의 외측에 상기 표시부의 외주를 둘러싸는 씰재를 형성하고, 상기 한 쌍의 기판을 상기 씰재에 의해 서로 고착하는 단계를 포함하고,
    상기 절연막의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고,
    상기 개구부는 상기 봉지막으로 피복되고,
    상기 하지막은 상기 개구부내의 상기 봉지막과 접촉하여 형성되고,
    상기 씰재는 상기 봉지막에 접하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
  13. 삭제
  14. 한 쌍의 기판 사이에 유기발광 재료를 이용한 발광소자를 배열하여 형성된 표시부를 가지는 표시장치의 제작방법으로서,
    상기 기판의 어느 한쪽 면에 하지막을 형성하는 단계와,
    상기 하지막 위에 절연막을 형성하는 단계와,
    상기 절연막 위에 상기 표시부를 형성하는 단계와,
    상기 표시부내에 상기 발광소자를 형성하는 단계와,
    상기 절연막에 복수의 개구부를 형성하는 단계와,
    상기 표시부 및 상기 절연막 위에 봉지막을 형성하는 단계와,
    상기 표시부의 외측에 상기 표시부의 외주를 둘러싸는 씰재를 형성하고, 상기 한 쌍의 기판을 상기 씰재에 의해 서로 고착하는 단계를 포함하고,
    상기 절연막의 적어도 한 층은 유기수지재료로 형성되고,
    상기 복수의 개구부는 상기 봉지막으로 피복되고,
    상기 하지막은 상기 복수의 개구부내의 상기 봉지막과 접촉하여 형성되고,
    상기 씰재는 상기 봉지막에 접하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 봉지막은 도전성 박막 및 절연성 박막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 봉지막은 Al, Ti, Mo, W 및 Si으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 원소를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작 방법.
  19. 제 12항에 있어서,
    상기 봉지막은 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작 방법.
  20. 제 12항에 있어서,
    상기 유기수지재료는 아크릴, 폴리아미드, 또는 폴리이미드를 포함하는 산화 실리콘으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작 방법.
  21. 제 2항에 있어서,
    상기 봉지막은 도전성 박막 및 절연성 박막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  22. 제 2항에 있어서,
    상기 봉지막은 Al, Ti, Mo, W 및 Si으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 원소를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  23. 제 2항에 있어서,
    상기 봉지막은 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  24. 제 2항에 있어서,
    상기 유기수지재료는 아크릴, 폴리아미드, 및 폴리이미드를 포함하는 산화 실리콘으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
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  29. 제 4항에 있어서,
    상기 봉지막은 도전성 박막 및 절연성 박막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  30. 제 4항에 있어서,
    상기 봉지막은 Al, Ti, Mo, W 및 Si으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 원소를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  31. 제 4항에 있어서,
    상기 봉지막은 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  32. 제 4항에 있어서,
    상기 유기수지재료는 아크릴, 폴리아미드, 및 폴리이미드를 포함하는 산화 실리콘으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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  49. 제 14항에 있어서,
    상기 봉지막은 도전성 박막 및 절연성 박막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
  50. 제 14항에 있어서,
    상기 봉지막은 Al, Ti, Mo, W 및 Si으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 원소를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
  51. 제 14항에 있어서,
    상기 봉지막은 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 또는 질소함유 탄소막으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 막을 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
  52. 제 14항에 있어서,
    상기 유기수지재료는 아크릴, 폴리아미드, 및 폴리이미드를 포함하는 산화 실리콘으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료를 일종 또는 복수종 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제작방법.
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890957B1 (ko) 2002-12-19 2009-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작 방법
SG142140A1 (en) * 2003-06-27 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing thereof
JP4741177B2 (ja) * 2003-08-29 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7928654B2 (en) 2003-08-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006054111A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Sony Corp 表示装置
CN1819300B (zh) 2004-09-17 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP2006086085A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8148895B2 (en) 2004-10-01 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
JP2006128099A (ja) * 2004-10-01 2006-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
KR100700850B1 (ko) * 2005-03-21 2007-03-29 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그 제조방법
JP4801382B2 (ja) * 2005-06-15 2011-10-26 東北パイオニア株式会社 自発光パネル及びその製造方法
US7572741B2 (en) 2005-09-16 2009-08-11 Cree, Inc. Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen
KR100879207B1 (ko) * 2005-12-30 2009-01-16 주식회사 엘지화학 플렉시블 디스플레이장치 및 이의 제조방법
TWI298234B (en) * 2006-02-23 2008-06-21 Ind Tech Res Inst A structure and method for improving contact resistance in an organic light emitting diode integrated with a color filter
JP4770519B2 (ja) * 2006-03-01 2011-09-14 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器
KR100683407B1 (ko) * 2006-03-13 2007-02-22 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
JP4820226B2 (ja) * 2006-07-18 2011-11-24 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置
KR100736573B1 (ko) * 2006-08-08 2007-07-06 엘지전자 주식회사 전계발광소자
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
TWI308805B (en) * 2006-09-22 2009-04-11 Innolux Display Corp Active matrix oled and fabricating method incorporating the same
KR101383713B1 (ko) * 2007-03-21 2014-04-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US8465795B2 (en) * 2008-05-20 2013-06-18 Palo Alto Research Center Incorporated Annealing a buffer layer for fabricating electronic devices on compliant substrates
JP5251358B2 (ja) * 2008-08-25 2013-07-31 ソニー株式会社 表示装置
JP5377985B2 (ja) 2009-01-13 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
JP5562696B2 (ja) * 2009-03-27 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
US8246867B2 (en) * 2009-10-16 2012-08-21 Corning Incorporated Method for assembling an optoelectronic device
KR101097318B1 (ko) 2009-11-25 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
TWI589042B (zh) 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
KR101886801B1 (ko) 2010-09-14 2018-08-10 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
KR101430173B1 (ko) * 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101519916B1 (ko) * 2011-04-07 2015-05-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2013077460A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル及び有機ｅｌディスプレイ
WO2013118508A1 (ja) * 2012-02-07 2013-08-15 パナソニック株式会社 複合基板及びその製造方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013186984A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Panasonic Corp 複合基板構造及びその作製方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013165007A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP6142151B2 (ja) * 2012-07-31 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP6296187B2 (ja) * 2012-07-31 2018-03-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR101992495B1 (ko) * 2013-02-07 2019-06-25 도레이첨단소재 주식회사 유연기판 소재용 측면 봉지재
US9366913B2 (en) * 2013-02-21 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US10031361B2 (en) 2013-06-11 2018-07-24 Sakai Display Products Corporation Liquid crystal panel
KR102132697B1 (ko) 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
JP2015195104A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6175644B2 (ja) * 2014-08-19 2017-08-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR101667800B1 (ko) * 2014-08-29 2016-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
WO2016067144A1 (en) * 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102357269B1 (ko) * 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP6683503B2 (ja) * 2015-03-03 2020-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102439506B1 (ko) * 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6557601B2 (ja) * 2015-12-29 2019-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
JP6807178B2 (ja) 2016-07-07 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
JP2018037354A (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018061056A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP6807223B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN206774584U (zh) * 2017-06-06 2017-12-19 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构和显示装置
US10522524B2 (en) * 2017-06-30 2019-12-31 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
JP6843710B2 (ja) * 2017-07-12 2021-03-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
KR101866300B1 (ko) * 2017-11-30 2018-06-11 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
WO2019202738A1 (ja) * 2018-04-20 2019-10-24 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
KR102019774B1 (ko) * 2018-08-02 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
US10879319B2 (en) 2018-09-17 2020-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP7391548B2 (ja) * 2019-06-14 2023-12-05 パイオニア株式会社 発光装置の製造方法
KR102085060B1 (ko) * 2019-09-03 2020-03-06 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102322819B1 (ko) * 2019-09-03 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111430300B (zh) * 2020-03-31 2023-09-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
KR20230025781A (ko) * 2020-06-18 2023-02-23 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000023041A (ko) * 1998-09-11 2000-04-25 이데이 노부유끼 유기 전계발광 소자
KR20010006970A (ko) * 1999-04-12 2001-01-26 야마자끼 순페이 반도체 장치 및 그의 제작방법
KR20010027130A (ko) * 1999-09-10 2001-04-06 김춘호 투명 절연층을 이용한 후막형 전계 발광 소자
KR20010076224A (ko) * 1999-11-19 2001-08-11 이데이 노부유끼 표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US18371A (en) * 1857-10-06 Improvement in sewing-machines
JPH03274694A (ja) * 1990-03-23 1991-12-05 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH056141A (ja) * 1991-06-27 1993-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP3578828B2 (ja) * 1995-03-21 2004-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
JPH09330789A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Sony Corp 薄膜半導体素子及び薄膜半導体装置ならびにその製造方法および製造装置
JP3774897B2 (ja) 1997-06-03 2006-05-17 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4536198B2 (ja) * 1999-03-15 2010-09-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2001076866A (ja) * 1999-09-08 2001-03-23 Toray Ind Inc 有機電界発光装置
JP3423261B2 (ja) * 1999-09-29 2003-07-07 三洋電機株式会社 表示装置
US6876145B1 (en) * 1999-09-30 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
JP4780826B2 (ja) * 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP2001118674A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置
JP4776769B2 (ja) 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW493152B (en) * 1999-12-24 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP4491894B2 (ja) 2000-02-17 2010-06-30 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
TW507258B (en) * 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP5183838B2 (ja) * 2000-05-12 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7633471B2 (en) * 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
JP4906022B2 (ja) * 2000-08-10 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置及び電子機器
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
SG125891A1 (en) * 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
US6664732B2 (en) * 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2002216654A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Toshiba Corp カラー受像管
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP4101529B2 (ja) * 2001-02-22 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2002328627A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Seiko Epson Corp 表示装置の検査方法
JP2003100446A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
JP2003297552A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP4171258B2 (ja) * 2002-07-25 2008-10-22 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
TWI272866B (en) * 2002-10-16 2007-02-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent display and method for manufacturing same
KR100890957B1 (ko) * 2002-12-19 2009-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000023041A (ko) * 1998-09-11 2000-04-25 이데이 노부유끼 유기 전계발광 소자
KR20010006970A (ko) * 1999-04-12 2001-01-26 야마자끼 순페이 반도체 장치 및 그의 제작방법
KR20010027130A (ko) * 1999-09-10 2001-04-06 김춘호 투명 절연층을 이용한 후막형 전계 발광 소자
KR20010076224A (ko) * 1999-11-19 2001-08-11 이데이 노부유끼 표시장치 및 그 제조방법

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