WO2017217113A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2017217113A1
WO2017217113A1 PCT/JP2017/015900 JP2017015900W WO2017217113A1 WO 2017217113 A1 WO2017217113 A1 WO 2017217113A1 JP 2017015900 W JP2017015900 W JP 2017015900W WO 2017217113 A1 WO2017217113 A1 WO 2017217113A1
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insulating film
opening
display device
pixels
pixel
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健一 年代
山田　二郎
小林　秀樹
Kazuma Teramoto (寺本 和真)
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株式会社Ｊｏｌｅｄ
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Publication date
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and an electronic apparatus using an organic electroluminescence element that emits light by an organic electroluminescence (EL) phenomenon.
  • EL organic electroluminescence
  • a reflector structure is used in order to improve light extraction efficiency (for example, Patent Document 1).
  • a display device is provided between a plurality of pixels arranged in a matrix in the first direction and the second direction and adjacent pixels, and has a first opening in a light emitting region of the pixel.
  • a first insulating film having a second opening extending in the first direction between pixels adjacent in the second direction, and having a remaining portion in the second opening. It is.
  • An electronic apparatus includes the display device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the second opening is provided in the first insulating film, the shape of the first opening can be easily controlled.
  • the remaining portion is provided in the second opening, the formation region of the first insulating film is increased, and the first insulating film is hardly peeled off from the base.
  • the shape of the first opening can be easily controlled by the second opening, and thus a reflector structure with high light extraction efficiency can be formed in the light emitting region. It becomes possible. Further, since the first insulating film is unlikely to be peeled off from the base, it is possible to form the first insulating film having the second opening for controlling the shape of the first opening in addition to the first opening. Therefore, the light extraction efficiency can be improved.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the display device (pixel unit) illustrated in FIG. 1. It is a plane schematic diagram showing the principal part structure of a pixel circuit. It is a schematic diagram showing an example of a pixel arrangement.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a planar configuration of a first insulating film illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view illustrating a configuration near a first opening illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 5B is a diagram showing a cross-sectional configuration along line B11-B12 shown in FIG. 5A.
  • 5B is a diagram showing a cross-sectional configuration taken along line C11-C12 shown in FIG. 5A. It is a schematic diagram for demonstrating the taper angle of the 1st opening of a 1st insulating film. It is a schematic diagram for demonstrating the taper angle of a recessed part.
  • 6 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration of a first insulating film according to Comparative Example 1.
  • FIG. 10 is a schematic plan view for explaining a configuration of a first insulating film according to Comparative Example 2.
  • FIG. It is a block diagram showing the structure of the electronic device which concerns on an application example.
  • Embodiments of the present disclosure will be described in detail in the following order with reference to the drawings. 1. Embodiment (Example in which a residual portion is provided in the second opening of the first insulating film) 2. Application examples (examples of electronic devices)
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of a display device (display device 1) according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display device 1 is, for example, an organic EL display using an organic electroluminescence element, and for example, light of any color of R (red), G (green), and B (blue) is emitted from the upper surface side.
  • This is a top emission type (top emission type) display device.
  • the display device 1 includes a pixel unit 2 having a plurality of pixels (pixels pr, pg, pb) two-dimensionally arranged in a matrix, and a circuit unit (scanning line driving unit 3, signal for driving the pixel unit 2) Line driver 4 and power line driver 5).
  • the pixel unit 2 displays an image based on a video signal input from the outside by, for example, an active matrix method.
  • the pixel unit 2 includes a plurality of scanning lines WSL extending along the row direction of the pixel array, a plurality of signal lines DTL extending along the column direction, and a plurality of signal lines DTL extending along the row direction.
  • a power supply line DSL is provided.
  • These scanning lines WSL, signal lines DTL, and power supply lines DSL are electrically connected to the pixels pr, pg, pb.
  • Each of the pixels pr, pg, and pb corresponds to, for example, a sub-pixel, and a set of these pixels pr, pg, and pb forms one pixel (pixel PX).
  • the pixel pr includes, for example, an organic EL element 10R that emits red light.
  • the pixel pg includes, for example, an organic EL element 10G that emits green light.
  • the pixel pb includes, for example, an organic EL element 10B that emits blue light.
  • pixel P when it is not necessary to distinguish each of the pixels pr, pg, and pb, it will be referred to as “pixel P”. Further, when it is not necessary to distinguish each of the organic EL elements 10R, 10G, and 10B, the description will be given as “organic EL element 10”.
  • the scanning line WSL is for supplying each pixel P with a selection pulse for selecting a plurality of pixels P arranged in the pixel unit 2 for each row.
  • the scanning line WSL is connected to an output end (not shown) of the scanning line driving unit 3 and a gate electrode of a writing transistor WsTr described later.
  • the signal line DTL is for supplying a signal pulse (signal potential Vsig and reference potential Vofs) corresponding to the video signal to each pixel P.
  • the signal line DTL is connected to an output end (not shown) of the signal line driver 4 and a source electrode or a drain electrode of a write transistor WsTr described later.
  • the power supply line DSL is for supplying a fixed potential (Vcc) to each pixel P as electric power.
  • the power supply line DSL is connected to an output end (not shown) of the power supply line driving unit 5 and a source electrode or a drain electrode of a drive transistor DsTr described later.
  • the cathode (second electrode 16 described later) of the organic EL element 10 is connected to a common potential line (cathode line).
  • the scanning line driving unit 3 outputs a predetermined selection pulse to each scanning line WSL in a line-sequential manner, thereby performing operations such as anode reset, Vth correction, signal potential Vsig writing, mobility correction, and light emission operation, for example.
  • Each pixel P is executed at a predetermined timing.
  • the signal line drive unit 4 generates an analog video signal corresponding to a digital video signal input from the outside, and outputs the analog video signal to each signal line DTL.
  • the power line driver 5 outputs a constant potential to each power line DSL.
  • the scanning line driving unit 3, the signal line driving unit 4, and the power supply line driving unit 5 are controlled so as to operate in conjunction with each other by a timing control signal output from a timing control unit (not shown).
  • a digital video signal input from the outside is corrected by a video signal receiving unit (not shown) and then input to the signal line driving unit 4.
  • FIG. 2 illustrates a cross-sectional configuration of the display device 1 (pixel unit 2).
  • FIG. 2 shows only a region corresponding to a part of the organic EL elements 10R, 10G, and 10B (the organic electroluminescent element 10R and a part of the organic electroluminescent element 10G).
  • a plurality of organic EL elements 10 are two-dimensionally arranged on the drive substrate 11a.
  • substrate 20 is bonded together through the protective film 17, the sealing layer 18, and the CF / BM layer 19, for example.
  • the drive substrate 11a is formed on the first substrate 11 made of, for example, glass or plastic, and the pixel circuit (pixel circuit PXLC, not shown in FIG. 2) for driving the interlayer insulating film 122 and each organic EL element 10. Z).
  • the surface of the driving substrate 11a is flattened by a flattening film 123.
  • the pixel circuit PXLC controls light emission and quenching of the organic EL element 10, and for example, the organic EL element 10 (any one of the organic EL elements 10R, 10G, and 10B), a storage capacitor Cs, and a write transistor WsTr. And a drive transistor DsTr.
  • the write transistor WsTr controls application of a video signal (signal voltage) to the gate electrode of the drive transistor DsTr. Specifically, the write transistor WsTr samples the voltage (signal voltage) of the signal line DTL according to the voltage applied to the scanning line WSL, and writes the signal voltage to the gate electrode of the drive transistor DsTr.
  • the drive transistor DsTr is connected in series to the organic EL element 10 and controls the current flowing through the organic EL element 10 according to the magnitude of the signal voltage sampled by the write transistor WsTr.
  • the drive transistor DsTr and the write transistor WsTr are formed by, for example, an n-channel MOS type or a p-channel MOS type thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor). These drive transistor DsTr and write transistor WsTr may be a single gate type or a dual gate type.
  • the holding capacitor Cs holds a predetermined voltage between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DsTr.
  • the gate electrode of the writing transistor WsTr is connected to the scanning line WSL.
  • One of the source electrode and the drain electrode of the write transistor WsTr is connected to the signal line DTL, and the other electrode is connected to the gate electrode of the drive transistor DsTr.
  • One of the source electrode and the drain electrode of the drive transistor DsTr is connected to the power supply line DSL, and the other electrode is connected to an anode (first electrode 13 described later) of the organic EL element 10.
  • the storage capacitor Cs is inserted between the gate electrode of the drive transistor DsTr and the electrode on the organic EL element 10 side.
  • FIG. 3 shows an example of the wiring layout of the main part of the pixel circuit PXLC as described above.
  • the pixel circuit PXLC includes, for example, a plurality of wiring layers (first metal layer M1, second metal layer M2), a semiconductor layer S1, and interlayer connections (contact holes c11 to c1) between the first metal layer M1 and the second metal layer M2. c13).
  • the gate electrode 125g1 of the write transistor WsTr, the gate electrode 125g2 of the drive transistor DsTr, the lower electrode 126a of the storage capacitor Cs, and the signal line DTL are included in the first metal layer M1. Is arranged.
  • the gate electrode 125g1 of the write transistor WsTr and the scanning line WSL are connected to each other through a contact hole c11.
  • the source / drain electrode 125sd1 of the write transistor WsTr is connected to the signal line DTL through the contact hole c12.
  • the source / drain electrode 125sd2 of the write transistor WsTr is interlayer-connected to the lower electrode 126a of the storage capacitor Cs and the gate electrode 125g2 of the drive transistor DsTr through the contact hole c13.
  • the upper electrode 126b of the storage capacitor Cs is connected to the anode (first electrode 13, not shown in FIG. 3) of the organic EL element 10 through a contact portion C1 (anode contact).
  • the circuit configuration of 2Tr1C is illustrated here as the pixel circuit PXLC, the configuration of the pixel circuit PXLC is not limited to this.
  • the pixel circuit PXLC may have a circuit configuration in which various capacitors, transistors, and the like are further added to such a 2Tr1C circuit.
  • the organic EL elements 10R, 10G, and 10B are formed in a regular arrangement on the drive substrate 11a as described above.
  • FIG. 4 shows an example of a pixel arrangement (an arrangement of the organic EL elements 10).
  • the pixels pr, pg, and pb are arranged in a matrix in the first direction d1 and the second direction d2.
  • the first direction d1 and the second direction d2 are, for example, orthogonal to each other.
  • the pixel pr (organic EL element 10R) is disposed on one line along the first direction d1
  • the pixel pg organic EL element 10G
  • the pixel pb (organic EL element 10B) is arranged on one line along the first direction d1.
  • the pixels pr, pg, and pb are arranged adjacent to each other in the second direction d2.
  • the surface shape of each pixel pr, pg, pb is not particularly limited, but has, for example, a rectangular shape.
  • the first direction d1 is along the longitudinal direction of each surface shape (rectangular shape) of the pixels pr, pg, and pb.
  • the organic layers 15R, 15G, and 15B are formed by dropping ink of each emission color for each line along the first direction d1.
  • the organic EL element 10 ⁇ / b> R has an organic layer 15 ⁇ / b> R including a red light emitting layer between the first electrode 13 and the second electrode 16.
  • the organic EL element 10G has an organic layer 15G including a green light emitting layer between the first electrode 13 and the second electrode 16 (FIG. 2).
  • the organic EL element 10B has an organic layer 15B including a blue light emitting layer between the first electrode 13 and the second electrode 16 (FIG. 2).
  • the first electrode 13 functions as an anode, for example, and is provided for each pixel P.
  • the constituent material of the first electrode 13 for example, aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), tungsten (W), or silver (Ag) ) And the like.
  • the first electrode 13 may include a laminated film of a metal film made of a single element or an alloy of these metal elements and a light-transmitting conductive material (transparent conductive film).
  • transparent conductive film include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tungsten oxide (WO x ), and zinc oxide (ZnO) based materials.
  • the zinc oxide-based material include zinc oxide (AZO) to which aluminum (Al) is added and zinc oxide (GZO) to which gallium (Ga) is added.
  • Each of the organic layers 15R, 15G, and 15B causes recombination of electrons and holes by applying an electric field, and generates an organic electroluminescent layer (red light emitting layer, green light emitting light) of any one of R, G, and B. Layer, blue light emitting layer).
  • Examples of a method for forming these organic layers 15R, 15G, and 15B include wet processes such as a printing method and a coating method. Examples thereof include an ink jet printing method and a nozzle coating method.
  • the organic layers 15R, 15G, and 15B may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer, as necessary, in addition to the organic electroluminescent layer.
  • an electron injection layer may be formed between the organic layers 15R, 15G, and 15B and the second electrode 16.
  • the second electrode 16 functions as, for example, a cathode, and is formed over the entire surface of the pixel unit 2 (as an electrode common to all pixels).
  • the second electrode 16 is made of a transparent conductive film, for example.
  • the same oxide materials as listed for the first electrode 13 can be used.
  • the thickness of the second electrode 16 is not particularly limited, but may be set in consideration of conductivity and light transmittance.
  • an alloy of magnesium and silver may be used for the second electrode 16.
  • the organic layers 15R, 15G, and 15B of these organic EL elements 10R, 10G, and 10B are formed in regions (first openings H1a) defined by the pixel separation film 14, respectively.
  • the pixel isolation film 14 is formed on the first electrode 13 and has a first opening H1a facing the first electrode 13.
  • the pixel separation film 14 defines the light emitting region of each pixel P in a desired shape by the first opening H1a and separates organic layers (organic layers having different light emission colors) of adjacent pixel columns. It has a function. Further, the pixel isolation film 14 ensures insulation between the first electrode 13 and the second electrode 16.
  • the pixel isolation film 14 includes a first insulating film 14A and a second insulating film 14B stacked in a predetermined region on the first insulating film 14A.
  • a second opening H1b for controlling the shape of the first opening H1a is provided in the first insulating film 14A.
  • FIG. 5A shows a planar configuration (configuration of a plane parallel to the substrate surface) of the first insulating film 14A.
  • FIG. 5A for simplification, three pixels pr, pg, and pb are arranged in the first direction d1, and one set of pixels pr, pg, and pb is arranged in the second direction d2.
  • FIG. 5B is an enlarged view of the vicinity of the opening of the first insulating film 14A in the cross-sectional configuration of FIG.
  • the structure shown in FIG. 2 corresponds to the cross-sectional structure taken along the line A11-A12 of FIG. 5A.
  • the first insulating film 14A has, for example, two first openings H1a for each pixel P (for each first electrode 13).
  • the first opening H1a may be one, or may be three or more.
  • the display device 1 has a reflector (reflection structure) in the first opening H1a.
  • the first opening H1a has a rectangular shape, for example, and is arranged to have a long side in the first direction d1.
  • the second opening H1b is provided between the pixels P adjacent in the second direction d2 (for example, between the pixel pr and the pixel pg, between the pixel pg and the pixel pb, and between the pixel pb and the pixel pr).
  • the second opening H1b has a line shape extending along the first direction d1, and for example, a plurality of second openings H1b are provided substantially in parallel to form a stripe shape.
  • the second opening H1b is provided, for example, in a region where the first electrode 13 is not formed.
  • the second opening H1b may be provided across the region where the first electrode 13 is not formed from above the first electrode 13.
  • the second opening H1b and the first opening H1a are preferably the same.
  • the first insulating film 14A is made of, for example, a photosensitive resin such as an acrylic resin, a polyimide resin, a fluorine resin, a silicon resin, a fluorine polymer, a silicon polymer, a novolac resin, an epoxy resin, or a norbornene resin. It is configured to include. Or what disperse
  • a photosensitive resin such as an acrylic resin, a polyimide resin, a fluorine resin, a silicon resin, a fluorine polymer, a silicon polymer, a novolac resin, an epoxy resin, or a norbornene resin. It is configured to include. Or what disperse
  • the first insulating film 14A is desirably lyophilic (affinity with ink when forming the organic layers 15R, 15G, and 15B). This is because when the film is formed, the ink spreading of the organic layers 15R, 15G, and 15B becomes good and unevenness in film thickness can be made difficult to occur.
  • the thickness of the first insulating film 14A is, for example, not less than 0.1 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m.
  • the refractive index of the first insulating film 14A is set to be smaller than the refractive indexes of the protective film 17 and the sealing layer 18 described later, for example.
  • the thickness of the first insulating film 14A is, for example, not less than 1 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m.
  • an organic layer 15R (or organic layers 15G and 15B, and so on) is formed so as to cover their bottoms.
  • the light emitted from the organic layer 15R is not only light traveling in the front direction L1 but also light traveling in the direction L2 shifted from the front direction L1 (oblique direction). Light).
  • the light traveling in the oblique direction L2 is reflected and rises in the front direction L1.
  • each parameter is preferably set as follows.
  • the inclination angle of the inclined surface PS with respect to the plane direction of the first electrode 13 is ⁇ (degrees)
  • the refractive index of the constituent material of the first insulating film 14A is n1
  • the refractive index of the constituent material of the sealing layer 18 is n2
  • n1 ⁇ In the case of n2, the inclination angle ⁇ preferably satisfies the following expression (1), and more preferably satisfies expression (2).
  • Equation 1 75.2-54 (n2-n1) ⁇ ⁇ ⁇ 81.0-20 (n2-n1) (1) 76.3-46 (n2-n1) ⁇ ⁇ ⁇ 77.0-20 (n2-n1) (2)
  • the refractive index n1 and the refractive index n2 satisfy 1.1 ⁇ n2 ⁇ 1.8 and n2-n1 ⁇ 0.20.
  • materials satisfying this for example, an acrylic resin material is used for the first insulating film 14A, and an epoxy resin material is used for the sealing layer 18.
  • the second insulating film 14B is formed in a region between the pixels P adjacent to each other in the second direction d2 on the first insulating film 14A (a region between the first openings H1a arranged in different pixel columns). It extends in the direction d1.
  • the second insulating film 14B is provided so as to cover the second opening H1b of the first insulating film 14A (FIG. 2).
  • the same material as the first insulating film 14A may be used, or a different material may be used. However, it is desirable that at least the upper surface of the second insulating film 14B has liquid repellency.
  • the second insulating film 14B may contain a liquid repellent component such as fluorine, or a liquid repellent treatment may be performed after the second insulating film 14B is formed. This is because wetting and spreading (color mixing) of ink between adjacent pixel columns (between organic layers having different emission colors) can be suppressed, and the function as a partition can be enhanced.
  • the thickness of the second insulating film 14B is, for example, not less than 0.5 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m.
  • the width W1 in the second direction d2 of the second insulating film 14B is preferably larger than the width W2 in the second direction d2 of the second opening H1b of the first insulating film 14A.
  • the second insulating film 14B can be prevented from falling into the second opening H1b. Therefore, when the organic layer (organic layer 15R, organic layer 15G, or organic layer 15B) is formed by a wet process, the pinning property of the ink is stabilized, and the thickness of the organic layer in the light emitting region becomes uniform. That is, the luminance can be improved.
  • the width W1 of the second insulating film 14B in the second direction d2 is larger than the width W2 of the second opening H1b of the first insulating film 14A in the second direction d2, the second opening H1b is above the first electrode 13. Even when the first electrode 13 is provided over the second insulating film 14B, the end portion of the first electrode 13 is covered with the second insulating film 14B.
  • the first insulating film 14A of the pixel isolation film 14 has a residual portion 14AI in the second opening H1b. Although details will be described later, even when the second opening H1b is formed, the formation region of the first insulating film 14A is increased, and the peeling of the first insulating film 14A can be prevented.
  • FIG. 6A shows a cross-sectional configuration (a cross-sectional configuration of a region between adjacent pixels Pr) taken along line B11-B12 in FIG. 5A.
  • the remaining portion 14AI is provided at a position deviating from the region between the first openings H1a adjacent in the second direction d2.
  • the remaining portion 14AI is preferably formed avoiding the position adjacent to the first opening H1a.
  • FIG. 5A shows a case where two residual portions 14AI are provided for one second opening H1b. However, one residual portion 14AI only needs to be provided for one second opening H1b, or Three or more remaining portions 14AI may be provided.
  • the planar shape of the remaining portion 14AI is, for example, a rectangular shape.
  • the remaining portion 14AI is a portion where the first insulating film 14A is partially left in the second opening H1b.
  • the remaining portion 14AI is provided continuously with the first insulating film 14A on both sides of the second opening H1b in the second direction d2.
  • the thickness t2 of the remaining portion 14AI is, for example, not less than 0.1 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m.
  • the thickness t2 of the remaining portion 14AI may be the same as the thickness of the first insulating film 14A other than the remaining portion 14AI, but is preferably smaller than the thickness of the first insulating film 14A.
  • the width b2 of the remaining portion 14AI in the second direction d2 is, for example, the same as the width W2 of the second opening H1b.
  • a second insulating film 14B is provided on the remaining portion 14AI.
  • the width W1 of the second insulating film 14B in the second direction d2 is preferably larger than the width b2 of the remaining portion 14AI in the second direction d2. This prevents the second insulating film 14B from falling into the remaining portion 14AI even when a displacement occurs between the first insulating film 14A and the second insulating film 14B during manufacturing. Therefore, similarly to the above, the luminance can be improved when the organic layer is formed by a wet process. It is preferable to adjust the thickness of the second insulating film 14B to be sufficiently larger than the thickness t2 of the residual portion 14AI so that the liquid repellency of the second insulating film 14B functions.
  • a recessed portion forming region H2a (recessed portion H2) is provided at a position adjacent to the remaining portion 14AI in the second direction d2.
  • FIG. 6B shows a cross-sectional configuration taken along line C11-C12 of FIG. 5A.
  • each region between adjacent pixels pr (or between pixels pg and between pixels pb) in the first direction d1 has a recess H2 (a recess forming region). H2a).
  • the recess H2 connects the first openings H1a of the pixels P adjacent in the first direction d1. In other words, the first openings H1a of the pixels P having the same light emission color among the plurality of pixels P are connected.
  • the recess H2 connects the openings H1 of the pixels P (pixel pr, pixel pg, or pixel pb) of the same emission color, and the ink flow path of the organic layer (organic layer 15R, organic layer 15G, or organic layer 15B). It functions as.
  • 1st opening H1a is connected through the recessed part H2 between adjacent pixels pr.
  • the two first openings H1a may be connected to each other in the recess H2, or may not be connected.
  • the shape, width b1, depth f1, etc. of the recess H2 are not particularly limited.
  • the length of the recess H2 in the first direction d1 is approximately the same as the length of the remaining portion 14AI in the first direction d1.
  • the first insulating film 14A desirably has a thickness (t1) at the bottom of the recess H2.
  • the thickness t1 is not less than 0.1 ⁇ m and not more than 2 ⁇ m. That is, it is desirable that the end portion of the first electrode 13 is configured to be covered with the first insulating film 14A. This is because it is possible to suppress an electrical short circuit between the first electrode 13 and the second electrode 16.
  • the thickness t1 of the first insulating film 14A in the recess H2 is formed to be sufficiently smaller than the depth f1.
  • the organic layer 15R is also formed in the recess H2 so as to cover the bottom surface. This is because the organic layer 15R is formed so as to be wetted and spread to the adjacent first opening H1a through the recess H2 during film formation.
  • the bottom surface of the recess H2 is not necessarily covered by the organic layer 15R. Only a selective region of the bottom surface of the recess H2 may be covered with the organic layer 15R.
  • the contact angle of the surface (side surface) of the recess H2 is desirably smaller than the contact angle of the upper surface of the second insulating film 14B.
  • the inclination angle ⁇ 2 of the side surface of the recess H2 is smaller than the inclination angle ⁇ of the side surface of the first opening H1a of the first insulating film 14A ( ⁇ > ⁇ 2). It is desirable. This is because pinning is reduced and the ink is more easily spread and spread more uniformly.
  • the inclination angles ⁇ and ⁇ 2 have the relationship as described above.
  • FIG. 6B shows the TFT 12 on the drive substrate 11a.
  • the TFT 12 corresponds to the drive transistor DsTr shown in FIGS. 1 and 3, for example.
  • the TFT 12 has, for example, a semiconductor layer 124 (a part of the semiconductor layer S1 shown in FIG. 3) in a selective region on the first substrate 11, and a gate insulating film 121 is interposed on the semiconductor layer 124.
  • An interlayer insulating film 122 is formed on the gate electrode 125g2. On this interlayer insulating film 122, source / drain electrodes 125sd3 and 125sd4 are provided.
  • the source / drain electrodes 125 sd 3 and 125 sd 4 are electrically connected to the semiconductor layer 124 through contact holes c 21 and c 22 provided in the interlayer insulating film 122.
  • the source / drain electrode 125sd4 is electrically connected to the first electrode 13 through the contact portion C1.
  • the pixel isolation film 14 as described above can be formed, for example, as follows. That is, first, after forming the plurality of first electrodes 13 on the drive substrate 11a, the first insulating film 14A made of the above-described photosensitive resin or the like is formed so as to cover the plurality of first electrodes 13, for example, A film is formed with a predetermined thickness by coating or the like. Thereafter, the first opening H1a, the second opening H1b, the remaining portion 14AI, and the concave portion H2 are formed by performing exposure, for example, using a photomask, and performing steps such as development, washing, and drying.
  • the first insulating film 14A is formed so that the exposure amounts of the first opening H1a and the second opening H1b formation area and the remaining area 14AI and the depression H2 formation area are different from each other.
  • To expose thereby, it is possible to form an opening (first opening H1a and second opening H1b) and a region having a small thickness (residual portion 14AI and concave portion H2) with one photomask.
  • a photomask for forming the first opening H1a and the second opening H1b and a photomask for forming the remaining portion 14AI and the concave portion H2 may be prepared and exposed in separate steps. Absent.
  • the first insulating film 14A is formed by using, for example, a CVD method and then etched using, for example, a photolithography method.
  • the first opening H1a, the second opening H1b, the remaining portion 14AI, and the recess H2 can be formed.
  • the second insulating film 14B is patterned in a predetermined region on the first insulating film 14A. Thereby, the pixel separation film 14 having the above-described configuration can be formed. After the pixel separation film 14 is formed, the organic layers 15R, 15G, and 15B are formed in the openings H1 by a wet process such as inkjet printing.
  • the protective film 17 may be made of either an insulating material or a conductive material.
  • Insulating materials include inorganic amorphous insulating materials such as amorphous silicon ( ⁇ -Si), amorphous silicon carbide ( ⁇ -SiC), amorphous silicon nitride ( ⁇ -Si 1-x N x ), amorphous carbon ( ⁇ -C) and the like.
  • ⁇ -Si amorphous silicon
  • ⁇ -SiC amorphous silicon carbide
  • ⁇ -Si 1-x N x amorphous carbon
  • ⁇ -C amorphous carbon
  • silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like may be used.
  • the sealing layer 18 is formed almost uniformly on the protective film 17 and functions as, for example, an adhesive layer.
  • Examples of the material of the sealing layer 18 include acrylic resins, polyimide resins, fluorine resins, silicon resins, fluorine polymers, silicon polymers, epoxy resins, and norbornene resins.
  • the refractive indexes of the materials of the protective film 17 and the sealing layer 18 affect the light extraction efficiency of the reflector structure, an appropriate material is selected in consideration of the sealing performance and the light extraction efficiency. Good.
  • the CF / BM layer 19 is a layer including a color filter layer (a red filter 19R, a green filter 19G, and a blue filter 19B) and a black matrix layer BM.
  • the red filter 19R, the green filter 19G, and the blue filter 19B are respectively disposed in regions facing the opening H1.
  • the red filter 19R, the green filter 19G, and the blue filter 19B are each composed of a resin mixed with a pigment.
  • the black matrix layer BM is configured by, for example, a resin film mixed with a black colorant, or a thin film filter using thin film interference.
  • the thin film filter is formed by, for example, laminating one or more thin films made of metal, metal nitride, or metal oxide, and attenuating light by utilizing interference of the thin film.
  • Specific examples of the thin film filter include a filter in which Cr and chromium oxide (III) (Cr 2 O 3 ) are alternately laminated.
  • Cr and chromium oxide (III) Cr 2 O 3
  • the second substrate 20 seals the organic EL element 10 together with the sealing layer 18.
  • the second substrate 20 is made of a material that is transparent to the light generated by the organic EL element 10, such as glass or plastic.
  • the selection pulse is supplied from the scanning line driving unit 3 to the writing transistor WsTr of each pixel P, whereby the pixel P is selected.
  • a signal voltage corresponding to the video signal is supplied from the signal line driver 4 to the selected pixel P and is held in the holding capacitor Cs.
  • the drive transistor DsTr is on / off controlled in accordance with the signal held in the holding capacitor Cs, and a drive current is injected into the organic EL element 10.
  • the organic EL element 10 organic electroluminescent layer
  • This light passes through the second electrode 16, the protective film 17, the sealing layer 18, the CF / BM layer 19, and the second substrate 20 and is extracted, for example.
  • a color video image is displayed by additive color mixing of the colored lights emitted from the respective pixels P (pixels pr, pg, pb).
  • the first insulating film 14A has the second opening H1b and the remaining portion 14AI in the second opening H1b.
  • the first insulating film 14A it is possible to prevent the first insulating film 14A from being peeled off by the remaining portion 14AI, and to improve the light extraction efficiency through the second opening H1b.
  • this will be described in detail using a comparative example.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional configuration of the first insulating film 104 according to the comparative example.
  • the first insulating film 104 is not provided with the second opening (for example, the second opening H1b in FIG. 2), and has only the first opening H1a.
  • the shape of the first opening H1a may be deformed by a baking process after development (FIG. 8 ( (Change from A) to FIG. 8B). This is because the photoresist softened in the baking process is deformed by the influence of the surface tension and is cured as it is. Deformation due to surface tension is greater as the area is larger.
  • first opening H1a when a plurality of first openings H1a are formed on the substrate 111, the shape of the outermost first opening H1a is easily affected. When the shape of the first opening H1a is disturbed, the performance of the first opening H1a as a reflector is lowered, and the light extraction efficiency is lowered. In addition, variations in luminance occur for each first opening H1a.
  • the second opening H1b is provided between the adjacent pixels P. Is mitigated by the second opening H1b. Therefore, the light extraction efficiency can be improved by accurately controlling the shape of the first opening H1a. In addition, variations in luminance for each first opening H1a can be suppressed.
  • the residual portion for example, the residual portion 14AI in FIG. 5A
  • the first insulating film first insulating film 104A shown in FIG. Since the formation region of the insulating film 104A becomes very small, the contact area with the base (for example, the first substrate 11) side is reduced, and the first insulating film 104A is easily peeled off during development.
  • the second opening H1b it is conceivable to form a region where the thickness of the first insulating film 104A is reduced, but in this case, the shape control of the first opening H1a cannot be sufficiently performed.
  • the remaining portion 14AI is provided in the second opening H1b, the formation region of the first insulating film 14A is increased, and the adhesion to the base can be improved. Therefore, even in the first insulating film 14A having the second opening H1b in addition to the first opening H1a, the first insulating film 14A is hardly peeled off from the base, and the light extraction efficiency can be improved.
  • the shape of the first opening H1a can be accurately controlled by the second opening H1b, so that a reflector structure with high light extraction efficiency is formed in the light emitting region. Is possible. Further, since the first insulating film 14A is not easily peeled off from the base, the first insulating film 14A having the first opening H1a and the second opening H1b can be formed. Therefore, the light extraction efficiency can be improved.
  • the first insulating film 14 ⁇ / b> A is provided with a recess H ⁇ b> 2 that connects the openings H ⁇ b> 1 of the pixels of the same light emission color among the plurality of pixels P. Specifically, a region between the openings H1 of the adjacent pixels pr, a region between the openings H1 of the adjacent pixels pg, and a region between the openings H1 of the adjacent pixels pb. A recess H2 is formed.
  • the organic layers 15R, 15G, and 15B are formed by, for example, a wet process, a portion in which ink is not sufficiently dropped or a non-dropped portion is generated in some pixel rows X1 (pixels pr1, pg1, and pb1). Also in this case, the ink spreads from the adjacent pixel pr to the pixel pr1, the pixel pg1 from the adjacent pixel pg, and the pixel pb1 from the adjacent pixel pb through the recess H2. Thereby, in each pixel column of the pixels pr, pg, and pb, the organic layers 15R, 15G, and 15B are formed with equal film thicknesses. Therefore, unevenness of the film thickness of the organic layers 15R, 15G, and 15B due to the film formation process can be reduced.
  • the effect of the recess H2 is particularly effective when the first opening H1a has a reflector (reflection structure).
  • the material and thickness of the first insulating film 14A, the shape of the first opening H1a, etc. are designed to satisfy various conditions. In this case, when the reflector is not formed.
  • the first insulating film 14A is designed with a large thickness. For this reason, wetting and spreading of the ink between pixels of the same light emission color is poor, and as described above, a portion where ink is not sufficiently dripped or a non-dropped portion remains as it is, and luminance unevenness may occur. is there.
  • the film 14A is designed to be relatively large by connecting the openings H1 using the recess H2 as in the display device 1, the film is formed without preventing the ink from spreading. It can be performed. That is, it is possible to reduce the luminance unevenness caused by the wet process while increasing the light extraction efficiency of the organic EL element 10, and to realize a display with higher image quality.
  • FIG. 10 shows a functional block configuration of an electronic device (electronic device 1A) to which the display device 1 is applied.
  • the electronic device 1A include a television device, a personal computer (PC), a smartphone, a tablet PC, a mobile phone, a digital still camera, a digital video camera, and the like.
  • the electronic apparatus 1A includes, for example, the display device 1 and the interface unit 30 described above.
  • the interface unit 30 is an input unit to which various signals, a power source, and the like are input from the outside.
  • the interface unit 30 may also include a user interface such as a touch panel, a keyboard, or operation buttons.
  • the pixel isolation film 14 is configured by a laminated structure of the first insulating film 14A and the second insulating film 14B, and the first insulating film 14A and the second insulating film 14B are respectively formed.
  • the configuration of the pixel isolation film 14 is not limited to this.
  • the second insulating film 14B is not necessarily provided as long as the region between the pixel columns (between pixels having different emission colors) can be sufficiently separated.
  • the first insulating film 14A and the second insulating film 14B may be formed integrally (as a single layer film).
  • the first insulating film 14A may have a portion corresponding to the second insulating film 14B (the first insulating film 14A may have a structure also serving as the second insulating film 14B).
  • the shape of the first opening H1a formed in the first insulating film 14A is a rectangular shape, but the shape of the first opening H1a is not limited to a rectangular shape. In addition to the rectangular shape, various shapes such as a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape can be taken. When a plurality of first openings H1a are provided, the shape of each first opening H1a may be the same or different.
  • the layout of the shape, position, number, and the like of the first opening H1a, the second opening H1b, the concave portion H2, and the remaining portion 14AI is not particularly limited, and can be appropriately changed within a range in which the above effects can be exhibited.
  • each layer described in the above embodiments and the like, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and may be other materials and thicknesses, or other film formation methods and Film forming conditions may be used.
  • the configuration of the organic EL element 10 is specifically described. However, it is not necessary to provide all the layers, and other layers may be further provided.
  • the present disclosure can also be applied to a passive matrix display device.
  • the configuration of the pixel circuit PXLC for active matrix driving is not limited to that described in the above embodiment, and a capacitor or a transistor may be added as necessary.
  • a necessary driving circuit may be added in addition to the scanning line driving unit 3, the signal line driving unit 4, and the power line driving unit 5 described above in accordance with the change of the pixel circuit PXLC.
  • the present disclosure can take the following configurations.
  • a first insulating film provided between the adjacent pixels and having a first opening in a light emitting region of the pixel;
  • the first insulating film has a second opening extending in the first direction between the pixels adjacent in the second direction, and has a remaining portion in the second opening.
  • a thickness of the remaining portion is equal to or less than a thickness of the first insulating film other than the remaining portion.
  • Each of the pixels includes an organic electroluminescent element that emits light of any one of a plurality of colors, The display device according to any one of (1) to (8), wherein the pixels are arranged along the first direction for each emission color. (10) The display device according to any one of (1) to (9), wherein the first insulating film is provided with a recess that connects the first openings of the pixels adjacent in the first direction. (11) The display device according to any one of (1) to (10), wherein the first opening includes a reflector.
  • the display device according to any one of (1) to (11), wherein the first insulating film is provided continuously in the second direction from both sides of the second opening in the remaining portion.
  • (13) A plurality of pixels arranged in a matrix in the first direction and the second direction; A first insulating film provided between the adjacent pixels and having a first opening in a light emitting region of the pixel;
  • the first insulating film includes a display device having a second opening extending in the first direction between the pixels adjacent to each other in the second direction, and a residual portion in the second opening. Electronics.

Landscapes

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Abstract

第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する表示装置。

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象により発光する有機電界発光素子などを用いた表示装置および電子機器に関する。
　有機電界発光素子を用いた表示装置（有機ＥＬディスプレイ）では、光取り出し効率を向上させるために、リフレクタ構造が用いられている（例えば、特許文献１）。
特開２０１３－１９１５３３号公報
　有機ＥＬディスプレイなどの表示装置では、より光取り出し効率を高めることが望ましい。
　高い光取り出し効率を有する表示装置および電子機器を提供することが望ましい。
　本開示の一実施の形態に係る表示装置は、第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、隣り合う画素の間に設けられ、画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、第１絶縁膜は、第２方向に隣り合う画素の間に、第１方向に延在する第２開口を有するとともに、第２開口内に残留部を有するものである。
　本開示の一実施の形態に係る電子機器は、上記本開示の一実施の形態に係る表示装置を備えたものである。
　本開示の一実施の形態に係る表示装置および電子機器では、第１絶縁膜に第２開口が設けられているので、第１開口の形状が制御し易くなる。加えて、第２開口内に残留部が設けられているので、第１絶縁膜の形成領域が増し、第１絶縁膜が下地から剥がれにくくなる。
　本開示の一実施の形態に係る表示装置および電子機器によれば、第２開口により、第１開口の形状が制御し易くなるので、発光領域に高い光取り出し効率のリフレクタ構造を形成することが可能となる。また、第１絶縁膜が下地から剥がれにくくなるので、第１開口に加えて、第１開口の形状を制御するための第２開口を有する第１絶縁膜を形成することができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
本開示の一実施の形態に係る表示装置の全体構成を表すブロック図である。 図１に示した表示装置（画素部）の構成を表す断面図である。 画素回路の要部構成を表す平面模式図である。 画素配列の一例を表す模式図である。 図２に示した第１絶縁膜の平面構成を表す模式図である。 図２に示した第１開口付近の構成を拡大して表す断面図である。 図５Ａに示したＢ１１－Ｂ１２線における断面構成を表す図である。 図５Ａに示したＣ１１－Ｃ１２線における断面構成を表す図である。 第１絶縁膜の第１開口のテーパ角を説明するための模式図である。 凹部のテーパ角を説明するための模式図である。 比較例１に係る第１絶縁膜の構成を説明するための断面模式図である。 比較例２に係る第１絶縁膜の構成を説明するための平面模式図である。 適用例に係る電子機器の構成を表すブロック図である。
　本開示の実施の形態について図面を参照して以下の順に詳細に説明する。
　１．実施の形態（第１絶縁膜の第２開口内に残留部を設けた例）
　２．適用例（電子機器の例）
＜実施の形態＞
［構成］
　図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を表すブロック図である。この表示装置１は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。
　表示装置１は、マトリクス状に２次元配置された複数の画素（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）を有する画素部２と、この画素部２を駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）とを備える。
　画素部２は、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像を表示するものである。この画素部２には、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。これらの走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂと電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素ＰＸ）を構成する。
　画素ｐｒは、例えば赤色光を出射する有機ＥＬ素子１０Ｒを含んで構成されている。画素ｐｇは、例えば緑色光を出射する有機ＥＬ素子１０Ｇを含んで構成されている。画素ｐｂは、例えば青色光を出射する有機ＥＬ素子１０Ｂを含んで構成されている。以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。また、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「有機ＥＬ素子１０」と称して説明を行う。
　走査線ＷＳＬは、画素部２に配置された複数の画素Ｐを、行毎に選択するための選択パルスを各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子１０のカソード（後述の第２電極１６）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。
　走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。
（画素部２の構成）
　図２は、表示装置１（画素部２）の断面構成を表したものである。図２では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのうちの一部（有機電界発光素子１０Ｒと、有機電界発光素子１０Ｇの一部）に対応する領域についてのみ示している。画素部２では、駆動基板１１ａ上に、複数の有機ＥＬ素子１０が２次元配置されている。これらの有機ＥＬ素子１０の上には、例えば、保護膜１７、封止層１８およびＣＦ／ＢＭ層１９を介して第２基板２０が貼り合わせられている。
　駆動基板１１ａは、例えばガラスやプラスチックなどから構成された第１基板１１上に、層間絶縁膜１２２と、各有機ＥＬ素子１０を駆動するための画素回路（画素回路ＰＸＬＣ、図２には図示せず）とを含む。この駆動基板１１ａの表面は、平坦化膜１２３によって平坦化されている。
　画素回路ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子１０の発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子１０（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つ）と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。
　書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子１０に直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１０に流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。
　書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子１０のアノード（後述の第１電極１３）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子１０側の電極との間に挿入されている。
　図３に、上記のような画素回路ＰＸＬＣの要部の配線レイアウトの一例を示す。画素回路ＰＸＬＣは、例えば複数の配線層（第１メタル層Ｍ１，第２メタル層Ｍ２）と、半導体層Ｓ１と、第１メタル層Ｍ１，第２メタル層Ｍ２同士の層間接続（コンタクトホールｃ１１～ｃ１３）とを利用して形成されている。
　一例としては、図３に示したように、書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極１２５ｇ１と、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極１２５ｇ２と、保持容量Ｃｓの下部電極１２６ａと、信号線ＤＴＬとが、第１メタル層Ｍ１に配置されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース・ドレイン電極（１２５ｓｄ１，１２５ｓｄ２）と、駆動トランジスタＤｓＴｒのソース・ドレイン電極（１２５ｓｄ３，１２５ｓｄ４）と、保持容量Ｃｓの上部電極１２６ｂと、走査線ＷＳＬと、電源線ＤＳＬとが、第２メタル層Ｍ２に配置されている。これらのうち、書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極１２５ｇ１と、走査線ＷＳＬとは、コンタクトホールｃ１１を通じて層間接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース・ドレイン電極１２５ｓｄ１は、コンタクトホールｃ１２を通じて信号線ＤＴＬに層間接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース・ドレイン電極１２５ｓｄ２は、コンタクトホールｃ１３を通じて保持容量Ｃｓの下部電極１２６ａと駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極１２５ｇ２とに層間接続されている。保持容量Ｃｓの上部電極１２６ｂは、コンタクト部Ｃ１（アノードコンタクト）を通じて、有機ＥＬ素子１０のアノード（第１電極１３、図３には図示せず）に接続されている。
　尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示したが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、このような２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい。
　有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、上記のような駆動基板１１ａ上に規則的な配列で形成されている。図４に、画素配列（有機ＥＬ素子１０の配列）の一例を示す。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、第１方向ｄ１および第２方向ｄ２にマトリクス状に配置されている。第１方向ｄ１と第２方向ｄ２とは、例えば互いに直交している。有機ＥＬ素子１０の成膜プロセスにおいて例えば印刷等のウェットプロセスを用いる場合には、複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが発光色毎に、一方向に沿って配置されることが望ましい。例えば、画素ｐｒ（有機ＥＬ素子１０Ｒ）が第１方向ｄ１に沿った１つのライン上に配置され、画素ｐｇ（有機ＥＬ素子１０Ｇ）が第１方向ｄ１に沿った１つのライン上に配置され、画素ｐｂ（有機ＥＬ素子１０Ｂ）が第１方向ｄ１に沿った１つのライン上に配置されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、互いに第２方向ｄ２に隣り合うように配置されている。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの面形状は、特に限定されるものではないが、例えば矩形状を有する。第１方向ｄ１は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの各面形状（矩形状）の長手方向に沿っている。製造プロセスでは、例えばこの第１方向ｄ１に沿ったライン毎に、各発光色のインクが滴下されることで、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが形成される。
　有機ＥＬ素子１０Ｒは、第１電極１３と第２電極１６との間に、赤色発光層を含む有機層１５Ｒを有するものである。同様に、有機ＥＬ素子１０Ｇは、第１電極１３と第２電極１６との間に、緑色発光層を含む有機層１５Ｇ有するものである（図２）。有機ＥＬ素子１０Ｂは、第１電極１３と第２電極１６との間に、青色発光層を含む有機層１５Ｂを有するものである（図２）。
　第１電極１３は、例えばアノードとして機能するものであり、画素Ｐ毎に設けられている。この第１電極１３の構成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極１３は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化タングステン（ＷＯx）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。
　有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはそれぞれ、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じ、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色光を発生する有機電界発光層（赤色発光層，緑色発光層，青色発光層）を含むものである。これらの有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの成膜方法は、例えば印刷法や塗布法等のウェットプロセスが挙げられる。一例としては、インクジェット印刷法、ノズルコート法等が挙げられる。この有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、有機電界発光層の他にも、必要に応じて、例えば正孔注入層、正孔輸送層および電子輸送層等を含んでいてもよい。また、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと第２電極１６との間には、電子注入層が形成されていてもよい。
　第２電極１６は、例えばカソードとして機能するものであり、画素部２の全面にわたって（全画素に共通の電極として）形成されている。この第２電極１６は、例えば透明導電膜から構成されている。透明導電膜の材料としては、上記第１電極１３の材料として列挙した酸化物材料と同様のものを用いることができる。第２電極１６の厚みは、特に限定されないが、導電性と光透過性とを考慮して設定されるとよい。第２電極１６には、この他にも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が用いられてもよい。
　これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、画素分離膜１４によって規定された領域（第１開口Ｈ１ａ）にそれぞれ形成されている。画素分離膜１４は、第１電極１３上に形成されると共に、第１電極１３に対向して第１開口Ｈ１ａを有している。
　画素分離膜１４は、上述のように、第１開口Ｈ１ａにより各画素Ｐの発光領域を所望の形状に規定すると共に、隣接する画素列の有機層（異なる発光色の有機層）同士を分離する機能を有している。また、この画素分離膜１４により、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性が確保される。この画素分離膜１４は、第１絶縁膜１４Ａと、第１絶縁膜１４Ａ上の所定の領域に積層された第２絶縁膜１４Ｂとを有する。ここでは、第１絶縁膜１４Ａに、第１開口Ｈ１ａに加えて、第１開口Ｈ１ａの形状を制御するための第２開口Ｈ１ｂが設けられている。
　図５Ａに、第１絶縁膜１４Ａの平面構成（基板面に平行な面の構成）を示す。尚、図５Ａでは、簡便化のため、第１方向ｄ１に画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂがそれぞれ３つずつ配置され、第２方向ｄ２に１組の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが配置された構成を示している。図５Ｂは、図２の断面構成において第１絶縁膜１４Ａの開口部付近を拡大したものである。尚、図２に示した構成は、図５ＡのＡ１１－Ａ１２線における断面構成に相当する。
　このように、第１絶縁膜１４Ａは、画素Ｐ毎に（第１電極１３毎に）、例えば２つの第１開口Ｈ１ａを有している。第１開口Ｈ１ａは、１つであってもよく、あるいは、３つ以上であってもよい。表示装置１では、第１開口Ｈ１ａに、リフレクタ（反射構造）を有している。第１開口Ｈ１ａは例えば矩形状であり、第１方向ｄ１に長辺を有するように配置されている。
　第２開口Ｈ１ｂは、第２方向ｄ２に隣り合う画素Ｐの間（例えば、画素ｐｒと画素ｐｇの間、画素ｐｇと画素ｐｂの間、画素ｐｂと画素ｐｒの間）に設けられている。第２開口Ｈ１ｂは、第１方向ｄ１に沿って延在するライン状の形状を有しており、例えば、複数の第２開口Ｈ１ｂが略平行に設けられて、ストライプ形状をなしている。第２開口Ｈ１ｂは、例えば第１電極１３が形成されていない領域に設けられている。第２開口Ｈ１ｂは、第１電極１３上から第１電極１３が形成されていない領域に跨って設けられていてもよい。第１開口Ｈ１ａの形状を精確に制御するため、第２開口Ｈ１ｂと第１開口Ｈ１ａとを同じピッチで設けることが好ましい。具体的には、２つの第１開口Ｈ１ａ間の距離と、第１開口Ｈ１ａと第２開口Ｈ１ｂとの間の距離とが同じであることが好ましい。
　第１絶縁膜１４Ａは、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を含んで構成されている。あるいは、これらの樹脂材料に着色剤を分散させたものが用いられてもよい。更に、第１絶縁膜１４Ａには、このような有機材料に限らず、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料が用いられても構わない。この第１絶縁膜１４Ａは、親液性（有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを成膜する際のインクに対する親和性）を有することが望ましい。成膜時において、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂのインクの濡れ拡がりが良好となり、膜厚のむらを生じにくくすることができるためである。第１絶縁膜１４Ａの厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
　この第１絶縁膜１４Ａの屈折率は、後述する保護膜１７および封止層１８の屈折率よりも例えば小さくなるように設定されている。第１絶縁膜１４Ａの厚みは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。第１絶縁膜１４Ａの厚み、屈折率、および第１開口Ｈ１ａの形状（後述の傾斜面ＰＳの形状および傾斜角θ等）等を適切に設定することで、第１開口Ｈ１ａをいわゆるリフレクタ（反射構造）とすることができる。
　これらの２つの第１開口Ｈ１ａ内には、それらの底部を覆うように、有機層１５Ｒ（または有機層１５Ｇ，１５Ｂ、以下同様）が形成されている。表示駆動時には、図５Ｂに示したように、有機層１５Ｒ（発光層）から射出される光は、正面方向Ｌ１に進む光に加え、この正面方向Ｌ１からずれた方向Ｌ２に進む光（斜め方向に進む光）を含む。第１開口Ｈ１ａの傾斜面ＰＳにおいて、その斜め方向Ｌ２に進む光が反射され、正面方向Ｌ１に向かって立ち上げられる。開口部Ｈ１では、このようなリフレクタを有することで、光取り出し効率を向上させることができる。
　例えば、各パラメータは以下のように設定されることが好ましい。傾斜面ＰＳの第１電極１３の平面方向に対する傾斜角をθ（度）、第１絶縁膜１４Ａの構成材料の屈折率をｎ１、封止層１８の構成材料の屈折率をｎ２とし、ｎ１＜ｎ２である場合、傾斜角θは以下の式（１）を満たすことが好ましく、さらに式（２）を満たすことが好ましい。
　（数１）
 
　７５．２-５４（ｎ２-ｎ１）≦θ≦８１．０－２０（ｎ２-ｎ１）・・・（１）
 
　７６．３-４６（ｎ２-ｎ１）≦θ≦７７．０－２０（ｎ２-ｎ１）・・・（２）
 
　また、屈折率ｎ１および屈折率ｎ２は、１．１≦ｎ２≦１．８、ｎ２-ｎ１≧０．２０を満たすことが好ましい。これを満たす材料として、例えば、第１絶縁膜１４Ａにはアクリル系の樹脂材料、封止層１８にはエポキシ系の樹脂材料が挙げられる。
　第２絶縁膜１４Ｂは、この第１絶縁膜１４Ａ上の第２方向ｄ２に隣り合う画素Ｐの間の領域（異なる画素列に配置された第１開口Ｈ１ａ同士の間の領域）に、第１方向ｄ１に延在して設けられている。第２絶縁膜１４Ｂは、第１絶縁膜１４Ａの第２開口Ｈ１ｂを覆うように設けられている（図２）。第２絶縁膜１４Ｂには、第１絶縁膜１４Ａと同一の材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。但し、第２絶縁膜１４Ｂの少なくとも上面は、撥液性を有することが望ましい。第２絶縁膜１４Ｂにフッ素などの撥液成分を含有させるようにしてもよく、あるいは、第２絶縁膜１４Ｂの成膜後に撥液処理を施すようにしてもよい。隣接する画素列同士の間（異なる発光色の有機層同士の間）でのインクの濡れ拡がり（混色）を抑制し、隔壁としての機能を高めることができるためである。この第２絶縁膜１４Ｂの厚みは、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下である。第２絶縁膜１４Ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ１は、第１絶縁膜１４Ａの第２開口Ｈ１ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ２よりも大きいことが好ましい。これにより、製造時に第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとの間に位置ずれが生じた場合にも、第２絶縁膜１４Ｂが第２開口Ｈ１ｂ内に落ちることを防ぐことができる。したがって、有機層（有機層１５Ｒ、有機層１５Ｇまたは有機層１５Ｂ）をウェットプロセスにより形成する場合に、インクのピニング性が安定し、発光領域内の有機層の厚みが均一になる。即ち、輝度を向上させることができる。また、第２絶縁膜１４Ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ１が、第１絶縁膜１４Ａの第２開口Ｈ１ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ２よりも大きければ、第２開口Ｈ１ｂが第１電極１３上に跨って設けられている場合にも、第１電極１３の端部が第２絶縁膜１４Ｂで覆われる。
　本実施の形態では、このような画素分離膜１４の第１絶縁膜１４Ａが、第２開口Ｈ１ｂ内に残留部１４ＡＩを有している。詳細は後述するが、これにより第２開口Ｈ１ｂが形成される場合であっても、第１絶縁膜１４Ａの形成領域が増し、第１絶縁膜１４Ａの剥がれを防ぐことができる。
　図６Ａに、図５ＡのＢ１１－Ｂ１２線における断面構成（隣り合う画素Ｐｒ同士の間の領域の断面構成）を示す。図５Ａに示したように、残留部１４ＡＩは第２方向ｄ２に隣り合う第１開口Ｈ１ａの間の領域から逸れた位置に設けられている。前述のように、第２開口Ｈ１ｂにより第１開口Ｈ１ａの形状が制御されるので、残留部１４ＡＩは第１開口Ｈ１ａに隣接する位置を避けて形成することが好ましい。図５Ａでは、１つの第２開口Ｈ１ｂに対して２つの残留部１４ＡＩを設けた場合を示しているが、１つの第２開口Ｈ１ｂに１つの残留部１４ＡＩが設けられていればよく、あるいは、３つ以上の残留部１４ＡＩを設けるようにしてもよい。残留部１４ＡＩの平面形状は例えば矩形状である。
　図６Ａに示したように、残留部１４ＡＩは、第２開口Ｈ１ｂ内で第１絶縁膜１４Ａが一部残されている部分である。例えばこの残留部１４ＡＩは、第２方向ｄ２において、第２開口Ｈ１ｂの両側の第１絶縁膜１４Ａと連続して設けられている。残留部１４ＡＩの厚みｔ２は、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下である。残留部１４ＡＩの厚みｔ２は、残留部１４ＡＩ以外の第１絶縁膜１４Ａの厚みと同じであってもよいが、第１絶縁膜１４Ａの厚みよりも小さくなっていることが好ましい。残留部１４ＡＩの第２方向ｄ２の幅ｂ２は、例えば、第２開口Ｈ１ｂの幅Ｗ２と同じである。残留部１４ＡＩ上には第２絶縁膜１４Ｂが設けられている。第２絶縁膜１４Ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ１は、残留部１４ＡＩの第２方向ｄ２の幅ｂ２よりも大きいことが好ましい。これにより、製造時に第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとの間に位置ずれが生じた場合にも、第２絶縁膜１４Ｂが残留部１４ＡＩ内に落ちることを防ぐことができる。したがって、上記と同様に、有機層をウェットプロセスにより形成する場合に輝度を向上させることができる。第２絶縁膜１４Ｂの撥液性を機能させるように、残留部１４ＡＩの厚みｔ２に対して、十分に大きくなるように第２絶縁膜１４Ｂの厚みを調整することが好ましい。
　図５Ａに示したように、第１絶縁膜１４Ａには、例えば、この残留部１４ＡＩと第２方向ｄ２に隣り合う位置に凹部形成領域Ｈ２ａ（凹部Ｈ２）が設けられている。
　図６Ｂは、図５ＡのＣ１１－Ｃ１２線における断面構成を示したものである。図５Ａに示したように、第１方向ｄ１において隣り合う画素ｐｒ同士の間（または画素ｐｇ同士の間、画素ｐｂ同士の間）の各領域が、凹部Ｈ２を有している（凹部形成領域Ｈ２ａとなっている）。凹部Ｈ２は、第１方向ｄ１に隣り合う画素Ｐの第１開口Ｈ１ａ同士を繋いでいる。換言すれば、複数の画素Ｐのうちの同一の発光色の画素Ｐの第１開口Ｈ１ａ同士を繋いでいる。
　凹部Ｈ２は、同一の発光色の画素Ｐ（画素ｐｒ、画素ｐｇまたは画素ｐｂ）の開口部Ｈ１同士を接続し、有機層（有機層１５Ｒ、有機層１５Ｇまたは有機層１５Ｂ）のインクの流路として機能するものである。尚、図５Ａでは図示を省略しているが、隣り合う画素ｐｒ同士の間で、凹部Ｈ２を通じて、第１開口Ｈ１ａ同士が繋がっている。２つの第１開口Ｈ１ａ同士は、凹部Ｈ２において繋がっていてもよいし、繋がっていなくともよい。この凹部Ｈ２の形状、幅ｂ１および深さｆ１等は特に限定されない。例えば、凹部Ｈ２の第１方向ｄ１の長さは、残留部１４ＡＩの第１方向ｄ１の長さと同程度である。図６Ａおよび図６Ｂに示したように、第１絶縁膜１４Ａは、凹部Ｈ２の底部において厚み（ｔ１）を有することが望ましく、例えば厚みｔ１は、０．１μｍ以上２μｍ以下である。即ち、第１電極１３の端部は、第１絶縁膜１４Ａにより覆われるように構成されることが望ましい。第１電極１３と第２電極１６との間で電気的短絡が生じることを抑制できるためである。また、凹部Ｈ２の第１絶縁膜１４Ａの厚みｔ１は、深さｆ１よりも十分に小さくなるように形成されることが望ましい。この例では、凹部Ｈ２内にも、その底面を覆って有機層１５Ｒが形成されている。これは、有機層１５Ｒが、成膜時に凹部Ｈ２を通じて隣りの第１開口Ｈ１ａまで濡れ拡がって形成されるためである。但し、凹部Ｈ２の底面は、必ずしも有機層１５Ｒにより覆われていなくてもよい。凹部Ｈ２の底面のうちの選択的な領域のみが有機層１５Ｒにより覆われていてもよい。
　この凹部Ｈ２の表面（側面）の接触角は、第２絶縁膜１４Ｂの上面の接触角よりも小さいことが望ましい。また、図７Ａおよび図７Ｂに模式的に示したように、第１絶縁膜１４Ａの第１開口Ｈ１ａの側面の傾斜角θよりも、凹部Ｈ２の側面の傾斜角θ２は小さい（θ＞θ２）ことが望ましい。これは、ピニングが軽減されて、インクがより均一に濡れ拡がり易くなるためである。後述のハーフトーン露光により、第１開口Ｈ１ａと凹部Ｈ２とを形成した場合には、傾斜角θ，θ２は上記のような関係となる。
　尚、図６Ｂには、駆動基板１１ａにおいてＴＦＴ１２を図示している。このＴＦＴ１２は、例えば図１および図３に示した駆動トランジスタＤｓＴｒに相当するものである。ＴＦＴ１２は、例えば、第１基板１１上の選択的な領域に、半導体層１２４（図３に示した半導体層Ｓ１の一部）を有し、この半導体層１２４上に、ゲート絶縁膜１２１を介してゲート電極１２５ｇ２を有している。ゲート電極１２５ｇ２上には層間絶縁膜１２２が形成されている。この層間絶縁膜１２２上には、ソース・ドレイン電極１２５ｓｄ３，１２５ｓｄ４が設けられている。ソース・ドレイン電極１２５ｓｄ３，１２５ｓｄ４は、層間絶縁膜１２２に設けられたコンタクトホールｃ２１，ｃ２２を通じて、半導体層１２４と電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極１２５ｓｄ４は、コンタクト部Ｃ１を通じて、第１電極１３と電気的に接続されている。
　上記のような画素分離膜１４は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、まず、駆動基板１１ａ上に、複数の第１電極１３を形成した後、これらの複数の第１電極１３を覆うように、上述した感光性樹脂等からなる第１絶縁膜１４Ａを、例えば塗布等により所定の厚みで成膜する。この後、例えばフォトマスクを用いて露光し、現像、洗浄および乾燥等の各工程を経ることにより、第１開口Ｈ１ａ、第２開口Ｈ１ｂ、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２を形成する。このとき、例えばハーフトーンマスク等を用いて、第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂの形成領域と、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２の形成領域との露光量が互いに異なるように、第１絶縁膜１４Ａを露光する。これにより、１枚のフォトマスクで、開口（第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂ）と厚みの小さな領域（残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２）とを形成することが可能である。あるいは、第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂを形成するためのフォトマスクと、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２を形成するためのフォトマスクとをそれぞれ用意して、別々の工程で露光を行っても構わない。
　尚、第１絶縁膜１４Ａとして、例えばシリコン酸化膜等の無機材料を用いる場合には、第１絶縁膜１４Ａを例えばＣＶＤ法等により成膜した後に、例えばフォトリソグラフィ法を用いてエッチングを行うことで、第１開口Ｈ１ａ、第２開口Ｈ１ｂ、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２を形成するができる。
　この後、第１絶縁膜１４Ａ上の所定の領域に、第２絶縁膜１４Ｂをパターン形成する。これにより、上記構成を有する画素分離膜１４を形成することができる。この画素分離膜１４の形成後、各開口部Ｈ１に、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが、例えばインクジェット印刷等のウェットプロセスにより成膜される。
　保護膜１７は、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α－Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α－ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α－Ｓｉ1-xＮx），アモルファスカーボン（α－Ｃ）等が挙げられる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。この他にも、窒化シリコン，酸化シリコンおよび酸窒化シリコン等が用いられてもよい。
　封止層１８は、保護膜１７の上にほぼ一様に形成されており、例えば接着層として機能するものである。封止層１８の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、エポキシ系樹脂およびノルボルネン系樹脂等が挙げられる。
　これらの保護膜１７および封止層１８の材料の屈折率は、リフレクタ構造の光取り出し効率に影響を与えることから、封止性能と光取り出し効率とを考慮して、適切な材料が選択されるとよい。
　ＣＦ／ＢＭ層１９は、カラーフィルタ層（赤色フィルタ１９Ｒ，緑色フィルタ１９Ｇおよび青色フィルタ１９Ｂ）と、ブラックマトリクス層ＢＭとを含む層である。赤色フィルタ１９Ｒ、緑色フィルタ１９Ｇおよび青色フィルタ１９Ｂは、それぞれ開口部Ｈ１に対向する領域に配置されている。これら赤色フィルタ１９Ｒ、緑色フィルタ１９Ｇおよび青色フィルタ１９Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。このようなＣＦ／ＢＭ層１９は、必要に応じて配置されればよい（配置されていなくともよい）。但し、ＣＦ／ＢＭ層１９を設けることで、有機ＥＬ素子１０で発生した光を取り出すと共に、その他の迷光や外光を吸収することができ、コントラストを改善することができる。
　第２基板２０は、封止層１８と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。この第２基板２０は、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明な材料、例えばガラスまたはプラスチック等により構成されている。
［作用、効果］
　上記のような表示装置１では、走査線駆動部３から各画素Ｐの書き込みトランジスタＷｓＴｒへ選択パルスが供給されることで、画素Ｐが選択される。この選択された画素Ｐに、信号線駆動部４から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＤｓＴｒがオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０に駆動電流が注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０（有機電界発光層）では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、例えば第２電極１６、保護膜１７、封止層１８、ＣＦ／ＢＭ層１９および第２基板２０を透過して取り出される。このようにして各画素Ｐ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）から射出された色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
　ここで、本実施の形態では、第１絶縁膜１４Ａが第２開口Ｈ１ｂと第２開口Ｈ１ｂ内の残留部１４ＡＩとを有している。このような表示装置１では、残留部１４ＡＩにより第１絶縁膜１４Ａの膜剥がれを防ぐとともに、第２開口Ｈ１ｂにより光取り出し効率を向上させることができる。以下、これについて比較例を用いて詳細に説明する。
　図８に比較例に係る第１絶縁膜１０４の断面構成を示す。第１絶縁膜１０４には、第２開口（例えば図２の第２開口Ｈ１ｂ）が設けられておらず、第１開口Ｈ１ａのみを有している。このような第１絶縁膜１０４に、フォトリソグラフィ技術を用いて第１開口Ｈ１ａを形成する場合には、現像後の焼成工程によって、第１開口Ｈ１ａの形状が変形する虞がある（図８（Ａ）から図８（Ｂ）に変化する）。これは、焼成工程において軟化したフォトレジストが、表面張力の影響を受けて変形し、これがそのまま硬化するためである。表面張力による変形は、面積が広いほど大きい。即ち、基板１１１上に複数の第１開口Ｈ１ａを形成する場合には、最も外側の第１開口Ｈ１ａの形状が影響を受けやすい。第１開口Ｈ１ａの形状が乱れると、第１開口Ｈ１ａのリフレクタとしての性能が低下し、光取り出し効率が下がる。また、第１開口Ｈ１ａごとに輝度のばらつきも生じる。
　これに対して、表示装置１では、第１絶縁膜１４Ａに画素Ｐの発光領域となる第１開口Ｈ１ａに加えて、隣り合う画素Ｐの間に第２開口Ｈ１ｂを設けているので、表面張力の影響が第２開口Ｈ１ｂによって緩和される。したがって、第１開口Ｈ１ａの形状を精確に制御して光取り出し効率を向上させることができる。また、第１開口Ｈ１ａごとの輝度のばらつきも抑えることができる。
　一方、図９に示した第１絶縁膜（第１絶縁膜１０４Ａ）のように、第２開口Ｈ１ｂ内に残留部（例えば図５Ａの残留部１４ＡＩ）が形成されていない場合には、第１絶縁膜１０４Ａの形成領域が非常に小さくなるので、下地（例えば第１基板１１）側との密着面積が減り、第１絶縁膜１０４Ａが現像時に剥がれてしまいやすくなる。第２開口Ｈ１ｂに代えて、第１絶縁膜１０４Ａの厚みを小さくした領域を形成することも考え得るが、この場合、上記の第１開口Ｈ１ａの形状制御を十分に行うことができなくなる。
　そこで、本実施の形態では、第２開口Ｈ１ｂ内に残留部１４ＡＩを設けるようにしたので、第１絶縁膜１４Ａの形成領域が増え、下地との密着性を高めることができる。したがって、第１開口Ｈ１ａに加えて、第２開口Ｈ１ｂを有する第１絶縁膜１４Ａであっても、下地から剥がれにくくなり、光取り出し効率を向上させることができる。
　以上のように、本実施の形態の表示装置１では、第２開口Ｈ１ｂにより、第１開口Ｈ１ａの形状を精確に制御し易くなるので、発光領域に高い光取り出し効率のリフレクタ構造を形成することが可能となる。また、第１絶縁膜１４Ａが下地から剥がれにくくなるので、第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂを有する第１絶縁膜１４Ａを形成することができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
　また、表示装置１では、第１絶縁膜１４Ａに複数の画素Ｐのうちの同一の発光色の画素の開口部Ｈ１同士を繋ぐ凹部Ｈ２が設けられている。具体的には、隣り合う画素ｐｒの開口部Ｈ１同士の間の領域と、隣り合う画素ｐｇの開口部Ｈ１同士の間の領域と、隣り合う画素ｐｂの開口部Ｈ１同士の間の領域とに、凹部Ｈ２が形成されている。これにより、例えばウェットプロセスにより有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを形成する際に、一部の画素行Ｘ１（画素ｐｒ１，ｐｇ１，ｐｂ１）に、インクが十分に滴下されない部分や未滴下部が生じた場合にも、画素ｐｒ１にはその隣の画素ｐｒから、画素ｐｇ１にはその隣の画素ｐｇから、画素ｐｂ１にはその隣の画素ｐｂから、それぞれ凹部Ｈ２を通じてインクが濡れ拡がる。これにより、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの各画素列では、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂがそれぞれ均等な膜厚で形成される。よって、成膜プロセスに起因する有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの膜厚のむらを低減することができる。
　この凹部Ｈ２による効果は、第１開口Ｈ１ａがリフレクタ（反射構造）を有する場合に、特に有効である。第１開口Ｈ１ａがリフレクタを有する場合には、第１絶縁膜１４Ａの材料、厚み、第１開口Ｈ１ａの形状等が諸条件を満たすように設計されるが、この場合、リフレクタを形成しない場合に比べ、第１絶縁膜１４Ａは大きな厚みで設計される。このため、同一発光色の画素間でのインクの濡れ拡がりが悪く、上記のように印刷過程において生じた、インクが十分に滴下されない部分や未滴下部がそのまま残存し、輝度むらを生じることがある。表示装置１のように、凹部Ｈ２を用いて開口部Ｈ１同士を繋ぐことで、第１絶縁膜１４Ａの膜厚が比較的大きく設計される場合にも、インクの濡れ拡がりを妨げることなく成膜を行うことができる。即ち、有機ＥＬ素子１０の光取り出し効率を高めつつ、ウェットプロセスに起因する輝度むらを低減することができ、より高画質なディスプレイを実現可能となる。
＜適用例＞
　上記実施の形態において説明した表示装置１は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１０に、表示装置１が適用される電子機器（電子機器１Ａ）の機能ブロック構成を示す。電子機器１Ａとしては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
　電子機器１Ａは、例えば上述の表示装置１と、インターフェース部３０とを有している。インターフェース部３０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部３０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
　以上、実施の形態および適用例を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、画素分離膜１４が、第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとの積層構造により構成され、これらの第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとがそれぞれ別の工程で成膜される場合を例示したが、画素分離膜１４の構成はこれに限定されるものではない。例えば、画素列間（発光色の異なる画素間）の領域が十分に分離可能あれば、第２絶縁膜１４Ｂは必ずしも設けられなくともよい。
　また、第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとは、一体的に（単層膜として）形成されていてもよい。換言すると、第１絶縁膜１４Ａが、第２絶縁膜１４Ｂに対応する部分を有していてもよい（第１絶縁膜１４Ａが第２絶縁膜１４Ｂを兼ねた構造を有していてもよい）。
　更に、上記実施の形態等では、第１絶縁膜１４Ａに形成される第１開口Ｈ１ａの形状を矩形状としたが、第１開口Ｈ１ａの形状は、矩形状に限定されるものではない。矩形状の他にも、円形状、楕円形状および多角形状など、様々な形状をとり得る。複数の第１開口Ｈ１ａが設けられる場合に、各第１開口Ｈ１ａの形状は同一であってもよいし、異なっていてもよい。第１開口Ｈ１ａ、第２開口Ｈ１ｂ、凹部Ｈ２および残留部１４ＡＩの形状、位置、個数等のレイアウトは、特に限定されるものではなく、上述の効果を発揮し得る範囲で適宜変更可能である。
　加えて、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
　また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
　更に、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素回路ＰＸＬＣの構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路ＰＸＬＣの変更に応じて、上述した走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
　尚、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　また、本開示は以下のような構成をとることも可能である。
（１）
　第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
　隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
　前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
　表示装置。
（２）
　前記第２開口は、ストライプ状に設けられている
　前記（１）記載の表示装置。
（３）
　前記残留部の厚みは、前記残留部以外の前記第１絶縁膜の厚み以下である
　前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
　前記第２方向に隣り合う前記第１開口の間の領域から逸れた位置に前記残留部が設けられている
　前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（５）
　更に、前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１方向に延在する第２絶縁膜を有する
　前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（６）
　前記第２絶縁膜は撥液性を有する
　前記（５）記載の表示装置。
（７）
　前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記残留部の前記第２方向の幅よりも大きい
　前記（５）または（６）記載の表示装置。
（８）
　前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記第２開口の前記第２方向の幅よりも大きい
　前記（５）乃至（７）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（９）
　前記画素は、それぞれが複数色のうちのいずれかの色の光を発する有機電界発光素子を含み、
　前記画素は発光色毎に前記第１方向に沿って配置されている
　前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１０）
　前記第１絶縁膜には、前記第１方向に隣り合う前記画素の前記第１開口を繋ぐ凹部が設けられている
　前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１１）
　前記第１開口にリフレクタを有する
　前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１２）
　前記残留部では、前記第１絶縁膜が前記第２開口の両側から前記第２方向に連続して設けられている
　前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１３）
　第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
　隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
　前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
　表示装置を備えた電子機器。
　本出願は、日本国特許庁において２０１６年６月１５日に出願された日本特許出願番号第２０１６－１１８８３７号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (13)

  1. 　第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
    　隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
    　前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
    　表示装置。
  2. 　前記第２開口は、ストライプ状に設けられている
    　請求項１記載の表示装置。
  3. 　前記残留部の厚みは、前記残留部以外の前記第１絶縁膜の厚み以下である
    　請求項１記載の表示装置。
  4. 　前記第２方向に隣り合う前記第１開口の間の領域から逸れた位置に前記残留部が設けられている
    　請求項１記載の表示装置。
  5. 　更に、前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１方向に延在する第２絶縁膜を有する
    　請求項１記載の表示装置。
  6. 　前記第２絶縁膜は撥液性を有する
    　請求項５記載の表示装置。
  7. 　前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記残留部の前記第２方向の幅よりも大きい
    　請求項５記載の表示装置。
  8. 　前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記第２開口の前記第２方向の幅よりも大きい
    　請求項５記載の表示装置。
  9. 　前記画素は、それぞれが複数色のうちのいずれかの色の光を発する有機電界発光素子を含み、
    　前記画素は発光色毎に前記第１方向に沿って配置されている
    　請求項１記載の表示装置。
  10. 　前記第１絶縁膜には、前記第１方向に隣り合う前記画素の前記第１開口を繋ぐ凹部が設けられている
    　請求項１記載の表示装置。
  11. 　前記第１開口にリフレクタを有する
    　請求項１記載の表示装置。
  12. 　前記残留部では、前記第１絶縁膜が前記第２開口の両側から前記第２方向に連続して設けられている
    　請求項１記載の表示装置。
  13. 　第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
    　隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
    　前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
    　表示装置を備えた電子機器。
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