KR20010076224A - 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010076224A
KR20010076224A KR1020000065794A KR20000065794A KR20010076224A KR 20010076224 A KR20010076224 A KR 20010076224A KR 1020000065794 A KR1020000065794 A KR 1020000065794A KR 20000065794 A KR20000065794 A KR 20000065794A KR 20010076224 A KR20010076224 A KR 20010076224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring
layer
substrate
organic
pixel
Prior art date
Application number
KR1020000065794A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100802564B1 (ko
Inventor
우라베데쓰오
사사오카다쓰야
세키야미쓰노부
야마기시마치오
Original Assignee
이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노부유끼, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 이데이 노부유끼
Publication of KR20010076224A publication Critical patent/KR20010076224A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100802564B1 publication Critical patent/KR100802564B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

상면광(上面光) 페치형(fetch-type)의 유기(有機) 일렉트로루미네센스 소자를 화소로 하여 매트릭스형으로 배열한 표시장치에 있어서, 기판의 표면측에도 광을 차단하는 구조물로서 격벽이 배치되는 경우에, 보다 높은 개구율의 실장(實裝) 구조를 실현한다.
표시장치는 기판과, 그 위에 형성된 복수의 화소와 인접하는 화소를 서로 격리하는 격벽을 가진다. 각 화소는 기판 위에 형성된 배선(X, Y, Z)을 포함하는 하층부(LL)와, 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)를 포함하는 상층부(UL)와, 하층부(LL) 및 상층부(UL)를 서로 전기적으로 절연하는 중층부(ML)를 포함한다. 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)는 중층부(ML)에 개구한 콘택트 홀(CON)을 통해 배선(M)에 접속되어 있다. 격벽은 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)의 형성에 적합하지 않은 콘택트 홀(CON)을 포함하는 영역과 겹치도록 상층부(UL)에 배치되어 있다.

Description

표시장치 및 그 제조방법 {DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 유기 일렉트로루미네센스(electroluminescence) 소자를 사용한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 발광을 상면의 음극측에서꺼내는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 사용한 표시장치의 고개구율화(高開口率化) 기술에 관한 것이다.
유기 일렉트로 루미네센스 소자는, 예를 들면 액티브 매트릭스형 표시장치의 화소에 이용할 수 있다. 유기 일렉트로루미네센스 소자를 화소로 한 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이는 액정 디스플레이로 바뀌는 차세대 플랫 패널 디스플레이로서 유망시되고 있다. 도 7에, 종래의 유기 일렉트로루미네센스 소자의 구성을 나타냈다. 유리기판(1) 위에, 예를 들면 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어지는 양극(A)을 형성하고, 그 위에 유기층(10)을 적층한 후, 금속으로 이루어지는 음극(K)을 형성한다. 이에 따라, 다이오드 구조의 유기 일렉트로루미네센스 소자가 얻어진다. 음극(K)은, 예를 들면, 알루미늄이나 마그네슘과 은의 합금으로 이루어지고, 그 두께는, 예를 들면, 100nm 정도이다. 유기층(10)은 기본적으로는 정공(正孔) 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 적층한 것이다. 이러한 구성에 있어서, 음극(K) 및 양극(A)으로부터 각각 전자와 정공을 주입하고, 전자 수송층 및 정공 수송층을 통해, 발광층에서 전자와 정공이 재결합되어 발광한다. 이 경우, 발광은 유리기판(1)측으로부터 꺼내지게 되어, 이른바 하면광(下面光) 페치(fetch) 구조가 된다. 이와 같이 유기층(10)을 음극(K) 및 양극(A)으로 끼운 발광소자는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode)이며, OLED로 불려지고 있다.
OLED는 응답속도가 1μ초 이하이므로, 표시장치에 응용하는 경우, 단순 매트릭스에 의한 듀티(duty) 구동도 가능하다. 그러나, 화소수가 커져 고(高)듀티로 된 경우, 충분한 휘도를 확보하기 위해서는 OLED에 대하여 순간적으로 대전류를 공급할 필요가 있다.
한편, 액티브 매트릭스 운동에서는, 각 화소마다 박막 트랜지스터와 유지용량을 형성하여, 신호전압을 유지하므로, 1프레임 동안 항상 신호전압에 따라 구동전류를 OLED에 인가할 수 있다. 따라서, 단순 매트릭스와 같이 순간적으로 대전류를 공급할 필요가 없어, OLED에 대한 대미지가 적다.
그러나, 박막 트랜지스터(TFT)를 스위칭 소자에 사용한 액티브 매트릭스 방식으로 패널을 설계하는 경우, TFT를 유리기판(1) 위에 집적 형성하므로, 도 7에 나타낸 하면광 페치형의 경우 OLED로부터 광을 꺼내기 위한 개구면적이 TFT에서 좁아져, 개구율이 저하된다고 하는 문제가 있다. 이를 회피하기 위해, 유리기판(1)에 대하여 상측에 있는 음극(K)으로부터 발광을 꺼내는, 이른바 상면광 페치형 디바이스 구조가 유효하며, 이를 도 8에 나타냈다. 도시하는 바와 같이, 유리기판(1) 위에 반사층(110)을 형성하고 그 위에, 예를 들면, ITO 등의 투명 도전막으로 이루어지는 양극(A)을 형성한다. 그 위에, 유기층(10)을 겹친 후, 금속층(11)을 형성한다. 이 경우, 광을 투과 가능하게 하기 위해, 금속층(11)의 두께는, 예를 들면, 10nm 이하이다. 그 위헤, ITO 등으로 이루어지는 투명 도전층(12)을 형성한다. 발광의 페치는 상부로부터 행해지기 때문에, 음극(K)은 투과율이 높고, 또한 전자를 효율적으로 주입할 수 있도록, 일의 함수가 낮은 금속박막이 사용된다. 예를 들면, 일의 함수가 낮은 알루미늄과 리튬의 합금 또는 마그네슘과 은의 합금을 10nm 정도로 얇게 성막한다. 다시 그 위에, 투명 도전막(12)을, 예를 들면, 100nm의 두께로성막하여 둔다. 이 투명 도전막(12)은 얇은 금속층(11)의 보호와, 배선 저항의 저(低)저항화의 역할을 완수한다.
이와 같은 상면광 페치형의 디바이스 구조는, 하면광 페치형 디바이스 구조와 비교하여, 원리적으로 화소의 개구율을 높게 할 수 있다. 그러나, 상면광 페치형 디바이스를 화소로서 매트릭스형으로 배열하여 표시장치를 구성한 경우, 기판의 표면측에도 광을 차단하는 격벽 등의 구조체가 배치되는 경우가 많아, 보다 높은 개구율이 얻어지는 실장 구조의 개발이 급선무로 되고 있다.
도 1은 본 발명에 관한 표시장치의 실시형태를 나타낸 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명에 관한 표시장치의 실시형태를 나타낸 부분 평면도이다.
도 3은 마스크와 기판과의 관계를 나타낸 개략적인 평면도이다.
도 4는 유기 일렉트로루미네센스(electroluminescence) 소자의 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 5는 본 발명에 관한 표시장치의 1화소분의 등가회로를 나타낸 회로도이다.
도 6은 본 발명에 관한 표시장치의 전체 구성을 나타낸 회로도이다.
도 7은 종래의 유기 일렉트로루미네센스 소자의 일예를 나타낸 단면도이다.
도 8은 종래의 일렉트로 루미네센스 소자의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
전술한 종래 구조의 과제를 해결하기 위해, 다음의 수단을 강구했다. 즉, 본 발명은 기판과, 그 위에 형성된 복수의 화소와, 인접하는 화소를 서로 격리하는 격벽을 가지는 표시장치로서, 이 화소는 상기 기판 위에 형성된 배선을 포함하는 하층부와, 유기 일렉트로루미네센스 소자를 포함하는 상층부와, 하층부 및 상층부를 서로 전기적으로 절연하는 중층부를 포함하고, 이 유기 일렉트로루미네센스 소자는 이 중층부에 개구한 콘택트 홀을 통해 이 배선에 접속되어 있고, 이 격벽은 이 콘택트 홀을 포함하는 영역과 겹치도록 이 상층부에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 구체적으로는, 상기 유기 일렉트로루미네센스 소자는 이 배선과 접속한 반사성의 양극과, 표면에 위치하는 투명한 음극과, 양극 및 음극 사이에 유지된 유기층으로 이루어지고, 상기 유기층은 이 양극으로부터 공급되는 정공과 이 음극으로부터 공급되는 전자와의 재결합에 의해 발광하고, 이를 표면의 음극으로부터 꺼낸다. 이 경우, 상기 유기층은 이 격벽을 통해 기판 위에 배치된 매트릭스를 사용하여 선택적으로 퇴적된 적층막으로 이루어진다. 또, 상기 하층부는 화소를 선택하기 위한 주사배선과, 화소를 구동하기 위한 휘도배선을 부여하는 데이터배선과, 주사배선에 의해 제어되고, 또한 데이터배선으로부터 주어진 휘도정보를 화소에 기입하는 기능을 가지는 제1 능동소자와, 이 기입된 휘도정보에 따라 이 유기 일렉트로루미네센스 소자에 전류를 공급하고 그 발광을 제어하는 기능을 가지는 제2 능동소자를 포함한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 표시장치의 구성을 나타낸 부분 단면도의 일예이며, 1화소분을 나타내고 있다. 도시하는 바와 같이, 본 표시장치는 기판(1)과, 그 위에 형성된 화소와, 이 화소를 인근의 화소로부터 격리하는 격벽(6)을 가진다. 화소는 아래로부터 차례로 하층부(LL)와 중층부(ML)와 상층부(UL)로 나누어져 있다. 하층부(LL)는 기판(1) 위에 형성된 데이터배선(Y)이나 접속배선(M) 등의 배선을 포함한다. 상층부(UL)는 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)를 포함한다. 중층부(ML)는 하층부(LL) 및 상층부(UL)를 서로 전기적으로 절연하는 것이며, 층간 절연막(50)으로 이루어진다. 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)는 중층부(ML)를 구성하는 층간 절연막(50)에 개구한 콘택트 홀(CON)을 통해 접속배선(M)에 전기접속되어 있다. 특징사항으로서, 격벽(6)은 콘택트 홀(CON)을 포함하는 영역(이하, 콘택트 영역)과 겹치도록 상층부(UL)에 배치되어 있다. 이 콘택트 영역은 배선이 복잡하게 뒤얽혀 있고 기복이 심해 OLED의 형성에 적합하지 않다. 만일, 여기에 OLED를 형성해도 화면의 표시에 유효한 발광이 얻어지지 않는다. 그래서, 이 콘택트 영역에는 원래 발광에는 기여하지 않는 구조물인 격벽(6)을 형성하도록 하고 있다. 이러한 구조에 의해, 화소 면적을 유효활용하는 것이 가능하게 되어 종래에 비해 개구율을 개선할 수 있다. 본 구조에 의해 50%를 초과하는 개구율을 달성할 수 있다.
본 실시형태에서는 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)는 상면광 페치형으로 되어 있고, 배선(M)과 접속한 반사성의 양극(A)과, 표면에 위치하는 투명한 음극(K)과, 양극(A) 및 음극(K) 간에 유지된 유기층(10)으로 이루어진다. 유기층(10)은 양극(A)으로부터 공급되는 정공과 음극(K)으로부터 공급되는 전자와의 재결합에 의해 발광되고, 이것을 표면의 음극(K)으로부터 꺼낸다. 도시하는 바와 같이, 유기층(10)은 콘택트 영역을 제외한 비교적 평탄한 부분에 걸쳐 가능한 한 넓게 형성함으로써, 화소 개구율을 높게 하고 있다. 유기층(10)의 형성에 부적당한 콘택트 영역에는 원래 발광에 기여하지 않는 격벽(6)을 형성하도록 하고 있다. 그리고, 화소의 개구 치수(L)는, 예를 들면, 170 내지 180㎛이며, 격벽의 폭 치수(W)는, 예를 들면, 30 내지 40㎛이다. 또, 격벽(6)의 높이 치수(H)는, 예를 들면, 3 내지 5㎛이다. 여기에서, 유기층(10)은 격벽(6)을 통해 기판(1) 위에 배치된 마스크(5)를 사용하여 선택적으로 퇴적된 적층막으로 이루어진다. 환언하면, 격벽(6)은 OLED를 형성할 때, 기판(1)과 마스크(5) 사이의 스페이서로서의 역할을 완수하며, 마스크(5)가 OLED의 형성면에 잘못 접촉되는 것을 방지하기 위해 배치되어 있다. 본 표시장치는 액티브 매트릭스형이며, 하층부(LL)에는, 화소를 선택하기 위한 주사배선(X)과, 화소를 구동하기 위한 휘도정보를 부여하는 데이터배선(Y)과, 주사배선(X)에 의해 제어되고, 또한 데이터배선(Y)으로부터 주어진 휘도정보를 화소에 기입하는기능을 가지는 제1 능동소자와, 기입된 휘도정보에 따라 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)에 전류를 공급하고 그 발광을 제어하는 기능을 가지는 제2 능동소자를 포함한다. 도 1에서는, 제2 능동소자로서 기판(1) 위에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)가 나타나 있다. 이 TFT는 보텀 게이트 구조를 가지며, 게이트전극(G)과 그 위에 형성된 게이트 절연막(31)과 그 위에 형성된 반도체 박막(32)으로 이루어진다. 물론, 이른바 톱 게이트 구조라도 특히 문제는 없다. 이 반도체 박막(32)은 게이트 전극(G)과 정합(整合)되는 채널영역에 더하여, 그 양측에 소스영역(S)과 드레인영역(D)을 구비하고 있다. 이러한 구성을 가지는 TFT는 층간 절연막(33)에 의해 피복되어 있고, 그 위에 전술한 데이터배선(Y)이나 접속배선(M)이 형성되어 있다. 도면에는 나타나 있지 않지만, 데이터배선(Y)은 층간 절연막(33)에 개구한 콘택트 홀을 통해 TFT의 소스영역(S)에 전기접속되어 있다. 마찬가지로 접속배선(M)도 층간 절연막(33)에 개구한 콘택트 홀을 통해 TFT의 드레인영역(D)에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, OLED의 양극(A)은 접속배선(M)을 통해 TFT의 드레인영역(D)에 전기접속되어 있게 된다.
계속해서 도 1을 참조하여, 본 발명에 관한 표시장치의 제조방법을 설명한다. 먼저, 유리 등으로 이루어지는 기판(1)의 표면에 도전재료를 성막한 후, 소정의 형상으로 패터닝하여 화소전극(G)을 형성한다. 동일한 도전재료를 사용하여 주사배선(X) 등도 동시에 형성한다. 도전재료로서는, 불순물을 고농도로 주입한 다결정 실리콘, 실리사이드 또는 고융점 금속(W, Mo 외) 등을 사용할 수 있다. 계속해서 CVD법 등에 의해 게이트 절연막(31)을 성막한다. 이 게이트 절연막(31)으로서는, 예를 들면, SiO2또는 SiN 등을 사용할 수 있다. 이 게이트 절연막(31) 위에 반도체 박막(32)을 성막한다. 예를 들면, CVD법으로 비정질 실리콘을 퇴적하고, 고상성장법(固相成長法) 또는 UV 레이저광에 의해 레이저 어닐법을 사용하여 다결정 실리콘으로 전환한다. 이와 같이 하여 얻어진 반도체 박막(32)에 선택적으로 불순물을 주입하여 소스영역(S) 및 드레인영역(D)을 형성한 후, 소자영역의 형상에 맞추어 패터닝한다. 이와 같이 하여 얻어진 보텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터(TFT)를 피복하도록, 예를 들면, SiO2로 이루어지는 층간 절연막(33)을 형성한다. 이 층간 절연막(33)에, TFT의 소스영역(S)이나 드레인영역(D)에 연이어 통하는 도시하지 않은 콘택트 홀을 개구한다. 이 후, 층간 절연막(33) 위에 스퍼터링 등으로 금속 박막을 형성하고, 소정의 형상으로 패터닝하여 데이터배선(Y)이나 접속배선(M)을 형성한다. 금속 박막으로서는, 일반적으로 알루미늄이 사용된다. 경우에 따라서는, Ti/TiN/Ti/Al/Ti/TiN/Ti의 다층 구조 또는 AlSi 및 AlCu 등의 합금층을 사용할 수 있다. 이상에 의해, 화소의 하층부(LL)가 형성된다. 그 위에, 중층부(ML)로서 SiO2등으로 이루어지는 층간 절연막(50)을 성막한다. 이것에 콘택트 홀(CON)을 에칭으로 개구한 후, 예를 들면, Al, Cr 등의 금속으로 이루어지는 광반사성의 양극(A)을 형성한다. 이 양극(A)의 위에 SiO2등으로 이루어지는 절연층(15)을 성막한 후, 에칭에 의해 창부(窓部)를 개구한다. 이 창부에 OLED가 형성되게 된다. 도면에서 명백한 바와 같이, 창부는 콘택트 홀(CON)을 포함하는 콘택트 영역을 제외한 부분에 형성되어 있다. 이 단계에서, 남은 절연층(15) 위에 격벽(6)을 형성한다. 이격벽(6)은 유기 또는 무기의 절연재료로 이루어진다. 본 실시형태에서는, SiO2를 스퍼터로 3 내지 5㎛의 두께로 퇴적하여 격벽(6)을 형성했다. 도면에서 명백한 바와 같이, 격벽(6)은 콘택트 홀(CON)을 포함하는 콘택트 영역에 형성되어 있다. 그 후, 격벽(6)을 스페이서로 하여 마스크(5)를 배치하고, 증착에 의해 유기층(10)을 성막한다. 이 때, 격벽(6)은 마스크(5)가 기판(1)의 표면에 접촉하지 않도록 스페이서로서의 역할을 완수한다. 유기층(10)을 증착한 후, 투명한 음극(K)을 기판(1)의 표면 전체에 성막한다. 이 음극(K)은 모든 화소에 걸쳐 공통 전위로 유지된다. 이상으로 각 화소의 상층부(UL)가 완성된다.
도 2는 도 1에 나타낸 표시장치의 개략적인 평면도의 일예이다. 도시하는 바와 같이, 데이터배선(Y)은 화면의 세로방향으로 배치되고, 주사배선(X)은 가로방향으로 배치되어 있다. 또, 상하로 인접하는 화소(PXL)를 서로 격리하는 격벽(6)도 가로방향으로 배치되어 있고, 도 1에서 설명한 바와 같이 콘택트 영역과 겹치는 부분에 형성되어 있다. 화소(PXL)의 해칭(hatching)을 기입한 부분이 OLED가 형성된 영역이며, 유효한 발광면적으로 되어 있다.
도 3은 참고로서 기판(1)과 마스크(5)의 상대적인 위치관계를 나타낸 개략적인 평면도의 일예이다. 본 예는 기판(1)에 R G B 3원색의 화소를 진공증착으로 형성하는 경우를 나타내고 있다. 기판(1)의 표면에는 미리 격벽(6)이 스트라이프형으로 형성되어 있다. 이 격벽(6)은 유기 또는 무기의 절연물로 이루어지고, 예를 들면 스크린 인쇄 또는 스퍼터링에 의해 기판(1)의 표면에 형성할 수 있다. 스트라이프형으로 형성된 각 격벽(6) 사이에, R G B 3원색으로 나누어진 화소를 형성한다. 이 때문에, 마스크(5)는 도시한 바와 같은 패턴(8)을 가지며, 해칭이 가해져 있지 않은 부분에 직사각형의 개구가 열려 있다. 도시한 상태에서는, 마스크(5)의 패턴(8)은 기판(1)측의 화소 R에 대응하고 있다. 이 상태에서, 진공증착을 행함으로써, 화소 R을 구성해야 할 유기물질이 선택적으로 증착된다. 그 후, 마스크(5)를 우측으로 1화소분 시프트함으로써, 패턴(8)은 화소 G의 영역에 정합되게 된다. 여기에서 유기물질을 교환하여 재차 진공증착을 행함으로써, 화소 G를 형성할 수 있다. 동일하게 하여, 마스크(5)를 다시 우측으로 1화소분 시프트하여, 화소 B를 형성한다.
도시한 예에서는, 격벽(6)의 배열간격은, 예를 들면, 300㎛로 설정되어 있다. 이에 대하여, 마스크(5)에 형성된 개구 패턴(8)의 치수는, 예를 들면, 70 ×200㎛이다. 또, 마스크(5)는, 예를 들면, 스테인레스강(鋼)으로 이루어지고, 그 두께는, 예를 들면, 50㎛ 정도이다. 이에 대하여, 기판(1)과 마스크(5)의 간극 치수를 규정하는 격벽(6)의 두께는, 예를 들면, 5㎛ 정도이다.
다음에, 도 4를 참조하여, 도 3에 나타낸 마스크를 사용하여 유리기판 위에 일렉트로루미네센스 소자로 이루어지는 화소를 형성하는 방법의 일예를 구체적으로 설명한다. 먼저, (A)에 나타낸 바와 같이, 미리 콘택트 홀(CON)을 형성한 층간 절연막(50) 위에, 크롬(Cr)을 막 두께 200nm로 DC 스퍼터링에 의해 성막한다. 그리고, 층간 절연막(50)보다 아래의 층은 도시를 생략하고 있다. 스퍼터 가스로서 알곤(Ar)을 사용하고, 압력을 0.2Pa, DC 출력을 300W로 했다. 통상의 리소그래피 기술을 사용하여, 소정의 형상으로 패터닝한다. 에칭액으로서 ETCH-1(산요가세이고교 (三洋化成工業)(株)제)를 사용하여 가공한다. 소정 형상의 양극(A)이 얻어진다. 크롬은 상기 에칭액에 의해 고정밀 또한 재현성 양호하게 가공할 수 있다. 또한, 가공 정밀도가 요구되는 경우에는, 드라이 에칭에 의한 가공도 가능하다. 에칭 가스로서는, 염소(Cl2)와 산소(O2)의 혼합가스를 사용할 수 있다. 특히, 리액티브 이온 에칭(RlE)을 사용하면, 고정밀도의 가공을 할 수 있고, 또한 에칭면의 형상 제어가 가능하다. 소정의 조건으로 에칭하면, 테이퍼형의 가공이 가능하고, 음극-양극 간 쇼트를 저감할 수 있다. 계속해서, 크롬이 소정의 패턴으로 가공된 층간 절연막(50) 위에 절연층(15)을 성막한다. 절연층(15)에 사용하는 재료는 특히 한정은 없지만, 본 실시예에서는 2산화 규소(SiO2)를 사용하고 있다. SiO2는 스퍼터링에 의해 막 두께 200nm로 형성한다. 성막방법에, 특히 한정은 없다. 통상의 리소그래피 기술을 사용하여, 크롬 위에 개구를 형성하도록 SiO2를 가공한다. SiO2의 에칭에는, 불산과 불화 암모니움의 혼합액을 사용할 수 있다. 또, 드라이 에칭에 의한 가공도 가능하다. 상기 개구부가 유기 일렉트로루미네센스 소자의 발광부분으로 된다. 그리고, 상기 절연층(15)은 본 발명에 필요 불가결한 것은 아니나, 양극-음극 간 쇼트를 방지하기 위해서는 설치하는 것이 바람직하다. 이 후, 상기 개구부의 양측에 격벽(6)을, 예를 들면, 스퍼터링으로 형성한다.
다음에, (B)에 나타낸 바와 같이, 격벽(6)을 통해 층간 절연막(50) 위에 마스크(5)를 장착한다. 그리고, 마스크(5)에 형성된 개구 패턴(8)은 전술한절연층(15)의 개구부에 정합하도록, 예를 들면, 마스크의 마크와 미리 유리기판에 형성된 마크를 합치시킴으로써 위치 결정되고 있다. 이와 같이 마스크(5)를 내장한 기판을 진공증착장치에 투입하고, 유기층(10) 및 음극(K)의 금속층(11)을 증착에 의해 형성한다. 여기에서 유기층(10)은 정공 주입층(101)으로서 4, 4', 4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노) 트리페닐아민(MTDATA), 정공 수송층(102)으로서 비스(N-나프틸)-N-페닐벤지딘(α- NPD), 발광층(103)으로서 8-키놀리놀알루미늄착체(錯體)(Alq)를 사용했다. 음극(K)의 금속층(11)에는, 마그네슘과 은의 합금(Mg : Ag)을 사용했다. 유기층(10)에 속하는 각 재료는 각각 0.2g을 저항 가열용의 보드에 충전하여 진공증착장치의 소정 전극에 부착한다. 금속층(11)의 마그네슘은 0.1g, 은은 0.4g을 보드에 충전하여, 진공증착장치의 소정 전극에 부착한다. 진공 챔버를 1.0 ×10-4Pa까지 감압한 후, 각 보드에 전압을 인가하고, 차례로 가열하여 증착시킨다. 증착에는, 증착 마스크를 사용함으로써 소정의 부분만 유기층(10) 및 Mg : Ag로 이루어지는 금속층(11)을 증착시켰다. 소정의 부분이란, 크롬이 노출되어 있는 부분이다. 크롬이 노출되어 있는 부분에만 고정밀도로 증착하는 것이 곤란하므로, 크롬이 노출되어 있는 부분 전체를 덮도록(절연층(15)의 에지에 걸리도록) 증착 마스크를 설계했다. 먼저, 정공 주입층(101)으로서 MTDATA를 30nm, 정공 수송층(102)으로서 α- NPD를 20nm, 발광층(103)으로서 Alq를 50nm 증착했다. 또한, 마그네슘 및 은의 공(共)증착을 행함으로써, 유기층(10) 위에 음극(K)의 금속층(11)으로서 Mg : Ag를 성막한다. 마그네슘과 은은 성막속도의 비를 9 : 1로 하고 있다.Mg : Ag의 막 두께를 10nm로 했다.
마지막으로, (C)에 나타낸 바와 같이, 다른 진공 챔버로 옮기고, 동일 마스크를 통해, 투명 도전층(12)을 성막한다. 성막에는 DC 스퍼터링을 사용한다. 본 실시예에서는, 투명 도전층(12)으로서 실온(室溫)성막에서 양호한 도전성을 나타내는 In-Zn-O계의 투명 도전막을 사용한다. 성막조건은 스퍼터가스로서 알곤과 산소의 혼합가스(체적비 Ar : O2= 1000 : 5)를 사용하고, 압력 0.3Pa, DC 출력 40W로 했다. 막 두께 200nm로 성막했다.
마지막으로, 1화소분의 등가회로의 일예를 도 5에 나타냈다. 화소(PXL)는 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED), 제1 능동소자로서의 박막 트랜지스터(TFT1), 제2 능동소자로서의 박막 트랜지스터(TFT2) 및 유지용량(Cs)으로 이루어진다. 유기 일렉트로루미네센스 소자는 많은 경우 정류성(整流性)이 있기 때문에, OLED(유기 발광 다이오드)로 불려지는 일이 있으며, 도면에서는 다이오드의 기호를 사용하고 있다. 도시의 예에서는, TFT2의 소스(S)를 기준전위(접지전위)로 하고, OLED의 음극(K)은 Vdd(전원전위)에 접속되는 한편, 양극(A)은 TFT2의 드레인(D)에 접속되어 있다. 한편, TFT1의 게이트(G)는 주사배선(X)에 접속되고, 소스(S)는 데이터배선(Y)에 접속되고, 드레인(D)은 유지용량(Cs) 및 TFT2의 게이트(G)에 접속되어 있다.
PXL을 동작시키기 위해, 먼저, 주사배선(X)을 선택상태로 하고, 데이터배선(Y)에 휘도정보를 나타내는 데이터전위(Vdata)를 인가하면, TFT1이 도통되고, 유지용량(Cs)이 충전 또는 방전되고, TFT2의 게이트전위는 데이터전위(Vdata)와 일치한다. 주사배선(X)을 비선택상태로 하면, TFT1이 오프로 되고, TFT2는 전기적으로 데이터배선(Y)로부터 분리되지만, TFT2의 게이트전위는 유지용량(Cs)에 의해 안정적으로 유지된다. TFT2를 통해 유기 일렉트로루미네센스 소자(OLED)로 흐르는 전류는 TFT2의 게이트/소스 간 전압(Vgs)에 따른 값으로 되고, OLED는 TFT2로부터 공급되는 전류량에 따른 휘도로 계속 발광된다.
전술한 바와 같이, 도 5에 나타낸 화소(PXL)의 회로 구성에서는, 한번 Vdata의 기입을 행하면, 다음에 재기입될 때까지 1프레임 동안 OLED는 일정한 휘도로 발광을 계속한다. 이와 같은 화소(PXL)를 도 6과 같이 매트릭스형으로 다수 배열하면, 액티브 매트릭스형 표시장치를 구성할 수 있다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 본 표시장치는 화소(PXL)를 선택하기 위한 주사배선(X1 내지 XN)과, 화소(PXL)를 구동하기 위한 휘도정보(데이터전위(Vdata))를 부여하는 데이터배선(Y)이 매트릭스형으로 배치되어 있다. 주사배선(X1 내지 XN)은 주사배선 구동회로(21)에 접속되는 한편, 데이터배선(Y)은 데이터배선 구동회로(22)에 접속된다. 주사배선 구동회로(21)에 의해 주사배선(X1 내지 XN)을 차례로 선택하면서, 데이터배선 구동회로(22)에 의해 데이터배선(Y)으로부터 Vdata의 기입을 반복함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있다. 단순 매트릭스형의 표시장치에서는, 각 화소(PXL)에 포함되는 발광소자는 선택된 순간에만 발광하는 데 대하여, 도 6에 나타낸 액티브 매트릭스형 표시장치에서는, 기입 종료 후에도 각 화소(PXL)의 유기 일렉트로루미네센스 소자가 발광을 계속하기 때문에, 단순 매트릭스형에 비해 유기 일렉트로루미네센스 소자의 피크휘도(피크 전류)를 내리는 등의 점에서, 특히 대형 고정세(高精細)의 디스플레이에서는 유리하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 상층부에 속하는 일렉트로루미네센스 소자와 하층부에 속하는 배선을 접속하는 콘택트 영역 위에 격벽을 형성함으로써, 화소의 면적을 유효활용 가능하게 되어, 발광에 기여하는 유기 일렉트로루미네센스 소자의 영역을 확대할 수 있다. 발광에 기여하는 영역을 확대함으로써, 안정된 발광 특성이 얻어진다.

Claims (8)

  1. 기판과, 그 위에 형성된 복수의 화소와, 인접하는 화소를 서로 격리하는 격벽(隔璧)을 가지는 표시장치로서,
    상기 화소는 기판 위에 형성된 배선을 포함하는 하층부와, 유기 일렉트로루미네센스(electroluminescence) 소자를 포함하는 상층부와, 하층부 및 상층부를 서로 전기적으로 절연하는 중층부를 포함하고,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자는 상기 중층부에 개구한 콘택트 홀을 통해 상기 배선에 접속되어 있고,
    상기 격벽은 상기 콘택트 홀을 포함하는 영역과 겹치도록 상기 상층부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 일렉트로루미네센스 소자는 상기 배선과 접속한 반사성의 양극과, 표면에 위치하는 투명한 음극과, 양극 및 음극 사이에 유지된 유기층으로 이루어지며, 상기 유기층은 상기 양극으로부터 공급되는 정공(正孔)과 상기 음극으로부터 공급되는 전자와의 재결합에 의해 발광하며, 이것을 표면의 음극으로부터 꺼내는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유기층은 상기 격벽을 통해 기판 위에 배치된 마스크를 사용하여 선택적으로 퇴적된 적층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하층부는 화소를 선택하기 위한 주사(走査)배선과, 화소를 구동하기 위한 휘도정보를 부여하는 데이터배선과, 주사배선에 의해 제어되고, 또한 데이터배선으로부터 주어진 휘도정보를 화소에 기입하는 기능을 가지는 제1 능동소자와, 이 기입된 휘도정보에 따라 상기 유기 일렉트로루미네센스 소자에 전류를 공급하고 그 발광을 제어하는 기능을 가지는 제2 능동소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 기판과, 그 위에 형성된 복수의 화소와, 인접하는 화소를 서로 격리하는 격벽을 가지고, 상기 화소는 기판 위에 형성된 배선을 포함하는 하층부와, 유기 일렉트로루미네센스 소자를 포함하는 상층부와, 하층부 및 상층부를 서로 전기적으로 절연하는 중층부를 포함하는 표시장치의 제조방법으로서,
    상기 기판 위에 배선을 포함하는 하층부를 형성하는 하층공정과,
    상기 하층부를 피복하도록 중층부를 형성하고, 이것에 배선을 연이어 통하는 콘택트 홀을 개구하는 중층공정과,
    상기 중충부 위에 유기 일렉트로루미네센스 소자를 형성하여 상기 중층부에 개구한 콘택트 홀을 통해 상기 하층부의 배선에 접속하는 상층공정을 행하고,
    상기 상층공정 중에서, 상기 콘택트 홀을 포함하는 영역과 겹치도록 상기 격벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 상층공정은 상기 배선과 접속한 반사성의 양극과, 표면에 위치하는 투명한 음극과, 양극 및 음극 사이에 유지된 유기층으로 이루어지는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 형성하는 공정으로서, 상기 유기층은 상기 양극으로부터 공급되는 정공과 상기 음극으로부터 공급되는 전자와의 재결합에 의해 발광하며, 이것을 표면의 음극으로부터 꺼내는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 상층공정은 상기 격벽을 통해 기판 위에 배치된 마스크를 사용하여 선택적으로 적층막을 퇴적하여 유기층을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 하층공정은 화소를 선택하기 위한 주사배선과, 화소를 구동하기 위한 휘도정보를 부여하는 데이터배선과, 주사배선에 의해 제어되고, 또한 데이터배선으로부터 주어진 휘도정보를 화소에 기입하는 기능을 가지는 제1 능동소자와, 이 기입된 휘도정보에 따라 상기 유기 일렉트로루미네센스 소자에 전류를 공급하여 그발광을 제어하는 기능을 가지는 제2 능동소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
KR1020000065794A 1999-11-19 2000-11-07 표시장치 및 그 제조방법 KR100802564B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32981099A JP2001148291A (ja) 1999-11-19 1999-11-19 表示装置及びその製造方法
JP99-329810 1999-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010076224A true KR20010076224A (ko) 2001-08-11
KR100802564B1 KR100802564B1 (ko) 2008-02-13

Family

ID=18225503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000065794A KR100802564B1 (ko) 1999-11-19 2000-11-07 표시장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6614174B1 (ko)
EP (1) EP1102317A3 (ko)
JP (1) JP2001148291A (ko)
KR (1) KR100802564B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040021222A (ko) * 2002-09-03 2004-03-10 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
KR100890957B1 (ko) * 2002-12-19 2009-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작 방법
KR100910088B1 (ko) * 2002-01-11 2009-07-30 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액티브 매트릭스형 표시 장치

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1153445B1 (en) * 1999-11-29 2012-05-02 TPO Displays Corp. Method of manufacturing an organic electroluminescent device
US6767774B2 (en) * 1999-12-28 2004-07-27 Intel Corporation Producing multi-color stable light emitting organic displays
TW502854U (en) * 2000-07-20 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
CN100481159C (zh) * 2000-09-29 2009-04-22 三洋电机株式会社 半导体器件以及显示装置
JP4333023B2 (ja) * 2000-11-24 2009-09-16 ソニー株式会社 デジタル信号処理回路、これを用いた表示装置および液晶プロジェクタ
US7009203B2 (en) * 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
US6720198B2 (en) * 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2002289347A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20030002947A (ko) * 2001-07-03 2003-01-09 엘지전자 주식회사 풀칼라 유기 ｅｌ 표시소자 및 제조방법
JP4522698B2 (ja) * 2001-08-30 2010-08-11 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2003076301A (ja) * 2001-09-07 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及びそれを用いた表示装置
JP2003086382A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及び、それを用いた表示装置
JP3810725B2 (ja) * 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
DE10152920A1 (de) * 2001-10-26 2003-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum großflächigen Aufbringen von mechanisch empfindlichen Schichten auf ein Substrat
DE10152919A1 (de) * 2001-10-26 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches elektrolumineszierendes Display
KR100635042B1 (ko) * 2001-12-14 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP3823916B2 (ja) * 2001-12-18 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP2003249377A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
TW200301841A (en) * 2001-12-18 2003-07-16 Seiko Epson Corp Light emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
TWI285515B (en) * 2002-02-22 2007-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP4558277B2 (ja) * 2002-02-22 2010-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003255858A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP3481232B2 (ja) * 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
DE60321146D1 (de) 2002-03-20 2008-07-03 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszente anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix und ihre herstellungsverfahren
GB0216053D0 (en) * 2002-03-20 2002-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture
WO2003079441A1 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display devices, and their manufacture
WO2003079442A1 (en) 2002-03-20 2003-09-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP4683825B2 (ja) * 2002-04-24 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI290006B (en) * 2002-05-03 2007-11-11 Ritdisplay Corp A method for fabricating LTPS-OLED
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6738113B2 (en) * 2002-06-10 2004-05-18 Allied Material Corp. Structure of organic light-emitting material TFT LCD and the method for making the same
JP2004045769A (ja) 2002-07-11 2004-02-12 Toyota Industries Corp 表示装置
JP2004071554A (ja) * 2002-07-25 2004-03-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
TWI298003B (en) * 2002-10-23 2008-06-11 Toppoly Optoelectronics Corp Top emission light emitting display with reflection layer
JP2004165067A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
US7710019B2 (en) * 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
US6737800B1 (en) 2003-02-18 2004-05-18 Eastman Kodak Company White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference
JP4531341B2 (ja) * 2003-02-28 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7057208B2 (en) 2003-03-25 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2004093500A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Fujitsu Limited 有機ｅｌ表示装置
US6961032B2 (en) 2003-05-06 2005-11-01 Eastman Kodak Company Reducing the effects of shorts in pixels of an active matrix organic electroluminescent device
US7002292B2 (en) * 2003-07-22 2006-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
US7492090B2 (en) * 2003-09-19 2009-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
GB0323720D0 (en) * 2003-10-09 2003-11-12 Cambridge Display Tech Ltd Method for an electroluminescent device
US7205716B2 (en) 2003-10-20 2007-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7902747B2 (en) * 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
US7170176B2 (en) * 2003-11-04 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006100756A (ja) * 2003-11-07 2006-04-13 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
KR100621865B1 (ko) * 2003-12-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US7825021B2 (en) * 2004-01-16 2010-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR100570978B1 (ko) * 2004-02-20 2006-04-13 삼성에스디아이 주식회사 표면이 개질된 유기막층을 사용하는 유기 전계 발광디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
JP4489472B2 (ja) 2004-03-19 2010-06-23 株式会社 日立ディスプレイズ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100755398B1 (ko) * 2004-05-21 2007-09-04 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR20050112456A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2006010986A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Kyocera Corp 画像表示装置
JP4635488B2 (ja) * 2004-06-30 2011-02-23 ソニー株式会社 有機発光素子およびその製造方法並びに表示装置
JP2004326130A (ja) * 2004-07-30 2004-11-18 Sony Corp タイリング型表示装置
TWI252446B (en) * 2004-08-05 2006-04-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active matrix organic electro-luminescent display panel and fabrication method thereof
US7811146B2 (en) * 2004-09-24 2010-10-12 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fabrication method of active matrix organic electro-luminescent display panel
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
JP4879541B2 (ja) * 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
CN100515153C (zh) * 2004-10-12 2009-07-15 乐金显示有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
JP4954527B2 (ja) * 2004-10-14 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR100700013B1 (ko) * 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
WO2006115283A1 (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Showa Denko K. K. Method of producing a display device
JP4699098B2 (ja) * 2005-06-09 2011-06-08 ローム株式会社 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置
KR20070000262A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 Mg-Ag 단일 박막층을 사용한 음극 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자
KR100745346B1 (ko) * 2005-09-20 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
TWI517378B (zh) 2005-10-17 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN101543134B (zh) * 2007-05-28 2012-04-18 松下电器产业株式会社 有机电致发光器件以及显示装置
JP2009021164A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
US8153352B2 (en) 2007-11-20 2012-04-10 Eastman Kodak Company Multicolored mask process for making display circuitry
JP5331537B2 (ja) 2008-03-28 2013-10-30 富士フイルム株式会社 透明支持体、光学フィルム、偏光板、および画像表示装置
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
JP5685855B2 (ja) 2009-09-08 2015-03-18 株式会社リコー 表示装置および表示装置の製造方法
JP2011204801A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
US8474146B2 (en) 2010-06-22 2013-07-02 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US8769836B2 (en) 2010-06-22 2014-07-08 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
US9301569B2 (en) 2010-06-22 2016-04-05 Nike, Inc. Article of footwear with color change portion and method of changing color
KR101920374B1 (ko) 2011-04-27 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
US9153628B2 (en) * 2012-02-08 2015-10-06 Joled Inc. Display panel having an inter-layer insulation layer with planar and protruding regions
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP6302186B2 (ja) 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN102881839B (zh) * 2012-09-28 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法
KR20140046331A (ko) * 2012-10-10 2014-04-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6275961B2 (ja) 2013-06-26 2018-02-07 富士フイルム株式会社 光学フィルム及び表示装置
JP6160499B2 (ja) 2014-02-06 2017-07-12 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101587822B1 (ko) * 2014-07-03 2016-01-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
US20160366972A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Nike, Inc. Article Incorporating an Illumination Device
US10306726B2 (en) 2015-06-19 2019-05-28 Nike, Inc. Method of illuminating an article
JP2017117594A (ja) 2015-12-22 2017-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR20180079503A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치
CN113812014B (zh) * 2020-03-18 2023-05-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示面板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3207751C2 (de) * 1982-03-04 1985-09-05 Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen Schaufelrad-Rückladegerät für Schüttguthalden
DE3210338A1 (de) * 1982-03-20 1983-09-22 Fahrzeugbau Haller Gmbh, 7000 Stuttgart Ladevorrichtung fuer schuettgutbehaelter, insbesondere muellsammelbehaelter
US5121029A (en) * 1987-12-11 1992-06-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP2815004B2 (ja) * 1996-10-30 1998-10-27 日本電気株式会社 表示装置およびその製造方法
EP0895219B1 (en) * 1997-02-17 2010-06-16 Seiko Epson Corporation Display device
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR100627091B1 (ko) * 1997-08-21 2006-09-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시장치
US6075317A (en) * 1998-07-30 2000-06-13 Alliedsignal Inc. Electroluminescent device having increased brightness and resolution and method of fabrication

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100910088B1 (ko) * 2002-01-11 2009-07-30 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액티브 매트릭스형 표시 장치
KR20040021222A (ko) * 2002-09-03 2004-03-10 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
KR100890957B1 (ko) * 2002-12-19 2009-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작 방법
US8179040B2 (en) 2002-12-19 2012-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device

Also Published As

Publication number Publication date
US6969291B2 (en) 2005-11-29
KR100802564B1 (ko) 2008-02-13
US20040090175A1 (en) 2004-05-13
US6614174B1 (en) 2003-09-02
EP1102317A2 (en) 2001-05-23
JP2001148291A (ja) 2001-05-29
EP1102317A3 (en) 2004-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100802564B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
US7456811B2 (en) Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same
KR100700648B1 (ko) 전면발광 유기전계발광표시장치
US8049240B2 (en) Dual emission organic light emitting display device and method of driving the same
US6831408B2 (en) Organic electroluminescence device and display device
US6429599B1 (en) Color electroluminescence display device
KR100895313B1 (ko) 유기 발광 표시판
US9343520B2 (en) Organic light-emitting diode display and method of fabricating the same
KR101525804B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101649225B1 (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
KR101254748B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
EP1575090A2 (en) Electroluminescence display device
US7626330B2 (en) Organic electroluminescence display device
KR20030086166A (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN113471268A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20200094264A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101820166B1 (ko) 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
US20090078946A1 (en) Light emitting device
KR20090058283A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2001134214A (ja) 表示装置
KR100684834B1 (ko) 평판 표시 패널, 평판 표시 패널의 형성방법 및 이를이용한 평판 표시 장치
US8284125B2 (en) Active matrix organic electro-luminescence display panel and fabrication method thereof
KR20070084770A (ko) 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20220344424A1 (en) Display device and method of manufacturing display device
KR100669316B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140124

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150123

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170120

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200128

Year of fee payment: 13