JP2006086085A - 発光装置 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 33
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 152
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 32
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
【解決手段】第一の基板上の外周に備えられたシール剤で第二の基板を固着させることにより、第一の基板上に形成された発光素子を封止する場合において、シール剤を発光素子の電極の外側に備え、シール剤が電極と重ならないように形成することで、外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することを特徴とする。なお、本発明においては、シール剤が電極と重なる場合であっても、その接触幅が15μm以下である場合には外部からの水分の侵入を防ぐ封止構造を形成することができる。
【選択図】 図1
Description
図2は本発明の発光装置の断面図である。基板200上に下地絶縁膜201が形成されており、その上に半導体層202〜204が形成されている。下地絶縁膜201と半導体層202〜204はゲート絶縁膜228に覆われており、ゲート絶縁膜228上には半導体層202〜204と一部重なってゲート電極205〜207が形成されている。ゲート絶縁膜228とゲート電極205〜207は層間絶縁膜208で覆われており、層間絶縁膜208の上には絶縁膜209が成膜されている。
本実施の形態では、図3を用いて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、図2と同じ部分に関しては一部説明を省略する。
図4を用いて本発明の他の実施形態について説明する。尚、図2、図3と同じ部分に関しては一部説明を省略する。
水の移動速度は、無機膜間に挟まれた有機樹脂膜があると速いが、無機膜単独や有機樹脂膜と無機膜が積層されていても有機樹脂膜の上部が大気である場合には遅い。
101 下地絶縁膜
102 電極
103 電極
104 電極
105 隔壁
106 発光層
107 電極
108 発光素子
109 画素部
110 シール材
111 対向基板
112 乾燥剤
113 領域
200 基板
201 下地絶縁膜
202 半導体層
203 半導体層
204 半導体層
205 ゲート電極
206 ゲート電極
207 ゲート電極
208 層間絶縁膜
209 絶縁膜
210 電極
211 電極
212 電極
213 薄膜トランジスタ
214 薄膜トランジスタ
215 薄膜トランジスタ
216 電極
217 隔壁
218 発光層
219 電極
220 発光素子
221 シール材
222 対向基板
223 凹部
224 乾燥材
225 駆動回路部
226 画素部
227 領域
228 ゲート絶縁膜
229 無機膜
301 配線
302 配線
303 配線
304 配線
305 配線
306 画素電極
307 層間絶縁膜
308 層間絶縁膜
309 隔壁
310 発光層
311 電極
312 基板
313 シール材
314 対向基板
315 領域
400 層間絶縁膜
401 電極
402 絶縁膜
403 隔壁
404 基板
405 シール材
406 対向基板
407 領域
500 領域
501 画素部
502 基板
503 発光素子
504 対向基板
505 シール材
506 電極
507 領域
600 領域
601 画素部
602 基板
603 発光素子
604 第2の基板
605 シール材
606 電極
701 シール材
702 電極
703 領域
704 領域
2001 筐体
2003 表示部
2004 スピーカー部
2101 本体
2102 筐体
2103 表示部
2104 音声入力部
2105 音声出力部
2106 操作キー
2108 アンテナ
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2301 本体
2302 表示部
2303 スイッチ
2304 操作キー
2305 赤外線ポート
2401 筐体
2402 表示部
2403 スピーカー部
2404 操作キー
2405 記録媒体挿入部
Claims (9)
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、かつ前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が15μm以下であることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、かつ前記シール剤は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が15μm以下であり、かつ前記シール剤と前記無機絶縁膜との接触幅が15μm以下であることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、かつ前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が15μm以下であることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、かつ前記シール剤は、前記第二の電極の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、前記シール剤と前記第二の電極との接触幅が15μm以下であり、かつ前記シール剤と前記無機絶縁膜との接触幅が15μm以下であることを特徴とする発光装置。
- 第一の基板上に形成された第一の電極と、前記第一の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第二の電極とからなる発光素子を有する発光装置であって、前記第一の電極は、その端部が有機絶縁膜で覆われており、前記第二の電極上に無機絶縁膜が形成され、前記第一の基板上に前記発光素子を挟んで備えられた第二の基板が、前記第一の基板の外周に備えられたシール剤で固着され、前記シール剤、前記発光層、および前記第二の電極の一部が前記有機樹脂膜と接しており、前記シール剤は、前記第二の電極、および前記無機絶縁膜の外部に備えられていることを特徴とする発光装置。
- 請求項5乃至請求項8のいずれか一において、前記有機絶縁膜はアクリル、ポリアミド、ポリイミド、レジスト、ベンゾシクロブテン、シロキサンポリマー、またはアルキル基を含む酸化珪素から選ばれた一種、または複数種からなることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272076A JP2006086085A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272076A JP2006086085A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086085A true JP2006086085A (ja) | 2006-03-30 |
JP2006086085A5 JP2006086085A5 (ja) | 2008-10-23 |
Family
ID=36164386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004272076A Withdrawn JP2006086085A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006086085A (ja) |
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