CN101543134B - 有机电致发光器件以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光器件及显示装置，该有机电致发光器件通过减小像素区域间的间隔并且实现发光层厚度的均匀化，从而提高发光效率。在有机EL器件(10)中设置：两个以上的第一隔堤(230)，其线状地延伸；多个第二隔堤(240)，其将在相邻的第一隔堤(230)间形成的区域分割而形成像素区域(300)且其高度低于第一隔堤(230)；空穴输送层(250)，其对应各个像素区域(300)独立地设置；以及绝缘性无机膜(220)，其沿着隔开像素区域(300)的两个第一隔堤(230)的相向的侧面设置在像素区域(300)的边缘。于是，即使像素区域间的间隔变小，也能够通过绝缘性无机膜(220)平坦地形成与绝缘性无机膜的上表面相接的层，并能够使该层的层厚度均匀。

Description

有机电致发光器件以及显示装置
技术领域
本发明涉及有机EL(Electroluminescent：电致发光)器件以及具备该有机EL器件的显示装置。 
背景技术
目前，使用有机EL元件的显示屏已广为人知。 
用于实际上使有机EL元件发光的驱动方式有两种：无源矩阵(PassiveMatrix)法和有源矩阵(Active Matrix)法。其中，有源矩阵方式为基于TFT(薄膜晶体管)的驱动方式。 
图1是表示以往的全色有机显示屏的发光像素(无源型)的排列的图。如该图所示，有机显示屏的发光像素具有多个发光像素41，进而具有由多个发光像素41构成的图像显示排列，所述发光像素41矩阵状地配置红R、绿G、蓝B的发光部。 
图2是表示全色有机显示屏的发光像素41的基板部51a的示意结构(无源型)的图。如该图所示，基板部51a在由透明玻璃等构成的基板52上设有由氧化铟锡(ITO)等构成的第一电极53。多个第一电极53彼此平行且条状地排列。此外，在包含第一电极53的基板52上排列有电绝缘性的绝缘膜54和隔堤55。绝缘膜54和隔堤55以垂直于第一电极53方式每隔规定间隔地形成。此外，将隔堤(bank)55设置成从基板52上突起。此外，隔堤55形成在使第一电极53的一部分露出的位置上。 
此外，在第一电极53上没有形成隔堤的部分的上面，至少形成一层有机EL层56。进而，在有机EL层56上形成有第二电极57，该第二电极在与第一电极53的延伸方向大致垂直的方向上延伸。 
设置隔堤55是为了，通过隔离相邻的第二电极57，从而防止相邻的第二电极57之间的短路。因此优选的是，隔堤55的截面形状如图2所示为，倒梯形等悬突(overhang)形状。 
此外，一般地，构成有机EL层56的有机材料抗湿性差，而且构成隔 堤55的材料也使用抗湿性差的材料。因此，如图3所示，在发光像素41中，利用封装部(例如玻璃管、保护膜等)将形成有隔堤55和有机EL层56的面封装。图3是表示以往的全色有机显示屏的发光像素的结构的剖面图，图3A表示用玻璃管68封装的发光像素41，图3B表示用透湿性低的保护膜69封装的发光像素41。图3A和图3B都是沿第一电极53的长度方向的剖面图。 
对于上述那样构成的发光像素41而言，被驱动的第一电极53与第二电极57的交叉部分的有机EL层56发光。发出的光透过基板52向显示面方向照射(例如，参照专利文献1和2)。 
专利文献1：(日本)特开平11-040370号公报 
专利文献2：(日本)特开2000-089690号公报 
另外，在近年来的有机EL显示屏以及有机EL显示器的研究/开发中，提高发光亮度成为重要的课题之一。在有机EL显示屏以及有机EL显示器的技术领域，提出了各种提高亮度的方法。但现状是，并没有显著地提高亮度的决定性的解决方法而是通过不断地改良一点一点地提高亮度。 
一般地，增大发光面的发光面积是提高亮度的主要因素。这是因为，通过增大发光面的发光面积，使从两个电极向发光面送入的空穴和电子高效率地作用，从而改善发光效率。 
但是，在上述的以往的发光像素中，两个电极的重叠区域即像素区域间的间隔较大，存在发光面积的损失。为了减少该发光面积的损失，若在上述的以往的发光像素的结构中减小像素区域间的间隔，则有可能产生像素区域间的干扰。 
作为解决上述的发光面积的损失和像素区域间的干扰这两个相互矛盾的问题的方法，已知有以下方法，即，设置用于分割像素区域间的第二隔堤。 
但是，在隔堤附近很难使发光层平坦，隔堤造成发光层厚度的不均匀。该发光层厚度的不均匀对发光效率产生不利的影响。若为了解决该问题而扩大像素区域间的间隔，则如上所述产生发光面积的损失。 
发明内容
本发明的目的在于提供有机EL器件以及显示装置，通过在隔堤的周围设置像素限制层(绝缘性无机膜)，减小像素区域间的间隔且实现发光层厚度的均匀化，从而能够提高发光效率。 
本发明的有机EL器件采用如下的结构，包括：两个以上的第一隔堤，其线状地延展；多个第二隔堤，其将在相邻的所述第一隔堤之间形成的区域分割而形成像素区域，并且高度低于所述第一隔堤；空穴输送层，其对应各个所述像素区域独立地设置；以及绝缘性无机膜，其沿着隔开所述像素区域的两个所述第一隔堤的相向的侧面，被设置在所述像素区域的边缘，所述第二隔堤具有连通在所述第一隔堤延伸的方向上相邻的所述像素区域的沟槽。 
根据本发明，可以提供如下的有机EL器件以及显示装置，即，通过在隔堤的周围设置像素限制层(绝缘性无机膜)，减小像素区域间的间隔而且实现发光层厚度的均匀化，从而提高发光效率。 
附图说明
图1是表示以往的全色有机显示屏的发光像素的排列的图。 
图2是表示以往的全色有机显示屏的发光像素的基板部的示意结构的图。 
图3A、3B是表示以往的全色有机显示屏的发光像素的结构的剖面图。 
图4是表示本发明实施方式1的有机EL器件的基本结构的剖面图。 
图5是表示实施方式1的有机EL器件的基本结构的立体图。 
图6是在空穴输送层的下面具有绝缘性无机膜的有机EL器件的剖面图。 
图7是用于说明基于凹版印刷方法的隔堤形成方法的图。 
图8是实施方式2的有机EL器件的剖面图。 
图9A、9B、9C是表示有机EL器件的结构变化的图。 
图10是表示实施方式3的有机EL器件的结构的立体图。 
图11是表示实施方式4的有机EL器件的结构的立体图。 
图12是用于说明隔堤剖面形状的变化的图。 
具体实施方式
 以下，参照附图详细地说明的本发明实施方式的有机EL器件，其具有：(1)两个以上的第一隔堤，其线状地延伸；(2)多个第二隔堤，其将在相邻的第一隔堤之间形成的区域分割而形成像素区域，并且高度低于第一隔堤；(3)空穴输送层，其对应各个像素区域独立地设置；以及(4)绝缘性无机膜，其沿着隔开像素区域的两个第一隔堤的相向的侧面，设置在像素区域的边缘。 
而且，优选的是，上述有机EL器件还具有绝缘性无机膜，其沿着隔开像素区域的两个第二隔堤的相向的侧面，设置在所述像素区域的边缘。 
通过无机绝缘膜的作用，即使在缩短相向的隔堤之间的距离时，也能够将通过涂敷法形成的空穴输送层或中间层在整个像素区域厚度均匀地形成。也就是说，通过无机绝缘膜的作用，能够减小像素区域间的间隔并且使发光层的厚度均匀。 
在后述的实施方式1中，对空穴输送层的材料包含PSS-PEDOT(掺杂了聚乙烯磺酸的聚亚乙基二氧噻吩，以下简称为“PEDOT”)或其衍生物(共聚物等)的情况进行说明。在实施方式1中，通过无机绝缘膜的作用，空穴输送层的厚度在整个像素区域被均匀化。 
在实施方式2中，对空穴输送层的材料为钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)等氧化物、或者为这些氧化物的组合的情况进行说明。在实施方式2中，通过无机绝缘膜的作用，中间层的厚度在整个像素区域被均匀化。 
在实施方式3中，对在第二隔堤上设有与相邻的像素区域连通的沟槽的情况进行说明。 
在实施方式4中，对有机EL器件的驱动方式特别是无源方式的情况进行说明。 
在实施方式5中，说明隔堤的剖面形状的变化。 
另外，在实施方式中，对相同构成要素标注相同附图标记，由于其说明重复，因此省略。 
(实施方式1) 
[1.有机EL器件的基本结构] 
图4是表示本发明实施方式1的有机EL器件的基本结构的剖面图。此外，图5是表示有机EL器件的基本结构的立体图。另外，图4是以图5的A-A面剖切有机EL器件后的剖面图。此外，在图4和图5中，没有图示空穴输送层、中间层(IL)、有机发光层(高分子有机EL材料层)以及阴极(阴极电极)。
在图4中，有机EL器件10包括：基板100、阳极(阳极电极)210、绝缘性无机膜220、第一隔堤230以及第二隔堤240(参照图5)。有机EL器件10为，驱动方式是有源方式的有机EL器件。 
基板100包括：栅极电极120、栅极绝缘层130、源极电极140、漏极电极150、有机半导体层160以及绝缘层170。它们中的栅极电极120、栅极绝缘层130、源极电极140、漏极电极150以及有机半导体层160构成有机TFT(薄膜晶体管)。另外，也可以用硅TFT代替有机TFT。 
此外，在基板100中设有接触孔(Contact Hole)180。接触孔180电连接漏极电极150和设置在基板100上的阳极210。接触孔180与阳极210的连接点配置在绝缘性无机膜220的下面。 
而且在基板100上配置绝缘性无机膜220。绝缘性无机膜220配置在第一隔堤230的下面以及第一隔堤230的两边。配置在第一隔堤230的两边的绝缘性无机膜220的宽度优选是5～10μm。绝缘性无机膜220是电绝缘性的无机膜。而且，绝缘性无机膜220优选具有较高的湿润性，作为其材料包含硅氧化物(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(SiON)等。无机绝缘膜220的厚度优选是10nm～200nm。 
接着，详细地说明有机EL器件10的基板100上的基本结构。 
如图5所示，在有机EL器件10的基板100上线状地配置有多个第一隔堤230。这里，多个第一隔堤230彼此平行地延伸。 
而且，在基板100上配置其高度低于第一隔堤230的多个第二隔堤240。第二隔堤240以将相邻的第一隔堤230之间所形成的区域分割成多个区域的方式进行配置。这里，多个第二隔堤240配置在与第一隔堤230的延伸方向垂直的方向上。这样，在基板100上形成多个由两个第一隔堤230和两个第二隔堤240围成的区域(以下，有时称为“像素区域”)300。该像素区域300相当于像素(pixel)。 
在第一隔堤230的与基板100相向的面(也就是，第一隔堤230的底面)之下配置绝缘性无机膜220。进而，绝缘性无机膜220配置在第一隔堤230的周围，具体而言，沿着隔开像素区域300的两个第一隔堤230的相向的各个侧面而配置在像素区域300的两端。另外，绝缘性无机膜220的上表面(这里为平坦的面)，其一端与第一隔堤230的侧面相接并从该侧面向像素区域300的内部延伸。而且，该绝缘性无机膜220的高度低于第二隔 堤240的高度。这里，绝缘性无机膜220配置在第一隔堤230的底面周围，特别是，配置在第一隔堤230的底面的周围并且在第一隔堤230的下层。另外，如上所述，绝缘性无机膜220优选一直配置到距离第一隔堤230的侧面5～10μm的位置。 
而且，绝缘性无机膜220也配置在第二隔堤240的底面之下。并且，绝缘性无机膜220配置在第二隔堤240的周围，具体而言，沿着隔开像素区域300的两个第二隔堤240的相向的各个侧面而配置在像素区域300的另外两端。而且，绝缘性无机膜220的上表面(这里为平坦的面)，其一端与第二隔堤240的侧面相接，并从该侧面向像素区域300的内部延伸。另外，该绝缘性无机膜220的高度低于第二隔堤240的高度。这里，绝缘性无机膜220配置在第二隔堤240的底面周围，特别是，配置在第二隔堤240的底面的周围并且在第二隔堤240的下层。 
在各个像素区域300的底面配置阳极210。由于有机EL器件10是驱动方式为有源方式的有机EL器件，所以对应各个像素设置阳极210。 
[2.有机EL器件的详细结构] 
在像素区域300，从基板100侧起，按顺序层叠空穴输送层、中间层、高分子有机EL材料层。 
(1)空穴输送层 
在阳极210上配置空穴输送层。空穴输送层是由空穴输送材料构成的层。在本实施方式中，在空穴输送材料中包含PEDOT或其衍生物(共聚物等)。空穴输送层的厚度通常可为10nm以上100nm以下，可约为30nm。 
图6是在空穴输送层之下具有绝缘性无机膜的有机EL器件的剖面图。如图6所示，在空穴输送层250的材料为PEDOT(或者其衍生物)时，空穴输送层250以覆盖在绝缘性无机膜220的上面的方式设置在像素区域300。也就是说，此时，在隔堤附近，空穴输送层250的底面与绝缘性无机膜220的上表面相接。这样，通过设置在隔堤底面周围的绝缘性无机膜220，能够将空穴输送层250的材料溶解后的溶液均匀地涂敷在整个像素区域300上，可获得膜厚度均匀的空穴输送层250。 
(2)中间层 
在空穴输送层250上配置中间层260(参照图6)。中间层260具有阻挡向空穴输送层250输送电子的作用，并具有向高分子有机EL材料层高效率地运送空穴的作用，例如为由聚苯胺类材料构成的层。中间层260的厚度通常为10nm以上100nm以下，可约为40nm。 
(3)有机EL层 
高分子有机EL材料层270配置在中间层260上(参照图6)。进而，在高分子有机EL材料层270上配置阴极电极(未图示)。 
[3.有机EL器件的制造方法] 
接着，说明具有上述结构的有机EL器件10的制造方法。另外，与以往的制造方法相比，基板100的制造方法并没有特别地变化，所以省略其说明。 
一例优选的制造方法包括以下步骤：(1)在基板面上形成阳极210；(2)在形成有阳极210的基板面上形成绝缘性无机膜220；(3)在绝缘性无机膜220上形成用于规定像素区域300的第一隔堤230和第二隔堤240；(4)在像素区域300内，形成空穴输送层250；(5)在像素区域300内，形成中间层260；(6)在像素区域300内，形成高分子有机EL材料层270；以及(7)在高分子有机EL材料层270上形成阴极。 
在步骤(1)中，在基板上进行导电薄膜后对它进行光刻加工或蚀刻加工，由此在基板100上形成阳极210。在形成像素区域300的预定位置上，对应各个像素区域300独立地形成阳极210。 
在步骤(2)中，在基板100上，通过溅射形成绝缘性无机膜220。也可以通过经由掩膜进行溅射而在形成预定位置上直接形成绝缘性无机膜220，或者也可以在通过溅射形成膜之后，通过蚀刻仅留下形成预定位置上的膜，由此形成绝缘性无机膜220。 
在步骤(3)中，在绝缘性无机膜220上形成用于规定像素区域300的第一隔堤230和第二隔堤240。在后面详细地说明隔堤的形成方法。 
在步骤(4)中，在所形成的像素区域300内，涂敷PEDOT等溶解后的溶液。例如，通过喷注、凸版印刷、凹版印刷或者分配法(dispenser)进行涂敷。 
在步骤(5)中，在像素区域300内、在空穴输送层250的上层，涂敷中间层260的材料溶解在有机溶剂中的溶液。例如，通过喷注、凸版印刷、凹版印刷或者分配法进行涂敷。 
在步骤(6)中，在像素区域300内、在中间层260的上层，涂敷高分子有机EL材料层270的材料溶解在有机溶剂中的溶液。例如，通过喷注进行涂敷。 
在步骤(7)中，在高分子有机EL材料层270上形成阴极。 
这里，能够用以下所示方法来形成步骤(3)中的第一隔堤230和第二隔堤240。 
首先，第一种形成方法为，通过凹版印刷方法形成第一隔堤230和第二隔堤240(参照图7)。图7是用于说明基于凹版印刷方法的隔堤形成方法的图。在图7中示出了，形成隔堤的凹版印刷装置400的结构。 
首先，分别使印刷滚筒410、压印滚筒420以及供给滚筒430旋转，所述供给滚筒430配置在贮存有墨水(隔堤的构成材料)的储罐(无附图标记)内。 
供给滚筒430的下部浸在墨水内，通过旋转将粘附在下部表面的墨水提供给印刷滚筒410。 
印刷滚筒410的滚筒面410A上设有凹部。用供给滚筒430提供的墨水填充该凹部。填充到凹部的墨水厚度存在偏差，所以通过刮刀440使墨水的厚度保持一定。 
填充到凹部的墨水转印到通过压印滚筒420压靠在印刷滚筒410上的基板100。这样，形成根据印刷滚筒面410A的凹部的图案而被图案化的隔堤。 
接着，例如使基板100旋转90度，将印刷滚筒410的滚筒面410A更换为第二隔堤240用的滚筒面后，与形成第一隔堤230的情况同样地，形成第二隔堤240。这样，在基板100上形成由第一隔堤230和第二隔堤240围成的像素区域300。另外，在进行该步骤(4)之前，也可以对图案化后的第一隔堤230进行预焙(pre-bake)，使构成第一隔堤230的树脂材料固化。 
此外，第二种形成方法可以是，基于以下所示的光刻法的形成方法。 
首先，在包含有形成第二隔堤240的预定位置的线上涂敷用于构成第二隔堤240的材料后，依序进行预焙、经由光掩膜的曝光、显像、后焙，从而形成第二隔堤240。 
接着，与第二隔堤240的形成方法相同，在包含有形成第一隔堤230的预定位置的线上涂敷用于构成第一隔堤230的材料后，依序进行预焙、 经由光掩膜的曝光、显像、后焙，从而形成第一隔堤230。 
此外，第三种形成方法也可以是，在形成第一隔堤230和第二隔堤240的预定位置上涂敷隔堤材料后，依序进行预焙、曝光、显像、后焙，从而同时形成第一隔堤230和第二隔堤240。此时，曝光时所使用的光掩膜能够使用光透射率根据位置而不同的半色调膜。这样，能够调整照射到第一隔堤230的形成预定位置和第二隔堤240的形成预定位置上的光量而同时形成高度不同的第一隔堤230和第二隔堤240。 
如上所述，根据本实施方式，在有机EL器件10中，绝缘性无机膜220沿着面对像素区域300的第一隔堤230的侧面，配置在像素区域300的边缘。换言之，将绝缘性无机膜220设置为从第一隔堤230伸出到像素区域300内。 
这样，能够提高空穴输送层250的层厚的均匀性。 
也就是说，通常在隔堤附近使涂敷形成的层平坦很困难。但是，通过在第一隔堤230的周围设置其湿润性高于有机材料的绝缘性无机膜220，能够平坦地形成与绝缘性无机膜220的上表面相接的层(在本实施方式中为空穴输送层250)，能够提高该层的层厚均匀性。结果是，能够提高第一隔堤230附近的层厚均匀性(空穴输送层250、中间层260以及高分子有机EL材料层270的层厚均匀性)。 
这里，未保持厚度均匀性的部分会对发光效率造成不利的影响已广为人知。因此，通过提高在像素区域300上形成的层的层厚均匀性，能够提高像素区域300的亮度。 
此外，在有机EL器件10中，接触孔180与阳极210的连接点配置在绝缘性无机膜220的下侧。 
这样，能够防止从接触孔180注入的空穴直接侵入高分子有机EL材料层270。由此，能够防止如接触孔那样在未预定要发光之处发光。 
这里，与上述的以往技术相比，本实施方式的有机EL器件10除了第一隔堤230之外，还具有第二隔堤240。该第二隔堤240具有将相邻的像素区域隔离的功能，从而防止出现以下的情况，即，在第一像素区域的有机发光层产生的激励以及由该激励所产生的光能泄漏到与第一像素区域相邻的第二像素区域。另外，通过使隔堤的顔色形成为与像素区域发出的光的对比度高的顔色(例如，黑色)，从而能够进一步提高光能的泄漏防止效果。
因此，如以往那样没有设置隔开相邻的像素区域的辅助隔堤(相当于本实施方式的第二隔堤)时，需要增大阳极间的距离(即，像素区域间的距离)，而在有机EL器件10中，能够缩短阳极210间的距离(即，像素区域300间的距离)。其结果，阳极210间的空间变小，从而能够减小像素间距，同时能够在整个有机EL器件10中增大分配给像素区域300的面积。 
但是，若随着像素区域300间的距离的减小而使第二隔堤240间的距离变小，通过涂敷法而形成于像素区域300的层的层厚变得不均匀。这成为有机EL器件10的发光效率降低的主要原因。也就是说，第二隔堤240自身也可以成为阻碍像素区域300间的距离变小的主要原因。 
与此相对，在本实施方式中，如上所述，沿第二隔堤240的侧面在像素区域300的边缘配置绝缘性无机膜220。换言之，将绝缘性无机膜220设置为从第二隔堤240伸出到像素区域300内。 
于是，即使第二隔堤240间的距离变小，基于涂敷法而在像素区域300上形成的层也能够形成为厚度均匀的层。 
也就是说，通过在有机EL器件10中，沿第二隔堤240的侧面在像素区域300的边缘配置绝缘性无机膜220，能够减小阳极210间(即，像素区域300间的距离)，而且使与绝缘性无机膜220的上表面相接的层的层厚均匀。 
此外，第二隔堤240容易对应于各个像素区域300独立地设置空穴输送层250、中间层260以及高分子有机EL材料层270。 
此外，第二隔堤240自身还有，提高中间层260以及高分子有机EL材料层270的层厚度均匀性的特性。也就是说，上述的如以往那样没有设置隔开相邻像素区域的辅助隔堤(相当于本实施方式的第二隔堤)的情况下，若在像素区域内存在例如灰尘等杂质，则存在以下问题，即，用于形成中间层和高分子有机EL层的有机溶剂溶液被该杂质吸引，从而造成中间层和高分子有机EL层的层厚度不均匀。对此，如本实施方式那样通过设置第二隔堤240，能够防止涂敷在第一像素区域的有机溶剂溶液流动到与第一像素区域相邻且存在杂质的第二像素区域。 
此外，如上所述，使第二隔堤240的高度低于第一隔堤230的高度。优选的是，第二隔堤240的高度是第一隔堤230的高度的1/10～9/10。据此，分别从阳极210和阴极注入的空穴和电子高效率地作用于高分子有机EL材 料层270，所以能够获得高亮度并能够发挥上述的隔离相邻像素区域300的功能。进而，通过形成上述那样的隔堤高度，容易地形成有机发光层，从制造工序的观点来看也具有优越性。 
对此，若例如使第二隔堤240的高度低于第一隔堤230的高度的1/10，则有机发光层的构成材料(有机EL材料)容易附着于第二隔堤240的侧面。由此，有机发光层的层厚分布变得不均匀的可能性变高，难以提高亮度。另一方面，若使第二隔堤240的高度大于第一隔堤230的高度的9/10，则有机发光层的构成材料容易越过第一隔堤230而溢到其他线上，引起隔堤之间串扰的可能性变高。 
更优选的是，第二隔堤240的高度是第一隔堤230的高度的1/5～1/3。特别是，由于在使用高分子有机材料作为有机发光层的构成材料时，所涂敷的墨水浓度为1％左右而且粘性较低，所以容易越过第一隔堤230而溢到其他线上。因此，优选的是，相对于第二隔堤240，第一隔堤230足够高。 
另外，“1/10～9/10”意味着“1/10以上且9/10以下”。也就是说，意味着，在将第一隔堤240的高度设为d1，第二隔堤230的高度设为d2时，d1/10≦d2≦9×d1/10成立。 
另外，并不特别限定构成隔堤的材料，能够使用例如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺等有机材料。但是，从制造工序的观点来看，由于具有在烘焙时不产生气体的优点，所以优选聚酰亚胺。 
此外，构成第一隔堤230和第二隔堤240的有机材料也可以不同。也就是说，第一隔堤230发挥以下作用，防止夹着第一隔堤230而相邻的像素区域300之间的干扰。因此，优选的是，第一隔堤230由湿润性低的材料构成，以使墨水不越过第一隔堤230而溢到相邻像素区域300。因此，也可以是，第一隔堤230由湿润性低的材料构成，而第二隔堤240由湿润性比第一隔堤230高的材料构成。第一隔堤230表面的水接触角优选是40度以上，而且第二隔堤240表面的水接触角度优选是20度以下。也就是说，优选的是，第一隔堤230表面的水接触角与第二隔堤240表面的水接触角之差在20度以上。 
此外，隔堤的剖面形状在图4至图7中为梯形，但并不限于此，也可以是长方形。此外，隔堤剖面的各边也可以是曲线而不是直线。 
(实施方式2)
在实施方式2中，对空穴输送层的材料为钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)等氧化物、或者为这些氧化物的组合的情况进行了说明。 
[1.有机EL器件的基本结构] 
实施方式2的有机EL器件的基本结构与图4和图5所示的实施方式1的基本结构相同。也就是说，绝缘性无机膜配置在第一隔堤的周围，具体而言，沿着隔开像素区域的两个第一隔堤的相向的各个侧面配置在像素区域的边缘。此外，绝缘性无机膜配置在第二隔堤的周围，具体而言，沿着隔开像素区域的两个第二隔堤的相向的各个侧面配置在像素区域的边缘。 
[2.有机EL器件的详细结构] 
与图6中的情况相同，在像素区域300，从基板100侧起，按顺序层叠空穴输送层、中间层、高分子有机EL材料层(参照图8)。图8是在其中间层之下具有绝缘性无机膜的有机EL器件的剖面图。 
(1)空穴输送层 
在空穴输送层250的材料为钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)等氧化物、或者为这些氧化物的组合的情况下，空穴输送层250不覆盖绝缘性无机膜220的上表面(或者，整个上表面中的至少位于隔堤附近的部分)。也就是说，在形成中间层之前的阶段，绝缘性无机膜220的上表面(或者，整个上表面中的至少位于隔堤附近的部分)没有由空穴输送层250覆盖而为露出的状态。 
(2)中间层 
中间层260配置在空穴输送层250上(参照图8)。这里，由于在形成中间层260的阶段绝缘性无机膜220的上表面是露出的，所以在隔堤附近，中间层260的底面与绝缘性无机膜220的上表面相接。这样，通过设置在隔堤周围的绝缘性无机膜220，能够将溶解有中间层260的材料的溶液均匀地涂敷在整个像素区域300，可获得膜厚均匀的中间层260。 
(3)有机EL层 
高分子有机EL材料层270配置在中间层260上(参照图8)。进而，在高分子有机EL材料层270上配置阴极电极(未图示)。 
[3.有机EL器件的制造方法] 
一例优选的制造方法包括以下步骤：(1)在基板面上形成阳极210；(2) 在阳极210之上形成空穴输送层250；(3)在基板面上形成绝缘性无机膜220；(4)在绝缘性无机膜220上形成用于规定像素区域300的第一隔堤230和第二隔堤240；(5)在像素区域300内形成中间层260；(6)在像素区域300内形成高分子有机EL材料层270；以及(7)在高分子有机EL材料层270上形成阴极。 
阳极210、绝缘性无机膜220、中间层260、高分子有机EL材料层270以及阴极的形成方法可以使用与实施方式1中示出的形成方法相同的方法。 
在步骤(2)中，在阳极210上形成空穴输送层250。这里，例如通过加热蒸镀法或溅射法来形成空穴输送层250。 
另外，对有机EL器件10的结构考虑各种变化，具有制造方法根据其结构而发生变化的情况。图9是表示有机EL器件的结构变化的图。 
在绝缘性无机膜220配置在空穴输送层上时(图9A)以及配置在基板上时(图9B)，能够利用上述的制造方法，但是，例如将绝缘性无机膜220配置在基板上且空穴输送层之下时(图9C)，将顺序变成步骤(3)、步骤(2)的制造工序。 
无论是哪一种结构，不变的是，绝缘性无机膜220设置在隔堤的周围且其上表面与中间层260的底面相接。 
这样，根据本实施方式，在第一隔堤230(或第二隔堤240)的周围设置绝缘性无机膜220且其上表面与中间层相接。另外，有时有机EL器件的结构为没有中间层的结构。此时，使绝缘性无机膜220与高分子有机EL材料层270的底面相接即可。 
这样，能够提高与绝缘性无机膜220的上表面相接的中间层260或高分子有机EL材料层270的层厚均匀性。 
另外，隔堤的剖面形状在图9中为梯形，但并不限于此，也可以是长方形。此外，隔堤剖面的各边也可以是曲线而不是直线。 
(实施方式3) 
在实施方式3中，在第二隔堤上设置将相邻的像素区域连通的沟槽。伴随此设置，在第二隔堤的底面周围(特别是在第二隔堤上所形成的沟槽的周围)不设置绝缘性无机膜。 
也就是说，图10是表示实施方式3的有机EL器件的结构的立体图，如该图所示，有机EL器件10A具有第二隔堤240A。在该第二隔堤240A 上形成有将相邻的像素区域300连通的沟槽245。另外，在图10中，表示了在实施方式1和实施方式2的有机EL器件的基本结构中在第二隔堤上设有沟槽的结构。 
该沟槽245的宽度根据设置在像素区域300的层的材料，其适宜值不同。 
如实施方式1，在空穴输送层的材料中包含聚(3、4-亚乙基二氧噻吩)(称为“PEDOT”)或其衍生物(共聚物等)时，如为以下宽度则是沟槽245的适合宽度，该宽度是使涂敷形成空穴输送层250时所使用的溶液不能通过沟槽245而在相邻像素区域300间流动，而使涂敷形成中间层260和高分子有机EL材料层270时所使用的溶液能够通过沟槽245而在相邻像素区域300间流动。 
通常，以水溶液的形式涂敷PEDOT等。另一方面，将中间层260和高分子有机EL材料层270的构成材料溶解于有机溶剂，以有机溶剂溶液的形式进行涂敷。而且，水溶液的粘性高于有机溶剂溶液。因此，能够兼顾PEDOT等溶解后的水溶液的粘度和中间层260和高分子有机EL材料层270的构成材料溶解后的有机溶剂溶液的粘度来决定上述的沟槽245的适宜的宽度。 
如上所述，通过设置第二隔堤240A，容易对应各个像素区域300独立地设置涂敷形成的空穴输送层250。 
此外，通过在第二隔堤240A上形成沟槽245，能够减少各个像素区域300的亮度偏差而提高画质。 
也就是说，将有机溶剂溶液涂敷在像素区域300而形成中间层260和高分子有机EL材料层270。此时，对各个像素区域300涂敷的有机溶剂溶液的涂敷量有可能多少存在偏差。该涂敷量的偏差与各个像素区域300的亮度偏差相关连，成为降低画质的主要原因。针对该问题，在本实施方式的有机EL器件10A中，在第二隔堤240A上形成用于连通相邻的两个像素区域300的沟槽245，从而能够在像素区域300间平均有机溶剂溶液量。因此，即使在像素区域300间有机溶剂溶液的滴入量不同的情况，也能够最终减少在各个像素区域300中留下的有机溶剂溶液量的偏差。其结果，能够在像素区域300间使中间层260和高分子有机EL材料层270的层厚均匀。 
另一方面，如上所述在有杂质(灰尘等)时，存在有机溶剂溶液被该杂质吸引的问题。但是，通过使沟槽245为合适的宽度，能够容许有机溶 剂溶液在相邻的像素区域300之间流动，并且抑制有机溶剂溶液向存在杂质(灰尘等)的像素区域300过度流动。 
另外，如实施方式2，在空穴输送层的材料为钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)等氧化物、或者为这些氧化物的组合的情况下，空穴输送层250由于不是涂敷形成的，故而作为第二隔堤240A的功能并未预定有以下功能，即对应各个像素区域300隔离空穴输送层250。此时，作为第二隔堤240A的功能预定有以下功能：容许有机溶剂溶液在相邻的像素区域300之间流动；抑制有机溶剂溶液向存在杂质(灰尘等)的像素区域300过度流动。 
(实施方式4) 
实施方式4涉及其驱动方式为无源方式的有机EL器件。图11是表示实施方式4的有机EL器件的结构的立体图。 
在图11中，适用无源方式的有机EL器件10B具有带状的阳极210B。 
在基板100上，在两个第二隔堤240之间，且与第二隔堤240平行地配置阳极210B。 
在阳极210上配置绝缘性无机膜220。在绝缘性无机膜220上配置第一隔堤230。 
绝缘性无机膜220设置在阳极210和第一隔堤230之间，发挥作为粘合阳极210和第一隔堤230的粘合层的功能。 
这样，通过在阳极210和第一隔堤230之间设置粘合层，能够提高由第一隔堤230和第二隔堤240构成的“井”字形结构的强度。 
(实施方式5) 
实施方式5涉及隔堤的剖面形状的变化形式。图12是用于说明隔堤剖面形状的变化形式的图。 
在实施方式1至实施方式4中，说明了隔堤的剖面形状为梯形(或长方形)。而在本实施方式中，隔堤的底部的宽度宽于上端部。 
也就是说，在图12中，第二隔堤240B分为基板220侧的底部244和上端部242。而且，底部244的宽度宽于上端部242的宽度，并且朝向底端而逐渐变宽。换言之，底部244的两个表面(即，面向像素区域300的面)朝向底端彼此远离。 
这样，由于能够减小锥角d，从而能够提高有机发光层的层厚均匀性。
此外，通过使第二隔堤240B的剖面形状为上述形状，能够扩大第二隔堤240B与下层以及第一隔堤的接触面积(结合面积)。由此，能够提高由第一隔堤和第二隔堤240B构成的“井”字形结构的强度。其结果，能够将隔堤宽度设计得较小，从而能够减小像素间距，同时能够在整个有机EL器件10中增大分配给像素区域300的面积。也就是说，在有机EL器件10中，能够实现高精细化，同时增大发光面积。 
另外，在上述说明中仅涉及了第二隔堤240B，但通过使第一隔堤的剖面形状也为与上述形状相同，能够得到相同的效果。 
2007年5月28日申请的日本专利申请第2007-139861号以及2007年5月29日申请的日本专利申请第2007-141518号所包含的说明书、附图以及说明书摘要的公开内容全部被引用于本申请。 
工业实用性 
本发明的有机EL器件以及显示装置具有通过抑制像素区域间的干扰以及高效率地配置像素区域而提高发光面积从而提高亮度的效果，并不限于利用于例如有机EL电视，而且特别适合用于文字处理器、个人计算机等携带式信息处理装置、手表式电子设备等各种电子设备中的显示部。

Claims (7)

1.一种有机电致发光器件，包括：
两个以上的第一隔堤，其线状地延伸；
多个第二隔堤，其将在相邻的所述第一隔堤间形成的区域分割而形成像素区域，并且高度低于所述第一隔堤；
空穴输送层，其对应各个所述像素区域独立地设置；以及
绝缘性无机膜，其沿着隔开所述像素区域的两个所述第一隔堤的相向的侧面，被设置在所述像素区域的边缘，
所述第二隔堤具有连通在所述第一隔堤延伸的方向上相邻的所述像素区域的沟槽。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述绝缘性无机膜还沿着隔开所述像素区域的两个所述第二隔堤的相向的侧面被设置在所述像素区域的边缘。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴输送层的材料包含聚亚乙基二氧噻吩(PEDOT)，所述绝缘性无机膜的上表面与所述空穴输送层的底面相接。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴输送层的材料包含钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合，所述有机电致发光器件还包括：中间层，其与所述绝缘性无机膜的上表面相接；以及有机电致发光材料层，其配置在所述中间层上。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第二隔堤的高度为所述第一隔堤的高度的1/10至9/10。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第二隔堤的底部的宽度宽于其上端部的宽度，并且朝向底端而逐渐变宽。
7.一种显示装置，具有权利要求1所述的有机电致发光器件。
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452370B1 (ko) * 2007-04-25 2014-10-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치
US8310152B2 (en) * 2007-12-10 2012-11-13 Panasonic Corporation Organic EL device and EL display panel having a low driving voltage and high light emitting frequency, and method for manufacturing
JP4439589B2 (ja) * 2007-12-28 2010-03-24 パナソニック株式会社 有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法
JPWO2009133680A1 (ja) * 2008-04-28 2011-08-25 パナソニック株式会社 表示装置およびその製造方法
JP2010118509A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Panasonic Corp 発光素子
WO2010071035A1 (ja) * 2008-12-17 2010-06-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
EP2360995A4 (en) * 2008-12-18 2013-01-23 Panasonic Corp EL ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
KR101623227B1 (ko) * 2009-02-10 2016-05-20 가부시키가이샤 제이올레드 발광 소자의 제조 방법과 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법과 발광 장치
WO2010092931A1 (ja) * 2009-02-16 2010-08-19 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP5302915B2 (ja) * 2009-03-18 2013-10-02 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置及び制御方法
WO2010146653A1 (ja) * 2009-06-15 2010-12-23 富士電機ホールディングス株式会社 色変換フィルター基板
JP5685855B2 (ja) * 2009-09-08 2015-03-18 株式会社リコー 表示装置および表示装置の製造方法
KR101588899B1 (ko) * 2009-09-17 2016-01-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP5209123B2 (ja) 2009-11-04 2013-06-12 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
WO2011077479A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
WO2011077476A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
JP5574113B2 (ja) * 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
KR101653844B1 (ko) 2010-04-19 2016-09-02 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 표시 패널 및 이를 구비한 유기 ｅｌ 표시 장치 및 유기 ｅｌ 표시 패널의 제조 방법
KR101699093B1 (ko) * 2010-07-27 2017-02-01 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 표시 패널과 그 제조 방법
JP2012033583A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置
JP5735527B2 (ja) 2010-10-15 2015-06-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
CN102577615B (zh) 2010-10-15 2016-01-27 株式会社日本有机雷特显示器 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置
WO2012049712A1 (ja) 2010-10-15 2012-04-19 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
CN102577616B (zh) 2010-10-15 2014-10-29 松下电器产业株式会社 有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置
JP5677316B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
KR101743789B1 (ko) 2010-10-15 2017-06-05 가부시키가이샤 제이올레드 유기 발광 패널과 그 제조 방법, 및 유기 표시 장치
WO2012049718A1 (ja) 2010-10-15 2012-04-19 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JP5418487B2 (ja) * 2010-12-16 2014-02-19 住友化学株式会社 表示装置
EP2618638A4 (en) 2011-04-22 2013-08-14 Panasonic Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US9153791B2 (en) * 2011-12-22 2015-10-06 Joled Inc Organic EL display panel
US8981391B2 (en) * 2012-06-22 2015-03-17 Industrial Technology Research Institute Display panel with high transparency
KR20140090458A (ko) 2013-01-09 2014-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20140346468A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device having a channel in pixel defining layer
GB201314657D0 (en) * 2013-08-16 2013-10-02 Cambridge Display Tech Ltd Film profiles
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2015079058A1 (en) * 2013-11-28 2015-06-04 Gio Optoelectronics Corp. Matrix circuit substrate, display apparatus, and manufacturing method of matrix circuit substrate
JP6059647B2 (ja) * 2013-12-06 2017-01-11 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法
WO2015125448A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイスと有機表示装置
US9799711B2 (en) 2014-03-04 2017-10-24 Joled Inc. Organic EL display panel and organic EL display device
US20170069694A1 (en) * 2014-03-13 2017-03-09 Joled Inc. Organic el display panel and method for manufacturing same
WO2015155971A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイスおよびその製造方法
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
KR102205700B1 (ko) * 2014-07-16 2021-01-21 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
WO2016047021A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置の製造方法および有機ｅｌ表示装置
JP2016091841A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイスと有機表示装置
JP6500311B2 (ja) * 2014-12-12 2019-04-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイス
JP6815090B2 (ja) * 2016-03-31 2021-01-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル及びその製造方法
WO2017200023A1 (ja) * 2016-05-18 2017-11-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
US11404501B2 (en) * 2016-05-30 2022-08-02 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus
WO2017217113A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR20180032736A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
JP6914509B2 (ja) 2017-05-19 2021-08-04 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
US20190013370A1 (en) * 2017-07-07 2019-01-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Woled display panel and display device
WO2019031634A1 (ko) * 2017-08-11 2019-02-14 주식회사 엘지화학 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP6731895B2 (ja) * 2017-08-28 2020-07-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 自発光表示パネルの製造方法および自発光表示パネル
CN109671738B (zh) 2017-10-13 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制作方法和显示装置
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10581011B2 (en) * 2018-06-01 2020-03-03 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device with different light emitting material overlapping width
CN108987452B (zh) * 2018-08-24 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示装置
KR20200071429A (ko) * 2018-12-11 2020-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20200071428A (ko) * 2018-12-11 2020-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102623202B1 (ko) * 2018-12-26 2024-01-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN111403432B (zh) * 2018-12-31 2023-11-03 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP7190358B2 (ja) * 2019-01-10 2022-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2021086769A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光デバイス及びそれを備えたディスプレイパネル及びその製造方法
CN111463353B (zh) * 2020-03-20 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111668283A (zh) * 2020-07-02 2020-09-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
JPWO2022162489A1 (zh) * 2021-01-27 2022-08-04
TWI757097B (zh) * 2021-02-17 2022-03-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN113053967A (zh) * 2021-03-09 2021-06-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI773316B (zh) * 2021-05-12 2022-08-01 友達光電股份有限公司 顯示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2006164708A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器および発光装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1140370A (ja) 1997-07-24 1999-02-12 Toray Ind Inc 有機ｅｌディスプレイ
DE69829458T2 (de) * 1997-08-21 2005-09-29 Seiko Epson Corp. Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
WO1999048339A1 (fr) * 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
JP3652136B2 (ja) 1998-09-09 2005-05-25 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法
JP2000195668A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Toyota Motor Corp 表示パネルの製造方法
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
JP2002237383A (ja) * 2000-03-31 2002-08-23 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
WO2003026360A1 (en) 2001-09-15 2003-03-27 Cld, Inc. Organic electroluminescence display and fabricating mehtod thereof
JP4538649B2 (ja) 2003-08-28 2010-09-08 奇美電子股▲ふん▼有限公司 輝度ムラを解消した有機ｅｌディスプレイとその製造方法
KR20050117615A (ko) 2003-09-16 2005-12-15 씨엘디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
CN100539783C (zh) * 2003-09-16 2009-09-09 大宇电子Service株式会社 有机电致发光显示器及其制造方法
JP2006114477A (ja) * 2003-09-26 2006-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法、および電子機器
CN101777628B (zh) * 2003-09-26 2013-03-13 株式会社半导体能源研究所 发光元件及其制造方法
JP4283139B2 (ja) * 2004-03-11 2009-06-24 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置用基板およびその製造方法、ならびに有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2005327674A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
JP4812627B2 (ja) * 2004-10-28 2011-11-09 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネセンスパネル及びその製造方法、並びに、カラーフィルタ基板及びその製造方法
US7595502B2 (en) * 2005-03-04 2009-09-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, and display device employing the same
JP4789706B2 (ja) * 2005-06-08 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器
US8334057B2 (en) * 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US7453208B2 (en) * 2005-09-05 2008-11-18 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Barrier rib structure of plasma display panel
JP4872288B2 (ja) 2005-09-22 2012-02-08 凸版印刷株式会社 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP4945986B2 (ja) 2005-09-29 2012-06-06 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4483757B2 (ja) 2005-09-30 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び光学装置
JP4468290B2 (ja) 2005-11-15 2010-05-26 株式会社ゼロム 二次電池の防爆構造
JP2007139861A (ja) 2005-11-15 2007-06-07 Konica Minolta Opto Inc 撮像光学系
EP2077698B1 (en) * 2007-05-31 2011-09-07 Panasonic Corporation Organic el device and method for manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2006164708A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器および発光装置

Also Published As

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