JP2015103438A - 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留まりの高い表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する有機発光素子と、前記有機層の導電層を介して前記第２電極に電気的に接続された補助電極とを備えた表示装置。【選択図】図１

Description

本技術は、有機発光素子を有する表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。

近年、ディスプレイ（Display）の大型化が進み、低消費電力化が求められている。例えば、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ（Electro luminescence）表示装置においても同様の要求がある。有機発光素子は、第１電極と第２電極との間に発光層を含む有機層を有している。トップエミッション方式の表示装置では、この有機発光素子の第２電極が全ての有機発光素子に共通して設けられ、透明（光透過性）もしくは半透明材料で構成される。更に、光取り出し効率を向上させるため、第２電極の厚みを小さくする。このため、第２電極の抵抗値が高くなり、電圧降下によって表示品位が低下しやすい。

そこで、低抵抗な補助電極を形成し、この補助電極に第２電極を電気的に接続させる方法が提案されている（例えば、特許文献１）。この補助電極は、例えば有機発光素子の第１電極と離間して駆動基板上に設けられ、絶縁膜（画素間絶縁膜）に覆われている。この絶縁膜の開口で補助電極と第２電極とが接して、これらが電気的に接続されるようになっている。

特開２０１３−５４９７９号公報

しかしながら、厚みの小さい第２電極は、絶縁膜の開口部分（絶縁膜の厚みの段差部分）に均一な厚みで成膜することが困難であり、この部分で第２電極が切断されやすくなる。この第２電極の切断により、第２電極と補助電極との電気的な接続が維持できなくなり、歩留まりが低下する。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、歩留まりの高い表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。

本技術の表示装置は、第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する有機発光素子と、有機層の導電層を介して第２電極に電気的に接続された補助電極とを備えたものである。

本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本技術の表示装置の製造方法は、上記表示装置を製造する方法であり、補助電極を形成すると共に、補助電極とは離間して第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に設けた有機発光素子を形成することと、第２電極を有機層の導電層を介して補助電極に電気的に接続させることとを含むものである。

本技術の表示装置、表示装置の製造方法または電子機器では、導電層を介して補助電極と第２電極とが電気的に接続されているので、仮に、第２電極の一部が切断されても、導電層により補助電極と第２電極との電気的な接続が維持される。

本技術の表示装置およびその製造方法、並びに電子機器によれば、導電層を介して補助電極と第２電極とを電気的に接続するようにしたので、補助電極と第２電極との電気的な接続の安定性を向上させることができる。よって、補助電極と第２電極との接続の不具合を減少させ、歩留まりを向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。 図２に示した画素の駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した発光層および電子輸送層を含む有機層の構成の一例を表す断面図である。 図１に示した第２電極の他の例を表す断面図である。 図１に示した補助電極の構成を表す平面図である。 図１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。 図７Ａに続く工程を表す断面図である。 図７Ｂに続く工程を表す断面図である。 図７Ｃに続く工程を表す断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 図８Ｂに続く工程を表す断面図である。 図９Ａに続く工程を表す断面図である。 比較例に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１０に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。 本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面図である。 図１２に示した発光層および電子輸送層を含む有機層の構成の一例を表す断面図である。 図１２に示した画素間絶縁膜の開口部分の構成を表す断面図である。 図１２に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。 図１５Ａに続く工程を表す断面図である。 図１５Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１６Ａに続く工程を表す断面図である。 図１６Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１７Ａに続く工程を表す断面図である。 ライン型蒸着源の全体構成を表す斜視図である。 図１３に示した有機層の形成方法の一例を表す模式図である。 図１９Ａに続く工程を表す模式図である。 本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例１の外観を表す他の斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。 適用例７の閉じた状態を表す図である。 適用例７の開いた状態を表す図である。 図１等に示した第２電極について説明するための断面図である。 図１等に示した第２電極の他の例を表す断面図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（有機発光素子毎に発光層を有する例）
２．第２の実施の形態（全ての有機発光素子に共通して発光層を有する例）
３．第３の実施の形態（遮蔽部材により補助電極が覆われている例）

＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態としての有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。表示装置１は、駆動基板１０上に複数の有機発光素子１Ａを有しており、有機発光素子１Ａを間にして駆動基板１０に封止基板２０が対向している。表示装置１は、有機発光素子１Ａが発した光を封止基板２０から取り出す、いわゆるトップエミッション型の表示装置である。各有機発光素子１Ａは、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセル（後述の図２の画素ＰＸＬＣ）のいずれかを構成しており、これらの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。駆動基板１０上には、この有機発光素子１Ａと共に補助電極１３が設けられている。

図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。このように、例えば駆動基板１０上には、有機発光素子１Ａ（図１）を含む複数の画素ＰＸＬＣ（サブピクセル）がマトリクス状に配置されてなる表示領域３０が形成され、この表示領域３０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３とが設けられている。

表示領域３０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ３１に接続され、この水平セレクタ３１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ３２に接続され、このライトスキャナ３２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ３３に接続され、この電源スキャナ３３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。

図３は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機発光素子１Ａを含む画素回路４０を有している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３４Ａおよび駆動用トランジスタ３４Ｂと、保持容量素子３４Ｃと、有機発光素子１Ａとを有するアクティブ型の駆動回路である。

サンプリング用トランジスタ３４Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタ３４Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３４Ｂは、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機発光素子１Ａのアノードに接続されている。また、この有機発光素子１Ａのカソードは、接地配線３４Ｈに接続されている。なお、この接地配線３４Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子３４Ｃは、駆動用トランジスタ３４Ｂのソースとゲートとの間に配置されている。

サンプリング用トランジスタ３４Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子３４Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３４Ｂは、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子３４Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機発光素子１Ａへ供給するものである。有機発光素子１Ａは、この駆動用トランジスタ３４Ｂから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。

このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じてサンプリング用トランジスタ３４Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３４Ｃに保持される。また、上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３４Ｂへ電流が供給され、保持容量素子３４Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機発光素子１Ａへ供給される。そして、各有機発光素子１Ａは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１において、映像信号に基づく映像表示がなされる。

[表示装置１の要部構成]
次に、再び図１を参照して、駆動基板１０、有機発光素子１Ａおよび封止基板２０等の詳細な構成について説明する。

駆動基板１０は、基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（画素回路４０）を有している。

基板１０ａは、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。基板１０ａは、その一主面に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗが配列形成される支持体である。基板１０ａの構成材料としては、例えば高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）および鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）等のガラス基板、石英基板あるいはシリコン基板が挙げられる。このようなガラス基板、石英基板およびシリコン基板の表面に絶縁膜を設けて基板１０ａを構成してもよい。基板１０ａには、金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどを用いることも可能である。樹脂の材質としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの有機ポリマーが挙げられる。なお、トップエミッション型では封止基板２０から光が取り出されるため、基板１０ａは、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。封止基板２０には基板１０ａと同じ材料を用いるようにしてもよく、あるいは、異なる材料を用いるようにしてもよい。また、可撓性材料により基板１０ａを構成してもよい。

ＴＦＴ１１は、例えば、上記サンプリング用トランジスタ３４Ａまたは駆動用トランジスタ３４Ｂに対応するトランジスタであり、有機発光素子１Ａの能動素子として機能するものである。ＴＦＴ１１の構成は、逆スタガ構造（ボトムゲート型）であっても、スタガ構造（トップゲート型）であってもよいが、ここでは、ボトムゲート型のＴＦＴ１１について説明する。ＴＦＴ１１は、例えば、基板１０ａ上の選択的な領域にゲート電極１１０を有し、このゲート電極１１０と基板１０ａとを覆うように基板１０ａの全面にわたってゲート絶縁膜１１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１１上には、半導体層１１２が形成されている。この半導体層１１２は、チャネルを形成する活性層として機能するものであり、例えば非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコンまたは酸化物半導体等により構成されている。この半導体層１１２上には、貫通孔（コンタクトホールＨ）を有する層間絶縁膜１１３が形成されており、層間絶縁膜１１３上には、そのコンタクトホールＨ１を埋め込むように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極１１４が配設されている。このＴＦＴ１１は、駆動基板１０において、平坦化膜１１５により被覆されている。

平坦化膜１５は、ＴＦＴ１１が形成された基板１０ａの表面を平坦化するためのものであり、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成されている。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_x），窒化シリコン（ＳｉＮ_x）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より平坦化膜１５を構成するようにしてもよい。平坦化膜１１５は、コンタクトホールＨ２を有し、このコンタクトホールＨ２を通じてＴＦＴ１１（ソース・ドレイン電極１１４）と、後述の第１電極１２とが電気的に接続されている。

平坦化膜１５上には、有機発光素子１Ａが設けられている。この有機発光素子１Ａは、平坦化膜１５（駆動基板１０）に近い位置から、第１電極１２、有機層（後述の図４の有機層１５）および第２電極１６をこの順に有している。

第１電極１２は、平坦化膜１５上に例えば有機発光素子１Ａ毎に分離して設けられている。この第１電極１２は例えばアノード電極としての機能および反射層としての機能を兼ね備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１２としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ〜３００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），鉄（Ｆｅ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１２は、このような金属膜を複数積層したものであってもよい。銀に０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３重量％〜１重量％の銅とを含有させたＡｇ―Ｐｄ―Ｃｕ合金あるいはＡｌ―ネオジム（Ｎｄ）合金を第１電極１２に用いるようにしてもよい。第１電極１２には仕事関数の高い材料を用いることが好ましいが、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の仕事関数の小さい金属であっても、適切な有機層１５（特に、後述の正孔注入層１５１）を選択することにより、第１電極１２として用いることが可能となる。光透過性の高い導電材料により第１電極１２を構成し、基板１０と第１電極１２との間に反射層を設けるようにしてもよい。

第１電極１２と有機層１５との間には、画素間絶縁膜１４（絶縁膜）が設けられており、この画素間絶縁膜１４により隣り合う有機発光素子１Ａが電気的に分離され、かつ、第１電極１２と第２電極１６との間の絶縁性も確保される。この画素間絶縁膜１４には、開口Ｓ１（第１開口）が設けられており、開口Ｓ１により露出された第１電極１２の表面に有機層１５が接している。換言すれば、画素間絶縁膜１４により有機発光素子１Ａの発光領域の形状が制御される。開口Ｓ１では、その壁面が第１電極１２の表面に対して傾斜し、開口Ｓ１の径が駆動基板１０に近い位置から封止基板２０に近づくにつれて、大きくなっていることが好ましい。即ち、画素間絶縁膜１４は、順テーパ形状の開口Ｓ１を有することが好ましい。これにより、有機発光素子１Ａの光取り出し効率を高めることができる。画素間絶縁膜１４は、例えば、ポリイミド，アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。この有機絶縁膜は感光性を有していることが好ましい。画素間絶縁膜１４は、例えば基板１０ａの全面にわたり設けられている。

有機層１５は、発光層１５３および電子輸送層１５４（導電層）を含むものである。発光層１５３は、例えば隣り合う有機発光素子１Ａ間で分断されており、有機発光素子１Ａ毎に赤色を発する発光層１５３、緑色を発する発光層１５３または青色を発する発光層１５３のいずれかが設けられている。

赤色を発する発光層１５３は、例えば８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。緑色を発する発光層１５３は、例えばＡｌｑ₃にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。青色を発する発光層１５３は、例えばスピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。発光層１５３の厚みは例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍである。

電子輸送層１５４は、例えば、全ての有機発光素子１Ａに共通して設けられている。本実施の形態では、この電子輸送層１５４が導電性を有しており、電子輸送層１５４を介して有機発光素子１Ａの第２電極１６が補助電極１３に電気的に接続されている。詳細は後述するが、これにより補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続の安定性を向上させることができる。

電子輸送層１５４は、例えば有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を添加（ドープ）したものにより構成されている。有機材料には、例えばＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミキノリノール）およびＢｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）等を用いることができる。電子輸送層１５４では、このような有機材料をホスト材料として、これにリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）およびセシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属、またはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）およびバリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属が例えば０．５重量％〜１５重量％ドープされている。

このような電子輸送層１５４は、発光層１５３と第２電極１６との間に設けられ、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１において有機発光素子１Ａを構成すると共に、発光層１５３および第１電極１２とは非対向の領域にまで連続して延在し、補助電極１３に接している。有機発光素子１Ａでは、電子輸送層１５４は発光層１５３および第２電極１６の双方に接している。電子輸送層１５４の厚みは例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。

有機層１５は、発光層１５３および電子輸送層１５４と共に、他の層を含んでいてもよい。図４は有機層１５の構成の一例を表したものである。有機層１５は、例えば第１電極１２上に正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、発光層１５３、電子輸送層１５４および第２電極１６をこの順に有している。電子輸送層１５４と第２電極１６との間に電子注入層（図示せず）を設けるようにしてもよい。正孔注入層１５１，正孔輸送層１５２および電子注入層は、例えば、発光層１５３と同様に、隣り合う有機発光素子１Ａ間で分断されている。

正孔注入層１５１は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１５１は、例えば４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ），４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ），ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ），ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ），ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）:ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）あるいはヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）により構成されている。

正孔輸送層１５２は、発光層１５３への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５２は、有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えばα−ＮＰＤにより構成されている。正孔輸送層１５２の厚みは、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。

電子注入層は、第２電極１６からの電子注入を高めるためのものであり、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などにより構成される。

第２電極１６は、有機層１５を間にして第１電極１２と対をなし、電子輸送層１５４の上に全ての有機発光素子１Ａに共通して設けられている。第２電極１６は例えばカソード電極としての機能および光透過層としての機能を兼ね備えたものであり、導電性が高く、かつ、光透過率も高い材料により構成されていることが望ましい。したがって、第２電極１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１６の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。第２電極１６は、複数の膜を積層させて構成するようにしてもよい。例えば、カルシウム，バリウム（Ｂａ），リチウム，セシウム（Ｃｓ），インジウム（Ｉｎ），マグネシウムまたは銀等からなる膜に、マグネシウム，銀，あるいは、マグネシウムまたは銀を含む合金からなる膜を積層させて第２電極１６を構成するようにしてもよい。第２電極１６の厚みは、例えば３ｎｍ〜１５ｎｍ程度である。

第２電極１６は、電子輸送層１５４と共に、有機発光素子１Ａの発光層１５３および第１電極１２とは非対向の領域にまで延在しており、電子輸送層１５４を間にして補助電極１３に対向している。第２電極１６は電子輸送層１５４に接している。

図５に示したように、第２電極１６は、補助電極１３の近傍でその一部が分断され（途切れ）ていてもよい（分断部１６Ｌ）。第２電極１６に分断部１６Ｌが存在する場合にも、電子輸送層１５４が画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１から補助電極１３まで連続して延在しているので、第２電極１６は電子輸送層１５４を介して補助電極１３に電気的に接続される。

第２電極１６上には、保護層１７が設けられている。この保護層１７は、有機層１５への水分の侵入を防ぐと共に、表示装置１の機械的強度を高めるためのものである。保護層１７は、光透過性が高く、かつ、透水性の低い材料により構成されており、例えばその厚みは１μｍ〜８μｍである。保護層１７には、絶縁性材料および導電性材料のいずれを用いるようにしてもよい。保護層１７には、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ_Ｘ），酸化ケイ素（ＳｉＯ_Ｘ），酸化アルミニウム（ＡｌＯ_Ｘ）またはこれらの組み合わせを用いることができる。保護層１７上には接着層（図示せず）により封止基板２０が貼り合わされている。

封止基板２０は、保護層１７と共に、各有機発光素子１Ａを封止するためのものであり、例えば、赤色，緑色，青色の各色光に対して透明な材料、例えばガラスなどにより構成されている。この封止基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）を設けるようにしてもよい。カラーフィルタは、例えば赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを有しており、例えば顔料または染料を混合した樹脂材料により構成されている。

封止基板２０には、ブラックマトリクスとしての遮光膜（図示せず）を設けるようにしてもよい。これにより、有機発光素子１Ａ間（サブピクセル間）および配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。遮光膜は、例えば、黒色の着色剤を混合した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。

このようなトップエミッション型の表示装置では、光透過性の高い第２電極１６が駆動基板１０上の広い領域にわたり設けられる。光透過性の導電材料は、他の導電材料に比べて抵抗が高いものが多い。更に、有機発光素子１Ａの光取り出し効率を高めるため、第２電極１６は薄く（厚みを小さくして）設けることが好ましい。このため、第２電極１６の抵抗が高くなり、電圧降下が生じ易くなる。補助電極１３は、第２電極１６に電気的に接続されており、このような電圧降下を抑えるためのものである。補助電極１３を設けることにより、消費電力を低減することができる。

図６は、補助電極１３と第１電極１２との平面レイアウト（基板面に平行なＸＹ平面レイアウト）を模式的に示したものである。補助電極１３は、例えば第１電極１２の周囲に、第１電極１２と離間して設けられている。第１電極１２は、画素ＰＸＬＣ（図２）の配置に対応して、例えばマトリクス状に配置されており、補助電極１３は、例えばこの第１電極１２の形成領域およびその周囲に開口を有している。補助電極１３は、例えば、格子形状で設けられている。補助電極１３の平面形状はどのようなものであってもよく、例えば、Ｘ方向またはＹ方向のどちらか一方のみに延在する、ストライプ形状であってもよい。

補助電極１３は、例えば、平坦化膜１５上に、第１電極１２と同層に設けられている（図１）。補助電極１３上にも画素間絶縁膜１４が設けられており、補助電極１３は画素間絶縁膜１４により第１電極１２と電気的に絶縁されている。画素間絶縁膜１４には補助電極１３の表面を露出させる開口Ｓ２が設けられており、この開口Ｓ２で補助電極１３と有機発光素子１Ａの形成領域から延在した電子輸送層１５４とが接している。開口Ｓ２では、電子輸送層１５４を間にして補助電極１３に第２電極１６が積層されている。上述のように、これにより、電子輸送層１５４を介して補助電極１３と第２電極１６とが電気的に接続される。開口Ｓ２の側壁は例えば、補助電極１３の表面に対して略垂直に設けられており、電子輸送層１５４および第２電極１６は、画素間絶縁膜１４上から、この開口Ｓ２の側壁に沿って連続して設けられている。開口Ｓ２は、例えば格子形状の補助電極１３の交差部に対向する位置に複数配置されている（図６）。開口Ｓ２は、どのように配置してもよく、例えば、Ｘ方向またはＹ方向のどちらか一方、あるいは両方に延在させて設けるようにしてもよい（図示せず）。

補助電極１３は、例えば、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のうち、１種類以上を含む単層膜または積層膜により構成されている。電子輸送層１５４とのオーミック接触を確保するため、補助電極１３の表面はＩＴＯで構成されていることが好ましい。補助電極１３は、第１電極１２と同じ材料、同じ厚みで設けるようにしてもよい。補助電極１３は、例えば接地配線３４Ｈ（図３）に電気的に接続されている。

［製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図７Ａ〜図９Ｂ）。なお、図７Ｃ〜図９Ｂでは、正孔注入層１５１および正孔輸送層１５２を省略して図示している。

まず、駆動基板１０を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、基板１０ａの全面にわたって平坦化膜１５を、例えばスピンコート法またはスリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜１５を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜１１５にコンタクトホールＨ２を形成する。

（第１電極，補助電極の形成工程）
次いで、駆動基板１０上に、上述した材料よりなる第１電極１２および補助電極１３を同一または異なるパターニング工程により形成する。例えば、まず、第１電極１２としてＡｌＮｄ合金を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。この際、第１電極１２の一部を平坦化膜１１５のコンタクトホールＨ２に埋め込み、第１電極１２とＴＦＴ１１とを電気的に接続する。この後、補助電極１３としてアルミニウムおよびＩＴＯをこの順にそれぞれスパッタ法により基板全面にわたって堆積させた後、形成した積層膜（ＩＴＯ／Ａｌ）をフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。

補助電極１３を形成した後に、第１電極１２を形成してもよい。第１電極１２および補助電極１３の成膜順序は、各電極材料に応じて適宜設定される。また、第１電極１２と補助電極１３との積層構造および材料が同一の場合には、これらの第１電極１２および補助電極１３を同一工程において一括してパターニングしてもよい。

（画素間絶縁膜の形成工程）
第１電極１２および補助電極１３を形成した後、図７Ａに示したように、駆動基板１０上に例えばフォトリソグラフィ法を用いて画素間絶縁膜１４を形成する。具体的には、まず、上述した画素間絶縁膜１４の材料を、例えばスピンコート法またはスリットコート法により駆動基板１０の全面にわたって成膜する。この際、画素間絶縁膜１４の材料には、感光性を有する樹脂材料を用いる。次いで、選択的な領域を、所定のフォトマスクを用いて露光した後、現像し、画素間絶縁膜１４に開口Ｓ１，Ｓ２を形成する。

（有機層の形成工程）
次いで有機層１５を形成する。有機層１５は、例えば、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、発光層１５３および電子輸送層１５４の順に真空蒸着法を用いて形成する。まず、図７Ｂに示したように、例えば画素間絶縁膜１４の各開口Ｓ１に対向する領域に開口を有する蒸着マスクＭを用い、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２および発光層１５３をこの順に形成する（図７Ｃ）。このように蒸着マスクＭを用いることにより、有機発光素子１Ａ毎に分断された正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２および発光層１５３を形成し、補助電極１３上（画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２）には、正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２および発光層１５３が成膜されないようにする。

発光層１５３を設けた後、マスクＭを除去し、駆動基板１０の全面に電子輸送層１５４を形成する（図８Ａ，図８Ｂ）。このとき、電子輸送層１５４は、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１から開口Ｓ２までを連続して覆い、補助電極１３に接するようにして形成する。

（第２電極形成工程）
この後、図９Ａ，図９Ｂに示したように、駆動基板１０の全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１６を例えば蒸着法により成膜する。これにより、電子輸送層１５４と同様に、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１，Ｓ２に第２電極１６が形成される。第２電極１６はスパッタ法を用いて形成するようにしてもよい。

次いで、第２電極１６上の全面を覆うように、上述した材料よりなる保護層１７を形成した後、接着層を用いて駆動基板１０と封止基板２０とを貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。

［作用・効果］
表示装置１では、各サブピクセル（有機発光素子１Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が第１電極１２および第２電極１６を通じて供給されると、各有機発光素子１Ａでは、有機層１５（発光層１５３）において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた赤色光，緑色光，青色光のうち、第１電極１２側（下方）へ放たれた光は、第１電極１２等によって反射された後、封止基板２０の上方より出射する。一方、第２電極１６側（上方）へ放たれた光は、そのまま第２電極１６を透過した後、封止基板２０の上方より出射する。このようにして、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。

ここで、表示装置１では、電子輸送層１５４を介して補助電極１３と第２電極１６とを電気的に接続するようにしたので、補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続の安定性を向上させることができる。以下、これについて説明する。

（比較例）
図１０は比較例に係る表示装置（表示装置１００）の一部の断面構成を表している。この表示装置１００には、表示装置１と同様に補助電極１３が設けられている。しかし、この補助電極１３には第２電極１６が直接接しており、補助電極１３と第２電極１６との間には電子輸送層（電子輸送層１１５４）が設けられていない。表示装置１００では、電子輸送層１１５４は発光層１５３と同様に、例えば蒸着マスクＭを用いて形成され（図１１）、有機発光素子（有機発光素子１００Ａ）の形成領域のみに設けられている。

トップエミッション型の表示装置１００では、第２電極１６により、光取り出し効率が損なわれるのを抑えるため、第２電極１６の厚みを薄くしている。このような第２電極１６は、段差部分などに均一な厚みで成膜することが困難であり、例えば画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２の側壁に沿うように均一な厚みで成膜できない虞がある。即ち、第２電極１６は、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２によって生じる段差により切断され易い。各有機発光素子１００Ａから補助電極１３までの間に第２電極１６が切断されると、第２電極１６の電圧降下を抑えることができない。つまり、補助電極１３が機能しないので、表示品位を維持できず、歩留まりが低下する。

これに対し、表示装置１では、導電性の電子輸送層１５４が駆動基板１０の表示領域３０全面にわたり設けられており、有機発光素子１Ａの形成領域から補助電極１３上まで連続して延在している。画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２では、補助電極１３と第２電極１６との間に電子輸送層１５４が存在するので、仮に第２電極１６の一部が切断されていても、電子輸送層１５４により補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続が維持される。電子輸送層１５４の一部が切断されている場合にも、この切断部分に第２電極１６が存在していれば、同様に補助電極１３と第２電極１６とは電気的に接続される。これにより、補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続の安定性が向上する。

また、第２電極１６の切断を防ぐために、第２電極１６の厚みを大きくすることも考えられるが、この場合、有機発光素子の光取り出し効率が低下する。電子輸送層１５４を介して補助電極１３と第２電極１６とを電気的に接続することにより、光取り出し効率を低下させることなく、これらの電気的な接続の安定性を向上させることができる。更に、薄い第２電極１６により、発光効率の低下を抑えることができる。加えて、有機発光素子１Ａの設計の自由度も向上する。

以上のように本実施の形態では、導電性の電子輸送層１５４を介して補助電極１３と第２電極１６とを電気的に接続するようにしたので、補助電極１３と第２電極１６との接続の不具合が抑えられ、歩留まりを向上させることが可能となる。

以下、他の実施の形態について説明するが、上記第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

＜第２の実施の形態＞
図１２は本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置２では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３で補助電極１３と電子輸送層２５４とが接している。この開口Ｓ３の側壁は、補助電極１３の表面に対して傾斜した面（後述の図１４の傾斜面１４Ａ，１４Ｂ）を有している。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

表示装置２は、複数の有機発光素子２Ａを有している。この有機発光素子２Ａは有機発光素子１Ａと同様に、駆動基板１０上に第１電極１２、有機層（後述の図１３の有機層２５）および第２電極１６をこの順に有するものである。

有機発光素子２Ａの有機層２５は、図１３に示したように、第１電極１２上に例えば正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２、発光層２５３および電子輸送層２５４をこの順に有している。電子輸送層２５４と第２電極１６との間に電子注入層（図示せず）を設けるようにしてもよい。この発光層２５３は、白色を発する発光層であり、例えば正孔輸送層２５２上に赤色発光層２５３Ｒ、青色発光層２５３Ｂおよび緑色発光層２５３Ｇをこの順に有している。赤色発光層２５３Ｒと青色発光層２５３Ｂとの間には、発光分離層２５５が設けられている。表示装置２では、このような有機層２５が全ての有機発光素子２Ａに共通して設けられている。

正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２、電子輸送層２５４にはそれぞれ、有機発光素子１Ａの正孔注入層１５１、正孔輸送層１５２、電子輸送層１５４と同様の材料を用いることができる。電子輸送層２５４は、電子輸送層１５４と同様に導電性を有している。

赤色発光層２５３Ｒは、電界をかけることにより、第１電極１２から正孔注入層２５１および正孔輸送層２５２を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層２５４および発光分離層２５５を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。発光分離層２５５を介して赤色発光層２５３Ｒに電子が注入されることにより、発光分離層２５５への電子の供給量が減少する。この赤色発光層２５３Ｒは、例えば、赤色発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料および両電荷輸送材料のうちの少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも、燐光性のものでもよい。赤色発光層２５３Ｒには、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものを用いることができる。発光分離層２５５は、例えば化１に示した４，４’−ビス[Ｎ−(１−ナフチル)−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル等により構成されている。

青色発光層２５３Ｂは、電界をかけることにより、第１電極１２から正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２および発光分離層２５５を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層２５４を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。この青色発光層２５３Ｂは、例えば、青色発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料および両電荷輸送材料のうちの少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも、燐光性のものでもよい。青色発光層２５３Ｂには、例えばＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものを用いることができる。

緑色発光層２５３Ｇは、第１電極１２から正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２および発光分離層２５５を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層２５４を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。この緑色発光層２５３Ｇは、例えば、緑色発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料および両電荷輸送材料のうちの少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも、燐光性のものでもよい。緑色発光層２５３Ｇには、例えばＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものを用いることができる。

画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１では、このような発光層２５３が開口Ｓ１の側壁から底面を覆うように設けられている（有機発光素子２Ａ）のに対し、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３近傍では、分断されている。詳細は後述するが、このような発光層２５３を分断する開口Ｓ３を設けることにより、蒸着マスク（図７Ｂの蒸着マスクＭ）を用いずに有機層２５を形成することが可能となる。なお、図１２および後述の図１４，図１７Ａ，図１７Ｂでは、正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２および発光分離層２５５の図示を省略しているが、これらの層は発光層２５３と同じ領域に成膜されている。

図１４は、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３近傍の拡大図である。開口Ｓ３の側壁は、互いに対向する傾斜面１４Ａ，１４Ｂを有している。傾斜面１４Ａ，１４Ｂは、基板１０ａの面と非平行であり、かつ直交しない面である。傾斜面１４Ａ（第２傾斜面）は、露出された補助電極１３の表面とのなす角度αが９０°より大きく、かつ１８０°未満の鈍角であり（９０°＜α＜１８０°）、傾斜面１４Ｂ（第１傾斜面）は、露出された補助電極１３の表面とのなす角度βが０°より大きく、かつ９０°未満の鋭角である（０°＜β＜９０°）。

側壁に、このような傾斜面１４Ａ，１４Ｂを有する開口Ｓ３では、傾斜面１４Ｂの上端ｅ付近で発光層２５３、電子輸送層２５４および第２電極１６が途切れており、傾斜面１４Ｂには発光層２５３、電子輸送層２５４および第２電極１６が成膜されていない。上端ｅでは、電子輸送層２５４および第２電極１６が発光層２５３の分断面を覆っている。即ち、傾斜面１４Ｂでは、画素間絶縁膜１４が露出されている。一方、傾斜面１４Ａには、これに沿って、発光層２５３、電子輸送層２５４および第２電極１６が成膜されている。この傾斜面１４Ａ上の発光層２５３、電子輸送層２５４および第２電極１６のうち電子輸送層２５４および第２電極１６は、補助電極１３上まで延在しており、補助電極１３に電子輸送層２５４が接している。これにより、電子輸送層２５４を介して補助電極１３に第２電極１６が電気的に接続される。傾斜面１４Ａ上の発光層２５３、電子輸送層２５４および第２電極１６は、傾斜面１４Ｂとは反対の方向に隣り合う画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１まで延在し、有機発光素子２Ａを構成する。

このような表示装置２は、例えば以下のようにして製造することができる（図１５Ａ〜図１７Ｂ）。

まず、表示装置１と同様にして、駆動基板１０上に第１電極１２および補助電極１３を設けた後、画素間絶縁膜１４を形成する。開口Ｓ３の側壁に傾斜面１４Ａ，１４Ｂを有する画素間絶縁膜１４は、例えば、以下のようにして形成する。

まず、図１５Ａに示したように、補助電極１３上に成形薄膜１２０を形成する。成形薄膜１２０は、開口Ｓ３の傾斜面１４Ｂを形成するために設ける。この成形薄膜１２０は、例えば、基板１０上の全面にスパッタ法を用いてアルミニウム等の金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いたウェットエッチングにより順テーパ形状を有するようにパターニングして形成する。これにより、傾斜面１２０Ｂを有する成形薄膜１２０が補助電極１３上に選択的に形成される。成形薄膜１２０の断面は台形状である。傾斜面１２０Ｂは、傾斜面１４Ｂと略同位置に、略同程度の傾斜を有するように形成する。

成形薄膜１２０を設けた後、図１５Ｂに示したように、画素間絶縁膜１４の構成材料を、例えばスピンコート法またはスリットコート法を用いて駆動基板１０の全面に成膜する。次いで、画素間絶縁膜１４に開口Ｓ１，Ｓ３を形成する。

具体的には、まず、図１６Ａに示したように、フォトマスク１２１を用いて、選択的な領域を露光する。このとき、フォトマスク１２１には、第１電極１２に対向する領域に開口１２１ａ、補助電極１３の一部に対向する領域に開口１２１ｂを有するものを用いる。開口１２１ｂは、例えば成形薄膜１２０の傾斜面１２０Ｂからずらして配置する。即ち、開口１２１ｂは成形薄膜１２０の傾斜面１２０Ｂとは非対向の位置に配置される。

次いで、例えば、現像液としてＴＭＡＨ（Tetra-methyl-ammonium-hydroxide）水溶液を用いて現像を行う。ＴＭＡＨを用いることにより、現像と同時に、金属からなる成形薄膜１２０をウェットエッチングにより除去（リフトオフ）することができる。このとき、例えばＡｌＮｄ合金からなる第１電極１２は、Ａｌ単層の第１電極１２と比較してＴＭＡＨに耐性を有するので好ましい。

現像後、リンス液での洗浄を行い、続いて、加熱（ポストベーク）する。これにより、図１６Ｂに示したように、画素間絶縁膜１４の第１電極１２と対向する領域に開口Ｓ１が形成され、補助電極１３と対向する領域には、その側壁に傾斜面１４Ａ，１４Ｂを有する開口Ｓ３が形成される。傾斜面１４Ａは、ポジ型レジストを用いることにより形成される。

画素間絶縁膜１４に開口Ｓ１，Ｓ３を設けた後、有機層２５および第２電極１６を、この順に例えばライン蒸着法を用いて形成する。ライン蒸着法は、長尺状のライン型蒸着源Ｓ（図１８）を用いて行う方法である。このライン型蒸着源Ｓには、長手方向に沿って複数の孔Ｐが設けられており、この孔Ｐから、蒸着材料を噴出させてこれを基板に成膜する。

有機層２５および第２電極１６は、例えば、図１９Ａ，図１９Ｂに示したように、第１蒸着源５１Ｓに正孔注入層２５１の構成材料、第２蒸着源５２Ｓに正孔輸送層２５２の構成材料、第３蒸着源５３ＲＳに赤色発光層２５３Ｒの構成材料、第４蒸着源５５Ｓに発光分離層２５５の構成材料、第５蒸着源５３ＢＳに青色発光層２５３Ｂの構成材料、第６蒸着源５３ＧＳに緑色発光層２５３Ｇの構成材料、第７蒸着源５４Ｓに電子輸送層２５４の構成材料、第８蒸着源５６Ｓに第２電極１６の構成材料をそれぞれ入れ、正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２、赤色発光層２５３Ｒ、発光分離層２５５、青色発光層２５３Ｂ、緑色発光層２５３Ｇ、電子輸送層２５４および第２電極１６の順に形成する。具体的には、第１蒸着源５１Ｓ〜第８蒸着源５６Ｓを所定の位置に配置し、これら第１蒸着源５１Ｓ〜第８蒸着源５６Ｓと駆動基板１０とを相対移動させることにより、各層を形成する。第１蒸着源５１Ｓ〜第８蒸着源５６Ｓの孔（図１８の孔Ｐ）の両側には制限板５０が設けられており、この制限板５０により成膜幅が規定されるようになっている。図１９Ａ，図１９Ｂでは、第２蒸着源５２Ｓ〜第８蒸着源５６Ｓの制限板を省略して図示している。例えば、第１蒸着源５１Ｓ、第２蒸着源５２Ｓ、第３蒸着源５３ＲＳ、第４蒸着源５５Ｓ、第５蒸着源５３ＢＳおよび第６蒸着源５３ＧＳでは、各蒸着源（蒸着源の面のうち、孔を有する面）と駆動基板１０とを平行に対向させて蒸着を行い、第７蒸着源５４Ｓおよび第８蒸着源５６Ｓでは、駆動基板１０に対して斜め方向から蒸着を行う。即ち、電子輸送層２５４および第２電極１６は斜方ライン蒸着法により形成する。斜方ライン蒸着法は、駆動基板１０に対して蒸着源（第７蒸着源５４Ｓおよび第８蒸着源５６Ｓ）を傾けて行うようにしてもよく、あるいは、蒸着源に対して駆動基板１０を傾けて行うようにしてもよい。

このようにライン蒸着法を用いることにより、全ての有機発光素子２Ａに共通の有機層２５および第２電極１６を形成することができる。ここで、本実施の形態では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３の側壁が、補助電極１３の表面に対して鋭角の角度βをなす傾斜面１４Ｂを有しているので、開口Ｓ３の上端ｅ近傍で有機層２５が分断される（図１７Ａ，図１７Ｂ）。これは、カバレッジの低い蒸着法では、有機層２５の構成材料は、蒸着源に対して開口Ｓ３を狭める方向の傾斜面１４Ｂには成膜されないためである。

一方、蒸着源に対して開口Ｓ３を広げる方向の傾斜面１４Ａには、これに沿って有機層２５が成膜される。しかし、有機層２５のうち、駆動基板１０に対して蒸着源を平行に配置して成膜する層（正孔注入層２５１，正孔輸送層２５２，発光層２５３および発光分離層２５４）は、蒸着材料が傾斜面１４Ａから開口Ｓ３の底面（補助電極１３の表面）に回り込むことができないため、補助電極１３上には成膜されない（図１７Ａ）。

これに対し、斜方ライン蒸着法を用いて成膜する電子輸送層２５４および第２電極１６は、その蒸着材料が開口Ｓ３の底面にも回り込むので、補助電極１３上に成膜される（図１７Ｂ）。

第２電極１６を設けた後、表示装置１と同様にして、保護層１７を形成する。最後に、接着層を用いて駆動基板１０と封止基板２０とを貼り合わせ、表示装置２を完成させる。

表示装置２では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３の側壁に傾斜面１４Ｂが設けられているので、蒸着マスク（図７Ｂの蒸着マスクＭ）を用いずに電子輸送層２５４以外の有機層２５（正孔注入層２５１、正孔輸送層２５２、発光層２５３および発光分離層２５）を形成することができる。これにより、歩留まりを向上させることが可能となる。以下、これについて説明する。

補助電極上に非導電性の有機層が付着すると、補助電極と第２電極との電気的な接続が確保できなくなる。このため、蒸着マスクを用いて有機層を選択的な領域に形成し、補助電極への有機材料の付着を防止する方法が知られている。しかしながら、このような蒸着マスクを用いた方法では、蒸着マスクと駆動基板との位置合わせ必要であり、この位置合わせには高い精度が要求される。また、蒸着マスクに起因して表示装置内に異物が混入する虞がある。このような理由から、蒸着マスクを用いて有機層を形成する方法では歩留まりを高めることが困難であった。

これに対し、表示装置２では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ３の側壁に傾斜面１４Ｂが設けられている。これにより、有機層２５は開口Ｓ３の上端ｅ近傍で分断される。有機層２５のうち、蒸着源を駆動基板１０に対して平行に配置して成膜すると、開口Ｓ３の底面にも成膜されない（正孔注入層２５１，正孔輸送層２５２，発光層２５３および発光分離層２５４）。即ち、蒸着方向を調整することにより、補助電極１３上には電子輸送層２５４以外の有機層２５が成膜されない。従って、蒸着マスクを用いることなく、電子輸送層２５４以外の有機層２５が補助電極１３に付着するのを防ぐことができる。よって、歩留まりを向上させることができる。

更に、蒸着マスクを使用すると、位置合わせ精度の問題から、画素の高精細化が困難であるが、表示装置２は蒸着マスクを使用せずに製造できるので、高精細化にも対応可能となる。加えて、基板の大型化にも対応可能となる。

また、開口Ｓ３の底面から傾斜面１４Ａの間で、第２電極１６が切断される虞があるが、導電性の電子輸送層２５４が第２電極１６と共に、開口Ｓ３の底面から傾斜面１４Ａを覆っている。これにより、仮に第２電極１６の一部が切断されていても、電子輸送層１５４により補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続が維持される。よって、補助電極１３と第２電極１６との電気的な接続の安定性を向上させることができる。

＜第３の実施の形態＞
図２０は本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置３の補助電極７１は、遮蔽部材７２により覆われている。この点を除き、表示装置３は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

補助電極７１は、例えば画素間絶縁膜１４上に、これに接して設けられている。この補助電極７１とは離間して遮蔽部材７２が、補助電極７１の少なくとも一部を覆っている。遮蔽部材７２は、例えば補助電極７１と略同一の平面形状を有しており、補助電極７１全部を覆っている。補助電極７１と遮蔽部材７２との間には柱状部材７３が設けられており、この柱状部材７３により、補助電極７１と遮蔽部材７２とが離間されている。画素間絶縁膜１４の開口に、補助電極７１が設けられていてもよい。

補助電極７１には、電子輸送層２５４が接する部分（接続部３１Ａ）が設けられている。この接続部３１Ａに電子輸送層２５４および第２電極１６が成膜されることにより、電子輸送層２５４を介して補助電極７１と第２電極１６とが電気的に接続されるようになっている。この接続部３１Ａは、補助電極７１のうち、柱状部材７３から拡幅し、かつ、遮蔽部材７２により覆われている領域である。このような接続部３１Ａには、カバレッジの低い有機層２５は成膜されにくい。上記第２の実施の形態で説明したのと同様にして、電子輸送層２５４および第２電極１６を斜め蒸着により形成することで、接続部３１Ａにも電子輸送層２５４および第２電極１６が成膜される。補助電極７１は、例えば上記表示装置１の補助電極１３と同様の材料により構成されている。

蔽部材３２の平面形状の面積は、補助電極７１の平面形状の面積以下であることが好ましい。遮蔽部材７２の平面形状の面積が、補助電極７１の平面形状の面積よりも大きいと、接続部３１Ａに電子輸送層２５４が成膜されにくくなるためである。このような遮蔽部材７２および柱状部材７３は、低抵抗の金属材料により構成することが好ましい。例えば、補助電極７１をチタン（Ｔｉ）により構成するとき、柱状部材７３をアルミニウム（Ａｌ）、遮蔽部材７２をチタンによりそれぞれ構成する。これらの金属膜を順に例えばスパッタ法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより補助電極７１および遮蔽部材７２を形成する。補助電極７１および遮蔽部材７２よりも、幅の小さい柱状部材７３は、例えば、補助電極７１および遮蔽部材７２のパターニング後に、弱アルカリ性溶液等を用いて選択的にエッチングすることにより形成する。

表示装置３の有機層２５は、上記表示装置２の有機層２５（図１３の有機層２５）と同様の構成を有するものであり、全ての有機発光素子３Ａに共通して設けられている。電子輸送層２５４以外の有機層２５は、補助電極７１の端部近傍で分断されている。一方、導電性の電子輸送層２５４は、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ１部分から補助電極７１の接続部３１Ａまで連続して設けられている。上述のように、カバレッジの低い有機層２５は、遮蔽部材７２のシャドウィング効果により、補助電極７１の接続部３１Ａには成膜されないが、斜め蒸着により電子輸送層２５４を形成することにより、接続部３１Ａに電子輸送層２５４を成膜することが可能となる。電子輸送層２５４以外の有機層２５が、補助電極７１上に成膜されていてもよい。この場合、電子輸送層２５４は他の有機層２５の端面を覆い、補助電極７１に接する。

このように、遮蔽部材７２を設けることにより、電子輸送層２５４以外の有機層２５が補助電極７１の端部近傍で分断される。従って、蒸着マスクを用いることなく、電子輸送層２５４以外の有機層２５が補助電極７１に付着するのを防ぐことができる。よって、上記第２の実施の形態と同様に、歩留まりを向上させることができる。更に、高精細化も可能となる。

＜適用例＞
以下、上記のような表示装置１の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。すなわち、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

［モジュール］
上記表示装置１は、例えば図２１に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、素子パネル１０または封止パネル２０の一辺に、封止用基板２１または基板１０ａから露出した領域６１を設け、この露出した領域６１に、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１、電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３およびライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２の配線を延長して外部接続端子を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）６２が設けられていてもよい。

［適用例１］
図２２Ａおよび図２２Ｂはそれぞれ、上記実施の形態の表示装置（表示装置１，２，３）が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有しており、この表示部２１０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

［適用例２］
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部２３０および非表示部２４０を有しており、この表示部２３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

［適用例３］
図２４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。

［適用例４］
図２５Ａ，図２５Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

［適用例５］
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

［適用例６］
図２７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、この表示部６４０が上記実施の形態の表示装置により構成されている。

［適用例７］
図２８Ａ，図２８Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、第２電極１６は積層膜により構成するようにしてもよい。厚みＴＡの導電膜１６Ａに、光透過性の高い導電膜１６Ｂを積層して第２電極１６（図２９Ｂ）を構成する。このとき、例えば、導電膜１６Ｂの厚みＴＢは、導電膜１６Ａ，１６Ｂからなる第２電極１６のシート抵抗値が、単層で厚みＴの第２電極１６（図２９Ａ）のシート抵抗値と同じになるように調整する。これにより、積層膜からなる第２電極１６（図２９Ｂ）では、単層の第２電極１６（図２９Ａ）と比較して、より高い光透過性を得ることが可能となる。

また、上記実施の形態では、第２電極１６の成膜方法として斜め蒸着を例に挙げて説明したが、スパッタ法により形成することも可能である。

更に、上記実施の形態では、トップエミッション方式の表示装置について説明したが、本技術はボトムエミッション方式の表示装置に適用することも可能である。

加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置について説明したが、本技術はパッシブマトリクス型の表示装置にも適用可能である。また、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。

更にまた、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する有機発光素子と、前記有機層の導電層を介して前記第２電極に電気的に接続された補助電極とを備えた表示装置。
（２）複数の前記有機発光素子を有し、前記導電層および前記第２電極は前記複数の有機発光素子に共通して設けられている前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記導電層は、有機材料中にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含んでいる前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記有機層は前記導電層と共に発光層を含み、前記導電層は、前記発光層と前記第２電極との間の電子輸送層である前記（２）に記載の表示装置。
（５）前記第１電極と前記有機層との間に絶縁膜を有し、前記絶縁膜には、前記第１電極の表面を露出させる第１開口、および前記補助電極の表面を露出させる第２開口が設けられている前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記第１開口の径は、前記第１電極から前記第２電極に向かうに連れて大きくなり、前記第２開口の側壁は前記補助電極の表面に対して垂直である前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記発光層は各々の前記有機発光素子毎に設けられている前記（５）に記載の表示装置。
（８）前記第２開口の側壁は、前記補助電極の表面に対して鋭角をなす第１傾斜面と、前記第１傾斜面に対向すると共に前記補助電極の表面に対して鈍角をなす第２傾斜面とを有する前記（５）に記載の表示装置。
（９）前記発光層は、前記複数の有機発光素子に共通して設けられている前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記発光層は、前記第２開口の前記第１傾斜面の上端で途切れている前記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記電子輸送層は、前記第２開口により露出された前記補助電極の表面から前記第２傾斜面を介して前記第２開口と隣り合う前記第１開口まで連続して設けられている前記（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記導電層は前記第１電極と前記第２電極との間で前記第２電極に接している前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）更に、前記補助電極と離間して前記補助電極の少なくとも一部を覆う遮蔽部材を有する前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記遮蔽部材と前記補助電極との間には柱状部材が設けられている前記（１３）に記載の表示装置。
（１５）前記遮蔽部材で覆われた部分の前記補助電極に、前記導電層が接している前記（１３）または（１４）に記載の表示装置。
（１６）補助電極を形成すると共に、前記補助電極とは離間して第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に設けた有機発光素子を形成することと、前記第２電極を前記有機層の導電層を介して前記補助電極に電気的に接続させることとを含む表示装置の製造方法。
（１７）前記補助電極および前記有機発光素子を基板上に形成し、前記導電層および第２電極は、前記基板に対して斜方蒸着を行うことにより形成する前記（１６）に記載の表示装置の製造方法。
（１８）表示装置を備え、前記表示装置は、第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する有機発光素子と、前記有機層の導電層を介して前記第２電極に電気的に接続された補助電極とを含む電子機器。

１，２，３…表示装置、１Ａ…有機発光素子、１０…駆動基板、１１…ＴＦＴ、１２…第１電極、１３，７１…補助電極、１４…画素間絶縁膜、１５，２５…有機層、１６…第２電極、１７…保護層、２０…封止基板、Ｓ１〜Ｓ３…開口、１４Ａ，１４Ｂ…傾斜面、７２…遮蔽部材、７３…柱状部材。

Claims (18)

1. 第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する有機発光素子と、
   前記有機層の導電層を介して前記第２電極に電気的に接続された補助電極と
   を備えた表示装置。
2. 複数の前記有機発光素子を有し、
   前記導電層および前記第２電極は前記複数の有機発光素子に共通して設けられている
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記導電層は、有機材料中にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含んでいる
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記有機層は前記導電層とともに発光層を含み、
   前記導電層は、前記発光層と前記第２電極との間の電子輸送層である
   請求項２に記載の表示装置。
5. 前記第１電極と前記有機層との間に絶縁膜を有し、
   前記絶縁膜には、前記第１電極の表面を露出させる第１開口、および前記補助電極の表面を露出させる第２開口が設けられている
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１開口の径は、前記第１電極から前記第２電極に向かうに連れて大きくなり、
   前記第２開口の側壁は前記補助電極の表面に対して垂直である
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記発光層は各々の前記有機発光素子毎に設けられている
   請求項５に記載の表示装置。
8. 前記第２開口の側壁は、前記露出された補助電極の表面に対して鋭角をなす第１傾斜面と、前記第１傾斜面に対向すると共に前記露出された補助電極の表面に対して鈍角をなす第２傾斜面とを有する
   請求項５に記載の表示装置。
9. 前記発光層は、前記複数の有機発光素子に共通して設けられている
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記発光層は、前記第２開口の前記第１傾斜面の上端で途切れている
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記電子輸送層は、前記第２開口により露出された前記補助電極の表面から前記第２傾斜面を介して前記第２開口と隣り合う前記第１開口まで連続して設けられている
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記導電層は前記第１電極と前記第２電極との間で前記第２電極に接している
    請求項１に記載の表示装置。
13. 更に、前記補助電極と離間して前記補助電極の少なくとも一部を覆う遮蔽部材を有する
    請求項１に記載の表示装置。
14. 前記遮蔽部材と前記補助電極との間には柱状部材が設けられている
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記遮蔽部材で覆われた部分の前記補助電極に、前記導電層が接している
    請求項１３に記載の表示装置。
16. 補助電極を形成すると共に、前記補助電極とは離間して、第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に設けた有機発光素子を形成することと、
    前記第２電極を前記有機層の導電層を介して前記補助電極に電気的に接続させることと
    を含む表示装置の製造方法。
17. 前記補助電極および前記有機発光素子を基板上に形成し、
    前記導電層および第２電極は、前記基板に対して斜方蒸着を行うことにより形成する
    請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    第１電極、導電層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する有機発光素子と、
    前記有機層の導電層を介して前記第２電極に電気的に接続された補助電極とを含む
    電子機器。

Images